JP2000049155A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JP2000049155A JP2000049155A JP10216614A JP21661498A JP2000049155A JP 2000049155 A JP2000049155 A JP 2000049155A JP 10216614 A JP10216614 A JP 10216614A JP 21661498 A JP21661498 A JP 21661498A JP 2000049155 A JP2000049155 A JP 2000049155A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属配線の腐食を防止し、配線の断線及び接
続抵抗増大を低減した半導体装置を提供する。 【解決手段】 一般式（Ｉ） 【化１】 （式中Ｒは、炭素数１〜４のアルキル基、ｎは０〜２の
正数を意味し、複数個のＲは同一でも異なっていてもよ
い）で表されるアルコキシシラン化合物を触媒および有
機溶媒下で加水分解、重縮合させて得られるシロキサン
オリゴマー並びにアンモニア、アルキルアミン、ジアル
キルアミン、トリアルキルアミン及びアリールアミンか
らなる群から選ばれる少なくとも一種の塩基性化合物を
含むシリカ系被膜形成用塗布液を用いて形成されてなる
シリカ系被膜を層間絶縁膜とした半導体装置。
続抵抗増大を低減した半導体装置を提供する。 【解決手段】 一般式（Ｉ） 【化１】 （式中Ｒは、炭素数１〜４のアルキル基、ｎは０〜２の
正数を意味し、複数個のＲは同一でも異なっていてもよ
い）で表されるアルコキシシラン化合物を触媒および有
機溶媒下で加水分解、重縮合させて得られるシロキサン
オリゴマー並びにアンモニア、アルキルアミン、ジアル
キルアミン、トリアルキルアミン及びアリールアミンか
らなる群から選ばれる少なくとも一種の塩基性化合物を
含むシリカ系被膜形成用塗布液を用いて形成されてなる
シリカ系被膜を層間絶縁膜とした半導体装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリカ系被膜を層
間絶縁膜とした半導体装置に関する。
間絶縁膜とした半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子の層
間絶縁膜の平坦化方法として、パターン形成された配線
層を有する基盤上に真空蒸着、ＣＶＤ等の気相成長法に
よりＳｉＯ2、ＳｉＮ等からなる１層目の層間絶縁膜を
形成し、２層目にＳＯＧ（SpinOn Glass）液（オルガノ
シロキサンのオリゴマー液からなる）を回転塗布し、そ
の後熱処理することによりオルガノシロキサン系被膜を
形成する。次に１層目と同様の方法により３層目の層間
絶縁膜を形成する３層層間膜によるＳＯＧ平坦化プロセ
スが広く用いられている。
間絶縁膜の平坦化方法として、パターン形成された配線
層を有する基盤上に真空蒸着、ＣＶＤ等の気相成長法に
よりＳｉＯ2、ＳｉＮ等からなる１層目の層間絶縁膜を
形成し、２層目にＳＯＧ（SpinOn Glass）液（オルガノ
シロキサンのオリゴマー液からなる）を回転塗布し、そ
の後熱処理することによりオルガノシロキサン系被膜を
形成する。次に１層目と同様の方法により３層目の層間
絶縁膜を形成する３層層間膜によるＳＯＧ平坦化プロセ
スが広く用いられている。
【０００３】近年ＩＣ、ＬＳＩ等の高速化が進展してい
く中で３層構造の層間絶縁膜では誘電率の低減にも限界
がある為、ＳＯＧ膜単層で層間絶縁膜を形成する方法も
提案されている。しかし、ＳＯＧ膜単層では金属配線を
腐食し、配線の断線及び接続抵抗増大などの半導体装置
の信頼性低下といった問題がある。
く中で３層構造の層間絶縁膜では誘電率の低減にも限界
がある為、ＳＯＧ膜単層で層間絶縁膜を形成する方法も
提案されている。しかし、ＳＯＧ膜単層では金属配線を
腐食し、配線の断線及び接続抵抗増大などの半導体装置
の信頼性低下といった問題がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、金属配線の
腐食を防止し、配線の断線及び接続抵抗増大を低減した
半導体装置を提供するものである。
腐食を防止し、配線の断線及び接続抵抗増大を低減した
半導体装置を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、一般式（Ｉ）
【化２】 （式中Ｒは、炭素数１〜４のアルキル基、ｎは０〜２の
正数を意味し、複数個のＲは同一でも異なっていてもよ
い）で表されるアルコキシシラン化合物を加水分解、重
縮合させてシロキサンオリゴマーを製造するに際して、
アンモニア、アルキルアミン、ジアルキルアミン、トリ
アルキルアミン及びアリールアミンからなる群から選ば
れる少なくとも一種の塩基性化合物を含有させてなるシ
リカ系被膜系被膜形成用塗布液を用いて形成されてなる
シリカ系被膜を層間絶縁膜とした半導体装置に関する。
本発明は、また、塩基性化合物をpHが５〜７になるよう
に含むシリカ系被膜形成用塗布液を用いてなる上記の半
導体装置に関する。
正数を意味し、複数個のＲは同一でも異なっていてもよ
い）で表されるアルコキシシラン化合物を加水分解、重
縮合させてシロキサンオリゴマーを製造するに際して、
アンモニア、アルキルアミン、ジアルキルアミン、トリ
アルキルアミン及びアリールアミンからなる群から選ば
れる少なくとも一種の塩基性化合物を含有させてなるシ
リカ系被膜系被膜形成用塗布液を用いて形成されてなる
シリカ系被膜を層間絶縁膜とした半導体装置に関する。
本発明は、また、塩基性化合物をpHが５〜７になるよう
に含むシリカ系被膜形成用塗布液を用いてなる上記の半
導体装置に関する。
【０００６】
【発明の実施の形態】前記一般式（Ｉ）で表されるアル
コキシシランは、具体的には
コキシシランは、具体的には
【化３】 等のテトラアルコキシシラン、
【化４】 等のモノアルキルトリアルコキシシラン、
【化５】 等のジアルキルジアルコキシシランがあげられ、これら
は１種または２種以上が用いられる。
は１種または２種以上が用いられる。
【０００７】本発明に用いられる前記一般式（Ｉ）で表
されるアルコキシシランとして、テトラアルコキシシラ
ン、モノアルキルトリアルコキシシラン、ジアルキルジ
アルコキシシランの割合に制限はないが、良質なシリカ
系被膜を形成するためにジアルキルジアルコキシシラン
は使用するアルコキシシラン化合物の総量に対し５０モ
ル％以下であることが好ましい。
されるアルコキシシランとして、テトラアルコキシシラ
ン、モノアルキルトリアルコキシシラン、ジアルキルジ
アルコキシシランの割合に制限はないが、良質なシリカ
系被膜を形成するためにジアルキルジアルコキシシラン
は使用するアルコキシシラン化合物の総量に対し５０モ
ル％以下であることが好ましい。
【０００８】本発明におけるシリカ系被膜形成用塗布液
には溶媒として有機溶媒を使用することが好ましい。有
機溶媒としては、メタノール、エタノール、プロパノー
ル、ブタノール等のアルコール系、酢酸メチル、酢酸エ
チル、酢酸プロピル、酢酸ブチル等の酢酸エステル系、
エチレングリコールモノメチルアセテート、エチレング
リコールジアセテート等のグリコールアセテート系溶
媒、Ｎ，Ｎ一メチルー２ピロリドン等のアミド系溶媒、
グリコールエーテル系溶媒等種々の溶媒があげられ、こ
れらは１種または２種以上が用いられる。溶媒の使用量
は、上記の反応で得られるポリシロキサン樹脂の量が１
５〜５０重量％となる量とされることが好ましい。
には溶媒として有機溶媒を使用することが好ましい。有
機溶媒としては、メタノール、エタノール、プロパノー
ル、ブタノール等のアルコール系、酢酸メチル、酢酸エ
チル、酢酸プロピル、酢酸ブチル等の酢酸エステル系、
エチレングリコールモノメチルアセテート、エチレング
リコールジアセテート等のグリコールアセテート系溶
媒、Ｎ，Ｎ一メチルー２ピロリドン等のアミド系溶媒、
グリコールエーテル系溶媒等種々の溶媒があげられ、こ
れらは１種または２種以上が用いられる。溶媒の使用量
は、上記の反応で得られるポリシロキサン樹脂の量が１
５〜５０重量％となる量とされることが好ましい。
【０００９】本発明におけるシランオリゴマーは、前記
した一般式（Ｉ）で表されるアルコキシシラン化合物を
加水分解、重縮合して製造されるが、このとき触媒とし
ては、塩酸、硫酸、リン酸、硝酸、フッ酸等の無機酸、
シュウ酸、マレイン酸、スルホン酸、ギ酸等の有機酸を
使用することが好ましい。これらの触媒は、一般式
（Ｉ）で表されるアルコキシシラン化合物の量に応じて
適当量用いられるが、好適には一般式（Ｉ）で表される
アルコキシシラン化合物１モルに対し０．００１〜０．
５モルの範囲で用いられる。
した一般式（Ｉ）で表されるアルコキシシラン化合物を
加水分解、重縮合して製造されるが、このとき触媒とし
ては、塩酸、硫酸、リン酸、硝酸、フッ酸等の無機酸、
シュウ酸、マレイン酸、スルホン酸、ギ酸等の有機酸を
使用することが好ましい。これらの触媒は、一般式
（Ｉ）で表されるアルコキシシラン化合物の量に応じて
適当量用いられるが、好適には一般式（Ｉ）で表される
アルコキシシラン化合物１モルに対し０．００１〜０．
５モルの範囲で用いられる。
【００１０】また、上記の加水分解、重縮合は、前記の
溶媒中で行うことが好ましい。また、この反応に際し
て、水が存在させられる、水の量も適宜決められるが、
あまり少ない場合や多すぎる場合には塗布液の塗布性、
保存安定性の低下等の問題があるので、水の量は、一般
式（Ｉ）本発明に用いられるアルコキシシランオリゴマ
ー液は、前記の溶媒の存在下で、一般式（Ｉ）で表され
るアルコキシシラン化合物１モルに対して０．５〜４モ
ルの範囲とすることが好ましい。以上のようにして得ら
れる加水分解、重縮合生成物のシラノールオリゴマー液
は、そのまま使用することができる。また、溶媒を除去
後、改めて前記溶媒に溶解してシリカ系被膜形成用塗布
液としてから使用される。
溶媒中で行うことが好ましい。また、この反応に際し
て、水が存在させられる、水の量も適宜決められるが、
あまり少ない場合や多すぎる場合には塗布液の塗布性、
保存安定性の低下等の問題があるので、水の量は、一般
式（Ｉ）本発明に用いられるアルコキシシランオリゴマ
ー液は、前記の溶媒の存在下で、一般式（Ｉ）で表され
るアルコキシシラン化合物１モルに対して０．５〜４モ
ルの範囲とすることが好ましい。以上のようにして得ら
れる加水分解、重縮合生成物のシラノールオリゴマー液
は、そのまま使用することができる。また、溶媒を除去
後、改めて前記溶媒に溶解してシリカ系被膜形成用塗布
液としてから使用される。
【００１１】本発明に使用される塩基性化合物として
は、アンモニア（アンモニア水として使用してもよ
い）、オクチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルベンジルアミ
ンなどのフェニル基などの芳香族基で置換されていても
よいアルキル基（置換基を除いて炭素数１〜９であるこ
とが好ましい）を有するアルキルアミン、ジアルキルア
ミン、もしくはトリアルキルアミン並びにアニリン等の
アリールアミン（芳香族基を有するアミン化合物、ただ
し、上記の芳香族基で置換されていてもよいアルキル基
を有するアルキルアミン、ジアルキルアミン及びトリア
ルキルアミンを除く）などがある。
は、アンモニア（アンモニア水として使用してもよ
い）、オクチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルベンジルアミ
ンなどのフェニル基などの芳香族基で置換されていても
よいアルキル基（置換基を除いて炭素数１〜９であるこ
とが好ましい）を有するアルキルアミン、ジアルキルア
ミン、もしくはトリアルキルアミン並びにアニリン等の
アリールアミン（芳香族基を有するアミン化合物、ただ
し、上記の芳香族基で置換されていてもよいアルキル基
を有するアルキルアミン、ジアルキルアミン及びトリア
ルキルアミンを除く）などがある。
【００１２】塩基性化合物は得られたシロキサンオリゴ
マー液の安定化に必要である。上記塩基性化合物がない
場合、安定性が損なわれ、ゲル化しやすくなる。上記塩
基性化合物は、シロキサンオリゴマー液のpHを５〜７と
するように使用されることが好ましく、特にpHが５〜６
となるように使用されることが好ましい。pHは、必須の
要件ではないが、大きすぎたり小さすぎてもシロキサン
オリゴマー液の保存安定性が低下する傾向がある。
マー液の安定化に必要である。上記塩基性化合物がない
場合、安定性が損なわれ、ゲル化しやすくなる。上記塩
基性化合物は、シロキサンオリゴマー液のpHを５〜７と
するように使用されることが好ましく、特にpHが５〜６
となるように使用されることが好ましい。pHは、必須の
要件ではないが、大きすぎたり小さすぎてもシロキサン
オリゴマー液の保存安定性が低下する傾向がある。
【００１３】このようにして得られた塗布液を用いてシ
リカ系被膜を形成するには、該塗布液をシリコンウエハ
ー、回路の形成されたシリコンウエハー等の基体上に、
浸漬法、回転塗布法等の方法で塗布した後、５０〜３５
０℃、好ましくは１００〜２５０℃で乾燥し、ついで、
窒素雰囲気中で３５０〜５００℃、好ましくは３５０〜
４５０℃で焼成する。このシリカ系被膜を多層配線構造
の層間膜（層間絶縁膜）として半導体装置を得ることが
できる。
リカ系被膜を形成するには、該塗布液をシリコンウエハ
ー、回路の形成されたシリコンウエハー等の基体上に、
浸漬法、回転塗布法等の方法で塗布した後、５０〜３５
０℃、好ましくは１００〜２５０℃で乾燥し、ついで、
窒素雰囲気中で３５０〜５００℃、好ましくは３５０〜
４５０℃で焼成する。このシリカ系被膜を多層配線構造
の層間膜（層間絶縁膜）として半導体装置を得ることが
できる。
【００１４】本発明の半導体装置の製造工程の一例を以
下に説明する。図１は、本発明における半導体装置の製
造工程図である。図１（ａ）に示すように、基板１の上
に、シリカ系被膜２を形成する。次に図１（ｂ）に示す
ように塩化ゴム系またはフェノールノボラック系の感光
性樹脂層３を前記シリカ系被膜２の上に形成し、公知の
写真食刻技術によって所定部分のシリカ系被膜２が露出
するように窓４Ａを設ける。次に図１（ｃ）のように窓
４Ａのシリカ系被膜２は四フッ化炭素などのフッ素系ガ
スを用いるドライエッチング手段によって選択的にエッ
チングされ、次いで、窓４Ａから露出したシリカ系被膜
２を腐食することなく感光樹脂層３のみを腐食するよう
なエッチング溶液を用いて感光樹脂層３を完全に除去す
る。次に図１（ｄ）に示すように公知の金属膜形成法に
より第１導体層５を形成し、必要に応じてＣＭＰ（Chem
ical Mechanical Polishing）法により形成した第１導
体層５を研磨する。
下に説明する。図１は、本発明における半導体装置の製
造工程図である。図１（ａ）に示すように、基板１の上
に、シリカ系被膜２を形成する。次に図１（ｂ）に示す
ように塩化ゴム系またはフェノールノボラック系の感光
性樹脂層３を前記シリカ系被膜２の上に形成し、公知の
写真食刻技術によって所定部分のシリカ系被膜２が露出
するように窓４Ａを設ける。次に図１（ｃ）のように窓
４Ａのシリカ系被膜２は四フッ化炭素などのフッ素系ガ
スを用いるドライエッチング手段によって選択的にエッ
チングされ、次いで、窓４Ａから露出したシリカ系被膜
２を腐食することなく感光樹脂層３のみを腐食するよう
なエッチング溶液を用いて感光樹脂層３を完全に除去す
る。次に図１（ｄ）に示すように公知の金属膜形成法に
より第１導体層５を形成し、必要に応じてＣＭＰ（Chem
ical Mechanical Polishing）法により形成した第１導
体層５を研磨する。
【００１５】２層以上の多層配線構造体を形成する場合
は、上記の工程を繰り返して行い各層を形成する。即ち
導体層の上に絶縁層となる層間絶縁膜を形成する工程
（ａ）、この被膜の所定の場所を選択的に除去し窓を開
口する工程（ｂ）、（ｃ）、下部に存する導体層の所定
部分と接続された上部の導体を形成する工程（ｄ）を繰
り返すことになる。
は、上記の工程を繰り返して行い各層を形成する。即ち
導体層の上に絶縁層となる層間絶縁膜を形成する工程
（ａ）、この被膜の所定の場所を選択的に除去し窓を開
口する工程（ｂ）、（ｃ）、下部に存する導体層の所定
部分と接続された上部の導体を形成する工程（ｄ）を繰
り返すことになる。
【００１６】また、このようにして作製される多層配線
構造体の表面には、ポリイミド樹脂などの有機材料また
は、窒化ケイ素などの無機材料からなる表面保護層が形
成される。表面保護層には場合により所定部分に上記窓
４Ａ、４Ｂと同様の窓を開けてもよい。半導体装置全体
は、通常エポキシ樹脂などを含む封止材により封止され
る。
構造体の表面には、ポリイミド樹脂などの有機材料また
は、窒化ケイ素などの無機材料からなる表面保護層が形
成される。表面保護層には場合により所定部分に上記窓
４Ａ、４Ｂと同様の窓を開けてもよい。半導体装置全体
は、通常エポキシ樹脂などを含む封止材により封止され
る。
【００１７】
【実施例】以下、本発明を実施例により詳しく説明す
る。 実施例１ テトラメトキシシラン５０．０ｇ、ジメチルジメトキシ
シラン４４．０ｇ及びトリメチルトリメトキシシラン４
１．０ｇをイソプロピルアルコール１００．０ｇに溶解
し、この溶液に水５１．０ｇにリン酸２．０ｇを溶解し
た液を撹拌下で１時間かけて滴下した。滴下終了後５時
間撹拝した後、アニリン１．３ｇを添加し、更に１時間
撹拌してシリカ系被膜形成用塗布液塗布液を得た。pHを
測定したところ５．３であった。
る。 実施例１ テトラメトキシシラン５０．０ｇ、ジメチルジメトキシ
シラン４４．０ｇ及びトリメチルトリメトキシシラン４
１．０ｇをイソプロピルアルコール１００．０ｇに溶解
し、この溶液に水５１．０ｇにリン酸２．０ｇを溶解し
た液を撹拌下で１時間かけて滴下した。滴下終了後５時
間撹拝した後、アニリン１．３ｇを添加し、更に１時間
撹拌してシリカ系被膜形成用塗布液塗布液を得た。pHを
測定したところ５．３であった。
【００１８】また、この反応物溶液をスピナーを用いて
２０００rpmでシリコンウエハー上にＣｕ層を形成した
基体に塗布した後１５０℃に制御されたホットプレート
上で１分間乾燥し、４００℃で窒素雰囲気の電気炉中で
１時間焼成したところ無色透明でクラックのないシリカ
系被膜が得られた。該被膜の膜厚を測定したところ１．
２μｍであった。
２０００rpmでシリコンウエハー上にＣｕ層を形成した
基体に塗布した後１５０℃に制御されたホットプレート
上で１分間乾燥し、４００℃で窒素雰囲気の電気炉中で
１時間焼成したところ無色透明でクラックのないシリカ
系被膜が得られた。該被膜の膜厚を測定したところ１．
２μｍであった。
【００１９】また、この基体の断面を走査型電子顕微鏡
でＣｕとシリカ系被膜の界面を観察したところ、Ｃｕの
腐食は認められなかった。
でＣｕとシリカ系被膜の界面を観察したところ、Ｃｕの
腐食は認められなかった。
【００２０】第１図の工程（ａ）として、シリコンウェ
ハからなる基板１の上に、前記と同様の条件で層間絶縁
膜層であるシリカ系被膜２を形成した。ついで、第１図
の工程（ｂ）として、シリカ系被膜２の所定部分のみを
選択的に除去するため、該層２上にフェノールノボラッ
ク樹脂系の感光性樹脂（ポジ型ホトレジスト、ＡＺ−１
３５０Ｊヘキスト社製）層３を回転数３０００rpmのス
ピナー塗布して形成し、公知の写真食刻技術によって露
光した後、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液系の
現像液（ＮＭＤ−３、東京応化(株)製）でレジストを現
像し、窓４Ａをあけた。ついで、第１図の工程（ｃ）と
して、公知のドライエッチング技術で、前記シリカ系被
膜２を選択的にエッチングし、窓４Ｂをあけ、感光性樹
脂層３のみを食刻するレジスト剥離液（アセトン）を用
いて室温下で２分間浸漬処理し、感光性樹脂層３を完全
に除去した。
ハからなる基板１の上に、前記と同様の条件で層間絶縁
膜層であるシリカ系被膜２を形成した。ついで、第１図
の工程（ｂ）として、シリカ系被膜２の所定部分のみを
選択的に除去するため、該層２上にフェノールノボラッ
ク樹脂系の感光性樹脂（ポジ型ホトレジスト、ＡＺ−１
３５０Ｊヘキスト社製）層３を回転数３０００rpmのス
ピナー塗布して形成し、公知の写真食刻技術によって露
光した後、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液系の
現像液（ＮＭＤ−３、東京応化(株)製）でレジストを現
像し、窓４Ａをあけた。ついで、第１図の工程（ｃ）と
して、公知のドライエッチング技術で、前記シリカ系被
膜２を選択的にエッチングし、窓４Ｂをあけ、感光性樹
脂層３のみを食刻するレジスト剥離液（アセトン）を用
いて室温下で２分間浸漬処理し、感光性樹脂層３を完全
に除去した。
【００２１】さらに、第１図の工程（ｄ）として、公知
の真空蒸着法、スパッタ法および写真食刻技術を用いて
Ｃｕの第１導体層を形成し、ＣＭＰ法により研磨して、
第１導体層５がシリカ系被膜２に埋め込まれた形の層を
形成した。この後、前記の工程（ａ）〜（ｄ）を繰り返
し、第１導体層が埋め込まれた形式のシリカ系被膜の上
に第２導体層が埋め込まれた形式のシリカ系被膜を形成
した。第１導体層と第２導体層は所定の位置で電気的に
接続した。さらに、前記の工程（ａ）〜（ｄ）を繰り返
し、第２導体層が埋め込まれた形式のシリカ系被膜の上
に第３導体層が埋め込まれた形式のシリカ系被膜を形成
した。第２導体層と第３導体層は所定の位置で電気的に
接続した。
の真空蒸着法、スパッタ法および写真食刻技術を用いて
Ｃｕの第１導体層を形成し、ＣＭＰ法により研磨して、
第１導体層５がシリカ系被膜２に埋め込まれた形の層を
形成した。この後、前記の工程（ａ）〜（ｄ）を繰り返
し、第１導体層が埋め込まれた形式のシリカ系被膜の上
に第２導体層が埋め込まれた形式のシリカ系被膜を形成
した。第１導体層と第２導体層は所定の位置で電気的に
接続した。さらに、前記の工程（ａ）〜（ｄ）を繰り返
し、第２導体層が埋め込まれた形式のシリカ系被膜の上
に第３導体層が埋め込まれた形式のシリカ系被膜を形成
した。第２導体層と第３導体層は所定の位置で電気的に
接続した。
【００２２】このようにして得られた多層配線構造体上
にポリイミド樹脂溶液（ＰＩＸ−１４００、日立化成工
業株式会社商品名）を構造体の表面に回転数２８００rp
mで３０秒間スピナー塗布し、１４０℃で６０秒間予備
硬化を行い、最終的に３５０℃で４分間最終硬化して表
面保護膜層を形成し、半導体装置を作製した。
にポリイミド樹脂溶液（ＰＩＸ−１４００、日立化成工
業株式会社商品名）を構造体の表面に回転数２８００rp
mで３０秒間スピナー塗布し、１４０℃で６０秒間予備
硬化を行い、最終的に３５０℃で４分間最終硬化して表
面保護膜層を形成し、半導体装置を作製した。
【００２３】比較例１ テトラメトキシシラン５０．０ｇ、ジメチルジメトキシ
シラン４４．０ｇ及びトリメチルトリメトキシシラン４
１．０ｇをイソプロピルアルコール１００．０ｇに溶解
し、この溶液に水５１．０ｇにリン酸２．０ｇを溶解し
た液を撹拌下で１時間かけて滴下してシリカ系被膜形成
用塗布液塗布液を得た。
シラン４４．０ｇ及びトリメチルトリメトキシシラン４
１．０ｇをイソプロピルアルコール１００．０ｇに溶解
し、この溶液に水５１．０ｇにリン酸２．０ｇを溶解し
た液を撹拌下で１時間かけて滴下してシリカ系被膜形成
用塗布液塗布液を得た。
【００２４】また、この反応物溶液をスピナーを用いて
２０００rpmでシリコンウエハー上にＣｕを形成した基
体に塗布した後１５０℃に制御されたホットプレート上
で１分間乾燥し、４００℃で窒素雰囲気の電気炉中で１
時間焼成したところ無色透明でクラックのない被膜が得
られた。該被膜の膜厚を測定したところ１．２μｍであ
った。
２０００rpmでシリコンウエハー上にＣｕを形成した基
体に塗布した後１５０℃に制御されたホットプレート上
で１分間乾燥し、４００℃で窒素雰囲気の電気炉中で１
時間焼成したところ無色透明でクラックのない被膜が得
られた。該被膜の膜厚を測定したところ１．２μｍであ
った。
【Ｏ０２５】また、この基体の断面を走査型電子顕微鏡
でＣｕとＳＯＧの界面を観察したところ、Ｃｕの腐食が
認められた。
でＣｕとＳＯＧの界面を観察したところ、Ｃｕの腐食が
認められた。
【００２６】
【発明の効果】本発明における半導体装置は、ＳＯＧの
単層でも金属配線の腐食を防止し、配線の断線及び接続
抵抗増大を低減した半導体装置である。
単層でも金属配線の腐食を防止し、配線の断線及び接続
抵抗増大を低減した半導体装置である。
【図１】本発明の半導体装置の製造工程の一例を示す工
程図である。
程図である。
１ 基板 ２ シリカ系被膜 ３ 感光性樹脂層 ４Ａ、４Ｂ 窓 ５ 第１導体層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F033 AA66 BA17 BA44 EA05 EA06 EA29 5F058 AA04 AC03 AD04 AD05 AF04 AG01 AH02
Claims (2)
- 【請求項１】 一般式（Ｉ） 【化１】 （式中Ｒは、炭素数１〜４のアルキル基、ｎは０〜２の
正数を意味し、複数個のＲは同一でも異なっていてもよ
い）で表されるアルコキシシラン化合物を触媒および有
機溶媒下で加水分解、重縮合させて得られるシロキサン
オリゴマー並びにアンモニア、アルキルアミン、ジアル
キルアミン、トリアルキルアミン及びアリールアミンか
らなる群から選ばれる少なくとも一種の塩基性化合物を
含むシリカ系被膜形成用塗布液を用いて形成されてなる
シリカ系被膜を層間絶縁膜とした半導体装置。 - 【請求項２】 塩基性化合物をpHが５〜７になるように
含むシリカ系被膜形成用塗布液を用いてなる請求項１記
載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10216614A JP2000049155A (ja) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10216614A JP2000049155A (ja) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000049155A true JP2000049155A (ja) | 2000-02-18 |
Family
ID=16691198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10216614A Pending JP2000049155A (ja) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000049155A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6413647B1 (en) * | 2000-02-28 | 2002-07-02 | Jsr Corporation | Composition for film formation, method of film formation, and silica-based film |
| US7358300B2 (en) | 2002-02-27 | 2008-04-15 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Composition for forming silica based coating film, silica based coating film and method for preparation thereof, and electronic parts |
| US7682701B2 (en) | 2002-02-27 | 2010-03-23 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Composition for forming silica based coating film, silica based coating film and method for preparation thereof, and electronic parts |
| US7687590B2 (en) | 2002-02-27 | 2010-03-30 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Composition for forming silica based coating film, silica based coating film and method for preparation thereof, and electronic parts |
| WO2019082803A1 (ja) * | 2017-10-26 | 2019-05-02 | 東レ株式会社 | 樹脂組成物、その硬化膜、それを具備する半導体素子および半導体素子の製造方法 |
-
1998
- 1998-07-31 JP JP10216614A patent/JP2000049155A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6413647B1 (en) * | 2000-02-28 | 2002-07-02 | Jsr Corporation | Composition for film formation, method of film formation, and silica-based film |
| US7358300B2 (en) | 2002-02-27 | 2008-04-15 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Composition for forming silica based coating film, silica based coating film and method for preparation thereof, and electronic parts |
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| WO2019082803A1 (ja) * | 2017-10-26 | 2019-05-02 | 東レ株式会社 | 樹脂組成物、その硬化膜、それを具備する半導体素子および半導体素子の製造方法 |
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