JP4642949B2 - シリカ系被膜形成用塗布液、その製造法、シリカ系被膜及び半導体装置 - Google Patents
シリカ系被膜形成用塗布液、その製造法、シリカ系被膜及び半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4642949B2 JP4642949B2 JP02847599A JP2847599A JP4642949B2 JP 4642949 B2 JP4642949 B2 JP 4642949B2 JP 02847599 A JP02847599 A JP 02847599A JP 2847599 A JP2847599 A JP 2847599A JP 4642949 B2 JP4642949 B2 JP 4642949B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silica
- forming
- coating
- based film
- coating solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜の製造法、シリカ系被膜及び半導体装置に関し、更に詳しくは成膜性の良好なシリカ系被膜形成用塗布液、これを用いるシリカ系被膜の製造法、シリカ系被膜及び半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子の層間絶縁の方法として、パターン形成された配線層を有する基板上に真空蒸着、ＣＶＤ等の気相成長法によりＳｉＯ2、ＳｉＮ等からなる１層目の層間絶縁膜を形成し、２層目にＳＯＧ（SpinonGlass ）液（オルガノシロキサンのオリゴマー液からなる）を回転塗布し、その後熱処理する事によりオルガノシロキサン系被膜を形成する。次に１層目と同様の方法により３層目の層間絶縁膜を形成する３層層間膜によるＳＯＧ平坦化プロセスが広く用いられている。
【０００３】
近年ＩＣ、ＬＳＩ等の高速化が進展していく中で３層構造の層間膜材料では誘電率の低減にも限界が有るため、ＳＯＧ単層で層間絶縁膜を形成する方法が提案されている。しかしながら、ＳＯＧ単層ではＳＯＧ液に含まれている酸触媒により金属配線を腐食し、配線の断線及び接続抵抗増大などの半導体装置の信頼性低下といった問題が有る。
【０００４】
一方、金属配線の腐食をしないようにするため塩基性触媒でＳＯＧ液を製造しようとすると液中での安定性が非常に悪く、液中に無数の微粒子が生成したり場合によっては、液全体がゼリー状に固化してしまうといった問題点がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、金属配線の腐食を防止し、配線の断線及び接続抵抗増大を低減し、かつ誘電率が低いシリカ系被膜形成用塗布液、これを用いるシリカ系被膜の製造方法、この方法により得られるシリカ系被膜及び半導体装置を提供するものである。
【０００６】
【発明が解決するための手段】
本発明は、一般式（Ｉ）
【化３】
（式中、Ｒ１は、炭素数１〜６のアルキル基またはアリール基、Ｒ２は、炭素数１〜４のアルキル基、ｎは０〜２の整数を意味し、複数個のＲ１及びＲ２は同一でも異なっていてもよい）で表せられるアルコキシシラン化合物を、有機溶媒中で、触媒として有機アミン化合物のみを存在させた下で加水分解縮重合させてシロキサンポリマーを合成し、そのまま塗布液とする、上記シロキサンポリマー及び上記有機アミン化合物を含有してなるシリカ系被膜形成用塗布液の製造方法であって、
上記有機アミンは、下記一般式（ＩＩ）
【化４】
（式中Ｒ３は、炭素数１〜６のアルキル基またはアリール基、ｎは１〜３の整数を意味し、複数個のＲ３は同一でも異なっていてもよい）で表され、かつ、上記アルコキシシラン化合物に対して０．５モル％〜０．０１モル％使用されることを特徴とするシリカ系被膜形成用塗布液の製造方法に関する。
【０００７】
また、本発明は、上記製造方法により得られたシリカ系被膜形成用塗布液に関する。
また、本発明は、上記シリカ系被膜形成用塗布液を基板表面上に塗布後、加熱硬化させてなるシリカ系被膜に関する。
また、上記シリカ系被膜の形成された半導体装置に関する。
【０００８】
【発明の実施の実態】
前記一般式（Ｉ）で表せられるアルコキシシランは、具体的には
【化５】
等のテトラアルコキシシラン、
【化６】
等のモノオルガノトリアルコキシシラン、
【化７】
等のジオルガノジアルコキシシランが挙げられ、これらは１種または２種以上が用いられる。
【０００９】
本発明で用いられる前記一般式（Ｉ）で表せられるアルコキシシランとして、テトラアルコキシシラン、モノオルガノトリアルコキシシラン、ジオルガノジアルコキシシランの割合に制限はないが、良質なシリカ系被膜を形成するためにジオルガノジアルコキシシランは使用するアルコキシシラン化合物総量に対し５０モル％以下であることが好ましく、かつテトラアルコキシシランは使用するアルコキシシラン化合物総量に対して５０モル％以下であることが好ましい。
【００１０】
本発明におけるシリカ系被膜形成用塗布液には溶媒として有機溶媒を使用することが好ましい。有機溶媒としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等のアルコール系、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル等の酢酸エステル系、エチレングリコールモノメチルアセテート、エチレングリコールジアセテート等のグリコールアセテート系溶媒、Ｎ，Ｎ−メチル−２−ピロリドン等のアミド系溶媒、グリコールエーテル系溶媒等種々の溶媒が挙げられ、これらは１種または２種以上が用いられる。溶媒の使用量は、上記の反応で得られるポリシロキサン樹脂の量が１５〜５０重量％となる量とされることが好ましい。
【００１１】
本発明におけるシロキサンオリゴマーは、前記した一般式（Ｉ）で表せられるアルコキシシラン化合物を加水分解・重縮合して製造されるが、このとき、触媒としては、前記した一般式（II）で表せられる有機アミンが用いられる。この有機アミンをもちいることにより、得られるシリカ系被膜形成用塗布液中の微粒子を少なくし、液状安定性を向上させることができる。有機アミンは、一般式（Ｉ）で表せられるアルコキシシラン化合物に対して０．５モル％〜０．０１モル％の範囲内で使用されることが好ましく、０．３モル％〜０．０５モル％の範囲内で使用されることがより好ましい。アルコキシシランに対して有機アミンが多いと、液中微粒子が無数に存在し成膜した時に膜上に異物が生成してしまったり、さらに上記有機アミンが多いと成膜する前にゼリー状に固化してしまう傾向がある。また、アルコキシシランに対して前記有機アミンが少ないと、オリゴマーの重合が進行せず成膜が不可能となる傾向がある。上記有機アミンは、水溶液にして使用することが好ましい。
【００１２】
前記一般式（II）で表せられる有機アミンは、具体的には
【化８】
等のモノオルガノアミン、
【化９】
等のジオルガノアミン、
【化１０】
等のトリオルガノアミンが挙げられ、これらは１種または２種以上が用いられる。
【００１３】
また、上記の加水分解、重縮合は、前記の溶媒中で行うことが好ましい。また、この反応に際して、水が存在させられる、水の量も適宜決められるが、あまり少ない場合や多すぎる場合には塗布液の塗布性、保存安定性の低下等の問題があるので、水の量は、本発明に用いられるアルコキシシランオリゴマー液は、前記の溶媒の存在下で、一般式（Ｉ）で表せられるアルコキシシラン化合物に対して５０〜４００モル％の範囲とすることが好ましい。
以上のようにして得られる加水分解、重縮合生成物のシラノールオリゴマー液は、そのまま使用することができる。また、溶媒を除去後、改めて前記溶媒に溶解してシリカ系被膜形成用塗布液としてから使用してもよい。
【００１４】
このようにして得られた塗布液を用いてシリカ系被膜を形成するには、該塗布液をシリコンウエハー、回路の形成されたシリコンウエハー等の基板上に、浸漬法、回転塗布法等の方法で塗布した後、５０〜２５０℃、好ましくは１００℃〜２５０℃で乾燥し、ついで、窒素雰囲気下２００〜６００℃、好ましくは３５０℃〜４５０℃で焼成する。このシリカ系被膜を多層配線構造の層間膜（層間絶縁膜）として半導体装置を得ることができる。
【００１５】
本発明の半導体装置の製品工程の一例を以下に説明する。
図１は、本発明における半導体装置の製造工程図である。図１（ａ）に示すように、基板１の上に、シリカ系被膜２を形成する。次に図１（ｂ）に示すように塩化ゴム系またはフェノールノボラック系の感光性樹脂層３を前記シリカ系被膜２の上に形成し、公知の写真食刻技術によって所定部分のシリカ系被膜２が露出するように窓４Ａを設ける。次に図１（ｃ）のように窓４Ａのシリカ系被膜２は四フッ化炭素などのフッ素系ガスを用いるドライエッチング手段によって選択的にエッチングされ、次いで、窓４Ａから露出したシリカ系被膜２を腐食することなく感光樹脂層３のみを腐食するようなエッチング溶液を用いて感光樹脂層３を完全に除去する。次に図１（ｄ）に示すように公知の金属膜形成法により第１導体層５を形成し、必要に応じてＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法により形成した第１導体層５を研磨する。
【００１６】
２層以上の多層配線構造体を形成する場合は、上記の工程を繰り返して行い各層を形成する。即ち導体層の上に絶縁層となる層間絶縁膜を形成する工程（ａ）、この被膜の所定の場所を選択的に除去して窓を開口する工程（ｂ）、（ｃ）、下部に存する導体層の所定部分と接続された上言己の導体を形成する工程（ｄ）を繰り返す事になる。
【００１７】
また、このようにして作製される多層配線構造体の表面には、ポリイミド樹脂などの有機材料または、窒化ケイ素などの無機材料からなる表面保護層が形成される。表面保護層には場合により所定部分に上記窓４Ａ、４Ｂと同様の窓を開けてもよい。半導体装置全体は、通常エポキシ樹脂などの封止材により封止される。
【００１８】
【実施例】
以下、本発明を実施例により詳しく説明する。
実施例１
テトラメトキシシラン３４．０ｇ、メチルトリメトキシシラン３０．５ｇ、ジメチルジメトキシシラン２７．０ｇをイソプロパノール１７２ｇに溶解し、この溶液にブチルアミン０．１２ｇを水３６．２ｇに溶解した溶液を、撹はん下で３０分かけて滴下した。滴下終了後５時間撹はんした後、ポリシロキサン溶液を得た。得られたポリシロキサンの分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）による標準ポリスチレン換算値で、数平均分子量で３０００であった。この溶液は、無色透明の液体で液中に浮遊している成分は観測されなかった。
【００１９】
このようにして作製したシリカ系被膜形成用塗布液をスピナーを用いて２０００rpmでシリコンウエハー上にＣｕ層を形成した基板上に回転塗布し、次に石英炉の中に入れ、窒素中３０℃／分の昇温温度で室温から４５０℃まで昇温し、昇温後同温度で３０分焼成したところ無色透明でクラックのないシリカ系被膜が得られた。該被膜の膜厚を測定したところ０．７μｍであった。
また、この基板の断面を走査型電子顕微鏡でＣｕとシリカ系被膜の界面を観測したところ、Ｃｕの腐食は認められなかった。
【００２０】
図１の工程（ａ）として、シリコンウエハからなる基板１の上に、前記と同様の条件で層間絶縁膜層であるシリカ系被膜２を形成した。ついで、図１の工程 （ｂ）として、シリカ系被膜２の所定部分のみを選択的に除去するため、該層２上にフェノールノボラック樹脂系の感光性樹脂（ポジ型フォトレジスト、ＡＺ−１３５０Ｊヘキスト社製）層３を回転数３０００rpmのスピナー塗布して形成し 、公知の写真食刻技術によって露光した後、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液系の現像液（ＮＭＤ−３、東京応化(株)製）でレジストを現像し、窓４Ａを開けた。ついで、図１の工程（ｃ）として、公知のドライエッチング技術で、前記シリカ系被膜２を選択的にエッチングし、窓４Ｂをあけ、感光性樹脂層３のみを食刻するレジスト剥離液（アセトン）を用いて室温下で２分間浸漬処理し、感光性樹脂層３を完全に除去した。
【００２１】
さらに、図１の工程（ｄ）として、公知の真空蒸着法、スパッタ法及び写真食刻技術を用いてＣｕの第１導体層を形成し、ＣＭＰ法により研磨し、第１導体層５がシリカ系被膜２に埋めこまれた形の層を形成した。この後、前記の工程（ａ）〜（ｄ）を繰り返し、第１導体層が埋めこまれた形式のシリカ系被膜の上に第２導体層が埋めこまれた形式のシリカ系被膜を形成した。第１導体層と第２導体層は所定の位置で電気的に接続した。さらに、前記の工程（ａ）〜（ｄ）を繰り返し、第２導体層が埋めこまれた形式のシリカ系被膜の上に第３導体層が埋めこまれた形式のシリカ系被膜を形成した。第２導体層と第３導体層は所定の位置で電気的に接続した。
【００２２】
このようにして得られた多層配線構造体上にポリイミド樹脂溶液（ＰｌＸ−１４００、日立化成工業株式会社商品名）を構造体の表面に回転数２８００rpmで３０秒間スピナー塗布し、１４０℃で６０秒間予備硬化を行い、最終的に３５０℃で４分間最終硬化して表面保護層を形成し・半導体装置を作製した。
このようにして得られた多層配線構造体の配線間での比誘電率をＬＦインピーダンスメーダを用いて周波数１kHzから１MHzで測定したところ、２．１であった。
【００２３】
実施例２
メチルトリメトキシシラン８０．０ｇを酢酸ブチル１９２ｇに溶解し、この溶液にトリエチルアミン０．１２ｇを水３１ｇに溶解した溶液を、撹はん下で３０分かけて滴下した。滴下終了後５時間撹はんした後、ポリシロキサン溶液を得た。得られたポリシロキサンの分子量は、ＧＰＣによる標準ポリスチレン換算値で、数平均分子量で２５００であった。この溶液は、無色透明の液体で液中に浮遊している成分は観測されなかった。
【００２４】
このようにして作製したシリカ系被膜形成用塗布液をスピナーを用いて２０００rpmでシリコンウエハー上にＣｕ層を形成した基板上に回転塗布し、次に石英炉の中に入れ、窒素中３０℃／分の昇温温度で室温から４５０℃まで昇温し、昇温後同温度で３０分焼成したところ無色透明でクラックのないシリカ系被膜が得られた。該被膜の膜厚を測定したところ０．６μｍであった。
また、この基板の断面を走査型電子顕微鏡でＣｕとシリカ系被膜の界面を観測したところ、Ｃｕの腐食は認められなかった。
実施例１と同様に多層配線構造体を形成し、配線間の比誘電率をＬＦインピーダンスメーダを用いて周波数１kHzから１MHzで測定したところ、２．０であった。
【００２５】
実施例３
テトラメトキシシラン１５．３ｇ、フェニルトリメトキシシラン２０．０ｇ、ジフェニルジメトキシシラン２４．６ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテル２２５ｇに溶解し、この溶液にジプロピルアミン０．０８ｇを水１４．７ｇに溶解した溶液を、撹はん下で３０分かけて滴下した。滴下終了後５時間撹はんした後、ポリシロキサン溶液を得た。得られたポリシロキサンの分子量は、ＧＰＣによる標準ポリスチレン換算値で、数平均分子量で２０００であった。この溶液は、無色透明の液体で液中に浮遊している成分は観測されなかった。
【００２６】
このようにして作製したシリカ系被膜形成用塗布液をスピナーを用いて２０００rpmでシリコンウエハー上にＣｕ層を形成した基板上に回転塗布し、次に石英炉の中に入れ、窒素中３０℃／分の昇温温度で室温から４５０℃まで昇温し、昇温後同温度で３０分焼成したところ無色透明でクラックのないシリカ系被膜が得られた。該被膜の膜厚を測定したところ０．５μｍであった。
また、この基板の断面を走査型電子顕微鏡でＣｕとシリカ系被膜の界面を観測したところ、Ｃｕの腐食は認められなかった。
実施例１と同様に多層配線構造体を形成し、配線間の比誘電率をＬＦインピーダンスメーダを用いて周波数１kHzから１MHzで測定したところ、２．３であった。
【００２７】
比較例１
テトラメトキシシラン３４．０ｇ、メチルトリメトキシシラン３０．５ｇ、ジメチルジメトキシシラン２７．０ｇをイソプロパノール１７２ｇに溶解し、この溶液に硝酸０．１２ｇを水３６．２ｇに溶解した溶液を、撹はん下で３０分かけて滴下した。滴下終了後５時間撹はんした後、ポリシロキサン溶液を得た。この時の分子量は、ＧＰＣによる標準ポリスチレン換算値で、数平均分子量で１６００であった。この溶液は、無色透明の液体で液中に浮遊している成分は観測されなかった。
【００２８】
このようにして作製したシリカ系被膜形成用塗布液をスピナーを用いて２０００rpmでシリコンウエハー上にＣｕ層を形成した基板上に回転塗布し、次に石英炉の中に入れ、窒素中３０℃／分の昇温温度で室温から４５０℃まで昇温し、昇温後同温度で３０分焼成したところ無色透明でクラックのないシリカ系被膜が得られた。該被膜の膜厚を測定したところ０．３μｍであった。
また、この基板の断面を走査型電子顕微鏡でＣｕとシリカ系被膜の界面を観測したところ、Ｃｕの腐食は認められた。
【００２９】
比較例２
テトラメトキシシラン３４．０ｇ、メチルトリメトキシシラン３０．５ｇ、ジメチルジメトキシシラン２７．０ｇをイソプロパノール１７２ｇに溶解し、この溶液にブチルアミン１．２ｇを水３６．２ｇに溶解した溶液を、撹はん下で３０分かけて滴下した。滴下終了後５時間撹はんした後、ポリシロキサン溶液を得た。この溶液は、無色透明の液体であるが液中に無数の浮遊している成分が観測された。
【００３０】
比較例３
テトラメトキシシラン３４．０ｇ、メチルトリメトキシシラン３０．５ｇ、ジメチルジメトキシシラン２７．０ｇをイソプロパノール１７２ｇに溶解し、この溶液にブチルアミン１２ｇを水３６．２ｇに溶解した溶液を、撹はん下で３０分かけて滴下した。滴下終了後１時間撹はんした後ゲル化した。
【００３１】
【発明の効果】
請求項１又は２におけるシリカ系被膜形成用塗布液は、液状安定性が優れ、成膜性が良好で、配線の腐食がなくかつ低誘電率なシリカ系被膜を形成することができる。
請求項３におけるシリカ系被膜は、低誘電率を示す。
請求項４における半導体装置は、低誘電率であり半導体装置の特性を優れたものにする。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置の製造工程の一例を示す工程図である。
【符号の説明】
１ 基板
２ シリカ系被膜
３ 感光性樹脂層
４Ａ、４Ｂ 窓
５ 第１導体層
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜の製造法、シリカ系被膜及び半導体装置に関し、更に詳しくは成膜性の良好なシリカ系被膜形成用塗布液、これを用いるシリカ系被膜の製造法、シリカ系被膜及び半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子の層間絶縁の方法として、パターン形成された配線層を有する基板上に真空蒸着、ＣＶＤ等の気相成長法によりＳｉＯ2、ＳｉＮ等からなる１層目の層間絶縁膜を形成し、２層目にＳＯＧ（SpinonGlass ）液（オルガノシロキサンのオリゴマー液からなる）を回転塗布し、その後熱処理する事によりオルガノシロキサン系被膜を形成する。次に１層目と同様の方法により３層目の層間絶縁膜を形成する３層層間膜によるＳＯＧ平坦化プロセスが広く用いられている。
【０００３】
近年ＩＣ、ＬＳＩ等の高速化が進展していく中で３層構造の層間膜材料では誘電率の低減にも限界が有るため、ＳＯＧ単層で層間絶縁膜を形成する方法が提案されている。しかしながら、ＳＯＧ単層ではＳＯＧ液に含まれている酸触媒により金属配線を腐食し、配線の断線及び接続抵抗増大などの半導体装置の信頼性低下といった問題が有る。
【０００４】
一方、金属配線の腐食をしないようにするため塩基性触媒でＳＯＧ液を製造しようとすると液中での安定性が非常に悪く、液中に無数の微粒子が生成したり場合によっては、液全体がゼリー状に固化してしまうといった問題点がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、金属配線の腐食を防止し、配線の断線及び接続抵抗増大を低減し、かつ誘電率が低いシリカ系被膜形成用塗布液、これを用いるシリカ系被膜の製造方法、この方法により得られるシリカ系被膜及び半導体装置を提供するものである。
【０００６】
【発明が解決するための手段】
本発明は、一般式（Ｉ）
【化３】
（式中、Ｒ１は、炭素数１〜６のアルキル基またはアリール基、Ｒ２は、炭素数１〜４のアルキル基、ｎは０〜２の整数を意味し、複数個のＲ１及びＲ２は同一でも異なっていてもよい）で表せられるアルコキシシラン化合物を、有機溶媒中で、触媒として有機アミン化合物のみを存在させた下で加水分解縮重合させてシロキサンポリマーを合成し、そのまま塗布液とする、上記シロキサンポリマー及び上記有機アミン化合物を含有してなるシリカ系被膜形成用塗布液の製造方法であって、
上記有機アミンは、下記一般式（ＩＩ）
【化４】
（式中Ｒ３は、炭素数１〜６のアルキル基またはアリール基、ｎは１〜３の整数を意味し、複数個のＲ３は同一でも異なっていてもよい）で表され、かつ、上記アルコキシシラン化合物に対して０．５モル％〜０．０１モル％使用されることを特徴とするシリカ系被膜形成用塗布液の製造方法に関する。
【０００７】
また、本発明は、上記製造方法により得られたシリカ系被膜形成用塗布液に関する。
また、本発明は、上記シリカ系被膜形成用塗布液を基板表面上に塗布後、加熱硬化させてなるシリカ系被膜に関する。
また、上記シリカ系被膜の形成された半導体装置に関する。
【０００８】
【発明の実施の実態】
前記一般式（Ｉ）で表せられるアルコキシシランは、具体的には
【化５】
等のテトラアルコキシシラン、
【化６】
等のモノオルガノトリアルコキシシラン、
【化７】
等のジオルガノジアルコキシシランが挙げられ、これらは１種または２種以上が用いられる。
【０００９】
本発明で用いられる前記一般式（Ｉ）で表せられるアルコキシシランとして、テトラアルコキシシラン、モノオルガノトリアルコキシシラン、ジオルガノジアルコキシシランの割合に制限はないが、良質なシリカ系被膜を形成するためにジオルガノジアルコキシシランは使用するアルコキシシラン化合物総量に対し５０モル％以下であることが好ましく、かつテトラアルコキシシランは使用するアルコキシシラン化合物総量に対して５０モル％以下であることが好ましい。
【００１０】
本発明におけるシリカ系被膜形成用塗布液には溶媒として有機溶媒を使用することが好ましい。有機溶媒としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等のアルコール系、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル等の酢酸エステル系、エチレングリコールモノメチルアセテート、エチレングリコールジアセテート等のグリコールアセテート系溶媒、Ｎ，Ｎ−メチル−２−ピロリドン等のアミド系溶媒、グリコールエーテル系溶媒等種々の溶媒が挙げられ、これらは１種または２種以上が用いられる。溶媒の使用量は、上記の反応で得られるポリシロキサン樹脂の量が１５〜５０重量％となる量とされることが好ましい。
【００１１】
本発明におけるシロキサンオリゴマーは、前記した一般式（Ｉ）で表せられるアルコキシシラン化合物を加水分解・重縮合して製造されるが、このとき、触媒としては、前記した一般式（II）で表せられる有機アミンが用いられる。この有機アミンをもちいることにより、得られるシリカ系被膜形成用塗布液中の微粒子を少なくし、液状安定性を向上させることができる。有機アミンは、一般式（Ｉ）で表せられるアルコキシシラン化合物に対して０．５モル％〜０．０１モル％の範囲内で使用されることが好ましく、０．３モル％〜０．０５モル％の範囲内で使用されることがより好ましい。アルコキシシランに対して有機アミンが多いと、液中微粒子が無数に存在し成膜した時に膜上に異物が生成してしまったり、さらに上記有機アミンが多いと成膜する前にゼリー状に固化してしまう傾向がある。また、アルコキシシランに対して前記有機アミンが少ないと、オリゴマーの重合が進行せず成膜が不可能となる傾向がある。上記有機アミンは、水溶液にして使用することが好ましい。
【００１２】
前記一般式（II）で表せられる有機アミンは、具体的には
【化８】
等のモノオルガノアミン、
【化９】
等のジオルガノアミン、
【化１０】
等のトリオルガノアミンが挙げられ、これらは１種または２種以上が用いられる。
【００１３】
また、上記の加水分解、重縮合は、前記の溶媒中で行うことが好ましい。また、この反応に際して、水が存在させられる、水の量も適宜決められるが、あまり少ない場合や多すぎる場合には塗布液の塗布性、保存安定性の低下等の問題があるので、水の量は、本発明に用いられるアルコキシシランオリゴマー液は、前記の溶媒の存在下で、一般式（Ｉ）で表せられるアルコキシシラン化合物に対して５０〜４００モル％の範囲とすることが好ましい。
以上のようにして得られる加水分解、重縮合生成物のシラノールオリゴマー液は、そのまま使用することができる。また、溶媒を除去後、改めて前記溶媒に溶解してシリカ系被膜形成用塗布液としてから使用してもよい。
【００１４】
このようにして得られた塗布液を用いてシリカ系被膜を形成するには、該塗布液をシリコンウエハー、回路の形成されたシリコンウエハー等の基板上に、浸漬法、回転塗布法等の方法で塗布した後、５０〜２５０℃、好ましくは１００℃〜２５０℃で乾燥し、ついで、窒素雰囲気下２００〜６００℃、好ましくは３５０℃〜４５０℃で焼成する。このシリカ系被膜を多層配線構造の層間膜（層間絶縁膜）として半導体装置を得ることができる。
【００１５】
本発明の半導体装置の製品工程の一例を以下に説明する。
図１は、本発明における半導体装置の製造工程図である。図１（ａ）に示すように、基板１の上に、シリカ系被膜２を形成する。次に図１（ｂ）に示すように塩化ゴム系またはフェノールノボラック系の感光性樹脂層３を前記シリカ系被膜２の上に形成し、公知の写真食刻技術によって所定部分のシリカ系被膜２が露出するように窓４Ａを設ける。次に図１（ｃ）のように窓４Ａのシリカ系被膜２は四フッ化炭素などのフッ素系ガスを用いるドライエッチング手段によって選択的にエッチングされ、次いで、窓４Ａから露出したシリカ系被膜２を腐食することなく感光樹脂層３のみを腐食するようなエッチング溶液を用いて感光樹脂層３を完全に除去する。次に図１（ｄ）に示すように公知の金属膜形成法により第１導体層５を形成し、必要に応じてＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法により形成した第１導体層５を研磨する。
【００１６】
２層以上の多層配線構造体を形成する場合は、上記の工程を繰り返して行い各層を形成する。即ち導体層の上に絶縁層となる層間絶縁膜を形成する工程（ａ）、この被膜の所定の場所を選択的に除去して窓を開口する工程（ｂ）、（ｃ）、下部に存する導体層の所定部分と接続された上言己の導体を形成する工程（ｄ）を繰り返す事になる。
【００１７】
また、このようにして作製される多層配線構造体の表面には、ポリイミド樹脂などの有機材料または、窒化ケイ素などの無機材料からなる表面保護層が形成される。表面保護層には場合により所定部分に上記窓４Ａ、４Ｂと同様の窓を開けてもよい。半導体装置全体は、通常エポキシ樹脂などの封止材により封止される。
【００１８】
【実施例】
以下、本発明を実施例により詳しく説明する。
実施例１
テトラメトキシシラン３４．０ｇ、メチルトリメトキシシラン３０．５ｇ、ジメチルジメトキシシラン２７．０ｇをイソプロパノール１７２ｇに溶解し、この溶液にブチルアミン０．１２ｇを水３６．２ｇに溶解した溶液を、撹はん下で３０分かけて滴下した。滴下終了後５時間撹はんした後、ポリシロキサン溶液を得た。得られたポリシロキサンの分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）による標準ポリスチレン換算値で、数平均分子量で３０００であった。この溶液は、無色透明の液体で液中に浮遊している成分は観測されなかった。
【００１９】
このようにして作製したシリカ系被膜形成用塗布液をスピナーを用いて２０００rpmでシリコンウエハー上にＣｕ層を形成した基板上に回転塗布し、次に石英炉の中に入れ、窒素中３０℃／分の昇温温度で室温から４５０℃まで昇温し、昇温後同温度で３０分焼成したところ無色透明でクラックのないシリカ系被膜が得られた。該被膜の膜厚を測定したところ０．７μｍであった。
また、この基板の断面を走査型電子顕微鏡でＣｕとシリカ系被膜の界面を観測したところ、Ｃｕの腐食は認められなかった。
【００２０】
図１の工程（ａ）として、シリコンウエハからなる基板１の上に、前記と同様の条件で層間絶縁膜層であるシリカ系被膜２を形成した。ついで、図１の工程 （ｂ）として、シリカ系被膜２の所定部分のみを選択的に除去するため、該層２上にフェノールノボラック樹脂系の感光性樹脂（ポジ型フォトレジスト、ＡＺ−１３５０Ｊヘキスト社製）層３を回転数３０００rpmのスピナー塗布して形成し 、公知の写真食刻技術によって露光した後、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液系の現像液（ＮＭＤ−３、東京応化(株)製）でレジストを現像し、窓４Ａを開けた。ついで、図１の工程（ｃ）として、公知のドライエッチング技術で、前記シリカ系被膜２を選択的にエッチングし、窓４Ｂをあけ、感光性樹脂層３のみを食刻するレジスト剥離液（アセトン）を用いて室温下で２分間浸漬処理し、感光性樹脂層３を完全に除去した。
【００２１】
さらに、図１の工程（ｄ）として、公知の真空蒸着法、スパッタ法及び写真食刻技術を用いてＣｕの第１導体層を形成し、ＣＭＰ法により研磨し、第１導体層５がシリカ系被膜２に埋めこまれた形の層を形成した。この後、前記の工程（ａ）〜（ｄ）を繰り返し、第１導体層が埋めこまれた形式のシリカ系被膜の上に第２導体層が埋めこまれた形式のシリカ系被膜を形成した。第１導体層と第２導体層は所定の位置で電気的に接続した。さらに、前記の工程（ａ）〜（ｄ）を繰り返し、第２導体層が埋めこまれた形式のシリカ系被膜の上に第３導体層が埋めこまれた形式のシリカ系被膜を形成した。第２導体層と第３導体層は所定の位置で電気的に接続した。
【００２２】
このようにして得られた多層配線構造体上にポリイミド樹脂溶液（ＰｌＸ−１４００、日立化成工業株式会社商品名）を構造体の表面に回転数２８００rpmで３０秒間スピナー塗布し、１４０℃で６０秒間予備硬化を行い、最終的に３５０℃で４分間最終硬化して表面保護層を形成し・半導体装置を作製した。
このようにして得られた多層配線構造体の配線間での比誘電率をＬＦインピーダンスメーダを用いて周波数１kHzから１MHzで測定したところ、２．１であった。
【００２３】
実施例２
メチルトリメトキシシラン８０．０ｇを酢酸ブチル１９２ｇに溶解し、この溶液にトリエチルアミン０．１２ｇを水３１ｇに溶解した溶液を、撹はん下で３０分かけて滴下した。滴下終了後５時間撹はんした後、ポリシロキサン溶液を得た。得られたポリシロキサンの分子量は、ＧＰＣによる標準ポリスチレン換算値で、数平均分子量で２５００であった。この溶液は、無色透明の液体で液中に浮遊している成分は観測されなかった。
【００２４】
このようにして作製したシリカ系被膜形成用塗布液をスピナーを用いて２０００rpmでシリコンウエハー上にＣｕ層を形成した基板上に回転塗布し、次に石英炉の中に入れ、窒素中３０℃／分の昇温温度で室温から４５０℃まで昇温し、昇温後同温度で３０分焼成したところ無色透明でクラックのないシリカ系被膜が得られた。該被膜の膜厚を測定したところ０．６μｍであった。
また、この基板の断面を走査型電子顕微鏡でＣｕとシリカ系被膜の界面を観測したところ、Ｃｕの腐食は認められなかった。
実施例１と同様に多層配線構造体を形成し、配線間の比誘電率をＬＦインピーダンスメーダを用いて周波数１kHzから１MHzで測定したところ、２．０であった。
【００２５】
実施例３
テトラメトキシシラン１５．３ｇ、フェニルトリメトキシシラン２０．０ｇ、ジフェニルジメトキシシラン２４．６ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテル２２５ｇに溶解し、この溶液にジプロピルアミン０．０８ｇを水１４．７ｇに溶解した溶液を、撹はん下で３０分かけて滴下した。滴下終了後５時間撹はんした後、ポリシロキサン溶液を得た。得られたポリシロキサンの分子量は、ＧＰＣによる標準ポリスチレン換算値で、数平均分子量で２０００であった。この溶液は、無色透明の液体で液中に浮遊している成分は観測されなかった。
【００２６】
このようにして作製したシリカ系被膜形成用塗布液をスピナーを用いて２０００rpmでシリコンウエハー上にＣｕ層を形成した基板上に回転塗布し、次に石英炉の中に入れ、窒素中３０℃／分の昇温温度で室温から４５０℃まで昇温し、昇温後同温度で３０分焼成したところ無色透明でクラックのないシリカ系被膜が得られた。該被膜の膜厚を測定したところ０．５μｍであった。
また、この基板の断面を走査型電子顕微鏡でＣｕとシリカ系被膜の界面を観測したところ、Ｃｕの腐食は認められなかった。
実施例１と同様に多層配線構造体を形成し、配線間の比誘電率をＬＦインピーダンスメーダを用いて周波数１kHzから１MHzで測定したところ、２．３であった。
【００２７】
比較例１
テトラメトキシシラン３４．０ｇ、メチルトリメトキシシラン３０．５ｇ、ジメチルジメトキシシラン２７．０ｇをイソプロパノール１７２ｇに溶解し、この溶液に硝酸０．１２ｇを水３６．２ｇに溶解した溶液を、撹はん下で３０分かけて滴下した。滴下終了後５時間撹はんした後、ポリシロキサン溶液を得た。この時の分子量は、ＧＰＣによる標準ポリスチレン換算値で、数平均分子量で１６００であった。この溶液は、無色透明の液体で液中に浮遊している成分は観測されなかった。
【００２８】
このようにして作製したシリカ系被膜形成用塗布液をスピナーを用いて２０００rpmでシリコンウエハー上にＣｕ層を形成した基板上に回転塗布し、次に石英炉の中に入れ、窒素中３０℃／分の昇温温度で室温から４５０℃まで昇温し、昇温後同温度で３０分焼成したところ無色透明でクラックのないシリカ系被膜が得られた。該被膜の膜厚を測定したところ０．３μｍであった。
また、この基板の断面を走査型電子顕微鏡でＣｕとシリカ系被膜の界面を観測したところ、Ｃｕの腐食は認められた。
【００２９】
比較例２
テトラメトキシシラン３４．０ｇ、メチルトリメトキシシラン３０．５ｇ、ジメチルジメトキシシラン２７．０ｇをイソプロパノール１７２ｇに溶解し、この溶液にブチルアミン１．２ｇを水３６．２ｇに溶解した溶液を、撹はん下で３０分かけて滴下した。滴下終了後５時間撹はんした後、ポリシロキサン溶液を得た。この溶液は、無色透明の液体であるが液中に無数の浮遊している成分が観測された。
【００３０】
比較例３
テトラメトキシシラン３４．０ｇ、メチルトリメトキシシラン３０．５ｇ、ジメチルジメトキシシラン２７．０ｇをイソプロパノール１７２ｇに溶解し、この溶液にブチルアミン１２ｇを水３６．２ｇに溶解した溶液を、撹はん下で３０分かけて滴下した。滴下終了後１時間撹はんした後ゲル化した。
【００３１】
【発明の効果】
請求項１又は２におけるシリカ系被膜形成用塗布液は、液状安定性が優れ、成膜性が良好で、配線の腐食がなくかつ低誘電率なシリカ系被膜を形成することができる。
請求項３におけるシリカ系被膜は、低誘電率を示す。
請求項４における半導体装置は、低誘電率であり半導体装置の特性を優れたものにする。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置の製造工程の一例を示す工程図である。
【符号の説明】
１ 基板
２ シリカ系被膜
３ 感光性樹脂層
４Ａ、４Ｂ 窓
５ 第１導体層
Claims (5)
- （Ａ）一般式（Ｉ）
前記有機アミン化合物は、下記一般式（ＩＩ）
- （Ａ）一般式（Ｉ）
前記有機アミン化合物は、下記一般式（ＩＩ）
シリカ系被膜形成用塗布液。 - 請求項２のシリカ系被膜形成用塗布液を基板上に塗布し、５０〜２５０℃で乾燥した後、窒素雰囲気下２００〜６００℃で加熱硬化させてなるシリカ系被膜。
- 請求項３記載のシリカ系被膜の形成された半導体装置。
- シリカ系被膜形成用塗布液を基板上に塗布し、５０〜２５０℃で乾燥した後、窒素雰囲気下２００〜６００℃で加熱硬化させてシリカ系被膜を形成する方法であって、
前記シリカ系被膜形成用塗布液は、（Ａ）一般式（Ｉ）
前記有機アミン化合物は、下記一般式（ＩＩ）
シリカ系被膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02847599A JP4642949B2 (ja) | 1999-02-05 | 1999-02-05 | シリカ系被膜形成用塗布液、その製造法、シリカ系被膜及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02847599A JP4642949B2 (ja) | 1999-02-05 | 1999-02-05 | シリカ系被膜形成用塗布液、その製造法、シリカ系被膜及び半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000228399A JP2000228399A (ja) | 2000-08-15 |
| JP4642949B2 true JP4642949B2 (ja) | 2011-03-02 |
Family
ID=12249683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02847599A Expired - Fee Related JP4642949B2 (ja) | 1999-02-05 | 1999-02-05 | シリカ系被膜形成用塗布液、その製造法、シリカ系被膜及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4642949B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3480054B2 (ja) * | 1994-08-03 | 2003-12-15 | 神鋼電機株式会社 | 短剱状物品の整送装置 |
| JP4622061B2 (ja) * | 2000-07-27 | 2011-02-02 | Ｊｓｒ株式会社 | レジスト下層膜用組成物およびその製造方法 |
| JP4862217B2 (ja) * | 2001-01-24 | 2012-01-25 | Ｊｓｒ株式会社 | 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜 |
| JP2002285086A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-10-03 | Jsr Corp | 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜 |
| JP6347597B2 (ja) * | 2013-12-05 | 2018-06-27 | 東京応化工業株式会社 | シリカ系被膜形成用組成物及びこれを用いたシリカ系被膜の製造方法 |
| CN114164666B (zh) * | 2021-12-06 | 2023-06-02 | 浙江理工大学桐乡研究院有限公司 | 一种聚酰亚胺增强增韧二氧化硅纳米纤维膜及其制备方法 |
-
1999
- 1999-02-05 JP JP02847599A patent/JP4642949B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000228399A (ja) | 2000-08-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6806161B2 (en) | Process for preparing insulating material having low dielectric constant | |
| KR100893120B1 (ko) | 리소그래피 공정용 탑 코트 | |
| US20080318165A1 (en) | Composition For Forming Antireflective Film And Wiring Forming Method Using Same | |
| JP2004509191A (ja) | 有機シリケート重合体の製造方法 | |
| US7834119B2 (en) | Organic silicate polymer and insulation film comprising the same | |
| JP4049775B2 (ja) | 有機シリケート重合体およびこれを含む絶縁膜 | |
| JP2001098224A (ja) | シリカ系被膜、シリカ系被膜の形成方法及びシリカ系被膜を有する電子部品 | |
| WO1996013853A1 (fr) | Solution d'enrobage comprenant un polymere de siloxane et procede pour produire cette solution | |
| JP2851915B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2001098218A (ja) | シリカ系被膜、シリカ系被膜の形成方法及びシリカ系被膜を有する電子部品 | |
| JP4642949B2 (ja) | シリカ系被膜形成用塗布液、その製造法、シリカ系被膜及び半導体装置 | |
| JP2002201416A (ja) | 半導体用シリカ系被膜形成用塗布液、半導体用シリカ系被膜及び半導体装置 | |
| JP2000049155A (ja) | 半導体装置 | |
| JP4739473B2 (ja) | シリカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP2000021872A (ja) | 低誘電率樹脂組成物、低誘電率絶縁膜形成方法および半導体装置の製造方法 | |
| JP2851871B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| KR100508901B1 (ko) | 유기실리케이트 중합체 및 이를 함유하는 절연막 | |
| JP2000049154A (ja) | シリカ系被膜の製造法及び半導体装置の製造法 | |
| JP2000272915A (ja) | シリカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜の製造法、シリカ系被膜及び半導体装置 | |
| KR100440488B1 (ko) | 반도체의 절연막 형성용 유기실리케이트 고분자 및 이를포함하는 저유전 절연막 | |
| JP2001237240A (ja) | 低誘電率膜及びこの低誘電率膜を有する半導体素子 | |
| JPH02103052A (ja) | 微細加工方法 | |
| KR100515584B1 (ko) | 유기실리케이트 중합체 및 이를 함유하는 절연막 | |
| JPH10107022A (ja) | シリコーン系材料組成物、シリカ系被膜及び半導体装置 | |
| JP2000212512A (ja) | シリカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜及び半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060125 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080425 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080509 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080707 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20080707 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080729 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080926 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20081021 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081222 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20090217 |
|
| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20090313 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101105 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101202 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131210 Year of fee payment: 3 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131210 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |