JP4108626B2 - Cot構造の半透過型の液晶表示装置 - Google Patents
Cot構造の半透過型の液晶表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4108626B2 JP4108626B2 JP2004053185A JP2004053185A JP4108626B2 JP 4108626 B2 JP4108626 B2 JP 4108626B2 JP 2004053185 A JP2004053185 A JP 2004053185A JP 2004053185 A JP2004053185 A JP 2004053185A JP 4108626 B2 JP4108626 B2 JP 4108626B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- color filter
- liquid crystal
- crystal display
- transparent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133514—Colour filters
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133553—Reflecting elements
- G02F1/133555—Transflectors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136222—Colour filters incorporated in the active matrix substrate
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
前記液晶表示装置は、透明電極が形成された二つの基板の間に液晶を注入して、上部及び下部の基板の外部に、上部及び下部の偏光板を位置させて形成し、液晶分子の異方性による光の偏光の特性を変化させて、映像効果を得る非発光素子に当たる。
このような液晶表示装置では、別途、光源であるバックライトを含む。ところが、前記バックライトで生成された光は、液晶表示装置の各セルを通過しながら、実際に、画面上では7%くらいが通過されるので、高輝度の液晶表示装置を提供するためには、バックライトをさらに明るくしなければならないので、電力の消費量が大きくなる。
従って、充分なバックライトの電源の供給用として大容量のバッテリーを使用してきたが、これもまた、使用時間が限られていた。
半透過型の液晶表示装置では、透明電極として形成された画素部の反射特性がある金属物質で構成された反射板を追加に備えることを構造的な特徴とする。
前記画素部で、反射板の形成位置は、透明電極の上部、下部、どちらに配置しても構わないが、液晶の配列を好ましく誘導するためには、透明電極を反射板の上部に配置する構造が主であった。また、前記反射板と透明電極を段落させて、反射板を保護するための目的とする多重層構造の絶縁膜を有する反射透過型の液晶表示装置が提案されている。
図示したように、相互対向されるように第1基板10、第2基板50が配置されており、第1基板10の内部面には、ゲート電極12、半導体層16、ソース電極18及びドレイン電極20とで構成された薄膜トランジスタTが形成されている。薄膜トランジスタTを覆う領域には、第1保護層22が順に積層されており、第1保護層22の上部には、画面を具現する最小単位として定義される画素領域Pの一部を覆う領域に反射板24が形成されている。
また、透過部と反射部間の色再現率を合わせるための、工程が追加して要求されたりもする。
このために、本発明では、薄膜トランジスタが形成された下部基板上にカラーフィルターを同時に形成するCOT構造を適用し、反射板をゲートの形成工程または、ソース/ドレインを形成する工程で、同時に形成して、工程の追加が発生しないようにする。
また、前記薄膜トランジスタと対応する位置のカラーフィルターのカラー別の境界部には、ブラックマトリックスをさらに含む。
図示したように、基板110上にゲート電極112及びゲート電極112と一定間隔離隔されて、前記ゲート電極112と同一物質で構成された反射板114が形成されている。ゲート電極112及び反射板114を覆う基板全面には、ゲート絶縁膜116が形成されており、ゲート絶縁膜116の上部のゲート電極112を覆う位置には、半導体層118が形成されている。半導体層118の上部には、相互離隔されるようにソース電極120及びドレイン電極122が形成されている。
また、前記第2反射板物質層214bをモリブデンで構成する場合、モリブデンは、絶縁膜の乾式エッチング工程を通じて、同時にエッチングされるので、別途のエッチング工程を追加しなくても良い。
前記反射板826と対応する画素領域Pは反射部を構成して、それ以外の画素領域Pは透過部を構成する。
透過部から基板810を露出する第2オープン部836工程により反射部カラーフィルター842aと透過部カラーフィルター842bの厚さの差(D2−D1)は、前記実施例5より大きい値を有する。
また、本実施例では、ゲート工程により形成される第1バッファパターン814を省略した構造を含む。
図11Aないし図11Hは、本発明によるCOT構造の半透過型の液晶表示装置の製造工程を段階別に示した断面図であって、マスク工程を中心の図示したものである。
前記第1金属物質は、比抵抗値の低い金属物質から選択されて、望ましくは、アルミニウムを含む金属物質から選択される。
図面に詳しく提示してはないが、前記カラーフィルター1340を画素領域P別に赤色、緑色、青色のカラーフィルターを順に形成する方法により構成される。
前記第1透明電極1346、第2透明電極1348を構成する透明電極物質は、ITOであることが望ましい。
812:ゲート電極
814:第1バッファパターン
816:ゲート絶縁膜
818:半導体層
819:半導体物質層
820:ソース電極
821:データ配線
822:ドレイン電極
824:第2バッファパターン
826:反射板
828:第1保護層
830:ブラックマトリックス
832:第2保護層
834:第1オープン部
836:第2オープン部
838:第1透明電極
842:カラーフィルター
842a:反射部のカラーフィルター
842b:透過部のカラーフィルター
846:第2透明電極
848:画素電極
Ch:チャンネル
T:薄膜トランジスタ
D1:反射部のカラーフィルターの厚さ
D2:透過部のカラーフィルターの厚さ
Claims (31)
- 基板上に画面を具現する最小単位である画素領域ごとに形成されて、ゲート電極、半導体層、ソース電極、ドレイン電極とで構成された薄膜トランジスタと、
前記画素領域内で、前記基板上に薄膜トランジスタと離隔して形成され、前記薄膜トランジスタの電極物質と同一工程により同一物質で構成された反射板と、
前記薄膜トランジスタを覆う位置に形成されたブラックマトリックスと、
前記ブラックマトリックスをカラー別の境界部にして、赤色、緑色、青色の順に画素領域に形成されたカラーフィルターと、
前記カラーフィルターと接して、前記ドレイン電極に連結されて、透明導電性物質で構成された画素電極とを含み、
前記反射板と対応する画素領域は、反射部を構成して、これ以外の画素領域は、透過部を構成し、
前記ソース電極及びドレイン電極は、不透明金属物質から成り、
前記反射板は、前記ソース電極及びドレイン電極と同一物質で同一工程により構成され、
前記画素電極は、第1透明画素電極と第2透明画素電極を含み、前記第1透明画素電極は、ブラックマトリックスの上部に形成されており、前記ドレイン電極に実質的に連結され、カラーフィルタは、該第1透明画素電極の上部に形成され、前記第2透明画素電極は、カラーフィルターの上部に形成されて第1透明画素電極と接触することを特徴とする半透過型の液晶表示装置。
- 前記反射板、ソース電極及びドレイン電極は、第1金属層、第2金属層、第3金属層とで構成された三重層構造の金属層であって、前記反射板の最上部の第3金属層は除去され、前記第2金属層が実質的な反射板であることを特徴とする請求項1に記載の半透過型の液晶表示装置。
- 前記ソース電極及びドレイン電極、反射板の第1金属層はモリブデンを含み、第2金属層はアルミニウムを含み、第3金属層はモリブデンを含むことを特徴とする請求項2に記載の半透過型の液晶表示装置。
- 前記画素領域の平面的な構造は、前記透過部内に反射部が位置して、前記透過部により、反射部が囲まれた構造であることを特徴とする請求項1に記載の半透過型の液晶表示装置。
- 前記反射部と透過部は、四角形の形状であって、反射部の4面が透過部に囲まれており、前記透過部と反射部は、各々の対角線方向が相互一致されていることを特徴とする請求項4に記載の半透過型の液晶表示装置。
- 前記反射部と透過部は四角形の形状であって、反射部の4面が透過部に囲まれていて、前記透過部と反射部各々の対角線方向が相互直交されるように位置して、前記反射部はひし形であることを特徴とする請求項4に記載の半透過型の液晶表示装置。
- 前記反射部は、透過部の中央に位置して、6面が透過部に囲まれている六角形の形状であることを特徴とする請求項4に記載の半透過型の液晶表示装置。
- 前記反射部は透過部の中央に位置して、8面が透過部に囲まれている八角形の形状であることを特徴とする請求項4に記載の半透過型の液晶表示装置。
- 前記反射部は四角形の形状であって、透過部の一角部に位置して、前記反射部の2面が透過部により囲まれている構造であることを特徴とする請求項1に記載の半透過型の液晶表示装置。
- 前記反射部は四角形の形状であって、透過部の一側の中央部に位置して、前記反射部の3面が透過部により囲まれている構造であることを特徴とする請求項1に記載の半透過型の液晶表示装置。
- 前記反射部は、直角三角形の形状であって、透過部により囲まれている構造であり、前記反射部の2辺が透過部の2辺と対応するように位置することを特徴とする請求項1に記載の半透過型の液晶表示装置。
- 前記反射部は、直角三角形の形状であって、前記透過部の一側に位置して、前記反射部の斜辺及び残りの1辺が透過部により囲まれていることを特徴とする請求項1に記載の半透過型の液晶表示装置。
- 前記反射部は、直角三角形の形状であって、前記反射部と透過部の2辺が相互一致するように配置されていることを特徴とする請求項1に記載の半透過型の液晶表示装置。
- 前記反射部は、二等辺三角形の形状であることを特徴として、前記透過部の一側部に反射部の底辺が対応するように位置して、前記反射部の2面が透過部により囲まれている構造であることを特徴とする請求項1に記載の半透過型の液晶表示装置。
- 前記ブラックマトリックスとカラーフィルターの間には、保護層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半透過型の液晶表示装置。
- 前記薄膜トランジスタと反射板を覆うように前記基板全面に保護層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半透過型の液晶表示装置。
- 基板上の薄膜トランジスタ領域に形成されたゲート電極及び画素領域に形成された第1バッファパターンと、
前記ゲート電極及び第1バッファパターンを覆う領域に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上部のゲート電極を覆う領域に形成された半導体層と、
前記半導体層と同一工程により同一物質で形成されて、画面を具現する最小単位である画素領域の第1バッファパターンの上部に位置する第2バッファパターンと、
前記半導体層の上部で、相互離隔されるように形成されたソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極及びドレイン電極と同一工程により同一物質で形成されて、第2バッファパターンの上部に位置する反射板と、
前記ゲート電極、半導体層、ソース電極及びドレイン電極は薄膜トランジスタを構成して、前記薄膜トランジスタを覆う領域に形成されたブラックマトリックスと、
前記ブラックマトリックスをカラー別の境界部として、赤色、緑色、青色のカラー順に形成されたカラーフィルターと、
前記カラーフィルターと接しており、前記ドレイン電極に連結されて、透明導電性物質で構成された画素電極とを含み、
前記反射板と対応する画素領域は反射部を構成して、それ以外の画素領域は透過部を構成して、前記反射部のカラーフィルターの厚さは、透過部のカラーフィルターの厚さより薄く形成され、
前記画素電極は、第1透明画素電極と第2透明画素電極を含み、前記第1透明画素電極は、ブラックマトリックスの上部に形成されており、前記ドレイン電極に実質的に連結され、該カラーフィルタは、該第1透明画素電極の上部に形成され、前記第2透明画素電極は、カラーフィルターの上部に形成されて第1透明画素電極と接触することを特徴とする半透過型の液晶表示装置。
- 前記ブラックマトリックスとカラーフィルターの間には、保護層をさらに含み、前記保護層はドレイン電極の一部を露出することを特徴とする請求項17に記載の半透過型の液晶表示装置。
- 前記薄膜トランジスタと反射板を覆うように前記基板全面に保護層をさらに含むことを特徴とする請求項17に記載の半透過型の液晶表示装置。
- 基板上の薄膜トランジスタ領域に形成されたゲート電極及び画素領域に形成された第1バッファパターンと、
前記ゲート電極及び第1バッファパターンを覆う領域に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上部のゲート電極を覆う領域に形成された半導体層と、
前記半導体層の上部で、前記薄膜トランジスタのチャネル領域を除き前記半導体層と同一パターン構造であって、相互離隔されるように位置するソース電極及びドレイン電極と、
前記半導体層と同一工程により同一物質で構成された第2バッファパターンと、
前記ソース電極、ドレイン電極と同一工程により同一物質で構成されて、前記第2バッファパターンと対応する同一形状構造である反射板と、
前記ゲート電極、半導体層、ソース電極及びドレイン電極は薄膜トランジスタを構成して、前記薄膜トランジスタを覆う位置に形成されて、前記ドレイン電極を露出させて、反射板の形成部を除いた画素領域上の基板を露出させるオープン部を有する保護層と、
前記薄膜トランジスタを覆う領域に形成されたブラックマトリックスと、
前記ブラックマトリックスをカラー別の境界部として、赤色、緑色、青色のカラー順に形成されたカラーフィルターと、
前記カラーフィルターと接しており、前記ドレイン電極に連結されて、透明導電性物質で構成された画素電極とを含み、
前記反射板と対応する画素領域は反射部を構成して、それ以外の画素領域は透過部を構成して、前記反射部のカラーフィルターの厚さは、透過部のカラーフィルターの厚さより薄く形成され、
前記画素電極は、第1透明画素電極と第2透明画素電極を含み、前記第1透明画素電極は、ブラックマトリックスの上部に形成されており、前記ドレイン電極に実質的に連結され、カラーフィルタは、該第1透明画素電極の上部に形成され、前記第2透明画素電極は、カラーフィルターの上部に形成されて第1透明画素電極と接触することを特徴とする半透過型の液晶表示装置。
- 前記ブラックマトリックスとカラーフィルターの間には、また他の保護層をさらに含み、前記また他の保護層はドレイン電極の一部を露出することを特徴とする請求項20に記載の半透過型の液晶表示装置。
- 基板上の薄膜トランジスタ領域に形成されたゲート電極及び画素領域に形成された第1バッファパターンと、
前記ゲート電極及び 第1バッファパターンを覆う領域に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上部のゲート電極を覆う領域に形成された半導体層と、
前記半導体層の上部で、前記薄膜トランジスタのチャネル領域を除き前記半導体層と同一パターン構造であって、相互離隔されるように位置するソース電極及びドレイン電極と、
前記半導体層と同一工程により同一物質で構成された第2バッファパターンと、
前記ソース電極及びドレイン電極と同一工程により同一物質で構成されて、前記第2バッファパターンと対応する同一形状構造である反射板と、
前記ゲート電極、半導体層、ソース電極及びドレイン電極は薄膜トランジスタを構成して、前記薄膜トランジスタを覆う位置に形成されて、前記ドレイン電極を露出させて、前記反射板の形成部を除いた画素領域上の基板を露出させるオープン部を有する保護層と、
前記保護層の上部で、赤色、緑色、青色のカラー順に形成されて、前記ドレイン電極を一部露出させるドレインコンタクトホールを有するカラーフィルターと、
前記カラーフィルターの上部で、前記ドレインコンタクトホールを通じてドレイン電極に連結されて、透明導電性物質で構成された画素電極とを含み、
前記反射板と対応する画素領域は反射部を構成して、それ以外の画素領域は透過部を構成して、前記反射部のカラーフィルターの厚さは、透過部のカラーフィルターの厚さより薄く形成され、
前記画素電極は、第1透明画素電極と第2透明画素電極を含み、前記第1透明画素電極は、ブラックマトリックスの上部に形成されており、前記ドレイン電極に実質的に連結され、該カラーフィルタは、該第1透明画素電極の上部に形成され、前記第2透明画素電極は、カラーフィルターの上部に形成されて第1透明画素電極と接触することを特徴とする半透過型の液晶表示装置。
- 前記画素電極の上部の前記薄膜トランジスタを覆う位置に形成されるブラックマトリックスをさらに含むことを特徴とする請求項22に記載の半透過型の液晶表示装置。
- 前記薄膜トランジスタと対応する位置のカラーフィルターのカラー別の境界部には、ブラックマトリックスをさらに含むことを特徴とする請求項22に記載の半透過型の液晶表示装置。
- 前記カラーフィルターと画素電極の間には、前記ドレインコンタクトホールと対応する位置で、コンタクトホールを有する平坦化膜をさらに含み、前記画素電極の上部の前記薄膜トランジスタを覆う位置には、ブラックマトリックスをさらに含むことを特徴とする請求項22に記載の半透過型の液晶表示装置。
- 前記薄膜トランジスタと対応する位置のカラーフィルターのカラー別の境界部には、ブラックマトリックスをさらに含み、前記カラーフィルターと画素電極の間には、前記ドレインコンタクトホールと対応する位置で、コンタクトホールを有する平坦化膜をさらに含むことを特徴とする請求項22に記載の半透過型の液晶表示装置。
- 基板上に第1金属物質を利用した第1マスク工程によりゲート電極と第1バッファパターンを形成する段階と、
前記ゲート電極を覆う領域にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上に非晶質シリコン物質、不純物非晶質シリコン物質、第2金属物質を順に形成する段階と、
前記非晶質シリコン物質、不純物非晶質シリコン物質、第2金属物質を第2マスク工程により同時にパターンして、ゲート電極の上部に、半導体層、ソース電極及びドレイン電極、画素領域内に、第1バッファパターンの上部に第2バッファパターン及び反射板を形成する段階と、
前記ゲート電極、半導体層、ソース電極及びドレイン電極は薄膜トランジスタを構成して、前記薄膜トランジスタを覆う領域に第1保護層を形成する段階と、
前記第1保護層の上部の薄膜トランジスタを覆う位置にブラックマトリックスを形成する段階と、
前記第1保護層の上部にブラックマトリックスを覆うように基板全面に第2保護層を形成する段階と
第1保護層、第2保護層と共に、前記ドレイン電極を一部露出させて、前記ゲート絶縁膜及び第1保護層、第2保護層と共に、反射板の形成部以外の画素領域の基板を露出させるオープン部を形成する段階と、
前記第2保護層の上部に、前記オープン部を通じてドレイン電極に連結される第1透明電極物質層を形成する段階と、
前記第1透明電極物質層の上部に、前記ブラックマトリックスをカラー別の境界部として、赤色、緑色、青色のカラー順に形成されたカラーフィルターと、前記カラーフィルターの上部で、前記第1透明電極物質層と接触されて、前記第1透明電極物質層と同一物質で構成された第2透明電極物質層を形成する段階と、
前記第1透明電極物質層、第2透明電極物質層を画素領域別にパターニングして、第1透明電極、第2透明電極とで構成される画素電極を形成する段階と
を含む半透過型の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第2マスク工程は、スリットを含むハーフートーンマスクを利用することを特徴とする請求項27に記載の半透過型の液晶表示装置の製造方法。
- ソース電極及びドレイン電極は、これらの間の離隔領域を除いては、下部の半導体層のような平面構造になるように形成することを特徴とする請求項27に記載の半透過型の液晶表示装置の製造方法。
- 前記反射板は、下部の第2バッファパターンと完全に同一な平面構造になるように形成することを特徴とする請求項27に記載の半透過型の液晶表示装置の製造方法。
- 前記反射板と対応する画素領域は反射部を構成して、それ以外の画素領域は透過部を構成し、前記反射部のカラーフィルターの厚さは、透過部のカラーフィルターの厚さより薄いことを特徴とする請求項27に記載の半透過型の液晶表示装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030012615A KR100945442B1 (ko) | 2003-02-28 | 2003-02-28 | 씨오티 구조 반투과형 액정표시장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005070736A JP2005070736A (ja) | 2005-03-17 |
JP4108626B2 true JP4108626B2 (ja) | 2008-06-25 |
Family
ID=32960160
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004053185A Expired - Fee Related JP4108626B2 (ja) | 2003-02-28 | 2004-02-27 | Cot構造の半透過型の液晶表示装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7133104B2 (ja) |
JP (1) | JP4108626B2 (ja) |
KR (1) | KR100945442B1 (ja) |
CN (1) | CN100401153C (ja) |
Families Citing this family (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI230292B (en) * | 2002-12-09 | 2005-04-01 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Array substrate having color filter on thin film transistor structure for LCD device and method of fabricating the same |
JP4334258B2 (ja) * | 2003-03-28 | 2009-09-30 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
KR100938887B1 (ko) * | 2003-06-30 | 2010-01-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
US7190000B2 (en) * | 2003-08-11 | 2007-03-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof |
US20050225705A1 (en) * | 2004-04-08 | 2005-10-13 | Boe Hydis Technology Co., Ltd. | Liquid crystal display device having bilateral display function |
US7612373B2 (en) * | 2004-06-30 | 2009-11-03 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method of manufacturing liquid crystal display device with color filter layer on thin film transistor |
KR101078360B1 (ko) * | 2004-11-12 | 2011-10-31 | 엘지디스플레이 주식회사 | 폴리형 액정 표시 패널 및 그 제조 방법 |
US7342253B2 (en) * | 2004-11-19 | 2008-03-11 | Tpo Display Corp. | Display panels with anti-Newton ring structures |
KR101085136B1 (ko) * | 2004-12-04 | 2011-11-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR101143005B1 (ko) * | 2004-12-14 | 2012-05-08 | 삼성전자주식회사 | 마스크 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 및 박막트랜지스터 표시판의 제조 방법 |
KR20060122489A (ko) * | 2005-05-27 | 2006-11-30 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
KR101165751B1 (ko) | 2005-07-14 | 2012-07-18 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치와 그 제조방법 |
KR101177720B1 (ko) * | 2005-09-20 | 2012-08-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치와 그 제조방법 |
KR20070049316A (ko) * | 2005-11-08 | 2007-05-11 | 삼성전자주식회사 | 표시 패널 및 이를 구비한 표시 장치 |
KR100792300B1 (ko) * | 2005-11-11 | 2008-01-07 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 반투과형 액정표시장치의 어레이기판 제조방법 |
JP4419946B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2010-02-24 | カシオ計算機株式会社 | 液晶表示装置 |
KR20070075808A (ko) * | 2006-01-16 | 2007-07-24 | 삼성전자주식회사 | 표시 기판의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조한 표시 기판 |
KR101252001B1 (ko) * | 2006-06-15 | 2013-04-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101293561B1 (ko) | 2006-10-11 | 2013-08-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
KR100793577B1 (ko) * | 2007-01-04 | 2008-01-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반투과형 액정 표시 장치 |
TWI365005B (en) * | 2008-01-04 | 2012-05-21 | Chimei Innolux Corp | Organic light emitting diode (oled) display devices, modules, and electronic devices |
KR101389923B1 (ko) * | 2008-04-21 | 2014-04-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 고개구율 어레이 기판, 액정 표시 장치 및 이들의 제조방법 |
KR20090126765A (ko) * | 2008-06-05 | 2009-12-09 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101624226B1 (ko) * | 2008-12-02 | 2016-05-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 표시 패널 |
CN101807550B (zh) | 2009-02-18 | 2013-05-22 | 北京京东方光电科技有限公司 | 阵列基板及其制造方法和液晶显示器 |
US8456586B2 (en) | 2009-06-11 | 2013-06-04 | Apple Inc. | Portable computer display structures |
US8408780B2 (en) * | 2009-11-03 | 2013-04-02 | Apple Inc. | Portable computer housing with integral display |
US8743309B2 (en) | 2009-11-10 | 2014-06-03 | Apple Inc. | Methods for fabricating display structures |
US20110292319A1 (en) * | 2010-05-27 | 2011-12-01 | E Ink Corporation | Dual mode electro-optic displays |
US9143668B2 (en) | 2010-10-29 | 2015-09-22 | Apple Inc. | Camera lens structures and display structures for electronic devices |
US8467177B2 (en) | 2010-10-29 | 2013-06-18 | Apple Inc. | Displays with polarizer windows and opaque masking layers for electronic devices |
US8749737B2 (en) * | 2011-05-09 | 2014-06-10 | Apple Inc. | Display with color control |
CN102681276B (zh) * | 2012-02-28 | 2014-07-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法以及包括该阵列基板的显示装置 |
JP6003192B2 (ja) * | 2012-04-27 | 2016-10-05 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置 |
KR20140094188A (ko) * | 2013-01-21 | 2014-07-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR101992911B1 (ko) * | 2013-01-31 | 2019-06-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조방법 |
CN105051596B (zh) * | 2013-03-27 | 2019-01-29 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置以及电子设备 |
KR20140137922A (ko) | 2013-05-24 | 2014-12-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 어레이 기판 및 이의 제조방법 |
CN103309081B (zh) * | 2013-05-30 | 2016-12-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 |
JP5894560B2 (ja) * | 2013-06-28 | 2016-03-30 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半透過型液晶表示装置及び電子機器 |
TWI642170B (zh) * | 2013-10-18 | 2018-11-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置及電子裝置 |
KR20160028129A (ko) | 2014-09-03 | 2016-03-11 | 주식회사 엘지화학 | 감광성 수지 조성물, 광경화막 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
CN104765186A (zh) * | 2015-03-24 | 2015-07-08 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
US9761642B2 (en) | 2015-05-22 | 2017-09-12 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Transflective OLED display |
KR101875695B1 (ko) * | 2015-11-30 | 2018-07-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
CN105785635A (zh) * | 2016-01-29 | 2016-07-20 | 上海天马微电子有限公司 | 半反半透式阵列基板、制作方法、显示面板和显示装置 |
KR20170110212A (ko) * | 2016-03-22 | 2017-10-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조방법 |
CN107092122A (zh) * | 2017-04-21 | 2017-08-25 | 惠科股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
KR102437327B1 (ko) * | 2017-12-27 | 2022-08-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
KR20200040046A (ko) * | 2018-10-08 | 2020-04-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
US11632448B2 (en) | 2019-12-03 | 2023-04-18 | Apple Inc. | Handheld electronic device |
US11637919B2 (en) | 2019-12-03 | 2023-04-25 | Apple Inc. | Handheld electronic device |
US12003657B2 (en) | 2021-03-02 | 2024-06-04 | Apple Inc. | Handheld electronic device |
CN113534520B (zh) * | 2021-07-30 | 2024-01-12 | 惠科股份有限公司 | 双面显示面板、显示装置和驱动方法 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0772473A (ja) * | 1993-09-01 | 1995-03-17 | Sony Corp | カラー液晶表示装置 |
JPH09146124A (ja) * | 1995-09-19 | 1997-06-06 | Sony Corp | 反射型ゲストホスト液晶表示装置 |
US6211928B1 (en) * | 1996-03-26 | 2001-04-03 | Lg Electronics Inc. | Liquid crystal display and method for manufacturing the same |
JPH1039292A (ja) * | 1996-07-24 | 1998-02-13 | Toshiba Electron Eng Corp | 液晶表示素子 |
JPH10186379A (ja) * | 1996-12-25 | 1998-07-14 | Casio Comput Co Ltd | 液晶表示装置 |
JPH10333168A (ja) * | 1997-06-04 | 1998-12-18 | Toshiba Corp | 液晶表示装置および液晶表示システム |
JP3281849B2 (ja) * | 1997-10-07 | 2002-05-13 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
US6195140B1 (en) * | 1997-07-28 | 2001-02-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display in which at least one pixel includes both a transmissive region and a reflective region |
US6624860B1 (en) * | 1998-01-26 | 2003-09-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Color filter layer providing transmitted light with improved brightness and display device using same |
JP4167335B2 (ja) * | 1998-01-30 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
KR100505179B1 (ko) * | 1998-04-20 | 2005-11-01 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 |
JP3085530B2 (ja) * | 1998-11-18 | 2000-09-11 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2000155336A (ja) * | 1998-11-24 | 2000-06-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JP3369502B2 (ja) * | 1999-03-10 | 2003-01-20 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法 |
JP2000267081A (ja) * | 1999-03-17 | 2000-09-29 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
JP2001005038A (ja) * | 1999-04-26 | 2001-01-12 | Samsung Electronics Co Ltd | 表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
US6380559B1 (en) * | 1999-06-03 | 2002-04-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array substrate for a liquid crystal display |
KR100661825B1 (ko) * | 1999-12-28 | 2006-12-27 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사투과형 액정 표시장치의 어레이 기판 및 그의 제조방법 |
KR100719334B1 (ko) * | 2000-03-08 | 2007-05-17 | 삼성전자주식회사 | 반사 투과 복합형 컬러 액정표시장치 |
JP2002090730A (ja) * | 2000-09-18 | 2002-03-27 | Alps Electric Co Ltd | 液晶表示装置並びに半透過型反射体 |
WO2002029482A1 (fr) * | 2000-09-27 | 2002-04-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Affichage a cristaux liquides transflectif |
JP4603190B2 (ja) * | 2001-04-16 | 2010-12-22 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
US6734935B2 (en) * | 2001-07-04 | 2004-05-11 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Array panel for a transflective liquid crystal display device |
KR100816333B1 (ko) * | 2001-08-30 | 2008-03-24 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 색 필터 기판 및 박막 트랜지스터 기판및 이들의 제조 방법 |
JP3675404B2 (ja) * | 2001-09-25 | 2005-07-27 | セイコーエプソン株式会社 | 半透過・反射型液晶装置、およびそれを用いた電子機器 |
-
2003
- 2003-02-28 KR KR1020030012615A patent/KR100945442B1/ko active IP Right Grant
-
2004
- 2004-02-27 JP JP2004053185A patent/JP4108626B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-02-27 CN CNB2004100064033A patent/CN100401153C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-02-27 US US10/787,409 patent/US7133104B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-10-03 US US11/541,699 patent/US7495728B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7133104B2 (en) | 2006-11-07 |
US20040179157A1 (en) | 2004-09-16 |
KR20040077161A (ko) | 2004-09-04 |
CN1525224A (zh) | 2004-09-01 |
CN100401153C (zh) | 2008-07-09 |
JP2005070736A (ja) | 2005-03-17 |
US20070064185A1 (en) | 2007-03-22 |
US7495728B2 (en) | 2009-02-24 |
KR100945442B1 (ko) | 2010-03-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4108626B2 (ja) | Cot構造の半透過型の液晶表示装置 | |
JP4469004B2 (ja) | 液晶ディスプレイ装置用アレー基板及びその製造方法 | |
JP4977308B2 (ja) | 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 | |
US7943939B2 (en) | Thin film transistor array panel and methods for manufacturing the same | |
TWI286255B (en) | Color filter plate and thin film transistor plate for liquid crystal display, and methods for fabricating the same | |
TWI329771B (en) | Transflective liquid crystal display device | |
JP5307319B2 (ja) | 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 | |
US20080309839A1 (en) | Thin film transistor array panel and liquid crystal display including the panel | |
US20030136971A1 (en) | Thin film transistor array panel for display and manufacturing method thereof | |
US20080113461A1 (en) | Method for manufacturing a lower substrate of a liquid crystal display device | |
JP2004310027A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
JP2002341335A (ja) | 液晶表示装置 | |
JP2004280110A (ja) | 表示装置用表示板及びその製造方法とその表示板を含む液晶表示装置 | |
JP2003222854A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
JP2001066639A (ja) | 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 | |
JP2008009360A (ja) | 液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法 | |
JP2004199049A (ja) | 液晶表示装置用アレイ基板とその製造方法 | |
JP2007304556A (ja) | 液晶表示装置とその製造方法 | |
JP2004241774A (ja) | 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法とそのためのマスク | |
KR20010046652A (ko) | 컬러필터를 포함한 액정표시장치와 제조방법 | |
TW573203B (en) | CF on TFT type liquid crystal display having reduced dot defects | |
JP4782389B2 (ja) | 表示装置用表示板及びその表示板を含む液晶表示装置 | |
US7763480B2 (en) | Method for manufacturing thin film transistor array substrate | |
JP2000098367A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
JP2002311424A (ja) | 液晶表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060323 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061206 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20070306 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20070309 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070606 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070717 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20071017 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20071022 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080117 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080310 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080402 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110411 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110411 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110411 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120411 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130411 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140411 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |