JP2004310027A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004310027A JP2004310027A JP2003389694A JP2003389694A JP2004310027A JP 2004310027 A JP2004310027 A JP 2004310027A JP 2003389694 A JP2003389694 A JP 2003389694A JP 2003389694 A JP2003389694 A JP 2003389694A JP 2004310027 A JP2004310027 A JP 2004310027A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- gate
- electrode
- forming
- pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 110
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 74
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 282
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 107
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 95
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 86
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 95
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 81
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 78
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 43
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 34
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 31
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 20
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 13
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 10
- UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N methylsilane Chemical group [SiH3]C UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims description 5
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DUFGEJIQSSMEIU-UHFFFAOYSA-N [N].[Si]=O Chemical compound [N].[Si]=O DUFGEJIQSSMEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006355 external stress Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133345—Insulating layers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134336—Matrix
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136222—Colour filters incorporated in the active matrix substrate
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/40—Arrangements for improving the aperture ratio
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/50—Protective arrangements
Abstract
【解決手段】ブラックマトリックスを保護する第2保護層を形成して、工程安定性を高めて、第2保護層を含めた構造で画素領域内絶縁層などをそのまま維持してコンタクトホールを通じて透明導電層と金属配線を連結させて、カラーフィルター工程でブラックマトリックスとの段差を縮めて、平坦化特徴を持つことが長所である。
【選択図】図4I
Description
前記画素電極17にはインジウム−スズ−オキサイド(ITO)のように光の透過率が比較的優れた透明導電性金属を用いる。
この時、前記ソース/ドレイン金属層30は画素電極17と接触されて画素電極17の信号を受けるように構成される。
図2は図1のII−II'に沿って切断した断面図である。前述したように、液晶表示装置は、アレイ基板である第1基板22と前記第1基板22と離隔されたカラーフィルター基板である第2基板5と、前記第1基板22及び第2基板5の間に位置する液晶層14を含む。
本発明では、前記ブラックマトリックスを形成する段階は、前記オープン部によって前記キャパシター電極の上部の保護層の一部を現す段階を含み、前記保護層とゲート絶縁膜をパターニングする段階は、前記キャパシター電極の一部を現す段階を含み、前記第1透明導電層を形成する段階は、前記第1透明導電層を前記キャパシター電極の一部と接触させる段階を含める。
図4Aないし4I、 図5Aないし5I,図6Aないし6Iは本発明の第1の実施の形態に係り、COT液晶表示装置用基板に関する製造工程を段階別に現した断面図であって、図4Aないし4Iは前記図3の切断線IV−IV'、図5Aないし5Iは前記図3の切断線V−V'、図6Aないし6Iは前記図3の切断線VI−VI'線に沿って切断して示した断面図である。
図7Aないし7F、図8Aないし8F、図9Aないし9Fは、本発明の第2の実施の形態によるCOT液晶表示装置用アレイ基板の製造工程を段階別に現した断面図で、前記第1の実施の形態の工程と連係されて本実施の形態の特徴的な工程を中心に図示した。また説明の便利上、マスク工程数に関する説明は省略する。
図10Aないし10E、図11Aないし11E、図12Aないし12Eは、本発明の第3の実施の形態によるCOT液晶表示装置用アレイ基板の製造工程を段階別に現した断面図で、図4Aないし4Dと図5Aないし5D、そして、図6Aないし6Dに図示された段階の次の工程を示す。
図13Aないし13E、図14Aないし14E、図15Aないし15Eは、本発明の第4の実施の形態によるCOT液晶表示装置用アレイ基板の製造工程を段階別に現した断面図で、図4Aないし4Dと図5Aないし5D、そして、図6Aないし6Dに図示された段階の次の工程を示している。
Claims (43)
- 基板上にゲート配線とゲート電極及びゲートパッドを形成する段階;
前記ゲート配線とゲート電極及びゲートパッドの上部にゲート絶縁膜を形成する段階;
前記ゲート電極の上部にゲート絶縁膜の上に半導体層を形成する段階;
前記ゲート配線と交差して画素領域を定義するデータ配線と、前記半導体層の上部に離隔されていて、前記ゲート電極及び半導体層と共に薄膜トランジスタを構成するソース電極及びドレイン電極、前記データ配線の一端に位置するデータパッドを形成する段階;
前記薄膜トランジスタを包む保護層を形成する段階;
前記保護層の上部に、前記画素領域に対応して前記ドレイン電極の上部の保護層を一部分露出するオープン部を持つブラックマトリックスを形成する段階;
前記ブラックマトリックスをエッチングマスクで前記保護層とゲート絶縁膜をパターニングして前記ドレイン電極の一部とゲートパッド及びデータパッドを露出する段階;
前記ブラックマトリックスの上部に前記ドレイン電極の一部とゲートパッド及びデータパッドと接触する第1透明導電層を形成する段階;
前記オープン部内の第1透明導電層の上部にカラーフィルター層を形成する段階;
前記カラーフィルター層の上部に前記第1透明導電層と接触する第2透明導電層を形成する段階;
前記第1透明導電層及び第2透明導電層をパターニングして前記画素領域に位置する画素電極と前記ゲートパッドの上部のゲートパッド端子及び前記データパッドの上部のデータパッド端子を形成する段階
を含む液晶表示装置の製造方法。 - 前記半導体層は、非晶質シリコンで構成されたアクティブ層と不純物を含む非晶質シリコンで構成されたオーミックコンタクト層で構成され、前記データ配線とソース電極、ドレイン電極及びデータパッドを形成する段階は、前記ソース電極及びドレイン電極をエッチングマスクで前記オーミックコンタクト層をパターニングして前記アクティブ層の一部を現す段階を含む
ことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記透明導電層は前記画素領域で前記基板と接触する
ことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記保護層は無機絶縁物質で構成される
ことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記データ配線とソース電極、ドレイン電極及びデータパッドを形成する段階は、前記ゲート配線の一部と重なるキャパシター電極を形成する段階を含む
ことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記ブラックマトリックスを形成する段階は、前記オープン部により前記キャパシター電極の上部の保護層一部を現す段階を含み、前記保護層とゲート絶縁膜をパターニングする前記キャパシター電極の一部を現す段階を含み、前記第1透明導電層を形成する段階は、前記第1透明導電層を前記キャパシター電極の一部と接触させる段階を含む
ことを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 基板上にゲート配線とゲート電極及びゲートパッドを形成する段階;
前記ゲート配線とゲート電極及びゲートパッドの上部にゲート絶縁膜を形成する段階;
前記ゲート電極の上部のゲート絶縁膜の上に半導体層を形成する段階;
前記ゲート配線と交差して画素領域を定義するデータ配線と、前記半導体層の上部に離隔されていて、前記ゲート電極及び半導体層と共に薄膜トランジスタを構成するソース電極及びドレイン電極、前記ゲート配線の一部と重なるキャパシター電極、前記データ配線の一端に位置するデータパッドを形成する段階;
前記薄膜トランジスタを包む保護層を形成する段階;
前記ゲートパッドの上部の保護層とゲート絶縁膜をパターニングして前記ゲートパッドを露出するゲートパッドコンタクトホールを形成する段階;
前記保護層の上部に、前記画素領域に対応して前記ドレイン電極とキャパシター電極の上部の保護層を一部露出するオープン部を持つブラックマトリックスを形成する段階;
前記ブラックマトリックスをエッチングマスクで前記保護層を選択的にパターニングして前記ドレイン電極の一部とキャパシター電極の一部及びデータパッドを露出する段階;
前記ブラックマトリックスの上部に前記ドレイン電極の一部とキャパシター電極の一部、ゲートパッド及びデータパッドと接触する第1透明導電層を形成する段階;
前記オープン部内の第1透明導電層の上部にカラーフィルター層を形成する段階;
前記カラーフィルター層の上部に前記第1透明導電層と接触する第2透明導電層を形成する段階;
前記第1透明導電層及び第2透明導電層をパターニングして前記画素領域に位置する画素電極と、前記ゲートパッドの上部のゲートパッド端子及び前記データパッドの上部のデータパッド端子を形成する段階
を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 前記半導体層は、非晶質シリコンで構成されたアクティブ層と不純物を含む非晶質シリコンで構成されたオーミックコンタクト層で構成され、前記データ配線とソース電極、ドレイン電極及びデータパッドを形成する段階は、前記ソース電極及びドレイン電極をエッチングマスクで前記オーミックコンタクト層をパターニングして前記アクティブ層の一部を現す段階を含む
ことを特徴とする請求項7に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記第1透明導電層は前記画素領域で前記ゲート絶縁膜と接触する
ことを特徴とする請求項7に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記保護層は前記ゲート絶縁膜より低い温度で形成される
ことを特徴とする請求項7に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記保護層は前記ゲート絶縁膜と同じ物質で構成される
ことを特徴とする請求項10に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 基板上にゲート配線とゲート電極及びゲートパッドを形成する段階;
前記ゲート配線とゲート電極及びゲートパッドの上部にゲート絶縁膜を形成する段階;
前記ゲート電極の上部のゲート絶縁膜の上に半導体層を形成する段階;
前記ゲート配線と交差して画素領域を定義するデータ配線と、前記半導体層の上部に離隔されていて、前記ゲート電極及び半導体層と共に薄膜トランジスタを構成するソース電極及びドレイン電極、前記ゲート配線の一部と重なるキャパシター電極、前記データ配線の一端に位置するデータパッドを形成する段階;
前記薄膜トランジスタを包む第1保護層を形成する段階;
前記第1保護層の上部に、前記画素領域に対応して前記ドレイン電極とキャパシター電極の上部の保護層を一部露出する第1オープン部を持つブラックマトリックスを形成する段階;
前記ブラックマトリックスを含む基板全面に第2保護層を形成する段階;
前記第2保護層と第1保護層及びゲート絶縁膜をパターニングして前記ドレイン電極の一部とキャパシター電極の一部を現す第2オープン部と、前記ゲートパッド現すゲートパッドコンタクトホール及び前記データパッド現すデータパッドコンタクトホールを形成する段階;
前記第2保護層の上部に前記ドレイン電極の一部とキャパシター電極の一部、ゲートパッド及びデータパッドと接触する第1透明導電層を形成する段階;
前記第2オープン部内の第1透明導電層の上部にカラーフィルター層を形成する段階;
前記カラーフィルター層の上部に前記第1透明導電層と接触する第2透明導電層を形成する段階;
前記第1透明導電層及び第2透明導電層をパターニングして前記画素領域に位置する画素電極と、前記ゲートパッドの上部のゲートパッド端子及び前記データパッドの上部のデータパッド端子を形成する段階
を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 前記半導体層は、非晶質シリコンで構成されたアクティブ層と不純物を含む非晶質シリコンで構成されたオーミックコンタクト層で構成され、前記データ配線とソース電極、ドレイン電極、キャパシター電極及びデータパッドを形成する段階は、前記ソース電極及びドレイン電極をエッチングマスクで前記オーミックコンタクト層をパターニングして前記アクティブ層の一部を現す段階を含む
ことを特徴とする請求項12に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記第1透明導電層は前記画素領域で前記基板と接触する
ことを特徴とする請求項12に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記第1保護層は無機絶縁物質で構成される
ことを特徴とする請求項12に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記第2保護層はシリコン窒化膜(SiNx)とシリコン酸化膜(SiO2)及びシリコン酸化窒素化膜(SiOxNy)のうちの一つで構成される
ことを特徴とする請求項12に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記シリコン窒化膜(SiNx)は水素(H2)、ヘリウム(He)のうちの一つとシラン(SiH4)/アンモニア(NH3)/窒素(N2)ガスを利用して形成する
ことを特徴とする請求項16に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記第2保護層はプラズマ化学気相成長法(plasma enhanced chemical vapor deposition:PECVD)で形成されたシリコン窒化膜(SiNx)で構成される
ことを特徴とする請求項16に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記第2保護層はスパッタリング法で形成されたシリコン窒化膜(SiNx)とシリコン酸化膜(SiO2)及びシリコン酸化窒素化膜(SiOxNy)のうちの一つで構成される
ことを特徴とする請求項16に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記第2保護層は3MS(methyl-silane)を利用したプラズマ化学気相成長法(plasma enhanced chemical vapor deposition:PECVD)で形成された炭素(C)を含む酸化窒素化膜(OxNy)と窒化膜(Nx)のうちの一つで構成される
ことを特徴とする請求項12に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記第2保護層は約500Åないし約3000Åの厚さを持つ
ことを特徴とする請求項12に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記第2保護層は約250℃以下の温度で形成される
ことを特徴とする請求項12に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 基板上にゲート配線とゲート電極及びゲートパッドを形成する段階;
前記ゲート配線とゲート電極及びゲートパッドの上部にゲート絶縁膜を形成する段階;
前記ゲート電極の上部のゲート絶縁膜の上に半導体層を形成する段階;
前記ゲート配線と交差して画素領域を定義するデータ配線と、前記半導体層の上部に離隔されていて、前記ゲート電極及び半導体層と共に薄膜トランジスタを構成するソース電極及びドレイン電極、前記ゲート配線の一部と重なるキャパシター電極、そして、前記データ配線の一端に位置するデータパッドを形成する段階;
前記薄膜トランジスタを包む第1保護層を形成する段階;
前記第1保護層の上部に、前記画素領域に対応して前記ドレイン電極とキャパシター電極の上部の保護層を一部露出するオープン部を持つブラックマトリックスを形成する段階;
前記ブラックマトリックスを含む基板全面に第2保護層を形成する段階;
前記第2保護層と第1保護層及びゲート絶縁膜をパターニングして前記ドレイン電極を現すドレインコンタクトホールと、前記キャパシター電極を現すキャパシターコンタクトホール、前記ゲートパッド現すゲートパッドコンタクトホール及び前記データパッド現すデータパッドコンタクトホールを形成する段階;
前記第2保護層の上部に前記ドレインコンタクトホールとキャパシターコンタクトホール、ゲートパッドコンタクトホール及びデータパッドコンタクトホールを通じて前記ドレイン電極とキャパシター電極、ゲートパッド及びデータパッドと各々接触する第1透明導電層を形成する段階;
前記オープン部内の第1透明導電層の上部にカラーフィルター層を形成する段階;
前記カラーフィルター層の上部に前記第1透明導電層と接触することを第2透明導電層を形成する段階;
前記第1透明導電層及び第2透明導電層をパターニングして前記画素領域に位置する画素電極と、前記ゲートパッドの上部のゲートパッド端子及び前記データパッドの上部のデータパッド端子を形成する段階
を含む液晶表示装置の製造方法。 - 前記半導体層は、非晶質シリコンで構成されたアクティブ層と不純物を含む非晶質シリコンで構成されたオーミックコンタクト層で構成され、前記データ配線とソース電極、ドレイン電極、キャパシター電極及びデータパッドを形成する段階は、前記ソース電極及びドレイン電極をエッチングマスクで前記オーミックコンタクト層をパターニングして前記アクティブ層の一部を現す段階を含む
ことを特徴とする請求項23に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記第2保護層はシリコン窒化膜(SiNx)とシリコン酸化膜(SiO2)及びシリコン酸化窒素化膜(SiOxNy)のうちの一つで構成される
ことを特徴とする請求項23に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記シリコン窒化膜(SiNx)は水素(H2)、ヘリウム(He)のうちの一つとシラン(SiH4)/アンモニア(NH3)/窒素(N2)ガスを利用して形成する
ことを特徴とする請求項25に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記第2保護層はプラズマ化学気相成長法(plasma enhanced chemical vapor deposition:PECVD)で形成されたシリコン窒化膜(SiNx)で構成される
ことを特徴とする請求項25に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記第2保護層はスパッタリング法で形成されたシリコン窒化膜(SiNx)とシリコン酸化膜(SiO2)及びシリコン酸化窒素化膜(SiOxNy)のうちの一つで構成される
ことを特徴とする請求項25に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記第2保護層は3MS(methyl-silane)を利用したプラズマ化学気相成長法(plasma enhanced chemical vapor deposition:PECVD)で形成された炭素(C)を含む酸化窒素化膜(OxNy)と窒化膜(Nx)のうちの一つで構成される
ことを特徴とする請求項23に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記第2保護層は約500Åないし約3000Åの厚さを持つ
ことを特徴とする請求項23に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記第2保護層は約250℃以下の温度で形成される
ことを特徴とする請求項23に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 基板上に相互交差して画素領域を定義するゲート配線とデータ配線;
前記ゲート配線とデータ配線の交差地点に形成されてゲート電極とソース電極及びドレイン電極で構成された薄膜トランジスタ;
前記ゲート配線の一端に位置するゲートパッドと前記データ配線の一端に位置するデータパッド;
前記薄膜トランジスタを包み前記ゲートパッド及びデータパッドを露出する第1保護層;
前記第1保護層の上部に形成されて、前記画素領域に対応して前記ドレイン電極の一部を露出する第1オープン部を持つブラックマトリックス;
前記ブラックマトリックスの上部の画素領域に形成されて前記ドレイン電極の一部と接触する第1画素電極;
前記画素領域の第1画素電極の上部に形成されたカラーフィルター層;
前記カラーフィルター層の上部に形成されて前記第1画素電極と接触する第2画素電極;
前記ゲートパッドと接触するゲートパッド端子及び前記データパッドと接触するデータパッド端子
を含む液晶表示装置。 - 前記第1画素電極は前記画素領域で前記基板と接触する
ことを特徴とする請求項32に記載の液晶表示装置。 - 前記第1保護層は無機絶縁物質で構成される
ことを特徴とする請求項32に記載の液晶表示装置。 - 前記ゲート配線の一部と重なるようにして前記データ配線のような物質で構成されたキャパシター電極をさらに含む
ことを特徴とする請求項32に記載の液晶表示装置。 - 第1オープン部は前記第1保護層を通じて前記キャパシター電極の一部を露出し、前記第1画素電極は前記キャパシター電極の一部と接触する
ことを特徴とする請求項35に記載の液晶表示装置。 - 前記ブラックマトリックスと前記第1画素電極の間に第2保護層をさらに含む
ことを特徴とする請求項32に記載の液晶表示装置。 - 前記第2保護層は前記第1保護層を通じて前記ドレイン電極の一部を露出する第2オープン部を含む
ことを特徴とする請求項37に記載の液晶表示装置。 - 前記第2保護層は前記第1保護層を通じて前記ドレイン電極の一部を露出するドレインコンタクトホールを含む
ことを特徴とする請求項37に記載の液晶表示装置。 - 前記第1画素電極は前記画素領域で前記第2保護層と接触する
ことを特徴とする請求項39に記載の液晶表示装置。 - 前記第2保護層は前記ゲートパッドを露出するゲートパッドコンタクトホール及び前記データパッドを露出するデータパッドコンタクトホールを含む
ことを特徴とする請求項37に記載の液晶表示装置。 - 前記第2保護層はシリコン窒化膜(SiNx)とシリコン酸化膜(SiO2)及びシリコン酸化窒素化膜(SiOxNy)のうちの一つで構成される
ことを特徴とする請求項37に記載の液晶表示装置。 - 前記第2保護層は約500Åないし約3000Åの厚さを持つ
ことを特徴とする請求項37に記載の液晶表示装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020020076724A KR100924751B1 (ko) | 2002-12-04 | 2002-12-04 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
KR1020020077950A KR100870698B1 (ko) | 2002-12-09 | 2002-12-09 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004310027A true JP2004310027A (ja) | 2004-11-04 |
JP3995159B2 JP3995159B2 (ja) | 2007-10-24 |
Family
ID=36592697
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003389694A Expired - Lifetime JP3995159B2 (ja) | 2002-12-04 | 2003-11-19 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6900856B2 (ja) |
JP (1) | JP3995159B2 (ja) |
CN (1) | CN1284247C (ja) |
GB (1) | GB2396048B (ja) |
TW (1) | TWI234034B (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004310039A (ja) * | 2002-12-09 | 2004-11-04 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置用アレイ基板とその製造方法 |
WO2011043440A1 (ja) * | 2009-10-08 | 2011-04-14 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
KR20140081409A (ko) * | 2012-12-21 | 2014-07-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그의 제조방법 |
JP2020194101A (ja) * | 2019-05-29 | 2020-12-03 | シャープ株式会社 | 表示装置の製造方法、および表示装置 |
Families Citing this family (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4014710B2 (ja) * | 1997-11-28 | 2007-11-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
GB2396244B (en) * | 2002-12-09 | 2006-03-22 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Array substrate having color filter on thin film transistor s tructure for LCD device and method of fabricating the same |
KR100887671B1 (ko) * | 2002-12-23 | 2009-03-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
KR101198819B1 (ko) * | 2003-06-25 | 2012-11-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 씨오티 구조 액정표시장치 및 그 제조방법 |
KR100930919B1 (ko) * | 2003-06-30 | 2009-12-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계형 액정표시장치 및 그 제조방법 |
KR101090246B1 (ko) * | 2003-12-10 | 2011-12-06 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 |
KR100995020B1 (ko) * | 2003-12-27 | 2010-11-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
KR100968339B1 (ko) * | 2004-06-30 | 2010-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US7612373B2 (en) * | 2004-06-30 | 2009-11-03 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method of manufacturing liquid crystal display device with color filter layer on thin film transistor |
KR100628272B1 (ko) * | 2004-06-30 | 2006-09-27 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Cot형 액정표시소자의 제조방법 |
CN100362413C (zh) * | 2004-09-29 | 2008-01-16 | 财团法人工业技术研究院 | 一种制作电子装置的方法 |
KR101078360B1 (ko) * | 2004-11-12 | 2011-10-31 | 엘지디스플레이 주식회사 | 폴리형 액정 표시 패널 및 그 제조 방법 |
KR100685955B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2007-02-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치 |
KR101121997B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2012-02-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치용 컬러 필터 기판 및 그의 제조 방법 |
JP2006303449A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Samsung Sdi Co Ltd | アクティブマトリックス回路基板、この製造方法及びこれを備えたアクティブマトリックスディスプレイ装置 |
KR20060115778A (ko) * | 2005-05-06 | 2006-11-10 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 기판, 이를 포함하는 액정표시장치와 그제조 방법 |
US7737442B2 (en) * | 2005-06-28 | 2010-06-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101127836B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2012-03-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 기판의 제조 방법 |
KR101177720B1 (ko) * | 2005-09-20 | 2012-08-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치와 그 제조방법 |
JP4728170B2 (ja) * | 2006-05-26 | 2011-07-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体デバイスおよびアクティブマトリクス型表示装置 |
JP4211855B2 (ja) * | 2006-05-29 | 2009-01-21 | エプソンイメージングデバイス株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
EP1895545B1 (en) | 2006-08-31 | 2014-04-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
KR100937173B1 (ko) * | 2006-12-26 | 2010-01-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 액정표시장치용 어레이 기판 및 그제조방법 |
KR101316791B1 (ko) * | 2007-01-05 | 2013-10-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 게이트 구동회로 및 이를 포함하는 액정 표시 장치, 박막트랜지스터 기판의 제조 방법 |
KR101362157B1 (ko) * | 2007-07-05 | 2014-02-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 전계 렌즈 및 이를 이용한 표시 장치 |
TWI377392B (en) * | 2008-01-08 | 2012-11-21 | Au Optronics Corp | A backlight module, a liquid crystal display panel and a liquid crystal display apparatus comprising a photo-sensing device |
CN101526707B (zh) * | 2008-03-07 | 2011-10-12 | 北京京东方光电科技有限公司 | Tft-lcd阵列基板制造方法 |
KR101490490B1 (ko) * | 2008-12-23 | 2015-02-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
CN102466919B (zh) * | 2010-10-29 | 2014-11-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 彩膜基板及其制造方法和3d液晶显示器 |
KR102017204B1 (ko) * | 2012-11-01 | 2019-09-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
KR20140055848A (ko) * | 2012-11-01 | 2014-05-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101973009B1 (ko) * | 2012-11-13 | 2019-04-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
KR20150076878A (ko) | 2013-12-27 | 2015-07-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 이의 제조방법 |
KR102186576B1 (ko) | 2014-03-21 | 2020-12-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 패널 및 이의 제조 방법 |
KR102255379B1 (ko) * | 2014-08-12 | 2021-05-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이를 제조하는 방법 |
CN105070646B (zh) * | 2015-07-27 | 2017-11-10 | 成都海威华芯科技有限公司 | 一种低应力氮化硅薄膜的制备方法 |
CN105549258B (zh) * | 2016-02-18 | 2019-02-01 | 武汉华星光电技术有限公司 | 彩膜基板及其制造方法 |
KR102660829B1 (ko) * | 2016-10-20 | 2024-04-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN109979907B (zh) * | 2017-12-28 | 2021-01-08 | 瀚宇彩晶股份有限公司 | 电子产品 |
JP7160334B2 (ja) * | 2018-11-22 | 2022-10-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
CN109599428B (zh) * | 2018-12-17 | 2020-11-20 | 惠科股份有限公司 | 显示面板的制作方法 |
US10879498B2 (en) * | 2019-02-27 | 2020-12-29 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | OLED display device and manufacturing method thereof |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5866919A (en) * | 1996-04-16 | 1999-02-02 | Lg Electronics, Inc. | TFT array having planarized light shielding element |
US5976734A (en) | 1997-06-02 | 1999-11-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Preparation process of color liquid crystal display device |
JP3738530B2 (ja) * | 1997-06-30 | 2006-01-25 | ソニー株式会社 | カラー表示装置 |
JP4570278B2 (ja) * | 2000-08-28 | 2010-10-27 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板 |
-
2003
- 2003-09-04 US US10/653,908 patent/US6900856B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-11-03 TW TW092130697A patent/TWI234034B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-11-07 GB GB0326086A patent/GB2396048B/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-11-19 JP JP2003389694A patent/JP3995159B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2003-12-04 CN CNB2003101194044A patent/CN1284247C/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004310039A (ja) * | 2002-12-09 | 2004-11-04 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置用アレイ基板とその製造方法 |
WO2011043440A1 (ja) * | 2009-10-08 | 2011-04-14 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JP5091355B2 (ja) * | 2009-10-08 | 2012-12-05 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
KR101232988B1 (ko) | 2009-10-08 | 2013-02-13 | 샤프 가부시키가이샤 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20140081409A (ko) * | 2012-12-21 | 2014-07-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그의 제조방법 |
KR102023937B1 (ko) | 2012-12-21 | 2019-09-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그의 제조방법 |
JP2020194101A (ja) * | 2019-05-29 | 2020-12-03 | シャープ株式会社 | 表示装置の製造方法、および表示装置 |
JP7208863B2 (ja) | 2019-05-29 | 2023-01-19 | シャープ株式会社 | 表示装置の製造方法、および表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2396048A (en) | 2004-06-09 |
JP3995159B2 (ja) | 2007-10-24 |
CN1504819A (zh) | 2004-06-16 |
CN1284247C (zh) | 2006-11-08 |
TWI234034B (en) | 2005-06-11 |
US6900856B2 (en) | 2005-05-31 |
GB0326086D0 (en) | 2003-12-10 |
US20040109101A1 (en) | 2004-06-10 |
GB2396048B (en) | 2005-02-02 |
TW200417782A (en) | 2004-09-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3995159B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
JP4266793B2 (ja) | 液晶表示装置用アレイ基板 | |
KR100868771B1 (ko) | 액정표시장치 | |
JP4455840B2 (ja) | 液晶表示装置とその製造方法 | |
US7268842B2 (en) | Substrate for liquid crystal display and liquid crystal display utilizing the same | |
US7176535B2 (en) | Thin film transistor array gate electrode for liquid crystal display device | |
KR100598737B1 (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 | |
JP4638221B2 (ja) | 垂直配向型液晶表示装置 | |
KR100583311B1 (ko) | 액정표시패널 및 그 제조 방법 | |
KR100995020B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
JP2004310039A (ja) | 液晶表示装置用アレイ基板とその製造方法 | |
JP2001296557A (ja) | 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 | |
JP3059487B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP4285533B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
JP2007013083A (ja) | 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 | |
JP2004004680A (ja) | 表示装置用配線基板及びその製造方法 | |
KR100558714B1 (ko) | 액정표시패널 및 그 제조 방법 | |
JP4219886B2 (ja) | 液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法 | |
KR100924751B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR100870698B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR101389466B1 (ko) | 씨오티 구조 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법 | |
KR101186514B1 (ko) | 액정표시소자 및 그 제조방법 | |
KR100558712B1 (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 | |
KR20020028014A (ko) | 박막 트랜지스터 액정표시장치의 제조방법 | |
JP2007102069A (ja) | 液晶表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060124 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060424 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060530 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060913 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20061006 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070626 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070726 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100810 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3995159 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100810 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100810 Year of fee payment: 3 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100810 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110810 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120810 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130810 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |