CN109599428B - 显示面板的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了一种显示面板的制作方法，包括首先提供一基板。然后在所述基板形成一平坦化层。其次在所述平坦化层形成第一透明导电层，所述平坦化层设置于所述基板和所述第一透明导电层之间。然后在第一预设温度采用物理气相沉积的方式通过第一预设掩膜版在所述第一透明导电层形成第一金属层。最后在第二预设温度采用物理气相沉积的方式通过第二预设掩膜版在所述第一金属层形成第二透明导电层，所述第一金属层设置于所述第一透明导电层和所述第二透明导电层之间。本申请采用物理气相沉积的方式依次通过第一预设掩膜版沉积得到第一金属层和通第二预设掩膜版沉积得到第二透明导电层。大大提高了制作显示面板的良率。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别是涉及显示面板的制作方法。
背景技术
顶发光AMOLED(Active-matrix organic light-emitting diode，中译：有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体)的阳极常用ITO(Indium Tin Oxide，锡掺杂氧化铟薄膜)与Ag(金属银)组合的结构。信号输入导线常用金属铝(Al)。阳极图形刻蚀常用酸液湿刻的方式进行。在酸液中由于Ag与Al的电势能差异发生化学反应：Ag++Al→Al++Ag，造成Al导线两侧被腐蚀，同时Ag析出。
该现象在Bonding(绑定，驱动集成电路IC和显示屏连接区域，搭接)区尤为严重。Al(金属铝)腐蚀会导致信号走线电阻变大或断路。Ag(金属铝)析出在bonding两条走线直接会导致短路。
显示面板的传统制作方法，无法避免在ITO刻蚀时因使用酸液而导致Ag和Al发生电化学反应，造成Al腐蚀，进而导致面板良率降低的问题。
发明内容
基于此，有必要针对现有显示面板的制作方法，因使用酸液而造成金属腐蚀，导致面板良率降低的问题，提供一种显示面板的制作方法。
一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一基板；
在所述基板形成一平坦化层；
在所述平坦化层形成第一透明导电层，所述平坦化层设置于所述基板和所述第一透明导电层之间；
在第一预设温度采用物理气相沉积的方式通过第一预设掩膜版在所述第一透明导电层形成第一金属层；
在第二预设温度采用物理气相沉积的方式通过第二预设掩膜版在所述第一金属层形成第二透明导电层，所述第一金属层设置于所述第一透明导电层和所述第二透明导电层之间。
在其中一个实施例中，所述物理气相沉积的方式为真空蒸镀。
在其中一个实施例中，所述在第一预设温度采用物理气相沉积的方式通过第一预设掩膜版在所述第一透明导电层形成第一金属层的步骤之前，所述方法还包括：
采用涂布、曝光、显影的方式在所述第一透明导电层形成具有开孔的像素定义层，所述第一透明导电层设置于所述像素定义层和所述平坦化层之间。
在其中一个实施例中，所述第一金属层沉积于所述开孔内，并与所述开孔内的所述第一透明导电层表面接触。
在其中一个实施例中，所述第二透明导电层沉积于所述开孔内，并与所述开孔内的所述第一金属层表面接触。
在其中一个实施例中，所述在所述基板形成平坦化层的步骤之前，所述方法还包括：
采用涂布、曝光、显影和刻蚀的方式依次在所述基板形成栅极层和栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置于所述栅极层和所述平坦化层之间。
在其中一个实施例中，所述在所述基板形成平坦化层的步骤之前，所述方法还包括：
采用涂布、曝光、显影和刻蚀的方式在所述栅极绝缘层形成第二金属层，所述第二金属层设置于所述栅极绝缘层和所述平坦化层之间，且所述第二金属层的还原性大于所述第一金属层的还原性。
在其中一个实施例中，所述第一金属层为银层。
在其中一个实施例中，所述第一预设温度的数值范围为250℃-350℃；所述第二预设温度的数值范围为450℃-550℃。
一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一基板；
在所述基板形成平坦化层；
在所述平坦化层形成第一透明导电层，所述平坦化层设置于所述基板和所述第一透明导电层之间；
采用涂布、曝光、显影的方式在所述第一透明导电层形成具有开孔的像素定义层，所述第一透明导电层设置于所述像素定义层和所述平坦化层之间；
在第一预设温度采用真空蒸镀的方式通过第一预设掩膜版在所述开孔内形成银层，且所述银层与所述第一透明导电层表面接触；
在第二预设温度采用真空蒸镀的方式通过第二预设掩膜版在所述开孔形成第二透明导电层，且所述第二透明导电层与所述银层表面接触，所述银层设置于所述第一透明导电层和所述第二透明导电层之间。
与现有技术相比，上述显示面板的制作方法，包括首先提供一基板。然后在所述基板形成一平坦化层。其次，在所述平坦化层形成第一透明导电层，所述平坦化层设置于所述基板和所述第一透明导电层之间。然后在第一预设温度下采用物理气相沉积的方式通过第一预设掩膜版在所述第一透明导电层形成第一金属层。最后在第二预设温度下采用物理气相沉积的方式通过第二预设掩膜版在所述第一金属层形成第二透明导电层，所述第一金属层设置于所述第一透明导电层和所述第二透明导电层之间。
本申请采用物理气相沉积的方式依次通过第一预设掩膜版形成第一金属层和通第二预设掩膜版形成第二透明导电层。避免了第二透明导电层在刻蚀时因使用酸液而导致第一金属层被腐蚀的问题，大大提高了制作显示面板的良率。
附图说明
图1为本申请一实施例提供的显示面板的制作方法的流程图；
图2为本申请一实施例提供的显示面板的截面图。
10 显示面板
100 基板
200 平坦化层
210 开孔
220 像素定义层
230 栅极层
240 栅极绝缘层
250 第二金属层
310 第一透明导电层
320 第一金属层
330 第二透明导电层
具体实施方式
为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施的限制。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
请参见图1和图2，本申请一实施例提供一种显示面板10的制作方法，包括：
S102：提供一基板100。
可以理解，所述基板100的材质不限，只要保证形状即可。所述基板100的具体材质，可根据实际需求进行选择。在一个实施例中，所述基板100的材质可为无碱玻璃。在一个实施例中，所述基板100的材质可为有机材料聚酰亚胺。
S104：在所述基板100形成一平坦化层200。
在一个实施例中，可采用涂布、曝光、显影的方式在所述基板100形成一平坦化层200。在一个实施例中，曝光是指在涂布完成之后，使用具有特定图形的掩膜版进行曝光。所述掩膜版可根据实际产品设计进行选择。在一个实施例中，显影是指使用四甲基氢氧化铵(THAM)进行显影，除去被曝光的光刻胶。可利用涂布、曝光、显影的方式在所述基板100形成一所述平坦化层200。也可采用其它传统方式在所述基板100形成所述平坦化层200，这里就不一一描述。
S106：在所述平坦化层200形成第一透明导电层310，所述平坦化层200设置于所述基板100和所述第一透明导电层310之间。
在一个实施例中，可采用涂布、曝光、显影和刻蚀的方式在所述平坦化层200形成第一透明导电层310。可以理解，曝光和显影可采用上述实施例所描述的方式，这里就不重复描述。在一个实施例中，所述第一透明导电层310可为第一铟锡氧化层。
可以理解，所述刻蚀的方式不限，只要保证在所述平坦化层200能够形成所述第一透明导电层310即可。在一个实施例中，可采用盐酸刻蚀的方式在所述平坦化层200形成所述第一透明导电层310。在一个实施例中，可采用草酸刻蚀的方式在所述平坦化层200形成所述第一透明导电层310。具体的刻蚀方式，可根据实际需求进行选择。
S108：在第一预设温度采用物理气相沉积的方式通过第一预设掩膜版在所述第一透明导电层310形成第一金属层320。
可以理解，所述物理气相沉积的方式不限，只要保证在所述第一透明导电层310能够形成所述第一金属层320即可。所述物理气相沉积的具体方式，可根据实际需求进行选择。在一个实施例中，所述物理气相沉积的方式可为真空蒸镀。在一个实施例中，所述物理气相沉积的方式可为溅射镀膜。在一个实施例中，所述物理气相沉积的方式也可为电弧等离子体镀。在一个实施例中，所述第一预设掩膜版的图形可根据实际需求进行选择。在一个实施例中，所述第一预设掩膜版为精细金属掩膜版(FMM)。
在一个实施例中，所述第一预设温度的数值可为250℃。在一个实施例中，所述第一预设温度的数值也可为300℃。在一个实施例中，所述第一预设温度的数值也可为350℃。所述第一预设温度的具体数值，可根据实际需求进行设定。
可以理解，所述第一金属层320的材质不限，只要保证导电率和高反射率即可。在一个实施例中，所述第一金属层320的材质可为银。在一个实施例中，所述第一金属层320的材质也可为比铝还原性低的材质(除了银)。所述第一金属层320的具体材质，可根据实际需求进行选择。
S110：在第二预设温度采用物理气相沉积的方式通过第二预设掩膜版在所述第一金属层320形成第二透明导电层330，所述第一金属层320设置于所述第一透明导电层310和所述第二透明导电层330之间。
在一个实施例中，所述物理气相沉积的方式可采用上述实施例所述的方式，这里就不做重复描述。在一个实施例中，所述第二预设掩膜版的图形可根据实际需求进行选择。在一个实施例中，所述第二预设掩膜版为精细金属掩膜版(FMM)。
在一个实施例中，所述第二预设温度的数值可为450℃。在一个实施例中，所述第二预设温度的数值也可为500℃。在一个实施例中，所述第二预设温度的数值也可为550℃。所述第一预设温度的具体数值，可根据实际需求进行设定。在一个实施例中，所述第一透明导电层310、所述第一金属层320和所述第二透明导电层330构成了所述显示面板10的阳极层。在一个实施例中，所述第二透明导电层330可为第二铟锡氧化层。
本实施例中，采用物理气相沉积的方式依次通过所述第一预设掩膜版形成所述第一金属层320和通过所述第二预设掩膜版形成所述第二透明导电层330。避免了所述第二透明导电层330在刻蚀时因使用酸液而导致Bonding区铝或其他金属线被腐蚀的问题，大大提高了制作所述显示面板10的良率。
在一个实施例中，所述在第一预设温度采用物理气相沉积的方式通过第一预设掩膜版在所述第一透明导电层310形成第一金属层320的步骤之前，所述方法还包括：采用涂布、曝光、显影的方式在所述第一透明导电层310形成具有开孔210的像素定义层220，所述第一透明导电层310设置于所述像素定义层220和所述平坦化层200之间。
可以理解，曝光是指在涂布完成之后，使用具有特定图形的掩膜版进行曝光。所述掩膜版可根据实际产品设计进行选择。在一个实施例中，显影是指使用四甲基氢氧化铵(THAM)进行显影，除去被曝光的光刻胶。
可以理解，所述开孔210的形状不限，只要保证有孔即可。在一个实施例中，所述开孔210的形状可为圆形。在一个实施例中，所述开孔210的形状可为方形。所述开孔210的具体形状，可根据实际需求进行选择。
在一个实施例中，所述第一金属层320沉积于所述开孔210内，并与所述开孔210内的所述第一透明导电层310表面接触。可以理解，所述第一金属层320通过物理气相沉积的方式沉积于所述开孔210内。在一个实施例中，所述物理气相沉积的方式为真空蒸镀。具体的，将金属加入蒸镀坩埚中，在200-400℃的温度下进行蒸镀。
在一个实施例中，所述第二透明导电层330沉积于所述开孔210内，并与所述开孔210内的所述第一金属层320表面接触。在一个实施例中，所述第二透明导电层330通过真空蒸镀或溅射镀膜的方式沉积于所述开孔210内。
在一个实施例中，所述在所述基板100形成平坦化层200的步骤之前，所述方法还包括：采用涂布、曝光、显影和刻蚀的方式依次在所述基板100形成栅极层230和栅极绝缘层240，所述栅极绝缘层240设置于所述栅极层230和所述平坦化层200之间。
可以理解，所述栅极绝缘层240的材质不限，只要保证绝缘即可。在一个实施例中，所述栅极绝缘层240的材质可为氮化硅。在一个实施例中，所述栅极绝缘层240的材质可为氧化硅。所述栅极绝缘层240的具体材质，可根据实际需求进行选择。在一个实施例中，所述涂布、曝光、显影和刻蚀的方式可采用上述实施例所述的方式，这里就不重复描述。
在一个实施例中，所述在所述基板100形成平坦化层200的步骤之前，所述方法还包括：采用涂布、曝光、显影和刻蚀的方式在所述栅极绝缘层240形成第二金属层250。所述第二金属层250设置于所述栅极绝缘层240和所述平坦化层200之间，且所述第二金属层250的还原性大于所述第一金属层320的还原性。
可以理解，所述第二金属层250的材质不限，只要保证所述第二金属层250的还原性大于所述第一金属层320的还原性即可。所述第二金属层250的具体材质，可根据实际需求进行选择。在一个实施例中，所述第二金属层250的材质为铝。在一个实施例中，所述第二金属层250的材质为铜。在一个实施例中，所述涂布、曝光、显影和刻蚀的方式可采用上述实施例所述的方式，这里就不重复描述。在一个实施例中，所述第二金属层250起到晶体管中的源极和漏级的作用。在一个实施例中，所述第二金属层250起漏极作用的表面与所述第一透明导电层310表面接触，所述第二金属层250起源极作用的表面不与所述第一透明导电层310表面接触。
在一个实施例中，所述第一金属层320为银层。在一个实施例中通过所述银层构成的反光层，具有反光效果佳，稳定性好的优点。
在一个实施例中，所述第一预设温度的数值范围为250℃-350℃。在所述第一预设温度的数值范围内采用物理气相沉积的方式沉积得到的所述第一金属层320，尤其是当述第一金属层320为银层时，稳定性更好，可靠性更佳。在一个实施例中，所述第二预设温度的数值范围为450℃-550℃。在所述第二预设温度的数值范围内采用物理气相沉积的方式形成的所述第二透明导电层330，传导效率佳，可靠性更好。
本申请另一实施例提供一种显示面板10的制作方法，包括首先提供一基板100。然后，在所述基板100形成平坦化层200。其次，在所述平坦化层200形成第一透明导电层310。所述平坦化层200设置于所述基板100和所述第一透明导电层310之间。然后，采用涂布、曝光、显影的方式在所述第一透明导电层310形成具有开孔210的像素定义层220。所述第一透明导电层310设置于所述像素定义层220和所述平坦化层200之间。
再次，在第一预设温度采用真空蒸镀的方式通过第一预设掩膜版在所述开孔210内形成银层，且所述银层与所述第一透明导电层310表面接触。最后，在第二预设温度采用真空蒸镀的方式通过第二预设掩膜版在所述开孔210形成第二透明导电层330，且所述第二透明导电层330与所述银层表面接触，所述第银层设置于所述第一透明导电层310和所述第二透明导电层330之间。
可以理解，所述基板100的材质不限，只要保证形状即可。所述基板100的具体材质，可根据实际需求进行选择。在一个实施例中，所述基板100的材质可为无碱玻璃。在一个实施例中，所述基板100的材质可为有机材料聚酰亚胺。
在一个实施例中，可采用涂布、曝光、显影的方式在所述基板100形成一平坦化层200。在一个实施例中，曝光是指在涂布完成之后，使用具有特定图形的掩膜版进行曝光。所述掩膜版可根据实际产品设计进行选择。在一个实施例中，显影是指使用四甲基氢氧化铵(THAM)进行显影，除去被曝光的光刻胶。可利用涂布、曝光、显影的方式在所述基板100形成一所述平坦化层200。也可采用其它传统方式在所述基板100形成所述平坦化层200，这里就不一一描述。
可以理解，所述刻蚀的方式不限，只要保证在所述平坦化层200能够形成所述第一透明导电层310即可。在一个实施例中，可采用盐酸刻蚀的方式在所述平坦化层200形成所述第一透明导电层310。在一个实施例中，可采用草酸刻蚀的方式在所述平坦化层200形成所述第一透明导电层310。具体的刻蚀方式，可根据实际需求进行选择。
在一个实施例中，所述在所述基板100形成平坦化层200的步骤之前，所述方法还包括：采用涂布、曝光、显影和刻蚀的方式依次在所述基板100形成栅极层230和栅极绝缘层240，且所述栅极绝缘层240设置于所述栅极层230和所述平坦化层200之间。
可以理解，所述栅极绝缘层240的材质不限，只要保证绝缘即可。在一个实施例中，所述栅极绝缘层240的材质可为氮化硅。在一个实施例中，所述栅极绝缘层240的材质可为氧化硅。所述栅极绝缘层240的具体材质，可根据实际需求进行选择。在一个实施例中，所述涂布、曝光、显影和刻蚀的方式可采用上述实施例所述的方式，这里就不重复描述。
在一个实施例中，所述在所述基板100形成平坦化层200的步骤之前，所述方法还包括：采用涂布、曝光、显影和刻蚀的方式在所述栅极绝缘层240形成第二金属层250。所述第二金属层250设置于所述栅极绝缘层240和所述平坦化层200之间，且所述第二金属层250的还原性大于所述第一金属层320的还原性。
可以理解，所述第二金属层250的材质不限，只要保证所述第二金属层250的还原性大于所述第一金属层320的还原性即可。所述第二金属层250的具体材质，可根据实际需求进行选择。在一个实施例中，所述第二金属层250的材质为铝。在一个实施例中，所述第二金属层250的材质为铜。在一个实施例中，所述涂布、曝光、显影和刻蚀的方式可采用上述实施例所述的方式，这里就不重复描述。在一个实施例中，所述第二金属层250起到晶体管中的源极和漏级的作用。在一个实施例中，所述第二金属层250起漏极作用的表面与所述第一透明导电层310表面接触，所述第二金属层250起源极作用的表面不与所述第一透明导电层310表面接触。
在一个实施例中，本申请适用于顶发射的OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)器件。
综上所述，本申请采用物理气相沉积的方式依次通过所述第一预设掩膜版沉积得到所述第一金属层320和通所述第二预设掩膜版沉积得到所述第二透明导电层330。避免了所述第二透明导电层330在刻蚀时因使用酸液而导致所述第一金属层320被腐蚀的问题，大大提高了制作所述显示面板10的良率。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一基板；
在所述基板形成一平坦化层；
在所述平坦化层形成第一透明导电层，所述平坦化层设置于所述基板和所述第一透明导电层之间；
在第一预设温度采用物理气相沉积的方式通过第一预设掩膜版在所述第一透明导电层形成第一金属层；
在第二预设温度采用物理气相沉积的方式通过第二预设掩膜版在所述第一金属层形成第二透明导电层，所述第一金属层设置于所述第一透明导电层和所述第二透明导电层之间。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述物理气相沉积的方式为真空蒸镀。
3.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述在第一预设温度采用物理气相沉积的方式通过第一预设掩膜版在所述第一透明导电层形成第一金属层的步骤之前，所述方法还包括：
采用涂布、曝光、显影的方式在所述第一透明导电层形成具有开孔的像素定义层，所述第一透明导电层设置于所述像素定义层和所述平坦化层之间。
4.根据权利要求3所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述第一金属层沉积于所述开孔内，并与所述开孔内的所述第一透明导电层表面接触。
5.根据权利要求4所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述第二透明导电层沉积于所述开孔内，并与所述开孔内的所述第一金属层表面接触。
6.根据权利要求2所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述在所述基板形成平坦化层的步骤之前，所述方法还包括：
采用涂布、曝光、显影和刻蚀的方式依次在所述基板形成栅极层和栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置于所述栅极层和所述平坦化层之间。
7.根据权利要求6所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述在所述基板形成平坦化层的步骤之前，所述方法还包括：
采用涂布、曝光、显影和刻蚀的方式在所述栅极绝缘层形成第二金属层，所述第二金属层设置于所述栅极绝缘层和所述平坦化层之间，且所述第二金属层的还原性大于所述第一金属层的还原性。
8.根据权利要求1-7任一项所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述第一金属层为银层。
9.根据权利要求1-7任一项所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述第一预设温度的数值范围为250℃-350℃；所述第二预设温度的数值范围为450℃-550℃。
10.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一基板；
在所述基板形成平坦化层；
在所述平坦化层形成第一透明导电层，所述平坦化层设置于所述基板和所述第一透明导电层之间；
采用涂布、曝光、显影的方式在所述第一透明导电层形成具有开孔的像素定义层，所述第一透明导电层设置于所述像素定义层和所述平坦化层之间；
在第一预设温度采用真空蒸镀的方式通过第一预设掩膜版在所述开孔内形成银层，且所述银层与所述第一透明导电层表面接触；
在第二预设温度采用真空蒸镀的方式通过第二预设掩膜版在所述开孔形成第二透明导电层，且所述第二透明导电层与所述银层表面接触，所述银层设置于所述第一透明导电层和所述第二透明导电层之间。
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