JP4063735B2 - 積層型光電変換装置を含む薄膜光電変換モジュール - Google Patents
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Description
このようなリーク電流の問題は、図21に示す本出願人による特許文献1に記載された新たに第3の分離溝を設けた構造を採用することにより解決され得るものと考えられる。特許文献1において、集積型薄膜光電変換モジュール101には、上記薄膜を分割する第1〜第3の分離溝121,122,124と接続溝123とが設けられている。
ところで、積層型光電変換装置の半導体層の材料に非晶質酸化シリコンを使う例が特許文献2に開示されている。この例では、ガラス基板上に、SnO2などの透明電極、非晶質炭化シリコンの第一p型層、非晶質シリコン第一i型層、非晶質酸化シリコンの第一n型層、非晶質炭化シリコンの第二p型層、非晶質シリコンの第二n型層、非晶質シリコンの第二i型層、非晶質シリコンの第二n型層、Agなどの金属電極を形成した構造を有している。通常は第一n型層に非晶質シリコンまたは微結晶シリコンが用いられるが、特許文献2ではバンドギャプの広い非晶質酸化シリコンを用いることによって、光の吸収ロスを低減できると報告している。その結果、第一n型層を透過して第二i型層に到達する光が増加して、短絡電流密度(Jsc)が増加して積層型光電変換装置の特性が改善すると示している。
ところで、SiH4、CO2、H2を含み、CO2/SiH4の流量比を1.5以下限定してガスを分解することによって、シリコン微結晶相を含む非晶質酸化シリコン膜を作製し非晶質シリコン光電変換装置の窓層に適用する方法が特許文献3に開示されている。特許文献3では、窓層に適用可能な最低限の光導電率10−6S/cmの非晶質酸化シリコンに比べて、同じ光導電率のシリコン微結晶相を含む非晶質酸化シリコンは、吸収係数が小さくなるので、光電変換装置の窓層に適用した場合に光吸収損失が低減されると開示している。しかしながら、窓層以外に光電変換装置への適用例は何ら開示されてなく、積層型光電変換装置の中間反射層に適用する手法については何ら開示されていない。また、シリコン微結晶相を含む非晶質酸化シリコンの屈折率については何ら開示されていない。後述する本発明の重要な効果であるシリコン微結晶相を含む非晶質酸化シリコン膜とシリコン膜の屈折率の差を利用して中間反射層としての応用する基本概念、および構成に関して特許文献3では何ら開示されていない。
比較例1として、図11に示すような積層型光電変換装置を作製した。厚み1.1mm、127mm角のガラス基板1上に、透明電極層2として厚さ800nmのピラミッド状SnO2膜を熱CVD法にて形成した。得られた透明電極層2のシート抵抗は約9Ω/□であった。またC光源で測定したヘイズ率は12%であり、凹凸深さdは約100nmであった。この透明電極層2の上に、プラズマCVDを用いて、厚さ15nmのp型非晶質炭化シリコン層31、厚さ0.3μmのi型非晶質シリコン層32、及び厚さ30nmのn型微結晶シリコン層33からなる前方光電変換ユニット3を形成し、続けて厚さ15nmのp型微結晶シリコン層51、厚さ2.5μmのi型結晶質シリコン層52、及び厚さ15nmのn型微結晶シリコン層53からなる後方光電変換ユニット5を順次形成した。その後、裏面電極層6として厚さ90nmのAlドープされたZnOと厚さ300nmのAgをスパッタ法にて順次形成した。
比較例2として、図12に示すような積層型光電変換装置を作製した。これは、比較例1のn型微結晶シリコン層33を、厚さ30nmのn型の非晶質酸化シリコン39で置き換えた構造になっている。これは、後方光電変換ユニットが結晶質光電変換ユニットになっていることを除き、先行例2に類似した構造になっている。n型の非晶質酸化シリコン39製膜時のガスの流量はSiH 4 /CO 2 /PH 3 /H 2 =5/2.5/0.1/100sccmである。電源周波数は13.56MHz、パワー密度20mW/cm 2 、圧力100Pa、基板温度200℃で製膜した。このとき非晶質酸化シリコン39は、膜中酸素濃度が18原子%、600nmの光に対する屈折率は3.0、ラマン散乱で測定した非晶質シリコン成分のTOモードピークに対する結晶シリコン成分のTOモードピークのピーク強度比は0で結晶相がなく、暗導電率は1.2X10-6S/cmであった。それ以外は、比較例1と同様の作製方法で形成した。
実施例1として、図6に示すような積層型光電変換装置を作製した。比較例1と異なるのは、前方光電変換ユニット3と後方光電変換ユニット5の間に、厚さ30nmのn型シリコン複合層4を設けたことである。それ以外は、比較例1と同様に作製した。
実施例2として、図13に示すような積層型光電変換装置を作製した。実施例1と異なるのは、前方光電変換ユニット3のn型層に、厚さ30nmのn型シリコン複合層4を用いて、中間反射層とn型層を兼用したことである。それ以外は、実施例1と同様の作製方法であり、またシリコン複合層4の膜特性も同じものを用いた。
実施例3として、図14に示すような積層型光電変換装置を作製した。実施例1と異なるのは、前方光電変換ユニット3のn型層が、第一n型層である厚さ30nmのn型シリコン複合層34と、第二n型層である厚さ5nmのn型微結晶シリコン層35を積層して形成したことである。それ以外は、実施例1と同様の作製方法であり、また、シリコン複合層の膜特性も同じものを用いた。
実施例4として、図15に示すような積層型光電変換装置を作製した。実施例1と異なるのは、前方光電変換ユニット3のn型層が、第一n型層である厚さ10nmのn型微結晶シリコン層36と、第二n型層である厚さ60nmのn型シリコン複合層37と、第三n型層である厚さ5nmのn型微結晶シリコン層38を積層して形成したことである。それ以外は、実施例1と同様の作製方法であり、また、シリコン複合層の膜特性も同じものを用いた。
図16に、本発明の実施例5として、実施例2の構造の積層型光電変換装置において、シリコン複合層の屈折率を変化させた場合の分光感度電流の相対値を示す。シリコン複合層は、CO 2 /SiH 4 の比を1〜15で変化させた以外は、実施例1と同様に作製した。図16の横軸は波長600nmの光に対するシリコン複合層の屈折率、縦軸はシリコン複合層がない比較例1の構造の積層型太陽電池の分光感度電流に対する相対値である。前方光電変換ユニットの分光感度電流は、屈折率の減少にともなって増加し、屈折率が約1.8より小さくなると減少する。屈折率の減少とともに、前方光電変換ユニット側に反射される光が増加して分光感度電流が増加するが、屈折率が約1.8より小さくなるとシリコン複合層の暗導電率の減少によって、シリコン複合層の抵抗および界面の接触抵抗の増加の影響が無視できなくなって電流が減少すると考えられる。
図17に、本発明の実施例6の3段の積層型光電変換装置を示す。図17の光電変換装置はガラス基板1側から2段目の光電変換ユニット5aまでは、i型層の膜厚が異なる以外は、図6の実施例1のガラス基板1から後方光電変換ユニット5までと同じ方法で作製された。1段目の光電変換ユニットのi型層である非晶質シリコンの厚さは100nm、2段目の光電変換ユニットのi型層である結晶質シリコンの厚さは1.2μmである。2段目の光電変換ユニット5aの上に、厚さ30nmの第二のシリコン複合層7、厚さ15nmのp型微結晶シリコン層81、厚さ2.0μmのi型結晶質シリコン層82、及び厚さ15nmのn型微結晶シリコン層83からなる3段目の光電変換ユニット8を順次作製した。その後、裏面電極6として厚さ90nmのAlドープされたZnOと厚さ300nmのAgをスパッタ法にて順次形成した。第一のシリコン複合層4aおよび第二のシリコン複合層7は、実施例1のシリコン複合層4と同じ膜特性のものを用いた。
図18に、本発明の実施例7の集積型薄膜光電変換モジュールを示す。図18の構造は、リーク電流の問題が発生した図20のZnOの中間反射層105を、シリコン複合層107に代えた以外は、図20と同じ構造をしている。各層の膜厚、作製方法は実施例1と同様に作製した。モジュールの大きさは910mmX455mmであり、パターニングによって分割することにより、光電変換セルを100段直列接続した。シリコン複合層107は、実施例1のシリコン複合層4と同じ膜特性のものを用いた。
2 透明電極層
3 前方光電変換ユニット
3a 第一光電変換ユニット
31 p型非晶質炭化シリコン層
32 i型非晶質シリコン層
33 n型微結晶シリコン層
34 第一n型層であるn型の、シリコン結晶相を含む非晶質酸化シリコン合金層
35 第二n型層であるn型微結晶シリコン層
36 第一n型層であるn型微結晶シリコン層
37 第二n型層であるn型の、シリコン結晶相を含む非晶質酸化シリコン合金層
38 第三n型層であるn型微結晶シリコン層
39 n型非晶質酸化シリコン層
4 n型の、シリコン結晶相を含む非晶質酸化シリコン合金層
5 後方光電変換ユニット
5a 第二光電変換ユニット
51 p型微結晶シリコン層
52 i型結晶質シリコン層
53 n型微結晶シリコン層
6 裏面電極層
7 第二の、n型の、シリコン結晶相を含む非晶質酸化シリコン合金層
8 第三光電変換ユニット
81 p型微結晶シリコン層
82 i型結晶質シリコン層
83 n型微結晶シリコン層
101 集積型薄膜光電変換モジュール
102 ガラス基板
103 透明電極層
104a 前方光電変換ユニット
104b 後方光電変換ユニット
105 ZnOの中間反射層
106 裏面電極層
107 一導電型の、シリコン結晶相を含む非晶質酸化シリコン合金層
121 第一の分離溝
122 第二の分離溝
123 接続溝
124 第三の分離溝
Claims (5)
- 透明基板と前記透明基板の一方の主面上に並置され且つ互いに直列接続された複数の積層型光電変換セルとを具備し、前記複数の積層型光電変換セルの各々は、前記透明基板の一方の主面上に順次積層された透明電極層、pin接合の第一の光電変換ユニットと、一導電型のシリコン複合層と、pin接合の第二の光電変換ユニットとを含む光電変換半導体層、及び裏面電極層で構成され、前記複数の積層型光電変換セルのそれぞれの隣り合う2つの間で、前記透明電極層は第1の分離溝によって分割され、この第1の分離溝は前記光電変換半導体層を構成する材料で埋め込まれ、前記第1の分離溝から離れた位置に、前記裏面電極層の上面に開口を有し且つ底面が前記透明電極層と前記光電変換半導体層との界面で構成された第2の分離溝が設けられ、前記第1の分離溝と前記第2の分離溝との間に、前記光電変換半導体層と前記裏面電極層との界面に開口を有し且つ底面が前記透明電極層と前記光電変換半導体層との界面で構成された接続溝が設けられ、この接続溝は前記裏面電極層を構成する材料で埋め込まれることによって前記隣り合う2つの積層型光電変換セルの一方の裏面電極層と他方の透明電極層とを電気的に接続する薄膜光電変換モジュールであって、前記シリコン複合層は、シリコンと酸素の非晶質合金母相中に分散したシリコン結晶相を含み、40原子%以上60原子%以下の膜中酸素濃度を含んでいて600nmの波長の光に対して1.7以上2.1以下の屈折率を有するとともに、20nmより大きく130nmより小さい厚さを有することを特徴とする薄膜光電変換モジュール。
- 透明基板と前記透明基板の一方の主面上に並置され且つ互いに直列接続された複数の積層型光電変換セルとを具備し、前記複数の積層型光電変換セルの各々は、前記透明基板の一方の主面上に順次積層された透明電極層、pin接合の第一の光電変換ユニットと、pin接合の第二の光電変換ユニットとを含む光電変換半導体層、及び裏面電極層で構成され、前記複数の積層型光電変換セルのそれぞれの隣り合う2つの間で、前記透明電極層は第1の分離溝によって分割され、この第1の分離溝は前記光電変換半導体層を構成する材料で埋め込まれ、前記第1の分離溝から離れた位置に、前記裏面電極層の上面に開口を有し且つ底面が前記透明電極層と前記光電変換半導体層との界面で構成された第2の分離溝が設けられ、前記第1の分離溝と前記第2の分離溝との間に、前記光電変換半導体層と前記裏面電極層との界面に開口を有し且つ底面が前記透明電極層と前記光電変換半導体層との界面で構成された接続溝が設けられ、この接続溝は前記裏面電極層を構成する材料で埋め込まれることによって前記隣り合う2つの積層型光電変換セルの一方の裏面電極層と他方の透明電極層とを電気的に接続する薄膜光電変換モジュールであって、前記第一の光電変換ユニットのi型層の光入射側から遠い側にn型層を備え、前記n型層の少なくとも一部がn型のシリコン複合層であって、前記シリコン複合層はシリコンと酸素の非晶質合金母相中に分散したシリコン結晶相を含み、40原子%以上60原子%以下の膜中酸素濃度を含んでいて600nmの波長の光に対して1.7以上2.1以下の屈折率を有するとともに、20nmより大きく130nmより小さい厚さを有することを特徴とする薄膜光電変換モジュール。
- 前記シリコン複合層の暗導電率が、10-8S/cm以上10-1S/cm以下であることを特徴とする請求項1ないし2のいずれかに記載の薄膜光電変換モジュール。
- 前記シリコン複合層において、ラマン散乱で測定した前記非晶質に由来するピークに対する結晶シリコン成分のTOモードピークのピーク強度比が0.5以上10以下であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の薄膜光電変換モジュール。
- 前記透明基板を通して入射した光の反射スペクトルが、波長500nmから800nmの範囲に反射率の極大値と極小値をそれぞれ少なくとも一つ以上持ち、前記極大値と前記極小値の反射率の差が1%以上あることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の薄膜光電変換モジュール。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003279493A JP4063735B2 (ja) | 2003-07-24 | 2003-07-24 | 積層型光電変換装置を含む薄膜光電変換モジュール |
KR1020057007418A KR101008274B1 (ko) | 2003-07-24 | 2004-07-15 | 적층형 광전 변환 장치 |
EP04747581A EP1650811B1 (en) | 2003-07-24 | 2004-07-15 | Stacked photoelectric converter |
CNB2004800014136A CN100420039C (zh) | 2003-07-24 | 2004-07-15 | 层积型光电变换装置 |
PCT/JP2004/010115 WO2005011001A1 (ja) | 2003-07-24 | 2004-07-15 | 積層型光電変換装置 |
DK04747581.9T DK1650811T3 (da) | 2003-07-24 | 2004-07-15 | Stakket fotoelektrisk converter |
ES04747581T ES2405597T3 (es) | 2003-07-24 | 2004-07-15 | Convertidor fotoeléctrico apilado |
US10/530,283 US7550665B2 (en) | 2003-07-24 | 2004-07-15 | Stacked photoelectric converter |
AU2004259485A AU2004259485B2 (en) | 2003-07-24 | 2004-07-15 | Stacked photoelectric converter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003279493A JP4063735B2 (ja) | 2003-07-24 | 2003-07-24 | 積層型光電変換装置を含む薄膜光電変換モジュール |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007288613A Division JP2008060605A (ja) | 2007-11-06 | 2007-11-06 | 積層型光電変換装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005045129A JP2005045129A (ja) | 2005-02-17 |
JP4063735B2 true JP4063735B2 (ja) | 2008-03-19 |
Family
ID=34265579
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003279493A Expired - Fee Related JP4063735B2 (ja) | 2003-07-24 | 2003-07-24 | 積層型光電変換装置を含む薄膜光電変換モジュール |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4063735B2 (ja) |
CN (1) | CN100420039C (ja) |
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-
2003
- 2003-07-24 JP JP2003279493A patent/JP4063735B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-07-15 CN CNB2004800014136A patent/CN100420039C/zh not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN1706050A (zh) | 2005-12-07 |
CN100420039C (zh) | 2008-09-17 |
JP2005045129A (ja) | 2005-02-17 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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