JP3962837B2

JP3962837B2 - フッ素化スルホン酸ホスホニウム含有帯電防止樹脂組成物

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Publication number: JP3962837B2
Application number: JP20572698A
Authority: JP
Inventors: ジョハニス・ジェラーダス・ヘンリクス・ウィレムズ; シーオドラス・ランバータス・ホウクス
Original assignee: General Electric Co
Current assignee: General Electric Co
Priority date: 1997-07-23
Filing date: 1998-07-22
Publication date: 2007-08-22
Anticipated expiration: 2018-07-22
Also published as: US6194497B1; ES2218771T3; AU750137B2; EP0897950B1; DE69822940T2; EP0897950A3; EP0897950A2; BR9802551A; CN1208748A; DE69822940D1; JPH11124465A; AU7730098A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は帯電防止樹脂組成物に関するものであり、より具体的には熱可塑性ポリマーと多置換ホスホニウム化合物のハロゲン化炭素スルホン酸塩とを含んでなる透明熱可塑性樹脂組成物並びに多置換ホスホニウム化合物のハロゲン化炭素スルホン酸塩に関する。
【０００２】
【従来の技術】
多くのポリマー又はポリマーブレンドは比較的非導電性である。そのため、そのままではポリマーの加工処理時及び使用時に静電荷が蓄積される結果となりかねない。帯電ポリマー成形品は微粉末たる塵を引きつけ、滑らかな表面状態を害しかねない。成形品の表面に引きつけられた粒子は成形品の透明度を低下させてしまうこともある。さらに、静電荷はポリマーの製造プロセスに重大な支障をきたしかねない。過去には合成高分子材料の帯電を低減するための様々な試みとして炭素及び金属粒子のような導電剤又は界面活性剤が、内部に練込んだり或いはそれらを材料に塗布することで使われてきた。導電剤を用いるこれらの方法は、導電剤の通常の使用量が多量であること、それらの材料への添加が難しいこと、透明な製品を得ることや機械的及び流動学的性質をもつ場合にそうした性質を保持するのが困難であること、並びにかかる導電剤のコストが高いことなど多くの理由のために一般には実施可能でない。そのため、これらの導電剤は幾つかの限られた状況下でしか使用できない。
【０００３】
帯電防止剤はポリマーの帯電傾向を低減させるためにポリマーに添加される物質であり、電荷が存在するときにはこれらの帯電防止剤は電荷の消散を促す。帯電防止剤は通常は親水性又はイオン性のものである。高分子材料の表面に存在するときには、それらは電子の移動を促し、それにより静電荷の蓄積をなくす。帯電防止剤は２通りの方法で使用される。一つは外部帯電防止剤を用いるもので、かかる外部帯電防止剤は高分子材料の表面に噴霧するか或いは高分子材料の浸漬によって塗布される。二番目の方法は内部帯電防止剤を用いるもので、これらは加工処理前のポリマーに添加される。このようにして使用される帯電防止剤は、熱的に安定であるとともに加工処理時に表面に移動する能力をもつことが必要とされる。
【０００４】
界面活性剤を主成分とする帯電防止剤は多数存在するので、その中から状況に応じて適当なものを選択し得る。実際、数多くの内部添加されるタイプが研究され試験されてきた。ただし、内部添加型帯電防止剤として使用する場合、アニオン界面活性剤は相溶性及び均一分散性に劣り、加熱時に分解もしくは劣化する傾向があるので、取扱いが難しい。他方、両性界面活性剤及び分子内に第四窒素を有するカチオン界面活性剤は、帯電防止性は良好であるが、耐熱性が著しく乏しいため限られた状況下でしか使用できない。非イオン性界面活性剤について述べると、それらは合成高分子材料との相溶性に関しては上述のイオン性界面活性剤に比べ相対的に優れているが、帯電防止性に弱い傾向があり、それらの効果は常温及び高温で時間経過とともに消失する。さらに、こうした非イオン性界面活性剤型の帯電防止剤は熱安定性が限られているため、それらを芳香族ポリカーボネートのようなエンジニアリングプラスチック樹脂と共に使用するのは該樹脂の加工処理温度によって制限される。そこで、これらのタイプの界面活性剤は芳香族ポリカーボネートの光学的性質に悪影響を及ぼす。有機スルホン酸の金属塩に関しても、特に高温で成形されるポリカーボネート及びポリエステル樹脂用の内部添加型帯電防止剤として報告されているが、これらは樹脂との相溶性或いは耐熱性が十分でない。相溶性が不十分なときの不都合な結果の一つは、ポリカーボネートのようなある種の高分子材料の透明性がかかる帯電防止剤の使用によって失われることである。ハロゲン置換基を有する有機スルホン酸のホスホニウム塩を難燃剤として使用することも報告されていたが（米国特許第４０９３５８９号）、これらは帯電防止剤としても役立つと期待されるであろう。
【０００５】
別の特許にはポリカーボネート樹脂上の静電荷を低減することが開示されている。すなわち米国特許第４９４３３８０号には、９０〜９９．９重量％のポリカーボネートと０．１〜１０重量％の次の一般式の耐熱性スルホン酸ホスホニウムを含有する帯電防止組成物が開示されている。
【０００６】
【化４】
【０００７】
式中、Ｒは炭素原子数１〜１８の直鎖又は枝分れ鎖アルキル基であり、Ｒ₁、Ｒ₂及びＲ₃は同一であって各々炭素原子数１〜１８の脂肪族炭化水素基又は芳香族炭化水素基であり、Ｒ₄は炭素原子数１〜１８の炭化水素基である。分子内に第四窒素を含んだ対応カチオン界面活性剤は帯電防止特性には優れているものの（米国特許第５４６８９７３号）、耐熱性が著しく劣るため限られた状況下でしか使えない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、本発明の目的は、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、ポリエステル、ポリフェニレンエーテル／ポリスチレンブレンド、ポリアミド、ポリケトン、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン（ＡＢＳ）又はこれらのブレンド又はこれらと他の物質もしくはポリマーとのブレンドのようなポリマーと耐熱性の帯電防止剤とを含んでなる帯電防止樹脂組成物であって、該帯電防止剤の使用により上述した従来の帯電防止剤の問題を解決できる樹脂組成物を提供することである。
【０００９】
本発明のもう一つの目的は、好ましくは成形状態で透明性を有する合成樹脂に対して、成形品の透明度及び機械的性質に悪影響を与えることなく、内部添加できる新規帯電防止剤を提供することである。ただし、帯電防止についての必要条件は着色又は半透明熱可塑性ポリマー成形品にも適用できるので、本発明は透明な熱可塑性樹脂だけに限定されるものではない。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
簡潔に述べると、本発明によれば、ポリマーと添加剤の合計重量を基準にして、約０．０５〜１０重量％、好ましくは約０．２〜１．５重量％、さらに好ましくは約０．５〜１．５重量％の比較的少量のある種の耐熱性中鎖及び短鎖ハロゲン化炭素スルホン酸の置換ホスホニウム塩が、約９０〜９９．９５重量％、好ましくは約９８．５〜９９．８重量％、さらに好ましくは約９８．５〜９９．５重量％のポリカーボネート、ポリエーテルイミド、ポリエステル、ポリフェニレンエーテル／ポリスチレンブレンド、ポリアミド、ポリケトン、ＡＢＳ又はこれらのポリマー樹脂ブレンドにおける内部帯電防止剤として使用できることを発見した。一般に、上記の中鎖及び短鎖スルホン酸の置換ホスホニウム塩は次の一般式を有する。
【００１１】
【化５】
【００１２】
式中、Ｘは少なくとも１つのＸがハロゲンであることを条件にしてハロゲン又は水素から独立に選択されるものであり、ｎ、ｍ及びｐは０〜１２の整数であり、Ｙは無いか或いは原子環の炭素以外の複素環原子或いは窒素、酸素、イオウ、セレン、リン、ヒ素のいずれかであり、Ｒ₁、Ｒ₂及びＲ₃は同一であって各々炭素原子数１〜８の脂肪族炭化水素基又は炭素原子数６〜１２の芳香族炭化水素基であり、Ｒ₄は炭素原子数１〜１８の炭化水素基である。ハロゲンは臭素、塩素、フッ素及びヨウ素から独立に選択し得る。ハロゲンは好ましくはフッ素である。
【００１３】
【発明の実施の形態】
上記のスルホン酸ホスホニウムは好ましくはフッ素化スルホン酸ホスホニウムであって、フルオロカーボン含有有機スルホン酸アニオンと有機ホスホニウムカチオンとからなる。かかる有機スルホン酸アニオンの具体例には、ペルフルオロメタンスルホネート、ペルフルオロブタンスルホネート、ペルフルオロヘキサンスルホネート、ペルフルオロヘプタンスルホネート及びペルフルオロオクタンスルホネートがある。上述のホスホニウムカチオンの具体例には、テトラメチルホスホニウム、テトラエチルホスホニウム、テトラブチルホスホニウム、トリエチルメチルホスホニウム、トリブチルメチルホスホニウム、トリブチルエチルホスホニウム、トリオクチルメチルホスホニウム、トリメチルブチルホスホニウム、トリメチルオクチルホスホニウム、トリメチルラウリルホスホニウム、トリメチルステアリルホスホニウム、トリエチルオクチルホスホニウムのような脂肪族ホスホニウム、並びにテトラフェニルホスホニウム、トリフェニルメチルホスホニウム、トリフェニルベンジルホスホニウム、トリブチルベンジルホスホニウムのような芳香族ホスホニウムがある。
【００１４】
本発明のフッ素化スルホン酸ホスホニウムはこれらの有機スルホン酸アニオンと有機カチオンとのどんな組合せからも得ることができるが、本発明は上記具体例に限定されない。フッ素化スルホン酸ホスホニウムは相当するスルホン酸と水酸化第四ホスホニウムを混合溶媒中で混合し、次いで混合溶媒を蒸発させることによって非常に純粋な状態で製造することができる。例えば、ペルフルオロブタンスルホン酸テトラブチルホスホニウムは、ペルフルオロブタンスルホン酸９８．６ｇ、４０重量％水酸化テトラブチルホスホニウム溶液２００ｍｌ及び混合溶媒５００ｍｌをフラスコに入れ、得られた混合物を室温で１時間撹拌し、油状層として分離するスルホン酸ホスホニウムを単離し、１００ｍｌの水で洗浄し、真空ポンプで溶媒を蒸発させることによって、約９５％の収率で製造することができる。
【００１５】
前述の通り、本発明で用いられる好ましいスルホン酸ホスホニウムは次の一般式のフッ素化スルホン酸ホスホニウムである。
【００１６】
【化６】
【００１７】
式中、Ｆはフッ素であり、ｎは１〜１２の整数であり、Ｓはイオウであり、Ｒ₁、Ｒ₂及びＲ₃は同一であって各々炭素原子数１〜８の脂肪族炭化水素基又は炭素原子数６〜１２の芳香族炭化水素基であり、Ｒ₄は炭素原子数１〜１８の炭化水素基である。式（３）で示されるフッ素化スルホン酸ホスホニウムを主要成分として含んでなる帯電防止組成物は、その帯電防止性、相溶性及び耐熱性を様々な手法で利用してポリカーボネート、ポリエーテルイミド、ポリエステル、ポリフェニレンエーテル／ポリスチレンブレンド、ポリアミド、ポリケトン、ＡＢＳ又はこれらのポリマーのブレンドに帯電防止性を賦与できる。本発明のフルオロカーボンスルホン酸ホスホニウム塩は低融点の半固形材料であり、そのまま溶融液として取り扱うことができる。本発明の幾つかの実施形態では、室温（１５〜２５℃）で固体結晶質材料であり、秤量、取扱い、並びにポリカーボネート、ポリエーテルイミド、ポリエステル、ポリフェニレンエーテル／ポリスチレンブレンド、ポリアミド、ポリケトン、ＡＢＳ又はこれらのポリマーのブレンドへの添加が容易である。
【００１８】
本発明を実施するための最も一般的な方法は、ポリマーの製造又は加工時に帯電防止剤を直接添加して混合することである。これは押出、射出成形、圧縮成形又は注型を始めとする慣用手段によって加工処理できる。ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、ポリエステル、ポリフェニレンエーテル／ポリスチレンブレンド、ポリアミド、ポリケトン、ＡＢＳ又はこれらのポリマーのブレンドに添加されるフルオロカーボンスルホン酸ホスホニウムの量は静電荷を低減もしくは消失させるのに有効な量であり、広い範囲で変えることができる。フルオロカーボンスルホン酸置換ホスホニウム帯電防止剤の樹脂への添加量が少なすぎると、その樹脂から作った製品に帯電傾向が依然としてみられるであろう。帯電防止剤の添加量が多くなりすぎると、その添加分だけ不経済であり、あるレベルを超えると樹脂の他の性質に悪影響を及ぼすようになりかねない。例えば、透明ポリカーボネート等級においてかかる内部添加法で好ましい結果を得るには、本発明の帯電防止剤を成形用組成物に関して０．１〜１．５重量％の割合で加えるのが好ましく、０．４〜０．８重量％の割合で加えるのがさらに一段と好ましい。本発明の帯電防止剤は従来のアルキルスルホン酸ホスホニウムのようなイオン性界面活性剤よりもさらに耐熱性に優れ、添加量をより少なくすることができ、樹脂組成物は優れた透明度及び機械的性質をもつ。
【００１９】
【実施例】
本発明を以下の実施例によりさらに説明する。ただし、これらの実施例は本発明を何ら限定するものではない。実施例における百分率に関する記載は重量％である。
試料の帯電防止挙動を分析するために以下の２通りの試験法を用いた。それらは吸塵試験、静電荷測定及び静電荷測定による表面抵抗率である。
【００２０】
吸塵試験
透明ポリカーボネート製品において吸塵を発現させた。この試験法では、その場で調製したＮＨ₄Ｃｌダストによって飽和したデシケーター内に何枚かの色板を入れる。この吸塵室はサンプルを入れる前に１時間平衡化しておく。１時間後にサンプルを取り出し、映写ランプを光源として用いて色板の映像を参照材料と一緒に造る。これらの板の外観を帯電防止剤を全く含まないポリカーボネート参照板と視覚的に対比する。
【００２１】
表面抵抗率
表面抵抗率の測定は、室温での表面抵抗率の値が１０¹⁷〜１０¹⁸Ωの範囲にあり、そのような範囲では正確な結果を得るのが難しいので、５５℃にて行った。温度５５℃での表面抵抗率の値は１０¹³〜１０¹⁴Ωの範囲にある。
これらの試験に加えて、以下の試験も行った。
黄色度指数（ＹＩ） − ＡＳＴＭ１９２５−６３Ｔにしたがって測定。
透明度 − ＡＳＴＭＤ−１００３にしたがって測定。
ヘーズ − ＡＳＴＭ１９２５−６３Ｔ及びＡＳＴＭＤ−１００３にしたがって測定。
メルトボリュームレート（ＭＶＲ） − ＡＳＴＭＤ−１２３８にしたがって測定。
【００２２】
実施例１
この実施例では、本発明のフッ素化スルホン酸ホスホニウムの製造について例示する。
ペルフルオロブチルスルホン酸カリウムを出発原料として使用した。最初にイオン交換カラム（Ｒｏｈｍ＆Ｈａａｓ社製、Ａｍｂｅｒｊｅｔ１２００Ｈ）を用いてカリウム（Ｋ⁺イオン）をＨ⁺イオンと交換した。この方法で用いた第二段階はフルオロカーボン末端スルホン酸と水酸化テトラブチルホスホニウムとを用いての酸塩基反応であり、高収率及び高純度でフッ素化スルホン酸ホスホニウムを生じた。この反応は次の通りである。
【００２３】
【化７】
【００２４】
実施例２
この実施例では、本発明のフッ素化スルホン酸ホスホニウムの製造を例示する。
ノナフルオロエトキシエチルスルホン酸カリウムを出発原料として使用した。最初にイオン交換カラム（Ｒｏｈｍ＆Ｈａａｓ社製、Ａｍｂｅｒｊｅｔ１２００Ｈ）を用いてカリウム（Ｋ⁺イオン）をＨ⁺イオンと交換した。この方法で用いた第二段階はフルオロカーボン末端スルホン酸と水酸化テトラブチルホスホニウムとを用いての酸塩基反応であり、高収率及び高純度でフッ素化スルホン酸ホスホニウムを生じた。
【００２５】
得られた化合物は次式を有していた。
【００２６】
【化８】
【００２７】
実施例３
この実施例では、本発明のフッ素化スルホン酸ホスホニウムの製造を例示する。
様々なフルオロカーボン含有スルホン酸とフルオロカーボン含有スルホン酸アンモニウムの混合物であるＺｏｎｙｌ−ＴＢＳ（ＤｕＰｏｎｔ社製）を出発原料として用いた。最初にイオン交換カラム（Ｒｏｈｍ＆Ｈａａｓ社製、Ａｍｂｅｒｊｅｔ１２００Ｈ）を用いてアンモニウム（ＮＨ₄ ⁺）をＨ⁺イオンと交換した。この方法で用いた第二段階はフルオロカーボン末端スルホン酸と水酸化テトラブチルホスホニウムとを用いての酸塩基反応であった。得られた化合物混合物は以下の諸成分からなるものであった（ｙは１〜９の整数）。
【００２８】
【化９】
【００２９】
実施例４
実施例１のフッ素化スルホン酸ホスホニウムの帯電防止性を求めた。まず、帯電防止剤を２０℃の塩化メチレン中で測定した固有粘度約０．４６ｄｌ／ｇ（デシリットル／グラム）の透明芳香族ポリカーボネート樹脂と二軸押出機で約２８５℃の温度にて溶融混練し、ダイオリフィスを通して押出してストランドとし、水中急冷した後ペレット化した。ペレットは約１２５℃で約２時間乾燥した。単軸射出成形機を用いて上記乾燥ペレットを射出成形温度約２８５℃にて約１０ｃｍ四方の約２．５ｍｍ厚の板に射出成形した。明らかに、射出成形バレルの全体にわたる温度プロフィールは約２８５℃という極限まで変化した。この実施例では、バレル温度は約２０℃から約２８５℃まで変化した。表１に示す各組成物は上記に述べた同一条件下で製造したもので、各組成物中に存在する帯電防止剤の濃度に応じてポリカーボネート濃度が変わる。各組成物は同量の離型剤、ＵＶ吸収剤、安定剤、酸化防止剤及び染料を含んでおり、それらの合計量は使用したポリカーボネートの約０．８重量％であった。得られた結果は次の通りである。
【００３０】
【表１】
【００３１】
上記の結果は、表面抵抗率及び透明度の結果が示す通り、本発明の組成物の優れた帯電防止性を明瞭に示しており、透明性や色には影響がなかった。
実施例５
実施例４の組成物を、実施例４の成形温度＋２０℃及び実施例４の２０秒という標準冷却時間に対して１２０秒の冷却時間という一段と過酷な成形条件下で成形した。得られた結果は次の通りである。
【００３２】
【表２】
【００３３】
過酷な条件（実施例４の成形温度＋２０℃及び実施例４の２０秒という標準冷却時間に対して１２０秒の冷却時間）を用いた各濃度の同一試料の射出成形の結果が表２に開示されている。表１と表２の結果を対比すると、過酷な成形条件を用いた場合、帯電防止ポリカーボネートの得られる帯電防止剤濃度は０．５％を若干上回る添加量まで減少する。これは、さらに高い加工処理温度で本発明の帯電防止剤の表面移行能力が改善されることを示している。このことは、過酷な温度（＋２０℃）において標準サイクル時間（ｔ＝２０秒）で成形した物品でも確認された。帯電防止剤濃度を０．６％としてサイクル時間２０秒で標準成形及び過酷成形条件で成形したサンプルでは、表面抵抗率が１．７４（表１）から０．３３（表２）に低下した。これらの結果は、表面抵抗率に対する成形条件の影響、並びに帯電防止剤の表面移行能力が温度及びサイクル時間に依存することを明瞭に示している。
【００３４】
例６
使用した帯電防止剤が竹本油脂株式会社から入手した先行技術のスルホン酸ホスホニウムであるＥＰＡ−２０２であることを除いて、実施例４を繰り返した。ＥＰＡ−２０２の組成物は次の式を有しており、米国特許第４９４３３８０号に記載された帯電防止組成物である。
【００３５】
【化１０】
【００３６】
結果を次に示す。
【００３７】
【表３】
【００３８】
本発明の帯電防止剤（実施例１のノナフルオロ−１−ブタンスルホン酸テトラブチルホスホニウム）が先行技術のスルホン酸ホスホニウムＥＰＡ−２０２よりも格段に低い濃度においてそれより優れた帯電防止性を有することが分かる。表面抵抗率が低いほど添加剤の帯電防止性は優れている。先行技術の添加剤の濃度が２．０％のときの抵抗率は、本発明の帯電防止剤の濃度がほんの０．８％のときに等しい。また、ＥＰＡ−２０２が粘稠な黄色オイルで黄色度指数を増大させるのに対して、実施例１の帯電防止は白色固体であって、粘稠オイルよりも粉末の優れた分散体が得られる。
【００３９】
さらに、ＭＶＲで測定した通り、本発明の組成物のメルトフローは基本的に影響されない。１．５％という濃度（表１）であっても、ＭＶＲは添加剤を全く含まない組成物の値を僅かに上回るにすぎない。表３の先行技術の帯電防止剤では濃度が１．５％のときＭＶＲは添加剤なしの場合のほぼ２倍である。これは先行技術の添加剤が可塑剤として作用していることを実証しており、機械的性質に（とりわけ芳香族ポリカーボネート樹脂において）重大な悪影響をもつ。
【００４０】
実施例７
２０℃の塩化メチレン中で測定した固有粘度が約０．４２ｄｌ／ｇ（デシリットル／グラム）の高流動性芳香族ポリカーボネート樹脂を、実施例４と同一の条件下で溶融混練し、射出成形した。ただし、この実施例で成形したのはコンパクトディスク（ＣＤ）ブランクであった。
【００４１】
上記の通り組成物中に存在する帯電防止剤の濃度に応じてポリカーボネート含有量を変えて、３種類の組成物及び３組のＣＤ（１組成物当たり１０枚）を製造した。各組成物は同量の離型剤及び安定剤を含んでいた。
サンプルＣＤブランクの透明度、色及び静電荷を調べた。各ＣＤブランクを成形後直ちにＳＩＭＣＯ社製の較正ハンドヘルドフィールドメーターを用いて静電荷を測定した。得られた結果は次の通りである。
【００４２】
【表４】
【００４３】
上記の結果は、非常に高流動性のグレードにおいて、透明度及び色に影響を与えずに卓越した帯電防止性が得られることを明瞭に示している。
０．５％の帯電防止剤を含む組成物は吸塵試験で全く埃を引きつけなかった。０．３％の帯電防止剤を添加した場合、帯電防止剤を全く添加しなかった参照試料に比べて多大な改善がみられた。
【００４４】
実施例８
実施例２及び３（式（５）及び（６））のフッ素化スルホン酸ホスホニウムの帯電防止性を次のようにして測定した。まず、帯電防止剤を２０℃の塩化メチレン中で測定した固有粘度が約０．４６ｄｌ／ｇ（デシリットル／グラム）の透明芳香族ポリカーボネート樹脂と二軸押出機で約２８５℃の温度にて溶融混練し、ダイオリフィスを通して押出してストランドとし、水中急冷した後ペレット化した。ペレットは約１２５℃で約２時間乾燥した。単軸射出成形機を用いて上記乾燥ペレットを射出成形温度約２８５℃にて約１０ｃｍ四方の約２．５ｍｍ厚の板に射出成形した。明らかに、射出成形バレルの全体にわたっての温度プロフィールは約２８５℃という極限まで変化した。この実施例では、バレル温度は約２０℃から約２８５℃まで変化した。表５に示す各組成物は上記に述べた同一条件下で製造したもので、各組成物中に存在する帯電防止剤の濃度に応じてポリカーボネート濃度が変わる。各組成物は同量の離型剤、ＵＶ吸収剤、安定剤、酸化防止剤及び染料を含んでおり、それらの合計量は使用したポリカーボネートの約０．８重量％であった。得られた結果は次の通りである。
【００４５】
【表５】
【００４６】
以上の例から明らかな通り、本発明の帯電防止組成物を用いると、例６に記載した先行技術のＥＰＡ−２０２に比べて少ない添加量でも、成形板の表面抵抗率が低いことを明瞭に示している。さらに、ＥＰＡ−２０２では、過酷な成形条件を用いると激しい黄変が起きたのに対して、本発明の新規合成帯電防止組成物ではそうした黄変は観察されなかった。また、ＥＰＡ−２０２がＭＶＲ値の増大にみられるようにポリカーボネートに対する可塑剤とみなされるのに対して、本発明のフッ素化スルホン酸ホスホニウムでは流動性に基本的に何の変化もみられなかった。
【００４７】
本発明において、本願特許請求の範囲に規定する発明の思想及び範囲を逸脱することなく、上記に記載した実施形態に様々な変更を加えることは当業者がなし得るものと理解される。

Claims

次式の帯電防止剤と熱可塑性樹脂とを含む帯電防止熱可塑性樹脂組成物であって、帯電防止剤が熱可塑性樹脂と該帯電防止剤との合計重量を基準にして０．２〜１．５重量％の量で存在する、熱可塑性樹脂組成物。
式中、Ｘは少なくとも１つのＸがハロゲンであることを条件にしてハロゲン及び水素からなる群から独立に選択されるものであり、ｎ、ｍ及びｐは０〜１２の整数であり、Ｙは存在しないか或いは窒素、酸素、イオウ、セレン、リン及びヒ素からなる群から選択されるものであり、Ｒ₁、Ｒ₂及びＲ₃は同一であって炭素原子数１〜８の脂肪族炭化水素基からなる群から選択されるものであり、Ｒ₄は炭素原子数１〜１８の炭化水素基であり、ハロゲンは臭素、塩素、フッ素及びヨウ素からなる群から独立に選択される。
前記帯電防止剤が、熱可塑性樹脂と該帯電防止剤の合計重量を基準にして０．５〜１．５重量％の量で存在する、請求項１記載の組成物。
Ｘがフッ素である、請求項１又は請求項２記載の組成物。
前記帯電防止剤が次式のものである、請求項１又は請求項２記載の組成物。
式中、ｎは０〜１２の整数であり、Ｒ₁、Ｒ₂及びＲ₃は同一であって炭素原子数１〜８の脂肪族炭化水素基からなる群から選択されるものであり、Ｒ₄は炭素原子数１〜１８の炭化水素基である。
Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃及びＲ₄が同一であってメチル、エチル又はブチルである、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の方法。
前記帯電防止剤が以下のいずれかの式のものである、請求項１又は請求項２記載の組成物。
式中、ｙは１〜９の整数である。
前記熱可塑性樹脂が、芳香族ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、ポリエステル、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンエーテル／スチレンポリマーブレンド、ポリアミド、ポリケトン、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン及びこれらのブレンドからなる群から選択される、請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載の組成物。
請求項１乃至請求項７のいずれか１項記載の組成物を成形してなる成形品。
当該成形品が成形コンパクトディスクであり、前記熱可塑性樹脂が芳香族ポリカーボネートである、請求項８記載の成形品。
帯電防止熱可塑性樹脂組成物の製造方法であって、熱可塑性樹脂に、次式の帯電防止剤を、熱可塑性樹脂と該帯電防止剤との合計重量を基準にして０．２〜１．５重量％の量で添加して混合することを含んでなる方法。
式中、Ｘは少なくとも１つのＸがハロゲンであることを条件にしてハロゲン及び水素からなる群から独立に選択されるものであり、ｎ、ｍ及びｐは０〜１２の整数であり、Ｙは存在しないか或いは窒素、酸素、イオウ、セレン、リン及びヒ素からなる群から選択されるものであり、Ｒ₁、Ｒ₂及びＲ₃は同一であって炭素原子数１〜８の脂肪族炭化水素基からなる群から選択されるものであり、Ｒ₄は炭素原子数１〜１８の炭化水素基であり、ハロゲンは臭素、塩素、フッ素及びヨウ素からなる群から独立に選択される。