JPH0381362A - ポリカーボネート系樹脂用の帯電防止剤組成物及びこれを用いた樹脂組成物並びに帯電防止方法 - Google Patents
ポリカーボネート系樹脂用の帯電防止剤組成物及びこれを用いた樹脂組成物並びに帯電防止方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明はポリカーボネート系樹脂用の帯電防止剤組成物
及びこれを用いた樹脂組成物並びに帯電防止方法に関す
る。
及びこれを用いた樹脂組成物並びに帯電防止方法に関す
る。
ポリカーボネート系樹脂は通常、疎水性が大きく、その
結果として帯電し易い特性を有し、かかる特性は該ポリ
カーボネート系樹脂の加工工程やその製品使用上の大き
な障害となっている0本発明はポリカーボネート系樹脂
本来の優れた特性を損なうことなく、これらの障害を取
り除くための帯電防止剤組成物及びこれを用いた樹脂組
成物並びに帯電防止方法に関するものである。
結果として帯電し易い特性を有し、かかる特性は該ポリ
カーボネート系樹脂の加工工程やその製品使用上の大き
な障害となっている0本発明はポリカーボネート系樹脂
本来の優れた特性を損なうことなく、これらの障害を取
り除くための帯電防止剤組成物及びこれを用いた樹脂組
成物並びに帯電防止方法に関するものである。
〈従来の技術、その課題〉
従来、ポリカーボネート系樹脂の帯電を防止するために
該ポリカーボネート系樹脂へ導電剤又は帯電防止剤を練
込む試みがなされている。ところが、カーボンや導電性
金属粉末等の導電剤鷺練込む手段には、その使用量が多
く必要とされるため、結局は導電剤が高価となってしま
い、またポリカーボネート系樹脂が着色してしまうので
、実際のところその使用範囲がかなり限定されてしまう
という課題がある。一方、界面活性剤を主とする帯電防
止剤を練込む手段には、その加工工程の容易さや軽済性
等から、アニオン界面活性剤を練込む例(特開昭56−
24442、特開昭63−230764)、非イオン界
面活性剤を練込む例(特公昭55−4141)、更には
分子内に第四級窒素を有するカチオン及び両性界面活性
剤を練込む例等、種々の提案がある。ところが、アニオ
ン界面活性剤を練込む例には、ポリカーボネート系樹脂
との相溶性が悪いために均一分散が難しく、加熱時に分
解劣化を起こしてポリカーボネート系樹脂が着色してし
まうという課題がある。また非イオン界面活性剤を練込
む例には、帯電防止性が弱く、しかもその効果が経時的
に消失しやすいという課題がある。更に分子内に第四級
窒素を有するカチオン及び両性活性剤を練込む例には、
ポリカーボネート系樹脂との相溶性が悪く、耐熱性も非
常に悪くて、ポリカーボネート系樹脂本来の優れた特性
を損なうという課題がある。
該ポリカーボネート系樹脂へ導電剤又は帯電防止剤を練
込む試みがなされている。ところが、カーボンや導電性
金属粉末等の導電剤鷺練込む手段には、その使用量が多
く必要とされるため、結局は導電剤が高価となってしま
い、またポリカーボネート系樹脂が着色してしまうので
、実際のところその使用範囲がかなり限定されてしまう
という課題がある。一方、界面活性剤を主とする帯電防
止剤を練込む手段には、その加工工程の容易さや軽済性
等から、アニオン界面活性剤を練込む例(特開昭56−
24442、特開昭63−230764)、非イオン界
面活性剤を練込む例(特公昭55−4141)、更には
分子内に第四級窒素を有するカチオン及び両性界面活性
剤を練込む例等、種々の提案がある。ところが、アニオ
ン界面活性剤を練込む例には、ポリカーボネート系樹脂
との相溶性が悪いために均一分散が難しく、加熱時に分
解劣化を起こしてポリカーボネート系樹脂が着色してし
まうという課題がある。また非イオン界面活性剤を練込
む例には、帯電防止性が弱く、しかもその効果が経時的
に消失しやすいという課題がある。更に分子内に第四級
窒素を有するカチオン及び両性活性剤を練込む例には、
ポリカーボネート系樹脂との相溶性が悪く、耐熱性も非
常に悪くて、ポリカーボネート系樹脂本来の優れた特性
を損なうという課題がある。
〈発明が解決しようとする課題、その解決手段〉本発明
は、叙上の如き従来の課題を解決する、特にポリカーボ
ネート系樹脂用の帯電防止剤組成物及びこれを用いた樹
脂組成物並びに帯電防止方法を提供するものである。
は、叙上の如き従来の課題を解決する、特にポリカーボ
ネート系樹脂用の帯電防止剤組成物及びこれを用いた樹
脂組成物並びに帯電防止方法を提供するものである。
しかして本発明者らは、ポリカーボネート系樹脂本来の
優れた特性を損なうことなく、これに所期の良好な帯電
防止性を与える帯電防止剤について鋭意研究した結果、
先に提案している特定のスルホネート化合物(特開昭6
2−230835)にポリスチレン系高分子化合物を併
用すると、所期の帯電効果が顕著に増大し、同時に加工
時の熱に対する着色性が一層改善されることを見い出し
、本発明を完成するに到ったのである。
優れた特性を損なうことなく、これに所期の良好な帯電
防止性を与える帯電防止剤について鋭意研究した結果、
先に提案している特定のスルホネート化合物(特開昭6
2−230835)にポリスチレン系高分子化合物を併
用すると、所期の帯電効果が顕著に増大し、同時に加工
時の熱に対する着色性が一層改善されることを見い出し
、本発明を完成するに到ったのである。
すなわち本発明は、
下記一般式で示されるスルホネート化合物とポリスチレ
ン系高分子化合物とから威る帯電防止剤組成物であって
、該スルホネート化合物/該ポリスチレン系高分子化合
物=l/9〜9/1(重量比)の範囲にあることを骨子
とするポリカーボネート系樹脂用の帯電防止剤組成物及
び該帯電防止剤組成物をポリカーボネート系樹脂に所定
割合で配合した樹脂組成物並びに該帯電防止剤組成物を
ポリカーボネート系樹脂に所定割合で所定条件下に溶融
混練する帯電防止方法に係わる。
ン系高分子化合物とから威る帯電防止剤組成物であって
、該スルホネート化合物/該ポリスチレン系高分子化合
物=l/9〜9/1(重量比)の範囲にあることを骨子
とするポリカーボネート系樹脂用の帯電防止剤組成物及
び該帯電防止剤組成物をポリカーボネート系樹脂に所定
割合で配合した樹脂組成物並びに該帯電防止剤組成物を
ポリカーボネート系樹脂に所定割合で所定条件下に溶融
混練する帯電防止方法に係わる。
一般式:
[但し、R1−R4、同時に同−若しくは異なる、*素
数1〜22のアルキル基 、炭素数2〜22のアルケニ ル基、フェニル基、又はアラ ルキル基 n:1又は2 Aはnが1又は2の場合に分けて次の通り(n=1の場
合) ^−: 炭素数1〜24のアルキル基、炭素数2〜24
のフルケニル基 、アリール基、炭素数1〜18 のアルキル基で置換されたアリ ール基、アラルキル基、ビフェ ニル基、炭素数8〜18のアル キル基で置換されたビフェニル BO(R50)q、−(CH2)r −(ここに、B:
炭素数1〜24のアルキル基、炭素数1〜24のフルカ
ッイル 基、炭素数2〜24のアルケニ ル基、炭素数3〜24のアルク ノイル基、アリール基、炭素数 (n 1〜18のアルキル基で置換さ れたアリール基、アラルキル基 、又はビフェニル基 X−: H−又jtBO(R50)aCOCH2−R5
; CzHa、又は03M6 p、q : 0〜15の整数 r:2〜4の整数) 2の場合) −A−:炭素a8〜22のフルキレン基フェニレン基、
アルキル置換 フェニレン基、ナフチレン基、 アルキル置換ナフチレン基、又 ] 本発明において、一般式で示されるスルホネート化合物
は有機スルホネートアニオンと有機ホスホニウムカチオ
ンとから構成されるものである。
数1〜22のアルキル基 、炭素数2〜22のアルケニ ル基、フェニル基、又はアラ ルキル基 n:1又は2 Aはnが1又は2の場合に分けて次の通り(n=1の場
合) ^−: 炭素数1〜24のアルキル基、炭素数2〜24
のフルケニル基 、アリール基、炭素数1〜18 のアルキル基で置換されたアリ ール基、アラルキル基、ビフェ ニル基、炭素数8〜18のアル キル基で置換されたビフェニル BO(R50)q、−(CH2)r −(ここに、B:
炭素数1〜24のアルキル基、炭素数1〜24のフルカ
ッイル 基、炭素数2〜24のアルケニ ル基、炭素数3〜24のアルク ノイル基、アリール基、炭素数 (n 1〜18のアルキル基で置換さ れたアリール基、アラルキル基 、又はビフェニル基 X−: H−又jtBO(R50)aCOCH2−R5
; CzHa、又は03M6 p、q : 0〜15の整数 r:2〜4の整数) 2の場合) −A−:炭素a8〜22のフルキレン基フェニレン基、
アルキル置換 フェニレン基、ナフチレン基、 アルキル置換ナフチレン基、又 ] 本発明において、一般式で示されるスルホネート化合物
は有機スルホネートアニオンと有機ホスホニウムカチオ
ンとから構成されるものである。
該有機スルホネートアニオンの具体例としては。
メチルスルホネート、ブチルスルホネート、オクチルス
ルホネート、ラウリルスルホネート、ミリスチルスルホ
ネート、ヘキサデシルスルホネート2−エチルへキシル
スルホネート等の脂肪族スルホネート類及びこれらの混
合物、p−)シレート、ブチルフェニルスルホネート、
ドデシルフェニルスルホネート、オクタデシルフェニル
スルホネート、ジブチルフェニルスルホネート、ドデシ
ルビフェニルスルホネート等の置換フェニルスルホネー
ト類、ナフチルスルホネート、ジイソプロピルナフチル
スルホネート、ジブチルナフチルスルホネート等の置換
或いは非置換ナフチルスルホネート類等が挙げられ、更
にはドデシルビフェニルエーテルジスルホネート、オク
チルフェノキシプロパンスルホネート、ノニルフェノキ
シブタンスルホネート、ラウロイルオキシプロピルスル
ホネート、ステアロイルオキシプロピルスルホネート、
ラウリルスルホアセテート、ステアリルスルホアセテー
ト、ジオクチルスルホサクシネート、シラ°ウリルスル
ホサクシネート等の分子内にニーチルやエステル等を有
するスルホネート類、末端OHをスルホエチル化、スル
ホプロピル化、スルホブチル化等したPOE (ポリオ
キシエチレン、以下同じ)アルキルエーテルやFOEア
ルキルフェニルエーテルのスルホネート、POEアルキ
ルエーテルスルホアセテ−)、POEアルキルフェニル
エーテルスルホアセテート、ビス(POEアルキルエー
テル)スルホサクシネート等の分子鎖中にポリオキシア
ルキレン基を有するスルホネート等が挙げられる。また
前記有機ホスホニウムカチオンの具体例としては、テト
ラメチルホスホニウム、テトラエチルホスホニウム、テ
トラブチルホスホニウム、トリエチルメチルホスホニウ
ム、トリブチルメチルホスホニウム、トリブチルエチル
ホスホニウム、トリオクチルメチルホスホニウム、トリ
メチルブチルホスホニウム、トリメチルオクチルホスホ
ニウム、トリメチルラウリルホスホニウム、トリメチル
ステアリルホスホニウム、トリエチルオクチルホスホニ
ウム、トリブチルオクチルホスホニウム等の脂肪族ホス
ホニウム、トリフェニルメチルホスホニウム、トリフェ
ニルエチルホスホニウム、トリエチルベンジルホスホニ
ウム、トリブチルベンジルホスホニウム等の芳香族ホス
ホニウム等が挙げられる。
ルホネート、ラウリルスルホネート、ミリスチルスルホ
ネート、ヘキサデシルスルホネート2−エチルへキシル
スルホネート等の脂肪族スルホネート類及びこれらの混
合物、p−)シレート、ブチルフェニルスルホネート、
ドデシルフェニルスルホネート、オクタデシルフェニル
スルホネート、ジブチルフェニルスルホネート、ドデシ
ルビフェニルスルホネート等の置換フェニルスルホネー
ト類、ナフチルスルホネート、ジイソプロピルナフチル
スルホネート、ジブチルナフチルスルホネート等の置換
或いは非置換ナフチルスルホネート類等が挙げられ、更
にはドデシルビフェニルエーテルジスルホネート、オク
チルフェノキシプロパンスルホネート、ノニルフェノキ
シブタンスルホネート、ラウロイルオキシプロピルスル
ホネート、ステアロイルオキシプロピルスルホネート、
ラウリルスルホアセテート、ステアリルスルホアセテー
ト、ジオクチルスルホサクシネート、シラ°ウリルスル
ホサクシネート等の分子内にニーチルやエステル等を有
するスルホネート類、末端OHをスルホエチル化、スル
ホプロピル化、スルホブチル化等したPOE (ポリオ
キシエチレン、以下同じ)アルキルエーテルやFOEア
ルキルフェニルエーテルのスルホネート、POEアルキ
ルエーテルスルホアセテ−)、POEアルキルフェニル
エーテルスルホアセテート、ビス(POEアルキルエー
テル)スルホサクシネート等の分子鎖中にポリオキシア
ルキレン基を有するスルホネート等が挙げられる。また
前記有機ホスホニウムカチオンの具体例としては、テト
ラメチルホスホニウム、テトラエチルホスホニウム、テ
トラブチルホスホニウム、トリエチルメチルホスホニウ
ム、トリブチルメチルホスホニウム、トリブチルエチル
ホスホニウム、トリオクチルメチルホスホニウム、トリ
メチルブチルホスホニウム、トリメチルオクチルホスホ
ニウム、トリメチルラウリルホスホニウム、トリメチル
ステアリルホスホニウム、トリエチルオクチルホスホニ
ウム、トリブチルオクチルホスホニウム等の脂肪族ホス
ホニウム、トリフェニルメチルホスホニウム、トリフェ
ニルエチルホスホニウム、トリエチルベンジルホスホニ
ウム、トリブチルベンジルホスホニウム等の芳香族ホス
ホニウム等が挙げられる。
本発明のスルホネート化合物は、以上例示したような有
機スルホネートアニオンと有機ホスホニウムカチオンと
の任意の組合せにより構成されるものであるが、なかで
も、アルキルベンゼンスルホネート、アルキルスルホネ
ート、アルキルビフェニルエーテルジスルホネートの各
ホスホニウム塩が、相溶性、耐熱性及び帯電防止性の点
で好ましい。
機スルホネートアニオンと有機ホスホニウムカチオンと
の任意の組合せにより構成されるものであるが、なかで
も、アルキルベンゼンスルホネート、アルキルスルホネ
ート、アルキルビフェニルエーテルジスルホネートの各
ホスホニウム塩が、相溶性、耐熱性及び帯電防止性の点
で好ましい。
本発明において、ポリスチレン系高分子化合物の具体例
としては、スチレン単独重合体の他、スチレンにα−メ
チルスチレン、アクリロニトリルメチルメタクリレート
、ブタジェン又は無水マレイン酸等をランダム型、ブロ
ック型又はグラフト型に共重合したスチレン系共重合体
更にはポリスチレン樹脂として市販されているGPポリ
スチレン、耐衝撃ポリスチレン、As樹脂、MS樹脂ス
チレン・マレイン酸樹脂等が挙げられるが、これらのス
チレン系共重合体を用いる場合には、ポリカーボネート
系樹脂本来の優れた特性を損なわないようにするために
、70%以上のスチレンを含有するものを用いるのが好
ましい。
としては、スチレン単独重合体の他、スチレンにα−メ
チルスチレン、アクリロニトリルメチルメタクリレート
、ブタジェン又は無水マレイン酸等をランダム型、ブロ
ック型又はグラフト型に共重合したスチレン系共重合体
更にはポリスチレン樹脂として市販されているGPポリ
スチレン、耐衝撃ポリスチレン、As樹脂、MS樹脂ス
チレン・マレイン酸樹脂等が挙げられるが、これらのス
チレン系共重合体を用いる場合には、ポリカーボネート
系樹脂本来の優れた特性を損なわないようにするために
、70%以上のスチレンを含有するものを用いるのが好
ましい。
本発明の帯電防止剤組成物は以上説明したようなスルホ
ネート化合物とポリスチレン系高分子化合物とから戊る
ものであるが、該スルホネート化合物/該ポリスチレン
系高分子化合物=1/9〜9/1(重量比)の範囲にあ
るものであり、合目的的に好ましくは2 、577 、
5〜7 、5/2 。
ネート化合物とポリスチレン系高分子化合物とから戊る
ものであるが、該スルホネート化合物/該ポリスチレン
系高分子化合物=1/9〜9/1(重量比)の範囲にあ
るものであり、合目的的に好ましくは2 、577 、
5〜7 、5/2 。
5(重量比)の範囲にあるものである。
本発明の帯電防止剤組成物を適用するポリカーボネート
系樹脂はビスフェノールAとホスゲン又はジフェニルカ
ーボネートとの縮合反応により合成されるポリカーボネ
ートを基本骨格とする樹脂であるが、ビスフェノールS
やテトラブロモビスフェノールA等で部分的に変性され
たものであっても差し支えない、この場合、該ポリカー
ボネート系樹脂/該帯電防止剤組成物= 10072〜
16(重量比)の範囲で用いるが、合目的的に好ましく
はZoo/3〜9(重量比)の範囲で用いる。
系樹脂はビスフェノールAとホスゲン又はジフェニルカ
ーボネートとの縮合反応により合成されるポリカーボネ
ートを基本骨格とする樹脂であるが、ビスフェノールS
やテトラブロモビスフェノールA等で部分的に変性され
たものであっても差し支えない、この場合、該ポリカー
ボネート系樹脂/該帯電防止剤組成物= 10072〜
16(重量比)の範囲で用いるが、合目的的に好ましく
はZoo/3〜9(重量比)の範囲で用いる。
本発明の帯電防止剤組成物をポリカーボネート系樹脂へ
適用するに際しては該ポリカーボネート系樹脂の融点以
上の温度下で双方を溶融混練する。この場合、溶融状態
のポリカーボネート系樹脂へ帯電防止剤組成物を直接に
混練してもよいし、或いは予めマスターチップを作製し
ておいてからこれを混練してもよく、いずれの場合も良
好な混線性(相溶性・分散性)を示す、適用に際しては
1本発明の効果を損なわない範囲内において、それぞれ
の目的に応じた添加剤、例えば酸化防止剤、紫外線吸収
剤、滑剤、離型剤、流動性改良剤、難燃剤、耐衝撃吸収
剤、着色剤等を併用することができる。
適用するに際しては該ポリカーボネート系樹脂の融点以
上の温度下で双方を溶融混練する。この場合、溶融状態
のポリカーボネート系樹脂へ帯電防止剤組成物を直接に
混練してもよいし、或いは予めマスターチップを作製し
ておいてからこれを混練してもよく、いずれの場合も良
好な混線性(相溶性・分散性)を示す、適用に際しては
1本発明の効果を損なわない範囲内において、それぞれ
の目的に応じた添加剤、例えば酸化防止剤、紫外線吸収
剤、滑剤、離型剤、流動性改良剤、難燃剤、耐衝撃吸収
剤、着色剤等を併用することができる。
以下、実施例等を挙げるが、本発明が該実施例に限定さ
れるというものではない。
れるというものではない。
〈実施例等〉
第1表記載の内容で、スルホネート化合物とポリスチレ
ン系高分子化合物とをヘンシェルミキサーを用いて5分
間部合し、帯電防止剤組成物を調製した0次に第1表記
載の内容で、該帯電防止剤組成物とポリカーボネート系
樹脂とから260℃の加熱温度下に25mmφの二軸押
出機を用いてペレットを作製し、この際の混線性を下記
のように評価した。そして上記で得たペレットを120
℃×8時間乾燥した後、射出成形機を用い、射出温度2
85℃、金型温度70℃にて試験片を作製し、この試験
片について、23℃×65%RHにて一夜調湿した後に
その着色性を下記のように評価し、また同雰囲気下で表
面抵抗を測定した。結果を第2表に示した。
ン系高分子化合物とをヘンシェルミキサーを用いて5分
間部合し、帯電防止剤組成物を調製した0次に第1表記
載の内容で、該帯電防止剤組成物とポリカーボネート系
樹脂とから260℃の加熱温度下に25mmφの二軸押
出機を用いてペレットを作製し、この際の混線性を下記
のように評価した。そして上記で得たペレットを120
℃×8時間乾燥した後、射出成形機を用い、射出温度2
85℃、金型温度70℃にて試験片を作製し、この試験
片について、23℃×65%RHにて一夜調湿した後に
その着色性を下記のように評価し、また同雰囲気下で表
面抵抗を測定した。結果を第2表に示した。
比較のために、第3表記載の内容で同様にペレットを作
製し、試験片を作製して、評価及び測定した。結果を第
4表に示した。
製し、試験片を作製して、評価及び測定した。結果を第
4表に示した。
・混練性の評価:押出し時の状態から次の基準で判定し
た。
た。
良;吐出ムラやストランドの切断は全くない可;ストラ
ンドの切断はないが、わずかに吐出ムラがあった 不可:明確な吐出ムラがあり、同時に/又はストランド
の切断があった ・着色性の評価:試験片を水平方向から肉眼観察し、そ
の色調を次の基準で判定した。
ンドの切断はないが、わずかに吐出ムラがあった 不可:明確な吐出ムラがあり、同時に/又はストランド
の切断があった ・着色性の評価:試験片を水平方向から肉眼観察し、そ
の色調を次の基準で判定した。
0ニブランク(比較例3)とほぼ同等であった0;極く
淡く黄色の着色があった ×;明確に黄色の着色があった 第1表(実施例) 第2表(実施例の結果) 第3表(比較例) 第4表(比較例の結果) 注)第1表〜第4表において、 ポリカーボネート系樹脂:パンライトL−1225(帝
人化威社製 ) S −1; Cl2H25−(>−503C’ * G
P(C4H9)4S −2: C15H2qSO3e*
OP (# )4(但し、φはフェニル基、以下同じ
) S −3; cn3−◇−8030・GP(C4H9)
aP−1: P−2; P−3; P−4: ポリスチレン(新日鉄化学社製のエス チレンGP−20) スチレン−アクリロニトリル共重合体 (新日鉄化学社製のエスチレンAS− 20) スチレン−メチルメタクリレート共重 合体(新日鉄化学社製のエスチレンM S−200) スチレン−無水マレイン酸共重合体( 積木化学工業社製のダイラーク232 ) X −1; Cl2H25−◇−503Nax−2;グ
リセリンモノステアレート X −3; C14HzqSO3NB X −4; Ct7H3sCOOCHzCH(OH)C
H20HX −5: C12H2s −<>−903L
tx−6;ジオクチルフタレート 印:評価及び測定が不可 〈発明の効果〉 既に明らかなように、以上説明した本発明には、ポリカ
ーボネート系樹脂本来の優れた特性を損なうことなく、
該ポリカーボネート系樹脂へ所期の良好な帯電防止性を
工業上有利に付与することができるという効果がある。
淡く黄色の着色があった ×;明確に黄色の着色があった 第1表(実施例) 第2表(実施例の結果) 第3表(比較例) 第4表(比較例の結果) 注)第1表〜第4表において、 ポリカーボネート系樹脂:パンライトL−1225(帝
人化威社製 ) S −1; Cl2H25−(>−503C’ * G
P(C4H9)4S −2: C15H2qSO3e*
OP (# )4(但し、φはフェニル基、以下同じ
) S −3; cn3−◇−8030・GP(C4H9)
aP−1: P−2; P−3; P−4: ポリスチレン(新日鉄化学社製のエス チレンGP−20) スチレン−アクリロニトリル共重合体 (新日鉄化学社製のエスチレンAS− 20) スチレン−メチルメタクリレート共重 合体(新日鉄化学社製のエスチレンM S−200) スチレン−無水マレイン酸共重合体( 積木化学工業社製のダイラーク232 ) X −1; Cl2H25−◇−503Nax−2;グ
リセリンモノステアレート X −3; C14HzqSO3NB X −4; Ct7H3sCOOCHzCH(OH)C
H20HX −5: C12H2s −<>−903L
tx−6;ジオクチルフタレート 印:評価及び測定が不可 〈発明の効果〉 既に明らかなように、以上説明した本発明には、ポリカ
ーボネート系樹脂本来の優れた特性を損なうことなく、
該ポリカーボネート系樹脂へ所期の良好な帯電防止性を
工業上有利に付与することができるという効果がある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、下記一般式で示されるスルホネート化合物とポリス
チレン系高分子化合物とから成る帯電防止剤組成物であ
って、該スルホネート化合物/該ポリスチレン系高分子
化合物:1/9〜9/1(重量比)の範囲にあるポリカ
ーボネート系樹脂用の帯電防止剤組成物。 一般式: ▲数式、化学式、表等があります▼ [但し、R^1〜R4^:同時に同一若しくは異なる、
炭素数1〜22のアルキル基 、炭素数2〜22のアルケニル基、フェニル基、又はア
ラルキル基 n:1又は2 Aはnが1又は2の場合に分けて次の通り {n=1の場合} A−:炭素数1〜24のアルキル基、炭素数2〜24の
アルケニル基、アリール基、炭素数1〜18のアルキル
基で置換されたアリール基、アラルキル基、ビフェニル
基、炭素数8〜18のアルキル基で置換されたビフェニ
ル 基、▲数式、化学式、表等があります▼、又は BO(R^5O)_q−(CH_2)_r−(ここに、
B;炭素数1〜24のアルキル基、炭素数1〜24のア
ルカノイル基、炭素数2〜24のアルケニル基、炭素数
3〜24のアルケノイル基、アリール基、炭素数1〜1
8のアルキル基で置換されたアリール基、アラルキル基
、又はビフェニル基 X−;H−又はBO(R^5O)_pCOCH_2−R
^5;C_2H_4、又はC_3H_6 p、q;0〜N15の整数 r;2〜4の整数) {n=2の場合} −A−:炭素数8〜22のアルキレン基、フェニレン基
、アルキル置換フェニレン基、ナフチレン基、アルキル
置換ナフチレン基、又 は▲数式、化学式、表等があります▼ (ここに、R^6;炭素数8〜18のアルキル基)2、
スルホネート化合物/ポリスチレン系高分子化合物=2
.5/7.5〜7.5/2.5(重量比)の範囲にある
請求項1記載のポリカーボネート系樹脂用の帯電防止剤
組成物。 3、スルホネート化合物が、炭素数1〜18のアルキル
スルホン酸ホスホニウム塩、炭素数1〜18のアルキル
基を有するアルキルベンゼンスルホン酸ホスホニウム塩
、炭素数8〜18のアルキル基を有するアルキルビフェ
ニルエーテルジスルホン酸ホスホニウム塩から選ばれる
1種又は2種以上である請求項1又は2記載のポリカー
ボネート系樹脂用の帯電防止剤組成物。 4、ポリスチレン系高分子化合物が、ポリスチレン、ス
チレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−メチル
メタクリレート共重合体、スチレン−無水マレイン酸共
重合体から選ばれる1種又は2種以上である請求項1、
2又は3記載のポリカーボネート系樹脂用の帯電防止剤
組成物。 5、ポリカーボネート系樹脂に請求項1、2、3又は4
記載の帯電防止剤組成物を用いた樹脂組成物であって、
該ポリカーボネート系樹脂/該帯電防止剤組成物=10
0/2〜16(重量比)の範囲にある樹脂組成物。 6、ポリカーボネート系樹脂/帯電防止剤組成物=10
0/3〜9(重量比)の範囲にある請求項5記載の樹脂
組成物。 7、ポリカーボネート系樹脂100重量部に対して請求
項1、2、3又は4記載の帯電防止剤組成物2〜16重
量部を該ポリカーボネート系樹脂の融点以上の温度下で
溶融混練する帯電防止方法。 8、ポリカーボネート系樹脂100重量部に対して帯電
防止剤組成物3〜9重量部を溶融混練する請求項7記載
の帯電防止方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21794789A JPH0381362A (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | ポリカーボネート系樹脂用の帯電防止剤組成物及びこれを用いた樹脂組成物並びに帯電防止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP21794789A JPH0381362A (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | ポリカーボネート系樹脂用の帯電防止剤組成物及びこれを用いた樹脂組成物並びに帯電防止方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JPH0381362A true JPH0381362A (ja) | 1991-04-05 |
Family
ID=16712201
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP21794789A Pending JPH0381362A (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | ポリカーボネート系樹脂用の帯電防止剤組成物及びこれを用いた樹脂組成物並びに帯電防止方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0381362A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5449709A (en) * | 1993-07-02 | 1995-09-12 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Resin composition for lens based materials |
EP0686639A1 (de) | 1994-06-08 | 1995-12-13 | Hoechst Aktiengesellschaft | Phosphoniumsalze, ein Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
US5486555A (en) * | 1993-08-26 | 1996-01-23 | Teijin Limited | Process for production of stabilized polycarbonate |
KR100435922B1 (ko) * | 1997-07-18 | 2005-09-28 | 주식회사 삼양사 | 폴리카보네이트계 수지조성물 |
-
1989
- 1989-08-24 JP JP21794789A patent/JPH0381362A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP0686639A1 (de) | 1994-06-08 | 1995-12-13 | Hoechst Aktiengesellschaft | Phosphoniumsalze, ein Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
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