JPH11124465A

JPH11124465A - フッ素化スルホン酸ホスホニウム含有帯電防止樹脂組成物

Info

Publication number: JPH11124465A
Application number: JP10205726A
Authority: JP
Inventors: Johannes Gerardus H Willems; ジョハニス・ジェラーダス・ヘンリクス・ウィレムズ; Theodours L Hoeks; シーオドラス・ランバータス・ホウクス
Original assignee: General Electric Co
Current assignee: General Electric Co
Priority date: 1997-07-23
Filing date: 1998-07-22
Publication date: 1999-05-11
Anticipated expiration: 2018-07-22
Also published as: EP0897950B1; BR9802551A; CN1208748A; AU750137B2; US6194497B1; EP0897950A2; DE69822940T2; AU7730098A; EP0897950A3; ES2218771T3; JP3962837B2; DE69822940D1

Abstract

(57)【要約】【課題】成形品の透明度及び機械的性質に悪影響を与
えることなく、内部添加することのできる帯電防止剤の
提供。【解決手段】芳香族ポリカーボネート、ポリエーテル
イミド、ポリエステル、ポリフェニレンエーテル／ポリ
スチレンブレンド、ポリアミド、ポリケトン、ＡＢＳ又
はこれらのポリマー樹脂ブレンドのような熱可塑性樹脂
９０〜９９．９５重量％と、多置換ホスホニウム化合物
のハロゲン化炭素スルホン酸塩０．０５〜１０重量％と
の帯電防止熱可塑性樹脂組成物。好ましくは熱可塑性樹
脂は透明芳香族ポリカーボネートである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は帯電防止樹脂組成物
に関するものであり、より具体的には熱可塑性ポリマー
と多置換ホスホニウム化合物のハロゲン化炭素スルホン
酸塩とを含んでなる透明熱可塑性樹脂組成物並びに多置
換ホスホニウム化合物のハロゲン化炭素スルホン酸塩に
関する。

【０００２】

【従来の技術】多くのポリマー又はポリマーブレンドは
比較的非導電性である。そのため、そのままではポリマ
ーの加工処理時及び使用時に静電荷が蓄積される結果と
なりかねない。帯電ポリマー成形品は微粉末たる塵を引
きつけ、滑らかな表面状態を害しかねない。成形品の表
面に引きつけられた粒子は成形品の透明度を低下させて
しまうこともある。さらに、静電荷はポリマーの製造プ
ロセスに重大な支障をきたしかねない。過去には合成高
分子材料の帯電を低減するための様々な試みとして炭素
及び金属粒子のような導電剤又は界面活性剤が、内部に
練込んだり或いはそれらを材料に塗布することで使われ
てきた。導電剤を用いるこれらの方法は、導電剤の通常
の使用量が多量であること、それらの材料への添加が難
しいこと、透明な製品を得ることや機械的及び流動学的
性質をもつ場合にそうした性質を保持するのが困難であ
ること、並びにかかる導電剤のコストが高いことなど多
くの理由のために一般には実施可能でない。そのため、
これらの導電剤は幾つかの限られた状況下でしか使用で
きない。

【０００３】帯電防止剤はポリマーの帯電傾向を低減さ
せるためにポリマーに添加される物質であり、電荷が存
在するときにはこれらの帯電防止剤は電荷の消散を促
す。帯電防止剤は通常は親水性又はイオン性のものであ
る。高分子材料の表面に存在するときには、それらは電
子の移動を促し、それにより静電荷の蓄積をなくす。帯
電防止剤は２通りの方法で使用される。一つは外部帯電
防止剤を用いるもので、かかる外部帯電防止剤は高分子
材料の表面に噴霧するか或いは高分子材料の浸漬によっ
て塗布される。二番目の方法は内部帯電防止剤を用いる
もので、これらは加工処理前のポリマーに添加される。
このようにして使用される帯電防止剤は、熱的に安定で
あるとともに加工処理時に表面に移動する能力をもつこ
とが必要とされる。

【０００４】界面活性剤を主成分とする帯電防止剤は多
数存在するので、その中から状況に応じて適当なものを
選択し得る。実際、数多くの内部添加されるタイプが研
究され試験されてきた。ただし、内部添加型帯電防止剤
として使用する場合、アニオン界面活性剤は相溶性及び
均一分散性に劣り、加熱時に分解もしくは劣化する傾向
があるので、取扱いが難しい。他方、両性界面活性剤及
び分子内に第四窒素を有するカチオン界面活性剤は、帯
電防止性は良好であるが、耐熱性が著しく乏しいため限
られた状況下でしか使用できない。非イオン性界面活性
剤について述べると、それらは合成高分子材料との相溶
性に関しては上述のイオン性界面活性剤に比べ相対的に
優れているが、帯電防止性に弱い傾向があり、それらの
効果は常温及び高温で時間経過とともに消失する。さら
に、こうした非イオン性界面活性剤型の帯電防止剤は熱
安定性が限られているため、それらを芳香族ポリカーボ
ネートのようなエンジニアリングプラスチック樹脂と共
に使用するのは該樹脂の加工処理温度によって制限され
る。そこで、これらのタイプの界面活性剤は芳香族ポリ
カーボネートの光学的性質に悪影響を及ぼす。有機スル
ホン酸の金属塩に関しても、特に高温で成形されるポリ
カーボネート及びポリエステル樹脂用の内部添加型帯電
防止剤として報告されているが、これらは樹脂との相溶
性或いは耐熱性が十分でない。相溶性が不十分なときの
不都合な結果の一つは、ポリカーボネートのようなある
種の高分子材料の透明性がかかる帯電防止剤の使用によ
って失われることである。ハロゲン置換基を有する有機
スルホン酸のホスホニウム塩を難燃剤として使用するこ
とも報告されていたが（米国特許第４０９３５８９
号）、これらは帯電防止剤としても役立つと期待される
であろう。

【０００５】別の特許にはポリカーボネート樹脂上の静
電荷を低減することが開示されている。すなわち米国特
許第４９４３３８０号には、９０〜９９．９重量％のポ
リカーボネートと０．１〜１０重量％の次の一般式の耐
熱性スルホン酸ホスホニウムを含有する帯電防止組成物
が開示されている。

【０００６】

【化４】

【０００７】式中、Ｒは炭素原子数１〜１８の直鎖又は
枝分れ鎖アルキル基であり、Ｒ₁、Ｒ₂及びＲ₃は同一
であって各々炭素原子数１〜１８の脂肪族炭化水素基又
は芳香族炭化水素基であり、Ｒ₄は炭素原子数１〜１８
の炭化水素基である。分子内に第四窒素を含んだ対応カ
チオン界面活性剤は帯電防止特性には優れているものの
（米国特許第５４６８９７３号）、耐熱性が著しく劣る
ため限られた状況下でしか使えない。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、ポリ
エステル、ポリフェニレンエーテル／ポリスチレンブレ
ンド、ポリアミド、ポリケトン、アクリロニトリル−ブ
タジエン−スチレン（ＡＢＳ）又はこれらのブレンド又
はこれらと他の物質もしくはポリマーとのブレンドのよ
うなポリマーと耐熱性の帯電防止剤とを含んでなる帯電
防止樹脂組成物であって、該帯電防止剤の使用により上
述した従来の帯電防止剤の問題を解決できる樹脂組成物
を提供することである。

【０００９】本発明のもう一つの目的は、好ましくは成
形状態で透明性を有する合成樹脂に対して、成形品の透
明度及び機械的性質に悪影響を与えることなく、内部添
加できる新規帯電防止剤を提供することである。ただ
し、帯電防止についての必要条件は着色又は半透明熱可
塑性ポリマー成形品にも適用できるので、本発明は透明
な熱可塑性樹脂だけに限定されるものではない。

【００１０】

【課題を解決するための手段】簡潔に述べると、本発明
によれば、ポリマーと添加剤の合計重量を基準にして、
約０．０５〜１０重量％、好ましくは約０．２〜１．５
重量％、さらに好ましくは約０．５〜１．５重量％の比
較的少量のある種の耐熱性中鎖及び短鎖ハロゲン化炭素
スルホン酸の置換ホスホニウム塩が、約９０〜９９．９
５重量％、好ましくは約９８．５〜９９．８重量％、さ
らに好ましくは約９８．５〜９９．５重量％のポリカー
ボネート、ポリエーテルイミド、ポリエステル、ポリフ
ェニレンエーテル／ポリスチレンブレンド、ポリアミ
ド、ポリケトン、ＡＢＳ又はこれらのポリマー樹脂ブレ
ンドにおける内部帯電防止剤として使用できることを発
見した。一般に、上記の中鎖及び短鎖スルホン酸の置換
ホスホニウム塩は次の一般式を有する。

【００１１】

【化５】

【００１２】式中、Ｘは少なくとも１つのＸがハロゲン
であることを条件にしてハロゲン又は水素から独立に選
択されるものであり、ｎ、ｍ及びｐは０〜１２の整数で
あり、Ｙは無いか或いは原子環の炭素以外の複素環原子
或いは窒素、酸素、イオウ、セレン、リン、ヒ素のいず
れかであり、Ｒ₁、Ｒ₂及びＲ₃は同一であって各々炭
素原子数１〜８の脂肪族炭化水素基又は炭素原子数６〜
１２の芳香族炭化水素基であり、Ｒ₄は炭素原子数１〜
１８の炭化水素基である。ハロゲンは臭素、塩素、フッ
素及びヨウ素から独立に選択し得る。ハロゲンは好まし
くはフッ素である。

【００１３】

【発明の実施の形態】上記のスルホン酸ホスホニウムは
好ましくはフッ素化スルホン酸ホスホニウムであって、
フルオロカーボン含有有機スルホン酸アニオンと有機ホ
スホニウムカチオンとからなる。かかる有機スルホン酸
アニオンの具体例には、ペルフルオロメタンスルホネー
ト、ペルフルオロブタンスルホネート、ペルフルオロヘ
キサンスルホネート、ペルフルオロヘプタンスルホネー
ト及びペルフルオロオクタンスルホネートがある。上述
のホスホニウムカチオンの具体例には、テトラメチルホ
スホニウム、テトラエチルホスホニウム、テトラブチル
ホスホニウム、トリエチルメチルホスホニウム、トリブ
チルメチルホスホニウム、トリブチルエチルホスホニウ
ム、トリオクチルメチルホスホニウム、トリメチルブチ
ルホスホニウム、トリメチルオクチルホスホニウム、ト
リメチルラウリルホスホニウム、トリメチルステアリル
ホスホニウム、トリエチルオクチルホスホニウムのよう
な脂肪族ホスホニウム、並びにテトラフェニルホスホニ
ウム、トリフェニルメチルホスホニウム、トリフェニル
ベンジルホスホニウム、トリブチルベンジルホスホニウ
ムのような芳香族ホスホニウムがある。

【００１４】本発明のフッ素化スルホン酸ホスホニウム
はこれらの有機スルホン酸アニオンと有機カチオンとの
どんな組合せからも得ることができるが、本発明は上記
具体例に限定されない。フッ素化スルホン酸ホスホニウ
ムは相当するスルホン酸と水酸化第四ホスホニウムを混
合溶媒中で混合し、次いで混合溶媒を蒸発させることに
よって非常に純粋な状態で製造することができる。例え
ば、ペルフルオロブタンスルホン酸テトラブチルホスホ
ニウムは、ペルフルオロブタンスルホン酸９８．６ｇ、
４０重量％水酸化テトラブチルホスホニウム溶液２００
ｍｌ及び混合溶媒５００ｍｌをフラスコに入れ、得られ
た混合物を室温で１時間撹拌し、油状層として分離する
スルホン酸ホスホニウムを単離し、１００ｍｌの水で洗
浄し、真空ポンプで溶媒を蒸発させることによって、約
９５％の収率で製造することができる。

【００１５】前述の通り、本発明で用いられる好ましい
スルホン酸ホスホニウムは次の一般式のフッ素化スルホ
ン酸ホスホニウムである。

【００１６】

【化６】

【００１７】式中、Ｆはフッ素であり、ｎは１〜１２の
整数であり、Ｓはイオウであり、Ｒ ₁、Ｒ₂及びＲ₃は
同一であって各々炭素原子数１〜８の脂肪族炭化水素基
又は炭素原子数６〜１２の芳香族炭化水素基であり、Ｒ
₄は炭素原子数１〜１８の炭化水素基である。式（３）
で示されるフッ素化スルホン酸ホスホニウムを主要成分
として含んでなる帯電防止組成物は、その帯電防止性、
相溶性及び耐熱性を様々な手法で利用してポリカーボネ
ート、ポリエーテルイミド、ポリエステル、ポリフェニ
レンエーテル／ポリスチレンブレンド、ポリアミド、ポ
リケトン、ＡＢＳ又はこれらのポリマーのブレンドに帯
電防止性を賦与できる。本発明のフルオロカーボンスル
ホン酸ホスホニウム塩は低融点の半固形材料であり、そ
のまま溶融液として取り扱うことができる。本発明の幾
つかの実施形態では、室温（１５〜２５℃）で固体結晶
質材料であり、秤量、取扱い、並びにポリカーボネー
ト、ポリエーテルイミド、ポリエステル、ポリフェニレ
ンエーテル／ポリスチレンブレンド、ポリアミド、ポリ
ケトン、ＡＢＳ又はこれらのポリマーのブレンドへの添
加が容易である。

【００１８】本発明を実施するための最も一般的な方法
は、ポリマーの製造又は加工時に帯電防止剤を直接添加
して混合することである。これは押出、射出成形、圧縮
成形又は注型を始めとする慣用手段によって加工処理で
きる。ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、ポリエ
ステル、ポリフェニレンエーテル／ポリスチレンブレン
ド、ポリアミド、ポリケトン、ＡＢＳ又はこれらのポリ
マーのブレンドに添加されるフルオロカーボンスルホン
酸ホスホニウムの量は静電荷を低減もしくは消失させる
のに有効な量であり、広い範囲で変えることができる。
フルオロカーボンスルホン酸置換ホスホニウム帯電防止
剤の樹脂への添加量が少なすぎると、その樹脂から作っ
た製品に帯電傾向が依然としてみられるであろう。帯電
防止剤の添加量が多くなりすぎると、その添加分だけ不
経済であり、あるレベルを超えると樹脂の他の性質に悪
影響を及ぼすようになりかねない。例えば、透明ポリカ
ーボネート等級においてかかる内部添加法で好ましい結
果を得るには、本発明の帯電防止剤を成形用組成物に関
して０．１〜１．５重量％の割合で加えるのが好まし
く、０．４〜０．８重量％の割合で加えるのがさらに一
段と好ましい。本発明の帯電防止剤は従来のアルキルス
ルホン酸ホスホニウムのようなイオン性界面活性剤より
もさらに耐熱性に優れ、添加量をより少なくすることが
でき、樹脂組成物は優れた透明度及び機械的性質をも
つ。

【００１９】

【実施例】本発明を以下の実施例によりさらに説明す
る。ただし、これらの実施例は本発明を何ら限定するも
のではない。実施例における百分率に関する記載は重量
％である。試料の帯電防止挙動を分析するために以下の
２通りの試験法を用いた。それらは吸塵試験、静電荷測
定及び静電荷測定による表面抵抗率である。

【００２０】吸塵試験透明ポリカーボネート製品において吸塵を発現させた。
この試験法では、その場で調製したＮＨ₄Ｃｌダストに
よって飽和したデシケーター内に何枚かの色板を入れ
る。この吸塵室はサンプルを入れる前に１時間平衡化し
ておく。１時間後にサンプルを取り出し、映写ランプを
光源として用いて色板の映像を参照材料と一緒に造る。
これらの板の外観を帯電防止剤を全く含まないポリカー
ボネート参照板と視覚的に対比する。

【００２１】表面抵抗率表面抵抗率の測定は、室温での表面抵抗率の値が１０¹⁷
〜１０¹⁸Ωの範囲にあり、そのような範囲では正確な結
果を得るのが難しいので、５５℃にて行った。温度５５
℃での表面抵抗率の値は１０¹³〜１０¹⁴Ωの範囲にあ
る。これらの試験に加えて、以下の試験も行った。黄色度指数（ＹＩ） − ＡＳＴＭ１９２５−６３Ｔ
にしたがって測定。透明度 − ＡＳＴＭＤ−１００３にしたがって測
定。ヘーズ − ＡＳＴＭ１９２５−６３Ｔ及びＡＳＴＭ
Ｄ−１００３にしたがって測定。メルトボリュームレート（ＭＶＲ） − ＡＳＴＭＤ
−１２３８にしたがって測定。

【００２２】実施例１この実施例では、本発明のフッ素化スルホン酸ホスホニ
ウムの製造について例示する。ペルフルオロブチルスル
ホン酸カリウムを出発原料として使用した。最初にイオ
ン交換カラム（Ｒｏｈｍ＆Ｈａａｓ社製、Ａｍｂｅ
ｒｊｅｔ１２００Ｈ）を用いてカリウム（Ｋ⁺イオ
ン）をＨ⁺イオンと交換した。この方法で用いた第二段
階はフルオロカーボン末端スルホン酸と水酸化テトラブ
チルホスホニウムとを用いての酸塩基反応であり、高収
率及び高純度でフッ素化スルホン酸ホスホニウムを生じ
た。この反応は次の通りである。

【００２３】

【化７】

【００２４】実施例２この実施例では、本発明のフッ素化スルホン酸ホスホニ
ウムの製造を例示する。ノナフルオロエトキシエチルス
ルホン酸カリウムを出発原料として使用した。最初にイ
オン交換カラム（Ｒｏｈｍ＆Ｈａａｓ社製、Ａｍｂ
ｅｒｊｅｔ１２００Ｈ）を用いてカリウム（Ｋ⁺イオ
ン）をＨ⁺イオンと交換した。この方法で用いた第二段
階はフルオロカーボン末端スルホン酸と水酸化テトラブ
チルホスホニウムとを用いての酸塩基反応であり、高収
率及び高純度でフッ素化スルホン酸ホスホニウムを生じ
た。

【００２５】得られた化合物は次式を有していた。

【００２６】

【化８】

【００２７】実施例３この実施例では、本発明のフッ素化スルホン酸ホスホニ
ウムの製造を例示する。様々なフルオロカーボン含有ス
ルホン酸とフルオロカーボン含有スルホン酸アンモニウ
ムの混合物であるＺｏｎｙｌ−ＴＢＳ（ＤｕＰｏｎｔ社
製）を出発原料として用いた。最初にイオン交換カラム
（Ｒｏｈｍ＆Ｈａａｓ社製、Ａｍｂｅｒｊｅｔ１
２００Ｈ）を用いてアンモニウム（ＮＨ₄ ⁺）をＨ⁺イオ
ンと交換した。この方法で用いた第二段階はフルオロカ
ーボン末端スルホン酸と水酸化テトラブチルホスホニウ
ムとを用いての酸塩基反応であった。得られた化合物混
合物は以下の諸成分からなるものであった（ｙは１〜９
の整数）。

【００２８】

【化９】

【００２９】実施例４実施例１のフッ素化スルホン酸ホスホニウムの帯電防止
性を求めた。まず、帯電防止剤を２０℃の塩化メチレン
中で測定した固有粘度約０．４６ｄｌ／ｇ（デシリット
ル／グラム）の透明芳香族ポリカーボネート樹脂と二軸
押出機で約２８５℃の温度にて溶融混練し、ダイオリフ
ィスを通して押出してストランドとし、水中急冷した後
ペレット化した。ペレットは約１２５℃で約２時間乾燥
した。単軸射出成形機を用いて上記乾燥ペレットを射出
成形温度約２８５℃にて約１０ｃｍ四方の約２．５ｍｍ
厚の板に射出成形した。明らかに、射出成形バレルの全
体にわたる温度プロフィールは約２８５℃という極限ま
で変化した。この実施例では、バレル温度は約２０℃か
ら約２８５℃まで変化した。表１に示す各組成物は上記
に述べた同一条件下で製造したもので、各組成物中に存
在する帯電防止剤の濃度に応じてポリカーボネート濃度
が変わる。各組成物は同量の離型剤、ＵＶ吸収剤、安定
剤、酸化防止剤及び染料を含んでおり、それらの合計量
は使用したポリカーボネートの約０．８重量％であっ
た。得られた結果は次の通りである。

【００３０】

【表１】

【００３１】上記の結果は、表面抵抗率及び透明度の結
果が示す通り、本発明の組成物の優れた帯電防止性を明
瞭に示しており、透明性や色には影響がなかった。実施例５実施例４の組成物を、実施例４の成形温度＋２０℃及び
実施例４の２０秒という標準冷却時間に対して１２０秒
の冷却時間という一段と過酷な成形条件下で成形した。
得られた結果は次の通りである。

【００３２】

【表２】

【００３３】過酷な条件（実施例４の成形温度＋２０℃
及び実施例４の２０秒という標準冷却時間に対して１２
０秒の冷却時間）を用いた各濃度の同一試料の射出成形
の結果が表２に開示されている。表１と表２の結果を対
比すると、過酷な成形条件を用いた場合、帯電防止ポリ
カーボネートの得られる帯電防止剤濃度は０．５％を若
干上回る添加量まで減少する。これは、さらに高い加工
処理温度で本発明の帯電防止剤の表面移行能力が改善さ
れることを示している。このことは、過酷な温度（＋２
０℃）において標準サイクル時間（ｔ＝２０秒）で成形
した物品でも確認された。帯電防止剤濃度を０．６％と
してサイクル時間２０秒で標準成形及び過酷成形条件で
成形したサンプルでは、表面抵抗率が１．７４（表１）
から０．３３（表２）に低下した。これらの結果は、表
面抵抗率に対する成形条件の影響、並びに帯電防止剤の
表面移行能力が温度及びサイクル時間に依存することを
明瞭に示している。

【００３４】例６使用した帯電防止剤が竹本油脂株式会社から入手した先
行技術のスルホン酸ホスホニウムであるＥＰＡ−２０２
であることを除いて、実施例４を繰り返した。ＥＰＡ−
２０２の組成物は次の式を有しており、米国特許第４９
４３３８０号に記載された帯電防止組成物である。

【００３５】

【化１０】

【００３６】結果を次に示す。

【００３７】

【表３】

【００３８】本発明の帯電防止剤（実施例１のノナフル
オロ−１−ブタンスルホン酸テトラブチルホスホニウ
ム）が先行技術のスルホン酸ホスホニウムＥＰＡ−２０
２よりも格段に低い濃度においてそれより優れた帯電防
止性を有することが分かる。表面抵抗率が低いほど添加
剤の帯電防止性は優れている。先行技術の添加剤の濃度
が２．０％のときの抵抗率は、本発明の帯電防止剤の濃
度がほんの０．８％のときに等しい。また、ＥＰＡ−２
０２が粘稠な黄色オイルで黄色度指数を増大させるのに
対して、実施例１の帯電防止は白色固体であって、粘稠
オイルよりも粉末の優れた分散体が得られる。

【００３９】さらに、ＭＶＲで測定した通り、本発明の
組成物のメルトフローは基本的に影響されない。１．５
％という濃度（表１）であっても、ＭＶＲは添加剤を全
く含まない組成物の値を僅かに上回るにすぎない。表３
の先行技術の帯電防止剤では濃度が１．５％のときＭＶ
Ｒは添加剤なしの場合のほぼ２倍である。これは先行技
術の添加剤が可塑剤として作用していることを実証して
おり、機械的性質に（とりわけ芳香族ポリカーボネート
樹脂において）重大な悪影響をもつ。

【００４０】実施例７２０℃の塩化メチレン中で測定した固有粘度が約０．４
２ｄｌ／ｇ（デシリットル／グラム）の高流動性芳香族
ポリカーボネート樹脂を、実施例４と同一の条件下で溶
融混練し、射出成形した。ただし、この実施例で成形し
たのはコンパクトディスク（ＣＤ）ブランクであった。

【００４１】上記の通り組成物中に存在する帯電防止剤
の濃度に応じてポリカーボネート含有量を変えて、３種
類の組成物及び３組のＣＤ（１組成物当たり１０枚）を
製造した。各組成物は同量の離型剤及び安定剤を含んで
いた。サンプルＣＤブランクの透明度、色及び静電荷を
調べた。各ＣＤブランクを成形後直ちにＳＩＭＣＯ社製
の較正ハンドヘルドフィールドメーターを用いて静電荷
を測定した。得られた結果は次の通りである。

【００４２】

【表４】

【００４３】上記の結果は、非常に高流動性のグレード
において、透明度及び色に影響を与えずに卓越した帯電
防止性が得られることを明瞭に示している。０．５％の
帯電防止剤を含む組成物は吸塵試験で全く埃を引きつけ
なかった。０．３％の帯電防止剤を添加した場合、帯電
防止剤を全く添加しなかった参照試料に比べて多大な改
善がみられた。

【００４４】実施例８実施例２及び３（式（５）及び（６））のフッ素化スル
ホン酸ホスホニウムの帯電防止性を次のようにして測定
した。まず、帯電防止剤を２０℃の塩化メチレン中で測
定した固有粘度が約０．４６ｄｌ／ｇ（デシリットル／
グラム）の透明芳香族ポリカーボネート樹脂と二軸押出
機で約２８５℃の温度にて溶融混練し、ダイオリフィス
を通して押出してストランドとし、水中急冷した後ペレ
ット化した。ペレットは約１２５℃で約２時間乾燥し
た。単軸射出成形機を用いて上記乾燥ペレットを射出成
形温度約２８５℃にて約１０ｃｍ四方の約２．５ｍｍ厚
の板に射出成形した。明らかに、射出成形バレルの全体
にわたっての温度プロフィールは約２８５℃という極限
まで変化した。この実施例では、バレル温度は約２０℃
から約２８５℃まで変化した。表５に示す各組成物は上
記に述べた同一条件下で製造したもので、各組成物中に
存在する帯電防止剤の濃度に応じてポリカーボネート濃
度が変わる。各組成物は同量の離型剤、ＵＶ吸収剤、安
定剤、酸化防止剤及び染料を含んでおり、それらの合計
量は使用したポリカーボネートの約０．８重量％であっ
た。得られた結果は次の通りである。

【００４５】

【表５】

【００４６】以上の例から明らかな通り、本発明の帯電
防止組成物を用いると、例６に記載した先行技術のＥＰ
Ａ−２０２に比べて少ない添加量でも、成形板の表面抵
抗率が低いことを明瞭に示している。さらに、ＥＰＡ−
２０２では、過酷な成形条件を用いると激しい黄変が起
きたのに対して、本発明の新規合成帯電防止組成物では
そうした黄変は観察されなかった。また、ＥＰＡ−２０
２がＭＶＲ値の増大にみられるようにポリカーボネート
に対する可塑剤とみなされるのに対して、本発明のフッ
素化スルホン酸ホスホニウムでは流動性に基本的に何の
変化もみられなかった。

【００４７】本発明において、本願特許請求の範囲に規
定する発明の思想及び範囲を逸脱することなく、上記に
記載した実施形態に様々な変更を加えることは当業者が
なし得るものと理解される。

フロントページの続き (72)発明者シーオドラス・ランバータス・ホウクスオランダ、4613、エーエス・ベルゲン・オプ・ゾーム、ハルスタースウェグ、303番

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】多置換ホスホニウム化合物のハロゲン化
炭素スルホン酸塩を含んでなる帯電防止剤と熱可塑性樹
脂とを混合してなる帯電防止熱可塑性樹脂組成物であっ
て、該ホスホニウム化合物が当該熱可塑性樹脂組成物か
ら成形した物品に帯電防止特性を賦与するのに充分な量
で存在する熱可塑性樹脂組成物。
【請求項２】前記帯電防止剤が多置換ホスホニウム化
合物のフッ素化炭素スルホン酸塩である、請求項１記載
の組成物。
【請求項３】前記熱可塑性樹脂が、芳香族ポリカーボ
ネート、ポリエーテルイミド、ポリエステル、ポリフェ
ニレンエーテル、ポリフェニレンエーテル／スチレンポ
リマーブレンド、ポリアミド、ポリケトン、アクリロニ
トリル−ブタジエン−スチレン、これらのブレンド並び
にこれらと他の物質とのブレンドからなる群から選択さ
れる、請求項１記載の組成物。
【請求項４】当該熱可塑性樹脂組成物が、熱可塑性樹
脂と添加剤の重量を基準にして９０〜９９．９５重量％
の熱可塑性樹脂とそれに応じた１０〜０．０５重量％の
帯電防止剤とを含んでなる、請求項１記載の組成物。
【請求項５】前記多置換ホスホニウム化合物のフッ素
化炭素スルホン酸塩が次式のフッ素化スルホン酸ホスホ
ニウム化合物である、請求項２記載の組成物。【化１】式中、ｎは０〜１８の整数であり、Ｒ₁、Ｒ₂及びＲ₃
は同一であって各々炭素原子数１〜８の脂肪族炭化水素
基及び炭素原子数６〜１２の芳香族炭化水素基から基本
的になる群から選択されるものであり、Ｒ₄は炭素原子
数１〜１８の炭化水素基である。
【請求項６】前記フッ素化スルホン酸ホスホニウム化
合物が次式のものである、請求項５記載の組成物。【化２】
【請求項７】前記熱可塑性樹脂が透明芳香族ポリカー
ボネートである、請求項５記載の組成物。
【請求項８】次式の帯電防止化合物。【化３】式中、Ｘは少なくとも１つのＸがハロゲンであることを
条件にしてハロゲン及び水素から基本的になる群から独
立に選択されるものであり、ｎ、ｍ及びｐは０〜１２の
整数であり、Ｙは無いか或いは原子環の炭素以外の複素
環原子或いは窒素、酸素、イオウ、セレン、リン、ヒ素
などからなる群から選択されるものであり、Ｒ₁、Ｒ₂
及びＲ₃は同一であって各々炭素原子数１〜８の脂肪族
炭化水素基及び炭素原子数６〜１２の芳香族炭化水素基
から基本的になる群から独立に選択されるものであり、
Ｒ₄は炭素原子数１〜１８の炭化水素基であり、ハロゲ
ンは臭素、塩素、フッ素及びヨウ素から基本的になる群
から独立に選択される。
【請求項９】Ｘがフッ素である、請求項８記載の化合
物。
【請求項１０】ｎが３で、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃及びＲ₄
が各々炭素原子数４のアルキル基であり、Ｙが無く、ｍ
及びｐが０である、請求項９記載の化合物。