JP3893023B2 - 半導体製造排ガスの処理方法及び装置 - Google Patents
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Description
本発明は、排ガスの処理に係り、特に、半導体製造装置から排出される排ガスから有害成分を除去する方法及び装置に関する。
従来の技術
現在の半導体製造産業では、シリコンウェハのドライエッチング及びチャンバークリーニング等の工程でCF4、CHF3、C2F6、Cl2、HBr、HCl、BCl3、ClF3等、またシリコンウェハのCVD工程でテトラエトキシシラン(以下、TEOSという)、NH3、SiH2Cl2等が使用されている。これらの工程の排ガスには、上記の末反応ガスの他、SiF4、F2、HF、SiCl4、CH3CHO、CH3OH、C2H5OH等の分解生成物も含まれており、そのまま排出できないものなので、除害装置により有害成分を除去した後に排出されている。
除害装置には大きく分けて、固形吸着剤を用いる乾式のものと、薬液を用いる湿式のものとがある。
従来の半導体製造排ガスの除害装置には次のような問題点がある。
(乾式の場合)
一般的に処理性能が高く、除害出口の有害成分濃度を作業環境許容濃度以下にすることができるが以下の問題点がある。
(1)固形吸着剤が消耗するたびに交換する必要があり、ランニングコストが高い。
(2)固形反応生成物を含む排ガスの場合、閉塞が生じる場合がある。
(3)使用済吸着剤は有害成分を高濃度に濃縮しているので、処理に手間とコストがかかる。また、高濃度に濃縮しているので、発熱等のトラブルが起こる場合がある。
(湿式の場合)
一般的にランニングコストは安価であるが、以下の問題点がある。
(1)一般の湿式の場合、処理性能が低く、除害出口で有害成分を作業環境許容濃度以下にすることが難しい。また、処理対象成分が少ない。
(2)一般の湿式の場合、処理装置の後段で固体の反応生成物(NH4Cl、SiO2、B2O3等)が生成され、閉塞を起こす場合がある。
(3)一般の気泡塔の場合、排ガス流入側が正圧になり、上流側真空ポンプ等に高負荷を与える場合がある。
(4)ジェットスクラバ式の場合、循環ポンプにて固形生成物に上るトラブルを起こす場合がある。
そして、これらの除害装置は、クリーンルームの内部に設けられることがあるので、除害装置がクリーンルームの汚染源になってはならないという制約もある。
本発明の概要
本発明は、上記問題点を解消し、排ガス中の有害成分の除去率を高く保ち、固形生成物による閉塞を抑制でき、ランニングコストが安価な半導体製造排ガスの処理方法と装置を提供することを課題とする。
本発明の一側面では、通気攪拌槽中のアルカリ性水性液を攪拌しつつ、排ガスをアルカリ性水性液に導入する工程と、通気攪拌槽から排出されるガスから更に有害ガスを除去する工程と、を有することを特徴とする排ガスの処理方法が提供される。
本発明において、前記除去工程が、通気攪拌槽から排出されるガスを水性液に接触させる工程を有することが好ましい。あるいは、前記除去工程が、通気攪拌槽から排出されるガスを薬剤を充填した充填塔に導入させる工程を有することが好ましい。あるいは、前記除去工程が、通気攪拌槽から排出されるガスを水性液に接触させる工程と、通気攪拌槽から排出されるガスを薬剤を充填した充填塔に導入させる工程と、を有することが好ましい。
前記アルカリ性水性液がアルカリ金属元素を含まない水溶液であり、前記水溶液のpHが7.1〜10であることが好ましい。
また、通気攪拌槽から排出されるガスが、ガス移動装置により移動させられることが好ましい。ガス移動装置としては、気液接触装置又は充填塔の下流に設けられるガス吸引器が挙げられる。しかし、ガス移動装置として、気液接触装置又は充填塔の上流にファン等を設けても良い。
半導体デバイス製造装置から排ガスを放出する工程を更に有し、この排ガスを上記導入工程で上記アルカリ性水性液に導入することが好ましい。
本発明の他の側面では、アルカリ性水性液を攪拌しつつ、排ガスをアルカリ性水性液に導入するための通気攪拌槽と、前記通気攪拌装置から排出されたガスを水性液に接触させるための気液接触装置、及び、前記通気攪拌装置から排出されたガスを通すための、薬剤を充填した充填塔の少なくとも一方と、を有する排ガスの処理装置が提供される。
本発明において、前記気液接触装置を有することが好ましい。あるいは、本発明において、前記充填塔を有することが好ましい。あるいは、前記気液接触装置及び前記充填塔を有することが好ましい。
また、通気攪拌槽を通過したガスを移動させるための、ガス移動装置を更に有することが好ましい。
更に、半導体デバイスの製造装置から排出される排ガスを前記通気攪拌槽に導入するための通路を有することが好ましい。
本発明では、通気攪拌槽で、HCl、HF等の酸性ガス、テトラエトキシシリコン等の有機シリコン化合物、BCl3、SiCl4等の無機ハロゲン化合物が除去される。
そして、本発明では、通気攪拌槽で除去しきれない有害ガス、例えば、アンモニア、アミン等のアルカリ性ガス、エタノール、アセトアルデヒド等の水溶性有機化合物、SiCl4等のハロゲン化シリコン化合物、F2、Cl2等のハロゲンガス等を後段の気液接触装置又は充填塔で除去することができる。また、微量の酸性ガス、例えば、HCl、HF等がアルカリ性水性液を通過する場合があるので、このような微量の酸性ガスも後段で除去することができる。
気液接触装置は、特に、水溶性有機化合物、酸性ガス、アルカリ性ガスを除去するのに適している。一方、薬剤を充填した充填塔は、特に、ハロゲン化シリコン化合物、ハロゲンガス等を除去するのに適している。
なお、本発明では、CF4、CHF3、C2F6等の有機フッ素化合物を除去することを目的としていない。これらの有機フッ素化合物は、化学的に安定であり、半導体製造を格別に阻害しないからである。
本発明では、半導体製造排ガスを、アルカリ性溶液と接触させて有害成分を除去する排ガスの処理方法において、前記排ガスとアルカリ性溶液の接触を通気撹拌槽で行い、該接触させた後のガスを更に水と接触させると共に、これらのガスと溶液との接触を後段でのガス吸引によって行ってもよい。
また、本発明では、半導体製造排ガスを、アルカリ性溶液と接触させて有害成分を除去する排ガスの処理装置において、前記排ガスとアルカリ性溶液を接触させる通気撹拌槽と、該撹拌槽からの排ガスを水と接触させる気液接触装置とを設置し、それらの装置の後段にガスを吸引するガス吸引器を設けてもよい。
前記本発明においては、排ガスを水と接触させる前又は後に、薬剤を充填した充填塔で排ガスを薬剤と接触させることができ、また、前記アルカリ性溶液は、アンモニア又はアミン等のアルカリ金属元素を含まない水溶液を用い、そのpH値は7.1〜10、特に8.0〜9.5とするのが良い。
発明の好ましい実施態様
次に、本発明を図面を用いて詳細に説明する。
図1〜図3に、本発明の半導体製造排ガスの処理装置の全体構成図を示す。
図1〜3において、1は半導体製造排ガス、2はオーバフロー管、3はアルカリ液、4は洗浄液(アルカリ性溶液)、5は通気撹拌槽、6はアルカリ処理排ガス、7は気液接触装置、8は水、9及び16はデミスタ、10は排水管、11は充填塔、12は吸引器、13は処理ガス、14はpH測定器、15は水である。
先ず、図1を用いて本発明を説明する。
図1は、充填塔11を設けていない例であり、半導体製造排ガス1は、まず水15又はアルカリ溶液3でpH7.1から10望ましくはpH8.0から9.5に調整したアルカリ性の洗浄液4と通気撹拌槽5において接触される。ここで大部分の除去成分は洗浄液に吸収除去される。
アルカリ性水性液では、例えば、下記の反応により、化合物が加水分解する。
2BCl3+3H2O → B2O3+3HCl
Si(OC2H5)4 +2H2O → SiO2 + 4C2H5OH
SiCl4 +2H2O → SiO2 + 4HCl
また、HF、HCl、HBr等の酸性ガスはアルカリ性水性液に吸収される。
アルカリ溶液としては、通常のアルカリ性物質の水溶液が使用できるが、水酸化ナトリウムや水酸化カリウムに含まれるNaやK等のアルカリ金属元素は半導体製造において極く微量でも有害成分として作用するので、できれば、アンモニア、アンモニアの炭酸塩、アンモニアの燐酸塩、アミン等のアルカリ金属元素を含まないアルカリ液を使用するのが好ましい。
通気撹拌槽5としては、図4(a)及び図4(b)に記載のような、液中で撹拌羽根を高速回転させてガスを分散させるものが使用できる。通気攪拌槽は、アルカリ性液を保持するための槽と、アルカリ性液を攪拌するための攪拌手段と、排ガスをアルカリ性液中に導入するための排ガス導入部とを有することが好ましい。攪拌手段は、例えば、モータと、モータに回転可能に連結する軸と、軸に固定される羽根とを有する。排ガスは、排ガス導入部の出口からアルカリ性液中に導入される。この排ガス導入部の出口は、攪拌手段の羽根の近傍であることが好ましい。
図4(a)、図4(b)、図5(a)及び図5(b)において、17はモーター、18は撹拌羽根、19はガス導入直管、20は邪魔板、21は多孔管、22は充填物、23はスプレーノズル、24は水洗浄された排ガス、25は空気である。
図4(a)は、モーター17に直結された、円盤状の円周部に直角タービン羽根を2枚以上付けた撹拌羽根18(ディスクタービン羽根)を液中で高速回転させ、その撹拌羽根のすぐ直下より直管19にてガスを導き、撹拌羽根のせん断力にて微細気泡にし液中にガス分散させるものであり、また、その撹拌羽根は液中での気泡の滞留時間と撹拌羽根のせん断力を増すため、上下2段に設置し高速回転させることが好ましい。
図4(b)は、モーター17に直結された、円盤状の円周部に直角タービン羽根を数枚付けた撹拌羽根18(ディスクタービン羽根)を液中で高速回転させ、その撹拌羽根のすぐ直下よりガスを多孔管21にて微細化した状態で導き、さらにその真上に設置の撹拌羽根のせん断力にてより微細気泡にし液中にガス分散させるものである。なお、20は邪魔板である。
このように、本発明で通気撹拌槽を用いている理由を以下に説明する。
一般に広く使用されている充填塔等の液分散型湿式吸収装置で、高濃度の酸性ガスをアルカリ液で処理した場合には、中和反応によって生成した塩を含むミストが発生する。たとえば、HCl含有ガスをアンモニア水を中和液に用いて処理すると、NH4Clを含むミストが発生する。また、水酸化ナトリウムを中和液に用いた場合には、NaClを含むミストが発生する。また、BCl3やSiF4を湿式処理した場合には、これらの加水分解生成物であるB2O3やSiO2を含むミストが発生する。これらの生成物は、処理装置後段に堆積し、閉塞等のトラブルを起こす場合があるので、発生を加える必要がある。
これらのミストは、吸収装置内に存在する洗浄液の微粒子や、洗浄液から揮発する成分(たとえば水分子やアンモニア分子)と、処理対象成分が反応することによって生成すると考えられる。一般に、気体分子の拡散係数が10−5m2/secのオーダーであるのに対して、このようなミストの拡散計数は10−3〜10−11m2/secのオーダーであると言われており、拡散速度が極めて遅い。
一般に湿式吸収装置では、処理対象成分が液に溶解する結果、気液界面の気相濃度が低下し、近傍の気相に濃度勾配が生じる。この濃度勾配によって処理対象成分が拡散輸送され、処理対象成分の液への溶解が促進される。拡散による輸送量は、処理対象成分の拡散係数に比例する。ところが、上述のようにミストの拡散係数は、気体分子に比べて格段に小さいため、拡散による輸送量が格段に小さくなる。このため、ミスト成分の液膜への溶解速度が遅く、十分な除去性能が得られない。
したがって、発生したミストを液への溶解によって十分に除去するためには、拡散輸送以外の機構でミストの溶解を促進する必要がある。
このため本発明では、液中の気泡を撹拌羽根で破砕して気液界面の更新を促進し、気液界面気相のミスト濃度を高く保つことにより、溶解を促進し高い除去性能を得ることのできる装置としたものである。
次いで、通気撹拌槽5を出たガス6には、主に除去しきれなかった処理対象成分、また揮発性アルカリ液を使用した場合にはアンモニア、アミン等が含まれるので、適当な気液接触装置7で水8と接触させ、続いてデミスタ9で液滴が除去される。
ここで使用される気液接触装置としては、公知のものがいずれも使用できるが、例えば図5(a)、図5(b)に記載のようなもので良い。
図5(a)は、内部にラシヒリング22を充填した充填塔を示す。ラシヒリング22の上部より水8を充填物の上面に噴射させ、ガス6はその充填ゾーンを通過する際、気液接触される。
図5(b)は、内部にスプレーノズル23を設置したシャワー塔を示す。スプレーノズル23の先端から水8が水膜状に噴射されガスはその水膜を通過する際、気液接触される。
気液接触後の水は排水管10から排出される。ここでアンモニア、アミン等はほとんど吸収され、作業環境許容濃度以下になる。
処理ガスは、吸引器12を通り装置から処理済みガス13として排出される。使用できる吸引器12としては、高圧空気又は水をノズルより噴射させ、そこで発生する吸引力にて2次側を吸引負圧にするエジェクタ式の吸引器、ファン、水封ポンプ等がある。
なお、吸引器は必須ではなく、2次側を負圧にする代わりに、1次側を正圧にしてもよい。例えば、1次側にファンを設けて、ガスを送気してもよい。
洗浄液4は、処理により消費され除去効率が低下する。そこで必要に応じて、pH電極14で常時pHを測定し、規定のpHを下回った場合には、薬注ポンプによりアルカリ液3を洗浄液に注入することが好ましい。
また、排ガス中の成分と水又はアルカリ液との反応生成物が洗浄液中に蓄積し、除去率の低下や生成物の析出を起こすことがある。そこで、一定量の水15を添加しながらオーバーフロー管2から洗浄液を排出して、生成物の蓄積を防ぐことが好ましい。
通気撹拌槽5としては、前記において、ディスクタービン型羽根を回転させ、そのせん断力にてガスを分散化し、その羽根を上下2段に設置することにより更にせん断力をつけ、かつガスの洗浄液中での滞留時間を長くさせるものについて説明したが、それ以外でも、充分な気液接触効率を得ることができるものならば、いかなる撹拌羽根でもかまわない。
気液接触装置7は、充分な気液接触効率が得ることができ、また吸引器12は流入排ガス1の圧力状態が常時負正に保たれるものであれば、前記以外のいかなる形式のものでもかまわない。
図2及び図3は、図1にさらに薬剤を充填した充填塔11を設けたものであり、図2では、気液接触装置7の後段に、また、図3では気液接触装置7の前段に充填塔11を設けたものである。
図2では、図1の処理で除去しきれなかった処理対象成分が残存する場合、適当な薬剤を充填した充填塔11で作業環境許容濃度以下に吸着除去させている。
図3では、通気撹拌槽5を出てデミスタ16で液滴除去されたガス6には、主に除去しきれなかった処理対象成分、また揮発性アルカリ液を使用した場合にはアンモニア、アミン等が含まれるので、このガス6を、まず適当な薬剤を充填した充填塔11に通し、処理対象成分を作業環境許容濃度以下に吸着除去させる。ここで殆どの通気撹拌槽5で除去しきれなかった処理対象成分は除去されるが、アンモニア、アミン等が残存する場合がある。そこで、つぎにガスは適当な気液接触装置7で水8と接触され、アンモニア、アミン等はほとんど水に吸収され、処理ガスは、吸引器12を通り装置から処理済みガス13として排出される。
充填塔に充填する薬剤としては、(A)アルカリ添着活性炭等の活性炭、(B)Cu、Mn、Fe、Znなどの金属元素の酸化物から選ばれた1種以上の金属酸化物、(C)陰イオン交換樹脂、(D)ソーダライムが使用できる。(A)アルカリ添着活性炭はSiF4、NO2、Cl2、NH4Clなどの除去に効果があり、(B)金属酸化物はSiF4、NO2、NH4Clなどの除去に効果がある。金属酸化物としては、例えば、Cu−Mn複合酸化物、Fe2O3等の遷移金属の酸化物が好適に用いられる。(C)陰イオン交換樹脂はSiF4、Cl2、NH4Clなどの除去に効果がある。陰イオン交換樹脂は、第四アンモニウム基を有することが好ましい。また、陰イオン交換樹脂に限られず、所望により陽イオン交換樹脂単独、又は陽イオン交換樹脂と陰イオン交換樹脂との双方を使用してもよい。ソーダライムとしては、例えば、Na2CO3からなる粉体にNaOHからなる被膜が形成されたものが用いられる。
図6は、通気攪拌槽5と、その下流に配置された、薬剤を充填した充填塔11とを有する装置を示す。図6の装置には、気液接触装置7が設けられていない。図6の装置では、通気攪拌槽5には、アンモニア以外のアルカリ性溶液を用いることが好ましい。薬剤を用いるときには、アンモニアの除去に限界がある場合があるからである。もっとも、充填塔に適当な陽イオン交換樹脂を使う場合には、アンモニアも除去することができる。
薬剤を充填した充填塔により、SiF4等のハロゲン化ケイ素化合物、F2、Cl2等のハロゲンガスを除去することができる。
薬剤を充填した充填塔としては、従来の充填塔を用いることができる。例えば、1998年4月10日に出願された国際出願、PCT/JP98/01653、「排ガス中の窒素酸化物の除去方法」に記載された充填塔を用いることができる。また、1998年6月16日に日本国特許庁に出願された特願平10−168572号、「無機ハロゲン化ガスを含有する排ガスの処理方法」に記載された充填塔も用いることができる。国際出願 PCT/JP98/01653、及び、日本国特許出願 特願平10−168572号の開示は、本願に援用される。
実施例
以下、本発明を実施例により具体的に説明する。
実施例1
図2に示す処理装置を用いて、半導体製造用Alエッチング装置から排出される排ガスを処理した。半導体排ガスの流量は40リットル/minである。
半導体排ガス1は、まずアンモニア水3でpH8.5〜9.5に調整された水4が満たされた通気撹拌槽5に導入され、モーター17で回転する撹拌羽根18によって微細化されて水4と接触される。撹拌羽根18の回転速度は600rpmとした。水4内に生成物が蓄積するのを防ぐために3リットル/minの水15を通気撹拌槽内に導入し、同量のブローダウン排水2を排水した。このブローダウン排水のpHをpH電極14で常にモニターし、pHが9を下回った時点でアンモニア水3を注入した。
通気撹拌槽を出た通気撹拌槽出口ガス6は、水シャワー7に通され、スプレーノズル23から噴霧される5リットル/minの水8と接触させた。接触後の水は、水シャワー排水1.0として排出した。スプレーノズル23から噴霧される水が、後段へ飛散するのを防止するために、水シャワーの出口にはデミスター9を設置した。水シャワーを出た水シャワーの出口ガス24は、充填塔11へ導入した。充填塔11には10リットルの陰イオン交換樹脂を充填した。充填塔を出た充填塔出口ガスは、空気25によって駆動される空気エジェクター12に導入され、処理済ガス13として排出される。空気25の導入量は40リットル/minとした。
以上のような構成でガス処理を行い、半導体排ガス1、通気撹拌槽出口ガス6、水シャワー出口ガス24、処理済ガス13を分析した。この結果を表1に示す。
比較のために、pH調整のためにアンモニア水を用い、ラシヒリングを充填剤に用いた充填塔式スクラバーで同じ排ガスを処理した。その他の条件は実施例と同じである。この処理結果を表に示す。
排ガスに含まれていた、BCl3、Cl2、AlCl3は各段の処理を受けることによって、処理済ガス中のこれらの成分の濃度は、いずれも検出限界以下であった。また、処理の過程で発生するNH 3 、B2O3、NH4Clのような成分も、水シャワーや、吸着塔によって検出限界以下まで処理されている。
充填塔スクラバーで処理した場合、B2O3、NH4Clがそれぞれ300mg/m3、400mg/m3リークした。これに対して、通気撹拌槽で処理した場合にはB2O3、NH4Clのリーク濃度はそれぞれ15mg/m3、20mg/m3であり、充填塔スクラバーに比べて1オーダー以上低かった。
実施例2
処理を、継続して1ケ月間行ったが、半導体排ガスに含まれる固形物による装置内の閉塞や発熱等のトラブルは起こらなかった。また、処理終了後装置出口のダクト内の点検も行ったが、B2O3やNH4Cl等の粉体の付着は認められなかった。
実施例3
実施例1に示したような構成において、空気エジェクタ12に導入する空気25の流量を変化させた場合の装置入口圧力の変化を表2に示す。空気導入量を増すにしたがって、入口圧力は低下し、40リットル/min導入すると入口圧力は−150mmAqに達した。
実施例4
図3に示す処理装置を用いて、半導体製造用Alエッチング装置から排出される半導体排ガスの処理を行った。排ガスの流量は120リットル/minである。
半導体排ガス1は、まずアンモニア水3でpH8.5〜9.5に調整された水4が満たされた通気撹拌槽5に導入され、モーター17で回転する撹拌羽根18によって微細化されて水4と接触される。撹拌羽根18の回転速度は600rpmとした。水4内に生成物が蓄積するのを防ぐために3リットル/minの水15を通気撹拌槽内に導入し同量のブローダウン排水2を排水した。このブローダウン排水のpHをpH電極14で常にモニターし、pHが9を下回った時点でアンモニア水3を注入した。
通気撹拌槽を出た通気撹拌槽出口ガス6を、充填塔11へ導入した。充填塔には10リットルの陰イオン交換樹脂を充填した。充填塔を出た充填塔出口ガスは、水シャワー7に通され、スプレーノズル23から噴霧される5リットル/minの水8と接触させた。接触後の水は水シャワー排水10として排出した。スプレーノズル23から噴霧される水が後段へ飛散するのを防止するために、水シャワーの出口にはデミスター9を設置した。水シャワーを出た水シャワーの出口ガス24は、空気25によって駆動される空気エジェクター12に導入され、処理済ガス13として排出される。空気25の導入量は90リットル/minとした。
以上のような構成でガス処理を行い、半導体排ガス1、通気撹拌槽出口ガス6、充填塔出口ガス、処理済ガス13を分析した。この結果を表3に示す。
排ガスに含まれていた、BCl3、Cl2、AlCl3は各段の処理を受けることによって、処理済ガス中のこれらの成分の濃度は、いずれも検出限界以下であった。また、処理の過程で発生するNH3、B2O3、NH4Clのような成分も、水シャワーや、充填塔によって検出眼界以下まで処理されている。
本発明によれば、次のような効果を奏することができる。
(1)上述のように本処理方法では、通気撹拌槽を初段に採用することにより、処理対象成分と水又はアルカリ液との反応生成物が後段にリークすることを防止し、生成物によるトラブルを低減できる。
(2)後段に充填塔を装備すれば、処理性能は乾式並みになる。
(3)充填塔を装備する場合でも、処理対象成分の大部分は湿式処理段で除去される為、充填塔は非常に小型で済み、かつライフも長いので、交換にかかる手間やランニングコストが著しく低減される。
(4)充填塔に濃縮される有害物は少量であるため、発熱等のトラブルが起こりにくく、使用済み薬剤の安定化も容易である。
(5)通気撹拌槽のガス流入圧力は正圧となるが、後段に吸引器を設置することで、上流側の真空ポンプの負荷を低減できる。
【図面の簡単な説明】
図1は、本発明の処理装置の一例を示す全体構成図である。
図2は、本発明の処理装置の他の例を示す全体構成図である。
図3は、本発明の処理装置の別の例を示す全体構成図である。
図4(a)及び図4(b)は、本発明で用いる通気撹拌槽の断面図である。
図5(a)及び図5(b)は、本発明で用いる気液接触装置の断面図である。
図6は、本発明の処理装置の別の例を示す全体構成図である。
Claims (12)
- 撹拌羽根を有する撹拌装置を具備する通気撹拌槽中のアルカリ金属元素を含まないpHが8.0〜9.5であるアンモニア又はアミンを含むアルカリ性水性液を該撹拌羽根で撹拌しつつ、半導体製造装置から放出される排ガスを該撹拌羽根の直下の位置で該アルカリ性水性液に導入する工程と、
導入された排ガスを該撹拌羽根の剪断力によって微細気泡にして該アルカリ性水性液中に分散させる工程と、
該通気撹拌槽において発生したNH3、B2O3、NH4Clを除去するため、該通気撹拌槽から排出されるガスを水性液に接触させる工程及び該通気撹拌槽から排出されるガスを陰イオン交換樹脂を充填した薬剤充填塔に導入して陰イオン交換樹脂と接触させる工程と、
を含むことを特徴とする排ガスの処理方法。 - 前記通気撹拌槽から排出されるガスを水性液に接触させた後に、薬剤と接触させる、請求項1に記載の排ガスの処理方法。
- 前記通気撹拌槽から排出されるガスを水性液に接触させる前に、薬剤と接触させる、請求項1に記載の排ガスの処理方法。
- 前記通気撹拌槽中のアルカリ性水溶液のpHが9を下回る際に、該通気撹拌槽にアルカリ性水溶液を供給する、請求項1に記載の排ガスの処理方法。
- 前記通気撹拌槽から排出されるガスが、ガス移動装置により移動させられる請求項1〜4の何れかに記載の排ガスの処理方法。
- 撹拌羽根を有する撹拌装置と、該撹拌羽根の直下の位置に半導体製造装置から放出される排ガスを導入する排ガス導入管とを具備する、アルカリ金属を含まないpHが8.0〜9.5であるアンモニア又はアミンを含むアルカリ性水性液を貯留する通気撹拌槽と、
前記通気撹拌槽において発生したNH3、B2O3、NH4Clを除去するため、前記通気撹拌槽から排出されたガスを水性液に接触させ気液接触装置及び陰イオン交換樹脂を充填した薬剤充填塔と、を具備する排ガスの処理装置。 - 前記通気撹拌槽を通過したガスを気液接触装置及び薬剤充填塔まで移動させるためのガス移動装置を更に具備する請求項6に記載の排ガスの処理装置。
- 前記気液接触装置及び前記薬剤充填塔の後段に、排ガスを吸引するためのガス吸引器を更に具備する請求項6又は7に記載の排ガスの処理装置。
- 半導体デバイスの製造装置から排出される排ガスを前記通気撹拌槽に導入するための通路を更に有する請求項6〜8の何れかに記載の排ガスの処理装置。
- 前記通気撹拌槽内のアルカリ性水性液のpHを測定するpH電極を更に具備する請求項6〜9のいずれかに記載の排ガスの処理装置。
- 前記通気撹拌槽にアルカリ水性液を供給するラインを更に具備する請求項6〜10のいずれか1項に記載の排ガスの処理装置。
- 前記通気撹拌槽からアルカリ性水性液をオーバーフローさせるラインを更に具備する請求項6〜11のいずれか1項に記載の排ガスの処理装置。
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