TW460311B - Method and apparatus for treating waste gas of semiconductor fabrication - Google Patents

Description

46031 Ιι _案號871Π195_V年 /月 > 日 修正 _： 五、發明說明（1) [發明所屬之技術領域] 本發明係關於一種排氣之處理，尤其是關於從丰導體. 製造裝置所排出的排氣中除去有害成份的方式及裝置。 [以往之技術] 在現在之半導體製造產業中，矽晶圓之乾式蝕刻及小 室之清潔等之步驟中，使用CF4、CHF3、C2Fe、{:12、HBr、 HC1、BCL3、CLF3等；又，在矽晶圓之CVD步驟中使用四乙 氧基矽烷（以下簡稱為TE0S)、NH3、8丨112(：12等。該等步驟 之排氣中，除了上述之未反應氣體之外，還含有Si F4、 F2、HF、SiCL4、CH3CH0、CH30H、C2H50H等之分解生成物， 係不能直接排出的氣體，因此需要用除害裝置來除去有害 成分之後排出之。 除害裝置可分為使用固形吸著劑的乾式者，及使用藥 液之濕式者。 以往的半導體製造排氣之除害裝置具有下述的問題 (乾式時） —般而言，其處理性能高，可使徐害出口之有害成分 濃度成為作業環境容許濃度以下，但具有下述之問題點。 (1) 每有固形吸著劑消耗時，有更換的必要，運轉成本 高。 (2) 含有固形反應生成物之排氣時，有時會發生堵塞的情 形。 (3)用完之吸著劑係將有害成分高濃度地濃縮，處理上

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第4頁 Λ 6 Ο 31 & 87117195 年 /月 > 日 修正___ 五、發明說明（2) 時及成本高。又，因高濃度地濃縮的關係，有發熱等 之間題存在。 (濕式時） 一般而言，運轉成本較低，但有下述之問題點。 (1) 一般的濕式時’其處理性能低，難以在除害出口將有 害成分處理成為作業環境容許濃度以下。又，處理對 象成分較少。 (2) —般之濕式時，在處理裝置之後段生成固體之 成物（NH/L、Si02、B2〇3等），會有發生堵塞的情形 (3) (4) 一般之氣泡塔時’棑氣流入側成為正壓，對上游侧真 空泵等給予高負荷的情形。 喷射擦洗方式時’有會引起由循環泵上升固形生成物 麻煩的情形。 ^ m 係 ’有時候會設在乾淨室内的情形的關 [本發:之概要置]不得成為乾淨室之污染源的限制。 本發明係為解法_ μ Μ 沾古咚本盎*解決上边問題’並保持排氣中之有害成分 的高除去率、抑止因固 廉之半導體製造排氣& 堵塞，提供運轉成本低 本發明之一Ϊ^Ϊ理方法及裝置為其課題。 性水性液予以攪掉之内吐、種’、有在通氣攪拌槽中之鹼 驟，及從通氣攪拌槽所排出 入於鹼性水性液的步 驟為其特徵之棑氣處理方法氣體中再除去有害氣體之步 在本發明中，以前述除去步 攝具有從通氣攪拌槽所排

4· 6 Ο ^ ^ ^ 、 _案號h7117195_V年/月. >..日. 修正 _--_ 五、發明說明（3) 出氣體接觸於水性液的過程為宜。或者’前述除去梦驟具 有將從通氣攪拌槽所排出的氣體導入於填充有藥劑的填充 塔内之步驟為宜。或者，前述除去步驟具有將從通氣攪拌 槽所排出的氣體接觸於水性液之步驟’及通氣攪拌槽所排 出之氣體導入於填充有藥劑的填充塔内之步驟為宜。 前述鹼性水性液係未含有鹼金屬元素的水溶液，前述 水溶液之pH值在7. 1至10之範圍内為宜。 又，從通氣攪拌槽所排出的氣體為由氣體移動裝置移 動為宜。氣體移動裝置為，例如設在氣液接觸裝置或填充 塔之下游的氣體吸引器等。然而，在氣體接觸裝置或在填 充塔之上游設風扇等作為氣體移動裝置也可以。 再具有從半導體裝置製造裝置放出排氣的步驟’將該 排氣在上述導入過程中導入於上述鹼性水性液内為宜。 本發明之另一面，可提供具有：攪拌鹼性水性液之同 時，將排氣導入於鹼性水性液用之通氣攪拌槽，及使前述 通氣攪拌裝置所排出的氣體接觸水性液用之氣液接觸裝置 ’及將前述通氣攪拌裝置所排出的氣體通過之填充藥劑之 填充塔之至少一方之排氣處理裝置。 在本發明中’具有前述氣液接觸裝置為宜。或者，具 有前述填充塔為宜。或者，具有前述氣液接觸裝置及前述 之填充塔為宜。 又’再具有將通過通氣攪拌槽之氣體予以移動用之氣 體移動裝置為宜》 再者’具有將從半導體裝置之製造裝置排出的排氣導

A:\310152.ptc 第6頁 4 6 03Ί _案號87117195 料 /月夂曰 修正_ 五、發明說明（4) 入於t述通氣攪拌槽用之通路為宜。 在本發明中，在通氣攪拌槽内可除去HC1、HF等之酸 性氣體，四乙氧基碎等之破化合物，BCl3、SiCi4等之無機 鹵化合物等。 然後，在本發明中，將無法在通氣攪拌槽内除去的有 害氣體，例如：氨、胺等之鹼性氣體，乙醇、乙醛等之水 溶性有機化合物，SiCl4等之鹵化矽化合物，F2、（：12等之 鹵氣等，可在後段之氣液接觸裝置或填充塔予以除去。又 微量之酸性氣體，例如HC 1、HF等會通過鹼性水性液的情 形，而該等微量之酸性氣體也在後段可以除去。 氣液接觸裝置係尤其是適合於除去水溶性有機化合物 、酸性氣體、鹼性氣體。另一方面，填充有藥劑的填充塔 為，特別適合於除去i化矽化合物、i氣等。 又，本發明中並不是除去CF4、CHF3、C2F6等之有機氟 化合物為目的。因為該等有機氟化合物係化學性穩定而不 會格外地阻害半導體製造的關係。 本發明為，將半導體製造排氣與鹼性溶液接觸而除去 有害成分之排氣處理方法中，在通氣攪拌槽内實行前述排 氣與鹼性溶液接觸，將該接觸後之排氣再與水接觸之同 時，用後段之氣艟吸引來實行與該等溶液之接觸也可以。 又，本發明為，將半導體製造排氣與鹼性溶液接觸而 除去有害成分之排氣處理裝置中，設置使前述排氣與鹼性 溶液接觸之通氣攪拌槽，及設將該之排氣與水接觸之氣液 接觸裝置，在該等裝置之後段設吸引氣體之氣體吸引器也

A:\310152.ptc 第7頁 _案號87117195 供年/月 >日 修正_ 五、發明說明（5) 可以。 在前述發明f，在使排氣與水接觸之前或後，在填充 藥劑之填充塔t使排氣與藥劑接觸，又前述鹼性溶液係使 用氟或胺等之不含鹼性金屬的水溶液，其pH值係7. 1至 10，而尤以8.0至9. 5為宜。 [圖式之簡單說明] 第1圖係顯示本發明之處理裝置之一例之全體構成 圖。 第2圖係顯示本發明之處理裝置之其他例之全體構成 圖。 第3圖係顯示本發明之處理裝置之再其他例之全體構 成圖。 第4a圖及第4b圖係顯示在本發明中所使用之通氣攪拌 槽之刻面圖。 第5a圖及第5b圖係顯示本發明所用氣液接觸裝置之剖 面圖。 第6圖係顯示本發明之處理裝置之其他例之全體構成 圖。 [發明之較佳實施樣態] 茲參考圖式將本發明詳細地說明如下。

A:\310152.ptc 第1圖至第3圖顯示本發明之半導體製造排氣之處理裝 置之全體構成圖。 在第1圖至第3圖中，1為半導體製造排氣，2係溢流管 ，3為鹼液，4為洗淨液（鹼性溶液），5為通氣攪拌槽，6為 第8頁 46031 1 _m 87117195 #年/月 >日 修正 五、發明說明（6) 鹼處理排氣’ 7為氣液接觸裝置，8係水，9及16係除霧 器’ 1 0係排水管’ 11係填充塔，丨2係吸引器，1 3係處理完 氣體，14係pH測定器，1 5為水。 首先用第1圖來說明本發明如下。 第1圖係未設有填充塔11之例。半導體製造排氣1為， 首先水15或鹼溶液3’與調整成為1)117.0至10而以？118至9.5 為佳之鹼性之洗淨液4’在通氣攪拌槽5内接觸之。大部分 之除去成分為在該處由洗淨液吸收而除去。 在鹼性水性液中，化合物為例如以下述之反應而加水 分解之。 2BC13+3H20-^ B2〇3+3HCl Si (0C2H)4 + 2H20— Si02 + 4C2H50H SiCl4 + 2H20— Si02 + 4HC1 又’ HF、HC1，HBr等之酸性氣體係由鹼性水性液所吸 收0 可使用通常之鹼性物質之水溶液作為鹼性溶液，但氮 氧化鈉及氫氧化鉀所含有的Na及K等之鹼性金屬元素為， 在半導體製造中雖然極微量也會作用為有害成分，因此應 用氨、氨之碳酸鹽、氨之燐酸鹽、胺等之未含有 元素之鹼金屬元素為宜 通氣攪拌槽5為可使用如在第4a圖及4b圖所記載之在 液中咼速旋轉撲;拌葉片而分散氣體者。通氣捷掉槽為具有 可使用保持鹼性液用之槽，及攪拌鹼性液用之搜掉裝置及 將排氣導入鹼性液中之排氣導入部用之排氣導入部為宜。

A:\310152.ptc 第9頁 46031 1 -—案號87117195 价年/ ^ > a 倏庀 五、發明說明（7) ~~ --—-— ^拌裝置冑，例如具有馬達，旋轉自如地連接於該馬達之 軸，及固定在軸的葉片。排氣係從排氣導入部之出口導入 於鹼性液中。該排氣導入部之出口為應在搜拌裝置 附近為宜。 第4a囷、第4b圖、第5a圖、及第5b圖中，17為馬達， 18為攪拌葉片，19為氣體導入直管，2〇係擋板，21係多孔 管’ 22係填充物’ 23係噴霧嘴，24係經水洗淨過的排氣， 2 5係空氣。 第4a圖係直接連接於馬達之，將圓盤狀之圓周部安 裝直角滿輪葉片兩枚以上的攪拌葉片18(盤形渦輪葉片）在 液中高速旋轉’在該攪拌葉片之下方用直管19導向氣體， 由授拌葉片之剪斷力成為微細氣泡使氣體分散於液中， 又’其搜拌葉片係為了要増加液中之氣泡之滯留時間及攪 掉葉片之剪斷力起見’設置成為上下兩段而以高速旋轉為 宜。 第4b圖係直接連接於馬達17之，將圓盤狀之圓周部安 裝直角滿輪葉片兩枚以上的攪拌葉片18(盤形渦輪葉片）在 液中高速旋轉，在該攪拌葉片之下方多孔管21導向微細化 的氣體，再在其上面所設置之攪拌葉片之剪斷力成為微細 氣泡使氣體分散於液中。又，2〇係擋板。 將在本發明中使用通氣攪拌槽之理由說明如下。 以一般廣泛使用之填充塔等之液分散型濕式吸收裝置 中’用驗液處理高濃度之酸性氣體時，會發生因中和反應 所生成的含有鹽分霧狀物。舉例來說，用氨水做為中和液

A:\310152.ptc 第10頁 4 6 031 1 〜---~~-87117195_ψ 年 _/j| > 日 修正 五、發明說明（8) 來處理含有HC1氣體時’會發生含有nh4C1的霧狀物。 又使用氫氧化鈉做為中和液時，會發生含有NAC1之霧 狀物。又’濕式處理BC13及Si?4時，會發生含有該等加水 分解生成物之B2〇3及Si 02的霧狀物。該等生成物為堆積在 處理裝置後段’有會發生堵塞等之問題的時候，因此需要 抑止其發生。 該等霧狀物係被認為存在於吸收裝置内之洗淨液之微 粒子及從洗淨液所揮發之成分（例如水分子及氨分子），與 處理對象成分發生反應而生成。一般而言，氣體分子之擴 散係數為1 0-5m2/sec之定制而相對之該種霧狀物之擴散係 數為10-3至lO^inVsec之定制，其擴散速度極慢p 一般而言，濕式吸收裝置中，因處理對象成分溶解於 液的結果，氣液界面之氣相濃度降低，在附近之氣相產生 濃度斜度。由於該濃度斜度而擴散輪送，促進處理對象成 分對液之溶解。藉擴散之輸送量與處理對象成分之擴散係 數成正比。然而如上述霧狀物之擴散係數為相較於氣體分 子特別小的關係’擴散之輸送量特別地小。因此，霧狀物 成份之對液膜之溶解速度較慢，無法得到充分的除去性 能。 因此，將所發生的霧狀物對液之溶解而充分除去的 話，必須要以擴散輪送以外之機構來促進霧狀物之溶解。 因此本發明為，將液中之氣泡用攪拌葉片乎以破碎以 促進氣液界面之更新，將氣液界面氣相之霧狀物濃度保 為高，藉以促進溶解而成為可得到較高的除去性能之裝

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修正 __案號 87Π7195 五、發明說明（9) 置。 接著從通氣攪拌槽5出來的备μ Λ 理對象成》，又使用揮發性鹼液氣睥體2要含有未除去的處 用適當的氣液接觸裝置7來與二有氣：胺等之關係’ 除去液滴。 來與水8接觸’接著用除霧器9來 在此使用之氣液接觸裝置為均可使 例= = 所記載的裝置。第_顯 不内部有填充拉西環22的填充塔。從拉西環22之上部 8喷射於填充物之上面，氣體6通過該填充區域時， 接觸之。 第5b圖係顯示内部設置 23之先端喷射水膜狀的水， 液接觸β 喷霧嘴23之淋浴塔。從喷霧嘴 當氣體通過該水膜時，實行氣 氣液接觸後之水為從排水管排出。在此吸收大部分之 氨及胺等而成為作業環境容許濃度以下。 處理氣體係通過吸引器12而從裝置排出處理完氣體 …可使用之吸引器12為，將高壓空從喷；=， 以在該處所發生的吸引力而使2次側成為吸幻負壓之噴射 式之吸引器、風扇、水泵等。 再者，吸Μ器並不是必需品，使一次側成為正壓以代 替二次侧成為負壓’或在一次側設風曷送氣體也可以。 洗淨液4為因實行處埋而消耗，除去效率降低。於是 按必要’用pH電極14經常測定pH值，變成規定的pH值以下 時’用注藥泵對洗淨液注入鹼液3為宜。

厶 6 Ο 31 1 案號87117195 年/月 ^日 修正 ' '— --- '^^ -----____ 五、發明說明（10) 又，排氣中之成分與水或鹼液之反應生成物蓄存在洗 淨液中’而會引起除去率之降低及生成物之析出等的情 形。於是添加一定量之水15之同時從溢流管2排出洗淨液 來防止生成物之蓄存為宜。 通氣攪拌槽5係在前述中說明為將圓盤渦輪型葉# f 以旋轉’以該剪斷力來分散氣體，且上下兩段設置該葉片 來加強剪斷力，且加長氣體在洗淨液中之滯留時間者；然 而’其他只要能夠得到充分的氣液接觸效率的話，任 拌葉片均可使用。 氣液接觸裝置7為，只要其能夠得到充分的氣液接觸 效率’同時吸引器丨2為只要能夠將流入排氣I之壓力狀態 經常保持成為負壓的話，前述以外之任何形式者均可使 用。 第2圖及第3圖係對第1圖所示的裝置再設置填充有藥 劑的填充塔11者；在第2圖中，係在氣液接觸裝置7之後段 ’又第3圖中在氣液接觸裝置7之前段分別設有填充塔丨丨者 〇 ^2圖為’在第1圖所示之處理中無法除去的處理對象 留時，在填充有適當藥劑的填充塔11中吸著而除 去成為作業環境容許濃度以下。 岭本圖為’從通氣授掉槽5出來而由空氣淨化氣16液滴 #用掘钵6内主要含有無法除去的處理對象成分’又’ 生、餘液時即含有氨、胺等的關係，將該氣體6首 先通過壤右+ 1 , 、有適當的藥劑的填充塔11，將處理對象成分吸

A6〇31 ^ _ _級87117195 %年，月 > 日 條正 _ 五、發明說明（11) 著除去成為作業環境容許濃度以下。在通氣攪拌槽5中無 法除去的處理對象成分為，可在填充塔Η内所除去，但有 氨、胺等會殘留的情形。於是，將氣體在適當的氣液接觸 裝置7 _與水接觸，由水吸收氨與胺等，處理氣體為通過 吸引器12而從裝置排出處理完氣體13。 填充在填充塔内之藥劑為，可使用（Α)鹼添加活性炭 等之活性炭’（Β)選自（：11、城11、？6、^11等之金屬元素之氧 化物中之一種以上之金屬氧化物，（C)陰離子交換樹脂， (D)鹼石灰等。（Α)鹼添加活性炭為對除去SiF4、Ν02、

Cl2、NH4C1等有效果，（β)金屬氧化物為對除去siF4、N〇2、 NH4C1等有效果。金屬氧化物為可使用例如Cu_Mr^合氧化 物’ Fe2〇3等之遷移金屬之氧化物。（c)陰離子交換樹脂為 除去Sih、CU、NH4C1等有效果。陰離子交換樹脂以具有 第四銨基為宜。又，並不限定於陰離子交換樹脂，視需要 可使用陽離子交換樹脂單獨，或使用陽離子交換樹脂與陰 離子交換樹脂之雙方也可以。鹼石灰為，可使用例如由 Na2C〇3所成的粉體形成有由Na〇H所成之覆蓋膜者。 第Θ圖為顯示具有通氣攪拌槽5及配置在其下游之，填 充有藥劑的填充塔U的裝置。第6圖所示裝置未設有氣液 接觸裝置7。在第6圖之裝置中，通氣攪拌槽5係使用氨以 外之驗性溶液為宜。因為在使用藥劑時，對氨之除去有限 度的關係。然而’在填充塔中有使用適當的陽離子交換樹 脂時’可將氨也除去。 使用填充藥劑的填充塔，可除去Si卩4等之鹵化矽化合

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第14頁 $6 Ο 3 案號871171沾 年’月 >曰 修正_ 五、發明說明（12) 物F2、Cl2等之鹵氣。 填充藥劑的填充塔為’可使用以往的填充塔.例如可 使用在19 98年4月10日申請的國際申請專利PCT/JP9 8/ 016 53「排氣中之氮氧化物之除去方法j中所記載的填充 塔。又，1998年6月16日向日本特許廳申請的曰本專利申 請案件特願平10-168572號「含有無機鹵化氣體之排氣之 處理方法」所記載之填充塔也可用之。國際專利申請 PCT/JP98/01 653，及日本專利申請特願平10-168572號之 揭示為，應用於本案。 實施例 茲使用實施例，將本發明更具體地說明如下。 [實施例1 ] 使用第2圖所示之處理裝置來處理半導體製造用Aljfek 刻裝置所排出之排氣。半導體排氣之流量係40公升/分 鐘。 半導體排氣1為，首先導入於裝滿由氨水3調整成為 pH8. 5至9.5之水4的通氣授拌槽5内，由馬達17旋轉之授掉 葉片18所微細化而與水4接觸之》攪拌葉片18之旋轉速度 為600rpm。為了要防止水4内有生成物蓄存起見，導入3公 升/分鐘之水15於通氣攪拌槽内，排出同量的吹除排水2。 用pH電極14監視該吹除排水之PH，當pH變成9以下時注入 氣水3。 從通氣攪拌槽出來的通氣攪拌槽出口氣體6為，通過 喷水器7’與喷霧嘴23所噴霧的5公升/分鐘之水8接觸之。

46031 1 案號 871Π195 修正 五、發明說明（13) 接觸後之水係作為喷水器排水10而排出之。為防止從噴霧 嘴23所喷霧之水向後段飛散’在喷水器之出口有設置除霧 器9。從喷水器出來的喷水器出口氣體24係導入於填充塔 11内。填充塔11内填充10公升的陰離子交換樹脂。從填充 塔出來的填充塔出口氣體為1導入於由空氣25所驅動之空 氣噴射器12，成為處理過氣體13而排出之。空氣25之導入 量係40公升/分鐘。 以上述的構成實行氣體處理之後，分析半導體排氣 1，通氣攪拌槽出口氣體6，喷水器出口氣體24，處理完氣 體13。其結果為如表1所示。 為了比較’使用氨水來調整pH，使用拉西環作為填充 不 通氣授 充 導體 M 1 掉槽出 喷水器 處理完 填塔式 :氣1 出口 24 氣體13 洗滌器 5000 、1 <1 <1 <1 3000 Ο C 2 <0.5 3 10 <1 <1 <1 <1 <1 50 <1 <1 <1 15 10 <1 300 <1 20 15 <1 400 的 BC1S i、Ci2、 A1C13係受到各段的處理 劑的填充：Ϊ洗蘇器處理同樣的排氣。其他的條件為如同 實施例。其處理結果為如表1所 表1 BC13(單位：ppm) α2(單位 A1C13(單位：ppm) NH3(單位：PPm) B203(mg/ni3) NH4Cl(Eg/m3) 46031 ΐ _案號87117195 料，月 >日 修正 _ 五、發明說明（14) 之結果，處理完氣體中之該等之成分之濃度均為檢出限度 以下。又，在處理之過程中所發生的ΝΗ3、Β203、NH4C1等之 成分也由喷水器及吸著塔等所處理成為檢測限度以下。 用填充塔洗滌器處理時，B203、NH4C1分別洩漏 300mg/m3、400mg/m3 〇相對之，用通氣攪拌槽處理時’ B203、NH4C1洩漏濃度分別為1 5ing/m3、20m/m3，相較於填充 塔洗滌器低一個次序（order)以上。 [實施例2 ] 繼續實行處理一個月，但未引起由半導體排氣所含有 的固形物在裝置内之堵塞及發熱等之問題。又，在處理完 了後檢查裝置出口之管道内，但未看到b2o3及NH4C1等粉體 之附著。 [實施例3 ] 在如實施例1所示之構成中’導入於空氣噴射器12内 之空氣25之流量予以變化時之裝置入口壓力之變化顯示於 表2。隨著空氣導入量增加時’入口壓力減低，導入40公 升/分鐘時入口壓力成為-150mm Aq。

A:\310152.ptc 第17頁 4 6 0 31 t 日 五、發明說明（15) 表2 修正 裝置入口 分） 壓力（"ΐηιηΑη'Ί 0 + 600 10 -300 20 + 100 30 - 50 40 -150 [實施例4 ] 使用第3圖所示之處理裝置，來處理半導體製造用“ 钱刻裝置所排出之半導體排氣之處理。排氣之流量係12〇 公升/分** ' 半導體排氣1為，首先導入於裝滿用氨水3調整為 5至9. 5的水4的通氣攪拌槽5内，由馬達17旋轉的搜拌葉片 18微細化而與水4接觸。攪拌葉片18之旋轉速度為 600 r pm ^為防止水4内蓄存生成物起見’將3公升/分鐘的 水15導入通氣攪拌槽内，並排出同量的吹除排水2^用PH 電極14經常監視該吹除排水之pH值，當pH值變成低於9時 注入氨水3。 導入於填 從填 與從喷霧 從通氣攪拌槽出東通氣攪拌槽出口氣體6 . 充塔11内。填充塔内填充10公升的陰離手交換樹脂 充塔出來的填充塔出口氣體為，通過喷水器 嘴所喷霧的5公升/分之水48接觸。接觸後之水 排水10而排出。在喷水器之出口有設鞏除霧器 以防止從

A:\310152.ptc 第18頁 案號 87117195 46031 1 五、發明說明（16) 喷霧嘴23所喷霧之水飛散至後段。從喷水器出來的喷水器 之出口氣體24為’導入於由空氣25所驅動之空氣喷射器 12 ’以處理完氣體13而排出。空氣25之導入量為9〇公升/ 分0 從上述之構成來處理氣體，並分析半導體排氣1，通 孔揽拌槽出口氣體6’填充塔出口氣體，處理完氣體13。 其結果為如表3所示。 表3 半導體 通氣攪拌 填充塔 處理完 排氣1 槽出口 6 t口氣體 氣體13 BC13 (單位：ppm) 50 00 <1 <1 <1 C 12 (單位：ppm ) 3000 2 <0.5 <0.5 A1C13(單位：ppm) 10 <1 <1 <1 NH3 (單位：ppm) <1 80 100 <1 B2〇3 (單位：ppm) <1 40 10 <1 NH4C 1 (ffig/m3) <1 80 15 <1 棑氣所含有的BCU、Cl2、AlCU為經各段之處理結果 ’處理元氣體中之該等成分之濃度為’均在檢測限度以下 。又’在處理之過程所發生的NH3、Βζ〇3、nh4C1等之成分也 是由喷水器及填充塔等處理成為檢測限度以下的濃度β 根據本發明，可發揮下述之效果。 (1)如上述’本處理方法中，將通氣攪拌槽採用於初段， 藉以防止處理對象成分與水或鹼液之反應生成物向後 段洩漏，可減低生成物所引起的麻煩。

A:\310152.ptc 第19頁 ^ 案號 修正_ 五、發明說明cn) Ί (2) 在後段安裝填充塔，即其4理性能為相等於乾式處 理。 (3) 安裝填充塔時，處理對象成分之大部分係由濕式處理 段内除去的關係，填充塔為非常小型即可，且壽命也 長’因此可顯著地減低更換所需的工時及運轉成本。 (4) 濃縮在填充塔的有害物質為少量的關係，不容易引起 發熱等之問題’而使用過藥劑之穩定化也容易。 (5) 通氣攪拌槽之氣體流入壓力成為正壓，但在後段有設 置吸引器的關係，可減低上游側之真空泵之負荷。

Claims (1)

1. 460311 _案號87117195_t年 /月 >曰 修正 六、申請專利範圍 槽， 使從前述通氣攪拌裝置所排出的氣體接觸於水性 液用之氣液接觸裝置，及將從前述通氣攪拌裝置所排 出的氣體通過之填充藥劑之填充塔之至少一方者。 8. 如申請專利範圍第7項之排氣處理裝置，其中具有前述 氣液接觸裝置者。 9. 如申請專利範圍第7項之排氣處理裝置，其中具有前述 填充塔者。 10. 如申請專利範圍第7項之排氣處理裝置，其中具有前述 氣液接觸裝置及前述之填充塔者。 11. 如申請專利範圍第10項之排氣處理裝置，其中再具有 將通過通氣攪拌槽之氣體予以移動用之氣體移動裝置 者。 12. 如申請專利範圍第7項至第11項當中任何一項之排氣處 理裝置，其中具有將從半導體裝置之製造裝置排出的 排氣導入於前述通氣攪拌槽用之通路者。 1^11 A:\310152.ptc 第 22 頁