JP2663326B2 - ドライエッチング排ガスの処理方法 - Google Patents
ドライエッチング排ガスの処理方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はドライエッチング排ガス
の処理方法に関するものであり、さらに詳しくは主とし
てフッ素系ガス、塩素系ガス、臭素系ガスなどのハロゲ
ン系ガスを用いるドライエッチング排ガスの処理方法に
関するものである。
の処理方法に関するものであり、さらに詳しくは主とし
てフッ素系ガス、塩素系ガス、臭素系ガスなどのハロゲ
ン系ガスを用いるドライエッチング排ガスの処理方法に
関するものである。
【０００２】
【従来技術】近年、集積回路の高集積化は高まるばかり
で、そのエッチング工程はほとんどウエットエッチング
からドライエッチングにかわり、ドライエッチング技術
も微細加工化に向けて技術革新が活発に行われている。
一方、地球環境問題および半導体工場の安全に対する取
組みが活発になり、ドライエッチングなどに使用される
毒性ガスやプラズマプロセスで発生する毒性ガスなどは
局所で除去する乾式除害装置が普及してきている。
で、そのエッチング工程はほとんどウエットエッチング
からドライエッチングにかわり、ドライエッチング技術
も微細加工化に向けて技術革新が活発に行われている。
一方、地球環境問題および半導体工場の安全に対する取
組みが活発になり、ドライエッチングなどに使用される
毒性ガスやプラズマプロセスで発生する毒性ガスなどは
局所で除去する乾式除害装置が普及してきている。
【０００３】ドライエッチングに用いられるハロゲン系
ガスの内、フッ素ガスとしてはＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ6 、Ｃ3
Ｆ8 、ＳＦ6 などが挙げられ、塩素系ガスとしてはＣｌ
2 、ＨＣｌ、ＢＣｌ3 、ＣｌＦ3 などが挙げられ、臭素
系ガスとしてはＨＢｒ、Ｂｒ2 などが挙げられる。これ
らのハロゲン系ガスは単独あるいは二種以上の混合ガス
として用いられたり、さらにＯ2 、Ｈ2 、Ｎ2 などのガ
スを添加し、混合ガスとして用いられる。ドライエッチ
ングに使用されたこれらのガスは装置内でプラズマ化さ
れるため化学反応によって変化し、ほとんどの場合、種
々の毒性ガスや安全上問題となるガスを含んで排出され
る。
ガスの内、フッ素ガスとしてはＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ6 、Ｃ3
Ｆ8 、ＳＦ6 などが挙げられ、塩素系ガスとしてはＣｌ
2 、ＨＣｌ、ＢＣｌ3 、ＣｌＦ3 などが挙げられ、臭素
系ガスとしてはＨＢｒ、Ｂｒ2 などが挙げられる。これ
らのハロゲン系ガスは単独あるいは二種以上の混合ガス
として用いられたり、さらにＯ2 、Ｈ2 、Ｎ2 などのガ
スを添加し、混合ガスとして用いられる。ドライエッチ
ングに使用されたこれらのガスは装置内でプラズマ化さ
れるため化学反応によって変化し、ほとんどの場合、種
々の毒性ガスや安全上問題となるガスを含んで排出され
る。
【０００４】これらのガスとしては、Ｆ2 、ＣＯＦ2 、
ＨＦ、ＳｉＦ4 、ＳＦ4 、ＮＯ、ＮＯ2 、Ｏ3 、ＮＣｌ
3 、ＮＢｒ3 などがあり、このうち安全上問題となるガ
スとしては、プラスチック材料およびパラフィン系オイ
ルなどと反応するＮＯｘ、Ｏ3 、Ｆ2 、およびそれ自体
が爆発性物質であるＮＣｌ3 、ＮＢｒ3 がある。特にＮ
Ｏｘはパラフィン系オイルと反応して硝酸エステルなど
の爆発性化合物を生成する。フッ素系ガスを用いるドラ
イエッチング排ガスの処理方法として、排ガスを亜硫酸
塩水溶液にアンモニア水などを加えた混合水溶液で洗浄
する方法が提案されているが（特公平１−４９５３２号
公報）、フッ素系ガス、塩素系ガス、臭素系ガスなどの
ハロゲン系ガスを用いるドライエッチング排ガスの処理
には未だ改良の余地がある。このように上記排ガスの処
理について、安全対策を考慮した除去方法は提案されて
おらず、現に吸着などを利用した乾式除去装置において
爆発事故があったことが報告されている。半導体工場に
適用可能な処理方法を早急に開発することが望まれてい
る。
ＨＦ、ＳｉＦ4 、ＳＦ4 、ＮＯ、ＮＯ2 、Ｏ3 、ＮＣｌ
3 、ＮＢｒ3 などがあり、このうち安全上問題となるガ
スとしては、プラスチック材料およびパラフィン系オイ
ルなどと反応するＮＯｘ、Ｏ3 、Ｆ2 、およびそれ自体
が爆発性物質であるＮＣｌ3 、ＮＢｒ3 がある。特にＮ
Ｏｘはパラフィン系オイルと反応して硝酸エステルなど
の爆発性化合物を生成する。フッ素系ガスを用いるドラ
イエッチング排ガスの処理方法として、排ガスを亜硫酸
塩水溶液にアンモニア水などを加えた混合水溶液で洗浄
する方法が提案されているが（特公平１−４９５３２号
公報）、フッ素系ガス、塩素系ガス、臭素系ガスなどの
ハロゲン系ガスを用いるドライエッチング排ガスの処理
には未だ改良の余地がある。このように上記排ガスの処
理について、安全対策を考慮した除去方法は提案されて
おらず、現に吸着などを利用した乾式除去装置において
爆発事故があったことが報告されている。半導体工場に
適用可能な処理方法を早急に開発することが望まれてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】除去を必要とする排ガ
ス成分は、大別するとＨＦ、ＳｉＦ4 、ＣＯＦ2 、ＳＦ
4 などの酸性ガスと、Ｏ3 、Ｆ2 、ＮＯｘ、ＮＣｌ3 、
ＮＢｒ3 などの酸化性ガスとに分類され、処理方法とし
ては、吸着法、気相触媒反応法、湿式法などがある。し
かし排ガス成分を考慮した場合、吸着法は危険物質が濃
縮されるため、安全上採用が難しく又気相触媒反応法は
費用がかかり経済性の面で難点がある。
ス成分は、大別するとＨＦ、ＳｉＦ4 、ＣＯＦ2 、ＳＦ
4 などの酸性ガスと、Ｏ3 、Ｆ2 、ＮＯｘ、ＮＣｌ3 、
ＮＢｒ3 などの酸化性ガスとに分類され、処理方法とし
ては、吸着法、気相触媒反応法、湿式法などがある。し
かし排ガス成分を考慮した場合、吸着法は危険物質が濃
縮されるため、安全上採用が難しく又気相触媒反応法は
費用がかかり経済性の面で難点がある。
【０００６】アルカリ金属類を含有した吸収液を用いた
湿式法もあるが、半導体工場ではＮａなどのアルカリ金
属類はデバイスに対する金属汚染の中でも最もきらわれ
る金属類であり、半導体工場内でのこれらアルカリ金属
類を用いた処理方法は採用されないのが実情である。本
発明の目的は、主としてフッ素系ガス、塩素系ガス、臭
素系ガスなどのハロゲン系ガスを用いるドライエッチン
グ排ガスの処理方法であって、半導体工場内で問題とな
るアルカリ金属類を用いず、地球環境問題および安全対
策を考慮した、半導体工場に適用可能な経済的な処理方
法を提供することである。
湿式法もあるが、半導体工場ではＮａなどのアルカリ金
属類はデバイスに対する金属汚染の中でも最もきらわれ
る金属類であり、半導体工場内でのこれらアルカリ金属
類を用いた処理方法は採用されないのが実情である。本
発明の目的は、主としてフッ素系ガス、塩素系ガス、臭
素系ガスなどのハロゲン系ガスを用いるドライエッチン
グ排ガスの処理方法であって、半導体工場内で問題とな
るアルカリ金属類を用いず、地球環境問題および安全対
策を考慮した、半導体工場に適用可能な経済的な処理方
法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者等は上記の点に
鑑み、アルカリ金属類を用いない湿式法について鋭意研
究を重ねた結果、アルカリ性を有するテトラメチルアン
モニウムハイドロオキサイド溶液およびその（重）炭酸
塩溶液による洗浄により酸性ガスが効率よく除去され、
またテトラメチメアンモニウムの亜硫酸塩溶液による洗
浄が酸化性ガスの除去に極めて有効であることを見いだ
して本発明をなすに至った。
鑑み、アルカリ金属類を用いない湿式法について鋭意研
究を重ねた結果、アルカリ性を有するテトラメチルアン
モニウムハイドロオキサイド溶液およびその（重）炭酸
塩溶液による洗浄により酸性ガスが効率よく除去され、
またテトラメチメアンモニウムの亜硫酸塩溶液による洗
浄が酸化性ガスの除去に極めて有効であることを見いだ
して本発明をなすに至った。
【０００８】本発明は、ハロゲン系ガスを用いるドライ
エッチンク排ガスの処理方法において、ドライエッチン
グ排ガスを亜硫酸テトラメチルアンモニウム水溶液にテ
トラメチルアンモニウムハイドロオキサイドおよび／ま
たは（重）炭酸テトラメチルアンモニウムを加えた混合
水溶液で洗浄することを特徴とするドライエッチング排
ガスの処理方法である。
エッチンク排ガスの処理方法において、ドライエッチン
グ排ガスを亜硫酸テトラメチルアンモニウム水溶液にテ
トラメチルアンモニウムハイドロオキサイドおよび／ま
たは（重）炭酸テトラメチルアンモニウムを加えた混合
水溶液で洗浄することを特徴とするドライエッチング排
ガスの処理方法である。
【０００９】以下本発明を詳細に説明する。本発明にお
いては、上記のように半導体工場ではアルカリ金属、ア
ルカリ土類金属が忌避されるためアルカリ源としてテト
ラメチルアンモニウムハイドロオキサイド［（ＣＨ3 ）
4 ＮＯＨ］水溶液（以下ＴＭＨと略す）および／または
（重）炭酸テトラメチルアンモニウム〔（ＣＨ3 ）4
Ｎ〕2 ＣＯ3 、（ＣＨ3 ）4 ＮＨＣＯ3 を用い、それら
を亜硫酸塩水溶液に混合した混合水溶液を洗浄液として
使用する。亜硫酸塩としてはアルカリ金属、アルカリ土
類金属以外の亜硫酸塩を用いることができるが、特に亜
硫酸テトラメチルアンモニウム〔（ＣＨ3 ）4 Ｎ〕2 Ｓ
Ｏ3 が好ましい。
いては、上記のように半導体工場ではアルカリ金属、ア
ルカリ土類金属が忌避されるためアルカリ源としてテト
ラメチルアンモニウムハイドロオキサイド［（ＣＨ3 ）
4 ＮＯＨ］水溶液（以下ＴＭＨと略す）および／または
（重）炭酸テトラメチルアンモニウム〔（ＣＨ3 ）4
Ｎ〕2 ＣＯ3 、（ＣＨ3 ）4 ＮＨＣＯ3 を用い、それら
を亜硫酸塩水溶液に混合した混合水溶液を洗浄液として
使用する。亜硫酸塩としてはアルカリ金属、アルカリ土
類金属以外の亜硫酸塩を用いることができるが、特に亜
硫酸テトラメチルアンモニウム〔（ＣＨ3 ）4 Ｎ〕2 Ｓ
Ｏ3 が好ましい。
【００１０】ＴＭＨ、〔（ＣＨ3 ）4 Ｎ〕2 ＣＯ3 、
（ＣＨ3 ）4 ＮＨＣＯ3 を含んだ〔（ＣＨ3 ）4 Ｎ〕2
ＳＯ3 水溶液は、ｐＨ５以上、好ましくはｐＨ８以上に
調整される。上記成分の濃度は排ガス成分によって異な
るが、おおよそ、ＳＯ3 -- 濃度：０．１〜２ｍｏｌ／リ
ットル、ＣＯ3 -- 濃度：０．１〜２ｍｏｌ／リットル、
（ＣＨ3 ）4 ＮＯＨ：０．１〜３．０ｍｏｌ／リットル
の範囲に調整される。これらの範囲は厳密なものではな
く、うす過ぎると吸収保有量が少な過ぎ、濃過ぎると吸
収生成物の濃度が高くなり沈殿物などが生成し好ましく
ないので、適宜決めることが好ましい。また、洗浄温度
は吸収速度にほとんど影響しないが、室温以上であれば
問題ない。
（ＣＨ3 ）4 ＮＨＣＯ3 を含んだ〔（ＣＨ3 ）4 Ｎ〕2
ＳＯ3 水溶液は、ｐＨ５以上、好ましくはｐＨ８以上に
調整される。上記成分の濃度は排ガス成分によって異な
るが、おおよそ、ＳＯ3 -- 濃度：０．１〜２ｍｏｌ／リ
ットル、ＣＯ3 -- 濃度：０．１〜２ｍｏｌ／リットル、
（ＣＨ3 ）4 ＮＯＨ：０．１〜３．０ｍｏｌ／リットル
の範囲に調整される。これらの範囲は厳密なものではな
く、うす過ぎると吸収保有量が少な過ぎ、濃過ぎると吸
収生成物の濃度が高くなり沈殿物などが生成し好ましく
ないので、適宜決めることが好ましい。また、洗浄温度
は吸収速度にほとんど影響しないが、室温以上であれば
問題ない。
【００１１】上記排ガス成分のうち酸性ガスとして例え
ば、ＨＦ、ＳｉＦ4 、ＣＯＦ2 、ＳＦ4 、ＳＯＦ2 など
は本発明の混合洗浄液中のアルカリと下記（１）〜
（５）に示す反応式に従って反応除去される。
ば、ＨＦ、ＳｉＦ4 、ＣＯＦ2 、ＳＦ4 、ＳＯＦ2 など
は本発明の混合洗浄液中のアルカリと下記（１）〜
（５）に示す反応式に従って反応除去される。
【００１２】 ［（ＣＨ3 ）4 Ｎ］2 ＣＯ3 ＋２ＨＦ→２（ＣＨ3 ）4 ＮＦ＋Ｈ2 ＣＯ3 （１） ２［（ＣＨ3 ）4 Ｎ］2 ＣＯ3 ＋３ＳｉＦ4 ＋Ｈ2 Ｏ →２〔（ＣＨ3 ）4 Ｎ〕2 ＳｉＦ6 ＋Ｓｉ（ＯＨ）4 ＋２Ｈ2 ＣＯ3 （２） ４（ＣＨ3 ）4 ＮＯＨ＋ＣＯＦ2 →〔（ＣＨ3 ）4 Ｎ〕2 ＣＯ3 ＋２（ＣＨ3 ）4 ＮＦ＋２Ｈ2 Ｏ （３） 〔（ＣＨ3 ）4 Ｎ〕2 ＣＯ3 ＋ＳＦ4 →２（ＣＨ3 ）4 ＮＦ＋ＳＯＦ2 ＋ＣＯ2 （４） ２〔（ＣＨ3 ）4 Ｎ〕2 ＣＯ3 ＋ＳＯＦ2 →〔（ＣＨ3 ）4 〕2 ＳＯ3 ＋２（ＣＨ3 ）4 ＮＦ＋２ＣＯ2 （５）
【００１３】また酸化性ガス、例えばＮＯｘ、Ｆ2 、Ｏ
3 などは亜硫酸テトラメチルアンモニウムと下記（６）
〜（８）に示す式に従って反応除去される。 ２〔（ＣＨ3 ）4 Ｎ〕2 ＳＯ3 ＋ＮＯ2 ＋３Ｈ2 Ｏ →２ＮＨ〔ＳＯ3 Ｎ（ＣＨ3 ）4 〕2 ＋３〔（ＣＨ3 ）4 Ｎ〕2 ＳＯ4 ＋ （ＣＨ3 ）4 ＮＯＨ （６） 〔（ＣＨ3 ）4 Ｎ〕2 ＳＯ3 ＋Ｆ2 ＋Ｈ2 Ｏ →〔（ＣＨ3 ）4 Ｎ〕2 ＳＯ4 ＋２ＨＦ （７） 〔（ＣＨ3 ）4 Ｎ〕2 ＳＯ3 ＋Ｏ3 →〔（ＣＨ3 ）4 Ｎ〕2 ＳＯ4 ＋Ｏ2 （８）
3 などは亜硫酸テトラメチルアンモニウムと下記（６）
〜（８）に示す式に従って反応除去される。 ２〔（ＣＨ3 ）4 Ｎ〕2 ＳＯ3 ＋ＮＯ2 ＋３Ｈ2 Ｏ →２ＮＨ〔ＳＯ3 Ｎ（ＣＨ3 ）4 〕2 ＋３〔（ＣＨ3 ）4 Ｎ〕2 ＳＯ4 ＋ （ＣＨ3 ）4 ＮＯＨ （６） 〔（ＣＨ3 ）4 Ｎ〕2 ＳＯ3 ＋Ｆ2 ＋Ｈ2 Ｏ →〔（ＣＨ3 ）4 Ｎ〕2 ＳＯ4 ＋２ＨＦ （７） 〔（ＣＨ3 ）4 Ｎ〕2 ＳＯ3 ＋Ｏ3 →〔（ＣＨ3 ）4 Ｎ〕2 ＳＯ4 ＋Ｏ2 （８）
【００１４】ＮＣｌ3 、ＮＢｒ3 などの塩素系および臭
素系排ガスは下記（９）〜（１０）に示す式に従って反
応除去される。 ３〔（ＣＨ3 ）4 Ｎ〕2 ＳＯ3 ＋２ＮＣｌ3 ＋３Ｈ2 Ｏ →３〔（ＣＨ3 ）4 Ｎ〕2 ＳＯ4 ＋６ＨＣｌ＋Ｎ2 （９） ３〔（ＣＨ3 ）4 Ｎ〕2 ＳＯ3 ＋２ＮＢｒ3 ＋３Ｈ2 Ｏ →３〔（ＣＨ3 ）4 Ｎ〕2 ＳＯ4 ＋６ＨＢｒ＋Ｎ2 （１０）
素系排ガスは下記（９）〜（１０）に示す式に従って反
応除去される。 ３〔（ＣＨ3 ）4 Ｎ〕2 ＳＯ3 ＋２ＮＣｌ3 ＋３Ｈ2 Ｏ →３〔（ＣＨ3 ）4 Ｎ〕2 ＳＯ4 ＋６ＨＣｌ＋Ｎ2 （９） ３〔（ＣＨ3 ）4 Ｎ〕2 ＳＯ3 ＋２ＮＢｒ3 ＋３Ｈ2 Ｏ →３〔（ＣＨ3 ）4 Ｎ〕2 ＳＯ4 ＋６ＨＢｒ＋Ｎ2 （１０）
【００１５】従って、本発明のＴＭＨおよび／または
（重）炭酸テトラメチルアンモニウムを含む亜硫酸テト
ラメチルアンモニウム水溶液によって洗浄することによ
り、主としてフッ素系ガス、塩素系ガス、臭素系ガスな
どのハロゲン系ガスを用いるドライエッチング排ガス中
に含まれる酸性または酸化性の毒性ガスや、安全上問題
となるガス成分を一段の洗浄によって除去することがで
きる。
（重）炭酸テトラメチルアンモニウムを含む亜硫酸テト
ラメチルアンモニウム水溶液によって洗浄することによ
り、主としてフッ素系ガス、塩素系ガス、臭素系ガスな
どのハロゲン系ガスを用いるドライエッチング排ガス中
に含まれる酸性または酸化性の毒性ガスや、安全上問題
となるガス成分を一段の洗浄によって除去することがで
きる。
【００１６】本発明で用いる洗浄液に本発明の主旨を逸
脱しない範囲で、界面活性剤、各種溶剤、ｐＨ指示薬な
どを配合しても差し支えない。
脱しない範囲で、界面活性剤、各種溶剤、ｐＨ指示薬な
どを配合しても差し支えない。
【００１７】
【実施例】以下本発明を実施例により、具体的に説明す
るが、本発明はこれら実施例によって限定されるもので
はない。 （実施例１）ＣＦ4 ２５０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｏ2 ２００ｍ
ｌ／ｍｉｎ、Ｎ2 ５０ｍｌ／ｍｉｎを供給しているドラ
イエッチング装置より排出されるガス組成を分析したと
ころ、ＮＯ2 １４００ｐｐｍ、Ｏ3 １０００ｐｐｍ、Ｓ
ｉＦ4 ５０００ｐｐｍが含まれていた。排出ガスはＮ2
によって希釈されており、ガス量は３リットル／ｍｉｎ
である。この排出ガスを直径２００ｍｍ、充填物１Ｂネ
ットリングを使用した充填高５００ｍｍの充填搭に導入
し、塔頂より〔（ＣＨ3 ）4 Ｎ〕2 ＳＯ3 ０．３ｍｏｌ
／リットル、（ＣＨ3 ）4 ＮＯＨ２．２ｍｏｌ／リット
ル、ｐＨ１４の水溶液を５リットル／ｍｉｎの速度で供
給して、向流によって上記排ガスを洗浄した。出口ガス
中のＮＯ2 １ｐｐｍ以下、Ｏ3 ０．１ｐｐｍ以下、Ｓｉ
Ｆ4 １ｐｐｍ以下であった。
るが、本発明はこれら実施例によって限定されるもので
はない。 （実施例１）ＣＦ4 ２５０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｏ2 ２００ｍ
ｌ／ｍｉｎ、Ｎ2 ５０ｍｌ／ｍｉｎを供給しているドラ
イエッチング装置より排出されるガス組成を分析したと
ころ、ＮＯ2 １４００ｐｐｍ、Ｏ3 １０００ｐｐｍ、Ｓ
ｉＦ4 ５０００ｐｐｍが含まれていた。排出ガスはＮ2
によって希釈されており、ガス量は３リットル／ｍｉｎ
である。この排出ガスを直径２００ｍｍ、充填物１Ｂネ
ットリングを使用した充填高５００ｍｍの充填搭に導入
し、塔頂より〔（ＣＨ3 ）4 Ｎ〕2 ＳＯ3 ０．３ｍｏｌ
／リットル、（ＣＨ3 ）4 ＮＯＨ２．２ｍｏｌ／リット
ル、ｐＨ１４の水溶液を５リットル／ｍｉｎの速度で供
給して、向流によって上記排ガスを洗浄した。出口ガス
中のＮＯ2 １ｐｐｍ以下、Ｏ3 ０．１ｐｐｍ以下、Ｓｉ
Ｆ4 １ｐｐｍ以下であった。
【００１８】（実施例２）ＣＦ4 １２０ｍｌ／ｍｉｎ、
Ｏ2 ２０ｍｌ／ｍｉｎを供給しているドライエッチング
装置より排出されるガス組成を分析したところＦ2 ４０
０ｐｐｍ、Ｏ3 ５００ｐｐｍ、ＳｉＦ4 ３０００ｐｐｍ
であった。ガス量はＮ2 によって希釈されており３リッ
トル／ｍｉｎである。この排出ガスを直径２００ｍｍ、
充填物１Ｂネットリングを使用した充填高５００ｍｍの
充填搭に導入し、塔頂より〔（ＣＨ3 ）4 Ｎ〕2 ＳＯ3
０．２ｍｏｌ／リットル、〔（ＣＨ3 ）4 Ｎ〕2 ＣＯ3
１．０ｍｏｌ／リットル、（ＣＨ3 ）4 ＮＯＨ０．２ｍ
ｏｌ／リットル、ｐＨ１２の水溶液を５リットル／ｍｉ
ｎの速度で供給して、向流によって上記排ガスを洗浄し
た。出口ガス中のＦ2 １ｐｐｍ以下、Ｏ3 ０．１ｐｐｍ
以下、ＳｉＦ4 １ｐｐｍであった。
Ｏ2 ２０ｍｌ／ｍｉｎを供給しているドライエッチング
装置より排出されるガス組成を分析したところＦ2 ４０
０ｐｐｍ、Ｏ3 ５００ｐｐｍ、ＳｉＦ4 ３０００ｐｐｍ
であった。ガス量はＮ2 によって希釈されており３リッ
トル／ｍｉｎである。この排出ガスを直径２００ｍｍ、
充填物１Ｂネットリングを使用した充填高５００ｍｍの
充填搭に導入し、塔頂より〔（ＣＨ3 ）4 Ｎ〕2 ＳＯ3
０．２ｍｏｌ／リットル、〔（ＣＨ3 ）4 Ｎ〕2 ＣＯ3
１．０ｍｏｌ／リットル、（ＣＨ3 ）4 ＮＯＨ０．２ｍ
ｏｌ／リットル、ｐＨ１２の水溶液を５リットル／ｍｉ
ｎの速度で供給して、向流によって上記排ガスを洗浄し
た。出口ガス中のＦ2 １ｐｐｍ以下、Ｏ3 ０．１ｐｐｍ
以下、ＳｉＦ4 １ｐｐｍであった。
【００１９】（実施例３）ＣＦ4 ２５０ｍｌ／ｍｉｎ、
Ｏ2 ２００ｍｌ／ｍｉｎ、Ｎ2 ５０ｍｌ／ｍｉｎを供給
しているドライエッチング装置より排出されるガス組成
を分析したところ、ＮＯ2 １４００ｐｐｍ、Ｏ3 １００
０ｐｐｍ、ＳｉＦ4 ５０００ｐｐｍが含まれていた。排
出ガスはＮ2 によって希釈されており、ガス量は３リッ
トル／ｍｉｎである。この排出ガスを直径２００ｍｍ、
充填物１Ｂネットリングを使用した充填高５００ｍｍの
充填搭に導入し、塔頂より〔（ＣＨ3 ）4 Ｎ〕2 ＳＯ3
０．３ｍｏｌ／リットル、（ＣＨ3 ）4 ＮＨＣＯ3 ２ｍ
ｏｌ／リットル、ｐＨ８．５の水溶液を５リットル／ｍ
ｉｎの速度で供給して、向流によって上記排ガスを洗浄
した。出口ガス中のＮＯ2 １ｐｐｍ以下、Ｏ3 ０．１ｐ
ｐｍ以下、ＳｉＦ4 １ｐｐｍ以下であった。
Ｏ2 ２００ｍｌ／ｍｉｎ、Ｎ2 ５０ｍｌ／ｍｉｎを供給
しているドライエッチング装置より排出されるガス組成
を分析したところ、ＮＯ2 １４００ｐｐｍ、Ｏ3 １００
０ｐｐｍ、ＳｉＦ4 ５０００ｐｐｍが含まれていた。排
出ガスはＮ2 によって希釈されており、ガス量は３リッ
トル／ｍｉｎである。この排出ガスを直径２００ｍｍ、
充填物１Ｂネットリングを使用した充填高５００ｍｍの
充填搭に導入し、塔頂より〔（ＣＨ3 ）4 Ｎ〕2 ＳＯ3
０．３ｍｏｌ／リットル、（ＣＨ3 ）4 ＮＨＣＯ3 ２ｍ
ｏｌ／リットル、ｐＨ８．５の水溶液を５リットル／ｍ
ｉｎの速度で供給して、向流によって上記排ガスを洗浄
した。出口ガス中のＮＯ2 １ｐｐｍ以下、Ｏ3 ０．１ｐ
ｐｍ以下、ＳｉＦ4 １ｐｐｍ以下であった。
【００２０】（実施例４）ＨＢｒ４０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｃ
ｌ2 ４０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｎ2 ７０ｍｌ／ｍｉｎを供給し
ているドライエッチング装置より排出されるガス組成を
分析したところ、ＨＢｒ、ＨＣｌトータル５０００ｐｐ
ｍ、Ｃｌ2 、Ｂｒ2 トータル５０００ｐｐｍ、ＳｉＣｌ
4 、ＳｉＢｒ4 トータル１０００ｐｐｍ、ＮＣｌ3 、Ｎ
Ｂｒ3 トータル１０ｐｐｍであった。ガス量はＮ2 によ
って希釈されており、６リットル／ｍｉｎである。この
排出ガスを直径２００ｍｍ、充填物１Ｂネットリングを
使用した充填高５００ｍｍの充填搭に導入し、塔頂より
〔（ＣＨ3 ）4 Ｎ〕2 ＳＯ3 ０．３ｍｏｌ／リットル、
（ＣＨ3 ）4 ＮＯＨ２．２ｍｏｌ／リットル、ｐＨ１４
の水溶液を５リットル／ｍｉｎの速度で供給して、向流
によって上記排ガスを洗浄した。出口ガス中のＨＢｒ、
ＨＣｌトータル１ｐｐｍ以下、Ｃｌ2 、Ｂｒ2 トータル
０．１ｐｐｍ以下、ＮＣｌ3 、ＮＢｒ3 トータル０．１
ｐｐｍ以下であった。
ｌ2 ４０ｍｌ／ｍｉｎ、Ｎ2 ７０ｍｌ／ｍｉｎを供給し
ているドライエッチング装置より排出されるガス組成を
分析したところ、ＨＢｒ、ＨＣｌトータル５０００ｐｐ
ｍ、Ｃｌ2 、Ｂｒ2 トータル５０００ｐｐｍ、ＳｉＣｌ
4 、ＳｉＢｒ4 トータル１０００ｐｐｍ、ＮＣｌ3 、Ｎ
Ｂｒ3 トータル１０ｐｐｍであった。ガス量はＮ2 によ
って希釈されており、６リットル／ｍｉｎである。この
排出ガスを直径２００ｍｍ、充填物１Ｂネットリングを
使用した充填高５００ｍｍの充填搭に導入し、塔頂より
〔（ＣＨ3 ）4 Ｎ〕2 ＳＯ3 ０．３ｍｏｌ／リットル、
（ＣＨ3 ）4 ＮＯＨ２．２ｍｏｌ／リットル、ｐＨ１４
の水溶液を５リットル／ｍｉｎの速度で供給して、向流
によって上記排ガスを洗浄した。出口ガス中のＨＢｒ、
ＨＣｌトータル１ｐｐｍ以下、Ｃｌ2 、Ｂｒ2 トータル
０．１ｐｐｍ以下、ＮＣｌ3 、ＮＢｒ3 トータル０．１
ｐｐｍ以下であった。
【００２１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の方法によ
り、フッ素系、塩素系、臭素系ガスなどのハロゲン系ガ
スを用いるドライエッチング排ガス中の毒性ガスあるい
は安全上問題となる酸性および酸化性ガスを一段の洗浄
によって除去することができる。本発明の方法は半導体
製造において好ましく使用される。本発明の方法は、半
導体工場内で問題となるアルカリ金属類を用いず、地球
環境問題および安全対策を考慮した経済的な処理方法で
あり、半導体製造において好ましく使用することができ
るので、その産業上の利用価値が高い。
り、フッ素系、塩素系、臭素系ガスなどのハロゲン系ガ
スを用いるドライエッチング排ガス中の毒性ガスあるい
は安全上問題となる酸性および酸化性ガスを一段の洗浄
によって除去することができる。本発明の方法は半導体
製造において好ましく使用される。本発明の方法は、半
導体工場内で問題となるアルカリ金属類を用いず、地球
環境問題および安全対策を考慮した経済的な処理方法で
あり、半導体製造において好ましく使用することができ
るので、その産業上の利用価値が高い。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 矢野 慎一 神奈川県川崎市川崎区扇町５−１ 昭和 電工株式会社川崎工場内 (56)参考文献 特公 平１−49532（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (1)
- 【請求項１】 ハロゲン系ガスを用いるドライエッチン
ク排ガスの処理方法において、ドライエッチング排ガス
を亜硫酸テトラメチルアンモニウム水溶液にテトラメチ
ルアンモニウムハイドロオキサイドおよび／または
（重）炭酸テトラメチルアンモニウムを加えた混合水溶
液で洗浄することを特徴とするドライエッチング排ガス
の処理方法。
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|---|---|---|---|
| JP5098461A JP2663326B2 (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | ドライエッチング排ガスの処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5098461A JP2663326B2 (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | ドライエッチング排ガスの処理方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06285332A JPH06285332A (ja) | 1994-10-11 |
| JP2663326B2 true JP2663326B2 (ja) | 1997-10-15 |
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ID=14220340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5098461A Expired - Fee Related JP2663326B2 (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | ドライエッチング排ガスの処理方法 |
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| JP (1) | JP2663326B2 (ja) |
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| JPH06285332A (ja) | 1994-10-11 |
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