JP4163332B2 - 排ガスの除害方法および除害装置 - Google Patents
排ガスの除害方法および除害装置 Download PDFInfo
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、排ガスの除害方法または除害装置に関し、特にシリコンウェーハの処理に使用され排出されたシリコン塩化物などの有害な排ガスを無害の固体物質にして除害する除害方法または除害装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスは半導体基板の表面に薄膜をエピタキシャル成長させることで作成される。
【0003】
すなわち半導体基板にはシリコン基板が一般的に使用される。薄膜の原料ガスとしては例えばSiHCl3(トリクロロシラン)が使用される。
【0004】
反応炉内でSiHCl3がシリコン基板の表面に供給される。そしてSiHCl3の化学反応によってシリコン基板の表面に同じシリコンの薄膜がエピタキシャル成長によって形成されていく。エピタキシャル成長層には不純物として例えば所定濃度のホウ素Bが添加される。ホウ素Bはエピタキシャル成長の過程で例えば所定濃度のドーピングガスB2H6を炉内に供給することによってエピタキシャル成長層の中にドーピングされる。このようにしてシリコン基板の表面に、所定濃度の不純物Bが添加されたエピタキシャル成長層が形成される。
【0005】
エピタキシャル成長は成長炉内でつぎのように行われる。
【0006】
エピタキシャル成長炉内には、ガス供給路を介して成長ガスが供給される。ガス供給源より原料ガス(SiHCl3)、ドーピングガス(B2H6)、キャリアガス(H2)からなる成長ガスがエピタキシャル成長炉内に供給される。
【0007】
エピタキシャル成長炉には、炉内のガスを外部に排気する排出口が設けられている。
【0008】
エピタキシャル成長炉に成長ガスが供給されると、成長ガスがウェーハの基板の表面を通過する。ウェーハ基板はサセプタによって保持されている。高温気相中(1000゜C〜1200゜C)での化学反応が基板上でなされ、基板の表面に不純物(B)が所定濃度で注入されて薄膜が形成される。高温気相中での化学反応に寄与しなかった成長ガス及び化学反応はしたがエピタキシャル成長に寄与しなかった副生成ガス等は、排出口から外部に排出される。
【0009】
上記サセプタはSiCなどから構成されている。よってサセプタ上に原料ガスが通過すると不要なシリコンが堆積される。そこでこの堆積されたシリコンを取り除くべくエピタキシャル成長炉内にはガス供給路を介してエッチングガスが供給される。ガス供給源よりエッチングガスとしてHClと、これを希釈するキャリアガス(H2)が供給される。ここでエッチングガスとしては塩化水素ガスの純ガスでもよく塩化水素ガスを含む混合ガスでもよい。
【0010】
エッチングガスがエピタキシャル成長炉内に供給されると、エッチングガスがサセプタの表面を通過する。これによりサセプタ上に堆積された不要なシリコンがエッチングガスと化学反応(Si(s)+2HCl(g)→SiCl2(g)+H2(g))により分解され取り除かれる。エッチングに寄与したエッチングガスの一部は、排出口から外部に排出される。エピタキシャル成長炉に投入されたガスのうちの数十%のガスが排ガスとして排出される。
【0011】
こうしてエピタキシャル成長炉の排出口から排出されたガスSiHCl3、B2H6、H2、HClなどは、除害装置に供給される。除害装置で無害の物質に生成された後、大気に放出される。
【0012】
とりわけSiHCl3などのシリコン塩化物、塩化水素HClを、そのまま大気に放出させてしまうと人体などに悪影響を与えるため無害の物質に変換させる必要がある。HClガスは腐食性を有し機器に悪影響を与える。
【0013】
そこで従来より除害方法として次に掲げる方法が試みられている。
【0014】
1)吸着法
吸着材によって排ガス中の有害物質を吸着した上で残りの無害の排ガスを大気中に放出するという方法である。
【0015】
2)燃焼法
シリコンを含む未反応ガスを燃焼させることによって無害のSiO2と塩化水素ガスを生成し(SiHCl3+O2→SiO2+3HCl+H2O)、さらにSiO2を除去するとともに塩化水素ガスを中和により除害(次項3)の湿式法による除害)した後に、無害となった排ガスを大気中に放出するという方法である。なおドーパントである水素化物(B2H6)も燃焼により無害化される。
【0016】
3)湿式法
3−a)漏れ棚式スクラバを使用する方法
除害剤として苛性ソーダ水溶液(NaOHaq)が用いられる。苛性ソーダ水溶液がポンプによってタンクから吸い上げられ、漏れ棚の上側に供給される。漏れ棚の孔を介して漏れ棚の下側に苛性ソーダ水溶液が落下する。そこに排ガスが供給される。これにより排ガスと苛性ソーダ水溶液が気液接触され下記の反応式(1)によって無害の固体物質(SiO2の水和物)が生成されるとともに、下記の反応式(2)によって塩化水素ガスが中和により除害される。SiO2の水和物は苛性ソーダ水溶液に溶解されて苛性ソーダ水溶液とともに回収、除去される。
【0017】
SiHCl3+2H2O→3HCl+SiO2+H2 …(1)
HCl+NaOH→NaCl+H2O …(2)
3−b)ジェットスクラバを使用する方法
除害剤として苛性ソーダ水溶液(NaOHaq)が用いられる。図2に示すように苛性ソーダ水溶液40がポンプによってタンクから吸い上げられ、チャンバ6内に設けられたジェットノズル6cの上流側に供給される。一方ノズル6cの上流側に排ガスが供給される。これによりノズル6c内で流れの速い苛性ソーダ水溶液40と排ガスとが気液接触され上記反応式(1)によって無害の固体物質(SiO2の水和物)が生成されるとともに、上記反応式(2)によって塩化水素ガスが中和により除害される。SiO2水和物は苛性ソーダ水溶液40に溶解されてジェット流としてノズル6cから噴出される。そしてSiO2水和物は苛性ソーダ水溶液40とともに回収、除去される。
【0018】
しかしながら上記1)の吸着法では吸着材が必要となる。このためランニングコストが甚大になるという問題が発生する。
【0019】
また上記2)の燃焼法では燃焼によって生成されたSiO2を別途除去する処理が必要となるとともに、燃焼によって生成された塩化水素ガスを別途中和により除害する処理が必要となる。
【0020】
また上記3−a)の「漏れ棚式スクラバを使用する方法」では漏れ棚から落下した苛性ソーダ水溶液に排ガスを供給するようにしているため、排ガスと苛性ソーダ水溶液との気液接触の効率は低い。つまり除害の効率は低い。このため除害効率を高めるためにスクラバを大きくする必要がある。
【0021】
そこでこれら除害方法の欠点のない3−b)の「ジェットスクラバを使用する方法」が近年広く採用されている。
【0022】
「ジェットスクラバを使用する除害方法」によれば、吸着材を使用しないためランニングコストが高くなるという問題は発生しない。また苛性ソーダ水溶液40中にSiO2水和物が溶解され苛性ソーダ水溶液40とともに回収、除去されるために、別途の除去処理が必要となるという問題は発生しない。
【0023】
またノズル内で流れの速い苛性ソーダ水溶液40に排ガスを気液接触させるようにしているため、3−a)の「漏れ棚式スクラバを使用する方法」と比較して排ガスと苛性ソーダ水溶液40との気液接触の効率が高まる。つまり除害効率が高まる。このため除害効率を高めるためにスクラバを大きくする必要がないという優れた効果が得られる。
【0024】
【発明が解決しようとする課題】
しかし3−b)の「ジェットスクラバを使用する方法」では図2に示すようにノズル6cの出口部近辺のチャンバ内壁6bにおいて苛性ソーダ水溶液40の速い流れによってミストおよび水蒸気41が発生する。このため苛性ソーダ水溶液40の主流に排ガスが気液接触する前に、その一部がミストおよび水蒸気41と接触することによりチャンバ6の内壁6bに固体のSiO2水和物42が生成される。
【0025】
固体のSiO2水和物42は、除害時間の経過に伴い成長しチャンバ内壁6bに堆積されていく。このためついには固体のSiO2水和物42がノズル6cに到達し排ガスの通路を閉塞してしまう。
【0026】
そこで従来はミスト及び水蒸気41と排ガスが直接接触しないように、乾燥窒素によってガスのカーテンを作り、ノズル先端部及びチャンバ壁面6bにおける固体のSiO2水和物42の堆積を防止するようにしている。しかしこの方法は機器の構成が複雑になり、かつランニングコストが上昇する。
【0027】
またこのような堆積物対策を施しても、堆積物を一切生成させないようにすることは不可能である。このためチャンバ内壁6bに堆積された固体のSiO2水和物42を定期的に清掃しこれを除去するようにしている。しかしスクラバの清掃を行うたびに設備の停止によるロスが発生する。
【0028】
本発明はこうした実状に鑑みてなされたものであり、気液接触の効率を高く維持したまま気液接触する場所での固体物質の堆積をなくすようにして、湿式法の有利な点を保持しつつ設備停止ロス等の不具合をなくすことを解決課題とするものである。
【0029】
【課題を解決するための手段および効果】
本発明の第1発明は、
排ガス中の有害の被除害物質と特定の液体とを反応させ、無害の固体物質を生成することによって、前記被除害物質の除害を行う排ガスの除害方法において、前記排ガスとの気液接触により前記被除害物質を可溶するとともに前記無害の固体物質を生成しない溶媒を用意し、当該溶媒と前記排ガスとを気液接触させることにより、前記被除害物質の溶液を生成する行程と、
前記生成された被除害物質の溶液と前記特定の液体とを反応させることにより、前記無害の固体物質を生成する行程と
を具えたことを特徴とする。
【0030】
第1発明を図1を用いて説明する。
【0031】
第1発明によれば、排ガス4(SiHCl3、HCl及びその他の塩化物、H2)との気液接触により被除害物質(SiHCl3、HClその他の塩化物)を可溶するとともに無害の固体物質42(SiO2)を生成しない溶媒5(油、フッ素系不活性液体)が用意される。そして吸収装置2において、溶媒5と排ガス4とが気液接触され、被除害物質の溶液5′(SiHCl3等塩化物を吸収した溶媒5)が生成される。
【0032】
そしてつぎに反応装置3において、上記生成された被除害物質の溶液5′(SiHCl3等塩化物を吸収した溶媒5)と特定の液体(除害剤:H2O)とが反応(SiHCl3+2H2O→3HCl+SiO2+H2)することにより、無害の固体物質42(SiO2)が生成される。
【0033】
このように第1発明によれば、吸収装置2のチャンバ6で排ガス4を溶媒5に気液接触させることにより、無害の固体物質42を生成することなく被除害物質(SiHCl3等塩化物)を吸収した溶液5′が生成される。除害は、上記チャンバ6とは別の場所で液体同士(溶液5′とH2O)を反応させることによりなされる。このため固体物質42(SiO2)を気液接触箇所(チャンバ6内)に堆積させることなく確実に除去することができる。
【0034】
以上のように本第1発明よれば、気液接触の効率を高く維持したまま気液接触する場所での固体物質の堆積をなくすことができるので、湿式法の有利な点を保持しつつ設備停止ロス等の不具合をなくすことができる。
【0035】
また第2発明は、第1発明において、
有害の被除害物質はシリコン塩化物であり、特定の液体は水(H2O)または苛性ソーダ水溶液(NaOHaq)であり、無害の固体物質42はシリコン酸化物(SiO2)であることを特徴とする。
【0036】
また第3発明は、第1発明において、
前記溶媒は油またはフッ素系不活性液体であることを特徴とする。
【0037】
また第4発明は、
排ガス中の有害の被除害物質と特定の液体とを反応させ、無害の固体物質を生成することによって、前記被除害物質の除害を行う排ガスの除害装置において、前記排ガスとの気液接触により前記被除害物質を可溶するとともに前記無害の固体物質を生成しない溶媒を用意し、当該溶媒と前記排ガスとを気液接触させることにより、前記被除害物質の溶液を生成する溶液生成手段と、
前記生成された被除害物質の溶液と前記特定の液体とを反応させることにより、前記無害の固体物質を生成する固体物質生成手段と
を具えたことを特徴とする。
【0038】
第4発明は第1発明の方法の発明を装置の発明に置換したものである。
【0039】
また第5発明は、第4発明において、
前記溶液生成手段は、チャンバ内で前記溶媒と前記排ガスとを気液接触させ、当該チャンバ内のノズルの出口から前記被除害物質の溶液を噴出させるものであることを特徴とする。
【0040】
第5発明は、図1に示すように、溶液生成手段2としてチャンバ6および当該チャンバ6内のノズル6cが使用され、溶媒5と排ガス4とがチャンバ6内で気液接触され、チャンバ6内のノズル6cの出口から被除害物質の溶液5′が噴出されるので、気液接触の効率を高く維持することができる。このため効率よく被除害物質の吸収がなされ、除害を効率よく行うことができる。
【0041】
【発明の実施の形態】
以下図面を参照して本発明に係る排ガスの除害方法または除害装置の実施の形態について説明する。
【0042】
図1は実施形態の排ガス処理装置1の構成を示す図である。
【0043】
この排ガス処理装置1の前工程ではシリコン基板にシリコン薄膜をエピタキシャル成長させるエピタキシャル成長工程がエピタキシャル成長炉内で行われる。
【0044】
エピタキシャル成長は原料ガスSiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2、SiH4により異なるが、以下の反応によってなされる。
【0045】
(a)SiCl4+2H2→Si+4HCl(水素還元反応) …(3)
(b)SiHCl3+H2→Si+3HCl(水素還元反応) …(4)
(c)SiH2Cl2→Si+2HCl(熱分解反応) …(5)
(d)SiH4→Si+2H2(熱分解反応) …(6)
シリコン薄膜の原料ガスとしては例えば(b)のSiHCl3(トリクロロシラン)が使用される。反応炉内でSiHCl3がシリコン基板の表面に供給される。そしてSiHCl3の化学反応によってシリコン基板の表面に同じシリコンの薄膜がエピタキシャル成長によって形成されていく。エピタキシャル成長層には不純物として例えば所定濃度のホウ素Bが添加される。ホウ素Bはエピタキシャル成長の過程で例えば所定濃度のドーピングガスB2H6を炉内に供給することによってエピタキシャル成長層の中にドーピングされる。このようにしてシリコン基板の表面に、所定濃度の不純物Bが添加されたエピタキシャル成長層が形成される。
【0046】
すなわちエピタキシャル成長炉内には、ガス供給路を介して成長ガスが供給される。ガス供給源より原料ガス(SiHCl3)、ドーピングガス(B2H6)、キャリアガス(H2)からなる成長ガスがエピタキシャル成長炉内に供給される。
【0047】
エピタキシャル成長炉には、炉内のガスを外部に排気する排出口が設けられている。
【0048】
エピタキシャル成長炉に成長ガスが供給されると、成長ガスがウェーハの基板の表面を通過する。ウェーハ基板はサセプタによって保持されている。高温気相中(1000゜C〜1200゜C)での化学反応が基板上でなされ、基板の表面に不純物(B)が所定濃度で注入されて薄膜が形成される。高温気相中での化学反応に寄与した成長ガスの一部は、排出口から外部に排出される。
【0049】
上記サセプタはSiCなどから構成されている。よってサセプタ上に原料ガスが通過すると不要なシリコンが堆積される。そこでこの堆積されたシリコンを取り除くべくエピタキシャル成長炉内にはガス供給路を介してエッチングガスが供給される。ガス供給源よりエッチングガスとしてHClと、これを希釈するキャリアガス(H2)が供給される。ここでエッチングガスとしては塩化水素ガスの純ガスでもよく塩化水素ガスを含む混合ガスでもよい。
【0050】
エッチングガスがエピタキシャル成長炉内に供給されると、エッチングガスがサセプタの表面を通過する。これによりサセプタ上に堆積された不要なシリコンががエッチングガスと化学反応(Si(s)+2HCl(g)→SiCl2(g)+H2(g))により分解され取り除かれる。エッチングに寄与したエッチングガスの一部は、排出口から外部に排出される。エピタキシャル成長炉に投入されたガスのうちの数十%のガスが排ガスとして排出される。
【0051】
こうしてエピタキシャル成長炉の排出口から排出された排ガス4つまりSiHCl3、B2H6、H2、HClは、図1の排ガス処理装置1に供給される。
【0052】
しかしながら実際の排ガスには、たとえ原料ガスとしてSiHCl3を使用したとしてもHClやSiHCl3だけではなく、SiH2Cl2も含まれている。
【0053】
また原料ガスとして(a)のSiCl4が使用された場合も、同様に実際の排ガスには、HClやSiCl4だけではなく、SiHCl3やSiH2Cl2も含まれている。
【0054】
すなわち上記(3)の反応式(SiCl4+2H2→Si+4HCl)を正確に表すと、つぎのようになる。
【0055】
SiCl4+H2⇔SiCl2+2HCl …(7)
SiCl2+H2⇔Si+2HCl …(8)
ここで中間体SiCl2は周囲のHClとH2とで可逆的につぎの反応を行っている。
【0056】
SiCl2+HCl⇔SiHCl3 …(9)
SiCl2+H2⇔SiH2Cl2 …(10)
従って排ガス中にはH2、HClの他にSiCl4だけではなく、SiHCl3やSiH2Cl2などが存在することになる。
【0057】
また原料ガスとしてSiHCl3を使用した場合でもHClの他にSiHCl3だけではなくSiH2Cl2などが存在することになる。
【0058】
ただし本実施形態では説明の便宜のため原料ガスとしてSiHCl3を使用した場合に排ガス4中にシリコン塩化物としてSiHCl3だけが存在していると想定して説明する。
【0059】
ここでSiHCl3などのシリコン塩化物、塩化水素HClは、これをそのまま大気に放出させては人体などに悪影響を与えるため無害の物質に変換させる必要がある。HClガスは腐食性を有し機器に悪影響を与える。このため図1の排ガス処理装置1によってこれらガスの除害がなされる。
【0060】
図1の排ガス処理装置1は、大きくは、ノズル6cを中心として構成され排ガス4中のシリコン塩化物たるSiHCl3を溶媒5に吸収させる吸収装置2と、上記吸収装置2によってシリコン塩化物SiHCl3を吸収した溶媒5と水H2Oとを反応させることによって無害の固体物質42(SiO2)を生成する反応装置3とからなる。また吸収装置2で得られた塩化水素ガスを中和して除害する湿式スクラバ31と、反応装置3で得られた塩化水素を中和して除害するかまたは塩化水素が溶け込まれた酸性の水を塩酸に濃縮して回収するとともに溶媒5を回収する中和・回収装置35とを備えている。
【0061】
これら吸収装置2、反応装置3、湿式スクラバ31、中和・回収装置35は、各種配管によって接続されている。
【0062】
本実施形態では上記溶媒5として、油またはフッ素系不活性液体が使用される。フッ素系不活性液体は登録商標「フロリナート」、「GALDEN」として市販されているものを使用することができる。
【0063】
溶媒5としての必要な条件は、排ガス4との気液接触によりシリコン塩化物(SiHCl3)を可溶するとともに無害の固体物質42(SiO2)を生成しないことである。具体的には、
1)水分を全く含まない液体であること
2)シリコン塩化物を可溶すること
3)水と反応しないこと
4)水に不溶な物質であること
が必要である。さらに、
5)蒸気圧が低いこと
6)オゾン層破壊物質ではないこと
7)不燃性であること
8)安価であること
が望ましい。5)の蒸気圧が低いという条件は、蒸気圧が高いと飛散してしまい気液接触の効率がよくないからである。6)のオゾン層破壊物質ではないという条件は環境に配慮したものである。
【0064】
以下図1の排ガス処理装置1で行われる処理について説明する。
【0065】
吸収装置2は従来のジェットスクラバと同じ装置が使用される。
【0066】
すなわち吸収装置2の下方のタンク9内には吸収剤として溶媒5が貯留されている。チャンバ6内にはジェットノズル6cが設けられている。溶媒5はポンプ11によって吸い上げられ、ジェットノズル6cの上流の供給口8よりジェットノズル6c内に供給される。
【0067】
溶媒5は管路10a、10b、10cを介して矢印Aに示すようにポンプ11によって吸い上げられる。管路10b上には管路10a、10b、10cを通過する溶媒5の通過流量を計測する流量計13が設けられている。また管路10b上には管路10a、10b、10cを通過する溶媒5の通過流量を制御するバルブ12が設けられている。流量計13によって溶媒5の通過流量が計測されこの計測結果に基づいてバルブ12が制御され溶媒5のノズル6cへの供給量が目標値に制御される。そしてジェットノズル6cから溶媒5が噴出される。
【0068】
一方チャンバ6の上流には、排ガス4が導入される導入口7が設けられている。
【0069】
導入口7よりチャンバ6の上流に、エピタキシャル成長炉から排出された排ガス4が導入される。
【0070】
このためノズル6c、チャンバ6の上流からそれぞれ供給された溶媒5と排ガス4はチャンバ6内のノズル6c噴出口付近で、高速の流れとなって気液接触される。そしてノズル6cの出口からジェット流となって噴出される。このため溶媒5と排ガス4との気液接触はきわめて効率よく行われる。
【0071】
このようにして溶媒5と排ガス4とが気液接触され、SiHCl3を吸収した溶媒5つまり溶液5′が生成される。ここで気液接触部分では水分が存在しないためSiO2・(nH2O)等の固体物質が生成されることはない。溶液5′はタンク9の下層9bに貯留される。なお排ガス4中のHClも若干ながら溶媒5に吸収され溶液5′中に取り込まれる。
【0072】
またノズル6cからはH2、HClガスが噴出される。これらH2、HClガスはタンク9の上層9aに貯留される。なお上層9aには、溶媒5に吸収されなかった若干のSiHCl3ガスが存在している。
【0073】
タンク9の上層9aと湿式スクラバ31は管路28、30によって連通されている。
【0074】
湿式スクラバ31では除害剤として苛性ソーダ水溶液(NaOHaq)が用いられる。湿式スクラバ31では図2で前述したのと同様の除害処理がなされる。
【0075】
すなわち管路30を介して上記H2、HClガスが湿式スクラバ31に供給される。そして苛性ソーダ水溶液40とH2、HClガスとが気液接触され上記(2)式の反応(HCl+NaOH→NaCl+H2O)によって塩化水素ガスが中和により除害される。なおSiHCl3ガスが若干存在しており、上記(1)式の反応(SiHCl3+2H2O→3HCl+SiO2+H2)により無害の固体物質42(SiO2の水和物)が生成されることになるが、若干であるため固体物質42が堆積するという弊害は生じない。若干のSiO2水和物は苛性ソーダ水溶液40に溶解され、苛性ソーダ水溶液40とともに回収、除去される。
【0076】
吸収装置2のタンク9の下層9bと反応装置3とは管路14a、14b、20によって連通されている。またタンク9の下層9bは管路14a、14b、14cによって環流されている。
【0077】
管路14a上にはタンク9の下層9bの溶液5′を管路14aに引き込むポンプ15が設けられている。また管路20上には管路14a、20を通過して反応装置3に供給される溶液5′の通過流量を計測する流量計19が設けられている。また管路20上には管路14a、20を通過して反応装置3に供給される溶液5′の通過流量を制御するバルブ18が設けられている。流量計19によって溶液5′の通過流量が計測されこの計測結果に基づいてバルブ18が制御され溶液5′の反応装置3への供給量が目標値に制御される。
【0078】
管路14c上には管路14a、14b、14cを通過してタンク9の下層9bに環流される溶液5′の通過流量を計測する流量計17が設けられている。また管路14c上には管路14a、14b、14cを通過してタンク9の下層9bに環流される溶液5′の通過流量を制御するバルブ16が設けられている。流量計17によって溶液5′の環流する流量が計測されこの計測結果に基づいてバルブ16が制御され溶液5′のタンク下層9bへの戻し量が目標値に制御される。
【0079】
したがってSiHCl3が取り込まれた溶液5′は元の溶媒5に再生するべくタンク9の下層9bから管路14a、20を介して反応装置3に供給される。ここで反応装置3における溶液5′から溶媒5への再生能力には限界がある。そこでタンク9の下層9bの溶液5′のうち一部は管路14a、14b、14cを環流してタンク下層9bへ戻される。
【0080】
つぎに反応装置3における処理について説明する。
【0081】
反応装置3は撹拌器21を中心に構成される。本実施形態では除害剤として水H2Oが使用される。
【0082】
補給用の水 H2Oは管路36a、36bを介して撹拌器21に供給される。管路36aには管路36a、36bを通過する水H2Oの流量を計測する流量計37が設けられている。流量計37によって計測された流量に基づいて撹拌器21に供給される水H2Oの供給流量が制御される。
【0083】
補給用の溶媒5はタンク22内に貯留されている。タンク22の下部出口から溶媒5が落下され管路38を介して撹拌器21内に供給される。
【0084】
撹拌器21では、管路20を介して供給される溶液5′と、管路36bを介して供給される水H2Oとが撹拌される。なお溶液5′と水とを撹拌する際に窒素ガスを液体に接触させて乳化させ上記(1)式の反応を促進させてもよい。
【0085】
この結果溶媒5に溶解されていたSiHCl3がH2Oと反応する。反応式は上記(1)式(SiHCl3+2H2O→3HCl+SiO2+H2)に示される。上記(1)式の反応により、水H2O、溶媒5、SiO2水和物SiO2・(nH2O)が撹拌器21内で分離される。
【0086】
こうして無害の固体物質42(SiO2・(nH2O))は撹拌器21の最下層21dに沈殿析出される。溶媒5は最下層21dの上部の層21cに貯留される(ただし溶媒5としてフッ素系不活性液体を用いた場合)。上記(1)式の反応によってHClが生成される。このHClを含んだ水H2O(酸性水)は層21cの上部の層21bに貯留される。上記(1)式の反応によって生成されたH2、HClガスは層21bの上部の層21aに貯留される。
【0087】
なお原料ガスとしてSiHCl3の代わりにSiH2Cl2が使用される場合には、上記(1)の代わりに下記(11)式の反応がなされる。
【0088】
SiH2Cl2+2H2O→2HCl+SiO2+2H2 …(11)
撹拌器21の最下層21dの流出口とその上部の層21cの流入口とは管路23a、23b、23c、23d、23gによって連通されている。
【0089】
管路23a上には撹拌器21の最下層21dのSiO2・(nH2O)を管路23aに引き込むポンプ39が設けられている。管路23c、23d上にはそれぞれSiO2・(nH2O)を回収するフィルタ23e、23fが設けられている。
【0090】
このため管路23a、23b、23c、23dを溶媒5、SiO2・(nH2O)が通過しフィルタ23e、23fにて無害の固体物質42(SiO2・(nH2O))が回収される。フィルタ23e、23fを通過した溶媒5は管路23c、23d、23gを介して撹拌器21の溶媒5の貯留層21cに流入される。
【0091】
撹拌器21の溶媒貯留層21cとノズル6cの供給口8とは管路24a、24b、10cによって連通されている。管路24a上には撹拌器21の溶媒貯留層21cの溶媒5を管路24aに引き込むポンプ25が設けられている。また管路24b上には管路24a、24b、10cを通過してノズル6cの供給口8に供給される溶媒5の通過流量を計測する流量計27が設けられている。また管路24b上には管路24a、24b、10cを通過してノズル6cの供給口8に供給される溶媒5の通過流量を制御するバルブ26が設けられている。流量計27によって溶媒5の通過流量が計測されこの計測結果に基づいてバルブ26が制御され溶媒5の吸収装置2のノズル6cへの供給量が目標値に制御される。
【0092】
このため撹拌器21内で分離され再生された溶媒5は、矢印Aに示す経路を辿る溶媒5とともに吸収装置2のノズル6cに吸収剤として供給される。
【0093】
撹拌器21の酸性水(H2O、HCl)貯留層21bと中和・回収装置35とは管路32a、32b、32cによって連通されている。
【0094】
管路32a上には撹拌器21の酸性水貯留層21bの酸性水(H2O、HCl)を管路32aに引き込むポンプ33が設けられている。管路32cには管路32a、32b、32cを通過する酸性水の流量を計測する流量計34が設けられている。流量計34によって計測された流量に基づいて中和・回収装置35に供給される酸性水の供給流量が制御される。
【0095】
中和・回収装置35では、撹拌器21の酸性水貯留層21bから供給される酸性水(H2O、HCl)に含まれる塩化水素が上記(2)式の反応(HCl+NaOH→NaCl+H2O)により中和され除害され回収される。または塩化水素が溶け込まれた酸性水が塩酸に濃縮され回収される。撹拌器21から中和・回収装置35へは酸性水だけではなく溶媒5も若干ながら供給される。そこで中和・回収装置35では溶媒5が回収され、タンク22の補給用溶媒として使用される。
【0096】
管路32bは管路32dを介して管路36bに連通されている。このため管路32b内の酸性水の一部は、管路36aを通過する水とともに混合され、酸性度が減じられた上で反応装置3の撹拌器21に除害剤として供給される。
【0097】
撹拌器21のガス貯留層(H2、HClガス)21aと湿式スクラバ31は管路29、30によって連通されている。
【0098】
湿式スクラバ31では図2で前述したのと同様の除害処理がなされる。
【0099】
すなわち湿式スクラバ31には管路30を介して上記H2、HClガスが供給される。これにより苛性ソーダ水溶液40とH2、HClガスとが気液接触され上記(2)式の反応(HCl+NaOH→NaCl+H2O)によって塩化水素ガスが中和により除害される。
【0100】
以上のように本実施形態によれば、吸収装置2のチャンバ6内で排ガス4を溶媒5に気液接触させることにより、無害の固体物質42を生成することなく被除害物質(SiHCl3)を吸収した溶液5′が生成される。除害は、上記チャンバ6とは別の場所で液体同士(溶液5′とH2O)を反応させることによりなされる。このため反応によって生成された無害の固体物質42(SiO2)をチャンバ6内に堆積させることなく確実に除去することができる。以上の説明では各ユニット1台の構成を前提としているが、複数台で構成することも可能である。連続式、バッチ式等様々なバリエーションで実施することが可能である。
【0101】
以上のように本実施形態によれば、気液接触の効率を高く維持したまま気液接触する場所での固体物質の堆積をなくすことができるので、湿式法の有利な点を保持しつつ設備停止ロス等の不具合をなくすことができる。
【0102】
なお本実施形態ではエピタキシャル成長炉の排ガスの処理を想定しているが、本発明としてはこれに限定されることなく排ガスが排出される対象機器は任意である。
【0103】
また本実施形態では反応装置3の撹拌器21に除害剤として水H2Oを供給しているが、除害剤として苛性ソーダ水溶液(NaOHaq)を供給してもよい。
【0104】
また本実施形態では吸収装置2として従来のジェットスクラバと同じ装置を用いているが、排ガス4と溶媒5とを気液接触させて溶媒5に排ガス4中の被除害物質(SiHClなどのシリコン塩化物)を吸収させることができるのであれば、吸収装置2の構成は任意である。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は実施形態の排ガス処理装置の構成図である。
【図2】図2は従来のジェットスクラバの一部を示す図である。
【符号の説明】
1 排ガス処理装置
2 吸収装置
3 反応装置
4 排ガス
5 溶媒
5′ 溶液
6 チャンバ
6c ジェットノズル
Claims (5)
- 排ガス中の有害の被除害物質と特定の液体とを反応させ、無害の固体物質を生成することによって、前記被除害物質の除害を行う排ガスの除害方法において、
前記排ガスとの気液接触により前記被除害物質を可溶するとともに前記無害の固体物質を生成しない溶媒を用意し、当該溶媒と前記排ガスとを気液接触させることにより、前記被除害物質の溶液を生成する行程と、
前記生成された被除害物質の溶液と前記特定の液体とを反応させることにより、前記無害の固体物質を生成する行程と
を具えたことを特徴とする排ガスの除害方法。 - 前記有害の被除害物質はシリコン塩化物であり、前記特定の液体は水または苛性ソーダ水溶液であり、前記無害の固体物質はシリコン酸化物であることを特徴とする請求項1記載の排ガスの除害方法。
- 前記溶媒は油またはフッ素系不活性液体であることを特徴とする請求項1記載の排ガスの除害方法。
- 排ガス中の有害の被除害物質と特定の液体とを反応させ、無害の固体物質を生成することによって、前記被除害物質の除害を行う排ガスの除害装置において、
前記排ガスとの気液接触により前記被除害物質を可溶するとともに前記無害の固体物質を生成しない溶媒を用意し、当該溶媒と前記排ガスとを気液接触させることにより、前記被除害物質の溶液を生成する溶液生成手段と、
前記生成された被除害物質の溶液と前記特定の液体とを反応させることにより、前記無害の固体物質を生成する固体物質生成手段と
を具えたことを特徴とする排ガスの除害装置。 - 前記溶液生成手段は、チャンバ内で前記溶媒と前記排ガスとを気液接触させ、当該チャンバ内のノズルの出口から前記被除害物質の溶液を噴出させるものであることを特徴とする請求項4記載の排ガスの除害装置。
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-
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