RU1799402C - Способ осаждени тонкопленочных структур электронной техники - Google Patents
Способ осаждени тонкопленочных структур электронной техникиInfo
- Publication number
- RU1799402C RU1799402C SU914934172A SU4934172A RU1799402C RU 1799402 C RU1799402 C RU 1799402C SU 914934172 A SU914934172 A SU 914934172A SU 4934172 A SU4934172 A SU 4934172A RU 1799402 C RU1799402 C RU 1799402C
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- toxic
- thin
- gases
- gas
- absorbent solution
- Prior art date
Links
Landscapes
- Treating Waste Gases (AREA)
Abstract
Использование; защита окружающей среды от отработанных токсичных газов при производстве электронной техники. Сущность изобретени : после ввода в реакционную камеру исходных реагентов, нагрева и их разложени на подложке отработанные газы нейтрализуют в оросительной колонке во взвешенных частицах раствора-абсорбента следующего состава: мас.%: гидроокись кали . 20-25; оксихлорид натри 15-20; вода-остальное. Повышают степень нейтрализации газов. 2 табл.
Description
Изобретение относитс к технологии создани тонкопленочных структур электронной техники, в частности, эпитаксиальных, поликристаллических и аморфных пленок кремни /германи и соединений AIHBV, фос- форо-, борофосфоро-, фосфоромышь кови- стых силикатных стекол, оксидов и нитридов кремни с использованием моносилаиов, хлоридов кремни , германи и соединений AMIBV, арсина, диборана, фосфина, стибина и элементоорганических соединений и направлено на защиту окружающей среды от отработанных токсичных и агрессивных газов и парогазовых смесей.
Цель изобретени - повышение степени нейтрализации газов и парогазовых смесей , образующихс при взаимодействии гидридов, хлоридов и элементоорганических соединений III, IV и V-rpynn.
Поставленна цель достигаетс тем, что в способе осаждени тонкопленочных структур электронной техники, включающем ввод в реакционную камеру гидридов, хлоридов и других соединений элементов III, IV и V группы периодической системы, нагрев и разложение их на подложке, отвод и нейтрализацию отработанных токсичных и агрессивных газов в растворе-абсорбенте, содержащем щелочь и воду, раствор-абсорбент дополнительно содержит оксихлорид натри , а в качестве щелочи берут гидроокись кали при следующем соотношении компонентов, мас.%:
Гидроокись кали 20-25 Оксихлорид натри 15-20 Вода Остальное и нейтрализацию ведут во взвешенных частицах раствора в оросительной колонке.
-ч «о
SQ
4 О
го
Сч)
Сущность изобретени заключаетс в следующем. Реализаци признака - раствор-абсорбент дополнительно содержит оксихлорид натри , а в качестве щелочи берут гидроокись кали - обеспечивает повышение степени нейтрализации отработанных токсичных и агрессивных газов за счет интенсификации окислительных процессов. Происходит это в результате того , что щелочна среда раствора-абсорбента активирует процесс распада оксихлорида натри до хлористого натри и атомарного кислорода, Именно, последний играет роль сильного окислител и переводит продукты распада токсичных и агрессивных газов и парогазовых смесей и паров хлоридов в их оксиды, которые, отлича сь более высоким удельным весом, по отношению ко взвешенным частицам раствора абсорбента, под воздействием сил т жести осаждаютс в емкость-резервуар с абсорбентом внутри оросительной колонки.
Реализаци признака.- и нейтрализацию ведут во взвешенных частицах раствора в оросительной колонке позвол ет обеспечить полное поглощение отработанных токсичных и агрессивных газов и парогазовых смесей всей массой взвешенных частиц, благодар большой развитой поверхности соприкосновени этих частиц, как абсорбента, с соприкасающимис отработанными токсичными и агрессивными газами . Это создает услови интенсификации взаимодействи среды с абсорбентом внутри оросительной колонки.
Содержание оксихлорида натри , дополнительно вводимое в раствор абсорбент , а также содержание гидроокиси кали в нем, вл ютс оптимальными дл данного способа.
Реализаци способа осаждени тонкопленочных структур электронной техники в реакторах пониженного давлени по данному способу осуществл лось при изготовлении тонких 0,8...1 мкм поликристаллических пленок кремни , легированных мышь ком, фосфором и бором соответственно, с использованием в качестве токсичных и агрессивных газов моносилана, дихлорсилана, арсина, фосфина и диборана, борофосфоро- силикатных стекол толщиной 0,8...1,5 мкм с использованием моносилана, фосфина, диборана и кислорода и пленок нитрида кремни толщиной 0,15...0,20 мкм с использованием дихлорсилэна, моносилана и аммиака и гексаментилдисилазана. Осаждение тонкопленочных структур осуществл лось по стандартному технологическому маршруту парогазовых химических процессов, отличием которых была нейтрализаци токсичных и агрессивных газов и парогазовых смесей на выходе из реактора. Осаждение тонкопленочных структур осуществл лось в установке Изотрон-2М с вакуумным агрегатом АРВ-160 и расходомером типа R-2-15 и Parter 125-Series фирма Sklnker Electric Valll Company на лини х дихлорсилана . моносилана, арсина, фосфина, диборана. Общее давление парогазовой
0
смеси в реакторе поддерживалось в пределах 40... 120 Па. Скорость подачи газовой или парогазовой смеси через реактор поддерживалась на уровне 60...140 дм3/ч. Отходы отработанных токсичных и агрессивных
5 газов и парогазовых смесей в процессе осаждени тонкопленочных структур все врем откачиваютс из реактора и через специальный патрубок ввод тс в оросительную колонку протйвопотоком распыл емому через фор0 сунку раствору-абсорбенту, который из резервуара-накопител подаетс в нее с помощью насоса под давлением 1„,2 атм. Давление внутри оросительной колонки поддерживаетс на уровне нул за счет раз5 режени задающегос вентил ционной системой . Взаимодействие раствора-абсорбента с отработанными токсичными и агрессивными газами и парогазовыми смес ми осуществл етс в верхней части оросительной
0 колонки, образующиес в процессе химического взаимодействи оксиды и другие комплексы , ввиду более высокого удельного веса по отношению к раствору-абсорбенту, выпадают в резервуар-накопитель раство5 pa-абсорбента, наход щегос в нижней части оросительной колонки и осаждаютс в его нижней части, не создава преп тствий .дл подачи раствора-абсорбента в распылительную форсунку.
0 Приготовление раствора-абсорбента осуществл лось из гидроокиси кали , оксихлорида натри и деионизованной воды с таким расчетом, чтобы получить 5 растворов-абсорбентов , а именно, растворы, охва5 тывающие по составу за вл емые пределы компонентов и пределы ниже и выше за вл емых - растворы-абсорбенты:
После нейтрализации отработанных токсичных и агрессивных газов и парогазо0 вых смесей оценивалось их содержание на выходе из оросительной колонки в вентил ционную систему методом отбора проб, масс-спектроскопии и И «-спектроскопии. Результаты испытани данного способа
5 осаждени тонкопленочных структур электронной техники в реакторах пониженного давлени представлены в таблице, где №№ 1-5 испытываемых растворов-абсорбентов, б - раствор-абсорбент прототипа: с - концентраци в мг/м3 отработанных токсичных
и агрессивных газов и парогазовых смесей на выходе из оросительной колонки в вентил ционную систему;
АзНз-арсин; РНз-фосфин; В2Нб дибо- ран; 5Ш4-моносилан; 51Н2С12 Дихлорси- лан; 51С 4-тетрахлорид кремни ; МНз-аммиак; HCI-хлористый водород.
Примеры 1-5 иллюстрируют варианты раствора-абсорбента при нейтрализации отработанных токсичных и агрессивных газов и парогазовых смесей, при реализации которых за вл емое содержание компонентов выходило за пределы, указанные в данном способе.
Примеры 2-4 в таблице иллюстрируют предлагаемый состав дл нейтрализации отработанных токсичных и агрессивных газов и парогазовых смесей.
Результаты, представленные в таблице, показывают, что данный способ осаждени тонкопленочных структур электронной техники в реакторах пониженного давлени позвол ет полностью нейтрализовать отработанные токсичные и агрессивные га - зы и парогазовые смеси непосредственно внутри оросительной колонки, исключа их попадание в окружающую среду.
В примерах, составы которых выход т за пределы, указанные в данном способе, наблюдаетс незначительное наличие отработанных токсичных и агрессивных газов и парогазовых смесей на выходе из оросительной колонки в вентил ционную Систему , а следовательно, и в окружающую среду.
В примере 6, соответствующем прототипу , содержание на выходе из вентил ционной системы в окружающую среду составл ет (мг/м3): диборана 4; арсина 3;
фосфина 0, 2; моносилана 6; тетрах/юрида кремни 10;дихлорсиланз 6; аммиака 8-10; хлористого водорода 6-8.
Полученные результаты показывают, 5 что данный способ осаждени тонкопленочных структур электронной техники позвол ет при нейтрализации отработанных токсичных и агрессивных газов и парогазовых смесей исключить их попадание в окру0 жающую. среду. Это дает возможность улучшить экологическую среду полупроводникового производства и производства электронной техники.
Ф о р м у л а и з о б р е т е н и
5 Способ осаждени тонкопленочных структур электронной техники, включающий ввод в реакционную камеру гидридов. хлоридов и других соединений элементов III, IV, V групп Периодической системы, нагрев
0 и разложение их на подложке, отвод и нейтрализацию отработанных токсичных и агрессивных газов в растворе-абсорбенте, содержащем щелочь и воду, отличающийс тем, что, с целью повышени
5 степени нейтрализации газов и парогазовых смесей, образующихс при взаимодействии гидридов, хлоридов и элементоорганических соединений III, IV и V групп, раствор-абсорбент дополнительно
0. содержит оксихлорид натри , а в качестве щелочи - гидроокись кали при следующем соотношении компонентов, мае.%: . Гидроокись кали 20-25; Оксихлорид натри 15-20;
5 ВодаОстальное, и нейтрализацию ведут во взвешенных частицах раствора-абсорбента в оросительной колонке.
Таблица 1
Результаты испытани способа осаждени тонкопленочных структур электронной техники
по предлагаемому способу и прототипу
Таблица 2
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU914934172A RU1799402C (ru) | 1991-05-06 | 1991-05-06 | Способ осаждени тонкопленочных структур электронной техники |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU914934172A RU1799402C (ru) | 1991-05-06 | 1991-05-06 | Способ осаждени тонкопленочных структур электронной техники |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU1799402C true RU1799402C (ru) | 1993-02-28 |
Family
ID=21573404
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU914934172A RU1799402C (ru) | 1991-05-06 | 1991-05-06 | Способ осаждени тонкопленочных структур электронной техники |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU1799402C (ru) |
-
1991
- 1991-05-06 RU SU914934172A patent/RU1799402C/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
1. Патент US № 4839145, кл. С 03 В 35/00,1989. 2.. Патент US № 4661056, кл. F 23 D 14/00, 1987. 3. Обработка газообразных продуктов, использованных в процессах полупроводникового производства РЖ Электроника, 1988, реф. №ЗБ380. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Gordon et al. | Implications of the toxicity of tetramethyltin, dimethyl tin dichloride, and tin tetrachloride in selecting a suitable tin precursor in the chemical vapor deposition of tin oxide | |
KR101144366B1 (ko) | 실리콘 화합물로 실리콘 함유층을 증착시키는 방법 | |
KR100815009B1 (ko) | 산화물, 규산염 및 인산염의 증기를 이용한 석출 | |
CN100593513C (zh) | 硅的制造方法 | |
EP0234593A2 (en) | Silicon-containing coatings and a method for their preparation | |
US9764961B2 (en) | Cyclohexasilane | |
AU2008215944B2 (en) | Method of treating a gas stream | |
CN101134761A (zh) | 采用弱碱性离子交换树脂稳定含氮和含氧的有机硅烷 | |
RU1799402C (ru) | Способ осаждени тонкопленочных структур электронной техники | |
CN113149017B (zh) | 一种多晶硅高沸物除铝用络合剂及其应用方法 | |
ES8704141A1 (es) | Un metodo mejorado de deposicion quimica en fase vapor para producir un revestimiento de oxido de estano adulterado con fluor | |
US5945078A (en) | Processes for the scrubbing of noxious substances | |
KR20090051203A (ko) | 육불화황 재순환 시스템 및 육불화황 재순환 방법 | |
JPS6235807B2 (ru) | ||
JPH0660026B2 (ja) | 光ファイバ製造工程のガス状流出物からゲルマニウムを除去する方法 | |
EP0140660B1 (en) | Method of forming amorphous polymeric halosilane films and products produced therefrom | |
JP5896929B2 (ja) | クロロシラン類の廃ガス処理システムおよび廃ガス処理方法 | |
US4908191A (en) | Removing arsine from gaseous streams | |
EP3543211B1 (en) | Method for hydrolyzing chlorosilane polymers | |
JP6969758B2 (ja) | 処理液及び処理方法 | |
EP1937392A1 (en) | Method of treating a gas stream | |
CN101554562B (zh) | 废气处理系统及处理方法 | |
Fedorov et al. | Processes for the Preparation of High-Purity Arsenic and Its Compounds | |
WO2011117231A1 (en) | Method of treating waste gases | |
JP3668995B2 (ja) | 化学的気相成長成膜方法 |