JPH10113537A - 有害物質のスクラビング法 - Google Patents
有害物質のスクラビング法Info
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- JPH10113537A JPH10113537A JP9189566A JP18956697A JPH10113537A JP H10113537 A JPH10113537 A JP H10113537A JP 9189566 A JP9189566 A JP 9189566A JP 18956697 A JP18956697 A JP 18956697A JP H10113537 A JPH10113537 A JP H10113537A
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- Japan
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- hydrogen fluoride
- oxidizing agent
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
- B01D53/46—Removing components of defined structure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2251/00—Reactants
- B01D2251/50—Inorganic acids
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02C—CAPTURE, STORAGE, SEQUESTRATION OR DISPOSAL OF GREENHOUSE GASES [GHG]
- Y02C20/00—Capture or disposal of greenhouse gases
- Y02C20/30—Capture or disposal of greenhouse gases of perfluorocarbons [PFC], hydrofluorocarbons [HFC] or sulfur hexafluoride [SF6]
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 改良した有害物質のスクラビング方法の提
供。 【解決手段】 ガス流とフッ化水素酸（ＨＦ）水溶液又
はフッ化水素イオンＨＦ 2 - 及び酸化剤を含有する溶液
とを接触させることを含む、ガス流から周期表３、４及
び５(b) 族の元素種をスクラビングする方法。
供。 【解決手段】 ガス流とフッ化水素酸（ＨＦ）水溶液又
はフッ化水素イオンＨＦ 2 - 及び酸化剤を含有する溶液
とを接触させることを含む、ガス流から周期表３、４及
び５(b) 族の元素種をスクラビングする方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特に半導体産業に
おいて見いだされる排気ガス流からの有害物質のスクラ
ビング方法に関する。
おいて見いだされる排気ガス流からの有害物質のスクラ
ビング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子ウェハー／チップ及び他のデバイス
を加工する半導体産業において、多量の有害物質が使用
されている。有害物質としては、周期表の第３、４及び
５（ｂ）族元素の種々の化合物、及び特にそのような元
素の水素化物、例えばシラン（ＳｉＨ4 ）、ホスフィン
（ＰＨ3 ）、アルシン（ＡｓＨ3 ）、水素化ゲルマニウ
ム（ＧｅＨ4 ）及びホウ化水素（Ｂ2 Ｈ6 ）があげられ
る。そのような水素化物ガスは一般的に自燃性かつ毒性
である；半導体プロセスチャンバーから排気ガス流中へ
の水素化物の放出が制御されていないために、チャンバ
ーダクトの閉塞、火事の危険性、製造装置の腐食及び装
置の排気スタックからの目に見えるプラム(plume) を含
む種々の問題を引き起こしている。伝統的な水投与スク
ラビング方法(dosed water scrubbing method)は、一般
的に、副生成物が一般的に固形状であり沈殿して装置の
閉塞を引き起こすという問題があるということがこれま
でに分かっている。湿式スクラバーを酸化剤又は塩基と
ともに投与する場合、スクラビング方法は一般的に、溶
液と例えば不溶性シランとの間の反応速度が遅く、反応
副生成物の溶解性が欠けていることによりこの条件が悪
化するといった欠点がある。それ故、そのような有害物
質のスクラビング方法を改良することが必要とされてい
る。
を加工する半導体産業において、多量の有害物質が使用
されている。有害物質としては、周期表の第３、４及び
５（ｂ）族元素の種々の化合物、及び特にそのような元
素の水素化物、例えばシラン（ＳｉＨ4 ）、ホスフィン
（ＰＨ3 ）、アルシン（ＡｓＨ3 ）、水素化ゲルマニウ
ム（ＧｅＨ4 ）及びホウ化水素（Ｂ2 Ｈ6 ）があげられ
る。そのような水素化物ガスは一般的に自燃性かつ毒性
である；半導体プロセスチャンバーから排気ガス流中へ
の水素化物の放出が制御されていないために、チャンバ
ーダクトの閉塞、火事の危険性、製造装置の腐食及び装
置の排気スタックからの目に見えるプラム(plume) を含
む種々の問題を引き起こしている。伝統的な水投与スク
ラビング方法(dosed water scrubbing method)は、一般
的に、副生成物が一般的に固形状であり沈殿して装置の
閉塞を引き起こすという問題があるということがこれま
でに分かっている。湿式スクラバーを酸化剤又は塩基と
ともに投与する場合、スクラビング方法は一般的に、溶
液と例えば不溶性シランとの間の反応速度が遅く、反応
副生成物の溶解性が欠けていることによりこの条件が悪
化するといった欠点がある。それ故、そのような有害物
質のスクラビング方法を改良することが必要とされてい
る。
【０００３】
【発明の概要】本発明により、ガス流とフッ化水素酸
（ＨＦ）水溶液又はフッ化水素イオンＨＦ2 - 及び酸化
剤を含有する溶液とを接触させることを含む、ガス流か
ら周期表３、４及び５(b) 族の元素種をスクラビングす
る方法を提供する。半導体産業で使用される典型的な元
素は、ホウ素、アルミニウム、ケイ素、リン、ガリウ
ム、ゲルマニルム及びヒ素である。そのような元素の水
素化物が最も一般的に使用されており、かつ本発明に最
も適用できる。そのような種を使用するプロセスチャン
バーからの排気ガス流は、使用されていない揮発性種、
例えばそれらの水素化物を含み得、該種の又は元素それ
自体の完全な又は部分的酸化、例えばＳｉＯx 煙霧に由
来し得る煙霧を含み得る。排気ガス流はまた、プロセス
チャンバーにおいて、より簡便に又はより安全に元素を
導入するのに使用される元素の有機金属源を使用するこ
とにより生じるガス／蒸気を含むことができる。例え
ば、 ケイ素の導入についてテトラメチルオルトシリケート
（ＴＥＯＳ） リンの導入についてトリメチルホスファイト（ＴＭＰ） ホウ素の導入についてトリメチルボレート（ＴＭＢ） アルミニウムの導入についてトリメチルアルミニウム
（ＴＭＡ） があげられる。本発明の方法は、排気ガス流からの全て
の種を一般的にスクラブすることができる。ＨＦ2 - イ
オンは酸フッ化物の形態で、最も有用には一種以上のフ
ッ化水素アンモニウム、フッ化水素カリウム又はフッ化
水素ナトリウムの形態で存在することができる。ＨＦそ
のものの水溶液を使用してもＨＦ2 - イオンが存在して
いるとしても、濃度は０．０５〜５モル濃度、好ましく
は１〜２モル濃度（２重量％〜４重量％）が好ましい。
（ＨＦ）水溶液又はフッ化水素イオンＨＦ2 - 及び酸化
剤を含有する溶液とを接触させることを含む、ガス流か
ら周期表３、４及び５(b) 族の元素種をスクラビングす
る方法を提供する。半導体産業で使用される典型的な元
素は、ホウ素、アルミニウム、ケイ素、リン、ガリウ
ム、ゲルマニルム及びヒ素である。そのような元素の水
素化物が最も一般的に使用されており、かつ本発明に最
も適用できる。そのような種を使用するプロセスチャン
バーからの排気ガス流は、使用されていない揮発性種、
例えばそれらの水素化物を含み得、該種の又は元素それ
自体の完全な又は部分的酸化、例えばＳｉＯx 煙霧に由
来し得る煙霧を含み得る。排気ガス流はまた、プロセス
チャンバーにおいて、より簡便に又はより安全に元素を
導入するのに使用される元素の有機金属源を使用するこ
とにより生じるガス／蒸気を含むことができる。例え
ば、 ケイ素の導入についてテトラメチルオルトシリケート
（ＴＥＯＳ） リンの導入についてトリメチルホスファイト（ＴＭＰ） ホウ素の導入についてトリメチルボレート（ＴＭＢ） アルミニウムの導入についてトリメチルアルミニウム
（ＴＭＡ） があげられる。本発明の方法は、排気ガス流からの全て
の種を一般的にスクラブすることができる。ＨＦ2 - イ
オンは酸フッ化物の形態で、最も有用には一種以上のフ
ッ化水素アンモニウム、フッ化水素カリウム又はフッ化
水素ナトリウムの形態で存在することができる。ＨＦそ
のものの水溶液を使用してもＨＦ2 - イオンが存在して
いるとしても、濃度は０．０５〜５モル濃度、好ましく
は１〜２モル濃度（２重量％〜４重量％）が好ましい。
【０００４】ＨＦは半導体設備の湿式ベンチからの廃酸
流であり得る。廃塩基、例えばアンモニア水溶液と廃Ｈ
Ｆ溶液を、例えば１×ＮＨ3 対２×ＨＦのモル比で混合
することにより、酸フッ化物溶液を得ることができる。
特に酸フッ化物溶液は、スクラブしたガス流により流さ
れたガス状のＨＦの量を減少させるのに効果的である。
好ましい酸化剤としては、酸素、過酸化水素（Ｈ
2 Ｏ2 ）、オゾン、第二鉄イオン（Ｆｅ3+）、マンガン
イオン（Ｍｎ2+）、硝酸（ＨＮＯ3 ）又は塩素があげら
れる。オゾン及び過酸化水素が好ましい。反応促進剤を
溶液に添加するのが有利である。反応促進剤は、溶液中
に存在する遷移金属マンガン（Ｍｎ2+）、鉄（Ｆｅ2+、
Ｆｅ3+）、コバルト（Ｃｏ2+）、ニッケル（Ｎｉ2+）及
び銅（Ｃｕ2+）の一種以上のイオンであるのが好まし
い。反応促進剤は銅イオン源として硫酸銅溶液を添加す
ることを含むのが最も好ましい。全体的に、反応促進剤
特に銅イオンを、0.0001モル濃度よりも過剰に添加する
のが好ましく、最も好ましくは0.005 〜0.01モル濃度量
を添加するべきである。本発明の方法の操作において、
水溶液中にＨＦ又は水溶液中にＨＦ2 - イオンを含有す
るスクラブした水溶液を、適当なポンプを通して保持タ
ンクから排気ガス流のフローに溶液が噴霧されるスプレ
ーノズルまで、酸化剤を含有する溶液と同時に流した。
廃棄ガス流におけるシラン破壊の効率は、ガスと溶液の
混合物を波長２００〜４００ｎｍの紫外線にさらすこと
により大きくすることができる。光源は、スプレーチャ
ンバー内にのせることができる。光により、シラン分子
を攻撃できるフリーラジカルの溶液中での形成を活性化
する。例えば、酸化剤として過酸化水素とともに、紫外
線によりシラン上でのフリーラジカル攻撃を惹起して分
解させるヒドロキシルラジカル（ＯＨ・) が得られる。
流であり得る。廃塩基、例えばアンモニア水溶液と廃Ｈ
Ｆ溶液を、例えば１×ＮＨ3 対２×ＨＦのモル比で混合
することにより、酸フッ化物溶液を得ることができる。
特に酸フッ化物溶液は、スクラブしたガス流により流さ
れたガス状のＨＦの量を減少させるのに効果的である。
好ましい酸化剤としては、酸素、過酸化水素（Ｈ
2 Ｏ2 ）、オゾン、第二鉄イオン（Ｆｅ3+）、マンガン
イオン（Ｍｎ2+）、硝酸（ＨＮＯ3 ）又は塩素があげら
れる。オゾン及び過酸化水素が好ましい。反応促進剤を
溶液に添加するのが有利である。反応促進剤は、溶液中
に存在する遷移金属マンガン（Ｍｎ2+）、鉄（Ｆｅ2+、
Ｆｅ3+）、コバルト（Ｃｏ2+）、ニッケル（Ｎｉ2+）及
び銅（Ｃｕ2+）の一種以上のイオンであるのが好まし
い。反応促進剤は銅イオン源として硫酸銅溶液を添加す
ることを含むのが最も好ましい。全体的に、反応促進剤
特に銅イオンを、0.0001モル濃度よりも過剰に添加する
のが好ましく、最も好ましくは0.005 〜0.01モル濃度量
を添加するべきである。本発明の方法の操作において、
水溶液中にＨＦ又は水溶液中にＨＦ2 - イオンを含有す
るスクラブした水溶液を、適当なポンプを通して保持タ
ンクから排気ガス流のフローに溶液が噴霧されるスプレ
ーノズルまで、酸化剤を含有する溶液と同時に流した。
廃棄ガス流におけるシラン破壊の効率は、ガスと溶液の
混合物を波長２００〜４００ｎｍの紫外線にさらすこと
により大きくすることができる。光源は、スプレーチャ
ンバー内にのせることができる。光により、シラン分子
を攻撃できるフリーラジカルの溶液中での形成を活性化
する。例えば、酸化剤として過酸化水素とともに、紫外
線によりシラン上でのフリーラジカル攻撃を惹起して分
解させるヒドロキシルラジカル（ＯＨ・) が得られる。
【０００５】
【実施例】本発明をさらに理解するために、本発明の方
法において使用した装置の模式図を示す添付の図を具体
例としてのみ示す。図により、本発明の方法を実施する
ための装置を示す。装置は、ガス入り口１とガス出口２
及びその間のスプレーチャンバー３を含む。スプレーノ
ズル４は、実質的に入り口１の中心の垂直真下４に位置
する。装置はまた、排水溜め５及びパイプを含む。パイ
プは、フッ化水素／酸化剤導入ゾーン６及びポンプ７を
介してスプレーノズルと排水溜め５とをつなぐものであ
る。装置の操作において、廃フッ化水素及び廃過酸化水
素（両方とも分離型半導体加工プラントからの廃棄物と
して含まれる）を水と混合して約１．５モル濃度のフッ
化物と１モル濃度の過酸化水素とを含有する水溶液を形
成する導入ゾーン６を通して、ポンプ７により排水溜め
５から水を（最初に）引く。また、硫酸銅を任意に溶液
に添加して、反応促進剤として約0.005 モル濃度の銅イ
オン（Ｃｕ2+) を提供する。そこからポンプ７によりス
プレーノズルを通してスプレー水溶液を汲み上げて、シ
ラン（ＳｉＨ4 ）を含有する排気ガスの入り口の真下
で、スプレーチャンバー３に向かって溶液の比較的細か
いスプレー８を形成する。排気ガスと水溶液との均質混
和物をスプレー８で噴霧し、下記の化学反応をさせる
が、全て標準的な化学技術によりさらなる処理にパイプ
輸送できるし、又は排気流とのさらなる相互作用(inter
-action)のために回収することもできる。酸化剤として
過酸化水素を用いる典型的な反応を下記（１）に示す： ＳｉＨ4 ＋４Ｈ2 Ｏ2 ＋６ＨＦ → Ｈ2 ＳｉＦ6 ＋８Ｈ2 Ｏ （１） 酸化剤として酸素及びオゾンを用いる典型的な反応を下
記（２）及び（３）にそれぞれ示す： ＳｉＨ4 ＋２Ｏ2 ＋６ＨＦ → Ｈ2 ＳｉＦ6 ＋４Ｈ2 Ｏ （２） ３ＳｉＨ4 ＋４Ｏ2 ＋１８ＨＦ2 → ３ＳｉＦ6 2+＋１８Ｆ- ＋６Ｈ+ ＋１２Ｈ2 Ｏ （３）
法において使用した装置の模式図を示す添付の図を具体
例としてのみ示す。図により、本発明の方法を実施する
ための装置を示す。装置は、ガス入り口１とガス出口２
及びその間のスプレーチャンバー３を含む。スプレーノ
ズル４は、実質的に入り口１の中心の垂直真下４に位置
する。装置はまた、排水溜め５及びパイプを含む。パイ
プは、フッ化水素／酸化剤導入ゾーン６及びポンプ７を
介してスプレーノズルと排水溜め５とをつなぐものであ
る。装置の操作において、廃フッ化水素及び廃過酸化水
素（両方とも分離型半導体加工プラントからの廃棄物と
して含まれる）を水と混合して約１．５モル濃度のフッ
化物と１モル濃度の過酸化水素とを含有する水溶液を形
成する導入ゾーン６を通して、ポンプ７により排水溜め
５から水を（最初に）引く。また、硫酸銅を任意に溶液
に添加して、反応促進剤として約0.005 モル濃度の銅イ
オン（Ｃｕ2+) を提供する。そこからポンプ７によりス
プレーノズルを通してスプレー水溶液を汲み上げて、シ
ラン（ＳｉＨ4 ）を含有する排気ガスの入り口の真下
で、スプレーチャンバー３に向かって溶液の比較的細か
いスプレー８を形成する。排気ガスと水溶液との均質混
和物をスプレー８で噴霧し、下記の化学反応をさせる
が、全て標準的な化学技術によりさらなる処理にパイプ
輸送できるし、又は排気流とのさらなる相互作用(inter
-action)のために回収することもできる。酸化剤として
過酸化水素を用いる典型的な反応を下記（１）に示す： ＳｉＨ4 ＋４Ｈ2 Ｏ2 ＋６ＨＦ → Ｈ2 ＳｉＦ6 ＋８Ｈ2 Ｏ （１） 酸化剤として酸素及びオゾンを用いる典型的な反応を下
記（２）及び（３）にそれぞれ示す： ＳｉＨ4 ＋２Ｏ2 ＋６ＨＦ → Ｈ2 ＳｉＦ6 ＋４Ｈ2 Ｏ （２） ３ＳｉＨ4 ＋４Ｏ2 ＋１８ＨＦ2 → ３ＳｉＦ6 2+＋１８Ｆ- ＋６Ｈ+ ＋１２Ｈ2 Ｏ （３）
【０００６】上記の反応生成物は全て一般的に水に可溶
性であり、粒状反応生成物が形成する傾向にありかつし
ばしば多量に存在してしまう従来技術の方法と比較し
て、生成物をシステムから容易に除去できるようにな
る。フッ化水素酸（ＨＦ）溶液又はフッ化水素イオン
（ＨＦ2 - ）を含有する溶液を用いた場合にさらに有利
であるのは、スクラブされた揮発性種、特にシランの酸
化生成物が全て、シランの場合を式（４）及び（５）に
示したようにＨＦ又はＨＦ2 - イオンと反応する傾向に
あり、それにより溶けるようになる： ＳｉＯ2 ＋６ＨＦ → Ｈ2 ＳｉＦ6 ＋ ２Ｈ2 Ｏ （４） ＳｉＯ2 ＋６ＨＦ2 - → ＳｉＦ6 2-＋ ２Ｈ+ ＋２Ｈ2 Ｏ （５） これにより、気相とのさらなる相互作用のために水溶液
の表面を解放し、ダストプラム(dust plumes) 及び固形
状閉塞が形成するのを防止し、それによりシステムの信
頼性を高める。水溶液とシラン含有排気ガスとの混合物
を、スプレーチャンバー３の上にのせた光源からの波長
３００ｎｍの紫外線にさらすさらなる実験により、紫外
線を使用することによる本発明の方法をスクラブする効
率がより大きいことが具体的に説明される。
性であり、粒状反応生成物が形成する傾向にありかつし
ばしば多量に存在してしまう従来技術の方法と比較し
て、生成物をシステムから容易に除去できるようにな
る。フッ化水素酸（ＨＦ）溶液又はフッ化水素イオン
（ＨＦ2 - ）を含有する溶液を用いた場合にさらに有利
であるのは、スクラブされた揮発性種、特にシランの酸
化生成物が全て、シランの場合を式（４）及び（５）に
示したようにＨＦ又はＨＦ2 - イオンと反応する傾向に
あり、それにより溶けるようになる： ＳｉＯ2 ＋６ＨＦ → Ｈ2 ＳｉＦ6 ＋ ２Ｈ2 Ｏ （４） ＳｉＯ2 ＋６ＨＦ2 - → ＳｉＦ6 2-＋ ２Ｈ+ ＋２Ｈ2 Ｏ （５） これにより、気相とのさらなる相互作用のために水溶液
の表面を解放し、ダストプラム(dust plumes) 及び固形
状閉塞が形成するのを防止し、それによりシステムの信
頼性を高める。水溶液とシラン含有排気ガスとの混合物
を、スプレーチャンバー３の上にのせた光源からの波長
３００ｎｍの紫外線にさらすさらなる実験により、紫外
線を使用することによる本発明の方法をスクラブする効
率がより大きいことが具体的に説明される。
【図１】本発明の方法において使用した装置の模式図を
示す。
示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ピーター レスリー ティームズ イギリス ブリストル ビーエス６ ７イ ーキューレッドランド コート ロード 18
Claims (14)
- 【請求項１】 ガス流とフッ化水素酸（ＨＦ）水溶液又
はフッ化水素イオンＨＦ2 - 及び酸化剤を含有する溶液
とを接触させることを含む、ガス流から周期表３、４及
び５(b) 族の元素種をスクラビングする方法。 - 【請求項２】 元素が一種以上のホウ素、アルミニウ
ム、ケイ素、リン、ガリウム、ゲルマニウム及びヒ素で
ある請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 元素種が元素の水素化物である請求項１
又は２記載の方法。 - 【請求項４】 ＨＦ2 - イオンが酸フッ化物の溶液の形
態で存在する請求項１〜３のいずれか１項記載の方法。 - 【請求項５】 酸フッ化物が一種以上のフッ化水素アン
モニウム、フッ化水素カリウム又はフッ化水素ナトリウ
ムである請求項４記載の方法。 - 【請求項６】 フッ化水素濃度が０．０５〜５モル濃度
である請求項５記載の方法。 - 【請求項７】 フッ化物濃度が１〜２モル濃度である請
求項７記載の方法。 - 【請求項８】 酸化剤が過酸化水素を含有する請求項１
〜７のいずれか１項記載の方法。 - 【請求項９】 酸化剤がオゾンを含有する請求項１〜７
のいずれか１項記載の方法。 - 【請求項１０】 酸化剤が溶液中に第二鉄イオン（Ｆｅ
3+）を含有する請求項１〜７のいずれか１項記載の方
法。 - 【請求項１１】 溶液中に反応促進剤が存在する請求項
１〜１０のいずれか１項記載の方法。 - 【請求項１２】 一種以上の遷移金属マンガン（Ｍ
ｎ2+）、鉄（Ｆｅ2+、Ｆｅ3+）、コバルト（Ｃｏ2+）、
ニッケル（Ｎｉ2+）及び銅（Ｃｕ2+）のイオンが溶液中
に存在する請求項１１記載の方法。 - 【請求項１３】 銅イオン源として硫酸銅を溶液に添加
する請求項１２記載の方法。 - 【請求項１４】 溶液及びシラン含有ガスの混合物を、
波長２００〜４００ｎｍの範囲の紫外線にさらす請求項
１〜１３のいずれか１項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB9614848:1 | 1996-07-15 | ||
| GBGB9614848.1A GB9614848D0 (en) | 1996-07-15 | 1996-07-15 | Processes for the scrubbing of noxious substances |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10113537A true JPH10113537A (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=10796939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9189566A Pending JPH10113537A (ja) | 1996-07-15 | 1997-07-15 | 有害物質のスクラビング法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5945078A (ja) |
| EP (1) | EP0819464A1 (ja) |
| JP (1) | JPH10113537A (ja) |
| GB (1) | GB9614848D0 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001066230A2 (en) * | 2000-03-03 | 2001-09-13 | Steen Research, Llc | Method and apparatus for use of reacted hydrogen peroxide compounds in industrial process waters |
| US7550123B2 (en) * | 2000-03-03 | 2009-06-23 | Steen Research, Llc | Method and apparatus for use of reacted hydrogen peroxide compounds in industrial process waters |
| US6821489B1 (en) * | 2000-10-10 | 2004-11-23 | International Business Machines Corporation | System and method for abating the simultaneous flow of silane and arsine |
| JP4048108B2 (ja) * | 2002-12-26 | 2008-02-13 | 日本パイオニクス株式会社 | 有害ガスの浄化方法 |
| TWI285559B (en) * | 2004-08-31 | 2007-08-21 | Ind Tech Res Inst | Method and device for treating the O3 gas emitting from manufacture processes |
| US7294320B2 (en) * | 2004-09-17 | 2007-11-13 | Applied Materials, Inc. | Hydrogen peroxide abatement of metal hydride fumes |
| DE102005011095B4 (de) * | 2005-03-08 | 2007-08-16 | Schäffer, Lars | Verfahren zur Entsorgung von Siliziumwasserstoff-Überschüssen |
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| EP2948194A4 (en) | 2013-01-22 | 2017-01-25 | Steen Research, LLC | Methods and equipment for treatment of odorous gas streams |
| US11389763B2 (en) | 2019-08-28 | 2022-07-19 | Stephen R. Temple | Methods for absorbing a targeted compound from a gas stream for subsequent processing or use |
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Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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