CN100528300C - 废气处理剂、废气处理方法以及废气处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的废气处理剂，是粒状、且多孔质，并且是由其表面的一部分成为氢氧化钙的氧化钙来构成的废气处理剂。优选表面积为1m2/g以上，优选空隙率为10～50体积%。该氧化钙，以烧成粒状的碳酸钙的方式得到，将由半导体制造装置所排出的废气，以气体状直接与该废气处理剂接触以使有害气体成分发生反应而被除去。

Description

废气处理剂、废气处理方法以及废气处理装置
技术领域
本发明涉及用于除去由半导体制造装置等排出的废气中含有的氧化物为固体的氢化物、氟化物、氯化物等卤化物(以下，将这些统称为有害气体成分)的废气处理剂以及使用该废气处理剂的处理方法及处理装置。
本申请，对于2004年1月29日申请的特愿2004-020976号主张优先权，在此引用其内容。
背景技术
在由半导体制造装置排出的废气中，含有CF4、C2F6、SiF4、SF6等氟化物气体或者BCl3、AsCl5等氯化物等卤化物气体或者PH3、SiH4、GeH4、AsH3等金属氢化物气体。
由于这些的氟化物、氯化物等卤化物以及金属氢化物气体是有害的，从而将废气向外部排出时，需要将这些有害气体成分除去。因此，以往提出了利用各种吸附剂，除去这样的有害气体成分的方法。
然而，在利用吸附剂的除去中，由于以吸附剂的表面部上的物理、化学吸附反应为主，因此吸附剂单位量对应的处理量少，需要大量的吸附剂。此外，对处理后的吸附剂进行废弃处理的情况下，也存在必须实施特别的废弃处理，以防止吸附的有害气体成分脱离而发生再污染等不妥善情况。另一方面，也提出了利用反应剂的除去的技术，但在反应除去中，由于以表面多原子层上的反应为主，因此反应剂单位量对应的处理量少，需要大量的反应剂。
为了解决该问题，在特开平10-15349号公报中，公开了由煤、活性炭等碳质固体材料与钙、锶等碱土族金属化合物构成的反应剂。
然而，在该反应剂中，由于碳质固体材料与碱土族金属以大致相等量来混合，因此，例如，即使碱土族金属的反应效率成为90％左右，但反应剂整体上的反应效率不足50％，其结果，存在所谓的反应剂的更换频率增加的问题。
专利文献：特开平10-15349号公报
发明内容
本发明鉴于此，其目的在于提供一种作为除去由半导体制造装置等排出的废气中含有的有害气体成分的废气处理剂，处理剂单位量对应的处理量多，能够以少量的处理剂进行大量的废气处理，并且在对处理后的处理剂进行废弃处理时，也不需要实施特别的废弃处理的废气处理剂。
为了达到相关目的，本发明的第一方式是一种废气处理剂，呈粒状，且具备多孔质结构，该废气处理剂的特征在于，包括：占据其表面的至少一部分的氢氧化钙、以及占据剩余部分的氧化钙，所述处理剂的一次粒子具有连续的柱状结构。
在上述废气处理剂中，作为优选，上述氢氧化钙占据上述废气处理剂的20～70重量％。
上述废气处理剂，优选具有1m2/g以上的比表面积。
上述废气处理剂，优选具有10～50体积％的空隙率。
上述废气处理剂，也可以将粒状的碳酸钙烧成而得到。
上述废气处理剂，也可以将成型为粒状的氢氧化钙烧成而得到。
上述废气处理剂，也可以将氧化钙通过水合反应，转换成氢氧化钙之后，对该氢氧化钙进行烧成而得到。
本发明的第二方式是，一种废气处理方法，其特征在于，使废气以气态与上述第一方式的废气处理剂接触，上述废气含有属于元素周期表的IIIa族、IVa族、或者Va族的元素的氢化物及/或卤化物。
本发明的第三方式是一种废气处理装置，其特征在于，具备填充有上述第一方式的废气处理剂而成的反应除去部。
优选在上述废气处理装置中，以30～70体积％的空隙率填充有所述废气处理剂。
(发明的效果)
本发明的废气处理剂由于为多孔质，因此，在其微细孔内部，有害气体成分也能够通过化学反应进行反应被除去。因此，能够用少量的处理剂处理大量的废气。另外，由于利用化学反应，因此，处理后的处理剂为稳定且无害的钙化合物，将此进行废弃处理时，不需要特别的处理，从而，能够作为有用的化学原料再利用。进而，由于除去反应为发热反应，因此，在处理时，不需要从外部加热，能量成本低廉。另外，处理装置的结构简单，且设备费用也廉价。
附图说明
图1是表示本发明的废气处理装置的一例的概略结构图。
图2A是含有不足20重量％的氢氧化钙的氧化钙剂的、与COF2的反应前的Ca2p光谱。
图2B是含有不足20重量％的氢氧化钙的氧化钙剂的、与COF2的反应后的Ca2p光谱。
图3A是含有不足20重量％的氢氧化钙的氧化钙剂的、与COF2的反应前的CaOls光谱。
图3B是含有不足20重量％的氢氧化钙的氧化钙剂的、与COF2的反应后的CaOls光谱。
图4A是含有不足20重量％的氢氧化钙的氧化钙剂的、与COF2的反应前的Fls光谱。
图4B是含有不足20重量％的氢氧化钙的氧化钙剂的、与COF2的反应后的Fls光谱。
图5A是含有大约22重量％的氢氧化钙的氧化钙剂的、与COF2的反应前的Ca2p光谱。
图5B是含有大约22重量％的氢氧化钙的氧化钙剂的、与COF2的反应后的Ca2p光谱。
图6A是含有大约22重量％的氢氧化钙的氧化钙剂的、与COF2的反应前的CaOls光谱。
图6B是含有大约22重量％的氢氧化钙的氧化钙剂的、与COF2的反应后的CaOls光谱。
图7A是含有大约22重量％的氢氧化钙的氧化钙剂的、与COF2的反应前的Fls光谱。
图7B是含有大约22重量％的氢氧化钙的氧化钙剂的、与COF2的反应后的Fls光谱。
图8A是以各成分的深度方向的分布来表示图2A～图4B的数据的坐标图。
图8B是以各成分的深度方向的分布来表示图5A～图7B的数据的坐标图。
图9是表示钙剂出口部中的杂质计测结果的坐标图。
图中：1-反应除去部；2-废气处理剂。
具体实施方式
本发明的废气处理剂，是钙含量为98重量％的氧化钙与氢氧化钙的混合物，由20重量％以上且不足70重量％的氢氧化钙、小于80重量％且为30重量％以上的％％氧化钙、以及2重量％以下的不可避免杂质来构成，其形状为球状、颗粒(pellet)状的粒状。还有，构成球状或者颗粒状处理剂的二次粒子的优选粒径为200～500μm。二次粒子的粒径若小于上述范围的下限，则产生难以除去为了使二次粒子相结合而添加的增粘剂的可能性，若超过上述范围的上限，则二次粒子之间的键变弱，而产生处理剂容易粉化的可能性。但是，粒径并不限定于该范围。
另外，构成二次粒子的一次粒子的优选直径为5～20μm左右。若一次粒子的粒径小于上述范围的下限，则存在大幅度增加工业生产成本的可能性，若大于上述范围的上限，则存在难以制作致密的二次粒子的可能性。
该一次粒子具有连续的柱状结构，其空隙部成为连通的结构，即、成为筛网过滤器(mesh filter)状。此外，是在其表面上形成有开口的无数微细孔的多孔质，这些微细孔形成为相互连通的结构。由于具有该一次粒子的结构，因此本发明的废气处理剂具有不容易粉化的特征。
另外，该处理剂，其实质性的表面积非常大，用BET法测定的比表面积为1m2/g以上。另外，其空隙率为10～50体积％。在此的空隙率，是指与所有微细孔的体积相对于整个粒子的外观的体积的比例。
另外，在该废气处理剂中，包括微细孔的内表面的表面的一部分，例如在面积比上10％～80％的部分，通过空气中的水分，发生水合反应而变成氢氧化钙，剩余部分90％～20％为氧化钙，实际上，上述氢氧化钙与有害气体成分发生反应而除去该有害气体成分。因此，随着处理操作的进行，氢氧化钙被消耗，但是由于与有害气体成分发生反应，而生成水，通过该反应生成水，由氧化钙重新生成氢氧化钙，因此所有的氧化钙变为氢氧化钙之前，不失去处理能力。
成为这样的处理剂的氧化钙，通过对粒状碳酸钙进行烧成而得到，并在二氧化碳脱离时，在其内部形成无数微细孔的氧化钙。另外，在烧成时，作为优选，在氧化气氛下，在1000℃左右的温度下进行适当处理。
另外，成为这样的处理剂的氧化钙，可以通过将成型为粒状的氢氧化钙为了脱水而烧成而得到。在这种情况下，适当选择烧成温度或者时间，由此还可以在一次粒子内部残留氢氧化钙。
进而，成为这样的处理剂的氧化钙，可以通过将氧化钙利用水合反应而转换成氢氧化钙之后，对该氢氧化钙进行再烧成而得到。这是因为，反复进行钙的氧化与氢氧化，使得在维持一次粒子结构的情况下，利用摩尔体积的不同而在一次粒子的表面有效地形成微细孔。
在本发明的废气的处理方法中，使由半导体制造装置所排出废气，在气态下，直接与上述的废气处理剂以气相方式接触。由此，废气中的有害气体成分与废气处理剂表面的氢氧化钙发生反应而被除去。废气中的毒性气体成分为，例如，可以列举B、Al、Ga、In、Si、Ge、P、As等，属于元素周期表中的IIIa族、IVa族、或者Va族的元素的氢化物及/或卤化物等。
此时的化学反应例如，如下所示。
CF4+2Ca(OH)2→2CaF2+CO2+H2O…(1)
SiH4+Ca(OH)2+2O2→CaSiO3+3H2O…(2)
2PH3+3Ca(OH)2+4O2→Ca3(PO4)2+6H2O…(3)
在废气中不含氧的情况下，在反应式(2)、(3)中的氧，另由外部来供氧。此时维持的优选温度(处理温度)为400℃以下。因为若钙温度超过400℃，则处理剂分解而导致羟基消失。
这样，由于这些的化学反应是发热反应，因此作为优选控制如下：在处理时不需要加热，反而进行冷却而在规定的温度下进行。
本发明的半导体制造装置，是用于制造半导体装置、平板显示器、太阳能电池、磁性体薄膜等的装置，是指利用化学气相沉积(CVD)反应制造这些的装置。
本发明的废气处理装置，例如，如图1所示，由以下部分构成：反应除去部1；废气处理剂2，其填充在该反应除去部1内，且由氧化钙构成；导入管3，其将需要处理的废气导入到反应除去部1内；导出管4，其由反应除去部1排出已除去有害气体成分的废气；以及供氧管5，其与导入管3连接，向反应除去部1供氧。
反应除去部1，由容器11、以及堵塞该容器11的开口部的盖12来构成。容器11，是由氧化铝(alumina)、石英等耐蚀性材料构成的有底圆筒状的部件，在其底部上形成有导出管4的开口部，另外设有多孔板13，以防填充在内部的废气处理剂2漏出。
盖12，是由氧化铝、石英等耐蚀性材料来构成的板状的部件，相对于容器11以自由装卸的方式安装，根据需要能够更换填充在内部的废气处理剂2。另外，在盖12上形成有导入管3的开口部。
并且，在容器11内，填充有上述的粒状的处理剂2，但此时以使处理剂的填充率成为30～70体积％的方式被填充，使得不阻碍废气的顺畅的流动。
来自半导体制造装置21的废气，经过导入管3，导入到反应除去部1内，在此，由上述的化学反应除去有害气体成分，被净化的废气由泵22吸引而从导出管4排出到系统外部。
另外，在来自半导体制造装置21的废气中，在含有SiH4或者PH3等的除去反应中需要氧的有害气体成分的情况下，从供氧管5将适量的氧和废气共同送入反应除去部1内。
对于这样的废气处理剂而言，由于多孔质且实质的表面积极其大，因此与有害气体成分之间的接触面积增加，可以增大处理剂单位量对应的废气处理量，能够以少量的处理剂量来处理大量废气。
另外，处理后的废气处理剂，变成CaF2(氟化钙、萤石)、CaSiO3(硅酸钙)或者Ca2(PO4)3(磷酸钙)，这些钙化合物，稳定且无害，不需要任何后续处理，进而能够在氟原料、玻璃原料、磷原料等中再利用。
进而，由于处理装置的结构简单，不需要特别的设备，因此设备成本廉价。
接着，说明使用氢氧化钙的存在比为20重量％以上且不足70重量％的处理剂的废气处理的优越性。
CaO以及Ca(OH)2的密度，分别为，3.25g/cm3以及2.24g/cm3。另外，Ca剂发生反应而生成的、例如CaF2的密度为3.18g/cm3。在此，若Ca(OH)2不足20重量％，则由于Ca剂(CaO与Ca(OH)2的混合物)的密度与生成的CaF2的密度大致相同，因此反应效率降低。另外，在以Ca化合物除去F成分的情况下，生成物与Ca化合物的摩尔体积也重要。即，在Ca化合物的摩尔体积大于CaF2的摩尔体积的情况下，由于由在表面上发生的反应在表面上产生拉伸应力，而产生细微裂缝，新鲜的Ca化合物出现在表面上，因此进行与F的反应，但是在摩尔体积偏小的情况下，由于在表面上产生压缩应力，因此难以产生细微裂缝。例如，CaF2的摩尔体积为24.6cm3/mol，CaO以及Ca(OH)2的摩尔体积，分别为，17.3cm3/mol以及31.7cm3/mol。在此，若Ca(OH)2的比例不足20重量％，则由于Ca化合物的摩尔体积与CaF2的摩尔体积大致相同，因此反应效率降低。
另外，在生成物为氯化物的情况下，由于因其潮解性，OH基与CaCl2相结合而导致Ca(OH)2的比例极端减小，因此反应效率下降。另一方面，若超过70重量％，则不仅氧化钙剂粉化而导致反应效率明显下降，还产生大量的水分。因此需要水分除去筒。另外，由于Ca(OH)2不足20％的氧化钙剂为在消防法中的“危险品”，因此，优选为20重量％以上。
利用XPS(X射线光电子光谱分析装置)，分别对于氢氧化钙的存在比为20重量％以上、不足20重量％、超过70重量％、不足70重量％的氧化钙剂与COF2气体的反应前后，进行表面分析。图2A～图7B表示其结果的一例。
图2A是含有不足20重量％的Ca(OH)2的CaO剂的与COF2反应前的Ca2p光谱，图2B是反应后的Ca2p光谱。另外，在图2A～7B中，各图表的纵轴表示蚀刻(etching)时间，这对应于CaO剂的深度。反应前的Ca2p通过与氧(O)成分结合而大约在350.4eV上具有峰值(peak)。可知，在反应后的Ca2p中最表面的峰值位置转移到高能量侧(352.4与358eV)，在该部分，Ca与F相结合。
但是，可知，检测出在内部与O结合的Ca的峰值，在内部未进展Ca与F的反应。图3A表示相同样品的反应前的Ols光谱，图3B表示相同样品的反应后Ols光谱。与图2B相同，由于在内部中，检测出Ols的峰值，因此可知存在Ca与O的键。另外，图4A表示相同样品的反应前的Fls光谱，图4B表示相同样品的反应后的Fls光谱。在反应前，不存在由F引起的峰值。
反应后，观测出与Ca结合的Fls的峰值在690eV位置上，但该位置在比通常的CaF2的峰值位置低大约leV的能量侧被观测到，而被推测为，作为Ca与F的键而言比较弱。另外，峰值的最大强度是3800cps左右，因此峰值强度也比较弱。
图5A表示含有20重量％以上的Ca(OH)2、更具体而言含有22重量％左右的Ca(OH)2的CaO剂的与COF2反应前的Ca2p光谱，图5B表示含有22重量％左右的CaO剂的与COF2反应后的Ca2p光谱。反应前的Ca2p的峰值位置与图2A相同，但反应后，由于与F的结合，Ca2p的峰值位置转移到高能量侧。
另外，通过20分钟的Ar溅射的蚀刻之后，也未观测出由Ca与O的结合产生的峰值。图6A表示与图5A相同的样品的Ols光谱，图6B表示与图5B相同的样品的Ols光谱。在反应后的样品中，几乎观测不到表面附近的Ols光谱，通过大约7分钟的蚀刻而出现的Ols峰值也转移到高能量侧。
被推测为，这是因为受到阴电性高于O的F的影响。另外，图7A表示与图5A相同的样品的Fls光谱，图7B表示与图5B相同的样品的Fls光谱。在反应后的样品中，在690.8eV的位置上观测到最大峰值强度为13500cps左右的Fls峰值，该位置不依赖于蚀刻时间而是大致一定的。如上所述，可知，在Cao中含有20体积％的Ca(OH)2，以使与卤化物，例如COF2等的反应进行到内部。
图8A以各成分的剂深度方向的分布来表示图2A～图4B的数据，图8B以各成分的剂深度方向的分布来表示图5A～图7B的数据。各坐标图的横轴表示蚀刻时间，这个与剂的深度对应。可知，图8A所示的、Ca(OH)2不足20重量％的情况下，在表面上观测F，其比率大致与深度正比减小。另一方面，表示，图8B所示的、Ca(OH)2为20重量％以上的情况下，F成分的比率大约为50重量％，在剂内部的CaF2以及CaO(含有Ca(OH)2)各自的比例大约为24重量％以及18重量％。
图9表示Ca剂出口部中的杂质测量结果。将COF2气体导入到Ca剂的入口，在杂质的测量中使用FT-IR(单元(cell)长度：1cm)。CaO与Ca(OH)2的比例为1∶1的情况下，观测到的杂质只有CO2。另一方面，将Ca(OH)2的比例设为70重量％的情况下，在波数(Wavenumber)大约为1640cm-1以及大约为3700cm-1的部分上观测到吸收峰值。可知，该峰值是由于水分，即含有70重量％的Ca(OH)2的Ca剂与卤素系气体之间的反应而产生了水分。
接着，对空隙率的优选范围为10～50体积％的情况进行说明。
空隙率，由所有微细孔的体积相对整个二次粒子的外观的体积的比例来表示，若空隙率不足10体积％，则比表面积明显减小并且阻碍有害气体分子进入粒子空隙部，其结果，剂的反应效率下降。另一方面，若空隙率超过50体积％，则二次粒子之间的相互结合变弱，其结果，产生容易粉化的问题。
在CaO表面上形成Ca(OH)2，将Ca(OH)2的比例作为20重量％的情况下，外观的体积，与形成前体积相比大约增加17体积％，而空隙率增加。在此，由Ca的金属键半径以及点阵常数计算出的空隙率大约为15体积％。其结果，有害气体分子通过形成的空隙容易进入到内部，从而，反应效率增大。
另外，在70重量％的Ca(OH)2的情况下，外观的体积与CaO相比增加67体积％左右，但空隙率成为48体积％左右。另一方面，若Ca(OH)2的比例超过70重量％，则容易粉化。使用振动筛的粉化率的测量中，在含有50重量％左右的Ca(OH)2的Ca剂中，认为施加5分钟的振动就导致了0.1体积％左右的粉化，若超过70重量％，则在相同条件下的粉化率增加为1体积％。即，剂的强度明显降低。
接着，对于空隙率的优选范围为30～70体积％的情况进行说明。
Ca剂的填充密度根据剂的形状而在1.3～1.9g/cm3范围内。若填充密度偏高，则废气的有效通过速度变快，其结果，存在穿过带长度变长而导致剂的利用效率下降，并且存在压力损失增加的问题。因此，用剂填充的反应容器的优选SV值为1000～5000Hr-1。为了得到上述SV值，需要将空隙率定为30～70体积％。
另外，剂的反应效率依赖于经过反应容器的气体流速，若气体流速超过10m/分钟，则反应效率下降并且压力损失增加。另一方面，若使气体流速作为2m/分钟以下，则可以减少压力损失，且减少穿过带长度来提高剂的利用效率，但由于需要增加容器的口径，而装置的设置面积增加，进而成为装置价格提高的一个原因，因此不能优选采用。
接着，说明剂的优选比面积为1m2/g以上的理由。
SiF4与Ca剂之间进行反应的情况下，在表面上形成CaSiO3，该CaSiO3不能以F化合物来除去。因此，本发明的钙剂(Ca剂)在深度方向上反应到大约1nm左右的深度，即3分子层。从而，Ca剂的优选比表面积为1m2/g以上。尤其，在对含有SiF4的废气进行处理的情况下，优选比表面积为20m2/g以上。
以下，表示具体例。
(实施例1)
使用图1所示的废气的处理装置，除去由半导体制造装置排出的废气中的有害成分。
作为废气处理剂2，由98％以上纯度的钙化合物构成，其主成分为CaO：50重量％、Ca(OH)2：50重量％。该废气处理剂2，粒径大约为3mm、由BET法测量的比表面积大约为20m2/g、空隙率为10体积％。在反应除去部1的容器11内以空隙率为40体积％来填充20Kg的该废气处理剂2。
在上述废气中，含有COF2：2％、SiF4：0.7％、CF4：0.2％、C2F6之外高级氟碳化物：1％，该废气以流量1000SCCM来流动。另外，与此同时，从供氧管5以流量200SCCM来向反应除去部1供给纯氧。另外，在此使用的容器11的筒径以及长度来计算出的SV值以及LV值，分别大约为，1750Hr-1以及6.5m/min。
由FT-IR测量从反应除去部1排出的废气中的各成分，其结果，除了检测出8ppm的CF4之外，未检测到其他有害成分。另外，同样，水分也在测量下限值以下，可知，在后级上不需要设置水分除去装置。另外，在此导入到反应除去部1中的有害成分总量以F2换算则大约为85SCCM，在出口部检测到的CF4以F2换算则大约为0.01SCCM。由此可知，在反应除去部1中，能够除去有害成分的约99.99％。
另外，在反应除去部1的容器11内的废气处理剂2的温度，最高上升到65℃。求出了此时的钙化合物的氟反应效率。氟反应效率由导入到该反应除去部的废气中的氟的总量与从该反应除去部排出的废气中的氟的总量来计算。其结果，该化合物的氟反应效率大约为10％。
另外，从外部通过加热器加热容器11，并将该容器加热到400℃，促进反应，并且计算氟反应效率的结果，该反应效率成大约为40％。
(实施例2)
使用上述的废气处理剂2，即，使用由98％以上的纯度的钙化合物来构成，其主成分为CaO：50％、Ca(OH)2：50％的剂，只调查SiF4的除去。该废气处理剂2，粒径大约为3mm、由BET法测量的比表面积大约为20m2/g、空隙率为10体积％。在反应除去部1的容器11内以空隙率为40体积％来填充250g的该废气处理剂2。
在废气中，含有3％浓度的SiF4，该废气以流量360SCCM来流动。另外，在此由使用的容器11的筒径以及长度来计算出的SV值以及LV值，分别大约为1350Hr-1以及大约为2.2m/min。
通过FT-IR测量由反应除去部1排出的废气中的SiF4，算出了SiF4的除去量。其结果，可知，能够除去大约8.5L的SiF4。若以氟反应效率来表示该值，则大约为10％。
(比较例)
除了将废气处理剂2的比表面积设为0.7m2/g之外，在与实施例2相同的剂条件、填充条件以及废气条件下，通过FT-IR测量计算出SiF4的除去量。其结果，可知，能够除去大约300cc的SiF4。通常，在半导体制造工序中的SiF4的排出量大约为7SCCM，因此该结果表示，在0.7m2/g的比表面积的剂只能使用40分钟，若假设实用水平，即将交换周期时间设定为两个月(50天)而增大容器，则剂的总量达到450Kg。以反应效率来表示该值，则大约为0.4％。即，上述结果表示，装置的设置面积增加很多。
(产业上的可利用性)
本发明的处理剂，并不限定于由半导体制造装置排出的废气，也使用于含有同样的有害气体成分的废气的净化。

Claims (7)

1、一种废气处理剂，呈粒状，且具备多孔质结构，该废气处理剂的特征在于，
包括：占据其表面的至少一部分的氢氧化钙、以及占据剩余部分的氧化钙，
所述废气处理剂的一次粒子具有连续的柱状结构，
所述废气处理剂是碳酸钙的烧成物。
2、根据权利要求1所述的废气处理剂，其中，
所述氢氧化钙占据所述废气处理剂的20～70重量％。
3、根据权利要求1所述的废气处理剂，其中，
所述废气处理剂具有1m2/g以上的比表面积。
4、根据权利要求1所述的废气处理剂，其中，
所述废气处理剂具有10～50体积％的空隙率。
5、一种废气处理方法，其特征在于，
使废气在气态下与权利要求1所述的废气处理剂接触，所述废气含有属于元素周期表的IIIa族、IVa族、或者Va族的元素的氢化物及/或卤化物。
6、一种废气处理装置，其特征在于，
具备：填充有权利要求1所述的废气处理剂而成的反应除去部。
7、根据权利要求6所述的废气处理装置，其中，
以30～70体积％的空隙率填充有所述废气处理剂。
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