JPS60175522A - 半導体生産工程中の廃ガス乾式処理組成物 - Google Patents
半導体生産工程中の廃ガス乾式処理組成物Info
- Publication number
- JPS60175522A JPS60175522A JP59031347A JP3134784A JPS60175522A JP S60175522 A JPS60175522 A JP S60175522A JP 59031347 A JP59031347 A JP 59031347A JP 3134784 A JP3134784 A JP 3134784A JP S60175522 A JPS60175522 A JP S60175522A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waste gas
- gas
- column
- semiconductor manufacturing
- manufacturing process
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02C—CAPTURE, STORAGE, SEQUESTRATION OR DISPOSAL OF GREENHOUSE GASES [GHG]
- Y02C20/00—Capture or disposal of greenhouse gases
- Y02C20/30—Capture or disposal of greenhouse gases of perfluorocarbons [PFC], hydrofluorocarbons [HFC] or sulfur hexafluoride [SF6]
Landscapes
- Treating Waste Gases (AREA)
- Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体生産工程中で廃山する有毒なガスを
効率よく処理することができる処理剤組成に関するもの
である。
効率よく処理することができる処理剤組成に関するもの
である。
半導体生産工程中では、例えばドーピングガスはアルシ
ン（ＡＳｆｌ（３） 、ジボラン（Ｂ２Ｈ６） 、ゲル
マン（ＧｅＨ４）、セレン化水素（ＳｇＨ２） 、テル
ル化水素（Ｉ：ｌ、Ｔｇ）、ホスフィン（ＰＨ３）、ス
チビン（８ｂＨ３）等の金属水素化合物、三塩化ヒ素（
ＡＳｃｔ３ ） 、三塩化ホウ素（Ｂｃ４）、三塩化リ
ン（Ｐｃｔ３） 、五塩化リン（Ｐｃｔ＋）、オキシ塩
化リン（ＰＯｃ４ ）、五塩化アンチモン（８ｂｃｔ６
）、四塩化スズ（８ｎｃＬ４ ）等の金属ハロゲン化
合物が使用され、エピタキシャルガスとしてはシラン（
ＳｉＨ４）、四塩化ケイ素（８ｉｃＬ４ ） 、）ジク
ロルシラン（Ｓ妃Ｈｃｔ３） 、ジクロルシラン（８４
Ｈ２ＣＬ２ ） 、ゲルマン等が使用され、フィルミン
グガスとしてはシラン、ジクロルシラン、シランとアン
モニア（ＮＨ３）の混合ガス等が使用され、エツチング
ガスとしては塩化水素（ＨｃＬ ） 、六フッ化硫黄（
ＳＦ６ ） 、フレオン１４ （ＯＦ、 ）等が使用さ
れる。
ン（ＡＳｆｌ（３） 、ジボラン（Ｂ２Ｈ６） 、ゲル
マン（ＧｅＨ４）、セレン化水素（ＳｇＨ２） 、テル
ル化水素（Ｉ：ｌ、Ｔｇ）、ホスフィン（ＰＨ３）、ス
チビン（８ｂＨ３）等の金属水素化合物、三塩化ヒ素（
ＡＳｃｔ３ ） 、三塩化ホウ素（Ｂｃ４）、三塩化リ
ン（Ｐｃｔ３） 、五塩化リン（Ｐｃｔ＋）、オキシ塩
化リン（ＰＯｃ４ ）、五塩化アンチモン（８ｂｃｔ６
）、四塩化スズ（８ｎｃＬ４ ）等の金属ハロゲン化
合物が使用され、エピタキシャルガスとしてはシラン（
ＳｉＨ４）、四塩化ケイ素（８ｉｃＬ４ ） 、）ジク
ロルシラン（Ｓ妃Ｈｃｔ３） 、ジクロルシラン（８４
Ｈ２ＣＬ２ ） 、ゲルマン等が使用され、フィルミン
グガスとしてはシラン、ジクロルシラン、シランとアン
モニア（ＮＨ３）の混合ガス等が使用され、エツチング
ガスとしては塩化水素（ＨｃＬ ） 、六フッ化硫黄（
ＳＦ６ ） 、フレオン１４ （ＯＦ、 ）等が使用さ
れる。
また、この他にも不動態膜形成用として一酸化チッ素（
Ｎｏ）、アンモニア等が使用され、イオンプランテーシ
ョン用として五フッ化リン（’ ＰＦＩ＋’ ） 、四
フッ化イオウ（８Ｆ４ ＞ 、四フッ化ケイ素（８４Ｆ
４） 、三塩化ホウ素（ＢＦ３ ）等が使用されている
。
Ｎｏ）、アンモニア等が使用され、イオンプランテーシ
ョン用として五フッ化リン（’ ＰＦＩ＋’ ） 、四
フッ化イオウ（８Ｆ４ ＞ 、四フッ化ケイ素（８４Ｆ
４） 、三塩化ホウ素（ＢＦ３ ）等が使用されている
。
これ等のガスのうちドーピングガス、エピタキシャルガ
ス、フィルミングガス等については高純度のアルゴン、
水素、窒素等の不活性ガスで希釈して、或いはエツチン
グガスについては上記不活性ガスに酸素を加えた混合ガ
スで希釈して使用されている。
ス、フィルミングガス等については高純度のアルゴン、
水素、窒素等の不活性ガスで希釈して、或いはエツチン
グガスについては上記不活性ガスに酸素を加えた混合ガ
スで希釈して使用されている。
以上のように、半導体生産工程中で使用されるガスはそ
の種類が極めて多く、またその物性も種類により千差万
別であるが、共通して言えることは毒性、発火性等極め
て危険なものが多いことで、したがってそれらの使用廃
棄については労働安全、衛生、公害、毒性等多面的な対
策がなされなければならない。
の種類が極めて多く、またその物性も種類により千差万
別であるが、共通して言えることは毒性、発火性等極め
て危険なものが多いことで、したがってそれらの使用廃
棄については労働安全、衛生、公害、毒性等多面的な対
策がなされなければならない。
一方、従来半導体生産工程中の廃ガス処理剤としては塩
化第１、第２水銀をその成分中に含む吸着剤が知られて
いる。これ等の吸着能力は３〜５ｔ−ガス／Ｋｇ−吸着
剤程度で、ガス吸着選択性が極めて小さく、現在半導体
工程で使用されている十数種類のガスのうち２〜３種類
のガスだけに有効であるに過ぎず、大部分の廃ガスは希
釈して系外に放出されている実情である。
化第１、第２水銀をその成分中に含む吸着剤が知られて
いる。これ等の吸着能力は３〜５ｔ−ガス／Ｋｇ−吸着
剤程度で、ガス吸着選択性が極めて小さく、現在半導体
工程で使用されている十数種類のガスのうち２〜３種類
のガスだけに有効であるに過ぎず、大部分の廃ガスは希
釈して系外に放出されている実情である。
この発明は、上記実情に鑑み半導体生産工程中の廃ガス
を効果的に処理することができる処理組成物を開発する
目的で鋭意研究した結果完成したものであり、その特徴
は苛性カリ、過マンガン酸カリ、アルミニウム金属粉と
からなり、湿式の場合は液状にしてそのまま、或いは乾
式の場合はケイソウ土に担架させて使用することにある
。
を効果的に処理することができる処理組成物を開発する
目的で鋭意研究した結果完成したものであり、その特徴
は苛性カリ、過マンガン酸カリ、アルミニウム金属粉と
からなり、湿式の場合は液状にしてそのまま、或いは乾
式の場合はケイソウ土に担架させて使用することにある
。
この発明で、苛性カリは１５〜２５ｗｔＸの水溶液で、
そのｐＨを１４以上とする。ｐＨが１４以下であると、
廃ガスの吸収反応が殆んど進行し、ない。
そのｐＨを１４以上とする。ｐＨが１４以下であると、
廃ガスの吸収反応が殆んど進行し、ない。
過マンガン酸カリについては３〜８ ｗｔ％であり、３
ｗｔ％以下であると殆んど吸収反応が進行せず、８
ｗｔ％以上であると廃ガスに対して処理剤が敏感になり
過ぎ、このため処理剤が速やかに不活性化され、大量の
廃ガスを処理することができない。
ｗｔ％以下であると殆んど吸収反応が進行せず、８
ｗｔ％以上であると廃ガスに対して処理剤が敏感になり
過ぎ、このため処理剤が速やかに不活性化され、大量の
廃ガスを処理することができない。
またアルミニウム金属粉の使用量については、湿式の場
合は苛性カリ水溶液に対して０．１〜０．０５ｗｅ％で
ある。０．１ｗｔ％以上であると、廃ガスに対して処理
剤が敏感になり過ぎ、このため処理剤が速やかに不活性
化され、大量の廃ガスを処理できない。また０、０５
ｗｔ％以下であると、過マンガン酸カリの還元反応が十
分に進行しない。
合は苛性カリ水溶液に対して０．１〜０．０５ｗｅ％で
ある。０．１ｗｔ％以上であると、廃ガスに対して処理
剤が敏感になり過ぎ、このため処理剤が速やかに不活性
化され、大量の廃ガスを処理できない。また０、０５
ｗｔ％以下であると、過マンガン酸カリの還元反応が十
分に進行しない。
乾式については、アルミニウム金属粉の使用量はケイソ
ウ土に対して０，１〜０．０５ ｗｔ％であり、０．１
ｗｔ％以上であると廃ガスに対して処理剤が敏感になり
過ぎ、このため処理剤が速やかに不活性化され、大量の
廃ガスを処理できない。また０、０５ ｗｉ％以下であ
ると、殆んど吸収反応が進行しない。
ウ土に対して０，１〜０．０５ ｗｔ％であり、０．１
ｗｔ％以上であると廃ガスに対して処理剤が敏感になり
過ぎ、このため処理剤が速やかに不活性化され、大量の
廃ガスを処理できない。また０、０５ ｗｉ％以下であ
ると、殆んど吸収反応が進行しない。
この発明の処理対象とする廃ガスは、半導体生産工程中
で廃山されるアルシン、シラン、ジボラン、ゲルマン、
セレン化水素、テルル化水素、ホスフィン、スチビン等
の金属水素化合物、三塩化ヒ素、三塩化ホウ素、三塩化
リン、五塩化リン、オキシ塩化リン、五塩化アンチモン
、四塩化スズ、四塩化チタン、四塩化、ケイ素１．トリ
クロルシラン、ジクロルシラン等の金属ハロゲン化合物
、六フッ化硫黄、フレオン１４、五フッ化リン、四フッ
化イオウ、四フッ化ケイ素、三フッ化ホウ素等の７素化
合物、有機金属化合物、その低塩化水素、−酸化窒素、
アンモニア等の無機ガスである。
で廃山されるアルシン、シラン、ジボラン、ゲルマン、
セレン化水素、テルル化水素、ホスフィン、スチビン等
の金属水素化合物、三塩化ヒ素、三塩化ホウ素、三塩化
リン、五塩化リン、オキシ塩化リン、五塩化アンチモン
、四塩化スズ、四塩化チタン、四塩化、ケイ素１．トリ
クロルシラン、ジクロルシラン等の金属ハロゲン化合物
、六フッ化硫黄、フレオン１４、五フッ化リン、四フッ
化イオウ、四フッ化ケイ素、三フッ化ホウ素等の７素化
合物、有機金属化合物、その低塩化水素、−酸化窒素、
アンモニア等の無機ガスである。
これ等の廃ガスは湿式法の場合には、溶液状に調整され
た処理剤中にバブリングさせて処理する。また、乾式法
の場合には、ケイソウ土に担架された処理剤をカラム中
に充填してこの内部を通過させて処理する。
た処理剤中にバブリングさせて処理する。また、乾式法
の場合には、ケイソウ土に担架された処理剤をカラム中
に充填してこの内部を通過させて処理する。
この発明に係る処理剤組成による半導体生産工程中の廃
ガス処理機構は乾式法については次のように推定される
。即ち、ケイソウ土はその隙間にナトリウム１．カルシ
ウム等の正イオンを介在させてなる立体構造のアルミニ
ウムケイ酸塩であるが、これにアルミニウム金属粉の触
媒下においてＫＭｎＯ４−ＫＯＨの水溶液が作用すると
ケイソウ土中の縮合ケイサン塩の内のある金属が酸化さ
れ、金！ｉ４酸化物となり、系外に排出され、その替わ
りに、アルミニウムが置換し、ケイソウ土全体が負の電
価を帯びるに至る。
ガス処理機構は乾式法については次のように推定される
。即ち、ケイソウ土はその隙間にナトリウム１．カルシ
ウム等の正イオンを介在させてなる立体構造のアルミニ
ウムケイ酸塩であるが、これにアルミニウム金属粉の触
媒下においてＫＭｎＯ４−ＫＯＨの水溶液が作用すると
ケイソウ土中の縮合ケイサン塩の内のある金属が酸化さ
れ、金！ｉ４酸化物となり、系外に排出され、その替わ
りに、アルミニウムが置換し、ケイソウ土全体が負の電
価を帯びるに至る。
また、アルミニウムケイ酸塩の隙間に介在していたナト
リウム、カルシウム等の正イオンはにイオンに置換され
る事になる。
リウム、カルシウム等の正イオンはにイオンに置換され
る事になる。
この様な状態にある処理剤に、例えば半導体生産工程で
排出された、シラン、ホスフィン等を含有する排ガスが
作用すると Ｓ（曳→５４０ｊ−、ＰＨ３→ＰＯ「 という形で縮合体の一部に組み込まれ、吸着される。以
上の様な吸着処理が続けられる事に依すシラン、ホスフ
ィン等の排ガスは系外に排出される事なく、吸着処理さ
れるのである。
排出された、シラン、ホスフィン等を含有する排ガスが
作用すると Ｓ（曳→５４０ｊ−、ＰＨ３→ＰＯ「 という形で縮合体の一部に組み込まれ、吸着される。以
上の様な吸着処理が続けられる事に依すシラン、ホスフ
ィン等の排ガスは系外に排出される事なく、吸着処理さ
れるのである。
なお、湿式法についても同様のメカニズムで吸着処理が
行われるものと推定される。
行われるものと推定される。
従って、この発明の処理剤はイオン性水素化合物、ある
いは共有性水素化合物等に、特に有効であるが、その他
の化合物についても、実用上さしつかえのない程度の効
果を奏する。
いは共有性水素化合物等に、特に有効であるが、その他
の化合物についても、実用上さしつかえのない程度の効
果を奏する。
また、湿式法、乾式法を独立して行っても良いが、これ
らを併用して行う事も出来る。
らを併用して行う事も出来る。
以下この発明の実施例を示す。
実施例１
第１図は、この発明に使用した湿式法廃ガス処理装置を
示す。この装置は下段塔ｌと上段塔λから成り、その内
部には適当な水位迄処理剤を収容する様にしである。ま
た塔外にはポンプ、？、ＩＩをそれぞれ介在させて成る
循環パイプ！。
示す。この装置は下段塔ｌと上段塔λから成り、その内
部には適当な水位迄処理剤を収容する様にしである。ま
た塔外にはポンプ、？、ＩＩをそれぞれ介在させて成る
循環パイプ！。
６をもうけ、処理剤の一部を塔内の上部より循環、噴出
させる様にしてあり、更に循環パイプよ、乙の先端やや
下方にはアルミニウム粉末受は板７．ｆｆをもうけであ
る。
させる様にしてあり、更に循環パイプよ、乙の先端やや
下方にはアルミニウム粉末受は板７．ｆｆをもうけであ
る。
一方、供試ガス給気管ｆは途中より上下に分岐させ、そ
の上段塔給気管１０は上段塔内部の処理剤中に挿入して
その先端には散気板／／をもうける。下段給気管／２は
下段塔内部の処理剤中に挿入してその先端に散気板１３
をもうける。更に、上段塔λと、下段塔／の上部には排
気管／４’をもうけ、その先端は水タンク／３に挿入し
、それの上端には放出管１６がもうけられている。
の上段塔給気管１０は上段塔内部の処理剤中に挿入して
その先端には散気板／／をもうける。下段給気管／２は
下段塔内部の処理剤中に挿入してその先端に散気板１３
をもうける。更に、上段塔λと、下段塔／の上部には排
気管／４’をもうけ、その先端は水タンク／３に挿入し
、それの上端には放出管１６がもうけられている。
供試ガスは、ガスボンベにとりつけた専用の減圧弁に依
り０．５ Ｋ＠／ｃｄ又は０．９ ＫＶ−に減圧されて
、給気管りを経て下段塔給気管／Ｊ、上段塔給気管１０
より各基の処理剤中に給気され、液中でバブリングに依
り気液接触を充分行い、除害処理される。バブリングし
た後、廃ガスは排気管／ｌＩを経て水タンクｌＳの水中
にバブリングされる。その後放出管／６を経て大気中に
放出される。
り０．５ Ｋ＠／ｃｄ又は０．９ ＫＶ−に減圧されて
、給気管りを経て下段塔給気管／Ｊ、上段塔給気管１０
より各基の処理剤中に給気され、液中でバブリングに依
り気液接触を充分行い、除害処理される。バブリングし
た後、廃ガスは排気管／ｌＩを経て水タンクｌＳの水中
にバブリングされる。その後放出管／６を経て大気中に
放出される。
以上の実験中、比較例においては処理剤中に供試ガスが
十分に吸着されず、特に処理剤（４）においては放出口
に未反応シランによるものと見られる白煙が認められた
が、本発明では供試ガス中のシランは完全に吸着するこ
とができた。
十分に吸着されず、特に処理剤（４）においては放出口
に未反応シランによるものと見られる白煙が認められた
が、本発明では供試ガス中のシランは完全に吸着するこ
とができた。
実施例２
第２図は、この発明に使用した乾式法廃ガス処理カラム
、２０を示す。カラム２０の下端にはｒ布２／を介して
目皿ｎを設け、且つ目皿ｎの上部には処理剤を充填し、
またカラム２０の上端には流短針、２３を介在させた給
気管評の給気口を臨ませる。
、２０を示す。カラム２０の下端にはｒ布２／を介して
目皿ｎを設け、且つ目皿ｎの上部には処理剤を充填し、
またカラム２０の上端には流短針、２３を介在させた給
気管評の給気口を臨ませる。
供試ガスは給気管２弘を通してカラム２０の上部に供給
し、更に処理剤中を通過させ、その間に吸着反応を行わ
せた。
し、更に処理剤中を通過させ、その間に吸着反応を行わ
せた。
以上の廃ガス処理カラム２０内に、下記成分配合比の本
発明処理剤を充填し、下記の供試ガスをこの中に通過さ
せて処理剤のガス吸収量を測定した結果を従来品のデー
タの比較において下記の表に示す。
発明処理剤を充填し、下記の供試ガスをこの中に通過さ
せて処理剤のガス吸収量を測定した結果を従来品のデー
タの比較において下記の表に示す。
なお、実験中カラム２０の出口側において廃ガス濃度は
全く検出されず、また上記表中、ガス吸収量はカラム−
〇内に充填した処理剤の色の変化を観察して処理剤が供
試ガスを吸収し得なくなった時点までのカラム充填量に
対する供試ガスの通気量をもって表わしたものであるが
、これによれば、本発明の処理剤組成は従来品に比べて
半導体生産工程で廃山される廃ガスに対する吸収量が格
段に優れたものであることが明らかになった。
全く検出されず、また上記表中、ガス吸収量はカラム−
〇内に充填した処理剤の色の変化を観察して処理剤が供
試ガスを吸収し得なくなった時点までのカラム充填量に
対する供試ガスの通気量をもって表わしたものであるが
、これによれば、本発明の処理剤組成は従来品に比べて
半導体生産工程で廃山される廃ガスに対する吸収量が格
段に優れたものであることが明らかになった。
第１図はこの発明の湿式法の一例を示す概略図、第２図
はこの発明の乾式法の一例を示す概略図である。
はこの発明の乾式法の一例を示す概略図である。
Claims (1)
- 苛性カリ、過マンガン酸カリ、アルミニウム金属粉から
なり、湿式の場合は液状にしてそのまま、或いは乾式の
場合はケイソウ土に担架させて使用することを特徴とす
る半導体生産工程中の廃ガス処理組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59031347A JPS60175522A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | 半導体生産工程中の廃ガス乾式処理組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59031347A JPS60175522A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | 半導体生産工程中の廃ガス乾式処理組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60175522A true JPS60175522A (ja) | 1985-09-09 |
| JPS6331252B2 JPS6331252B2 (ja) | 1988-06-23 |
Family
ID=12328693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59031347A Granted JPS60175522A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | 半導体生産工程中の廃ガス乾式処理組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60175522A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03137917A (ja) * | 1989-10-24 | 1991-06-12 | Iwatani Internatl Corp | 水素化物系廃ガスの乾式処理方法 |
| JP2006167688A (ja) * | 2004-12-20 | 2006-06-29 | Osaka Gas Chem Kk | 金属フィルタ及びそれを用いた酸性ガスの除去方法 |
| JP2010537800A (ja) * | 2007-08-31 | 2010-12-09 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | 排ガス流から少なくとも１つの水素化カルコゲン化合物を除去するための方法および装置 |
| CN109772297A (zh) * | 2017-11-15 | 2019-05-21 | 宁波市雨辰环保科技有限公司 | 一种室温下催化活化氧气清除挥发性有机物的催化剂的制备方法及其再生方法与应用 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5399071A (en) * | 1977-02-10 | 1978-08-30 | Nec Corp | Removing apparatus of exhaust gas |
| JPS5580722A (en) * | 1978-12-12 | 1980-06-18 | Nec Corp | Arsenic recovering method |
| JPS5684618A (en) * | 1979-12-12 | 1981-07-10 | Seitetsu Kagaku Co Ltd | Method of removing harmful gas for semiconductor |
| JPS5794323A (en) * | 1980-12-03 | 1982-06-11 | Stanley Electric Co Ltd | Treating method for waste gas of cvd apparatus |
| JPS58128146A (ja) * | 1982-01-27 | 1983-07-30 | Nippon Sanso Kk | 吸収処理剤 |
-
1984
- 1984-02-23 JP JP59031347A patent/JPS60175522A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5399071A (en) * | 1977-02-10 | 1978-08-30 | Nec Corp | Removing apparatus of exhaust gas |
| JPS5580722A (en) * | 1978-12-12 | 1980-06-18 | Nec Corp | Arsenic recovering method |
| JPS5684618A (en) * | 1979-12-12 | 1981-07-10 | Seitetsu Kagaku Co Ltd | Method of removing harmful gas for semiconductor |
| JPS5794323A (en) * | 1980-12-03 | 1982-06-11 | Stanley Electric Co Ltd | Treating method for waste gas of cvd apparatus |
| JPS58128146A (ja) * | 1982-01-27 | 1983-07-30 | Nippon Sanso Kk | 吸収処理剤 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03137917A (ja) * | 1989-10-24 | 1991-06-12 | Iwatani Internatl Corp | 水素化物系廃ガスの乾式処理方法 |
| JP2006167688A (ja) * | 2004-12-20 | 2006-06-29 | Osaka Gas Chem Kk | 金属フィルタ及びそれを用いた酸性ガスの除去方法 |
| JP2010537800A (ja) * | 2007-08-31 | 2010-12-09 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | 排ガス流から少なくとも１つの水素化カルコゲン化合物を除去するための方法および装置 |
| CN109772297A (zh) * | 2017-11-15 | 2019-05-21 | 宁波市雨辰环保科技有限公司 | 一种室温下催化活化氧气清除挥发性有机物的催化剂的制备方法及其再生方法与应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6331252B2 (ja) | 1988-06-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4784837A (en) | Absorbent for treating gases containing the materials used for semiconductor products and process of treating such gases with the same | |
| JP2795504B2 (ja) | 乾式排ガス調節法 | |
| JP2000254438A (ja) | フッ化ハロゲンを含む排ガスの処理方法、処理剤及び処理装置 | |
| JPS58128146A (ja) | 吸収処理剤 | |
| JPS60175522A (ja) | 半導体生産工程中の廃ガス乾式処理組成物 | |
| JPS6380830A (ja) | 半導体工業における排ガス処理剤 | |
| EP0819464A1 (en) | Processes for the scrubbing of noxious substances | |
| JPH02273511A (ja) | 窒素または炭素のハロゲン化物の無毒化方法 | |
| EP0303368B1 (en) | Treating waste gas | |
| JP2972975B2 (ja) | 有害排ガスの除害方法及び除害剤 | |
| JP3574973B2 (ja) | 半導体製造工場や液晶製造工場から排出される排ガス中の有害成分の除去方法及び除去装置 | |
| CN100528300C (zh) | 废气处理剂、废气处理方法以及废气处理装置 | |
| JP2561616B2 (ja) | 有害成分の固体除去剤 | |
| JPH0378132B2 (ja) | ||
| JPH08257359A (ja) | ペルフルオロカーボン含有ガスの流れを処理する方法 | |
| JP3667804B2 (ja) | 有害ガスの除害方法 | |
| JP2932056B2 (ja) | 有害成分の固体検知剤 | |
| JPH08215539A (ja) | ハロゲン系ガスの処理法 | |
| JP3554390B2 (ja) | デカボランガスの酸化処理法 | |
| JP3673006B2 (ja) | シラン系ガスの除害方法 | |
| JPH067637A (ja) | 有害ガスの浄化方法 | |
| JPH0417082B2 (ja) | ||
| EP0963779A1 (en) | Method of treating exhaust gases containing halogen based compound | |
| JPH06154535A (ja) | 有害ガスの浄化方法 | |
| JP4288042B2 (ja) | 特殊ガス除去用除害剤及び特殊ガスの除去方法 |