JP3776297B2 - 制御システム - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は例えば半導体プロセスなどにおいてウェハの温度を制御するときなどにおいて利用されるPID制御(Proportional,Integral and Derivative control)やIMC(Internal Model Control)制御などの制御システムに係り、例えば、複数のヒータを用いて当該ウェハの温度をその全体に渡って均一に制御する際などにおいて好適に利用することができる制御システムに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図5は従来の基本的なPID制御システムの構成を示すシステム構成図である。図において、21は図示外の恒温室内に設置されたウェハ、22はウェハ21の近傍の温度を検出するサーモカップル、23はこのサーモカップル22の検出温度と共に目標定常温度が入力され、検出温度が目標定常温度に収束するように操作量を出力するPID演算回路、24はこの操作量に基づいて制御を行う操作手段、25はウェハ21の近傍に設置されるヒータ、26は電源、27はヒータ25および電源26を操作手段24に接続する制御ループである。
【0003】
次に動作について説明する。
PID演算回路23は、目標定常温度が設定されると、サーモカップル22の検出温度のこの目標定常温度に対する温度差に基づいてPID制御に基づく操作量を出力し、操作手段24はこの操作量に基づいてヒータ25への通電時間を制御する。
【0004】
従って、このような従来の基本的なPID制御システムでは、サーモカップル22の配設位置およびその近傍の温度が目標定常温度に安定するように制御することができる。
【0005】
しかしながら、制御対象となる上記ウェハ21の面積が大きくなったりすると、当該ウェハ21の温度をその全体に渡って均一に制御することができないなどの問題があった。
【0006】
そこで、特開平7−96168号公報には、温度制御に係る空間をゾーン毎に分割して捉え、そのゾーン毎に別々にPID制御を行う技術が開示されている。また、当該公報では、このように1つの制御対象に対して別々にPID制御を行った場合には、同一の目標定常温度を用いて制御を行ったとしても実際にはそれぞれのゾーンの環境やゾーン相互の位置関係の違いに起因して目標定常温度に到達するタイミングがゾーン毎に異なってしまうので、それぞれのゾーンにおけるPID制御の開始タイミングおよび終了タイミングを制御する技術も開示されている。
【0007】
図6はこの特開平7−96168号公報に開示された従来の他のPID制御システムの構成を示すシステム構成図である。図において、28は所定のプログラムに基づいて設定温度を出力するプロセスコントローラ、29はこの設定温度を最終温度とするランプ波形を出力するランプ信号発生回路、30はこのランプ波形が目標定常温度として入力されて操作量を演算して出力するPIDコントローラ、31はこのPIDコントローラ33により温度制御される炉、32は複数の炉内温度センサ、33は比較基準温度が設定されるメモリ、34は各炉内温度センサ32の検出温度が比較基準温度に一致したタイミングを計測し、その時間差を出力する時間差計測回路、35はこの時間差に基づいてランプ信号発生回路29のランプ信号の発生タイミングを制御するデータを記憶する時間差テーブルメモリである。
【0008】
次に動作について説明する。
メモリ33に比較基準温度が設定された状態でプロセスコントローラ28から設定温度が出力されると、ランプ信号発生回路29はこの設定温度を最終温度とするランプ波形を出力し、PIDコントローラ30はこのランプ波形が目標定常温度として入力されて操作量を演算して出力する。その結果、炉31の温度は設定温度に向かって変化する。この温度変化の途中において、各炉内温度センサ32の検出温度が上記比較基準温度に一致すると、時間差計測回路34はそれれぞれの一致タイミングを計測し、その時間差を時間差テーブルメモリ35へ出力する。時間差テーブルメモリ35はこの時間を相殺するテーブルデータを選択し、これをランプ信号発生回路29へ出力する。
【0009】
次にプロセスコントローラ28から設定温度が出力されると、ランプ信号発生回路29は時間差テーブルメモリ35により設定された時間だけランプ波形の出力開始タイミングを調整する。そして、そのランプ波形に基づいて炉31の温度が設定温度まで制御される。従って、1つの炉31に対して複数のPID制御を行ってその温度を制御することができ、しかも、確かに目標定常温度に到達するタイミングを揃えることが理論的には可能である。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
従来の他のPID制御システムは以上のように構成されているので、確かに目標定常温度に到達するタイミングを揃えることが理論上では可能ではあるが、単に各PID制御の開始タイミング(終了タイミング)を変更しているだけなので、同図に示すように別途目標定常温度自体を最終的な目標定常温度となるまで連続的に変化させるランプ発生回路を追加しなければ、当該タイミングを揃えることは難しく、しかも、例え各PID制御における係数がオーバシュートやアンダーシュートが発生しないように設定されていたとしても、当該目標定常温度の温度に到達した後におけるオーバシュートやアンダーシュートが発生してしまうなどの課題があった。そして、そのようなオーバシュートやアンダーシュートが発生した場合、目的とする定常温度において検出温度を安定させることができなくなってしまう場合がある。
【0011】
つまり、上記従来の他のPID制御システムでは、全てのPID制御に対して同じ目標定常温度を設定した時の昇温期間における任意の比較基準温度に到達するタイミングの時間差をデータとして保持し、その時間差を相殺するように上記タイミングを変更している。そして、これは、各PID制御が同じ昇温カーブにて目標定常温度まで変化することを前提とするものである(そのために上記ランプ信号発生回路が用いられている)。しかしながら、各PID制御におけるヒータの熱変換効率のばらつき、各ゾーンの環境毎に違う放熱特性ばらつきなどがあるため、実際にはこの各PID制御の昇温カーブはそれぞれに相違するのが一般的であり(つまり、各PID制御の時定数は相違するのが一般的であり)、最終的な目標定常温度を各PID制御に直接入力した場合には、上記比較基準温度への到達タイミングを一致させるように制御したとしても、昇温期間における温度変化の仕方が各ゾーン毎に異なり、ゾーン間において温度勾配による熱の行き来が発生してしまうので、それだけ各ゾーンが所望の設定温度となるタイミングは異なることになり、設定温度到達後においてオーバシュートやアンダーシュートが発生してしまうことになる。
【0012】
なお、以上の説明においてはPID制御システムを例に上述した課題を説明したが、他にもIMC制御システムなどにおいても同様の課題が生じる。
【0013】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたものであり、制御対象を複数のゾーンに分けてゾーン毎に制御をしつつも、ランプ信号発生回路などに頼ることなく本来の制御によって目標定常温度への到達タイミングを揃え、しかも、目標定常温度に到達した後におけるオーバシュートやアンダーシュートの発生を効果的に抑制することができ、例えばCCDセンサなどの半導体素子を製造するプロセスにおいてウェハの温度を好適に制御することができる制御システムを得ることを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る制御システムは、制御対象の状態を互いに独立に変化させる複数の操作手段と、当該制御対象の状態を検出する検出手段と、当該検出手段による制御対象の状態の検出値が目標定常値に収束するように上記複数の操作手段へ操作量を出力する制御手段とを備える制御システムにおいて、上記検出手段は全ての操作手段の近傍の状態を検出し、上記制御手段が各操作手段へ出力するそれぞれの操作量は、ある1つの検出値に対する当該操作手段の近傍の検出値の検出値偏差を用いて補正され、上記制御手段は、目標定常値を記憶する目標定常値記憶回路と、各操作手段それぞれに対応して設けられ、個別目標値に対するそれぞれの検出値の制御偏差を用いてそれぞれの操作手段に対する操作量を演算して出力する演算回路とを備え、基準となった検出値が近傍にて検出された操作手段に対応する演算回路には上記目標定常値が個別目標値として与えられ、他の演算回路には当該基準の検出値が個別目標値として与えられ、各演算回路は、個別目標値に対するそれぞれの検出値の制御偏差に応じてPID制御あるいはIMC制御を行うものであるとともに、他の演算回路には当該基準の検出値そのものの替わりに、当該基準の検出値に検出値偏差を加算した値、あるいは、当該基準の検出値に当該検出値偏差を平滑化するためにフィルタリングした値を加算した値が入力されるものである。
【0015】
この発明に係る制御システムは、全ての演算回路に対して同一値の個別目標値を与えた場合に最も検出値の変化が遅かった演算回路を基準の検出値に対応する演算回路として選択するものである。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の一形態を説明する。
実施の形態1.
図1はこの発明の実施の形態1によるPID制御システムを示すシステム構成図である。図において、1は恒温室などの制御対象、2はそれぞれ制御対象1内部に配設されたヒータ(操作手段)、3はそれぞれヒータ電源(操作手段)、4はそれぞれ各ヒータ2の近傍に配設され、制御対象1の温度状態を検出するサーモカップル(検出手段)、5はこの2つのサーモカップル4の検出温度を用いて上記2つのヒータ2の通電を制御するPID制御ユニットである。
【0019】
PID制御ユニット5において、6はそれぞれ上記ヒータ2およびヒータ電源3が直列に接続される操作回路(操作手段)、7はそれぞれヒータ2、ヒータ電源3および操作回路6を1つのループに接続する通電制御ループ(操作手段)、8は目標定常温度を記憶する目標定常温度記憶回路(制御手段)である。以下において、同図上方に記載されるサーモカップル4からヒータ2までの制御経路(4,9,10,6,7,2)を第一の制御ループ、同図下方に記載されるサーモカップル4からヒータ2までの制御経路(4,14,15,6,7,2)を第二の制御ループとよび、それぞれの制御ループの構成要素を個別に指し示す場合には「第一の」あるいは「第二の」という修飾語をつけて呼称する。
【0020】
9は第一の検出温度から目標定常温度を減算し、これを第一の制御偏差として出力する第一の減算器(制御手段)、10はこの第一の制御偏差に基づいてPID制御演算を行い、その演算結果を第一の操作量として第一の操作回路6へ出力する第一のPID演算回路(制御手段)である。また、11は第一の検出温度から第二の検出温度を減算し、この値を検出温度偏差として出力する検出温度減算器(制御手段)、12は検出温度偏差に対してフィルタリング処理を行いフィルタ済み検出温度偏差を出力するフィルタ回路(制御手段)、13は第一の検出温度にこのフィルタ済み検出温度偏差を加算する第二目標温度生成用加算器(制御手段)、14は第二の検出温度からこの加算値を減算し、これを第二の制御偏差として出力する第二の減算器(制御手段)、15はこの第二の制御偏差に基づいてPID制御演算を行い、その演算結果を第二の操作量として第二の操作回路6へ出力する第二のPID演算回路(制御手段)である。
【0021】
次に動作について説明する。
例えば、2つのサーモカップル4,4の検出温度が安定した状態において目標定常温度記憶回路8に所望の制御対象の目標定常温度が設定されると、第一の減算器9はこの安定した第一の検出温度から目標定常温度を減算し、第一のPID演算回路10はその第一の制御偏差に基づいてPID制御演算を行い、第一の操作回路6は第一の操作量に基づいて第一の通電制御ループ7の通電制御を行う。他方、2つのサーモカップル4,4の検出温度が安定した状態では、第二の減算器14から出力される第二の制御偏差は「0」であるので、第二の制御ループにおいては通電制御はなされない。
【0022】
そして、第一の制御ループによる通電制御により第一のサーモカップル4の検出温度が上昇すると、第一の減算器9はこの第一の検出温度から目標定常温度を減算し、第一の制御ループはこの新たな第一の制御偏差に基づいた通電制御を行う。他方、第二の制御ループでは、第一のヒータ2のみが通電されたことにより制御対象1内部では温度勾配が生じて第一の検出温度と第二の検出温度とに差が生じるので、検出温度減算器11は第一の検出温度から第二の検出温度を減算し、フィルタ回路12はこの検出温度偏差に対してフィルタリング処理を行い、第二目標温度生成用加算器13は第一の検出温度にこのフィルタ済み検出温度偏差を加算し、第二の減算器14は第二の検出温度からこの加算値を減算し、第二のPID演算回路15はこの第二の制御偏差に基づいてPID制御演算を行い、操作回路6はこの第二の操作量に基づいた通電制御を行う。
【0023】
このような制御を連続的に行うことで、最終的には、第一の制御ループの通電は第一の検出温度と目標定常温度が一致した時点で終了し、しかも、第二の制御ループの通電は第一の検出温度と第二の検出温度とが一致した時点で終了するので、結果として、第一の検出温度および第二の検出温度がともに目標定常温度になった時点で通電制御が終了する。
【0024】
次に第一の制御ループと第二の制御ループとのどちらに目標定常温度を入力すればよいのか、その決定方法を説明する。図2は図1に示すPID制御システムにおいて第一の減算器9に入力する加算値および第二の減算器14に入力する加算値をともに目標定常温度とした場合における温度特性を示す説明図である。同図(a)の横軸は時間、縦軸は目標定常温度、同図(b)の横軸は時間、縦軸は検出温度、16は第一の制御ループと第二の制御ループに共通に設定される目標定常温度の温度曲線、17は第一の検出温度の温度曲線、18は第二の検出温度の温度曲線である。
【0025】
そして、同図(a)に示すように、時刻t0において同一の目標定常温度をそれぞれの減算器9,14に設定した結果、同図(b)に示すように第一の検出温度と第二の検出温度が変化した場合、最も状態変化が遅かった(曲線の平均的な傾きが小さい)第一の制御ループ(時定数が最も大きい第一の制御ループ)に目標定常温度を入力すると決定する。このように設定すれば、第二の制御ループも第一の制御ループにおける温度変化に追従することができるからである。
【0026】
次にフィルタ回路12によるフィルタリング処理について説明する。下記式1および式2はこのフィルタ回路12のフィルタリング処理を示す演算式である。同式において、G(s)はフィルタ回路12の出力、sはラプラス演算子、αはパラメータ、D1は第一のPID演算回路10の微分係数、D2は第二のPID演算回路15の微分係数である。なお、このパラメータなどは図示外の入力手段などで設定すればよい。
【0027】
G(s) = 1/(1+T・s) ・・・式1
T = α(D1+D2)/2 ・・・式2
【0028】
ところで、PID制御における微分係数は、図2(b)の温度曲線の時定数(設定値の約60%までに検出値が上昇するまでの時間)がほぼ一致することが知られており、この実施の形態1のPID制御においても時定数をそれぞれの微分係数として用いている。
【0029】
そして、このように第一の検出温度に対する第二の検出温度の検出値偏差を代入した上記式1の値を、第二の制御ループの個別目標値(第一の検出温度)に加算することで、第一の検出温度に対する第二の検出温度の温度変化遅れが生じたとしても、元来時定数D2(<D1)で制御することが可能な第二の制御ループの余力を用いてそれを解消することができる。特に、この実施の形態1では、上記式1に示すように遅れ分が累積するような状況であればあるほど上記式1の値は大きくなるので、確実に上記温度変化遅れを解消することができる。
【0030】
また、上記式2に示すように、第一のPID演算回路10における微分係数D1と第二のPID演算回路15における微分係数D2との平均値を用いているので、例えば単に「T=αD1」とした場合に比べて効果的に上記温度変化遅れを解消しつつ、単に「T=αD2」とした場合のように過剰に上記温度変化遅れを解消することもなくなり、第二の制御ループの温度変化曲線が第一の制御ループの温度変化曲線よりも上側にきてしまうことなく、好適に上記温度変化遅れを解消することができる効果がある。
【0031】
図3はこの発明の実施の形態1によるPID制御システムの温度制御効果を示す説明図である。同図(a)は第二の減算器14に目標定常温度を減算値として入力した場合の第一の検出温度の温度曲線と第二の検出温度の温度曲線を示すものであり、同図(b)は第二の減算器14に第一の検出温度を減算値として入力した場合の第一の検出温度の温度曲線と第二の検出温度の温度曲線を示すものであり、同図(c)はこの実施の形態1のとおり第二目標温度生成用加算器13の出力を第二の減算器14に減算値として入力した場合の第一の検出温度の温度曲線と第二の検出温度の温度曲線を示すものである。図において、19はこの第二目標温度生成用加算器13の出力の温度曲線である。
【0032】
そして、同図に示すように、単に第一の制御ループおよび第二の制御ループにともに制御基準温度として目標定常温度を入力して互いに独立して動作させた場合にはそれぞれのヒータの加熱効率などに起因した時定数の差がそのまま温度曲線の差として現れてしまい、予めヒータなどの特性を揃えて時定数を一致させる工夫をしなければ均一な温度を維持したまま温度を上昇あるいは降下させることはできない。これに対して、第二の制御ループの制御基準温度として第一の検出温度を利用した場合には温度曲線同士の温度差を一定の遅れ時間に相当する温度差に抑えたまま温度を上昇あるいは降下させることができる。特に、温度をゆっくりと変化させる制御などの場合にはほぼ制御対象の温度を均一な温度に維持したまま温度を上昇あるいは降下させることができる。更に、この実施の形態1のように、上記温度差が生じた場合にはそれに応じて第二の制御ループの余力を用いて少しだけ余計に加熱することで、一定の遅れ時間に相当する温度差を解消しつつ温度を上昇あるいは降下させることができるので、温度が急激に変化する制御であったとしても、実際に発生する温度差を更に小さくし、略一致させたまま温度を上昇あるいは降下させることができる。そして、このように温度が変化している間における温度差を解消することにより、制御対象全体をほぼ同時に目標温度に到達させることができ、しかも、第一のヒータ2と第二のヒータ2との間に生じる温度勾配に起因する対流を発生させることも無いので、当該目標温度に到達した後のオーバシュートやアンダーシュートをほとんど発生しないようにすることができ、その結果早く制御対象1の全体を目標定常温度に安定させることができる。
【0033】
以上のように、この実施の形態1によれば、ヒータ2および操作回路6からなり、制御対象1の温度状態を互いに独立に変化させる2組の操作手段と、当該制御対象1の温度状態を検出するサーモカップル4と、当該サーモカップル4による制御対象1の検出温度が目標定常温度に収束するように上記2つの操作回路6へ操作量を出力するPID演算回路10,15とを備える制御システムにおいて、上記サーモカップル4は2つのヒータ2の近傍の状態を検出し、上記PID演算回路10が各操作回路6へ出力するそれぞれの操作量は、第一の検出温度に対する第二の検出温度の検出値偏差を用いて補正されているので、第一の検出温度と第二の検出温度との検出値偏差を解消することができる。従って、2つの検出温度はほぼ同じ温度曲線にて目標定常温度まで変化することになり、例えヒータ2や担当ゾーンの違いに起因して元来温度の変化特性にばらつきなどがあったとしても全ての領域を最終的な目標定常値にほぼ同時に到達させることができる。また、設定温度到達後のオーバシュートやアンダーシュートの発生も抑制することができる。
【0034】
それゆえ、制御対象を複数のゾーンに分けてゾーン毎に制御をしつつも、ランプ信号発生回路などに頼ることなく本来の制御によって目標定常温度への到達タイミングを揃え、しかも、目標定常温度に到達した後におけるオーバシュートやアンダーシュートの発生を効果的に抑制することができ、例えばCCDセンサなどの半導体素子を製造するプロセスにおいてウェハの温度を好適に制御することができる効果がある。
【0035】
この実施の形態1によれば、目標定常温度を記憶する目標定常記憶回路8と、各操作回路6それぞれに対応して設けられ、個別目標温度に対するそれぞれの検出温度の制御偏差を用いてそれぞれの操作回路6に対する操作量を演算して出力する2つのPID演算回路10,15とを備え、第一のPID演算回路10には上記目標定常温度が個別目標値として与えられ、第二のPID演算回路15には当該基準の検出値が個別目標値として与えられているので、単に全てのPID演算回路10,15に目標定常値を個別に設定した場合よりも検出値誤差の発生を抑制することができ、その分更に検出値偏差の絶対値を小さくして状態の検出値の均一化を図ることができる。
【0036】
この実施の形態1によれば、基準の検出値に対応する第一のPID演算回路10は、全てのPID演算回路10,15に対して同一値の個別目標値を与えた場合に最も状態変化が遅かったPID演算回路10が選択されるとともに、他の演算回路15には、当該他のPID演算回路15における微分制御係数D2と上記選択されたPID演算回路10における微分制御係数D1との平均値を用いて検出値偏差をフィルタリングした値を加算した値が入力されるので、上記最も状態変化が遅かったPID演算回路10の制御特性に基づいて全てのPID演算回路10,15における制御を行いつつも、当該最も遅いPID演算回路10よりも制御特性がよい他のPID演算回路15においては、検出値偏差が発生した場合にはそれを解消するように制御を行うことができ、検出値のばらつきを効果的に抑制することができる。
【0037】
実施の形態2.
図4はこの発明の実施の形態2によるPID制御システムを示すシステム構成図である。図において、20は検出温度偏差とともに第一の制御偏差が入力され、下記式3に基づいてフィルタリング処理を行いフィルタ済み検出温度偏差を出力するフィルタ回路(制御手段)である。但し、offsetはフィルタ済み検出温度偏差、SP1は目標定常温度、PV1は第一の検出温度、PV2は第二の検出温度、fsはフィルタ回路の入力サンプリング周波数、filter()は一次フィルタ関数である。
【0038】
offset=0
(「SP1−PV1」が0.5%fs以内、且つ、「PV1」が安定しているとき)
offset=filter((PV1−PV2)(SP1−PV1))
(「SP1−PV1」が0.5%fsより大きい、あるいは、「PV1」が整定していないとき) ・・・式3
【0039】
これ以外の構成は実施の形態1と同様であり説明を省略する。
【0040】
次に動作について説明する。
制御対象1の温度が例えば室温などのように特定の温度で安定した状態では、「SP1−PV1」が0.5%fs以内となり、且つ、「PV1」が安定することになり、上記式2に基づいてフィルタ回路20の出力は「0」となり、第二目標温度生成用加算器13からは第一検出温度そのものが出力される。従って、第二の制御ループは、第二の検出温度が第一の検出温度となるように温度制御を行う。
【0041】
このような状態において目標定常温度記憶回路8に新たな目標定常温度が記憶されると、第一の減算器9は第一の検出温度からこの目標定常温度を減算し、これにより第一の制御ループは第一の検出温度と目標定常温度との差がなくなるまで、つまり第一の検出温度が目標定常温度となるように制御を行う。
【0042】
そして、第二目標温度生成用加算器13からは変化した第一の検出温度が出力され、第二の制御ループは第二の検出温度がこの第一の検出温度となるように制御を開始する。また、「SP1−PV1」が0.5%fsより大きくなったり、あるいは、「PV1」が整定していないときには、フィルタ回路20は第一の検出温度に対する第二の検出温度の温度差を用いて上記式3に基づくフィルタ済み検出温度偏差を出力する。このフィルタ済み検出温度偏差は、「PV1−PV2」が大きければ大きいほど大きくなり且つ「SP1−PV1」が大きければ大きいほど大きくなるものであり、設定される目標定常温度の現在の温度に対する温度差が大きければ大きいほど大きくなる性質があるので、単に「PV1−PV2」のみを変数とする実施の形態1と比べた場合、広い温度勾配範囲において最適な補正を行うことができる効果がある。また、一次フィルタを用いているので、「offset = 0」の制御と「offset = filter((PV1−PV2)(SP1−PV1))」の制御との切替の際であってもこのoffsetの値は連続的に変化することになる。
【0043】
また、第一の検出温度および第二の検出温度が目標定常温度付近の温度となり、「SP1−PV1」が0.5%fs以内となり且つ「PV1」が安定すると、第二目標温度生成用加算器13からは再び第一検出温度そのものが出力される。これ以外の動作は実施の形態1と同様であり説明を省略する。
【0044】
以上の実施の形態では、PID演算回路10,15を制御手段として用いた例について説明したが、IMC演算回路を用いても同様の効果を得ることができる。また、この発明においては、第一の検出温度と第二の検出温度との検出値偏差をフィルタリングし、そのフィルタ出力を基準となる第一の検出温度に加算しているが、第一の検出温度と第二の検出温度との差をそのまま第一の検出温度に加算しても略同様の効果を得ることができる。
【0045】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、制御対象の状態を互いに独立に変化させる複数の操作手段と、当該制御対象の状態を検出する検出手段と、当該検出手段による制御対象の状態の検出値が目標定常値に収束するように上記複数の操作手段へ操作量を出力する制御手段とを備える制御システムにおいて、上記検出手段は全ての操作手段の近傍の状態を検出し、上記制御手段が各操作手段へ出力するそれぞれの操作量は、ある1つの検出値に対する当該操作手段の近傍の検出値の検出値偏差を用いて補正されているので、各検出値の検出値偏差を解消することができる。従って、複数の検出値はほぼ同じカーブ(変化特性)にて目標定常値まで変化することになり、例え操作手段や担当ゾーンの違いに起因して元来変化特性にばらつきなどがあったとしても全ての領域を最終的な目標定常値にほぼ同時に到達させることができる。また、設定温度到達後のオーバシュートやアンダーシュートの発生も抑制することができる。
【0046】
それゆえ、制御対象を複数のゾーンに分けてゾーン毎に制御をしつつも、ランプ信号発生回路などに頼ることなく本来の制御によって目標定常温度への到達タイミングを揃え、しかも、目標定常温度に到達した後におけるオーバシュートやアンダーシュートの発生を効果的に抑制することができ、例えばCCDセンサなどの半導体素子を製造するプロセスにおいてウェハの温度を好適に制御することができる効果がある。
【0047】
この発明によれば、制御手段は、目標定常値を記憶する目標定常値記憶回路と、各操作手段それぞれに対応して設けられ、個別目標値に対するそれぞれの検出値の制御偏差を用いてそれぞれの操作手段に対する操作量を演算して出力する演算回路とを備え、基準となった検出値が近傍にて検出された操作手段に対応する演算回路には上記目標定常値が個別目標値として与えられ、他の演算回路には当該基準の検出値が個別目標値として与えられているので、単に全ての制御回路に目標定常値を個別に設定した場合よりも検出値誤差の発生を抑制することができ、その分更に検出値偏差の絶対値を小さくして状態の検出値の均一化を図ることができる。
【0048】
他の演算回路には当該基準の検出値そのものの替わりに、当該基準の検出値に検出値偏差を加算した値、あるいは、当該基準の検出値に当該検出値偏差を平滑化するためにフィルタリングした値を加算した値が入力されるものであればよい。
【0049】
この発明によれば、全ての演算回路に対して同一値の個別目標値を与えた場合に最も検出値の変化が遅かった演算回路を基準の検出値に対応する演算回路として選択する ので、上記最も状態変化が遅かった演算回路の制御特性に基づいて全ての演算回路における制御を行いつつも、当該最も遅い演算回路よりも制御特性がよい他の演算回路においては、検出値偏差が発生した場合にはそれを解消するように制御を行うことができ、検出値のばらつきを効果的に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態1によるPID制御システムを示すシステム構成図である。
【図2】図1に示すPID制御システムにおいて第一の減算器に入力する加算値および第二の減算器に入力する加算値をともに目標定常温度とした場合における温度特性を示す説明図である。
【図3】この発明の実施の形態1によるPID制御システムの温度制御効果を示す説明図である。
【図4】この発明の実施の形態2によるPID制御システムを示すシステム構成図である。
【図5】従来の基本的なPID制御システムの構成を示すシステム構成図である。
【図6】従来の他のPID制御システムの構成を示すシステム構成図である。
【符号の説明】
1 制御対象
2 ヒータ(操作手段)
3 ヒータ電源(操作手段)
4 サーモカップル(検出手段)
5 PID制御ユニット
6 操作回路(操作手段)
7 通電制御ループ(操作手段)
8 目標定常温度記憶回路(制御手段)
9 第一の減算器(制御手段)
10 第一のPID演算回路(制御手段)
11 検出温度減算器(制御手段)
12 フィルタ回路(制御手段)
13 第二目標温度生成用加算器(制御手段)
14 第二の減算器(制御手段)
15 第二のPID演算回路(制御手段)
16 目標定常温度の温度曲線
17 第一の検出温度の温度曲線
18 第二の検出温度の温度曲線
19 第二目標温度生成用加算器の出力の温度曲線
20 フィルタ回路(制御手段)
Claims (2)
- 制御対象の状態を互いに独立に変化させる複数の操作手段と、
当該制御対象の状態を検出する検出手段と、
当該検出手段による制御対象の状態の検出値が目標定常値に収束するように上記複数の操作手段へ操作量を出力する制御手段とを備える制御システムにおいて、
上記検出手段は全ての操作手段の近傍の状態を検出し、
上記制御手段が各操作手段へ出力するそれぞれの操作量は、ある1つの検出値に対する当該操作手段の近傍の検出値の検出値偏差を用いて補正され、
上記制御手段は、目標定常値を記憶する目標定常値記憶回路と、各操作手段それぞれに対応して設けられ、個別目標値に対するそれぞれの検出値の制御偏差を用いてそれぞれの操作手段に対する操作量を演算して出力する演算回路とを備え、基準となった検出値が近傍にて検出された操作手段に対応する演算回路には上記目標定常値が個別目標値として与えられ、他の演算回路には当該基準の検出値が個別目標値として与えられ、
各演算回路は、個別目標値に対するそれぞれの検出値の制御偏差に応じてPID制御あるいはIMC制御を行うものであるとともに、
他の演算回路には当該基準の検出値そのものの替わりに、当該基準の検出値に検出値偏差を加算した値、あるいは、当該基準の検出値に当該検出値偏差を平滑化するためにフィルタリングした値を加算した値が入力されることを特徴とする制御システム。 - 全ての演算回路に対して同一値の個別目標値を与えた場合に最も検出値の変化が遅かった演算回路を基準の検出値に対応する演算回路として選択することを特徴とする請求項1記載の制御システム。
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