JP3728125B2 - メモリセル装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はメモリセル装置及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
メモリセルは広い技術分野で使用されている。その際メモリセルはROM(Read only Memory)とも云われる固定値メモリであってもPROM(Programmable ROM)とも云われるプログラマブルメモリであってもよい。
【0003】
半導体基板上にあるメモリセル装置はそれに記憶された情報への選択自由なアクセスを可能にする点で優れている。メモリセル装置は多数のトランジスタを含んでいる。読出し過程で電流がトランジスタを流れるか否かが確かめられる。その際トランジスタの通流状態又はトランジスタの阻止状態に論理値1又は0が割り当てられる。通常情報の記憶は、チャネル領域が所望の阻止特性に相応するドーピングを有するMOSトランジスタを使用することにより行われる。
【0004】
ドイツ連邦共和国特許出願公開第19510042号明細書には行に配列されたMOSトランジスタを含むメモリセル装置が提案されている。各行にはMOSトランジスタが直列に接続されている。メモリ密度を高めるために隣接する行はそれぞれ交互に条片状の長手トレンチの底部と、隣接する条片状の長手トレンチ間の基板の表面に配設されている。互いに接続されているソース/ドレイン領域は連続したドープ領域として形成されている。このメモリセル装置は行ごとの制御により読出すことができる。
【0005】
このメモリセル装置はメモリセルに必要な4F2 の所要面積を2F2 に低減した点で優れている(その際Fとは製造に使用されるフォトリソグラフィプロセスにおける最小の構造幅のことである)。しかしこの場合単位面積当たりのメモリセル数を更に高めることができないことが欠点である。
【0006】
米国特許第5409852号明細書から実装密度を高めるためにMOSトランジスタを上下に配置することが公知である。このようなトランジスタの接触化のために、適切に構造化され金属接触部と接続された埋込みドープ層が使用されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は従来技術の欠点を回避することにある。特にできるだけ多数のメモリセルをできるだけ小さな空間に配置することのできるメモリセル装置及びその製造方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
これらの課題は本発明の請求項1に記載のメモリセル装置並びに請求項14に記載のその製造方法により解決される。本発明の実施態様は従属請求項から明らかとする。
【0009】
半導体基板の主面に、主面を突出する複数のウェブが配設される。ウェブはそれぞれドープ層の積層体を有し、その際互いに隣接する層はそれぞれ反対の導電形にドープされている。3つの隣り合うドープ層はそれぞれ電界効果トランジスタの2つのソース/ドレイン領域と1つのチャネル領域を形成する。積層体の少なくとも一方の側壁にはそれぞれゲート誘電体が備えられる。積層体に直交してそれぞれ積層体の側壁範囲でゲート誘電体と接するワード線が延びている。ソース/ドレイン領域の作用をするドープ層は同時にメモリセル装置のビット線として働く。積層体内にはドープ層により少なくとも2つの上下に配設されたトランジスタを形成するように多数のドープ層が備えられており、これらのトランジスタは共通のソース/ドレイン領域の作用をする共通のドープ層を介して直列に接続される。
【0010】
このメモリセル装置ではワード線の1つと、チャネル領域の作用をするドープ層並びにソース/ドレイン領域の作用をする両方の隣接ドープ層との交点がそれぞれ1つのトランジスタを画成する。直列に接続されている隣接するトランジスタは共通のソース/ドレイン領域を有する。トランジスタ内の電流は積層体の側壁に平行に流れる。
【0011】
有利には積層体内にそれぞれ共通のソース/ドレイン領域の作用をする1つの共通のドープ層を介して直列に接続されている4〜32個のトランジスタがそれぞれ上下に配設されるように多数のドープ層が設けられている。それにより高い実装密度が達成される。
【0012】
ウェブは基板の主面に平行に条片状の横断面を有する。隣接するウェブは互いに並列に配置されていると有利である。
【0013】
ウェブに直交してそれぞれ互いに間隔をおかれている複数のワード線が延びている。このようにしてウェブの長手寸法に沿ってそれぞれワード線を介して制御可能の多数のトランジスタが並列に配置される。
【0014】
従って本発明は、空間の3つの全ての次元を情報の記憶及び/又は伝送に利用するメモリセル装置を提供しようとするものである。これはN個のトランジスタが上下に配設されることにより行われる。その際1メモリ当たりに必要な4F2 の所要面積は4F2 /Nに低減される。この面積の低減はN個のトランジスタを上下に積層する三次元集積により達成される。
【0015】
上記のトランジスタの積層体により本発明の面積を削減する目的が達成される。その他の措置はメモリセル装置の製造を容易なものとし、できるだけ高速の開閉速度を生じるものである。従って上記の個々の特徴が問題になるのではなく、この明細書で用いられている概念はそれらの最も広い意味を有する。
【0016】
特にゲート誘電体の概念は決して制限されたものを意味していない。このゲート誘電体は従来の誘電体も、また例えばSi3 N4 、Ta2 O5 、Al3 O3 又はTiO2 を含むキャリア捕獲断面積を高められた誘電体も含んでいる。更にまた例えば第1のSiO2 層、Si3 N4 及び第2のSiO2 を有するONO(酸化物/窒化物/酸化物)の構造を有しているより複雑なゲート誘電体も対象となる。それにより製造過程でプログラミング可能なメモリセル装置も、またその運転中にプログラミングの変更可能なメモリセル装置を形成することもできる。
【0017】
本発明の一実施態様によれば論理値0及び1の記憶は、トランジスタがチャネル領域内に異なるドーパント濃度を有していることにより行われる。第1の論理値を記憶するトランジスタはチャネル領域内に第1のドーパント濃度値を有し、第2の論理値を記憶するトランジスタは第1の論理値とは異なる第2のドーパント濃度値を有する。チャネル領域内の異なるドーパント濃度はトランジスタの異なるカットオフ電圧を生じさせ、それにより異なる論理値間の識別を可能にする。
【0018】
記憶された情報の確実な読出しは、チャネル内のドーパントの濃度が互いに2〜10倍異なるようにすることにより達成される。
【0019】
一方のドーパント濃度値が0.5×1018cm-3〜2×1018cm-3の範囲であり、もう一方のドーパント濃度値が0.5×1019cm-3〜2×1019cm-3の範囲にあると有利である。
【0020】
本発明のもう1つの実施態様によればゲート誘電体はキャリア捕獲個所を有する材料から形成される。このゲート誘電体は特に、層の1つがその隣接層よりもキャリア捕獲断面積が高められている多層系から形成される。ゲート誘電体中に捕獲されたキャリアはトランジスタのカットオフ電圧に影響を及ぼす。このメモリセル装置の実施態様ではキャリアの所定通りの導入により論理情報が記憶される。
【0021】
本発明の別の実施態様によればウェブはそれぞれ絶縁範囲により分離されている2つの積層体を含んでいる。この絶縁範囲は同様に条片状に形成することができ、2つの条片状の積層体を画成する。この実施態様ではウェブの対向する側壁にトランジスタが形成される。このようにして実装密度が更に高められる。
【0022】
その際好適には、隣接するウェブ内に配置されている2つの積層体が半導体基板内に配設され主面と接するドープ領域を介して直列に接続される。更にウェブ内に含まれている積層体は積層体及び絶縁範囲の上方に配置されている共通の導電層により直列に接続されていてもよい。隣接する積層体を直列に接続することにより導電面の数が高められる。
【0023】
本発明によるメモリセル装置はその構成部材の特別なトポロジに制限されるものではない。しかし上記の空間配列は特に有利なものである。トランジスタの能動領域が上下に配設されるのに対し、他の回路部材は任意に配列可能である。トランジスタの他の構成部材も種々の方法で配置可能である。しかし特に良好な空間利用は、ゲート誘電体を半導体基板の主面に対し垂直に配置することにより達成することができる。このような配置は有利にはゲート誘電体をウェブの側壁に備えることにより実現することができる。
【0024】
積層体のそれぞれに上下に配置されているビット線の接触化は種々の方法で行うことができる。特に積層体はそれぞれビット線がセルフィールドの縁部で露出されるように構造化してもよい。この場合この積層体はセルフィールドの縁部に階段状の断面を有し、積層体の更に下方に配置されるビット線がその上方に配置されるビット線の側方にそれぞれ突出するようにされる。
【0025】
或いは上下に配置されるビット線をデコーダにより制御することも本発明の枠内にある。デコーダを積層体内に形成すると有利である。そのために積層体と交差する別の選択線が設けられる。それにより選択線の1つと積層体との交点にそれぞれデコーダのトランジスタが形成される。従ってこのデコーダのトランジスタの構造はメモリセルフィールド内のトランジスタの構造に類似する。各デコーダトランジスタは2つの隣接するビット線間に接続されている。メモリセルフィールド内のトランジスタが上下に配置されるように上下に多数のデコーダトランジスタが配置され、互いに直列に接続される。デコーダトランジスタの異なるカットオフ電圧はデコーダトランジスタのチャネル領域内の異なるドーパント濃度により形成される。必要に応じてウェブ内に複数のデコーダを形成してもよく、それらの間にそれぞれメモリセル装置のトランジスタが配設される。このようにして過大な電圧降下はビット線を介して回避される。
【0026】
このようなメモリ装置の製造には半導体基板の主面にドープ層を施し、その際隣接するドープ層はそれぞれ反対の導電形にドープされるようにする。ドープ層の構造化によりウェブを形成する。それらのウェブの少なくとも1つの側壁にゲート誘電体を設ける。ウェブに直交し、それぞれウェブの側壁の範囲でゲート誘電体と接するワード線を形成する。
【0027】
有利にはドープ層をエピタキシー成長により施す。エピタキシーはインサイチュードーピングにより行うと有利である。種々の情報をチャネル内の異なるドーピングの形で実現する場合、MOSトランジスタのドーパント濃度はチャネル領域を含む各ドープ層の成長後に注入により調整される。
【0028】
【発明の実施の形態】
本発明の他の利点、特殊性及び有利な実施形態を図面に基づき以下に詳述する。
【0029】
図1に示されているメモリセル装置には2つのメモリセル行を形成するウェブ10、20が示されている。ウェブ10及び20は有利には単結晶シリコンから成る半導体基板30の表面上にある。半導体基板30は少なくともセルフィールドの範囲で約1017cm-3のドーパント濃度でpドープされている。半導体基板30内にはnドープされた領域90aが配設され、この領域は約200nmの深さと4×1019cm-3のドーパント濃度を有する。それぞれウェブ10、20の下方には2つのnドープ領域90aが配設されている。
【0030】
ウェブ10及び20にはワード線40が配設されている。ワード線40は導電材料、例えば高ドープされた半導体材料、例えば多結晶シリコンから成る。シリコンから成るワード線40は更にケイ化することができる。しかし同様にワード線40は金属から成っていてもよい。ワード線40は半導体基板30の表面にほぼ平行に、ウェブ10及び20の長手方向に対しては垂直に延びている。
【0031】
ウェブ20の詳細な構造は図2に示されている。ウェブ10及び20はそれぞれ積層体50及び60を有しており、絶縁領域70により互いに分離されている。絶縁領域70はSiO2 を有する。積層体50及び60はそれぞれ互いに上下に配設されている複数の層を含んでいる。この場合一方の積層体50は層90、93、100、103、110、113、120、123、130、133、140、143、150、153、160、163及び170を含んでいる。もう一方の積層体60は層90、95、100、105、110、115、120、125、130、135、140、145、150、155、160、165及び170を含んでいる。層90、100、110、120、130、140、150、160及び170はn形にできるだけ高ドープにされている。nドープ層90、100、110、120、130、140、150、160及び170はメモリセル内でビット線の作用をするので、できるだけ高濃度のドーパント、例えばリンを含んでいる。バルク抵抗をできるだけ低く抑えるためにビット線内のドーパント濃度は5×1019cm-3以上であると有利である。nドープ層90、100、110、120、130、140、150及び160はそれぞれ50nmの厚さを有し、nドープ層170は400nmの厚さを有する。
【0032】
一方の積層体50はnドープ層90、100、110、120、130、140、150、160及び170の間にそれぞれ100nmの厚さを有するpドープ層93、103、113、123、133、143、153及び163を有する。この場合層93、113、123及び163は高ドープにされている。他のpドープ層103、133、143及び153はそれに対して低ドープにされている。積層体60は同様にp形のドーパントでドープされたそれぞれ100nmの厚さを有する層95、105、115、125、135、145、155及び165を有する。この場合層105、135、145及び165は高ドープにされている。その他のpドープ層95、115、125及び155はそれに対し低ドープにされている。この低い方のドーピングは1×1018cm-3程度であると有利であり、一方高い方のドーピングは1×1019cm-3程度であると有利である。低い方のドーピングと高い方のドーピングは異なるカットオフ電圧を有し、それにより記憶された論理値0又は1の識別を可能にする。n形のドーパントでドープされたビット線のドーピングは有利には少なくとも4×1019cm-3であり、その際1×1020cm-3以上のドーピングが有利である。4×1019cm-3のドーパント濃度の場合ビット線は約2mΩcmの比抵抗を有する。
【0033】
積層体60の上下に配設されている層90、95、100、105、110、115、120、125、130、135、140、145、150、155、160、165及び170により8個のトランジスタが形成される。同様に上下に配設されている積層体50の層90、93、100、103、110、113、120、123、130、133、140、143、150、153、160、163及び170は8個のトランジスタを形成する。積層体50及び60の側方にはウェブ10、20の縁部にSiO2 を含む絶縁領域175及び185がある。絶縁領域175及び185は積層体50及び60により形成されたトランジスタのゲート誘電体の作用をする。ゲート誘電体の作用をする絶縁領域175及び185は約10nmの厚さを有する。
【0034】
メモリセルのプログラミングを達成するためにゲート誘電体がキャリア捕獲断面積積を高める材料から成ると有利である。これは例えばSi3 N4 のような好適適な窒化物又はTa2 O5 、Al2 O3 又はTiO2 のような酸化物を使用することにより有利に行われる。
【0035】
メモリセル行は、選択されたメモリトランジスタと周辺との間のビット線の実効抵抗がいわゆる薄いビット線100〜160の比抵抗、いわゆる厚いビット線90、90a及び170の比抵抗並びにそれらの長さから生じるように形成される。その際層90及びこれに隣接するnドープ領域90aは共に厚いビット線の作用をする。2000Fのビット線の長さ、それぞれ最小の構造幅がFであるビット線の長さ及び厚さ並びに1mΩcmの比抵抗(これは1×1020cm-3のドーピングに相当する)及び最小の構造幅F=0.5μm の場合、40kΩの厚いビット線の抵抗が形成される。薄いビット線の抵抗は最高で20kΩであると有利である。このような寸法を有する2つのビット線間の容量は1000個のセルの長さで0.6pFである。これにより最も条件の悪い場合でも最高で2×(20+20)kΩ×0.6pF≒50ナノ秒程度のアクセス時間が生じる。
【0036】
隣接するワード線の中心間隔は例えば2Fであり、その際Fとは最小に形成可能の構造寸法であり、例えば0.1μm 〜0.5μm の間である。
【0037】
ウェブ10及び20はそれぞれ側面を有する。ワード線40はこれらの側面上に連続的に設けられている。これらの側面にビット線90、100、110、120、130、140、150、160及び170とワード線40との交点がある。交差範囲はメモリセルとして画成される。その結果4F2 /Nの所要面積が生じる。N=8個のビット線が上下に配置されている場合1メモリセル当たりの所要面積は0.5F2 となり、即ちF=0.5μm の場合0.125μm2となる。
【0038】
ワード線40がビット線90、100、110、120、130、140、150、160及び170と交差する範囲はメモリセル装置のメモリセルフィールドに相当する。このメモリセルフィールドの外側には図示されていない選択スイッチが備えられている。これらの選択スイッチはビット選択線を有する。複数の重なり合っているビット線を図示されていない金属化部により1つのノードにまとめてもよい。このノードと他のドープ層との間にビット線をノードにまとめるような多数のビット選択線が配置されている。
【0039】
ビット線の特に有利な接続は1個のデコーダをセルフィールド内に集積することにより実現される。この集積は三次元的に、特にウェブ10及び20のある同じ構造内で行われると有利である。メモリセル装置の読出しには少なくとも1個の1アウトオブ8デコーダが備えられる。このデコーダはそれぞれ2つの重なり合うビット線(100〜160)を厚いビット線(90、170)と(例えば150を170と及び140を90と)導電接続する6つの連続するワード線A、バーA、B、バーB、C、バーC(図3参照)を有する。従って8つの重なり合っているトランジスタの積層体から1つの層が選択される。それらのMOSトランジスタは異なるカットオフ電圧を有する。1アウトオブ8デコーダの第1のウェブ内にはそれぞれ高い方のカットオフ電圧を有する1個のMOSトランジスタと低い方のカットオフ電圧を有する1個のMOSトランジスタが交互に上下に配置されている。1アウトオブ8デコーダの第2のウェブ内にはそれぞれ高い方のカットオフ電圧を有する2個のMOSトランジスタと低い方のカットオフ電圧を有する2個のMOSトランジスタが交互に上下に配置されている。1アウトオブ8デコーダの第3のウェブ内にはそれぞれ高い方のカットオフ電圧を有する4個のMOSトランジスタと低い方のカットオフ電圧を有する4個のMOSトランジスタが上下に配設されている。その際それぞれ2つのワード線は第1のウェブ、第2のウェブもしくは第3のウェブの互いに対向する側面に沿って配設されている。その際同じ層にある同じウェブの対向する側面に隣接するMOSトランジスタは互いに相補性である。このセルフィールドから厚い方のビット線90、170だけが引出される。その間に配設されている薄い方のビット線100、110、120、130、140、150、160はデコーダの適切な制御により選択される。
【0040】
1アウトオブNデコーダではセルフィールドから周辺に延びているビット線のラスタは2Fである。1アウトオブ2Nデコーダではラスタは4Fに高められる。1アウトオブ4Nデコーダではラスタは更に8Fとなる。
【0041】
図1に示されているメモリセル装置は以下のようにして製造することができる。
【0042】
例えば2×1015cm-3の基本ドーパント濃度を有するpドープされた単結晶シリコンから成る基板30内に例えば1×1017cm-3のドーパント濃度を有するpドープされたウェルを注入により形成する。pドープウェルの深さは有利には約1μm である。
【0043】
nドープ領域90aを約5×1015at/cm-2の線量及び例えば100keVの低い注入エネルギーでリン原子をフォトマスクを介して注入することにより拡散領域として形成する。それによりnドープ領域90aは完成メモリセル内でソース又はドレインの作用をする。これに続くnドープ及び低pドープされた層をエピタキシャル成長及びインサイチュードーピングにより形成する。
【0044】
nドープ層90、100、110、120、130、140、150、160及び170並びに低pドープ層95、103、115,125、133、143、153及び155を1000℃程度の温度で成長させ、100トル程度、即ち133ミリバールで押圧する。nドープはH2 、SiH4 及びAsH3 から成るガス混合物中で行われる。pドープはH2 、SiH4 及びB2 H6 から成るガス混合物中で行われる。
【0045】
高pドープされた層は各層をエピタキシャル堆積後に注入を行って形成する。この注入にはフォトマスクが使用される。注入は例えばホウ素で約3×1012cm-2の線量及び25keV程度のエネルギーで行われる。
【0046】
nドープ最下層90及びnドープ領域90aはその上方にある他のnドープ層100、110、120、130、140、150及び160よりも厚い層厚を有する。層90、90aを厚くすることは、これらの層が部分的に好適には単結晶のシリコン半導体基板30内にあるためである。特に半導体基板30が単結晶シリコンから成る場合、層90の抵抗がそれに隣接するnドープ領域90aにより減らされることが有利である。nドープ最上層170は層100、110、120、130、140、150及び160よりも低オームに形成されている。これは例えばnドープ最上層170がケイ化物又は金属から成ることにより行われる。
【0047】
引続きエッチングによりトレンチ構造を形成し、ウェブ10と20との間にトレンチ195を形成する。このトレンチ及び積層体の幅はFであり、トレンチの深さはN×(100nm+50nm)程度であり、その際Nは4〜32であると有利である。
【0048】
トレンチ195のエッチング後ワード線40を堆積する。これは例えばまず公知の層形成法の1つ、例えばCVD(化学蒸着)法の場合多結晶の半導体材料から成るか又は金属から成る層が同形に堆積される。引続きこの層を従来のフォトリソグラフィ処理工程により個々のワード線40が形成されるように構造化する。個々のワード線40の間隔はできるだけ狭く選択される。2つのビット線の中心間隔の下限は使用されるフォトリソグラフィプロセスにより決められる。こうして2つの隣接するワード線40の中心間隔はFとなる。
【0049】
ワード線40を蒸着後ウェブ10と20との間にあるトレンチは適当な絶縁材料で満たしてもよい。このような絶縁材料を施すことは特にウェブ10及び20の上に導電線を含む別の面を施す場合に有利である。
【0050】
この実施例の1変形では1つのウェブの上下に配設されたトランジスタの積層体は、ビット線17を互いに接続することにより直列に接続される。更に異なるウェブ内に配設された積層体はそれぞれnドープ領域を互いに接続することにより直列に接続することができる。これは共通のドープ領域もしくは共通の層として形成することにより行うと有利である。それにより導電面の数を高めることができる。
【0051】
図3により示されているワード線及びビット線を制御するための回路装置は特に有利である。
【0052】
図3に示された回路装置は1アウトオブ8デコーダである。1アウトオブ8デコーダは上述のようにして組立てられる。図3はでnチャネルMOSトランジスタ及びその相補性のpチャネルMOSトランジスタには一般的な回路記号が使用される。デコーダは複数のデータ入力を有する回路網であり、入力にある2進数の情報が順次共通の出力にあるように制御される。
【0053】
図3に示されている上記のようにして形成された1アウトオブ8デコーダではウェブ内に配設されている2つの任意の隣接するビット線の選択が行われる。それにより2つのビット線間にあるトランジスタが読出される。両方のビット線はデコーダの適切な制御により面90及び170のビット線と電気的に接続される。ビット線90及び170は面100〜160のビット線よりも厚く、従って低オームである。面(ビット線)90及び170は図示されていない評価電子装置に転送される。選択はセルフィールド全体に対して行われる。1アウトオブNデコーダはLOG2 (N)×2のワード線から成り、即ち例えばN=16の場合8つのワード線から成り、N=32の場合10のワード線から成る。1アウトオブNデコーダはセルフィールドのメモリモジュールのように、従って平坦に形成されていると有利な周辺部よりも高く集積されるように形成されている。情報が選択回路の範囲に限定されていることが重要である。ビット線の実効抵抗を低減するにはセルフィールド内のデコーダを頻繁に、例えば典型的には200のワード線毎に反復することが有利である。
【0054】
このようなデコーダはセルフィールドを中断することなくセルフィールド内に集積可能である。
【0055】
ビット線の実効抵抗をビット線の共通接続により更に低下させることができる。
【0056】
本発明は上記の実施例に限定されるものではない。特に導電形のn及びpは取り替え可能である。
【0057】
更にプログラマブルメモリセル装置(PROM)を提供することも本発明の枠内にある。これはキャリア捕獲個所を有する材料からゲート誘電体を形成することにより極めて有利に行うことができる。これは第1のSiO2 層、Si3 N4 層及び第2のSiO2 層を含むONO(酸化物/窒化物/酸化物)誘電体と取り替えると有利である。
【0058】
メモリセル装置のプログラミングは電子の注入により捕獲個所を満たすことによって行われる。これによりゲート誘電体の作用をする各ワード線の下方に導電チャネルが形成されるカットオフ電圧が高められる。カットオフ電圧の上昇値はプログラミング中に印加される電圧の時間及び大きさを介して調整可能である。
【0059】
ONO(酸化物/窒化物/酸化物)誘電体の場合セルフィールド内の注入は行われず、従って注入はデコーダ内だけに必要になる。電荷の蓄積、従ってメモリセル装置のプログラミングはONO誘電体を使用する場合例えば電子をファウラー・ノルドハイム・トンネリング(Fowler−Nordheim−Tunneln)によってもまたホット・エレクトロン・インジェクションによっても行うことができる。
【0060】
ファウラー・ノルドハイム・トンネリングによる情報の書込みにはプログラミングすべきメモリセルは所属のワード線及び所属のビット線を介して選択される。このメモリセルのビット線は低い電位、例えば0ボルトに設定される。それに対してワード線は高い電位、例えば12Vの電圧に設定される。他のビット線は明らかにプログラミング電圧以下にあるように設定された電位に上げられる。他のワード線は他のビット線の電位及びしきい値電圧の合計よりも大きい電位に上げられる。
【0061】
このしきい値電圧は有限時間内にファウラー・ノルドハイム・トンネリングによりMOSFETのカットオフ電圧の著しい上昇を行うのに必要な電圧である。
【0062】
プログラミングの際に選択されたワード線と交差する他の全てのビット線が比較的高い電位にあることから、選択されたワード線と接続されている他のメモリセルはプログラミングされない。それらのメモリセルはNAND形式で接続されると有利である。従ってそれらのメモリセルはドレイン電流がメモリセルを流れるように接続可能である。これは全てのプログラミング過程が極めて少ない電力で済むという利点を有する。
【0063】
1個のセルのプログラミングに必要なエネルギーは、約E ≒5×10-12 キャリア/cm2 ×e×10V×(0.5μm ×0.1μm )=4×10-15 Jとなる。
【0064】
同様にプログラミングをホット・エレクトロン・インジェクションにより行うことも可能である。1個のデコーダは、ワード線が高い電位にある全てのセルが書込まれる1つの面を選択する。その際高い電位にないワード線はプログラミングされない。プログラミングにはプログラミングすべきMOSトランジスタに飽和電圧を印加しなければならない。そのためそのメモリセルに属するビット線は低い電位、有利には接地電位と通常約6Vの高い電位との間に設定される。メモリセルに割り当てられたワード線は飽和動作中のMOSトランジスタの電位に設定される。このワード線に関連する電圧は印加された飽和電圧よりも小さく、通常約4Vである。他のワード線はもっと高い電位、例えば7V程度に設定される。この電圧はまだファウラー・ノルドハイム・トンネリングが起こらないようにゲート誘電体の厚さに関係して選択される。他の全てのビット線はその両端が同じ電位、例えば飽和電圧の半分の電圧に設定される。
【0065】
プログラミングの際に重要なことはプログラミング過程に選択されなかった層が低い電位にあることである。
【0066】
従って選択されたワード線に沿って他のビット線と接するメモリセルのプログラミングが中断され、電流が流れることが避けられる。高い電圧での飽和動作により、選択されたメモリセルのMOSトランジスタのチャネル動作中にホット・エレクトロンとも呼ばれる高エネルギーの電子が生じる。電子の一部はゲート誘電体に注入され、ゲート誘電体中の捕獲個所にとらえられ、MOSトランジスタのしきい値電圧を高める。各メモリセルに記憶すべき情報に応じてこのようにして各MOSトランジスタのしきい値電圧が所望通りに変えられる。
【0067】
プログラミング時間及びプログラミング電力が僅かであるために、ファウラー・ノルドハイム・プログラミングは有利である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるメモリセル装置の一部切欠斜視図。
【図2】図1に示されたメモリセル装置の拡大断面図。
【図3】メモリセル装置内に含まれるワード線及びビット線を制御するための回路装置の結線図。
【符号の説明】
10、20 ウェブ
30 半導体基板
40 ワード線
50、60 積層体
70 絶縁領域
175、185 絶縁領域(ゲート誘電体)
90a nドープ領域(厚いビット線)
90、93、100、103、110、113、
120、123、130、133、140、143、
150、153、160、163、170 積層体50の層
90、95、100、105、110、115、
120、125、130、135、140、145、
150、155、160、165、170 積層体60の層
90、100、110、120、130、
140、150、160 nドープ層(ビット線)
93、113、123、163 高pドープ層
103、133、143、153 低pドープ層
95、115、125、155 高pドープ層
105、135、145、165 低pドープ層
A、バーA、B、バーB、C、バーC ワード線
Claims (15)
- 半導体基板の主面にこの主面から突出する複数のウェブが配置されており、
これらのウェブがそれぞれドープ層の積層体を有し、積層体内で隣接する層がそれぞれ互いに反対の導電形にドープされており、
それぞれ隣接する3つのドープ層がトランジスタの2つのソース/ドレイン領域と1つのチャネル領域を形成し、
積層体の少なくとも1つの側壁にゲート誘電体が備えられており、
ウェブに直交してそれぞれ積層体の側壁部分でゲート誘電体と接するワード線が延びており、
ソース/ドレイン領域の作用をするドープ層がビット線として作用し、
積層体内に多数のドープ層が設けられ、ドープ層により少なくとも2つの上下に配設されたトランジスタが形成され、それらのトランジスタが共通のソース/ドレイン領域の作用をする共通のドープ層を介して直列に接続されている
ことを特徴とするメモリセル装置。 - ウェブ内にそれぞれ共通のソース/ドレイン領域の作用をする共通のドープ層を介して直列に接続されている4〜32個のトランジスタが上下に配設されるように積層体に多数のドープ層が備えられていることを特徴とする請求項1記載のメモリセル装置。
- ウェブに直交して複数のワード線が互いに間隔をおいて延びていることを特徴とする請求項1又は2記載のメモリセル装置。
- チャネル領域の作用をするドープ層がそれぞれ1つのワード線と交差する範囲内で2つの異なるドーパント濃度値の一方に相応するドーパント濃度を有することを特徴とする請求項1又は2記載のメモリセル装置。
- この2つの異なるドーパント濃度値が2〜10倍の差を有することを特徴とする請求項4記載のメモリセル装置。
- 2つの異なるドーパント濃度値の一方が0.5×1018cm-3〜2×1018cm-3であり、もう一方が0.5×1019cm-3〜2×1019cm-3であることを特徴とする請求項4又は5記載のメモリセル装置。
- ゲート誘電体がキャリア捕獲個所を有する物質を含んでいることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1つに記載のメモリセル装置。
- ゲート誘電体が多層系を含んでいることを特徴とする請求項7記載のメモリセル装置。
- ウェブがそれぞれ絶縁領域により2つに分離されている積層体を含んでいることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1つに記載のメモリセル装置。
- 隣接するウェブ内に配置されている2つの積層体が、半導体基板内に配置され主面と接しているドープ領域を介して直列に接続されていることを特徴とする請求項9記載のメモリセル装置。
- ウェブ内に含まれる積層体が積層体及び絶縁領域の上方に配置されている共通の導電層により直列に接続されていることを特徴とする請求項9又は10記載のメモリセル装置。
- ビット線を制御するためにそれぞれ2つのビット線間に接続されているMOSトランジスタを有するデコーダが設けられていることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1つに記載のメモリセル装置。
- デコーダがウェブ内に上下に配設され直列に接続されたMOSトランジスタを含んでいることを特徴とする請求項12記載のメモリセル装置。
- 半導体基板の主面上に複数のドープ層を施し、隣接するドープ層がそれぞれ反対の導電形によりドープされ、
それぞれ隣接する3個のドープ層がトランジスタの2つのソース/ドレイン領域とチャネル領域を形成し、
ドープ層により少なくとも2個の互いに積層されたトランジスタを形成すべく複数のドープ層を設け、前記トランジスタを、共通のソース/ドレイン層として働く共通のドープ層を介して直列に接続し、
ドープ層の構造化によりウェブを形成し、
ウェブの少なくとも1つの側壁にゲート誘電体を設け、
ウェブに直交して延びそれぞれ1つの側壁の範囲でゲート誘電体と接するワー
ド線を形成し、その際ソース/ドレインの作用をするドープ層がビット線として作用することを特徴とするメモリセル装置の製造方法。 - ドープ層をエピタキシャル法により施すことを特徴とする
請求項14記載の方法。
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