JP3679519B2 - トンネル電流または微小力または磁気力検出用の微小ティップの製造方法、並びにその微小ティップを有するプローブの製造方法とそのプローブ、該プローブを有するプローブユニットと走査型プローブ顕微鏡及び情報記録再生装置 - Google Patents
トンネル電流または微小力または磁気力検出用の微小ティップの製造方法、並びにその微小ティップを有するプローブの製造方法とそのプローブ、該プローブを有するプローブユニットと走査型プローブ顕微鏡及び情報記録再生装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3679519B2 JP3679519B2 JP24134696A JP24134696A JP3679519B2 JP 3679519 B2 JP3679519 B2 JP 3679519B2 JP 24134696 A JP24134696 A JP 24134696A JP 24134696 A JP24134696 A JP 24134696A JP 3679519 B2 JP3679519 B2 JP 3679519B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- substrate
- tip
- layer
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q60/00—Particular types of SPM [Scanning Probe Microscopy] or microscopes; Essential components thereof
- G01Q60/10—STM [Scanning Tunnelling Microscopy] or apparatus therefor, e.g. STM probes
- G01Q60/16—Probes, their manufacture, or their related instrumentation, e.g. holders
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y35/00—Methods or apparatus for measurement or analysis of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q60/00—Particular types of SPM [Scanning Probe Microscopy] or microscopes; Essential components thereof
- G01Q60/24—AFM [Atomic Force Microscopy] or apparatus therefor, e.g. AFM probes
- G01Q60/38—Probes, their manufacture, or their related instrumentation, e.g. holders
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q60/00—Particular types of SPM [Scanning Probe Microscopy] or microscopes; Essential components thereof
- G01Q60/50—MFM [Magnetic Force Microscopy] or apparatus therefor, e.g. MFM probes
- G01Q60/54—Probes, their manufacture, or their related instrumentation, e.g. holders
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q70/00—General aspects of SPM probes, their manufacture or their related instrumentation, insofar as they are not specially adapted to a single SPM technique covered by group G01Q60/00
- G01Q70/08—Probe characteristics
- G01Q70/14—Particular materials
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/038—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using permanent magnets, e.g. balances, torsion devices
- G01R33/0385—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using permanent magnets, e.g. balances, torsion devices in relation with magnetic force measurements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/35—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only having vibrating elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/12—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor
- G11B9/14—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor using microscopic probe means, i.e. recording or reproducing by means directly associated with the tip of a microscopic electrical probe as used in Scanning Tunneling Microscopy [STM] or Atomic Force Microscopy [AFM] for inducing physical or electrical perturbations in a recording medium; Record carriers or media specially adapted for such transducing of information
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/12—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor
- G11B9/14—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor using microscopic probe means, i.e. recording or reproducing by means directly associated with the tip of a microscopic electrical probe as used in Scanning Tunneling Microscopy [STM] or Atomic Force Microscopy [AFM] for inducing physical or electrical perturbations in a recording medium; Record carriers or media specially adapted for such transducing of information
- G11B9/1409—Heads
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/12—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor
- G11B9/14—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor using microscopic probe means, i.e. recording or reproducing by means directly associated with the tip of a microscopic electrical probe as used in Scanning Tunneling Microscopy [STM] or Atomic Force Microscopy [AFM] for inducing physical or electrical perturbations in a recording medium; Record carriers or media specially adapted for such transducing of information
- G11B9/1418—Disposition or mounting of heads or record carriers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/12—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor
- G11B9/14—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor using microscopic probe means, i.e. recording or reproducing by means directly associated with the tip of a microscopic electrical probe as used in Scanning Tunneling Microscopy [STM] or Atomic Force Microscopy [AFM] for inducing physical or electrical perturbations in a recording medium; Record carriers or media specially adapted for such transducing of information
- G11B9/1418—Disposition or mounting of heads or record carriers
- G11B9/1427—Disposition or mounting of heads or record carriers with provision for moving the heads or record carriers relatively to each other or for access to indexed parts without effectively imparting a relative movement
- G11B9/1436—Disposition or mounting of heads or record carriers with provision for moving the heads or record carriers relatively to each other or for access to indexed parts without effectively imparting a relative movement with provision for moving the heads or record carriers relatively to each other
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
- Y10S977/849—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with scanning probe
- Y10S977/86—Scanning probe structure
- Y10S977/875—Scanning probe structure with tip detail
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、トンネル電流または微小力または磁気力検出用の微小ティップの製造方法、並びにその微小ティップを有するプローブの製造方法とそのプローブ、該プローブを有するプローブユニットと走査型プローブ顕微鏡及び情報記録再生装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年において、導体の表面原子の電子構造を直接観察できる走査型トンネル顕微鏡(以下、STMと略す)が開発され(G.Binnig et al.,Phys.Rev.Lett,49,57(1982))、単結晶、非晶質を問わず実空間像を高い分解能をもって測定することができるようになった。
しかも試料に電流による損傷を与えずに低電力で観測できる利点も有し、更に大気中でも動作し、種々の材料に対して用いることができるので、今後広範囲な応用が期待されている。
かかるSTMは金属のティップと導電性物質間に電圧を加えてlnm程度の距離まで近づけるとトンネル電流が流れることを利用している。
この電流は両者の距離変化に非常に敏感であり、かつ指数関数的に変化するので、トンネル電流を一定に保つようにティップを走査することにより実空間の表面構造を原子オーダーの分解能で観察することができる。
このSTMを用いた解析の対象物は導電性材料に限られていたが、導電性材料の表面に薄く形成された絶縁層の構造解析にも応用され始めている。
更に、上述の装置、手段は微小電流を検知する方法を用いているため、媒体に損傷を与えず、かつ低電力で観測できる利点をも有する。
また、大気中での作動も可能であるため、STMの手法を用いて、半導体あるいは高分子材料等の原子オーダー、分子オーダーの観察評価、微細加工(E.E.Ehrichs,Proceedings of 4th International Conference on Scanning tunneling Microscopy/Spectroscopy,”89,S13−3)、及び情報記録再生装置等のさまざまな分野への応用が研究されている。
【0003】
例えば、情報記録再生装置への応用を考えると、高い記録密度を達成するためにSTMのティップの先端部の曲率半径が小さいことが要求されている。
また同時に、記録再生システムの機能向上、特に高速化の観点から、多数のプローブを同時に駆動すること(ティップのマルチ化)が提案されているが、このために同一の基板上に特性のそろったティップを作製することが必要となる。
また、原子間力顕微鏡(以下、AFMと略す)によれば物質の表面に働く斥力、引力を検知するため導体、絶縁体を問わず試料表面の凹凸像が測定できる。
このAFMには片持ち梁(カンチレバー)の自由端に微小ティップを形成したものが用いられておりSTMと同様にティップの先端部の曲率半径が小さいことが要求されている。
【0004】
更に、同一装置でAFM及びSTM観察するための多機能顕微鏡として、走査型原子間力/トンネル複合顕微鏡(AFM/STM)がある。
これによると、AFMで用いられるプローブはカンチレバーとそのカンチレバーに保持されたティップからなり、ティップを導電性にすることによってティップと試料との間に流れる電流を検出できる。
通常の使用方法では、AFM動作時にティップと試料との間にバイアスを加えて電流を検出し、同一のティップによる表面凹凸像とトンネル電流分布像を同時に取得することができる。
この複合機においても、ティップが試料表面に原子レベルでアクセスできることを応用し、局所領域に記録情報を書き込む、情報記録再生装置が考えられている。この場合には、書き込み或は読み出し速度を高めるため、プローブの複数化が必須のものとなる。
【0005】
また、磁気力顕微鏡(MFM)は、磁性体からなるバネ状のプローブを用い、磁気記録媒体や磁気ヘッド等の磁性材料である試料とプローブの間に働く力を検出することにより、試料の漏洩磁界分布を2次元、3次元的に非破壊で計測するものである。MFM用のプローブは鋭い先端の微小テイップとバネとなるカンチレバーからなり、微小ティップまたは、微小ティップとカンチレバーが磁性体層を有したものである。MFMにおいては、試料の構造評価以外にも、ティップの発生する磁界を用いて、磁気記録媒体に直接記録を行う情報記憶装置への応用(T.Okubo et al,IEEE Trans.Magn.MAG‐−27(6),pp.5286−5288,1991)も研究されている。構造評価や情報記録再生装置への応用を考えると、高分解能や高記録密度を達成するためにMFMのティップの先端部の曲率半径が小さいことが望まれる。
【0006】
従来、上記のような微小ティップの形成方法として、半導体製造プロセス技術を使い単結晶シリコンを用いて異方性エッチングにより形成した微小ティップが知られている(米国特許第5,221,415号明細書)。
この微小ティップの形成方法は、図12に示すように、まず二酸化シリコン510、512のマスクを被覆したシリコンウエハ514に異方性エッチングによりピット518を設け、二酸化シリコン510、512を除去し、次に全面に窒化シリコン層520、521を被覆してカンチレバー(片持ち梁)及び微小ティップとなるピラミッド状ピット522を形成し、カンチレバー形状にパターニングした後、裏面の窒化シリコン521を除去し、ソウカット534とCr層532を設けたガラス板530と窒化シリコン520を接合し、シリコンウエハ514をエッチング除去することによりマウンティングブロック540に転写された窒化シリコンからなるティップとプローブを作製するものである。
最後に、裏面に光てこ式AFM用の反射膜となる金属膜542を形成する。
これをMFMに用いる場合には、上記プローブの表面に真空蒸着法を用いて磁性体層543を形成すればよい。同様に、Si上に形成した二酸化シリコンからなるプローブ上の表面に、真空蒸着法を用いて磁性体層を形成した例としてはA.Kikukawa等(Appl.Phys.Lett.Vol.61(21),23Novemberl992,pp2067−2069)、又は保坂等(1992年度精密工学会秋季大会学術講演会講演論文集,H22,pp.277−278)によるMFMがある。
【0007】
また、図13(a)に示されるように、たとえば基板201上の薄膜層202を円形にパターニングし、それをマスクにして基板201をエッチングし、サイドエッチングを利用してティップ203を形成する方法(O.Wolter,et al.,”Micromachined silicon sensorsfor scanning force microscopy”,J.Vac.Sci.Technol.B9(2),Mar/Apr,1991,pp1353−1357)、さらには図13(b)に示されるように、逆テーパーをつけたレジスト205のレジスト開口部206に基板204を回転させながら導電性材料207を斜めから蒸着し、リフトオフすることによりティップ208を形成するスピント(Spindt)等により提案された方法(C.A.Spindt,et al.,”Physical properties of thin film field emission cathode with molybdenum cones”J.Appl.Phys.,47.1976,pp5248−5263)等がある。
また、この方法により形成された磁気力検出用の探針もある(K.Yanagisawa et al.,“Magnetic Micro−Actuator”,Proceedings IEEE Micro Electro Mechanical Systems,1991,pp.120−123)。
MFM等に用いる磁気力検出用の探針としては、これらの方法により、着磁により任意の方向に磁化方向を設定できる保磁力の大きな磁性体材料や、逆に測定磁界の方向に探針の磁化が向く保磁力の小さな磁性体材料等の所望の特性を持つ探針を形成することが可能となる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記したような従来の微小ティップの形成方法は以下のような問題点を有していた。
例えば、図12に示したような従来例の微小ティップの製造方法ではつぎのような問題点がある。
すなわち、
(1)テイップの雌型となったシリコン基板は、後工程でエッチング除去されてしまうため再利用ができず、生産性が低くなり製造コストが高くなること。
(2)ティップの雌型となったシリコン基板をエッチングするため、プローブ表面のエッチング液によるティップ部の材料劣化、形状劣化、及びエッチング液からの汚染等が生じる可能性がある。
(3)ティップ表面上に導電性材料を被覆してSTMのティップとする場合には、ティップの先端部は鋭利に形成されているが、このために導電性材料が被覆されにくく、被覆した場合に成膜した導電体膜の粒塊が現れ、再現性良く粒塊の制御をすることが困難である。
(4)薄膜カンチレバー上に微小ティップを形成する場合には、AFMでは反射膜をプローブの裏面の全面に形成するため、カンチレバーが反射膜の膜応力により反ってしまい、また、従来例による真空蒸着或はCVD法などで成膜したSiO2,SiN,SiC,Cなどは、多結晶或はアモルファス状であり内部応力を少なからず有しているため、レバー自身に反りを生じてしまうという問題が生じる。レバーにこのような反りによるバラツキがあると、プローブを複数化した場合に記録媒体に対するそれぞれのプローブの荷重が異なってしまい、荷重によっては解像度の低下或は記録媒体やティップの破壊を引き起こす。
また、Si基板などの厚い基板に、SiO2,SiNなどの薄膜状のレバーの一部を保持させると、両者の積層部に応力が生じ、この応力は特にレバーの付け根の部分に集中するため、レバーを繰り返し動作させると、その部分から破壊を生じる。
さらに、カンチレバー及びそれを保持する基板全面に導電性材料を被覆したプローブを用いて、記録媒体に対して電圧印加を行い情報の記録を行う場合、カンチレバー及びその保持基板全面が電極として作用するため、記録媒体との間に浮遊容量が発生して電圧印加時間の遅延を引き起こす、等の問題を生じる。
(5)磁気力検出用の従来の微小探針の製造方法は、探針プローブ上の表面に、真空蒸着法を用いて磁性体層を形成し、磁性体層をカンチレバーの表面の全面に形成するため、カンチレバーを試料に近接させた際に、探針のみならず、カンチレバー上に形成した磁性体層も漏洩磁界を受ける可能性があり、検出信号のノイズが大きくなる原因になる。
また、磁性体層をカンチレバーの表面の全面に形成することで生じる磁性体層の膜応力によるカンチレバーの反りを抑えるために、磁性体層の厚みとしては数〜数十nm程度の薄膜となり、磁気力の検出感度が低くなる。
さらに、探針表面上に磁性体層を被覆してMFMの探針とする場合には、探針の先端部は鋭利に形成されているが、このために磁性体材料が被覆されにくく、被覆した場合に成膜した磁性体膜の粒塊が現れ、再現性良く粒塊の制御をすることが困難である、等の問題が生じる。
【0009】
また、図13に示したような従来例の微小ティップの製造方法ではつぎのような問題点がある。
すなわち、
(6)ティップを形成する際のシリコンのエッチング条件やレジストのパターニング条件及び導電性材料の蒸着条件等を一定にするには厳しいプロセス管理が必要となり、形成される複数の微小ティップの高さや先端曲率半径等の正確な形状を維持するのが難しい。
(7)特に、カンチレバー状プローブ上に導電性材料を被覆してSTMのプローブとする場合には、ティップ最先端部は鋭利に形成されているため被覆されにくく、トンネル電流という微弱な電流を取り扱うSTMでは安定な特性を得ることは難しい、等の問題が生じる。
【0010】
そこで、本発明は、上記従来技術における課題を解決するため、微小ティップの雌型を後工程でエッチング除去することなく微小ティップを形成でき、生産性を向上すると同時に、製造コストを低減できる、トンネル電流または微小力または磁気力検出用の微小ティップの製造方法、並びにその微小ティップを有するプローブの製造方法とそのプローブ、該プローブを有するプローブユニットと走査型プローブ顕微鏡及び情報記録再生装置を提供することを目的とするものである。
また、本発明は、エッチング液による微小ティップの材料乃至は形状の劣化や、汚染のない微小ティップを形成することができる構成を得ることを目的とするものである。
また、本発明は、微小ティップの材料として金属材料を用いることができ、導電体薄膜を被覆する必要のない構成を得ることを目的とするものである。
また、本発明は、微小ティップのみをカンチレバー先端に形成することができ、反射膜をプローブの裏面全面に形成する必要のない構成を得ることを目的とするものである。
また、本発明は、微小ティップとして再現性の良い均一な形状が得られ、且つ先端を鋭利に形成でき、探針の複数化(マルチ化)が容易となる構成を得ることを目的とするものである。
さらに、本発明は、レバーの反りや破壊が生ぜず、媒体との間に発生する浮遊容量が低減され、微小ティップをレバー上に再現性よく容易に接合、形成することのできるプローブの製造方法とそのプローブ、並びに該プローブを有するプローブユニットと走査型プローブ顕微鏡及び情報記録再生装置を提供することを目的とするものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するため、トンネル電流または微小力または磁気力検出用の微小ティップの製造方法、及びその製造用雌型基板、並びにその微小ティップを有するプローブの製造方法とそのプローブ、該プローブを有するプローブユニットと走査型プローブ顕微鏡及び情報記録再生装置を、つぎのように構成したものである。
すなわち、本発明の微小ティップの製造方法は、トンネル電流または微小力または磁気力検出用の微小ティップの製造方法であって、第1基板の表面に凹部を形成する工程と、前記第1基板の凹部を含む基板上に剥離層を形成する工程と、前記第1基板の剥離層上に微小ティップ材料を成膜し、該微小ティップを構成する側壁面が、前記第1基板の凹部で囲まれた中空の領域に向かって凸である微小ティップを形成する工程と、第2基板上に接合層を形成する工程と、前記第1基板における凹部を含む剥離層上の微小ティップを、前記第2基板上の接合層に接合し、前記接合層と前記中空の領域とに囲まれた領域を形成する工程と、前記第1基板における剥離層と微小ティップの界面で剥離を行い、前記第2基板上の接合層上に前記微小ティップを転写する工程と、を少なくともその工程に含み、かつ、前記剥離層が、金属元素、半金属元素、半導体元素のそれぞれの酸化物あるいは窒化物のいずれかの材料を主成分とすることを特徴としている。
本発明の微小ティップの製造方法においては、前記剥離層が二酸化シリコンよりなることを特徴としており、この剥離層の二酸化シリコンは、前記第一基板を熱酸化することにより形成することができる。
また、本発明の微小ティップの製造方法においては、前記二酸化シリコンの膜厚は、500nm以上とすることが好ましく、また前記微小ティップは、白金または金により形成することが好ましい。そして、本発明の微小ティップの製造方法においては、 前記微小ティップを、複数形成した構成を採ることができる。
また、本発明の微小ティップの製造方法は、前記第1基板の剥離層上にめっき用電極層を形成する工程と、前記めっき用電極層上にめっき法により微小ティップを形成する工程と、を少なくともその工程に含むように構成することができる。また、本発明の微小ティップの製造方法は、前記微小ティップを、磁性体で形成することができる。
【0013】
また、本発明のプローブの製造方法に関するの発明の形態の一つは、トンネル電流または微小力または磁気力検出用の微小ティップを有するプローブの製造方法であって、シリコンよりなる第1基板の表面に凹部を形成する工程と、前記第1基板の凹部を含む基板上に剥離層を形成する工程と、前記第1基板の剥離層上に微小ティップ材料を成膜し、該微小ティップを構成する側壁面が、前記第1基板の凹部で囲まれた中空の領域に向かって凸である微小ティップを形成する工程と、第2基板上に弾性体材料を形成する工程と、前記第2基板の弾性体材料上に接合層を形成する工程と、前記第1基板における凹部を含む剥離層上の微小ティップを、前記第2基板上の接合層に接合し、前記接合層と前記中空の領域とに囲まれた領域を形成する工程と、前記第1基板における剥離層と微小ティップの界面で剥離を行い、前記第2基板上の接合層に前記微小ティップを転写する工程と、前記第2基板の一部を除去して弾性体材料から弾性体を形成する工程と、を少なくとも有し、かつ、前記剥離層が、金属元素、半金属元素、半導体元素のそれぞれの酸化物あるいは窒化物のいずれかの材料を主成分とすることを特徴としている。このプローブの製造方法においては、前記剥離層が二酸化シリコンよりなることを特徴としており、この剥離層の二酸化シリコンは、前記第一基板を熱酸化することにより形成することができる。
また、このプローブの製造方法においては、前記二酸化シリコンの膜厚は、500nm以上とすることが好ましく、そして、前記微小ティップを、複数形成した構成を採ることができる。
【0014】
また、本発明のプローブに関するの発明の形態の一つは、 基板と、該基板上に形成された接合層と、該接合層上に形成された微小ティップと、該接合層と該微小ティップとに囲まれた中空の領域と、を有するトンネル電流または微小力または磁気力検出用のプローブにおいて、該微小ティップを構成する複数の側壁面が該中空の領域に向かって凸であることを特徴としいおり、または、基板上に形成されたレバーと、該レバー上に形成された接合層と、該接合層上に形成された微小ティップと、該接合層と該微小ティップとに囲まれた中空の領域と、を有するトンネル電流または微小力または磁気力検出用のプローブにおいて、該微小ティップを構成する複数の側壁面が該中空の領域に向かって凸であることを特徴としている。
そして、このプローブにおいては、微小ティップを、複数形成した構成を採ることができる。
【0016】
また、本発明のプローブに関するの発明の形態の、他の一つは、トンネル電流または微小力または磁気力検出用のプローブであって、前記プローブが単結晶Si層からなるレバーと該レバー上に接合層を介して配された金属からなるティップとにより形成され、かつ前記ティップと接合層との間に中空の領域を有していることを特徴としている。
このプローブにおいては、前記ティップを形成する金属が、Au,Pt,Irのいずれか或はその合金よりなり、 前記接合層が、金属よりなることが好ましい。その際、前記接合層を形成する金属は、PtまたはAlであることが好ましく、また、 前記単結晶Si層からなるレバーは、その電気抵抗が0.0lΩ・cm以下であることが好ましい。
【0017】
また、本発明のプロープの製造方法に関するの発明の形態の、さらに他の一つは、トンネル電流または微小力または磁気力検出用のプローブの製造方法であって、前記プローブが単結晶Si材料からなる基板上に絶縁層を介して単結晶Si層からなるレバーを形成し、該レバー上に接合層を介して金属からなるティップを形成し、かつ前記ティップと接合層との間に中空の領域を形成することにより作製されることを特徴としている。
そして、このプローブの作製は、単結晶Si基板上に形成された絶縁層上に単結晶Si層を形成する工程と、該単結晶Si層をレバー状に加工する工程と、該レバー上に接合層を形成する工程と、該接合層上に他の基板で形成されたティップを転写する工程と、該レバー裏面の単結晶Si基板と絶縁層を除去し該レバー裏面に空隙を形成する工程とを少なくともその作製工程に含んでいることを特徴とする。
このプロープの製造方法は、前記ティップが、Au,Pt,Irのいずれか、或いはその合金を含み、 前記単結晶Si層からなるレバーは、その電気抵抗が0.0lΩ・cm以下であることが好ましい。
また、前記ティップの転写は、圧力によるティップ材料或は接合部の変形によって行うことができる。
【0018】
また、本発明においては、トンネル電流または微小力または磁気力検出用のプローブを有するプローブユニットであって、前記プローブユニットが信号処理用ICの形成された単結晶Si基板と、該基板上に形成された絶縁層と、該絶縁層に一部を支えられた単結晶Si層からなるレバーと、該レバー上に接合層を介して配された金属からなるティップと、該接合層と該ティップによって形成された中空の領域と該レバーの端部に形成された電極配線とからなるプローブユニットを構成することができる。
そして、このプローブユニットは、その単結晶Si基板に、前記絶縁層に一部を支えられた単結晶Si層からなるレバーと対応する位置に、結晶軸異方性エッチングによる貫通孔を有していることを特徴としている。
また、前記ティップを形成する金属は、Au,Pt,Irのいずれか、或いはその合金を含むものであることが好ましく、前記単結晶Si層からなるレバーは、その電気抵抗が0.0lΩ・cm以下であることが好ましい。
さらに、本発明においては、このようなプローブユニットを用いて、プローブと、このプローブと対向する試料媒体に対して走査し、その試料媒体との間の物理現象により生じるトンネル電流または微小力を検出して試料観察を行う走査型プローブ顕微鏡、情報の記録再生を行う情報記録再生装置を構成し良好な試料観察や、情報の記録再生を実現することができる。
【0019】
【発明の実施の形態】
本発明は上記した製造方法により、微小ティップの製造に用いる雌型を後工程でエッチング除去することなく微小ティップを形成することができるから、雌型は再利用することが可能となり、生産性を向上させると同時に、製造コストを低減することが可能となる。
また、エッチング液によるティップ部の材料劣化、形状劣化、及びエッチング液からの汚染等をなくすことが可能となる。
さらに、ティップの材料として金属を用いることができ、導電性材料を被覆する必要がなくなるだけでなく、このティップのみをカンチレバー先端に形成することができるから、反射膜をプローブの裏面に形成する必要もなくすことができる。
さらにまた、ティップとして金属からなる微小ティップ材料を用いることにより再現性の良い均一な形状が得られ、かつ先端を鋭利に形成することができ、また複数の微小ティップを形成した場合においても微小ティップの先端曲率半径を揃えることができティップの複数化(マルチ化)を容易に実現することができる。以下に、その詳細を図に基づいて説明する。
本発明によるプローブの構成は、基板あるいはレバー上に形成された接合層、該接合層上に形成されたティップ、及び該接合層と該ティップとに囲まれた中空の領域、を有するトンネル電流検出用または微小力検出用のプローブであり、図1はその製造工程を示す断面図である。
以下、この図に従い製造方法を説明する。
第一に、シリコンよりなる第1基板1の表面に凹部3を形成する。
これには、まず第1基板1に保護層2を形成し、次に、保護層2の所望の箇所を、フォトリソグラフィとエッチングによりパターニングしてシリコンの一部を露出させ、次に、結晶軸異方性エッチング等を用いてシリコンをエッチングして凹部3を形成する方法が用いられる。
保護層2としては二酸化シリコンや窒化シリコンを用いることができる。
シリコンのエッチングにはティップ先端部を鋭利に形成できる結晶軸異方性エッチングを用いることが好ましい。
エッチング液に水酸化カリウム水溶液を用いることにより(111)面と等価な4つの面で囲まれた逆ピラミッド状の凹部3を形成することができる(図1(a)参照)。
【0020】
第二に、上記凹部3を含む第1基板1上に酸化物よりなる剥離層4を形成する。
この剥離層4形成後の工程で、剥離層4上に微小ティップ5材料を成膜した後、微小ティップ5を剥離層4から剥離するため、微小ティップ5材料が剥離しやすい剥離層4材料を選択する必要がある。
すなわち、剥離層4の材料にティップ5材料との反応性・密着性が小さい金属元素、半金属元素、半導体元素のそれぞれの酸化物あるいは窒化物、を用いることにより良好に剥離することが可能となる。特に複数本のティップを同時に形成する必要がある場合は剥離層の材質に大きく依存し、このような酸化物、窒化物を用いることにより歩留り良く複数のティップを得ることができる。これら酸化物、窒化物は、たとえばBN,AlN,Al2O3,Si3N4,SiO2,TiN,TiO2,VO2, Cr2O3,ZrO2,Ta2O5,WO3等が使用できる。
これらの材料はスパッタリング法や真空蒸着法により形成することができる。
さらに、第1基板1にシリコンを用いる場合は基板表面を酸化することにより容易に二酸化シリコン(SiO2)を得ることができる。この酸化による二酸化シリコンの形成方法は、放置(自然酸化)する方法、硫酸+過酸化水素水を利用する方法、沸騰水を用いる方法、熱酸化炉を用いる方法等があり、特に、熱酸化炉をもちいてシリコン表面を熱酸化する方法が再現性・制御性・成膜速度の点で優れている。
特に、剥離層に用いた場合これを熱酸化した膜を厚くすることにより、シリコン基板表面の凹凸を吸収し表面を平滑にすることができる。このため形成されるティップの表面も平滑となり、形成されたティップの強度を向上させることが可能である。また、ティップと剥離層との界面が平滑であるため、ティップを剥離層から剥離することが容易となる。上記の効果を得るためには二酸化シリコン膜厚が200nm以上であることが望ましい。
また、シリコンを熱酸化して酸化膜を形成することによりティップを構成する側壁面を中空の領域に向かって凸の形状とすることができる(図1(b)参照)。これは、シリコンの形状により、熱酸化した時の二酸化シリコンの厚みに差が生じることを利用している。これによりティップを強固な構造とすることができる。
すなわち、本発明においてはティップが中空構造であるため、特に金属のティップの場合ティップ先端が試料と接触する際に変形しやすいが、図の様な形状とすることにより、ティップ先端に加わる力に対してより変形しにくい構造にすることができる。
上記の効果を得るためには、二酸化シリコン膜厚が500nm以上であることが望ましい。また、同時に先端曲率半径を小さくすることが可能である。
【0021】
第三に、前記凹部を含む剥離層上に微小ティップ5を形成する。
微小ティップ5の材料としは導電性の高い金属系材料が必要であり、より好ましくは貴金属または貴金属合金が良い。
微小ティップ5材料の成膜には既知の薄膜作製技術である真空蒸着法、スパッタリング法等が用いられる。
特に、真空蒸着法は成膜時の粒子のエネルギーが小さいため、剥離層4との密着性が小さく、剥離性に優れている。成膜後既知のフォトリソグラフィーの手法を用いて微小ティップ5材料をパターニングし、微小ティップ部とする(図1(c)参照)。
また、めっき法による微小ティップ形成も可能である。すなわち第1基板上に既知の成膜技術によりめっき用電極層を形成し、このめっき用電極層の微小ティップ形成部以外の場所をレジスト等で覆った後、めっき用電極露出部(微小ティップ形成部)に対してめっき法によって選択的に微小ティップ材料を形成することにより、容易に、かつ金属材料の無駄無く材料コストを低減し、微小ティップを形成できる。めっきの方法としては、電解、無電解共に使用可能であるが、無電解めっき法は溶液のpH、或いは液温が高い、膜応力が大きい等の問題があり、好ましくは電解めっき法を用いる。
【0022】
第四に、第2基板8または第2基板8上に形成されたカンチレバー等の弾性体9上に接合層7を形成する。
第2基板8および弾性体9は接合層7を介して微小ティップ5を支持する部材である。
接合層7は圧力によりティップを接合するためのものであり、微小ティップ5と接合層7に金属を用いれば、圧力で互いに変形することにより金属結合を得ることができる。
そこで、材料としては金属、特にAu、Ptのような延性・展性に富んだ金属が望ましい。また、Au、Ptは剥離層に二酸化シリコン、特に熱酸化により形成した二酸化シリコンを用いた場合は剥離性にも優れ歩留り良くティップを得ることができる。
なお、トンネル電流を取り出すための配線10は、接合層7と同一材料で同一層に形成しても良い。
【0023】
第五に、前記凹部3を含む剥離層4上の微小ティップ5材料を接合層7に接合する。
これには、それぞれの基板を真空チャック等により保持できるアライメント装置を用い、第1基板1上の微小ティップ5と第2基板8上の接合層7とを位置合わせして対向・接触させ、更に荷重を加えることにより微小ティップ5と接合層7の接合(圧着)を行う(図1(d)参照)。
【0024】
第六に、前記剥離層4と微小ティップ5材料の界面で剥離を行い接合層7上に微小ティップ5材料を転写する。
すなわち、第1基板1と第2基板8を引き離すことにより、剥離層4と微小ティップ5との界面で剥離させる(図1(e)参照)。
また、本発明においては、上記第四以降の製造方法として以下の方法もふくまれる。
すなわち、少なくとも1つ以上の固定電極を第2基板又は/及び第3基板上に樹脂膜よりなる接着層を形成し、該接着層を介して第3基板と第2基板を接着し、第3基板を薄膜平板に整形し、薄膜平板と第2基板とを接続するための支持部、及び接合層を形成し、第1基板の剥離層上の微小ティップ材料を接合層に接合、転写した後に、接着層を除去することにより、微小ティップを自由端に有するトンネル電流または微小力検出用のプローブを作製することが可能である。
上記プローブが、薄膜平板と、該薄膜平板を前記基板に対して回転自在に支持する2つのねじり梁と、該ねじり梁を基板上に空隙を介して上部から支持することにより前記薄膜平板を基板に平行に配置させる支持部と、前記薄膜平板上の一端に形成された接合層と、該接合層上に形成された微小ティップとからなる構造を有することにより、薄膜平板の下部の第2基板上に形成した固定電極と薄膜平板に電圧を印加することにより生じる静電力により前記ねじり梁がねじり回転し、薄膜平板が回転変位する静電アクチュエータの機能を有する。
【0025】
【実施例】
以下実施例を挙げて本発明を詳細に説明する。
[実施例1]
本発明の実施例1におけるSTM用プローブの構成を図2に示す。
図2において、基板上に形成された接合層7上に微小ティップ5が接合され、またトンネル電流用配線10が接合層7に接続されている。
図1は実施例1のプローブの製造工程を示す断面図である。
以下、この図に従い製造方法を説明する。
まず、面方位(100)の単結晶シリコンウエハを第1基板1として用意した。次に、保護層2としてシリコン熱酸化膜を100nm形成した。次に、保護層2の所望の箇所を、フォトリソグラフィとエッチングによりパターニングし、10μm平方のシリコンを露出した。
次に、水酸化カリウム水溶液を用いた結晶軸異方性エッチングによりパターニング部のシリコンをエッチングした。
なお、エッチング条件は、濃度30%の水酸化カリウム水溶液を用い、液温90℃、エッチング時間は10分とした。このとき(111)面と等価な4つの面で囲まれた深さ約7μmの逆ピラミッド状の凹部3が形成された(図1(a)参照)。
次に、保護層2である熱酸化膜をフッ酸とフッ化アンモニウムの混合水溶液(HF:NH4F=1:5)で除去した。次に、120℃に加熱した硫酸と過酸化水素水の混合液、及び、2%フッ酸水溶液を用いて第1基板1の洗浄を行った。次に、酸化炉をもちいて第1基板1を酸素及び水素雰囲気中で1000℃に加熱し、剥離層4である二酸化シリコンを100nm堆積した(図1(b)参照)。次に微小ティップ5材料として金Auを真空蒸着法により成膜しフォトリソグラフィとエッチングによりパターン形成を行った。
なお、このときのAuの膜厚は1.0μmとした(図1(c)参照)。
次に第2基板8として表面酸化膜を形成したシリコン基板を用意し、この表面にクロム(Cr)を5nm、Auを300nm真空蒸着法により、成膜しフォトリソグラフィとエッチングによリパターン形成を行い、接合層7及び配線10とした。次に、第1基板1上の微小ティップ5と第2基板8上の接合層7とを位置合わせして対向・接触させ、更に荷重を加えることにより微小ティップ5と接合層7の接合(圧着)を行った(図1(d)参照)
次に、第1基板1と第2基板8を引き離すことにより、剥離層4と微小ティップ5との界面で剥離させた(図1(e)参照)。
このとき、基板表面からのティップの高さは約8μmであった。またティップ先端の曲率半径は約30nmであった。
【0026】
図3は本実施例の微小ティップを適用したSTM装置のブロック図を示す。
図3において、微小ティップ5と試料11との間にバイアス電圧を印加し、この間を流れるトンネル電流Itを検出し、Itが一定となるようにフィードバックをかけ、XYZ駆動ピエゾ素子12のZ方向を駆動しティップ5と試料11との間隔を一定に保っている。
更に、XYZ駆動ピエゾ素子12のXYを駆動することにより試料の2次元像であるSTM像が観察される。この装置で試料としてHOPG(高配向熱分解グラファイト)基板の劈開面をバイアス電流1nAで観察したところ、良好な原子像を得ることができた。
また、本実施例において実施例1と同様にして第一基板1上に複数の凹部3を形成することにより、第二基板8上に複数の微小ティップ5を形成することができた。この方法により、形状のそろった微小ティップを歩留り良く同時に形成することができた。
【0027】
また、上記図1(b)の工程においてSiO2を成膜せずに第1基板1のSi表面を剥離層4とした場合と、上記図1(b)の工程において剥離層4として第1基板1上に真空蒸着法によりCrを100nm成膜した場合と、本実施例による方法による場合の3つの場合で、以下の2つの条件によるテイップ圧着確率の比較を行った。微小テイップ5は膜厚1.0μmの金Auを用いた。
条件1;本実施例同様に接合層7としてCr下引きのAuを用い、圧着荷重は10kgfで、接合温度は室温であった。
条件2;接合層7はAl、圧着荷重10kgfを加えた状態で窒素雰囲気中で温度300℃で1時間放置した。第1基板1上の微小テイップ5の個数1000個に対する圧着確率を下表に示す。
以上の結果より、剥離層4としてSiO2を用いることにより、剥離が容易となり、接合の歩留まりが向上した。
【0028】
[実施例2]
本発明の実施例2は、STM用プローブまたその製造方法として実施例1とは別の形態を採るものである。
プローブの構成は実施例1と同一であり、プローブの製造工程もほぼ同一である。
実施例1と異なる部分は以下の部分である。
すなわち図1(b)で示される工程において剥離層4である二酸化シリコンを500nm堆積した。
この方法により作製したティップの先端の曲率半径は約20nmであった。
本実施例で作製したSTM用プローブを用いて図3で示されるSTM装置にて実施例1と同様の方法でHOPG(高配向熱分解グラファイト)基板の劈開面をバイアス電流1nAで観察したところ、実施例1よりもさらに繊細な原子像を得ることができた。
【0029】
[実施例3]
本発明の実施例3は、AFM用カンチレバー型プローブ及びその製造方法を構成するものであり、そのプローブの構成を図5に示す。
図5において、カンチレバー9上に形成された接合層7上に微小ティップ5が接合されている。
図4は本実施例のプローブの製造工程を示す断面図である。
以下、この図に従い製造方法を説明する。
まず、面方位(100)の単結晶シリコンウエハを第1基板1として用意した。次に、保護層2としてシリコン熱酸化膜を100nm形成した。
次に、保護層2の所望の箇所を、フォトリソグラフィとエッチングによりパターニングし、10μm平方のシリコンを露出した。
次に、水酸化カリウム水溶液を用いた結晶軸異方性エッチングによりパターニング部のシリコンをエッチングした。
なお、エッチング条件は、濃度30%の水酸化カリウム水溶液を用い、液温90℃、エッチング時間は10分とした。
このとき(111)面と等価な4つの面で囲まれた深さ約7μmの逆ピラミッド状の凹部3が形成された(図4(a)参照)。
次に、保護層2である熱酸化膜をフッ酸とフッ化アンモニウムの混合水溶液(HF:NH4F=1:5)で除去した。
次に、120℃に加熱した硫酸と過酸化水素水の混合液、及び、2%フッ酸水溶液を用いて第1基板1の洗浄を行った。
次に、熱酸化炉をもちいて第1基板1を酸素及び水素雰囲気中で1000℃に加熱し、剥離層4である二酸化シリコンを500nm堆積した(図4(b)参照)。
次に微小ティップ5材料として金Auを真空蒸着法により成膜しフォトリソグラフィとエッチングによリパターン形成を行った。
なお、このときのAuの膜厚は1.0μmとした(図4(c)参照)。
次に第2基板8として単結晶シリコン基板を用意し、第2基板8両面に二酸化シリコン13を0.3μm、窒化シリコン14を0.5μm成膜した。次に表面の窒化シリコン14をフォトリソグラフィとエッチングによりカンチレバー9(片持ち梁)の形状にパターニングした。
このとき、カンチレバーの寸法は幅50μm、長さ300μmとした。次に、裏面の窒化シリコン14及び二酸化シリコン13を同様にエッチングマスク形状にパターニングした。
次に、チタン(Ti)を3nm、金(Au)を50nm成膜し、フォトリソグラフィとエッチングによりパターン形成を行い、カンチレバー上に接合層7を形成した。
次に、第1基板1上の微小ティップ5と第2基板8上の接合層7とを位置合わせして対向・接触させ、更に荷重を加えることにより微小ティップ5と接合層7の接合(圧着)を行った(図4(d)参照)。
次に、第1基板1と第2基板8を引き離すことにより、剥離層4と微小ティップ5との界面で剥離させた(図4(e)参照)。
次に、表面保護層15としてポリイミド層をスピンコートにより塗布し、ベークして形成した。
次に、裏面の窒化シリコン14をエッチングマスクにして、90℃に加熱した30%水酸化カリウム水溶液により裏面からシリコン基板8のエッチングを行った。次に、フッ酸とフッ化アンモニウム混合水溶液により二酸化シリコン層13を除去した。
最後に、酸素プラズマを用いて表面保護層を除去してカンチレバー型プローブを形成した(図4(f)参照)。
【0030】
上記、本実施例のプローブを用いた光てこ方式のAFM装置を作製した。本実施例により作製したAFM用のプローブでは、変位測定のためのレーザーの反射をカンチレバー先端に設けた接合層7の裏面にて行うことができ、反射膜の代用となる。
これにより、カンチレバーの裏面の全面に反射膜をコーティングする必要がなく、その膜応力により反ることがなくなった。
本AFM装置のブロック図を図6に示す。
AFM装置はカンチレバー51と接合層48と接合層48に接合した微小ティップ50からなるプローブと、レーザー光61と、カンチレバー自由端の接合層裏面にレーザー光を集光するためのレンズ62とカンチレバーのたわみ変位による光の反射角の変化を検出するポジションセンサー63と、ポジションセンサーからの信号により変位検出を行う変位検出回路66と、XYZ軸駆動ピエゾ素子65と、XYZ軸駆動ピエゾ素子をXYZ方向に駆動するためのXYZ駆動用ドライバー67とからなる。
このAFM装置を用い、マイカからなる試料64にプローブを接近させた後に、XYZ軸駆動ピエゾ素子65のXY方向を駆動することにより試料表面のAFM像を観察したところ、マイカ表面のステップ像を観察することができた。
また本実施例において実施例3と同様に第一基板1上に複数の凹部3を形成することにより、、第二基板8上に複数のカンチレバー9を形成することにより複数のカンチレバー9上にそれぞれ微小ティップ5を形成することができた。この方法により、形状のそろった微小ティップを歩留り良く同時に形成することができた。
【0031】
[実施例4]
本発明の実施例4は、微小ティップの製造方法としてさらに別の製造方法を構成するものであり、その工程を図7に示す。
まず、面方位(100)の単結晶シリコンウエハを第1基板1として用意し、実施例1と同様の方法にて逆ピラミッド状の凹部3を形成した(図7(a)参照)。
次に、スパッタリング法を用いて凹部3を含む第1基板1に剥離層4として酸化アルミニウム(Al2O3)を100nm堆積した(図7(b)参照)。
次に微小ティップ5材料として白金(Pt)を電子ビーム(EB)蒸着法により成膜し、フォトリソグラフィとエッチングによりパターン形成を行った。
なお、このときのPtの膜厚は1.0μmとした(図7(c)参照)。
次に第2基板8として表面酸化膜を形成したシリコン基板を用意し、この表面にクロム(Cr)を5nm、Auを300nm真空蒸着法により成膜し、フォトリソグラフィとエッチングによりパターン形成を行い、接合層7及び配線10とした。次に、第1基板1上の微小ティップと第2基板8上の接合層とを位置合わせして対向・接触させ、更に荷重を加えることにより微小ティップ5と接合層7の接合(圧着)を行った(図7(d)参照)。
次に、第1基板1と第2基板8を引き離すことにより、剥離層4と微小ティップ5との界面で剥離させた(図7(e)参照)。
このとき、基板表面からのティップの高さは約8μmであった。
本実施例を用いたSTM装置において、実施例1と同様にHOPG(高配向熱分解グラファイト)基板の劈開面をバイアス電流1nAで観察したところ、良好な原子像を得ることができた。
本実施例においては剥離層4として酸化アルミニウム(Al203)を用いたが、酸化クロム(Cr2O3)をスパッタリング法により堆積しても同様の効果が得られる。
【0032】
[実施例5]
本発明の実施例5は、微小ティップの製造方法としてさらにまた別の製造方法を構成するものである。
本実施例は実施例4で用いた図7を同様に用いて説明する。
まず、面方位(100)の単結晶シリコンウエハを第1基板1として用意し、実施例1および3と同様の方法にて逆ピラミッド状の凹部3を形成した(図7(a)参照)。
次に、低圧化学気相成長法(LP−CVD)を用いて凹部3を含む第1基板1に剥離層4として窒化シリコン(Si3N4)を100nm堆積した(図7(b)参照)。
次に微小ティップ5材料として白金(Pt)を電子ビーム(EB)蒸着法により成膜し、フォトリソグラフィとエッチングによりパターン形成を行った。なお、このときのPtの膜厚は1.0μmとした(図7(c)参照)。
次に第2基板8として表面酸化膜を形成したシリコン基板を用意し、この表面にクロム(Cr)を5nm、Auを300nm真空蒸着法により成膜し、フォトリソグラフィとエッチングによりパターン形成を行い、接合層7及び配線10とした。次に、第1基板1上の微小ティップと第2基板8上の接合層とを位置合わせして対向・接触させ、更に荷重を加えることにより微小ティップ5と接合層7の接合(圧着)を行った(図7(d)参照)。
次に、第1基板1と第2基板8を引き離すことにより、剥離層4と微小ティップ5との界面で剥離させた(図7(e)参照)。
このとき、基板表面からのティップの高さは約8μmであった。
本実施例を用いたSTM装置において、実施例1と同様にHOPG(高配向熱分解グラファイト)基板の劈開面をバイアス電流1nAで観察したところ、良好な原子像を得ることができた。
【0033】
また、上記図7(b)の工程において窒化シリコンを成膜せずに第1基板1のSi表面を剥離層4とした場合と、上記図7(b)の工程において剥離層4として第1基板1上に真空蒸着法によりCrを100nm成膜した場合と、本実施例による方法による場合の3つの場合で、ティップ圧着確率の比較を行った。微小ティップ5は膜厚1.0μmの白金Ptを用いた。接合層7としてCr下引きのAuを用い、圧着荷重は10kgfで、接合温度は室温で実験した。第1基板1上の微小ティップ5の個数1000個に対する圧着確率を下表に示す。
以上の結果より、剥離層4として窒化シリコンを用いることにより、剥離が容易となり、接合の歩留まりが向上した。
【0034】
[実施例6]
本発明の実施例6は、AFM/STM用プローブ及びその製造方法を構成するものである。
本実施例では、本発明の第2実施例で作製された第1基板の微小ティップを結晶シリコンからなる薄膜平板上に転写したAFMまたはSTM用のプローブを作製した。
作製したプローブの斜視図を図8(a)に、そのA−A断面図を図8(b)に示す。本発明のプローブは図8より以下の構造を持つ。
104は固定電極85及び86を有する窒化シリコン膜100、101を形成したシリコンブロック、81は導電性を有するn型の結晶シリコンからなる薄膜平板であり、ねじり梁82を側面に有し、空隙102を介して支持部83、84によりねじり梁82の上面で吊り下げ支持されている。
薄膜平板81は、平板電極部88と、一端に接合層78及び接合層上に形成した微小ティップ80を有する開口部87を設けた可撓梁89を有する。
固定電極86は平板電極部88に対向するように窒化シリコン膜100上に配置して形成してある。
支持部83、84は、Al膜の電気導電体よりなり、接合層はPt、微小ティップは実施例1と同様の行程により形成したAuよりなる。
支持部83は、薄膜平板81と固定電極85、及び薄膜平板81と接合層78を通じて微小ティップ80とも電気的に接続している。
これにより支持部はねじり梁82を介して薄膜平板81をエアブリッジ(Air
Bridge)構造にて機械的かつ電気的に接続する。
本発明のプローブは、固定電極86と固定電極85に電圧を印加することにより、固定電極86と平板電極部88との間に静電引力が生じ、ねじり梁がねじり回転し、平板電極部がシリコンブロック側に変位し、微小探針が逆側に変位する、すなはち、薄膜平板81がねじり梁の回転軸回りに回転変位する静電アクチュエータの機能を有している。
本発明の静電アクチュエータを有するプローブでは、可撓梁の自由端に微小ティップを有することでAFM用プローブとして用いると共に、微小ティップ及び薄膜平板が電気導電性を有することによりSTM用プローブとしても用いることが可能であり、さらに複合型STM/AFM用プローブとして利用できる。
また、図2で示したSTM装置に本発明のプローブを用いることで、固定電極85と固定電極86に電圧を印加し微小ティップを変位させ、XYZ軸駆動ピエゾ素子のZ方向の駆動を代わりに行うことができる。
【0035】
図9及び図10は本発明のプローブの製造方法を説明するための作製工程図である。
図9、l0を用いて図8に示すプローブのA−A断面図における本発明の製造方法について説明する。
第3基板として、シリコン基板91上に二酸化シリコン膜の絶縁層92を介して後工程で薄膜平板81となるn型の結晶シリコン膜93(30Ω/□、厚さlμm)が形成してなるSOI(Si on Insulator)基板を用いた(図9(a))。
前記基板上にフォトレジストを塗布し露光、現像を行うフォトリソグラフィプロセスを用いてフォトレジストのパターニングを施し、該フォトレジストをマスクとして結晶シリコン膜93をCF4ガスを用いて反応性イオンエッチング(RIE)によリエッチングし、後工程にて薄膜平板となる開口部87を有するビームパターン94を形成し、フォトレジストをレジスト剥離液を用いて剥離し図9(b)に示すビームパターンを有する第3基板を作製した。
第3基板と接着する第2基板として、シリコン基板95を用意し、シリコン基板95を裏面から結晶軸異方性エッチングする際のマスクとなる窒化シリコン膜を低圧CVD(Low Pressure Chemical Vapour Deposition)にて0.5μm形成した。
窒化シリコン膜の成膜条件は成膜温度848℃、流量比NH3:SiH2Cl2=10ccm:20ccm、成膜圧力0.2Torrである。さらに後工程にて第2基板上に空隙を介して薄膜平板81が形成される場所の裏面の窒化シリコン膜101の一部をフォトリソグラフィプロセスとCF4を用いた反応性イオンエッチングにより図9(c)に示すようにパターニングした。
固定電極85(不図示)、86は、Ptターゲットを用いてスパッタ法によりPtを100nm成膜し、フォトリソグラフイプロセスによりフォトレジストをパターニングし、該フォトレジストをマスクとしてArイオンによりイオンミーリング(Ion Milling)し、フォトレジストを除去し図8に示すようにパターニングし形成した。
次に、第2基板上に、樹脂膜である接着層97をスピナー法により塗布した。樹脂膜としてフォトレジストである東京応化(株)製のゴム系レジストOMR−83(商品名)を用いた(図9(c))。
塗布する際の樹脂を溶解した溶液中に含まれる溶媒の含有量を調節しないと接着層と第3基板との間に気泡が残る場合がある。硬化しない程度の低温にて前処理加熱を施し樹脂膜中に含まれる溶媒の含有量を調節することで界面に気泡が残ることを防止できる。
接着層97を、50℃にて15分間の前処理加熱を行った。
他の接着層を形成する工程としては、ディッピング法、スプレー法等により塗布する方法等の樹脂膜形成法を用いて行うことが可能である。
塗布方法では樹脂膜は基板上の表面凹凸が存在しても、平坦性良く塗布することが可能であり、これにより第3基板と接着する工程にて基板表面粗さ及び固定電極の段差に依存せずに良好な面接着を得ることが可能となる。
樹脂材料としては、回路を集積化したSi基板上に樹脂膜を形成する場合ナトリウムイオン等の不純物の少ないフォトレジストが好ましい。
さらに好ましくは、密着力及び機械的な強度に優れたゴムを有するゴム系フォトレジスト(例えば「微細加工とレジスト」、野々垣三郎著、高分子学会編集、共立出版発行、1990年、11頁第3行のゴム系フォトレジスト)である。
このため本実施例では、OMR−83を使用した。
接着層46を塗布した後に、図9(b)の第3基板と図9(c)の第2基板を裏面より圧力をかけて押し当てた後に、150℃に加熱処理することにより接着層を硬化させ、図9(d)に示すように接着した。第3基板に結晶シリコン膜93にビームパターン94を形成したことで、溝ができ、接着層を加熱処理し硬化する際に発生する有機溶媒の蒸気を前記溝を通じて逃がすことができ、気泡が残ることを防止できた。硬化後の接着層の膜厚は2μmであつた。
この後、図9(d)の接着した基板に対して、80℃、30wt%のKOH水溶液中で第3基板のシリコン基板91をエッチング除去し、さらにHF水溶液にて絶縁層92をエッチング除去した(図9(e))。
次に、Ptターゲットを用いてスパッタ法によりPtを50nm成膜し、フォトリソグラフィプロセスによりフォトレジストをパターニングし、該フォトレジスト110をマスクとしてArイオンによりイオンミーリング(Ion Milling)し、フォトレジスト、図9(f)に示すように接合層78を形成した。この後、酸素ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、図9(g)に示すようにフォトレジスト110及び接着層97の一部をエッチングした。
このようににして形成したビームパターン及び接合層上に支持層となるAl膜98を真空蒸着法の一つであるAlターゲットを用いたイオンビームスパッタリング法により1μm成膜した。
Al膜98上にフォトリソグラフィプロセスによりフォトレジスト111を塗布、露光、現像し(図10(h))、Al膜98をりん酸、硝酸及び酢酸からなるAlエッチャントを用いてパターニングし図8の支持部83、84のパターンをねじり梁82上に形成した。
さらに、酸素ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、フォトレジスト111を除去した(図10(i))。
第1基板71は、実施例1に図1(a)から図1(c)に示したティップ材料層を形成するまでの工程と同様であり、密着層76と剥離層75上に微小ティップ材料となるAuを1μm成膜したティップ材料層77からなる。第1基板71のティップ材料層77と接合層78とを位置合わせし、接合を行った(図10(j))。
接合は第1基板と第2基板の裏面に圧力を加えて圧着する方法を用いている。これによりAuとPtとの結合がなされ、ティップ材料層77と接合層78が接合し、第1基板と第2基板を当接後に離すことにより剥離層上のAuのみが接合層78上に転写され、微小ティップ80を形成できた。
次に第2基板上にフォトレジスト112を塗布し(図10(k))、水酸化カリウム水溶液を用いた結晶軸異方性エッチングにより第2基板の裏面側からシリコン基板95の一部をエッチングしシリコンブロック104を形成し、さらに裏面側から薄膜平板下部の窒化シリコン膜100をCF4ガスを用いた反応性イオンエッチングにより除去した(図10(l))。
最後に、酸素プラズマによりフォトレジスト111及び薄膜平板下部の樹脂膜よりなる接着層97をアッシングし空隙102を形成した。
以上の形成法を用いて図10(m)の空隙102を持つ、結晶シリコンからなるねじり梁82と薄膜平板81、及び接合層上に形成された微小ティップ80を有する、Alの支持部83、84で支持された図8に示す静電アクチュエータの機能を持つプローブを形成した。酸素プラズマによるアッシングにより各電極がエッチングされることはなく、かつ従来のウエットエッチングによる犠牲層除去の際に問題となるStickingを回避することができた。
本発明の形成法では、結晶シリコンにより薄膜平板を作製したことにより、本質的に内部応力を持たない反りのないプローブを作製することができた。
また、固定電極85と固定電極86の間に電圧を印加することにより平板電極部の自由端はシリコンブロック方向に、可撓梁の自由端は平板電極部の自由端とは逆方向にねじり梁の捩じり回転に応じて変位した。
また、本発明の製造方法により作製したプローブでは、AFM変位測定の為のレーザーの反射を可撓梁の先端に設けた接合層の裏面にて行う事ができ、反射膜の代用となる。
これにより、可撓梁の裏面の全面に反射膜を形成する必要がなく、薄膜平板は反射膜の膜応力により反ることがなかった。
本実施例では、接着層を第2基板上に形成し第3基板と接着したが、第3基板上、または第2基板及び第3基板の両面に形成した後に接着しても同様のプローブの形成が可能であった。
【0036】
[実施例7]
実施例7は、実施例6で示した本発明の静電アクチュエータの機能を有するプローブを1つの基板上に複数形成してマルチプローブを構成したものである。
図11は、窒化シリコン膜150、151が形成されたシリコンブロック154上に、図8に示したプローブを複数形成したマルチプローブを説明する斜視図である。
本発明のマルチプローブは図11より以下の構造を持つ。121、131、141は薄膜平板であり、夫々ねじり梁122、132、142を側面に有し、夫々支持部123と124、133と134、及び143と144により各ねじり梁の上面で吊り下げ支持されている。
また、薄膜平板121、131、141は夫々接合層128、138、148、及び微小ティップ120、130、140を有している。
また、夫々のプローブは対となる固定電極125と126、135と136、145と146を有し、対となる固定電極間に電圧を印加することにより、各プローブのねじり梁の回転軸回りに回転変位させ、夫々のプローブを独立に変位させることが可能である。
結晶シリコンにより薄膜平板を作製したことにより、本質的に内部応力を持たない反りのないプローブを作製することができ、また本発明の微小ティップの製造法にて形成した形状の揃った微小ティップを用いることにより、マルチ化する際に問題となるカンチレバー等の反りや微小ティップの高さばらつきによる、シリコンブロックと微小ティップとの高さばらつき、また複数の微小ティップそれぞれの先端曲率半径のばらつきを抑えることが可能となり、作製再現性の高いマルチプローブを提供することができた。
【0037】
[実施例8]
図14は本発明の実施例8における微小ティップの製造方法の工程を示す断面図である。
図14(a)において、酸化ガスにより熱酸化して形成した二酸化シリコン膜からなる保護層22が形成された結晶方位面が<100>のシリコンウエハを第1基板21として用意する。
フォトリソグラフィプロセスにより形成したフォトレジストをマスクとして、該保護層22の所望の箇所をHF水溶液によりエッチングし、8μm平方のシリコンを露出させた。保護層22は第1基板21を結晶軸異方性エッチングし、微小ティップの雌型となる凹部を形成する時の保護層であり、結晶軸異方性エッチング液に対してエッチング耐性を持つ。
フォトレジストを剥離した後に第1基板21を濃度27%の水酸化カリウム(KOH)水溶液にて液温度80℃で結晶軸異方性エッチングし、深さ5.6μmの(111)の結晶面からなる逆ピラミッド状の凹部23を形成した。
【0038】
次に保護層22をHF水溶液によりエッチング除去した後に、第1基板21を酸化ガスを用いて熱酸化し、凹部23を含む第1基板上に二酸化シリコン膜(剥離層)24を100nm形成した(図14(b))。
次に図14(c)に示すように、Ptをスパッター蒸着法により、全面に50nmの厚さに成膜しめっき用電極層25を形成した。剥離部24とPtは密着力が弱く、後工程にて剥離層24とめっき用電極層25との界面から剥離することができる。
次にめっき用電極層25上に微小ティップ形成部が露出するようにレジストパターンを形成し、これをマスクとして電解めっき法によりPt層(微小ティップ材料層)26を500nmの厚さに形成した(図14(d))。
めっき液としてはPt−270(エヌ・イー・ケムキャット社製)を用い、20nm/minの成膜速度でめっきを行った。めっき後、レジストを溶解除去した(図14(e))。
【0039】
次に第2基板28としてシリコンウエハを用意し、この表面にCr5nmとAu100nmを真空蒸着法により順次連続して薄膜堆積し、該薄膜をフォトリソグラフィプロセスとエッチングによりパターニングし、接合層27を形成した(不図示)。
続いて、第1基板21上のめっき用電極層25及び微小ティップ材料層26と第2基板上の接合層27とを位置合わせし当接した。
当接の際に、第1基板と第2基板の裏面に圧力を加えて圧着する方法により微小ティップ材料層26であるPtと接合層27のAuとが結合し接合した(図14(f))。
【0040】
この後、剥離層24とめっき用電極層25との界面から引き剥がすことにより剥離層24上のめっき用電極層25及び微小ティップ材料層26のみを接合層27上に転写し、図14(g)に示す微小ティップ29が製造できた。
この時、微小ティップ材料層26が形成されていない部分のめっき用電極層25は第1基板側に残り、第2基板側には転写されなかった。
【0041】
上述した方法により作製した微小ティップ29をSEM(走査型電子顕微鏡)で観察したところ、先端はシリコンの結晶軸異方性エッチングにてできた逆ピラミッドの形状を写された形状(replicated shape)を有し、先端が鋭利に形成されている微小ティップである事を確認し、その微小ティップの先端曲率半径は30nm以下であった。
【0042】
本実施例の微小ティップ29を用いたSTM装置を作製した。
本装置のブロック図を図15に示す。
図中、30はバイアス印加用電源、31はトンネル電流増幅回路、32はXYZ駆動用ドライバー、28は第2基板、27は接合層、29は微小ティップ、33は試料、34はXYZ軸駆動ピエゾ素子である。
ここで微小ティップ29と試料33との間を流れるトンネル電流Itを接合層27を通じて検出し、Itが一定となるようにフィードバックをかけ、XYZ軸駆動ピエゾ素子34のZ方向を駆動し、微小ティップと試料との間隔を一定に保っている。
接合層はトンネル電流取り出し電極として用いた。さらに、XYZ軸駆動ピエゾ素子34のXY方向を駆動することにより試料33の2次元像であるSTM像が観察できる。
この装置で試料33としてHOPG(高配向熱分解グラファイト)基板の劈開面をバイアス電流1nA、スキャンエリア100Å×100Åで観察したところ、再現性良く良好な原子像を得ることができた。
【0043】
[実施例9]
実施例9において、高保磁力を有するCoPt磁性体層からなる微小ティップを薄膜カンチレバー上に設けたMFM用の微小ティップ及ぴプローブの製造方法を説明する。
図16及び図17は本発明のMFM用の微小ティップ及びプローブ製造方法の工程を示す断面図である。
作製したプローブの上面図を図18(a)に、側面図を図18(b)に示す。
薄膜カンチレバーとしては、窒化シリコン膜からなるシリコンブロック54で支持された薄膜カンチレバー51を用いた。
ここで、48はTiとPtからなる接合層、50はPt膜が被覆されたCoPt磁性体からなる微小ティップ、53は二酸化シリコン膜、52はシリコンウエハを裏面からエッチングする際にマスクとして用いた窒化シリコン膜である。
【0044】
図16(a)において、酸化ガスにより熱酸化して形成した二酸化シリコン膜からなる保護層42が形成された結晶方位面が<100>のシリコンウエハを第1基板41として用意する。フォトリソグラフィプロセスにより形成したフォトレジストをマスクとして、該保護層42の所望の箇所をHF水溶液によりエッチングし、8μm平方のシリコンを露出させた。
保護層42は第1基板を結晶軸異方性エッチングし、微小ティップの雌型となる凹部を形成する時の保護層であり、結晶軸異方性エッチング液に対してエッチング耐性を持つ。
フォトレジストを剥離した後に第1基板を濃度27%の水酸化カリウム(KOH)水溶液にて液温度80℃で結晶軸異方性エッチングし、深さ5.6μmの(111)の結晶面からなる逆ピラミッド状の凹部43を形成した。
【0045】
次に保護層2をHF水溶液によりエッチング除去した後に、凹部43を含むシリコン基板を酸化ガスを用いた熱酸化工程により5000Åの二酸化シリコン膜からなる剥離層45を形成した(図16(b))。
第1基板の凹部を含む表面を熱酸化し二酸化シリコン膜を形成することで、微小ティップを形成するための雌型の微小ティップ先端の曲率半径をより小さくすることができる。これは、シリコンの形状により熱酸化した時の二酸化シリコン膜の厚みに差が生じることを利用しており、熱酸化した二酸化シリコン膜の厚さを制御することにより、微小ティップの曲率半径を制御することを可能にする。
【0046】
次に図16(c)に示すように、前記剥離層上にPtを真空蒸着法により全面に100Å成膜し、Pt膜44を形成し、さらに微小ティップ材料となるCoPt強磁性体をスパッタ法により、全面に500nm成膜し磁性体層47を形成した。
Pt膜44と二酸化シリコン膜からなる剥離層45は密着力が弱く、後工程にて剥離層とPt膜の界面から剥離することが可能である。
次に、レジストを塗布し、露光、現像するフォトリソグラフィプロセスによりレジストをパターニングし、該フォトレジストをマスクとしてPt膜44、磁性体層47をArイオンによりイオンミーリング(Ion Milling)し、フォトレジストを除去し図16(d)に示すようにパターニングし転写前の微小ティップ50を形成した。
【0047】
薄膜カンチレバーが形成された第2基板49として、シリコンウエハを用いた。
第2基板は、窒化シリコン膜からなる薄膜カンチレバー51と、該薄膜カンチレバーの裏面の一部がパターニングされた窒化シリコン膜52及び二酸化シリコン膜53が形成されたシリコンウエハよりなる。
前記薄膜カンチレバー51の自由端にTi50ÅとPt1000Åを真空蒸着法により順次連続して薄膜堆積し、該Ti及びPtをフォトリソグラフィプロセスとエッチングによりパターニングし、接合層48を形成した。
【0048】
次に、第1基板41上の磁性体層47と第2基板49上の接合層48とを位置合わせし、接合を行った(図17(e))。
接合は第1基板と第2基板の裏面に圧力を加えて圧着する方法を用いている。
これによりPtとCoPtとの金属結合がなされ、磁性体層47と接合層48が接合し、第1基板と第2基板を当接後に離すことにより、第1基板上の二酸化シリコン膜からなる剥離層45とPt膜44との界面から微小ティップ50が剥離し、図17(f)に示すPt膜44を有する強磁性体からなる微小ティップ50を接合層48上に転写できた。
【0049】
次に、水酸化カリウム水溶液を用いた結晶軸異方性エッチングにより第2基板の裏面側からシリコンをエッチングし、さらに裏面側から二酸化シリコン膜をHF水溶液にて除去した。
このようにして微小ティップ50を薄膜カンチレバー51の自由端の接合層上に有し、該薄膜カンチレバーの一端がシリコンブロック24に固定されたプローブを形成できた(図17(g))。
【0050】
本発明の製造方法により作製したMFM用のプローブでは、磁性体の微小ティップをカンチレバーの自由端のみに形成することにより、従来問題となったカンチレバー上の磁性体層への漏洩磁界の影響が回避できた。
また、上記理由により、薄膜カンチレバーは磁性体層の膜応力により反ることがなかった。
本発明のプローブは、変位測定の為のレーザーの反射を薄膜カンチレバーの先端に設けた接合層の裏面にて行う事ができ、反射膜の代用となる。
さらに、磁性体層の表面がPt膜により被覆されており、磁性体層の酸化を防止することができた。磁性体層表面の酸化を防止する他の材料としては、微小ティップを第2基板上に転写する際に剥離層との界面にて剥離できるものであれば良い。酸化防止するPt膜は、図16(c)の作製工程にて膜厚を調整することにより、さらに薄膜化することが可能であることは言うまでもない。
【0051】
作製した本発明の微小ティップ10をSEM(走査型電子顕微鏡)で観察したところ、先端はシリコンの結晶軸異方性エッチングにてできた逆ビラミッドの形状を写された形状(replicated shape)を有し、先端が鋭利に形成されている微小ティップである事を確認し、その微小ティップの先端曲率半径は0.03μm以下であった。
また、このようにして作製された微小ティップは接合層との間で囲まれた中空の領域を有している。
これにより、薄膜カンチレバー等の自由端に微小ティップを設ける場合、図12で示した従来例の形成法にて作製した同等の高さの微小ティップに比べて、約2分の1の重量となり軽量化され、微小ティップ付きのカンチレバーの共振周波数の低下を抑えることができた。
【0052】
本発明のプローブを用いて、TbFeCoからなる光磁気ディスクの漏洩磁界分布の観察を行った。
観察は、プローブを光磁気ディスクに近接させ、薄膜カンチレバーのたわみ変位による接合層からの光の反射角の変化を検出するポジションセンサによりプローブの共振周波数の変化を検出し(FM(Frequency Modulation)検出法)、光磁気ディスクの磁界分布を測定した。
この結果、光磁気ディスクの磁気ドメインを観察することができた。
本実施例においては微小ティップのみが磁性体層を有するため、カンチレバーを試料に接近させた際に微小ティップの受ける漏洩磁界が小さく、検出信号のノイズを低減でき、かつ、カンチレバー上に磁性体層を形成しないため、カンチレバーの反りを低減でき、磁気力の検出感度の低下を抑制することができた。
【0053】
[実施例10]
(100)面方位のSi基板301上に、Si酸化膜303が0.5μm厚、及びSi単結晶膜307が1.0μm厚で形成されているSOI(siliconon insulator)基板に対して、LP−CVD(low pressure chemical vapor deposition)法により窒化シリコン(SiN)膜308を0.2μm厚形成した(図20−a)。
Si単結晶膜307は抵抗値0.01Ω・cm以下のものを用いた。
次に、Si基板303をエッチングするために、裏面側にレジストパターンを形成し、CF4ガスを用いたドライエッチングによりSiN膜308をパターニングした。
次に、表面のSiN膜308を全面エッチング除去し、続いてSi単結晶膜307をフォトリソグラフィーとエッチングによりレバー302状にパターニングした(図20−b)。
レバー形状は、長さ300μm、幅60μmの長方形状とした。次に、レバー302の先端部に、フォトリソグラフィーとスパッター蒸着によりPtからなる接合層304を形成した。
また同時にレバー302の他端部にトンネル電流引き出し用の電極配線306を形成した(図20−c)。
次に微小ティップを作成した。
(100)面方位のSi基板311にSi酸化膜312を0.1μm厚形成した。このSi酸化膜312に対してフォトリソグラフィーとエッチングを行い、直径6μmの開口部を形成した。
この基板を水酸化カリウム水溶液により結晶軸異方性エッチングを行ない、開口部に逆ピラミッド状の凹部313を形成した(図21−a)。
次に、基板をBHF溶液に浸しSi酸化膜312を溶解除去した(図21−b)。
次に、この基板を酸化雰囲気中で熱処理して基板全面に100nm厚Si酸化膜314を形成した(図21−c)。
続いて、基板上に微小ティップ材料であるAu315を1μm厚成膜し(図21−d)、この膜315をフォトリソグラフィーとエッチングによりパターニングし、微小ティップ305を形成した(図21−e)。
次に、レバー302が形成されている基板と微小ティップ305が形成されている基板の位置合わせを行ない、レバー302上の接合層304と微小ティップ305位置が合ったところで両基板に圧力を加えて両者の接合を行った(図22−a)。
接合後、両基板を引き剥したところ微小ティップ305は接合層304上に良好に形成されていた(図22−b)。
次に、基板のレバー302及び微小ティップ305形成面上に保護膜としてポリイミド層309を5μm厚形成した(図20−d)。
次に、基板の裏面を水酸化カリウム水溶液に浸して結晶軸異方性エッチングを行なった(図20−e)。
エッチング後、露出したSi酸化膜303をBHF溶液で溶解除去した。
そして、さらに酸素プラズマ処理を行ってポリイミド層309を除去し、レバー302裏面に空隙を形成して本発明のプローブ310を得た(図20−f)。
本実施例では、同一基板上にプローブを9本(3×3のマトリクス状)形成したが、どのプローブもレーザー顕微鏡による測定において、レバー長手方向、横手方向共反りは検出できなかった。
これはレバー自身が単結晶であること、及びレバーを保持している基板が同じSi単結晶であることに起因しており、従ってレバーの破壊に繋がるような無理な応力が作用していないことを示している。
【0054】
[実施例11]
実施例10と同様に、SOI基板に対して、SiN膜308を0.2μm厚形成した(図20−a)。
Si単結晶膜307は抵抗値0.01Ω・cm以下のものを用いた。
続いて裏面側のSiN膜308をパターニングし、表面のSiN膜308を全面エッチング除去した後、Si単結晶膜307をフォトリソグラフィーとエッチングによりレバー302状にパターニングした(図20−b)。
レバー形状は、長さ200μm、幅50μmの長方形状とした。次に、レバー302の先端部に、フォトリソグラフィーとスパッター蒸着によりAlからなる接合層304を形成した。
また同時にレバー302の他端部にトンネル電流引き出し用の電極配線306を形成した(図20−c)。
次に実施例10と同様な方法で微小ティップ305を作成した。
ティッブ材料にはPtを用いた。次に、レバー302が形成されている基板と微小ティップ305が形成されている基板の位置合わせを行ない、レバー302上の接合層304と微小ティップ305位置が合ったところで両基板に圧力を加えて両者の接合を行った(図22−a)。
接合後、両基板を引き剥したところ微小ティップは接合層304上に良好に形成されていた(図22−b)。
次に、基板のレバー302及び微小ティップ305形成面上に保護膜としてポリイミド層309を5μm厚形成した(図20−d)。
次に、基板の裏面を水酸化カリウム水溶液に浸して結晶軸異方性エッチングを行なった(図20−e)。
エッチング後、露出したSi酸化膜303をBHF溶液で溶解除去した。そして、さらに酸素プラズマ処理を行ってポリイミド層309を除去し、レバー302裏面に空隙を形成して本発明のプローブ310を得た(図20−f)。
本実施例では、同一基板上にプローブを16本(4×4のマトリクス状)作成したがどのプローブもレーザー顕微鏡による測定において、レバー長手方向及び横手方向共反りは検出できなかった。
【0055】
[実施例12]
実施例10と同様に、SOI基板に対して、SiN膜308を0.2μm厚形成した(図20−a)。
Si単結晶膜307は抵抗値0.005Ω・cm以下のものを用いた。続いて裏面側のSiN膜308をパターニングし、表面のSiN膜308を全面エッチング除去した後、Si単結晶膜307をフォトリソグラフィーとエッチングによりレバー302状にパターニングした(図20−b)。
レバー形状は、長さ150μm、幅50μmの長方形状とした。次に、レバー302の先端部に、フォトリソグラフィーとイオンビームスパッター蒸着によりAu(上層)及びPt(下層)の積層からなる接合層304を形成した。また同時にレバー302の他端部にトンネル電流引き出し用の電極配線306を形成した(図20−c)。
次に実施例10と同様な方法で微小ティップ305を作成した。微小ティップ材料にはIrを用いた。
次に、レバー302が形成されている基板と微小ティップ305が形成されている基板の位置合わせを行ない、レバー302上の接合層304と微小ティップ305位置が合ったところで両基板に圧力を加えて両者の接合を行った(図22−a)。
接合後、両基板を引き剥したところ微小ティップは接合層304上に良好に形成されていた(図22−b)。
次に、基板のレバー302及び微小ティップ305形成面上に保護膜としてポリイミド層309を5μm厚形成した(図20−d)。
次に、基板の裏面を水酸化カリウム水溶液に浸して結晶軸異方性エッチングを行なった(図20−e)。
エッチング後、露出したSi酸化膜303をBHF溶液で溶解除去した。そして、さらに酸素プラズマ処理を行ってポリイミド層309を除去し、レバー302裏面に空隙を形成して本発明のプローブ310を得た(図20−f)。
本実施例では、同一基板上にプローブを16本作成したが、どのプローブもレーザー顕微鏡による測定において、レバー長手方向及び横手方向共反りは検出できなかった。
【0056】
[実施例13]
実施例10と同様に作製したプローブを用いた情報記録再生装置について述べる。
図23に本発明の主要部構成及びブロック図を示す。
以下、図23にもとづいて説明する。
記録媒体ステージ316上の記録媒体317に対向させてプローブ318を配置した。
317−1は情報記録層、下地電極317−2は情報記録層317−1に電圧を印加するためのものである。
317−3は基板である。情報記録層317−1は、微小ティップ319との間に発生するトンネル電流により電気的性質が変化(電気的メモリー効果)する有機薄膜等よりなる。320は電源、321は電流アンプで、マイクロコンピューター322に接続されており、記録媒体317への情報の記録及び再生に使用する。記録媒体ステージ駆動機構323上の記録媒体ステージ316は、マイクロコンピューター322によるZ方向位置制御回路324、X−Y方向位置制御回路325、チルト角制御回路326、回転角制御回路327によって制御される。プローブ318先端に対しては、レーザー328が照射され、その反射光を2分割センサー329で受光し、たわみ量検出装置330でプローブ318のたわみ量を検知する。
この情報は、マイクロコンピューター322及びサーボ回路331に送られる。本実施例の記録媒体317は、石英ガラス基板317−3の上に下地電極317−2として真空蒸着法によってAuを30nm蒸着した後、その上にLB(ラングミュア・ブロジェット)法によってポリイミド層(情報記録層317−1)を形成して作製した。
以上示した記録再生装置に実施例10で作製したプローブ318及び記録媒体317を設置し、特開昭63−161552号公報に開示されている原理、方法により記録再生を行った。
まず、記録媒体317を上記プローブ318で観察したところ、すべてのプローブ318で良好なAFM像を得ることができ、膜剥れ等の記録媒体317へのダメージは観察されなかった。
次に、記録媒体ステージ316を用いて、記録媒体317を走査しながら、微小ティップ319と下電極317−2間に電圧をパルス状に印加した。電圧印加は3V、幅50nsのパルス状の矩形波で行った。
パルス印加後、200mVの直流電圧で記録媒体を走査したところ、情報記録層317−1のパルス印加点で特性変化を起こし電気抵抗の低い部分が生じた。この電気抵抗の低い部分、すなわち記録ビットは10nm径程度の大きさを有していた。これらの記録再生は、すべてのプローブ318で行えた。
【0057】
[実施例14]
実施例10と同様な方法で、SOI基板に対してトーション型レバー333を形成した。
図24−aにその斜視図を示す。レバー寸法は、長さ300μm、幅150μmとした。基板301はそのレバー333と対応する位置に貫通孔を有し、さらに同一基板内には、信号処理用IC334及び面合わせ機構335及び信号取り出しパッド336が形成されている(図24−a)。
このプローブユニットを用いて、実施例13と同様に記録再生を行ったところ、すべてのプローブで良好に記録再生が行えた。
【0058】
【発明の効果】
以上のように、本発明によると、軽量で強固な形状を有し、先端の鋭利な微小ティップ部を再現性良く均一に形成することができ、微小ティップのマルチ化(複数化)が容易に図れ、優れた特性のトンネル電流または微小力または磁気力検出用の微小ティップの製造方法、並びにその微小ティップを有するプローブの製造方法とそのプローブ、該プローブを有するプローブユニットと走査型プローブ顕微鏡及び情報記録再生装置を実現することができる。
そして、この微小ティップを金属材料により形成することにより、STM用微小ティップとして一層再現性の良い安定な微小ティップを得ることができ、複数の微小ティップを形成した場合においてもその先端曲率半径を揃え微小ティップのマルチ化を容易に実現することが可能となる。
また、本発明の微小ティップの製造方法においては第1基板である雌型基板を製造工程でエッチング除去することなく微小ティップを形成することができるから、この雌型を繰り返し再利用することが可能となり、生産性の向上と製造コストの低減を図ることができる。
さらに、微小ティップがエッチングによらず転写により形成されるため、エッチング液による微小ティップの材料乃至形状の劣化や、汚染を防ぐことができる。また、第2基板上に接合層を有する薄膜カンチレバーをあらかじめ形成させておく構成を採用した場合には、微小ティップを有する薄膜カンチレバーからなるAFM用のプローブを作製することが容易になるだけでなく、接合層を薄膜カンチレバーの先端のみに形成したことにより反射膜を形成する必要がなくなり、また反射膜を形成したことに伴う薄膜カンチレバーの反りを回避することができる。また、第2基板上に樹脂膜よりなる接着層を形成し、第3基板を接着させ、整形し、薄膜平板をあらかじめ形成させておく構成を採用することにより、AFMまたはSTM用の静電アクチェエータの機能を有するプローブの作製を容易に実現することができる。
また、上記AFMまたはSTM用のプローブのねじり梁及び薄膜平板の材料を、結晶シリコンより形成することにより、反りのなりプローブを再現性よく作製することが可能となる。
また、接着層に用いる樹脂膜に、第2基板と第3基板を接着すると共に作製工程における最終工程にて除去される犠牲層の役割を担わせることにより、樹脂膜を除去する方法として酸素ガスによるドライエッチングを用いることが可能となり、従来の犠牲層除去の際に問題となるStickingを回避することがでる。また、この樹脂膜により基板上に形成した電極パターン等による凹凸に左右されずに平坦面を形成することができ、基板の表面粗さに依存せず良好な接着を行うことが可能となる。
また、本発明によると、微小ティップのみをカンチレバー先端に形成することができ、反射膜をプローブの裏面全面に形成する必要がなく、また、磁気力検出用の微小ティップの形成に際しては磁性体層をプローブの全面に形成する必要がなく所望の磁性体層の厚みを得ることができる。
さらに、本発明のプローブの製造方法によると、レバーの反りや破壊が生ぜず、媒体との間に発生する浮遊容量が低減され、微小ティップをレバー上に再現性よく容易に接合、形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例1によるプローブの製造方法を示す図である。
【図2】実施例1によるプローブを示す図である。
【図3】実施例1によるプローブを用いたSTM装置のブロック図である。
【図4】実施例2によるプローブの製造方法を示す図である。
【図5】実施例2によるプローブを示す図である。
【図6】実施例2によるプローブを用いたAFM装置のブロック図である。
【図7】実施例3によるプローブの製造方法を示す図である。
【図8】実施例4のプローブを説明する図であり、図8(a)はその斜視図、図8(b)は図8(a)のA−A断面図である。
【図9】実施例4のプローブの製造方法の作製工程を示す断面図である。
【図10】実施例4のプローブの製造方法の作製工程を示す断面図である。
【図11】実施例5で示したマルチプローブを説明する斜視図である。
【図12】従来例の微小ティップの製造方法の主要工程を示す断面図である。
【図13】従来例の微小ティップの製造工程を示す断面図である。
【図14】本発明の微小ティップの製造方法の実施例8の作製工程を示す図である。
【図15】本発明の実施例8の微小ティップを用いたSTM装置のブロック図である。
【図16】本発明の実施例9における微小ティップ及びプローブ製造方法の作製工程を示す断面図である。
【図17】本発明の実施例9における微小ティップ及びプローブ製造方法の作製工程を示す断面図である。
【図18】本発明の実施例9におけるMFM用プローブを説明する上面図(a)及び側面図(b)である。
【図19】本発明のプローブの断面図を示す図である。
【図20】本発明のプローブの製造工程を示す図である。
【図21】本発明のプローブの製造工程を示す図である。
【図22】本発明のプローブの製造工程を示す図である。
【図23】本発明の情報記録再生装置の概略を示す図である。
【図24】本発明のプローブユニットの概略を示す図である。
【符号の説明】
1:第1基板
2:保護層
3:凹部
4:剥離層
5:微小ティップ
7:接合層
8:第2基板
9:弾性体(カンチレバー)
10:配線
11:試料
12:XYZ軸駆動ピエゾ素子
13:二酸化シリコン
14:窒化シリコン
15:表面保護層
21:第1基板
22:保護層
23:凹部
24:剥離層
25:めっき用電極層
26:探針材料層
27:接合層
28:第2基板
29:微小ティップ
30:バイアス印加用電源
31:トンネル電流増幅回路
32:XYZ駆動用ドライバー
33:試料
34:XYZ軸駆動ピエゾ素子
41:第1基板
42:保護層
43:凹部
45:剥離層
47:磁性体層
48:接合層
49:第2基板
50:微小ティップ
51:薄膜カンチレバー
52:窒化シリコン膜
53:二酸化シリコン膜
54:シリコンブロック
61:レーザー光
62:レンズ
63:ポジションセンサ
64:試料
65:XYZ軸駆動ピエゾ素子
66:変位検出回路
67:XYZ駆動用ドライバー
71:第1基板
75:剥離層
76:密着層
77:微小ティップ材料層
78、128、138、148:接合層
80、120、130、140:微小ティップ
81、121、131、141:薄膜平板
82、122、132、142:ねじり梁
83、84、123、124、133、134、143、144:支持部
85、86、125、126、135、136、145、146:固定電極
87:開口部
88:平板電極部
89:可撓梁
91:シリコン基板
92:絶縁層
93:結晶シリコン膜
94:ビームパターン
95:シリコン基板
97:接着層
98:Al膜
100、101、150、151:窒化シリコン膜
102:空隙
104、154:シリコンブロック
110、111、112:フォトレジスト
201:基板
202:薄膜層
203:微小ティップ
204:基板
205:レジスト
206:レジスト開口部
207:導電性材料
208:ティップ
301:単結晶Si基板
302:レバー
303:Si酸化膜
304:接合層
305:微小ティップ
306:電極配線
307:Si単結晶層
308:SiN層
309:保護層
310:プローブ
311:単結晶Si基板
312:Si酸化膜
313:凹部
314:Si酸化膜
315:微小ティップ材料
316:記録媒体ステージ
317:記録媒体
317−1:情報記録層
317−2:下電極
317−3:基板
318:プローブ
319:微小ティップ
320:電源
321:電流アンプ
322:マイクロコンピューター
323:記録媒体ステージ駆動機構
324:Z方向位置制御回路
325:X−Y方向制御回路
326:チルト角制御回路
327:回転角制御回路
328:レーザー
329:2分割センサー
330:たわみ量検出装置
331:サーボ回路
332:レーザー用電源
333:トーション型レバー
334:信号処理IC
335:面合わせ機構
336:信号取り出しパッド
510、512:二酸化シリコン
514:シリコンウエハ
518:ピット
520、521:窒化シリコン
522:ピラミッド状ピット
532:Cr層
534:ソウカット
540:マウンティングブロック
542:金属膜
Claims (32)
- トンネル電流または微小力または磁気力検出用の微小ティップの製造方法であって、
第1基板の表面に凹部を形成する工程と、
前記第1基板の凹部を含む基板上に剥離層を形成する工程と、
前記第1基板の剥離層上に微小ティップ材料を成膜し、該微小ティップを構成する側壁面が、前記第1基板の凹部で囲まれた中空の領域に向かって凸である微小ティップを形成する工程と、
第2基板上に接合層を形成する工程と、
前記第1基板における凹部を含む剥離層上の微小ティップを、前記第2基板上の接合層に接合し、前記接合層と前記中空の領域とに囲まれた領域を形成する工程と、
前記第1基板における剥離層と微小ティップの界面で剥離を行い、前記第2基板上の接合層上に前記微小ティップを転写する工程と、
を少なくともその工程に含み、かつ、前記剥離層が、金属元素、半金属元素、半導体元素のそれぞれの酸化物あるいは窒化物のいずれかの材料を主成分とすることを特徴とする微小ティップの製造方法。 - 前記剥離層が、二酸化シリコンよりなることを特徴とする請求項1に記載の微小ティップの製造方法。
- 前記剥離層の二酸化シリコンは、前記第一基板を熱酸化することにより形成したことを特徴とする請求項2に記載の微小ティップの製造方法。
- 前記二酸化シリコンの膜厚は、500nm以上であることを特徴とする請求項2に記載の微小ティップの製造方法。
- 前記微小ティップが、白金または金よりなることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の微小ティップの製造方法。
- 前記微小ティップは、複数であることを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の微小ティップの製造方法。
- 前記第1基板の剥離層上にめっき用電極層を形成する工程と、
前記めっき用電極層上にめっき法により微小ティップを形成する工程と、
を少なくともその工程に含んでいることを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載の微小ティップの製造方法。 - 前記微小ティップが、磁性体であることを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載の微小ティップの製造方法。
- トンネル電流または微小力または磁気力検出用の微小ティップを有するプローブの製造方法であって、
シリコンよりなる第1基板の表面に凹部を形成する工程と、
前記第1基板の凹部を含む基板上に剥離層を形成する工程と、
前記第1基板の剥離層上に微小ティップ材料を成膜し、該微小ティップを構成する側壁面が、前記第1基板の凹部で囲まれた中空の領域に向かって凸である微小ティップを形成する工程と、
第2基板上に弾性体材料を形成する工程と、
前記第2基板の弾性体材料上に接合層を形成する工程と、
前記第1基板における凹部を含む剥離層上の微小ティップを、前記第2基板上の接合層に接合し、前記接合層と前記中空の領域とに囲まれた領域を形成する工程と、
前記第1基板における剥離層と微小ティップの界面で剥離を行い、前記第2基板上の接合層に前記微小ティップを転写する工程と、
前記第2基板の一部を除去して弾性体材料から弾性体を形成する工程と、
を少なくとも有し、かつ、前記剥離層が、金属元素、半金属元素、半導体元素のそれぞれの酸化物あるいは窒化物のいずれかの材料を主成分とすることを特徴とするプローブの製造方法。 - 前記剥離層が、二酸化シリコンよりなることを特徴とする請求項9に記載のプローブの製造方法。
- 前記剥離層の二酸化シリコンは、前記第一基板を熱酸化することにより形成したことを特徴とする請求項10に記載のプローブの製造方法。
- 前記二酸化シリコンの膜厚は、500nm以上であることを特徴とする請求項10に記載のプローブの製造方法。
- 前記微小ティップが、複数であることを特徴とする請求項9〜請求項12のいずれか1項に記載のプローブの製造方法。
- 基板と、該基板上に形成された接合層と、該接合層上に形成された微小ティップと、該接合層と該微小ティップとに囲まれた中空の領域と、を有するトンネル電流または微小力または磁気力検出用のプローブにおいて、該微小ティップを構成する複数の側壁面が該中空の領域に向かって凸であることを特徴とするプローブ。
- 基板上に形成されたレバーと、該レバー上に形成された接合層と、該接合層上に形成された微小ティップと、該接合層と該微小ティップとに囲まれた中空の領域と、を有するトンネル電流または微小力または磁気力検出用のプローブにおいて、該微小ティップを構成する複数の側壁面が該中空の領域に向かって凸であることを特徴とするプローブ。
- 前記微小ティップが、複数形成されていることを特徴とする請求項14または請求項15に記載のプローブ。
- トンネル電流または微小力または磁気力検出用のプローブであって、前記プローブが単結晶Si層からなるレバーと該レバー上に接合層を介して配された金属からなるティップとにより形成され、かつ前記ティップと接合層との間に中空の領域を有していることを特徴とするプローブ。
- 前記ティップを形成する金属が、Au,Pt,Irのいずれか或はその合金よりなることを特徴とする請求項17に記載のプローブ。
- 前記接合層が、金属よりなることを特徴とする請求項17に記載のプローブ。
- 前記接合層を形成する金属が、PtまたはAlであることを特徴とする請求項19に記載のプローブ。
- 前記単結晶Si層からなるレバーは、その電気抵抗が0.01Ω・cm以下であることを特徴とする請求項17に記載のプローブ。
- トンネル電流または微小力または磁気力検出用のプローブの製造方法であって、前記プローブが単結晶Si材料からなる基板上に絶縁層を介して単結晶Si層からなるレバーを形成し、該レバー上に接合層を介して金属からなるティップを形成し、かつ前記ティップと接合層との間に中空の領域を形成することにより作製されることを特徴とするプローブの製造方法。
- 前記プローブの作製は、単結晶Si基板上に形成された絶縁層上に単結晶Si層を形成する工程と、該単結晶Si層をレバー状に加工する工程と、該レバー上に接合層を形成する工程と、該接合層上に他の基板で形成されたティップを転写する工程と、該レバー裏面の単結晶Si基板と絶縁層を除去し該レバー裏面に空隙を形成する工程とを少なくともその作製工程に含んでいることを特徴とする請求項22に記載のプローブの製造方法。
- 前記ティップが、Au,Pt,Irのいずれか、或いはその合金を含むことを特徴とする請求項22または請求項23記載のプローブの作製方法。
- 前記単結晶Si層からなるレバーは、その電気抵抗が0.01Ω・cm以下であることを特徴とする請求項22または請求項23に記載のプローブの製造方法。
- 前記ティップの転写は、圧力によるティップ材料或は接合部の変形によって行われることを特徴とする請求項23に記載のプローブの製造方法。
- トンネル電流または微小力または磁気力検出用のプローブを有するプローブユニットであって、前記プローブユニットが信号処理用ICの形成された単結晶Si基板と、該基板上に形成された絶縁層と、該絶縁層に一部を支えられた単結晶Si層からなるレバーと、該レバー上に接合層を介して配された金属からなるティップと、該接合層と該ティップによって形成された中空の領域と該レバーの端部に形成された電極配線とにより構成されていることを特徴とするプローブユニット。
- 前記単結晶Si基板が、前記絶縁層に一部を支えられた単結晶Si層からなるレバーと対応する位置に、結晶軸異方性エッチングによる貫通孔を有していることを特徴とする請求項27に記載のプローブユニット。
- 前記ティップを形成する金属が、Au,Pt,Irのいずれか、或いはその合金を含むことを特徴とする請求項27に記載のプローブユニット。
- 前記単結晶Si層からなるレバーは、その電気抵抗が0.01Ω・cm以下であることを特徴とする請求項27に記載のプローブユニット。
- プローブと、このプローブと対向する試料媒体に対して走査し、その試料媒体との間の物理現象により生じるトンネル電流または微小力を検出して試料観察を行う走査型プローブ顕微鏡において、請求項27に記載のブロープユニットを備えたことを特徴とする走査型プローブ顕微鏡。
- プローブと、このプローブと対向する記録媒体に対して走査し、その記録媒体との間の物理現象により生じるトンネル電流または微小力を検出して情報の記録再生を行う情報記録再生装置において、請求項27に記載のブロープユニットを備えたことを特徴とする情報記録再生装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24134696A JP3679519B2 (ja) | 1995-09-14 | 1996-08-23 | トンネル電流または微小力または磁気力検出用の微小ティップの製造方法、並びにその微小ティップを有するプローブの製造方法とそのプローブ、該プローブを有するプローブユニットと走査型プローブ顕微鏡及び情報記録再生装置 |
US08/715,391 US5923637A (en) | 1995-09-14 | 1996-09-13 | Method of manufacturing micro-tip for detecting tunneling current or micro-force or magnetic force |
EP96114734A EP0786642A1 (en) | 1995-09-14 | 1996-09-13 | Method of manufacturing micro-tip for detecting tunneling current or micro-force or magnetic force, female mold substrate for manufacture thereof, method of manufacturing probe with micro-tip, probe unit, scanning probe microscope and information recording/reproduction apparatus having said probe |
Applications Claiming Priority (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26213195 | 1995-09-14 | ||
JP7-262356 | 1995-09-14 | ||
JP7-262131 | 1995-09-14 | ||
JP26235695 | 1995-09-14 | ||
JP2473296 | 1996-01-18 | ||
JP2611696 | 1996-01-19 | ||
JP8-24732 | 1996-01-19 | ||
JP8-26116 | 1996-01-19 | ||
JP24134696A JP3679519B2 (ja) | 1995-09-14 | 1996-08-23 | トンネル電流または微小力または磁気力検出用の微小ティップの製造方法、並びにその微小ティップを有するプローブの製造方法とそのプローブ、該プローブを有するプローブユニットと走査型プローブ顕微鏡及び情報記録再生装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09257811A JPH09257811A (ja) | 1997-10-03 |
JP3679519B2 true JP3679519B2 (ja) | 2005-08-03 |
Family
ID=27520655
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24134696A Expired - Fee Related JP3679519B2 (ja) | 1995-09-14 | 1996-08-23 | トンネル電流または微小力または磁気力検出用の微小ティップの製造方法、並びにその微小ティップを有するプローブの製造方法とそのプローブ、該プローブを有するプローブユニットと走査型プローブ顕微鏡及び情報記録再生装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5923637A (ja) |
EP (1) | EP0786642A1 (ja) |
JP (1) | JP3679519B2 (ja) |
Families Citing this family (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10293134A (ja) | 1997-02-19 | 1998-11-04 | Canon Inc | 光検出または照射用のプローブ、及び該プローブを備えた近視野光学顕微鏡・記録再生装置・露光装置、並びに該プローブの製造方法 |
FR2764441B1 (fr) * | 1997-06-05 | 2001-05-18 | Suisse Electronique Microtech | Procede de fabrication d'un organe palpeur pour capteur micromecanique, notamment pour microscope a force atomique |
JP3978818B2 (ja) * | 1997-08-08 | 2007-09-19 | ソニー株式会社 | 微小ヘッド素子の製造方法 |
JP3697034B2 (ja) * | 1997-08-26 | 2005-09-21 | キヤノン株式会社 | 微小開口を有する突起の製造方法、及びそれらによるプローブまたはマルチプローブ |
US6123819A (en) | 1997-11-12 | 2000-09-26 | Protiveris, Inc. | Nanoelectrode arrays |
JP3399841B2 (ja) * | 1998-06-25 | 2003-04-21 | 科学技術振興事業団 | 光導波路付き探針及びその製造方法 |
JP2000035396A (ja) | 1998-07-16 | 2000-02-02 | Canon Inc | 微小突起を有するプローブ、及びその製造方法 |
JP2002524295A (ja) | 1998-09-12 | 2002-08-06 | ユニバーズィテート ゲゼームトクシューレ カッセル | 半導体材料における開口及びその製造方法並びにその使用 |
EP1050740A3 (fr) * | 1999-02-17 | 2001-05-30 | CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique SA | Procédé de fabrication intégrée de pointes montées sur un support |
DE10007617B4 (de) * | 1999-03-20 | 2006-04-20 | International Business Machines Corp. | Charakterisierung von Magnetfeldern |
JP2003507723A (ja) * | 1999-08-19 | 2003-02-25 | ザ・リージェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティー・オブ・カリフォルニア | カンチレバーアレイブロックのパレットにより微小力を可視的に識別する装置及び方法 |
JP2001116678A (ja) * | 1999-10-14 | 2001-04-27 | Canon Inc | 光照射用または光検出用プローブの製造方法、および光照射用または光検出用プローブ |
US6670208B2 (en) | 2000-06-23 | 2003-12-30 | Nec Corporation | Optical circuit in which fabrication is easy |
FR2813139B1 (fr) * | 2000-08-21 | 2002-11-29 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif d'ecriture/lecture de donnees numeriques a controle optique |
US6829079B2 (en) | 2000-12-22 | 2004-12-07 | Nec Corporation | Optical path control apparatus with mirror section, and manufacturing method for the same |
US6831765B2 (en) * | 2001-02-22 | 2004-12-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Tiltable-body apparatus, and method of fabricating the same |
US6562633B2 (en) * | 2001-02-26 | 2003-05-13 | International Business Machines Corporation | Assembling arrays of small particles using an atomic force microscope to define ferroelectric domains |
JP3902925B2 (ja) * | 2001-07-31 | 2007-04-11 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 走査型アトムプローブ |
US7073938B2 (en) * | 2001-10-31 | 2006-07-11 | The Regents Of The University Of Michigan | Micromachined arrayed thermal probe apparatus, system for thermal scanning a sample in a contact mode and cantilevered reference probe for use therein |
US6692145B2 (en) * | 2001-10-31 | 2004-02-17 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Micromachined scanning thermal probe method and apparatus |
US20030154149A1 (en) * | 2002-02-13 | 2003-08-14 | Dilip Gajendragadkar | System and method of creating and executing a restricted stock sale plan |
US7265565B2 (en) | 2003-02-04 | 2007-09-04 | Microfabrica Inc. | Cantilever microprobes for contacting electronic components and methods for making such probes |
US20060051948A1 (en) * | 2003-02-04 | 2006-03-09 | Microfabrica Inc. | Microprobe tips and methods for making |
TWI233204B (en) * | 2002-07-26 | 2005-05-21 | Infineon Technologies Ag | Nonvolatile memory element and associated production methods and memory element arrangements |
JP2004150839A (ja) * | 2002-10-29 | 2004-05-27 | Olympus Corp | Spm用カンチレバー及びその製造方法 |
US20040125733A1 (en) * | 2002-12-31 | 2004-07-01 | Industrial Technology Research Institute | Data storage device utilizing carbon nanotubes and method for operating |
US20070153668A1 (en) * | 2002-12-31 | 2007-07-05 | Industrial Technology Research Institute | Data storage device utilizing carbon nanotubes and method for operating |
US20150108002A1 (en) * | 2003-02-04 | 2015-04-23 | Microfabrica Inc. | Microprobe Tips and Methods for Making |
US20080106280A1 (en) * | 2003-02-04 | 2008-05-08 | Microfabrica Inc. | Vertical Microprobes for Contacting Electronic Components and Method for Making Such Probes |
US10416192B2 (en) | 2003-02-04 | 2019-09-17 | Microfabrica Inc. | Cantilever microprobes for contacting electronic components |
US20080211524A1 (en) * | 2003-02-04 | 2008-09-04 | Microfabrica Inc. | Electrochemically Fabricated Microprobes |
JP5027984B2 (ja) * | 2003-03-28 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 揺動体を用いた電位測定装置、電位測定方法、及び画像形成装置 |
JP2004301554A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-28 | Canon Inc | 電位測定装置及び画像形成装置 |
US7217396B2 (en) * | 2003-05-05 | 2007-05-15 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Microfabricated micro fluid channels |
US20040228962A1 (en) | 2003-05-16 | 2004-11-18 | Chang Liu | Scanning probe microscopy probe and method for scanning probe contact printing |
US7326327B2 (en) * | 2003-06-06 | 2008-02-05 | Formfactor, Inc. | Rhodium electroplated structures and methods of making same |
JP2005079508A (ja) * | 2003-09-03 | 2005-03-24 | Canon Inc | 磁性膜及び多層磁性膜、磁性膜の磁化反転方法及び磁化反転機構、磁気ランダムアクセスメモリ |
JP2005158118A (ja) * | 2003-11-21 | 2005-06-16 | Pioneer Electronic Corp | 記録再生ヘッド、記録再生ヘッドアレイ、該記録再生ヘッドの製造方法、並びに記録装置及び再生装置 |
US7507320B2 (en) * | 2004-10-09 | 2009-03-24 | Academia Sinica | Single-atom tip and preparation method thereof |
JP2006119024A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Tokyo Electron Ltd | プローブおよびその製造方法 |
JP4756868B2 (ja) * | 2005-01-31 | 2011-08-24 | キヤノン株式会社 | 検出方法 |
JP4731927B2 (ja) * | 2005-01-31 | 2011-07-27 | キヤノン株式会社 | 磁性体センサおよび検出キット |
JP2006317358A (ja) * | 2005-05-16 | 2006-11-24 | Canon Inc | 電位測定装置、およびそれを用いた画像形成装置 |
US7382137B2 (en) * | 2005-05-27 | 2008-06-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Potential measuring apparatus |
WO2007033060A1 (en) * | 2005-09-12 | 2007-03-22 | Board Of Regents Of The Nevada System Of Higher Education, On Behalf Of The University Of Nevada, Reno | Targets and processes for fabricating same |
US7281419B2 (en) | 2005-09-21 | 2007-10-16 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Multifunctional probe array system |
JP5188024B2 (ja) * | 2006-02-09 | 2013-04-24 | キヤノン株式会社 | 揺動体装置、電位測定装置、及び光偏向装置 |
US20110104480A1 (en) | 2008-02-19 | 2011-05-05 | Steven Malekos | Targets and processes for fabricating same |
WO2011152441A1 (ja) * | 2010-06-02 | 2011-12-08 | 国立大学法人 熊本大学 | 微小材料ひずみ計測装置及びその方法 |
US8740209B2 (en) * | 2012-02-22 | 2014-06-03 | Expresslo Llc | Method and apparatus for ex-situ lift-out specimen preparation |
US8756710B2 (en) * | 2012-08-31 | 2014-06-17 | Bruker-Nano, Inc. | Miniaturized cantilever probe for scanning probe microscopy and fabrication thereof |
JP6341634B2 (ja) * | 2013-05-28 | 2018-06-13 | 新光電気工業株式会社 | プローブガイド板及びその製造方法、半導体検査装置 |
US11262383B1 (en) | 2018-09-26 | 2022-03-01 | Microfabrica Inc. | Probes having improved mechanical and/or electrical properties for making contact between electronic circuit elements and methods for making |
US11598789B2 (en) | 2021-01-27 | 2023-03-07 | Formfactor, Inc. | Probe systems configured to test a device under test and methods of operating the probe systems |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2556491B2 (ja) * | 1986-12-24 | 1996-11-20 | キヤノン株式会社 | 記録装置及び記録法 |
US5221415A (en) * | 1989-01-17 | 1993-06-22 | Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Method of forming microfabricated cantilever stylus with integrated pyramidal tip |
JP3053456B2 (ja) * | 1990-08-31 | 2000-06-19 | オリンパス光学工業株式会社 | 走査型プローブ顕微鏡用カンチレバー及びその作製方法 |
JP3000491B2 (ja) * | 1991-04-10 | 2000-01-17 | キヤノン株式会社 | カンチレバーユニット及びこれを用いた情報処理装置、原子間力顕微鏡、磁力顕微鏡 |
JP2884447B2 (ja) * | 1991-04-22 | 1999-04-19 | キヤノン株式会社 | カンチレバー型プローブ、及びこれを用いた走査型トンネル顕微鏡、情報処理装置 |
JP2923813B2 (ja) * | 1991-06-11 | 1999-07-26 | キヤノン株式会社 | カンチレバー型変位素子、及びこれを用いた走査型トンネル顕微鏡、情報処理装置 |
JP3261544B2 (ja) * | 1991-10-03 | 2002-03-04 | キヤノン株式会社 | カンチレバー駆動機構の製造方法、プローブ駆動機構の製造方法、カンチレバー駆動機構、プローブ駆動機構、及びこれを用いたマルチプローブ駆動機構、走査型トンネル顕微鏡、情報処理装置 |
JP3218414B2 (ja) * | 1992-07-15 | 2001-10-15 | キヤノン株式会社 | 微小ティップ及びその製造方法、並びに該微小ティップを用いたプローブユニット及び情報処理装置 |
JP3192887B2 (ja) * | 1994-09-21 | 2001-07-30 | キヤノン株式会社 | プローブ、該プローブを用いた走査型プローブ顕微鏡、および前記プローブを用いた記録再生装置 |
JP3576655B2 (ja) * | 1995-09-14 | 2004-10-13 | キヤノン株式会社 | 微小探針の製造方法及びその製造用雌型基板、並びにその微小探針を有するプローブの製造方法 |
-
1996
- 1996-08-23 JP JP24134696A patent/JP3679519B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-09-13 US US08/715,391 patent/US5923637A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-09-13 EP EP96114734A patent/EP0786642A1/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH09257811A (ja) | 1997-10-03 |
US5923637A (en) | 1999-07-13 |
EP0786642A1 (en) | 1997-07-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3679519B2 (ja) | トンネル電流または微小力または磁気力検出用の微小ティップの製造方法、並びにその微小ティップを有するプローブの製造方法とそのプローブ、該プローブを有するプローブユニットと走査型プローブ顕微鏡及び情報記録再生装置 | |
JP3576655B2 (ja) | 微小探針の製造方法及びその製造用雌型基板、並びにその微小探針を有するプローブの製造方法 | |
US5959957A (en) | Probe and a cantilever formed with same material | |
US5546375A (en) | Method of manufacturing a tip for scanning tunneling microscope using peeling layer | |
US6156215A (en) | Method of forming a projection having a micro-aperture, projection formed thereby, probe having such a projection and information processor comprising such a probe | |
JP2752755B2 (ja) | 集積方式の走査型トンネル顕微鏡 | |
JPH08140368A (ja) | マイクロ構造体及びその形成法 | |
JPH10246730A (ja) | プローブとその製造方法、及び該プローブを備えた情報処理装置 | |
JPH097238A (ja) | 情報高速記録装置のプローブ及び記録媒体、並びにこれらを用いた情報高速記録方法 | |
JP3224174B2 (ja) | 微小変位素子、光偏向器、走査型プローブ顕微鏡、および情報処理装置 | |
JP3524326B2 (ja) | 微小短針の製造に用いる雌型基板と該雌型基板の製造方法、及び該雌型基板を用いた微小短針とプローブの製造方法 | |
JP3406940B2 (ja) | 微小構造体およびその形成方法 | |
JPH10246729A (ja) | 微小ティップとこれを用いた微小電流または微小力検出用プローブ、及びこれらの製造方法 | |
JPH0821841A (ja) | 微小変位素子及びこれを用いた情報処理装置 | |
JP3441928B2 (ja) | 微小力または微小電流検出用のプローブ及びその製造方法 | |
JPH09218207A (ja) | トンネル電流検出用の微小ティップとその製造方法、およびトンネル電流または微小力検出用のプローブとその製造方法 | |
JPH1019907A (ja) | 微小探針の製造方法と微小探針、その微小探針を用いたプローブの製造方法とプローブ、及びそれを用いた磁気顕微鏡 | |
JPH10206436A (ja) | トンネル電流または微小力検出用の微小ティップの製造方法とプローブの製造方法、及びそのプローブ | |
JPH10197540A (ja) | 微小探針の製造方法及びプローブの製造方法 | |
JPH10253642A (ja) | 微小ティップの製造方法と微小電流または微小力検出用プローブの製造方法、及びその製造に用いる雌型基板、並びにその微小ティップとプローブ | |
JPH09281121A (ja) | トンネル電流検出又は微小力検出に用いる微小探針と該微小探針を有するプローブ及び該プローブを備えた走査型プローブ顕微鏡、並びに該微小探針または該プローブの製造方法及び該微小探針形成用の雌型基板と該雌型基板の作成方法 | |
JPH09133689A (ja) | 微小探針、該微小探針を用いたプローブ、及び該微小探針の製造方法、並びに情報処理装置 | |
JPH07311206A (ja) | 微小探針の製造方法 | |
JPH05299015A (ja) | 走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーの作製方法 | |
JPH1019909A (ja) | 磁気抵抗素子の製造方法と磁気抵抗素子、その磁気抵抗素子を用いたプローブの製造方法とプローブ、およびそのプローブを用いた磁気顕微鏡 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040323 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040524 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050125 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050325 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20050405 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050506 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050513 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090520 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100520 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100520 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110520 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120520 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120520 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130520 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140520 Year of fee payment: 9 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D03 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |