JP3583368B2 - 表面温度センサ - Google Patents
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- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 8
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 11
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 2
- 210000001503 joint Anatomy 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000011540 sensing material Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K1/00—Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
- G01K1/14—Supports; Fastening devices; Arrangements for mounting thermometers in particular locations
- G01K1/143—Supports; Fastening devices; Arrangements for mounting thermometers in particular locations for measuring surface temperatures
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K1/00—Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
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Description
(発明の技術分野)
本発明は、一般に表面温度センサに関し、より詳細には、コイル状温度感知要素により支持された熱伝導表面を有するセンサに関する。
【0002】
(発明の背景)
表面温度センサは、当該分野に公知であり、接触型表面温度センサは、表面の温度を測定するために、表面と接触するように設計される。例えば、米国特許第4,859,081号は、その中央部に熱電対接合部を備える薄い板バネを備える、1つの型の表面温度センサを記載する。この板バネがその端部の両方において、この板バネが温度感知部を形成するために側部高さ方向に準円周状に放射するように、支持部材へ固定される。この板バネおよび熱電対接合部は、測定される表面と接触し、この板バネの準円周状部をわずかに平坦化するように表面に対して押される。その結果、この板バネの一部、および熱電対接合部は、測定される表面と押されて接触する状態で、近接して係合される。
【0003】
英国出願第932,260号(Pearce)は、絶縁されたディスクにより支持され、次にこのディスクが2つの熱伝対材料の1つからなるコイルにより支持された、熱電対リングを有する別のタイプの表面温度センサに関連する。このセンサは、測定される表面に対して押され、それにより、この熱電対リングが、表面へ直接接触する。この熱電対リングおよび絶縁されたディスク配置は、このコイルのために、表面に垂直の方向に移動し得る。この移動の距離は、熱電対リングを包囲する外部ケーシングにより制限される。
【0004】
別のタイプの表面温度センサが、米国特許第4,454,370号(Voznick)に開示され、これは熱電対接合部を形成するために、それらの末端において互いに接触する一対の並んだ細長コイルを示す。この表面温度センサは、安全な接触の割合を確実にするために、熱電対接合に先だって測定される表面と係合するコイルにより支持された保護スリーブをさらに含み、これによりダメージから熱電対を保護する。表面と一旦接触すると、熱電対接合は、二次コイルを介して、表面との直接の押し接触を得るために、この表面へ垂直な方向に移動させようにさらに操作可能である。
【0005】
上述された従来の接型触表面温度センサに関して、いくつかの欠点がある。上記のセンサの各々において、熱電対接合は、測定される表面と直接に接触する。熱電対に対して従来の重ね継ぎ(この重ね継ぎにおいては、熱電対材料の1つが、別の材料に重なり、熱電対接合を形成する)を使用すると、この重ね継ぎは、接合部を測定される表面に均一に接触することから阻止し、それにより測定誤差を導入する。あるいは、従来の突合せ接合を使用して熱電対接合を形成するとき、スパッタリング、フラッシュなどが、接合部におけるビルドアップを生成し得、またはばりなどの不均一物が、表面上に形成し得、この熱電対接合部が測定される表面と均一に係合することを阻止する。このような熱電対接合部の測定される表面への直接接触が、実質的な熱接触抵抗という結果となる。任意のこのような接触抵抗は、別の熱抵抗と一連となって、測定される表面とセンサとの間の熱伝達を不所望に減少させる。
【0006】
従来の表面温度センサに伴う別の欠点は、熱電対接合部と接合保持装置との間の電気絶縁層の使用である。この絶縁層は、電気的に絶縁性であるが、実質的な熱量(thermal mass)を含み、それにより熱電対接合部に熱負荷効果を提供し、それにより熱電対測定誤差、および遅い応答時間という結果となり、このことは従って、測定される表面との接触が、正確な熱的測定を確実にするために不所望に長い時間維持されることが要求される。
【0007】
従来の接触型表面温度センサに関連するさらに別の欠点は、トラベルストップに起因する過剰な熱負荷である。このような先行技術の防止装置は、熱電対接合部を実質的に取り囲む半円形のハウジング壁を備える。このハウジング壁は、弾性熱電対接合部が大きな表面に押しつけられた場合、反らされ得る距離を制限する。このハウジング壁は測定されるべき表面に接触するようになり、そしてこのハウジング壁の実質的な熱量のため、表面温度を変え得る。従って、このような先行技術の設計は、ハウジング壁が測定誤差を生じ得るため、望ましくない。
【0008】
従来の接触型表面温度センサに関連する上記の欠点を考慮すると、伝熱誤差を減らし、小型化を提供する凹凸のある表面の温度センサの必要性が当該分野にある。
【0009】
(発明の要旨)
本発明は、表面の温度を測定するための接触型表面温度センサに関する。このセンサは、測定されるべき表面を係合する熱伝導性表面接触部材を備える。接触部材は、その中に熱電対接合部を形成する熱検知要素を有するコイルによって支持される。本発明のセンサは、熱検知要素をコイルに組み込むことによって、センサの小型化を可能にする。
【0010】
熱伝導性接触部材の使用は、熱電対接合部の保護を助けるのに役立ち、従来技術の保護ハウジングの必要性を排除し、従って、センサの熱負荷を減少し、それに関連する測定誤差を減らす。さらに、センサは絶縁性ディスクを組み込まず、むしろコイルによって最初にまたは全体的に支持されるため、熱負荷および伝熱に起因する測定誤差は、従来技術よりさらに減らされる。
【0011】
本発明の1つの局面によると、熱伝導性表面接触部材は、それぞれその下面に沿ってステップを付けられるかまたは凹部を付けられ、それによりコイルの表面接触部材に対する係合を容易にする。従って、コイルは改良された凹凸性(ruggedness)のによって接触部材に固定され得る。さらに、接触部材からコイルが次第に出ること(granual exit)は、熱分流に起因する伝熱誤差を減少する。熱分流はセンサにおける温度勾配の関数であるため、このコイルが次第に出ることは、温度勾配を熱電対接合部から離れた距離にコイルに沿って存在させることによって、熱電対接合部から熱分流を分離する。
【0012】
本発明の別の局面によると、このセンサはコイルが取り付けられた基部を備える。この基部は支持部材を備え、この支持部材の周りに1ターン以上のコイルが取り付けられ得、これにより改良された凹凸性および耐久性のため、さらなる支持をコイルに提供する。支持部材は、この支持部材から接触部材まで延びたオーバートラベル防止部材をさらに備え得る。このオーバートラベル防止部材は、測定されるべき物体がセンサの直径より大きい場合、トラベルストップとして保護を提供するにすぎない従来技術のセンサと対照的に小さな物体または表面が測定されなければいけない場合にさえ、センサを有利に保護する。
【0013】
上記の目的および関連の目的の達成のため、本発明は、本明細書中以下で十分に記載され、特に特許請求の範囲において示される特徴を含む。以下の記載および添付の図面は、本発明の特定の例示の実施態様を詳細に示す。しかし、これらの実施態様は本発明の原理が用いられ得る様々な方法のうちの数個のみを示す。本発明の他の目的、利点および新規な特徴は、図面と共に考察した場合、以下の本発明の詳細な説明から明らかになる。
【0014】
(好ましい実施態様の説明)
本発明の表面温度センサを、ここで図面を参照して説明する。この図面において、類似の参照番号は一貫して類似の要素を示す。本発明は、測定されるべき表面と係合する、伝導性ディスクなどの熱伝導性接触部材を備える表面温度センサに関する。このセンサは、この接触部材をコイルにより支持し、このコイルはまた、接触部材において温度を検知する、熱伝対ワイヤなどの熱検知要素を収容する。コイルを、主要なまたは唯一の支持機構として使用することは、その接触部材が測定されるべき表面と係合するよう操作する際の融通性を有利に可能とする。さらに、主要な支持機構として作用するコイルは、センサの小型化を容易にし、それによってこのセンサが利用され得る応用の数を増加させる。
【0015】
上記利点に加えて、コイルを接触部材の主要な支持として有することにより、絶縁ディスクなどを組み込む先行技術のセンサとは対照的に、伝熱誤差の実質的な減少を提供する。なぜなら、このコイルの断面積が実質的ではなく、これが熱負荷を最小にするからである。さらに、このコイルは次第に熱伝導性接触部材の表面を離れ、このことは実質的に、熱分流による伝熱誤差を排除する。このコイルが接触部材から次第に離れることによって、このコイルのかなりの部分がこの接触部材と熱的に接触し、従って、熱伝対接合部がコイルに沿った熱勾配(これが熱分流を引き起こす)から分離される。その結果、本発明は、先行技術よりさらに改良された性能を提供する。
【0016】
熱検知要素を収容するコイルは、接触部材を基部に接続し、これによってそのコイルに構造的支持が提供される。この基部は、好ましくは、支持部材を含み、その周囲に、そのコイルの一部(例えば、1回転以上のターン)が係合して、そのセンサにさらなる構造的支持を提供する。さらに、あるいは代替的に、この基部は、オーバートラベル防止部材を含み、これは、同軸状コイルを通って接触部材の方へと延びる。このオーバートラベル防止部材は、最大偏向(これを越えてはコイルが収縮しない)を設定することによって、このセンサ、および特にコイルに保護を提供し、それによってそのコイルがダメージを受けることを防止する。
【0017】
図1を参照して、表面温度センサ10が提示される。表面温度センサ10は、表面接触部分12および基部14を備える。表面接触部分12は、熱伝導性接触部材16(好ましくはディスク)を備え、この熱伝導性接触部材16は、コイル18に結合され、このコイル18は、その中に備えられる熱電対ワイヤのような熱検知要素24を有する。コイル18は、接触部材16の下面20に連接される。コイル18および接触部材16が係合する結合メカニズムは、例えば、にかわ、樹脂、パテまたはハンダ、あるいはコイル18および接触部材16を互いに熱伝達するように配置する他の機能的に等価な手段のような、熱伝導性接着剤を使用して達成される。例えば、コイル18は、接触部材16との係合を達成するために、ろう付けされるか、溶接されるか、機械的に留められる(fasten)か、圧着されるか、または接続され得る。任意のこのような装着メカニズムは、本発明の範囲内であると意図される。さらに、熱伝導性接触部材16は電気的に伝導性であり得るが、あるいは、接触部材16は、電気的に絶縁性であり得る。
【0018】
基部14は、例えば、接続表面22として役立つ伸張部材に結合されるセンサハンドル23を備える。コイル18の末端ターン25は、接続表面22に部分的に巻かれ、これに連接され、接続表面22の直径が好ましくはコイル18の内径と同様であり、接続表面22とコイル18との間での確実な締りばめまたは摩擦ばめを容易にする。あるいは、コイル18は、フランジの穴を通してクランプ留めされ得るか、またはスリットなどに、はめられ得る。コイル18が接続表面22に固定される任意の構造またはメカニズムが利用され得、本発明の範囲内であると意図される。検知要素24の終端リード(terminating lead)は、一端においてコイル18を出て、電圧メーター(図示されず)などのような電気的測定デバイスに接続される。ハンドル23が図1に示されるが、ハンドル23は、必要ではなく、種々の支持構造またはメカニズムが利用され得、これらの多くが携帯型でなくても良い。コイル18に結合され、コイル18に支持を提供する任意の構造は、本発明の範囲内であると意図される。
【0019】
コイル18の他の終端リードは、コイル18の末端において互いに接触し、好ましくはコイル18内で、熱電対接合部を形成する。次いで、対象表面26の温度が、表面26を熱的に係合するように、表面26に対して熱伝導性接触部材16を押すことによって測定される。あるいは、しかし、熱電対接合部は、露出した接合部であり得、コイル18の外側に存在する。このような場合、熱電対ワイヤは、直接一緒に接続されて熱電対接合部を形成し得るか、あるいは、接触部材16が電気的に伝導性である場合、熱電対接合部は、接触部材16を通して電気的接触を介して形成され得る。しかし、このような構成は熱分流効果を熱電対接合部から完全には分離しないので、このような代替の実施態様は、好ましい実施態様ではない。
【0020】
本発明の1つの例示的な実施態様に従って、接触部材16(例えば、図1に示されるディスク)は、熱伝導性材料(例えば、銅、アルミニウム、銀などの金属、合金または窒化アルミニウムのようなセラミック)から形成される。任意の熱伝導性材料が利用され得、本発明の範囲内であると意図される。接触部材16の好ましい形状は、円柱状であるが、接触部材16は、所望であり得るように、四角形、楕円などの他の断面形状を有し得、任意の形状の接触部材16が本発明の範囲内であると意図される。
【0021】
好ましくは、ディスク16の高さまたは厚さは、その熱容量を最小限にするため、その表面直径よりも実質的に小さい。このディスクの上部表面27(測定されるべき表面26と接触する)は、好ましくは平坦で、均一で、そして滑らかであり、2つの表面の間の物理的接触および熱的接触を最大にすることを確実にする。しかし、あるいは、非平坦な接触部材16は、所望され得る場合、測定されるべき非平坦表面を係合するために利用され得る。さらに、接触部材16の表面領域は、測定されるべき表面の実質的な領域から熱を集めることにより熱入力対熱出力の比を増大するためコイル18内の熱電対接合部よりも、好ましくは大きい。
【0022】
本発明に従って、その下面20上で形成される熱電対接合部を有する接触部材16は、測定されるべき表面26に対して熱電対接合部を直接接触させる代わりに、ダメージから熱電対接合部を保護し、そしてこれにより表面温度センサ10の耐久性、耐久度および信頼性を改善する。さらに、熱電対接合部は測定されるべき表面26に直接接触せず、むしろ表面26に接触する非常に熱伝導性の接触部材16に接触するので、センサ10は、接触抵抗に影響を受けにくい。先行技術では、熱電対接合部領域の整列の角度および直線性におけるわずかな変化が、熱接触抵抗および熱電対接合部と表面26との間の接触領域における大きい変化を生じる。本発明の接触部材16は、表面26と自己整列し、そしてその高い熱伝導性に起因して、先行技術を上回る接触抵抗に対する感受性を実質的に減少する。
【0023】
図1に示すように、コイル18は、多数の電気的絶縁材料から構成され得る。1つの例示的材料は、Watlow Gordonにより製造されたXACTPAK(登録商標)のような金属シース付き鉱物絶縁(metal sheathed mineral insulated)(MSMI)ケーブルである。このMSMIケーブルは、一緒に接続されて、表面温度を測定するために熱接合を形成する電気的絶縁熱電対ワイヤを含む。熱電対接合部は好ましくは、コイル18を形成し、そして接触部材16の下面20に結合されている、MSMIケーブル内に形成される。あるいは、その中に挿入された絶縁熱電対ワイヤを有するチューブが利用され得る。任意のこのような絶縁コイル材料または形状が用いられ得、そして本発明の範囲内におさまると解釈される。いずれにしても、コイル18は、所定の適用のために所望される程度の弾力性を提供するように形成される。
【0024】
当業者により周知のように、コイル18の弾力性(または剛性)は、コイルの数に逆比例するコイルのバネ定数により決定される。従って、MSMIのような所定のコイル材料については、コイル18の弾力性は、コイルの数を増加することによりカスタマイズされ得る。あるいは、またはさらに、コイル18の弾力性は、コイル18を形成するために用いられる材料を変更することによりカスタマイズされ得る。あるいは、コイルの直径またはMSMIケーブルの直径などがコイルの弾力性を調節するために変更され得る。コイル18の外シースは、好ましくは、コイルの弾力性を補助する金属材料である。しかし、その中の伝導性ワイヤは互いに電気的に絶縁されており、そして任意の電気的に絶縁性の材料がコイル18内で利用され得、そしてこのような材料は本発明の範囲内におさまると解釈される。好ましくは、コイル18は、表面26と接触部材16を容易に自己整列させるのに十分弾力性であり(例えば、接触部材またはディスク16を、測定されるべき表面16内のフラッシュ接触に傾けることにより)、表面26の正確な熱測定を達成する。
【0025】
本発明の好ましい実施態様に従って、コイル18は、図1に示すように環状にらせんである。あるいは、コイル18は、四角らせんコイル、三角らせんコイル、または逆転コイルのような種々の形状で形成され得る。さらに、任意の弾力的に付勢された構造または機構は、コイル18として利用され得、そしてこのような構造は、本発明の範囲内におさまると解釈される。
【0026】
熱検知要素24(例えば、熱電対ワイヤ)は、好ましくは、円形ワイヤであるが、あるいは、K型、E型、J型およびT型材料のようなリボン材料を含む。しかし、他の材料および他の材料形状がまた、用いられ得、そして任意のこのような熱検知材料が用いられ得、そして本発明の範囲内におさまると解釈される。
【0027】
ここで図2を参照すると、伝導性ディスク16の下面20が、ディスク16に連結されたコイル18の最終ターン部分にそって例示される。結果的に、ディスク16の直径は、好ましくは、連結を容易にするためにコイル18の直径と同じサイズかまたはそれより大きい。本発明の好ましい実施態様に従って、コイル18は、接触部材16から次第に抜け出る。この特質を特徴付けるための別の方法は、接触部材16から分離する前に、コイル18の実質的な部分またはその長さ28が、接触部材と接触することであると言われる。この特質により、以下により詳細に記載されるように、熱分流効果から熱電対接合部を分離することによる、熱移動に起因する測定誤差を実質的に減少させる。
【0028】
熱分流は、2種の方法で本発明に関連する。第1に、熱分流は、熱電対接合部を形成する従来のセンサ中の熱電対ワイヤに沿って一般に生じる。このワイヤは、典型的に、測定されるべき表面とは異なる温度であるので、熱移動は、センサチップにより熱電対ワイヤに生じるか、またはそのワイヤから生じる(測定されるべきワイヤまたは表面が、どちらが高温であるかに依存する)。このセンサの形状に依存して、熱移動により、センサチップが測定される表面の温度に達するのを可能にしないかもしれず、従って測定誤差を生じる。このような誤差は有意であり得、30%の温度差、または測定される表面と周囲温度との間の勾配まで、容易になり得る。第2に、少ない熱量または低い熱伝導性をそれ自体が有する表面を測定する場合、熱分流効果は、測定されるべき表面の温度を有意に変化させ得る。
【0029】
本発明は、接触部材から抜け出る前に、接触部材16と接触したコイル18の実質的部分または長さ28を有することによって熱伝対接合部から熱分流効果を分離する。結果的に、末端点または末端部分29aまたはそこ付近の、コイル18内にある熱接合部は、コイル18が接触部材16を抜け出る点29bからかなり離れた距離にある。従って、点29aの熱電対結合部は、熱伝導性接触部材16の温度であり、そしてコイル18に沿った点29bの温度勾配は、熱電対接合部または熱電対チップから離れている。熱分流による熱移動は、コイル18の有意な長さ28である点29bで生じるので、この熱電導接合部は、実質的に熱分流から分離され、そして伝熱誤差は、実質的に減少される。
【0030】
コイル部分28の長さは、センサ10のサイズおよびその種々の成分に依存して変化し得る。本発明の好ましい実施態様に従って、長さ28は、熱電対接合部の温度を、接触部材16と実質的に同じ温度にするのに十分な長さである。結果的に、コイル18に沿った勾配は、コイル18内の熱電対に実質的に影響を与えず、従って、熱電対を熱分流効果から実質的に分離する。
【0031】
さらに、例示されるようにコイルバネ構成を使用することにより、接触部材16と接触する構造は、典型的にコイル18のみである。コイル18の断面積は、実質的に小さいので、その熱量、従ってその熱充填がまた小さく、これによりさらに熱分流を減少させる。コイル18は、このように接触部材16に対して強壮な支持を提供するが、一方同時に小さな熱充填を示す。
【0032】
図3aおよび3bは、本発明の例示的な実施態様に従う表面接触部材30を例示する。この接触部材30は、好ましくは、ディスク30の下面32およびステップ状表面34を備える熱伝導性ディスクであり、ここで、このステップ状部分34は、コイル18を伝導性ディスク30に接合させるための係合表面として使用される。図3bに例示されるように、コイル18の末端ターンの部分は、ステップ状部分34の周りに巻き付けられ、そしてそこに連結される。このステップ状部分34は、好ましくは、ディスク32の直径よりも小さく、そしてステップ状部分34の厚さまたは高さは、好ましくは、コイル18の厚さの半分と少なくとも等しい。上述および図3bに例示されるように、コイル18の実質的な部分は、熱移動による測定誤差の減少を提供するステップ状部分34と接触する。
【0033】
図4aおよび図4bは、本発明による、なお別の例示的表面接触部材40を示す。この表面接触部材40(例えば、熱伝導性ディスク)は、下面42を有し、この下面は、係合表面としてその中に形成された凹部分44を有する。この凹部分44は、好ましくは、ほぼそのコイル18の直径のサイズであり、そしてこのコイル18を接触部材またはディスク40に固定するように作用する。この凹部分44のサイズおよび長さは、所望され得るように変化し得る。しかし、好ましくは、この凹部分44の長さは十分に長く、このコイル18のかなりの部分がその中に配置され(recess)、それにより上記の熱分流から熱電対接合部を分離することが、可能になる。
【0034】
上記のように、図3a〜図3bおよび図4a〜4bにおいて、このコイル18とこの熱伝導性表面接触部材16との間の接続は、種々の手段を介して達成され得る。図5a〜5cは、本発明のさらなる例示的実施態様を示す。この実施態様において、このコイル18は、この接触部材に接続される。図5aに示されるように、表面接触部材30’は、ステップ状部分34’を有し、このステップ状部分は、図3aおよび図3bのステップ状部分34よりも厚い。より厚いステップ状表面34’を有することは、有利である。なぜなら、さらなるターンのコイル18が、このステップ状部分に結合し得、そしてこれは、さらにその熱分流効果を低減させ、そしてこのセンサ10の製造を容易にする。なぜなら、このコイル18は、ステップ状部分34と同じ程度に高い正確さでステップ34’上に配置される必要はないからである。
【0035】
図5bは、本発明の別の例示的実施態様を示す。この実施態様は、このセンサ10のさらなる小型化を容易にし得る、表面接触部材16’を有する。この接触部材16’は、ステップ状部分を有さず、そしてこのコイル18の内径と係合する形状およびサイズを有する。最後に、図5は、接触部材16’’を示す。この接触部材は、ステップ状でないし、凹状でもないが、このコイル18の長さを単に適合させる。このコイル18は、この接触部材16’’に、例えば、ろう付け結合、接着剤、ファスナーなどによって固定される。
【0036】
上記のように、この熱電対接合部は、好ましくは、MSMIケーブルのようなコイル18内に形成される。種々の異なる熱接合部または熱電対の配置が、このコイル18内に形成され得る。そしてこのような配置の各々は、本発明の範囲内にあると考えられる。図6a〜図6dは、本発明による例示的な熱電対接合部の配置を示す。接地接合型熱電対45が、図6aに示される。接地熱電対接合部45において、コイル18のシース46が溶接されるか、またはコンダクター47とともに接合されて、完全密封接合部45が形成される。図6bにおいて、非接地接合部48が、このシース46から絶縁され、そしてしばしば、漂遊EMFが温度読み取りに作用し得る適用において使用される。さらに、図6cに示されるように、複数の非接地熱電対接合部48aおよび48bがこのシース46内で使用され得、その結果、このコイル18が、種々の適用において所望され得るかまたは必要とされ得る、固有のリダンダンシーを提供し得る。最後に、図6dに示されるように、二重共通型(dual common type)熱電対接合部49が提供され得る。この二重共通型熱電対接合部において、コンダクター47が、接地熱電対適用または非接地電対適用のいずれかのために、ともに溶接されている。
【0037】
図7は、本発明の別の例示的実施態様による、表面温度センサ50を示す。このセンサ50は、図1のセンサ10と実質的に類似している。しかし、このセンサ50は、基部14に支持部材52を備える。この基部において、コイル18が、この支持部材52の周囲に数回の末端ターンを巻きつけることによって、この基部14にさらに固定されている。この支持部材52は、このセンサ50に、さらなる支持、耐久度および耐久性を提供する。これらの性質は、種々の適用、例えば、熱測定を必要とする高い振動環境(例えば、工業機械)において所望され得る。他の型のさらなる固定機構または係留機構が、このコイル18を固定するために代替的に使用され得る。そしてこのような機構のいずれもが、本発明の範囲内にあることが意図される。例えば、この支持部材52は、中空管で有り得、この中空管において、このコイル18の外径が、この管の内径と係合して、締りばめを形成する。
【0038】
図8は、本発明の別の例示的実施態様を明らかにする。ここで、センサ60は、表面接触部分12および基部14を備える。この基部14は、センサハンドル23および支持部材62を備え、そしてこの支持部材62は、さらに、接触基部64(これは、図5の支持部材52に類似の様式で作動する)、およびオーバートラベル防止部材66を備える。このオーバートラベル防止部材66は、好ましくは、接触基部64のステップ状部分であり、これは、好ましくは、接触基部64より直径がより小さく、そしてコイル18によって形成される同心領域を通って、熱伝導性ディスク16に向かって延びる。このコイル18は、接触基部64の周囲に末端ターンを数回巻きつけることによって基部14に連結される。この伝導性ディスク16は、コイル18によって物理的に支持され、そしてオーバートラベル防止部材66は、コイル18の圧縮範囲を距離「d」に制限することによって、コイル18に対するダメージ(例えば、永久的なコイルの変形)を防止する。
【0039】
本発明に従うさらに別の例示的表面温度センサ70を、図9に示す。このセンサ70において、コイル状支持要素74が、図1〜8のコイル18と置き換わる。コイル18と異なり、このコイル状支持要素74は、熱検知要素を保持しない。これは、このコイル状支持要素74のさらなるカスタマイズ化を可能にし、所望の強度およびたわみを提供する。この基部14は、ハンドル23および管状支持部材72を備え、この管状支持部材72は、その内部に中空部分78を有する。この中空部分78は、好ましくは、円筒状であり、そしてハンドル23および管状支持部材74と同心である。対検知要素76の終止端は、伝導性ディスク16に連結され、一方、中空シリンダー78の内部の他端では、熱検知要素76が、センサ70の底部から抜け出て、そして好ましくは、電気変換回路(electrical conversion circuitry)(示さず)への連結のためにハンドル23内に送り込まれる。あるいは、センサ70の要素76は、一本の熱電対ワイヤからなるが、一方別の熱電対ワイヤが、コイル18内に形成される。
【0040】
本発明は、熱電対型センサである熱検知要素を有する好ましい実施態様で上記に議論されてきた。あるいは、しかし、他の型の熱検知デバイスが利用され得、そして本発明の範囲内にあることが意図される。例えば、抵抗型温度デバイス(resistive temperature devise)(RTD)またはサーミスターが使用され得る。このような代替的実施態様において、コイル18内の伝導性ワイヤは、熱検知要素の部分または部品として考えられ得る。
【0041】
本発明は、特定の好ましい実施態様に関して示され、そして記載されてきたが、等価的な変更および改変が、本明細書および添付の図面を読み、そして理解することによって、当業者に想到されることが明らかである。上記に記載の要素(アセンブリ、デバイス、回路など)によって実行される種々の機能に特に関して、このような要素を記載するために使用される用語(「意味」についての言及を含む)は、他に示されない限り、たとえ、本明細書中で示された本発明の例示的実施態様での機能を実行する開示された構造に構造的に等価ではないとしても、記載される要素の特定化された機能を実行する(すなわち、機能的に等価である)任意の要素に対応することが意図される。さらに、本発明の特定の特徴は、いくつかの実施態様のただ1つに関して開示されているかもしれないが、このような特徴は、任意の所定または特定の適用に所望され得るか、有利であり得るように、他の実施態様の1以上の他の特徴と組み合わせられ得る。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明による接触型表面温度センサの側面図である。
【図2】図2は、本発明による伝導性ディスクの下面部の平面図である。
【図3】図3aおよび図3bは、本発明による、ステップ状部分を有する伝導性ディスクの下面部の斜視図である。
【図4】図4aおよび図4bは、本発明による、凹部を有する伝導性ディスクの代替の下面部の斜視図である。
【図5】図5a〜図5cは、それぞれ、本発明による、コイルを表面接触部材に接続するための、代替の接触方法論を図示する、斜視図および側面図である。
【図6】図6a〜図6dは、本発明による様々な種類の熱伝対接合部の側面切取り図である。
【図7】図7は、本発明による別の接触型温度センサの側面斜視図である。
【図8】図8は、本発明によるなお別の接触型温度センサの側面斜視図である。
【図9】図9は、本発明による、さらに別の接触型温度センサの側部斜視図である。
Claims (13)
- 表面温度センサであって、以下:
熱的に測定される表面を接触させるための熱伝導性表面接触部材;および
該表面接触部材と熱的に接触し、電気的に絶縁された熱検知要素を備えたコイル、
を備え、該コイルが該表面接触部材のための支持を提供し、該温度検知要素が、該接触部材と熱的に接触した該コイルの末端部分において熱電対接合部を形成する一対の熱電対ワイヤを備える、表面温度センサ。 - 請求項1に記載の表面温度センサであって、前記コイルが、前記接触部材から次第に伸び、それによって、熱分流効果から該熱電対接合部を実質的に分離する、センサ。
- 請求項1または2に記載の表面温度センサであって、前記表面接触部材が熱伝導性ディスクを備える、センサ。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載の表面温度センサであって、前記コイルが、前記表面接触部材に熱伝導性の接着剤、溶接、ろう付け結合、またはファスナーで接続される、センサ。
- 前記接着剤が、にかわ、樹脂、パテまたはハンダのうち1つを含む、請求項4に記載の表面温度センサ。
- 前記コイルが、前記表面接触部材に圧着されるか、または接続される、請求1〜5のいずれか1項に記載の表面温度センサ。
- 前記表面接触部材が前記コイルに接続するための係合表面を備えた下面部を有する、請求項1〜6のいずれか1項に記載の表面温度センサ。
- 前記係合表面が、前記下面部のステップ状表面または該下面部の凹部のうちの1方である、請求項7に記載の表面温度センサ。
- さらに支持部材を備えた、請求項1〜8のいずれか1項に記載の表面温度センサであって、前記コイルの他端が該支持部材に取り付けられている、センサ。
- 請求項9に記載の表面温度センサであって、1回転以上のターンの前記コイルが前記支持部材と係合する、センサ。
- 請求項1〜10のいずれか1項に記載の表面温度センサであって、さらに、前記支持部材に接続されたオーバートラベル防止部材を備え、該オーバートラベル防止部材は、該支持部材に対する前記表面接触部材のオーバートラベルに起因するダメージから前記コイルを保護するために、該表面接触部材に向かって延びる、センサ。
- 請求項11に記載の表面温度センサであって、前記オーバートラベル防止部材が、前記コイルによって形成される同軸領域内で前記表面接触部材に向かって延びる、センサ。
- 前記温度検知要素が、接地熱電対接合部、非接地熱電対接合部、複数の非接地熱電対接合部、複数の共通タイプの熱電対接合部および露出した熱電対接合部のいずれか1種を含む配置を有する熱電対センサを備える、請求項1〜12のいずれか1項に記載の表面温度センサ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/169,323 | 1998-10-09 | ||
US09/169,323 US6257758B1 (en) | 1998-10-09 | 1998-10-09 | Surface temperature sensor |
PCT/US1999/023448 WO2000022394A1 (en) | 1998-10-09 | 1999-10-07 | Surface temperature sensor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002527733A JP2002527733A (ja) | 2002-08-27 |
JP3583368B2 true JP3583368B2 (ja) | 2004-11-04 |
Family
ID=22615178
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000576248A Expired - Fee Related JP3583368B2 (ja) | 1998-10-09 | 1999-10-07 | 表面温度センサ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6257758B1 (ja) |
EP (1) | EP1119749B1 (ja) |
JP (1) | JP3583368B2 (ja) |
AT (1) | ATE239211T1 (ja) |
DE (1) | DE69907493T2 (ja) |
WO (1) | WO2000022394A1 (ja) |
Families Citing this family (348)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE60034496T2 (de) * | 1999-02-01 | 2008-01-10 | Axcelis Technologies, Inc., Beverly | Kontakt-Temperatursensor mit thermischer Entkopplung zwischen Sensorkopf und Hitzeschild der elektrischen Zuleitungen |
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-
1999
- 1999-10-07 EP EP99954787A patent/EP1119749B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-10-07 DE DE69907493T patent/DE69907493T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-10-07 WO PCT/US1999/023448 patent/WO2000022394A1/en active IP Right Grant
- 1999-10-07 AT AT99954787T patent/ATE239211T1/de not_active IP Right Cessation
- 1999-10-07 JP JP2000576248A patent/JP3583368B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1119749A1 (en) | 2001-08-01 |
WO2000022394A9 (en) | 2000-09-21 |
US6257758B1 (en) | 2001-07-10 |
JP2002527733A (ja) | 2002-08-27 |
DE69907493D1 (de) | 2003-06-05 |
EP1119749B1 (en) | 2003-05-02 |
DE69907493T2 (de) | 2004-03-18 |
WO2000022394A1 (en) | 2000-04-20 |
ATE239211T1 (de) | 2003-05-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20031222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040106 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080806 Year of fee payment: 4 |
|
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|
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|
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|
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|
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|
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|
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|
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|
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