JP3346369B2 - ベアチップ検査方法 - Google Patents
ベアチップ検査方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はベアチップ検査方法
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ウエハ状態の半導体チップに
対して測定用プローブ（探針）で電気的測定を行い、不
良と判定された半導体チップに不良マークを付してい
た。
対して測定用プローブ（探針）で電気的測定を行い、不
良と判定された半導体チップに不良マークを付してい
た。
【０００３】そして、スクライブ法もしくはダイシング
法で個々の半導体チップ、すなわちベアチップに切り出
し、ウエハ状態で良品と判定されたベアチップを回路基
板に実装したり、パッケージに搭載して半導体装置を完
成させ、その後、回路基板もしくはパッケージを含む半
導体装置の総合的な電気的検査を行っている。
法で個々の半導体チップ、すなわちベアチップに切り出
し、ウエハ状態で良品と判定されたベアチップを回路基
板に実装したり、パッケージに搭載して半導体装置を完
成させ、その後、回路基板もしくはパッケージを含む半
導体装置の総合的な電気的検査を行っている。
【０００４】しかしながら、ウエハ状態で良品と判定さ
れたベアチップでも、スクライブ法もしくはダイシング
法による切り出し工程等により不良になってしまうもの
もある。
れたベアチップでも、スクライブ法もしくはダイシング
法による切り出し工程等により不良になってしまうもの
もある。
【０００５】このように不良品になったベアチップを良
品と見なされて回路基板に実装したりパッケージに搭載
すると、回路基板やパッケージを含む半導体装置全体が
不良になってしまうから、損失が大きくなる。
品と見なされて回路基板に実装したりパッケージに搭載
すると、回路基板やパッケージを含む半導体装置全体が
不良になってしまうから、損失が大きくなる。
【０００６】したがって、ウエハから切り出され且つ回
路基板やパッケージに搭載される前の状態である単体の
半導体チップ、すなわちベアチップの電気的検査を行
い、品質的に保証されたベアチップ（ＫＧＤ：Ｋｎｏｗ
ｎ Ｇｏｏｄ Ｄｉｅ）を得ることが必要になってく
る。
路基板やパッケージに搭載される前の状態である単体の
半導体チップ、すなわちベアチップの電気的検査を行
い、品質的に保証されたベアチップ（ＫＧＤ：Ｋｎｏｗ
ｎ Ｇｏｏｄ Ｄｉｅ）を得ることが必要になってく
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら現在は、
ベアチップの電気検査を安全かつ正確に行うことができ
る技術が確立していない。
ベアチップの電気検査を安全かつ正確に行うことができ
る技術が確立していない。
【０００８】その理由は、ベアチップの厚さ方向に製造
誤差によるばらつきがあり、電気検査でプローブを接触
させるときにベアチップまたはプローブが破損しやすい
ことで、正確な電気検査が行えないからである。
誤差によるばらつきがあり、電気検査でプローブを接触
させるときにベアチップまたはプローブが破損しやすい
ことで、正確な電気検査が行えないからである。
【０００９】
【００１０】本発明の目的は、ベアチップの電気検査を
安全かつ正確に行うことができるベアチップ検査方法を
提供することである。
安全かつ正確に行うことができるベアチップ検査方法を
提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、検査対
象であるベアチップの電極面を上側にして真空吸着し保
持するデバイスステージと、中央に前記デバイスステー
ジの上下動可能な開口部を有し、その周りに測定用プロ
ーブを複数個取り付けられる面を持つ検査部ステージ
と、前記検査部ステージの開口部真上に位置し前記デバ
イスステージ上のベアチップ表面および測定用プロ−ブ
表面の２次元画像と距離を測定する３次元形状測定セン
サ、好ましくはレーザスキャン方式の２次元変位計と、
３次元形状測定センサの側方に位置して、デバイスステ
ージの表面と測定用プロ−ブに付着しているゴミを吹き
飛ばすエアブロ−とを有するベアチップ検査装置を用い
て、前記３次元形状測定センサにより、ベアチップとベ
アチップを載せるデバイスステ−ジの間にゴミが挟まっ
ている場合でもデバイスステ−ジに対するベアチップ表
面の傾きを測定することで検査を回避でき、ベアチップ
および測定用プロ−ブ針にダメ−ジを与えずにベアチッ
プの電気量検査が行える検査方法にある。
象であるベアチップの電極面を上側にして真空吸着し保
持するデバイスステージと、中央に前記デバイスステー
ジの上下動可能な開口部を有し、その周りに測定用プロ
ーブを複数個取り付けられる面を持つ検査部ステージ
と、前記検査部ステージの開口部真上に位置し前記デバ
イスステージ上のベアチップ表面および測定用プロ−ブ
表面の２次元画像と距離を測定する３次元形状測定セン
サ、好ましくはレーザスキャン方式の２次元変位計と、
３次元形状測定センサの側方に位置して、デバイスステ
ージの表面と測定用プロ−ブに付着しているゴミを吹き
飛ばすエアブロ−とを有するベアチップ検査装置を用い
て、前記３次元形状測定センサにより、ベアチップとベ
アチップを載せるデバイスステ−ジの間にゴミが挟まっ
ている場合でもデバイスステ−ジに対するベアチップ表
面の傾きを測定することで検査を回避でき、ベアチップ
および測定用プロ−ブ針にダメ−ジを与えずにベアチッ
プの電気量検査が行える検査方法にある。
【００１２】
【００１３】
【００１４】
【００１５】
【００１６】このように本発明によれば、ベアチップ状
態の電気検査を安全かつ正確に行うことが可能となる。
態の電気検査を安全かつ正確に行うことが可能となる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面を参照して説
明する。図１は本発明の実施の形態のベアチップ検査装
置を示す側面図である。
明する。図１は本発明の実施の形態のベアチップ検査装
置を示す側面図である。
【００１８】検査部ステージ６は中央に開口部１７を設
け、その周囲の上面１６にプローブホルダー３０１を取
り付け、複数の測定用プローブ（探針）３０２がプロー
ブホルダー３０１に絶縁固定されている。
け、その周囲の上面１６にプローブホルダー３０１を取
り付け、複数の測定用プローブ（探針）３０２がプロー
ブホルダー３０１に絶縁固定されている。
【００１９】ベアチップ１００は、表面に複数の信号電
極１０１を設け、裏面（反対面）をデバイスステージ５
の上面１５に真空吸着機構（図示省略）により真空吸着
されて保持されている。
極１０１を設け、裏面（反対面）をデバイスステージ５
の上面１５に真空吸着機構（図示省略）により真空吸着
されて保持されている。
【００２０】デバイスステージ５は、測定用プロ−ブ
（探針）３０２の先端に信号電極１０１を接触し、電気
信号を取り出ことができるように、もしくは電気信号を
入力することができるように、検査部ステージ６の中央
部に設けた開口部１７を矢印に示すように上下動作し、
設定された一定位置で停止する。
（探針）３０２の先端に信号電極１０１を接触し、電気
信号を取り出ことができるように、もしくは電気信号を
入力することができるように、検査部ステージ６の中央
部に設けた開口部１７を矢印に示すように上下動作し、
設定された一定位置で停止する。
【００２１】３次元形状測定センサ２０１は、検査部ス
テージ６の開口部真上にあり、デバイスステージ５上の
ベアチップ１００と測定用プロ−ブ（探針）３０２の上
面を３次元測定する。この３次元形状測定センサ２０１
は２次元変位計とも称せられ、代表的なものはレーザス
キャン方式の２次元変位計（例えば、キーエンス社製）
である。これは、物体にレーザ照射した反射光から、物
体表面のでこぼこを定量的に測定するものである。ＸＹ
２次元にレーザスキャンすれば三次元（表面）Ｚ形状が
測定できる。
テージ６の開口部真上にあり、デバイスステージ５上の
ベアチップ１００と測定用プロ−ブ（探針）３０２の上
面を３次元測定する。この３次元形状測定センサ２０１
は２次元変位計とも称せられ、代表的なものはレーザス
キャン方式の２次元変位計（例えば、キーエンス社製）
である。これは、物体にレーザ照射した反射光から、物
体表面のでこぼこを定量的に測定するものである。ＸＹ
２次元にレーザスキャンすれば三次元（表面）Ｚ形状が
測定できる。
【００２２】エアブロ−３００は、３次元形状測定セン
サ２０１の横にあり、デバイスステージ５の上面１５や
測定用プロ−ブ３０２に付着しているゴミを吹き飛ば
す。これにより、ベアチップ状態の電気検査が可能とな
る。
サ２０１の横にあり、デバイスステージ５の上面１５や
測定用プロ−ブ３０２に付着しているゴミを吹き飛ば
す。これにより、ベアチップ状態の電気検査が可能とな
る。
【００２３】次に、図２乃至図７を参照して本発明の実
施の形態および関連する技術のベアチップ検査方法を示
す。
施の形態および関連する技術のベアチップ検査方法を示
す。
【００２４】尚、図２乃至図７において、ベアチップ１
００の厚さが標準（正常）の場合は、デバイスステージ
５の上面１５高さが検査部ステージ６の上面１６の高さ
と一致したときに、測定用プローブ３０２の先端が測定
に適した押力でベアチップの電極１０１に接するものと
して説明する。
００の厚さが標準（正常）の場合は、デバイスステージ
５の上面１５高さが検査部ステージ６の上面１６の高さ
と一致したときに、測定用プローブ３０２の先端が測定
に適した押力でベアチップの電極１０１に接するものと
して説明する。
【００２５】また、図２乃至図７のそれぞれの図（Ａ）
に示す停止位置は、３次元形状測定センサ２０１による
形状測定およびエアブロ−３００の作用が可能で、か
つ、予想される基準外れあるいは不都合を有していて
も、測定用プローブ３０２が電極１０１に接触しない位
置である。
に示す停止位置は、３次元形状測定センサ２０１による
形状測定およびエアブロ−３００の作用が可能で、か
つ、予想される基準外れあるいは不都合を有していて
も、測定用プローブ３０２が電極１０１に接触しない位
置である。
【００２６】図２は本発明に関連する第１の技術のベア
チップ検査方法を示す拡大図であり、ベアチップ１００
Ａの厚さが標準よりも厚い場合である。
チップ検査方法を示す拡大図であり、ベアチップ１００
Ａの厚さが標準よりも厚い場合である。
【００２７】ベアチップ１００Ａがロボットによりデバ
イスステージの上面１５に搭載され、この真空吸着され
た後、デバイスステージ５が上昇して、図２（Ａ）の位
置に停止する。ここで、３次元形状測定センサ２０１に
より、デバイスステージの上面１５からベアチップ１０
０Ａの電極表面までの高さ（距離）を測定する。
イスステージの上面１５に搭載され、この真空吸着され
た後、デバイスステージ５が上昇して、図２（Ａ）の位
置に停止する。ここで、３次元形状測定センサ２０１に
より、デバイスステージの上面１５からベアチップ１０
０Ａの電極表面までの高さ（距離）を測定する。
【００２８】これにより、ベアチップが標準の厚さの場
合の高さ４００（点線で示す）よりもΔＺ1 だけ高いこ
とを認識する。
合の高さ４００（点線で示す）よりもΔＺ1 だけ高いこ
とを認識する。
【００２９】この場合にベアチップが標準の厚さのよう
にデバイスステージ５の上面１５の高さが検査部ステー
ジ６の上面１６の高さと一致するようにデバイスステー
ジ５を上昇させると、測定用プロ−ブ３０２のオーバド
ライブ量が大きくなり、信号電極１０１に大きな加重が
かかり、ベアチップ１００Ａおよび測定用プロ−ブ（探
針）３０２が破損してしまう。
にデバイスステージ５の上面１５の高さが検査部ステー
ジ６の上面１６の高さと一致するようにデバイスステー
ジ５を上昇させると、測定用プロ−ブ３０２のオーバド
ライブ量が大きくなり、信号電極１０１に大きな加重が
かかり、ベアチップ１００Ａおよび測定用プロ−ブ（探
針）３０２が破損してしまう。
【００３０】したがってこの技術では図２（Ｂ）に示す
ように、デバイスステージ５の上面１６の高さが検査部
ステージ６の上面１６の高さよりもΔＺ１ だけ低い位
置までの上昇にとどめて、この位置でデバイスステージ
を停止させて測定用プロ−ブ３０２によりベアチップ１
０１Ａの電気的特性を検査する。
ように、デバイスステージ５の上面１６の高さが検査部
ステージ６の上面１６の高さよりもΔＺ１ だけ低い位
置までの上昇にとどめて、この位置でデバイスステージ
を停止させて測定用プロ−ブ３０２によりベアチップ１
０１Ａの電気的特性を検査する。
【００３１】図３は本発明に関連する第２の技術のベア
チップ検査方法を示す拡大図であり、ベアチップ１００
Ｂの厚さが標準よりも薄い場合である。
チップ検査方法を示す拡大図であり、ベアチップ１００
Ｂの厚さが標準よりも薄い場合である。
【００３２】ベアチップ１００Ｂがロボットによりデバ
イスステージの上面１５に搭載され、この真空吸着され
た後、デバイスステージ５が上昇して、図３（Ａ）の位
置に停止する。ここで、３次元形状測定センサ２０１に
より、デバイスステージの上面１５からベアチップ１０
０Ｂの電極表面までの高さ（距離）を測定する。
イスステージの上面１５に搭載され、この真空吸着され
た後、デバイスステージ５が上昇して、図３（Ａ）の位
置に停止する。ここで、３次元形状測定センサ２０１に
より、デバイスステージの上面１５からベアチップ１０
０Ｂの電極表面までの高さ（距離）を測定する。
【００３３】これにより、ベアチップが標準の厚さの場
合の高さ４００（点線で示す）よりもΔＺ2 だけ低いこ
とを認識する。
合の高さ４００（点線で示す）よりもΔＺ2 だけ低いこ
とを認識する。
【００３４】この場合にベアチップが標準の厚さのよう
にデバイスステージ５の上面１５の高さが検査部ステー
ジ６の上面１６の高さと一致するようにデバイスステー
ジ５を上昇させると、測定用プロ−ブ３０２がベアチッ
プ１００Ｂの信号電極１０１に接触しないか、またはル
ーズな接触となる。そのため、接触不良が生じ電気検査
が正しく行われない。
にデバイスステージ５の上面１５の高さが検査部ステー
ジ６の上面１６の高さと一致するようにデバイスステー
ジ５を上昇させると、測定用プロ−ブ３０２がベアチッ
プ１００Ｂの信号電極１０１に接触しないか、またはル
ーズな接触となる。そのため、接触不良が生じ電気検査
が正しく行われない。
【００３５】したがってこの技術では図３（Ｂ）に示す
ように、デバイスステージ５の上面１５の高さが検査部
ステージ６の上面１６の高さよりもさらにΔＺ２ だけ
高い位置まで上昇させての電気的特性を検査する。
ように、デバイスステージ５の上面１５の高さが検査部
ステージ６の上面１６の高さよりもさらにΔＺ２ だけ
高い位置まで上昇させての電気的特性を検査する。
【００３６】図４は本発明の実施の形態のベアチップ検
査方法を示す拡大図である。図４（Ａ）は、ベアチップ
１００とデバイスステージ５の間にゴミ５１０が付着し
挟まっているためにベアチップ１００が傾き、かつベア
チップ１００の信号電極１０１が高い位置にある場合で
あり、この傾きを３次元形状測定センサ２０１により認
識する。
査方法を示す拡大図である。図４（Ａ）は、ベアチップ
１００とデバイスステージ５の間にゴミ５１０が付着し
挟まっているためにベアチップ１００が傾き、かつベア
チップ１００の信号電極１０１が高い位置にある場合で
あり、この傾きを３次元形状測定センサ２０１により認
識する。
【００３７】このような場合、測定用プロ−ブ３０２の
オーバドライブ量が大きくなり、信号電極１０１に大き
な加重がかかり、ベアチップ１００および測定用プロ−
ブ３０２が破損してしまう。
オーバドライブ量が大きくなり、信号電極１０１に大き
な加重がかかり、ベアチップ１００および測定用プロ−
ブ３０２が破損してしまう。
【００３８】したがって本発明では、真空吸着を解除し
てロボットによりベアチップ１００を取り除いてデバイ
スステージ５の上面１５を露出させる。この作業は図４
（Ａ）の位置で行ってもよいし、あるいは一度デバイス
ステージ５を下降させてこの作業を行い再度上面１５が
露出したデバイスステージ５を図４（Ａ）の位置に上昇
させてもよい。
てロボットによりベアチップ１００を取り除いてデバイ
スステージ５の上面１５を露出させる。この作業は図４
（Ａ）の位置で行ってもよいし、あるいは一度デバイス
ステージ５を下降させてこの作業を行い再度上面１５が
露出したデバイスステージ５を図４（Ａ）の位置に上昇
させてもよい。
【００３９】そしてエアブロ−３００によりゴミ５１０
を吹き飛ばし、デバイスステージ上面をクリ−ニングし
た後、再度ベアチップ１００をロボットによりデバイス
ステージの上面１５に搭載し、真空吸着された後、デバ
イスステージ５が上昇して、図４（Ａ）の位置に停止し
て、３次元形状測定センサ２０１により、傾きがなくな
ったことを確認し、図４（Ｂ）の位置で測定用プロ−ブ
３０２によりベアチップ１０１の電気的特性を検査す
る。
を吹き飛ばし、デバイスステージ上面をクリ−ニングし
た後、再度ベアチップ１００をロボットによりデバイス
ステージの上面１５に搭載し、真空吸着された後、デバ
イスステージ５が上昇して、図４（Ａ）の位置に停止し
て、３次元形状測定センサ２０１により、傾きがなくな
ったことを確認し、図４（Ｂ）の位置で測定用プロ−ブ
３０２によりベアチップ１０１の電気的特性を検査す
る。
【００４０】また、エアブロ−３００によりデバイスス
テージ上面をクリ−ニングした後も傾き状態の場合は、
ベアチップの吸着エラーと判断して、割れなどチップ不
良の目視検査、または装置異常（真空吸着系統の異常）
の確認を行う。
テージ上面をクリ−ニングした後も傾き状態の場合は、
ベアチップの吸着エラーと判断して、割れなどチップ不
良の目視検査、または装置異常（真空吸着系統の異常）
の確認を行う。
【００４１】図５は本発明に関連する第３の技術のベア
チップ検査方法を示す拡大図である。図５（Ａ）は、測
定用プロ−ブ３０２にゴミ５２０が付着している場合で
あり、ベアチップ１００の信号電極１０１と測定用プロ
−ブ３０２間で電気的な接触不良が生じ電気検査が正し
く行われない。
チップ検査方法を示す拡大図である。図５（Ａ）は、測
定用プロ−ブ３０２にゴミ５２０が付着している場合で
あり、ベアチップ１００の信号電極１０１と測定用プロ
−ブ３０２間で電気的な接触不良が生じ電気検査が正し
く行われない。
【００４２】したがってこの技術では、図５（Ａ）の位
置で三次元形状測定センサ２０１により測定用プロ−ブ
針先端表面の２次元画像と高さを測定し、予め記憶して
ある正常時の測定用プロ−ブ針先端形状と照合の結果、
ゴミ５２０の付着を認識し、はエアブロ−３００によ
り、測定用プロ−ブ針のクリ−ニングを行った後、図５
（Ｂ）の位置で測定用プロ−ブ３０２によりベアチップ
１０１の電気的特性を検査する。
置で三次元形状測定センサ２０１により測定用プロ−ブ
針先端表面の２次元画像と高さを測定し、予め記憶して
ある正常時の測定用プロ−ブ針先端形状と照合の結果、
ゴミ５２０の付着を認識し、はエアブロ−３００によ
り、測定用プロ−ブ針のクリ−ニングを行った後、図５
（Ｂ）の位置で測定用プロ−ブ３０２によりベアチップ
１０１の電気的特性を検査する。
【００４３】図６は本発明に関連する第４の技術のベア
チップ検査方法を示す拡大図である。図６（Ａ）は、測
定用プロ−ブ３０２Ｄが過多なオ−バ−ドライブ量によ
り持ち上げられるように変形破損した場合である。測定
用プロ−ブ３０２Ｄがベアチップ１００の信号電極１０
１に接触しないか、またはルーズな接触となる。そのた
め、接触不良が生じ電気検査が正しく行われない。
チップ検査方法を示す拡大図である。図６（Ａ）は、測
定用プロ−ブ３０２Ｄが過多なオ−バ−ドライブ量によ
り持ち上げられるように変形破損した場合である。測定
用プロ−ブ３０２Ｄがベアチップ１００の信号電極１０
１に接触しないか、またはルーズな接触となる。そのた
め、接触不良が生じ電気検査が正しく行われない。
【００４４】したがってこの関連技術では、三次元形状
測定センサにより測定用プロ−ブ針先端表面の２次元画
像と高さを測定し、予め記憶してある正常時の測定用プ
ロ−ブ針先端形状と照合の結果、測定用プロ−ブ（探
針）破損の場合は検査回避となる。
測定センサにより測定用プロ−ブ針先端表面の２次元画
像と高さを測定し、予め記憶してある正常時の測定用プ
ロ−ブ針先端形状と照合の結果、測定用プロ−ブ（探
針）破損の場合は検査回避となる。
【００４５】そして新しい測定用プロ−ブ３０２Ｒに取
り換えて図６（Ｂ）の状態にしてから、取り換えた測定
用プロ−ブ３０２Ｒによりベアチップ１０１の電気的特
性を検査する。
り換えて図６（Ｂ）の状態にしてから、取り換えた測定
用プロ−ブ３０２Ｒによりベアチップ１０１の電気的特
性を検査する。
【００４６】図７は本発明に関連する第５の技術のベア
チップ検査方法を示す拡大図である。図７（Ａ）の位置
において、基準高さとベアチップ１００の信号電極１０
１の上面とがが等しくチップの傾きもなく、測定用プロ
−ブ針も正常であることを三次元形状測定センサ２０１
で確認する。
チップ検査方法を示す拡大図である。図７（Ａ）の位置
において、基準高さとベアチップ１００の信号電極１０
１の上面とがが等しくチップの傾きもなく、測定用プロ
−ブ針も正常であることを三次元形状測定センサ２０１
で確認する。
【００４７】そして、デバイスステージ５の上面１６の
高さが検査ステージ７の上面１７の高さと一致するまで
上昇させ、図７（Ｂ）の状態にしてから、測定用プロ−
ブ３０２によりベアチップ１０１の電気的特性を検査す
る。
高さが検査ステージ７の上面１７の高さと一致するまで
上昇させ、図７（Ｂ）の状態にしてから、測定用プロ−
ブ３０２によりベアチップ１０１の電気的特性を検査す
る。
【００４８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、３
次元形状測定センサによりベアチップの高さを測定する
ことで、ベアチップ厚さにばらつきがある場合でも電気
検査のときにプローブ接触位置を常に一定とできるの
で、ベアチップおよびプローブにダメージを与えずに接
触不良のないベアチップの電気検査が行える。
次元形状測定センサによりベアチップの高さを測定する
ことで、ベアチップ厚さにばらつきがある場合でも電気
検査のときにプローブ接触位置を常に一定とできるの
で、ベアチップおよびプローブにダメージを与えずに接
触不良のないベアチップの電気検査が行える。
【００４９】また、３次元形状測定センサにより、ベア
チップとベアチップを載せるデバイスステ−ジの間にゴ
ミが挟まっている場合でもデバイスステ−ジに対するベ
アチップ表面の傾きを測定することで検査を回避でき、
ベアチップおよび測定用プロ−ブ針にダメ−ジを与えず
にベアチップの電気量検査が行える。
チップとベアチップを載せるデバイスステ−ジの間にゴ
ミが挟まっている場合でもデバイスステ−ジに対するベ
アチップ表面の傾きを測定することで検査を回避でき、
ベアチップおよび測定用プロ−ブ針にダメ−ジを与えず
にベアチップの電気量検査が行える。
【００５０】さらに、３次元形状測定センサにより、測
定用プロ−ブ針先端形状を測定し予め記憶してある正常
時のプロ−ブ先端形状と照合することで、ゴミの付着と
測定用プロ−ブ針の破損により発生する検査装置の異常
を常時検出できるので、チップ自体が脆くコンタクト回
数が限られるベアチップの電気量測定が行える。
定用プロ−ブ針先端形状を測定し予め記憶してある正常
時のプロ−ブ先端形状と照合することで、ゴミの付着と
測定用プロ−ブ針の破損により発生する検査装置の異常
を常時検出できるので、チップ自体が脆くコンタクト回
数が限られるベアチップの電気量測定が行える。
【００５１】また、エア−ブロ−により、測定用プロ−
ブ針先端およびデバイスステ−ジに付着しているゴミを
吹き飛ばすことで、検査装置の異常を事前に除去できる
ので、ベアチップの電気量測定が行える。
ブ針先端およびデバイスステ−ジに付着しているゴミを
吹き飛ばすことで、検査装置の異常を事前に除去できる
ので、ベアチップの電気量測定が行える。
【００５２】このように本発明のベアチップ単体検査装
置の電気検査機構により、ベアチップ状態での電気検査
を安全かつ正確に行うことができる
置の電気検査機構により、ベアチップ状態での電気検査
を安全かつ正確に行うことができる
【図１】本発明の実施の形態のベアチップ検査装置を示
す側面図である。
す側面図である。
【図２】本発明に関連する第１の技術のベアチップ検査
方法を示す拡大図である。
方法を示す拡大図である。
【図３】本発明に関連する第２の技術のベアチップ検査
方法を示す拡大図である。
方法を示す拡大図である。
【図４】本発明の実施の形態のベアチップ検査方法を示
す拡大図である。
す拡大図である。
【図５】本発明に関連する第３の技術のベアチップ検査
方法を示す拡大図である。
方法を示す拡大図である。
【図６】本発明に関連する第４の技術のベアチップ検査
方法を示す拡大図である。
方法を示す拡大図である。
【図７】本発明に関連する第５の技術のベアチップ検査
方法を示す拡大図である。
方法を示す拡大図である。
５ デバイスステージ ６ 検査部ステージ １５ デバイスステージの上面 １６ 検査部ステージの上面 １７ 検査部ステージの開口部 １００ ベアチップ １００Ａ 標準よりも厚いベアチップ １００Ｂ 標準よりも薄いベアチップ １０１ 信号電極 ２０１ ３次元形状測定センサ ３００ エアブロ− ３０１ プローブホルダー ３０２ 測定用プロ−ブ（探針） ３０２Ｄ 破損している測定用プロ−ブ ３０２Ｒ 取り換えた測定用プロ−ブ ４００ 基準高さ ５１０ デバイスステージ上のゴミ ５２０ 測定用プロ−ブに付着しているゴミ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01R 31/26 H01L 21/66
Claims (2)
- 【請求項１】 検査対象であるベアチップの電極面を上
側にして真空吸着し保持するデバイスステージと、中央
に前記デバイスステージの上下動可能な開口部を有しそ
の周りに測定用プローブを複数個取り付けられる面を持
つ検査部ステージと、前記検査部ステージの開口部真上
に位置し前記デバイスステージ上のベアチップ表面およ
び測定用プロ−ブ表面の２次元画像と距離を測定する３
次元形状測定センサと、３次元形状測定センサの側方に
位置して、デバイスステージの表面と測定用プロ−ブに
付着しているゴミを吹き飛ばすエアブロ−とを有するベ
アチップ検査装置を用いて、前記３次元形状測定センサ
により、前記デバイスステ−ジに対する前記ベアチップ
表面の傾きを測定することで、前記ベアチップと該ベア
チップを載せる前記デバイスステ−ジの間にゴミが挟ま
っていることを認識することを特徴とするベアチップ検
査方法。 - 【請求項２】 前記３次元形状測定センサは、レーザス
キャン方式の２次元変位計であることを特徴とする請求
項１記載のベアチップ検査方法。
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|---|---|---|---|
| JP2000058539A JP3346369B2 (ja) | 2000-03-03 | 2000-03-03 | ベアチップ検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP2000058539A JP3346369B2 (ja) | 2000-03-03 | 2000-03-03 | ベアチップ検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001249162A JP2001249162A (ja) | 2001-09-14 |
| JP3346369B2 true JP3346369B2 (ja) | 2002-11-18 |
Family
ID=18579121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (1)
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| JP (1) | JP3346369B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
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| JP4967472B2 (ja) * | 2006-06-22 | 2012-07-04 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
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-
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- 2000-03-03 JP JP2000058539A patent/JP3346369B2/ja not_active Expired - Fee Related
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