KR100371314B1 - 레이저 다이오드의 검사 장치 및 방법 - Google Patents

레이저 다이오드의 검사 장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 레이저 다이오드 검사 장치 및 방법에 관한 것으로서, 레이저다이오드 칩을 하나 하나 분리시키지 않고 일렬로 연결된 바(Bar)형태로 하여 상기 레이저다이오드 칩의 간격만큼 피치 이동시켜 검사하도록 함에 따라 미세한 크기를 갖는 레이저다이오드 칩의 취급을 보다 쉽게 할 수 있고, 상기 레이저다이오드 칩을 집어 올리고 내리는 정밀성을 요하는 구동 메카니즘을 간단히 하게 되어 제조비가 절감됨은 물론 유지비가 절감되는 이점이 있다.
또한, 프로브로 전류를 인가시켜 포토다이오드를 이용하여 레이저다이오드의 특성을 읽도록 하기 위해 상기 레이저다이오드의 위치를 얼라인하는 방법을 카메라에 의해 얼라인 시키도록 함에 따라 그 정확도를 한층 더 높일 수 있는 이점이 있다.
또한, 검사장치를 축소시킴에 따라 무진실(Clean Room)을 차지하는 공간을 축소시켜 상기 무진실 유지비를 절감시키는 이점이 있다.

Description

레이저 다이오드의 검사 장치 및 방법{Inspection Apparatus and Method of Laser Diode}
본 발명은 CD-ROM 이나 DVD Player등에 사용되는 광 픽업(Pick up)에서 하나의 반도체 디바이스인 레이저다이오드 칩(LDC)의 불량여부를 판정하여 양품만을 공급하는 레이저 다이오드의 검사 장치 및 방법에 관한 것으로서,
특히 레이저다이오드 칩을 바(Bar) 형태로 제조하여 상기 레이저다이오드 칩 (LDC)간격 만큼 피치 이송시켜 카메라에 의해 얼라인 시킨 후 계측 되도록 함에 따라 고도의 정밀성을 요하는 구동메카니즘을 간단히 하여 제조비 및 유지비를 절감시킴과 동시에 상기 레이저다이오드 칩(LDC)의 취급성을 좋게 하고 무진실 공간을 축소시켜 상기 무진실 유지비를 감소시키는 레이저 다이오드의 검사 장치 및 방법에 관한 것이다.
종래의 레이저다이오드 칩(LDC)의 검사 방법은 도 1에 도시한 바와 같이 레이저다이오드 칩(LDC)을 트레이(1)에 공급하는 공급단계(S1)와, 상기 공급단계(S1)에서 공급되는 레이저다이오드칩(LDC)를 이송시켜 회전하는 인덱스테이블(3)에 설치된 측정판(5)에 올려놓는 이재단계(S2)와, 상기 인덱스테이블(3)이 소정의 각도로 회전하면 상기 이재단계(S2)를 통해 측정판(5)에 올려놓은 레이저다이오드 칩(LDC)의 위치를 정확하게 얼라인하는 위치결정단계(S3)와, 상기 인덱스테이블(3)을 소정의 각도로 회전시킨 후 상기 레이저다이오드 칩(LDC)의 상면에 전류를 인가시킴에 따라 상기 인가된 전류에 의해서 레이저다이오드 칩(LDC)에서 방출되는 광원을 받아 전류로 변환시켜 상기 레이저다이오드 칩(LDC)의 특성을 측정하여 레이저다이오드 칩(LDC)의 불량 여부를 판단하는 검사계측단계(S4)와, 검사가 끝난 레이저다이오드 칩(LDC)을 소정의 각도로 회전시켜 취출트레이(7)에 이송시키고, 불량품은 쓰레기통(9)으로 이송시키는 취출단계(S5)로 이루어져 있다.
상기 공급단계(S1)에서는 도 2에 도시한 바와 같이 원형의 웨이퍼(Wafer)(W)상태로 제조된 레이저다이오드가 하나 하나 분리되는 과정을 거친 후, 제 1이송수단(10)에 의해 트레이(1)에 공급되도록 되어 있고, 상기 제 1이송수단(10)은 상기 분리된 레이저다이오드 칩(LDC)을 들어올리고 내리는 수직구동부(11)와 상기 수직구동부(11)에 의해 들어 올려진 레이저다이오드 칩(LDC)을 상기 트레이(1)로 이송시키는 수평구동부(13)로 이루어져 있다.
상기 이재단계(S2)에서는 상기 트레이(1)에 공급된 레이저다이오드 칩(LDC)을 제 2이송수단(20)에 의해 측정판(5)으로 이송시키도록 되어 있고, 상기 제 2이송수단(20)은 상기 레이저다이오드 칩(LDC)을 들어올리고 내리는 수직구동부(21)와 상기 수직구동부(21)에 의해 들어 올려진 레이저다이오드 칩(LDC)을 상기 측정판(5)으로 이송시키는 수평구동부(23)로 이루어져 있다.
상기 위치결정단계(S3)에서는 얼라인수단(30)에 의해 레이저다이오드 칩(LDC)의 위치를 정확하게 세팅하도록 되어 있고, 상기 얼라인수단(30)은 상기 레이저다이오드 칩(LDC)의 우측면을 밀어주는 측면구동부(31)와, 상측면을 밀어주는 상면구동부(33)로 이루어져 있다.
상기 검사계측단계(S4)에서는 프로브(Probe)로 상기 레이저다이오드 칩(LDC)의 상면에 접촉하여 구형파의 전류를 인가시킴에 따라 상기 인가된 전류에 의해서 레이저다이오드칩(LDC)에서 방출되는 광원을 받아 전류로 변환해 주는 포토다이오드(Photo Diode)(41)에서 상기 레이저다이오드 칩(LDC)의 특성을 측정하여 레이저다이오드 칩(LDC)의 불량 여부를 판단하도록 되어 있다.
상기 취출단계(S5)에서는 제 3이송수단(50)에 의해 취출트레이(7) 및 쓰레기통(9)에 취출되도록 되어 있고, 상기 제 3이송수단(50)은 상기 측정판(5)으로부터 검사가 끝단 레이저다이오드 칩(LDC)을 들어 올리는 수직구동부(51)와, 취출트레이(7) 또는 쓰레기통(9)으로 옮겨 놓는 수평구동부(53)로 이루어져 있다.
상기와 같이 구성된 종래의 레이저다이오드 칩(LDC)의 검사과정에 대해서 설명하면, 먼저, 웨이퍼(W)상태로 제조되는 레이저다이오드 칩(LDC)은 하나 하나 분리되는 과정을 거쳐 분리되고, 상기 분리된 레이저다이오드 칩(LDC)은 제 1이송수단(10)의 수직구동부(11)에 의해 들어 올려지고, 수평구동부(13)가 구동되어 상기 수직구동부(11)를 수직이동 시키면 다시 상기 수직구동부(11)가 하강하여 트레이(1)에 레이저다이오드 칩(LDC)을 옮겨 놓는다.
상기 트레이(1)에 공급된 레이저다이오드 칩(LDC)에는 제 2이송수단(20)에 상기 제 1이송수단(10)의 구동원리와 동일한 원리에 의해 인덱스테이블(3)에 설치된 측정판(5)의 상면에 얹혀진다.(S1,S2)
상기와 같이 측정판(5)의 상면에 레이저다이오드 칩(LDC)이 공급되면, 상기 인덱스테이블(3)이 소정의 각도로 회전하여 위치결정단계(S3)에 도달하고, 위치결정수단(30)에 의해 상기 레이저다이오드 칩(LDC)의 위치가 정확하게 세팅된다.
즉, 측면구동부(31)가 레이저다이오드 칩(LDC)의 우측면을 일정한 스트로크로 밀어주고 후퇴함으로써 상기 레이저다이오드 칩(LDC)이 수직으로 자세가 보정 된다.
그후, 상면구동부(33)가 일정한 스크로크로 밀어준 다음 후퇴함으로써 레이저다이오드 칩(LDC)은 가상의 중심에 위치하게 된다.(도 3참조)
상기와 같이 레이저다이오드 칩(LDC)의 위치를 얼라인 시킨 후에는 인덱스테이블(3)이 소정의 각도로 회전되어 검사계측단계(S4)에 이르게 되고, 프로브(Probe)(P)로 레이저다이오드 칩(LDC)의 상면에 접촉하여 구형파의 전류를 인가하면, 인가된 전류에 의해 레이저다이오드 칩(LDC)은 레이저광원이 방출되고, 방출되는 레이저광원을 받아 전류로 변환해 주는 포토다이오드(Photo Diode)(41)에서 레이저의 특성을 측정하여 레이저다이오드 칩(LDC)의 불량 여부를 판정하게 된다.
그후, 인덱스테이블(3)이 소정의 각도로 또다시 회전한 다음 제 3이송수단(50)의 수직구동부(51)가 하강하여 검사과정을 마친 레이저다이오드 칩(LDC)을 측정판(5)으로부터 들어올리면 수평구동부(53)가 구동되어 상기 수직구동부(51)를 정해진 위치로 이송시키고, 적정 위치에 도달하면 상기 수직구동부(51)가 다시 하강하여 레이저다이오드 칩(LDC)을 취출트레이(7) 또는 쓰레기통(9)에 옮겨 놓는다.
그러나, 이와 같이 구성되는 종래의 레이저다이오드 검사 장치는 다음과 같은 문제점이 있다.
레이저다이오드 칩(LDC)은 상당히 무른 재질로 만들어 지는 반도체 소자로서, 최소 250㎛ ×250㎛의 크기를 갖고 있어 다루기가 상당히 어려운 문제점이 있다. 따라서, 상기 레이저다이오드 칩(LDC)을 집거나 놓는 과정이 어려우며 크기가 매우 작으므로 그에 대한 구동 메카니즘이 정밀해야 한다.
종래에는 상기와 같은 고도의 정밀성을 요하는 구동메카니즘이 공급단계(S1), 이재단계(S2), 취출단계(S5)의 제1,2,3이송수단(10,20,50)에 의해 세 차례나 반복적으로 행하도록 구성되어 있어 그에 따른 유지가 어렵고, 또한 제조비가 많이 든다는 문제점이 있었다.
또한, 레이저다이오드 칩(LDC)의 위치를 정확하게 세팅하는 장치를 측면구동부(31) 및 상면구동부(33)를 일정한 스트로크로 밀어 주고 후퇴하는 장치로 복잡하게 구성하여 상기의 복잡성이 시스템을 불안하게 하는 요소로 작용한다는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출 된 것으로서, 본 발명의 목적은 레이저다이오드 검사 장치의 구조를 개선하여 시스템을 간단히 함으로써, 제조코스트를 다운시키고 유지비를 절감시킴과 동시에 무진실(Clean Room)을 차지하는 공간을 축소시켜 무진실 유지비를 감소시키는 레이저다이오드 검사 장치 및 방법을 제공하는 데 있다.
또한, 상기 레이저다이오드의 핸들링작업을 쉽게 하도록 하여 작업의 신뢰성을 높이고, 또한 레이저다이오드를 바(Bar) 형태로 두고 측정하도록 하여 접촉시간을 빠르게 하는 레이저다이오드 검사 장치 및 방법을 제공하는데 있다.
도 1은 종래의 레이저 다이오드의 검사장치의 구성을 도시한 전체 구성도,
도 2는 종래의 레이저다이오드 칩이 제조되어 공급되는 과정을 도시한 공정도,
도 3은 종래의 레이저다이오드 검사 장치용 얼라인수단에 의해 레이저다이오드 칩이 얼라인 되는 과정을 도시한 공정도,
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 의한 레이저 다이오드 검사 장치의 구성을 개략적으로 도시한 전체 구성도,
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 의한 레이저 다이오드 검사 장치용 공습수단의 구성을 도시한 구성도,
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 의한 레이저다이오드 칩 바가 제조되는 상태를 도시한 제조 공정도,
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 의해 레이저 다이오드가 검사되는 과정을 도시한 순서도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
LDC: 레이저다이오드 칩 LDBAR: 레이저다이오드칩바
100 : 공급부 200 : 이송부
300 : 계측부 400 : 얼라인부
410 : 카메라 500 : 취출부
상기의 목적을 달성하기 위하여 이루어진 본 발명은 다수의 레이저다이오드 칩이 일렬로 연결된 레이저다이오드 칩 바를 공급하는 공급부와, 상기 공급부의 일측에 위치되고 상기 레이저다이오드 칩에 전류를 인가하여 이상 유무를 검사하는 계측부와, 상기 공급부의 일측에 위치되어 레이저다이오드 칩 바를 상기 계측부로 이송시키는 이송부와, 상기 계측부의 일측에 위치되고 상기 레이저다이오드 칩의 위치를 결정하는 얼라인부와, 상기 얼라인부의 일측에 위치되고 검사를 마친 레이저다이오드 칩 바를 적재하는 취출부를 포함하는 레이저다이오드 검사장치에 있어서; 상기 얼라인부는 카메라의 센터와 상기 레이저다이오드 칩 바중 하나의 레이저다이오드 칩 센터가 일치되도록 하고, 상기 이송부는 상기 레이저다이오드 칩 바를 레이저다이오드 칩의 간격만큼씩 이송시키도록 한 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 레이저다이오드칩 바를 측정지그 상에 올린 다음 위치를 결정하여 흡착하는 제 1단계와, 상기 측정지그 상의 레이저다이오드 칩 바를 이송시켜 카메라의 센터와 레이저다이오드의 센터를 일치시키는 제 2단계와, 상기 레이저다이오드 칩에 전류를 인가시켜 상기 레이저다이오드 칩의 이상 유무를 판단하는 제 3단계와, 검사 완료된 레이저다이오드 칩이 마지막 칩인지를 확인하고 마지막 칩인 경우 취출부로 레이저 다이오드 칩 바를 취출시키고 그렇지 않으면 레이저다이오드 칩 바를 상기 레이저다이오드 칩의 간격만큼 피치 이송시켜 카메라의 센터와 레이저다이오드의 센터를 일치시키고 제3단계를 다시 수행하는 제 4단계로 이루어진 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 바람직한 일 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 의한 레이저 다이오드 검사 장치의 구성을개략적으로 도시한 전체 구성도이고, 도 5는 본 발명의 일 실시 예에 의한 레이저 다이오드 검사 장치용 공급부의 구성을 도시한 구성도이고, 도 6은 본 발명의 일 실시 예에 의한 레이저다이오드 칩 바가 제조되는 과정을 도시한 제조 공정도이다.
도면에 도시한 바와 같이 웨이퍼(Wafer)(W)의 특성상 직선으로 쪼개지는 성질을 이용하여 레이저다이오드 칩(LDC)이 일렬로 연결된 레이저다이오드 칩 바(LDBar)형태로 제조되어 공급부(100)에 공급되고, 상기 공급부(100)에 의해 공급된 레이저다이오드 칩 바(LDBar)를 이송하는 이송부(200)와, 상기 레이저다이오드 칩(LDC)에 전류를 인가시켜 상기 레이저다이오드 칩(LDC)으로부터 방출되는 광원을 받아 전류로 변환된 레이저다이오드 칩(LDC)의 특성을 측정하여 레이저다이오드 칩(LDC)을 검사하는 계측부(300)와, 상기 레이저다이오드 칩(LDC)에 전류를 정확하게 인가시키도록 위치 결정을 하는 얼라인부(400)와, 상기 계측부(300)에 의해 검사과정을 마친 레이저다이오드 칩 바(LDBar)를 취출트레이(510)에 적재하는 취출부(500)로 이루어져 있다.(도 4 및 도 6참조)
상기 공급부(100)는 분리된 레이저다이오드 칩 바(LDBar)를 올려놓는 측정지그(110)와, 상기 측정지그(110)에 형성되어 상기 레이저다이오드 칩 바(LDBar)를 흡착시켜 상기 레이저다이오드 칩 바(LDBar)가 유동되는 것을 방지하는 흡착홀(111)과, 상기 측정지그(110)의 상면 일측에서 소정의 스트로크로 전·후진되어 상기 흡착홀(111)에 의해 흡착된 레이저다이오드 칩 바(LDBar)를 소정의 위치에 고정하는 위치결정바(Bar)(120)와, 상기 측정지그(110)의 일측에 설치되어 상기 레이저다이오드 칩 바(LDBAR)가 상기 측정지그(110)의 상면으로부터 떨어지는 것을 방지하는 스토퍼(130)로 이루어져 있고, 상기 측정지그(110)는 금으로 코팅되어 있다.(도 5 참조)
상기 얼라인부(400)는 상기 이송부(200)에 의해 이송되어진 레이저다이오드 칩(LDC)의 센터의 위치를 결정하는 카메라(410)로 이루어져 있다.
상기 계측부(300)에는 레이저다이오드에 전류를 인가시키는 프로브(310)가 있다.
다음은 이와 같이 구성된 본 발명의 일 실 시 예에 의한 레이저 다이오드 검사 장치의 동작원리에 대해서 설명한다.
먼저, 웨이퍼(W)상의 레이저다이오드 칩을 바(Bar)형태로 분리하여 금이 코팅된 측정지그(110)의 상면에 올려놓으면, 상기 측정지그(110)의 하측에서 진공흡착기(미도시)가 가동되어 흡착홀(111)을 통한 흡인력에 의해 레이저다이오드 칩 바(LDBar)가 유동되지 않게 된다.
그 후, 위치결정바(120)가 동작되어 일정한 스트로크로 전·후진되어 레이저다이오드 칩 바(LDBar)가 소정의 위치에 세팅된다. 이때, 상기 측정지그(110)의 상면 단부측에 있는 스토퍼(130)에 의해 상기 레이저다이오드 칩 바(LDBar)가 일탈되지 않게 된다.
다음 측정지그(110)가 이송부(200)에 의해 카메라(410)의 센터위치로 이송되고, 이송된 레이저다이오드 칩 바(LDBar)의 초기위치를 찾기 위하여 카메라(410)에서는 화상처리를 하고, 레이저다이오드 칩 바(LDBar)가 상기 카메라(410)에 인식되지 않으면 다시 이송부(200)에 의해 측정지그(110)를 이송시키는 작업을 반복하여 화상처리를 하게 된다.
상기와 같은 작업을 통하여 첫 번째 레이저다이오드 칩(LDC)이 나왔을 때 상기 레이저다이오드 칩(LDC)의 센터와 카메라(410)의 센터와 일치시키는 보정 작업이 이루어지고, 상기 레이저다이오드 칩(LDC)과 카메라(410)의 센터를 일치시킨 후에는 프로브(Probe)(310)가 하강하여 전류를 인가시키고, 전류가 인가된 레이저다이오드 칩(LDC)에서 방출되는 레이저광원을 받아 전류로 변환 해 주는 포토다이오드(미도시)에서 레이저다이오드 칩(LDC)의 특성을 측정하게 된다.
하나의 레이저다이오드 칩(LDC)을 측정하고 난 후 프로브(310)를 상승시키고, 레이저다이오드 칩 바(LDBar)를 피치 이송시키고, 카메라(410)로 다시 새로운 레이저다이오드 칩(LDC)의 센터와 카메라(410)의 센터를 일치시키는 작업을 반복하여 일치시킨다.
상기 레이저다이오드 칩(LDC) 및 카메라(410)의 센터를 일치시킨 후에는 다시 프로브(310)가 하강하여 레이저다이오드 칩(LDC)에 전류를 인가시켜 레이저다이오드 칩(LDC)을 측정하게 된다.
상기에 있어 피치는 하나의 레이저다이오드 칩(LDC)의 간격(P)을 나타낸다.(도 4참조)
다음은 본 발명의 일 실시 예에 의한 레이저다이오드의 검사 과정을 순서도를 참조로 하여 설명한다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 의한 레이저다이오드의 측정원리를 나타낸 순서도이다.
도면에 도시한 바와 같이 레이저다이오드 칩 바를 측정지그에 올려놓고 흡착시켜 상기 레이저다이오드의 위치를 결정하는 제 1단계(S10)와,
상기 측정지그에 올려 놓은 레이저다이오드 칩 바를 카메라의 센터로 이송시키는 제 2단계(S20)와,
상기 제 2단계(S20)에 의해 이송된 레이저다이오드 칩이 카메라에 보이는 가를 판단하는 제 3단계(S30)와,
상기 레이저다이오드 칩의 센터 및 상기 카메라의 센터를 일치시키는 제 4단계(S40)와,
상기 레이저다이오드 칩에 전류를 인가시켜 포토다이오드로 상기 레이저다이오드 칩을 측정하는 제 5단계(S50)와,
레이저다이오드 칩 바를 상기 레이저다이오드 칩의 간격(P) 만큼 피치 이송시키는 제 6단(S60)계와,
상기 레이저다이오드 칩이 마지막 칩인가를 판단하여 마지막이라 판단되면 취출부로 보내고 마지막이 아님이 판명되면 상기 제 3단계로 재 순환 되도록 하는 제 7단계(S70)로 이루어져 있다.
다음은 동작원리에 대해서 설명하면, 먼저 웨이퍼(W)상에서 분리된 레이저다이오드칩바를 측정지그의 상면에 올려놓고 진공흡착기를 통하여 상기 레이저다이오드 칩 바를 흡착시켜 위치 고정시킨 후 위치결정바를 이용하여 레이저다이오드 칩 바의 위치를 얼라인시킨다.(S10)
다음 상기 측정지그를 카메라의 센터로 이송시킨 후, 레이저다이오드 칩이 카메라상에 보이는가를 판단하여 "예"로 판단되면 레이저다이오드 칩의 센터를 카메라의 센터와 일치시킨다.(S30,S40)
상기와 같이 레이저다이오드 칩의 센터를 카메라의 센터와 일치시킨 후에는 프로브를 이용하여 레이저다이오드 칩에 전류를 인가키고, 레이저다이오드 칩에서 방출되는 레이저광원을 전류로 변환해 특성을 측정하는 포토다이오드에 의해 레이저다이오드 칩을 측정한다.(S40,S50)
상기와 같이 레이저다이오드 칩을 측정한 후에는 다시 피치 이송시키고, 레이저다이오드 칩 바의 마지막 칩인가를 판단하여 "예"로 판단되면 취출부로 이동시키고, "아니오"로 판단되면 다시 제 3단계로 피드 백 되어 상술한 과정을 재 순환한다.(S60,S70)
상기 제 3단계(S30)에 있어 "아니오"로 판단되면 다시 레이저다이오드 칩의간격만큼 피치 이송시킨 후 카메라의 화상처리에 의한 판단과정을 거치게 된다.
상기와 같이 구성된 본 발명에 의한 레이저다이오드 검사장치에 의하면, 레이저다이오드 칩을 하나 하나 분리시키지 않고 일렬로 연결된 바(Bar)형태로 하여 상기 레이저다이오드 칩의 간격만큼 피치 이동시켜 검사하도록 함에 따라 미세한 크기를 갖는 레이저다이오드 칩의 취급을 보다 쉽게 할 수 있고, 상기 레이저다이오드 칩을 집어 올리고 내리는 정밀성을 요하는 구동 메카니즘을 간단히 하게 되어 제조비가 절감됨은 물론 유지비가 절감되는 이점이 있다.
또한, 프로브로 전류를 인가시켜 포토다이오드를 이용하여 레이저다이오드의 특성을 읽도록 하기 위해 상기 레이저다이오드의 위치를 얼라인하는 방법을 카메라에 의해 얼라인 시키도록 함에 따라 그 정확도를 한층 더 높일 수 있는 이점이 있다.
또한, 검사장치를 축소시킴에 따라 무진실(Clean Room)을 차지하는 공간을 축소시켜 상기 무진실 유지비를 절감시키는 이점이 있다.

Claims (5)

  1. 다수의 레이저다이오드 칩이 일렬로 연결된 레이저다이오드 칩 바를 공급하는 공급부와, 상기 공급부의 일측에 위치되고 상기 레이저다이오드 칩에 전류를 인가하여 이상 유무를 검사하는 계측부와, 상기 공급부의 일측에 위치되어 레이저다이오드 칩 바를 상기 계측부로 이송시키는 이송부와, 상기 계측부의 일측에 위치되고 상기 레이저다이오드 칩의 위치를 결정하는 얼라인부와, 상기 얼라인부의 일측에 위치되고 검사를 마친 레이저다이오드 칩 바를 적재하는 취출부를 포함하는 레이저다이오드 검사장치에 있어서,
    상기 얼라인부는 카메라의 센터와 상기 레이저다이오드 칩 바중 하나의 레이저다이오드 칩 센터가 일치되도록 하고, 상기 이송부는 상기 레이저다이오드 칩 바를 레이저다이오드 칩의 간격만큼씩 이송시키도록 한 것을 특징으로 하는 레이저다이오드 검사 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 공급부는 분리된 레이저다이오드 칩 바가 놓여지고 레이저다이오드 칩 바가 유동되지 않도록 레이저다이오드 칩 바를 흡착하는 흡착홀이 구비된 측정지그와, 상기 측정지그의 상면 일측에 위치되고 소정의 스트로크로 전·후진되어 상기 레이저다이오드 칩 바의 위치를 결정하는 위치결정바와, 상기 측정지그의 일측에 설치되어 상기 레이저다이오드 칩 바가 상기 측정지그의 상면으로부터 떨어지는 것을 방지하는 스토퍼로 이루어진 것을 특징으로 하는 레이저다이오드의 검사 장치.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 레이저다이오드칩 바를 측정지그 상에 올린 다음 위치를 결정하여 흡착하는 제 1단계와, 상기 측정지그 상의 레이저다이오드 칩 바를 이송시켜 카메라의 센터와 레이저다이오드의 센터를 일치시키는 제 2단계와, 상기 레이저다이오드 칩에 전류를 인가시켜 상기 레이저다이오드 칩의 이상 유무를 판단하는 제 3단계와, 검사 완료된 레이저다이오드 칩이 마지막 칩인지를 확인하고 마지막 칩인 경우 취출부로 레이저 다이오드 칩 바를 취출시키고 그렇지 않으면 레이저다이오드 칩 바를 상기 레이저다이오드 칩의 간격만큼 피치 이송시켜 카메라의 센터와 레이저다이오드의 센터를 일치시키고 제3단계를 다시 수행하는 제 4단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 레이저다이오드 검사 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6014488A (ja) * 1983-07-05 1985-01-25 Nec Corp レ−ザダイオ−ド検査装置
JPS6022391A (ja) * 1983-07-18 1985-02-04 Nec Corp レ−ザダイオ−ド検査方法
JPH0750327A (ja) * 1993-08-09 1995-02-21 Nec Corp レーザーダイオード素子外観検査装置
JPH10104307A (ja) * 1996-09-30 1998-04-24 Nec Kansai Ltd レーザダイオード特性測定装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6014488A (ja) * 1983-07-05 1985-01-25 Nec Corp レ−ザダイオ−ド検査装置
JPS6022391A (ja) * 1983-07-18 1985-02-04 Nec Corp レ−ザダイオ−ド検査方法
JPH0750327A (ja) * 1993-08-09 1995-02-21 Nec Corp レーザーダイオード素子外観検査装置
JPH10104307A (ja) * 1996-09-30 1998-04-24 Nec Kansai Ltd レーザダイオード特性測定装置

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