JPS6022391A - レ−ザダイオ−ド検査方法 - Google Patents
レ−ザダイオ−ド検査方法Info
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- JPS6022391A JPS6022391A JP13067983A JP13067983A JPS6022391A JP S6022391 A JPS6022391 A JP S6022391A JP 13067983 A JP13067983 A JP 13067983A JP 13067983 A JP13067983 A JP 13067983A JP S6022391 A JPS6022391 A JP S6022391A
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- JP
- Japan
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- laser diode
- bar
- stage
- inspection
- electrode
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/0014—Measuring characteristics or properties thereof
- H01S5/0042—On wafer testing, e.g. lasers are tested before separating wafer into chips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明に、レーザダイオード検査方法、％に、レーザダ
イオードケバ−の状態のままで特注を検査することがで
きるレーザダイオード検査方法に関する。
イオードケバ−の状態のままで特注を検査することがで
きるレーザダイオード検査方法に関する。
第１［Ｗｉ、本発明および従来のレーザダイオード検査
方法の検査対象となるレーザダイオードバーを示す斜視
図である。
方法の検査対象となるレーザダイオードバーを示す斜視
図である。
このレーザダイオードバー７に、複数個のレーザダイオ
ード素子ｌが側面６でつながっていて、反射面４が、レ
ーザダイオードパー７の長手方間の凹を形成している。
ード素子ｌが側面６でつながっていて、反射面４が、レ
ーザダイオードパー７の長手方間の凹を形成している。
上面電極２に各レーザダイオード素子ｌごと（分離さｈ
ていて、下＠電極３に各レーザダイオード素子ｌに共通
となっている〇さらに、このレーザダイオード素子ｌは
、第２図に示すような構造？しているｏ″ｒなわち、レ
ーザダイオード素子ｌに、上面電極２と下回電極３ｉ’
ｃｒＸさまれたサンドイッチ状ｔしており、両電極２．
３間に電流？流すと、発生した元が相対する反射面４で
増幅さ、九発光領域部５からレーザ光８を発する０この
ようなレーザダイオードでに、つエバを骨間することに
より反射面４全形成しているため、多くの半導体素子の
場合丸打っているウェハ状態で各素子の特注全検査する
という方法がとれない。
ていて、下＠電極３に各レーザダイオード素子ｌに共通
となっている〇さらに、このレーザダイオード素子ｌは
、第２図に示すような構造？しているｏ″ｒなわち、レ
ーザダイオード素子ｌに、上面電極２と下回電極３ｉ’
ｃｒＸさまれたサンドイッチ状ｔしており、両電極２．
３間に電流？流すと、発生した元が相対する反射面４で
増幅さ、九発光領域部５からレーザ光８を発する０この
ようなレーザダイオードでに、つエバを骨間することに
より反射面４全形成しているため、多くの半導体素子の
場合丸打っているウェハ状態で各素子の特注全検査する
という方法がとれない。
したがって、従来のレーザダイオード検査方法に、各レ
ーザダイオード素子を完全に分離した後、作業者が１素
子ずつ電極に挾んで％註を検査するという方法がとられ
ていた０ しかしながら、このような従来のレーザダイオード検査
方法でに、幅０．２ ｍｍ、長さが０．２５７ｆｆｍ。
ーザダイオード素子を完全に分離した後、作業者が１素
子ずつ電極に挾んで％註を検査するという方法がとられ
ていた０ しかしながら、このような従来のレーザダイオード検査
方法でに、幅０．２ ｍｍ、長さが０．２５７ｆｆｍ。
厚さがＱ、 ｌ ｆｆ１ｌ１１程度と非常に小さなレー
ザダイオード素子を取、９扱うために、素子のハンドリ
ング、発光面の判別、表裏の判別、位置決めが困難で、
検査時間が非常にかかり、また検査精度の低下や素子の
破損をまねくなど、多くの欠点があった。
ザダイオード素子を取、９扱うために、素子のハンドリ
ング、発光面の判別、表裏の判別、位置決めが困難で、
検査時間が非常にかかり、また検査精度の低下や素子の
破損をまねくなど、多くの欠点があった。
本発明の目的に、以上のような従来の欠点を除き、作業
性が良く、効率的にレーザダイオードの特注を検査でき
るレーザダイオード検査方法を提供することにある。
性が良く、効率的にレーザダイオードの特注を検査でき
るレーザダイオード検査方法を提供することにある。
本発明のレーザダイオード検査方法は、複数個のレーザ
ダイオード素子が発光面？−万（向は側面でつながりバ
ー状態倉なしかつ上（２）電極は各素子ごとに分離され
下面の電極は６素す共通となっているレーザダイオード
パーを表面が良導体であるステージ上【のせ、前記レー
ザダイオードバー円の１つの素子の上面電極と前記ステ
ージの上面とにそれぞれプローブ會当てて電流を流すこ
とにより前記１つの素子を発光させ、出力九を検出する
ことｆこより前記１つの素子の特注を調べるように構成
される。
ダイオード素子が発光面？−万（向は側面でつながりバ
ー状態倉なしかつ上（２）電極は各素子ごとに分離され
下面の電極は６素す共通となっているレーザダイオード
パーを表面が良導体であるステージ上【のせ、前記レー
ザダイオードバー円の１つの素子の上面電極と前記ステ
ージの上面とにそれぞれプローブ會当てて電流を流すこ
とにより前記１つの素子を発光させ、出力九を検出する
ことｆこより前記１つの素子の特注を調べるように構成
される。
次に、本発明の実施例ＶＣついて、図面を参照して詳細
だ説明する。
だ説明する。
第３図に本発明のレーザダイオード検査方法を説明する
ための一部断面図である。
ための一部断面図である。
４１図（示すレーザダイオードパー７の上面電極２金上
／Ｃして表面が良導体のステージ１６の上（のせる。こ
のレーザダイオードパーフ円の１つのレーザダイオード
素子ｌの上面電極３とステージ１６の上面とにそわぞれ
グローブ１９ａ、１９ｂ’ｉ当てて電流を流すと、上面
電極３が各レーザダイオード素子１ごとに分離されてい
るため、プローブ１９ａ’ｅ当てたレーザダイオード素
子ｌのみが発光する。この出力元をセンサ７で検出し、
レーザダイオード素子ｌの特注を調べる。
／Ｃして表面が良導体のステージ１６の上（のせる。こ
のレーザダイオードパーフ円の１つのレーザダイオード
素子ｌの上面電極３とステージ１６の上面とにそわぞれ
グローブ１９ａ、１９ｂ’ｉ当てて電流を流すと、上面
電極３が各レーザダイオード素子１ごとに分離されてい
るため、プローブ１９ａ’ｅ当てたレーザダイオード素
子ｌのみが発光する。この出力元をセンサ７で検出し、
レーザダイオード素子ｌの特注を調べる。
第４図に、本発明のレーザダイオード検査方法を実現し
た装置の一例でめる。
た装置の一例でめる。
水平シャフト１０をガイドとし、モータなどの動力源に
連結された送りネジ１ｌｖｃより移動可能な一部テーブ
ル９の上＠に、垂直シャツ）１３Ｔｈガイドとして、ア
クチ二エータ１４ｃ工９上下動可能な上下動機構１２が
取り付けられでいる０表口が良導体からなるステージ１
６ｒＸ、上面にレーザダイオードパー７ｔ−吸着する吸
着孔２０ｔ″有し、吸着したレーザダイオードパー７の
長手方向が一部テーブル９の送９万同と一致するように
絶縁体１５を介して上下動機構１２ｒｃ取９付けらｈて
鱒る０ また、ステージ１６の側方ｖｃに、吸着さｉ′またレー
ザダイオードパー７の発九圓である反射［ＩＯ２と対回
し、レーザ元８を検出するセンｆ １’７が配置されて
いる。さらに、ステージ１６全問１ＩｃＨさみセンサ１
７と対問する位ｔｒｃ＝プローバ１８．１１，１８ｂが
配置され、それぞｈのグローブ１９ａ、１９ｂの先端が
、ステージ１６が上昇したと＠にセンサ１７と対問する
１つのレーザダイオード素子ｌの上回電極２とステージ
１６の上聞とに、そｈぞり、Ｈ触するよう屹装置されて
いる。
連結された送りネジ１ｌｖｃより移動可能な一部テーブ
ル９の上＠に、垂直シャツ）１３Ｔｈガイドとして、ア
クチ二エータ１４ｃ工９上下動可能な上下動機構１２が
取り付けられでいる０表口が良導体からなるステージ１
６ｒＸ、上面にレーザダイオードパー７ｔ−吸着する吸
着孔２０ｔ″有し、吸着したレーザダイオードパー７の
長手方向が一部テーブル９の送９万同と一致するように
絶縁体１５を介して上下動機構１２ｒｃ取９付けらｈて
鱒る０ また、ステージ１６の側方ｖｃに、吸着さｉ′またレー
ザダイオードパー７の発九圓である反射［ＩＯ２と対回
し、レーザ元８を検出するセンｆ １’７が配置されて
いる。さらに、ステージ１６全問１ＩｃＨさみセンサ１
７と対問する位ｔｒｃ＝プローバ１８．１１，１８ｂが
配置され、それぞｈのグローブ１９ａ、１９ｂの先端が
、ステージ１６が上昇したと＠にセンサ１７と対問する
１つのレーザダイオード素子ｌの上回電極２とステージ
１６の上聞とに、そｈぞり、Ｈ触するよう屹装置されて
いる。
次（、第４脂に示すレーザダイオード検査装置の具体的
動作例について述べる。
動作例について述べる。
まず、レーザダイオードパー７を上面電極２金上（して
、吸着孔２０のあるステージ１６の上ｙｃのせ、吸着固
定する。
、吸着孔２０のあるステージ１６の上ｙｃのせ、吸着固
定する。
次に、送りネジ１１（ｊモータ等の駆動源（図示せず）
により回転させ、レーザダイオードパー７の端のレーザ
ダイオード素子ｌの１素子を、スロープ１９ａの真下に
移動する。
により回転させ、レーザダイオードパー７の端のレーザ
ダイオード素子ｌの１素子を、スロープ１９ａの真下に
移動する。
さらに、アクチュエータ１４に作動し、ステージ１６ｅ
上昇させ、グローブ１９ａとレーザダイオードパー７の
端の１素子の上面電極とを接触させ、ｔｘグローブ１９
ｂとステージ１６の上面とを咲触させる。ここで、グロ
ーブ１９ａと１９ｂとの間′／Ｃ電流？流し、レーザダ
イオードパー７の端の１素子を発光させ、その出力元を
センサ１７で検出して、素子の％註を検査する０ 同様て、上下動機構１２おＬび一部テーブル９を駆動す
ることにより、仄々とレーザダイオード素子ｌの特注全
検査することができる。
上昇させ、グローブ１９ａとレーザダイオードパー７の
端の１素子の上面電極とを接触させ、ｔｘグローブ１９
ｂとステージ１６の上面とを咲触させる。ここで、グロ
ーブ１９ａと１９ｂとの間′／Ｃ電流？流し、レーザダ
イオードパー７の端の１素子を発光させ、その出力元を
センサ１７で検出して、素子の％註を検査する０ 同様て、上下動機構１２おＬび一部テーブル９を駆動す
ることにより、仄々とレーザダイオード素子ｌの特注全
検査することができる。
本発明のレーザダイオード検査方法に、ハンドリング、
発光面の判別、表裏の判別、位置決めが素子単体九比べ
、はろかに容易なバー林態で扱うことができ、また−回
のセツティングで、多数個の素子の特注を仄々と検査で
きるため、大幅九検査時間を短縮でさ、また検査精度の
同上、素子の破損の減少等、効果が大きい、さらｒｃ装
激化が容易で、安価な装置ｖ笑現することができるとい
う効果がある。
発光面の判別、表裏の判別、位置決めが素子単体九比べ
、はろかに容易なバー林態で扱うことができ、また−回
のセツティングで、多数個の素子の特注を仄々と検査で
きるため、大幅九検査時間を短縮でさ、また検査精度の
同上、素子の破損の減少等、効果が大きい、さらｒｃ装
激化が容易で、安価な装置ｖ笑現することができるとい
う効果がある。
Claims (1)
- 複数個のレーザダイオード素子が発光ｉｋＩを一万に同
は側面でつながりバー状態をなしかつ上面電極は各素子
ごとに分離され下面鋺電極に各素子共通となっているレ
ーザダイオードバーを表面が良導体であるステージ上に
のせ、前記レーザダイオードバー内の１つの素子の上面
電極と前記ステージの上面と（それぞれプローブを当て
て電流を流すことｒｃエリ前記１つの累千奮発光させ、
出力光を検出することにＬｖ前記１つの素子の％注を調
べろこと全特徴とするレーザダイオード検査方法○と
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13067983A JPS6022391A (ja) | 1983-07-18 | 1983-07-18 | レ−ザダイオ−ド検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13067983A JPS6022391A (ja) | 1983-07-18 | 1983-07-18 | レ−ザダイオ−ド検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6022391A true JPS6022391A (ja) | 1985-02-04 |
Family
ID=15040015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13067983A Pending JPS6022391A (ja) | 1983-07-18 | 1983-07-18 | レ−ザダイオ−ド検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6022391A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60246691A (ja) * | 1984-05-21 | 1985-12-06 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体装置ウエ−ハ |
| JPS62162971A (ja) * | 1986-01-10 | 1987-07-18 | Hitachi Ltd | 電流２乗回路 |
| JPH04340287A (ja) * | 1991-01-22 | 1992-11-26 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子の製造方法 |
| EP0635916A1 (fr) * | 1993-07-21 | 1995-01-25 | France Telecom | Procédé de détermination de la longueur d'onde d'émission de lasers à semi-conducteur à cavité de Fabry-Pérot à partir de mesures électriques |
| KR100339005B1 (ko) * | 2000-02-11 | 2002-05-31 | 구자홍 | 레이저 다이오드의 전류 인가 장치 |
| KR100371314B1 (ko) * | 2000-01-20 | 2003-02-07 | 엘지전자 주식회사 | 레이저 다이오드의 검사 장치 및 방법 |
| WO2019172089A1 (ja) * | 2018-03-07 | 2019-09-12 | 日本電信電話株式会社 | 半導体光集積素子およびその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56169389A (en) * | 1980-04-30 | 1981-12-26 | Siemens Ag | Laser diode |
-
1983
- 1983-07-18 JP JP13067983A patent/JPS6022391A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56169389A (en) * | 1980-04-30 | 1981-12-26 | Siemens Ag | Laser diode |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS60246691A (ja) * | 1984-05-21 | 1985-12-06 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体装置ウエ−ハ |
| JPS62162971A (ja) * | 1986-01-10 | 1987-07-18 | Hitachi Ltd | 電流２乗回路 |
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| FR2708153A1 (fr) * | 1993-07-21 | 1995-01-27 | Joindot Irene | Procédé de détermination de la longueur d'onde d'émission de lasers à semiconducteur à cavité de Fabry-Perot à partir de mesures électriques. |
| KR100371314B1 (ko) * | 2000-01-20 | 2003-02-07 | 엘지전자 주식회사 | 레이저 다이오드의 검사 장치 및 방법 |
| KR100339005B1 (ko) * | 2000-02-11 | 2002-05-31 | 구자홍 | 레이저 다이오드의 전류 인가 장치 |
| WO2019172089A1 (ja) * | 2018-03-07 | 2019-09-12 | 日本電信電話株式会社 | 半導体光集積素子およびその製造方法 |
| JP2019160840A (ja) * | 2018-03-07 | 2019-09-19 | 日本電信電話株式会社 | 半導体光集積素子およびその製造方法 |
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