JPH0144028B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0144028B2 JPH0144028B2 JP58122114A JP12211483A JPH0144028B2 JP H0144028 B2 JPH0144028 B2 JP H0144028B2 JP 58122114 A JP58122114 A JP 58122114A JP 12211483 A JP12211483 A JP 12211483A JP H0144028 B2 JPH0144028 B2 JP H0144028B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser diode
- suction
- bar
- diode bar
- vertical movement
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 9
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/0014—Measuring characteristics or properties thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、レーザダイオード検査装置、特に、
レーザダイオードをバーの状態で特性を検査する
ためのレーザダイオード検査装置に関する。
レーザダイオードをバーの状態で特性を検査する
ためのレーザダイオード検査装置に関する。
一般に、本発明および従来のレーザダイオード
検査装置の検査対象となるレーザダイオードバー
は、第１図に示すようにレーザダイオード素子１
がバー状態で連接した構造をしている。すなわち
レーザダイオード素子１は、第２図に詳細を示す
ように、上面電極２と下面電極３にはさまれたサ
ンドイツチ状をしており、上面電極２と下面電極
３との間に電流を流すと、発生した光が相対する
反射面４で増幅され発光領域部５からレーザ光８
を発する。このようなレーザダイオードでは、ウ
エハを劈開することにより反射面４を形成してい
るため、多くの半導体素子の場合に行つているウ
エハ状態で各素子の特性を検査するという方法が
とれない。
検査装置の検査対象となるレーザダイオードバー
は、第１図に示すようにレーザダイオード素子１
がバー状態で連接した構造をしている。すなわち
レーザダイオード素子１は、第２図に詳細を示す
ように、上面電極２と下面電極３にはさまれたサ
ンドイツチ状をしており、上面電極２と下面電極
３との間に電流を流すと、発生した光が相対する
反射面４で増幅され発光領域部５からレーザ光８
を発する。このようなレーザダイオードでは、ウ
エハを劈開することにより反射面４を形成してい
るため、多くの半導体素子の場合に行つているウ
エハ状態で各素子の特性を検査するという方法が
とれない。
従来のレーザダイオード検査装置は、各々のレ
ーザダイオード素子を完全に分離した後、作業者
が１素子ずつ電極に挾んで特性を検査していた。
ーザダイオード素子を完全に分離した後、作業者
が１素子ずつ電極に挾んで特性を検査していた。
しかしながら、このような従来のレーザダイオ
ード検査装置では、幅が0.2mm、長さが0.25mm、
厚さが0.1mm程度と非常に小さなレーザダイオー
ド素子を取り扱うため、素子のハンドリング、発
光面の判別、表裏の判別、位置決めが困難で、検
査時間が非常にかかり、また検査精度の低下や素
子の破損をまねくなどの多くの欠点があつた。
ード検査装置では、幅が0.2mm、長さが0.25mm、
厚さが0.1mm程度と非常に小さなレーザダイオー
ド素子を取り扱うため、素子のハンドリング、発
光面の判別、表裏の判別、位置決めが困難で、検
査時間が非常にかかり、また検査精度の低下や素
子の破損をまねくなどの多くの欠点があつた。
本発明の目的は、以上のような従来の欠点を除
き作業性が良く、効率的にレーザダイオードの特
性を検査できるレーザダイオード検査装置を提供
することにある。
き作業性が良く、効率的にレーザダイオードの特
性を検査できるレーザダイオード検査装置を提供
することにある。
本発明のレーザダイオード検査装置は、複数個
のレーザダイオード素子が側面でつながつている
レーザダイオードバーを一方の発光面を外側に向
け、上面で吸着固定しレーザダイオードバーと接
触する面が良導体からなる吸着ステージと、前記
吸着ステージを絶縁体を介して保持しかつ上下動
可能な上下動機構と、前記上下動機構を前記吸着
固定したレーザダイオードバーの長手方向に移動
可能な一軸テーブルと、前記吸着ステージが上昇
した位置で前記吸着ステージの表面と吸着固定し
たレーザダイオードバー内の１素子の上面電極部
とにそれぞれ接触可能な２本のプローブと、前記
プローブの接触したレーザダイオード素子の外側
に向いた発光面と対向しレーザ光を検出するセン
サとを含んで構成される。
のレーザダイオード素子が側面でつながつている
レーザダイオードバーを一方の発光面を外側に向
け、上面で吸着固定しレーザダイオードバーと接
触する面が良導体からなる吸着ステージと、前記
吸着ステージを絶縁体を介して保持しかつ上下動
可能な上下動機構と、前記上下動機構を前記吸着
固定したレーザダイオードバーの長手方向に移動
可能な一軸テーブルと、前記吸着ステージが上昇
した位置で前記吸着ステージの表面と吸着固定し
たレーザダイオードバー内の１素子の上面電極部
とにそれぞれ接触可能な２本のプローブと、前記
プローブの接触したレーザダイオード素子の外側
に向いた発光面と対向しレーザ光を検出するセン
サとを含んで構成される。
次に、本発明の実施例について、図面を参照し
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
第１図は、本発明により検査されるレーザダイ
オードバーを示す斜視図である。複数個のレーザ
ダイオードの素子１が側面６でつながつていて、
反射面４がレーザダイオードバー７の長手方向の
面を形成している。上面電極２は各画素ごとに分
離されていて、下面電極３は各素子共通となつて
いる。
オードバーを示す斜視図である。複数個のレーザ
ダイオードの素子１が側面６でつながつていて、
反射面４がレーザダイオードバー７の長手方向の
面を形成している。上面電極２は各画素ごとに分
離されていて、下面電極３は各素子共通となつて
いる。
第３図は本発明の一実施例を示すレーザダイオ
ード検査装置の斜視図であり、第４図は第３図に
示す吸着テーブル部の一部断面図である。
ード検査装置の斜視図であり、第４図は第３図に
示す吸着テーブル部の一部断面図である。
水平シヤフト１０をガイドとし、モータなどの
動力源に連結された送りネジ１１により移動可能
な一軸テーブル９の上面に、垂直シヤフト１３を
ガイドとしてアクチユエータ１４により上下動可
能な上下動機構１２が取り付けられている。表面
が良導体になる吸着ステージ１６は、上面にレー
ザダイオードバー７を吸着する吸着孔２０を有
し、吸着したレーザダイオードバー７の長手方向
が一軸テーブル９の送り方向と一致するように、
絶縁体１５を介して上下動機構１２に取り付けら
れている。
動力源に連結された送りネジ１１により移動可能
な一軸テーブル９の上面に、垂直シヤフト１３を
ガイドとしてアクチユエータ１４により上下動可
能な上下動機構１２が取り付けられている。表面
が良導体になる吸着ステージ１６は、上面にレー
ザダイオードバー７を吸着する吸着孔２０を有
し、吸着したレーザダイオードバー７の長手方向
が一軸テーブル９の送り方向と一致するように、
絶縁体１５を介して上下動機構１２に取り付けら
れている。
また、吸着ステージ１６の側方には、吸着され
たレーザダイオードバー７の発光面となつている
反射面４と対向し、レーザ光を検出するセンサ１
７が配置されている。さらに、吸着ステージ１６
を間にはさみセンサ１７と対向する位置に、プロ
ーブ１８ａ，１８ｂが配置され、それぞれのプロ
ーブ１９ａ，１９ｂの先端が、吸着ステージ１６
が上昇したときに、センサ１７と対向する１つの
レーザダイオードの上面電極２と、吸着ステージ
１６の上面とに、それぞれ接触するように配置さ
れている。
たレーザダイオードバー７の発光面となつている
反射面４と対向し、レーザ光を検出するセンサ１
７が配置されている。さらに、吸着ステージ１６
を間にはさみセンサ１７と対向する位置に、プロ
ーブ１８ａ，１８ｂが配置され、それぞれのプロ
ーブ１９ａ，１９ｂの先端が、吸着ステージ１６
が上昇したときに、センサ１７と対向する１つの
レーザダイオードの上面電極２と、吸着ステージ
１６の上面とに、それぞれ接触するように配置さ
れている。
次に、第３図に示すレーザダイオード検査装置
の動作例について述べる。
の動作例について述べる。
まず、レーザダイオードバー７を上面電極２を
上にして、吸着孔２０のある吸着ステージ１６の
上にのせ、吸着固定する。
上にして、吸着孔２０のある吸着ステージ１６の
上にのせ、吸着固定する。
次に、送りネジ１１をモータ等の駆動源（図示
せず）により回転させレーザダイオードバー７の
端の１素子をプローブ１９ａの真下に移動する。
せず）により回転させレーザダイオードバー７の
端の１素子をプローブ１９ａの真下に移動する。
さらに、アクチユエータ１４を作動し、吸着ス
テージ１６を上昇させ、プローブ１９ａとレーザ
ダイオードバー７の端の１素子の上面電極とを接
触させ、またプローブ１９ｂと吸着ステージ１６
の上面と接触させる。
テージ１６を上昇させ、プローブ１９ａとレーザ
ダイオードバー７の端の１素子の上面電極とを接
触させ、またプローブ１９ｂと吸着ステージ１６
の上面と接触させる。
ここで、プローブ１９ａと１９ｂとの間に電流
を流し、レーザダイオードバー７の端の１素子を
発光させ、その出力光をセンサ１７を検出して素
子の特性を検査する。
を流し、レーザダイオードバー７の端の１素子を
発光させ、その出力光をセンサ１７を検出して素
子の特性を検査する。
同様にして、上下動機構１２および一軸テーブ
ル９を駆動することにより次々とレーザダイオー
ド素子の特性を検査することができる。
ル９を駆動することにより次々とレーザダイオー
ド素子の特性を検査することができる。
本発明のレーザダイオード検査装置は、ハンド
リング、発光面の判別、表裏の判別、位置決めが
素子単体に比べはるかに容易にバー状態で、扱う
ことができ、また一回のセツテイングで、多数個
の素子の特性を次々と検査することができるた
め、大幅に検査時間を短縮でき、また検査精度の
向上、素子の破損の減少等、効果が大きい。さら
に構造が簡単なため、安価な装置の動作が可能で
あるという効果もある。
リング、発光面の判別、表裏の判別、位置決めが
素子単体に比べはるかに容易にバー状態で、扱う
ことができ、また一回のセツテイングで、多数個
の素子の特性を次々と検査することができるた
め、大幅に検査時間を短縮でき、また検査精度の
向上、素子の破損の減少等、効果が大きい。さら
に構造が簡単なため、安価な装置の動作が可能で
あるという効果もある。
第１図は本発明および従来のレーザダイオード
検査装置の検査対象となるレーザダイオードバー
の一例を示す斜視図、第２図は第１図に示すレー
ザダイオードバーを構成するレーザダイオード素
子の一個を示す斜視図、第３図は本発明の一実施
例を示す斜視図、第４図は第３図に示す吸着ステ
ージ部の一部断面図である。 １……レーザダイオード素子、２……上面電
極、３……下面電極、４……発光面、５……発光
領域部、６……側面、７……レーザダイオードバ
ー、８……レーザ光、９……一軸テーブル、１０
……水平シヤフト、１１……送りネジ、１２……
上下動機構、１３……垂直シヤフト、１４……ア
クチユエータ、１５……絶縁体、１６……吸着ス
テージ、１７……センサ、１８ａ，１８ｂ……プ
ローバ、１９ａ，１９ｂ……プローブ、２０……
吸着孔。
検査装置の検査対象となるレーザダイオードバー
の一例を示す斜視図、第２図は第１図に示すレー
ザダイオードバーを構成するレーザダイオード素
子の一個を示す斜視図、第３図は本発明の一実施
例を示す斜視図、第４図は第３図に示す吸着ステ
ージ部の一部断面図である。 １……レーザダイオード素子、２……上面電
極、３……下面電極、４……発光面、５……発光
領域部、６……側面、７……レーザダイオードバ
ー、８……レーザ光、９……一軸テーブル、１０
……水平シヤフト、１１……送りネジ、１２……
上下動機構、１３……垂直シヤフト、１４……ア
クチユエータ、１５……絶縁体、１６……吸着ス
テージ、１７……センサ、１８ａ，１８ｂ……プ
ローバ、１９ａ，１９ｂ……プローブ、２０……
吸着孔。
Claims (1)
- １ 複数個のレーザダイオード素子が側面でつな
がつているレーザダイオードバーを一方の発光面
を外側に向け上面で吸着固定しレーザダイオード
バーと接触する面が良導体からなる吸着ステージ
と、前記吸着ステージを絶縁体を介して保持しか
つ上下動可能な上下動機構と、前記上下動機構を
前記吸着固定したレーザダイオードバーの長手方
向に移動可能な一軸テーブルと、前記吸着ステー
ジが上昇した位置で前記吸着ステージの表面と吸
着固定したレーザダイオードバー内の１素子の上
面電極部とにそれぞれ接触可能な２本のプローブ
と、前記プローブの接触したレーザダイオード素
子の外側を向いた発光面と対向しレーザ光を検出
するセンサとを含むことを特徴とするレーザダイ
オード検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12211483A JPS6014488A (ja) | 1983-07-05 | 1983-07-05 | レ−ザダイオ−ド検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12211483A JPS6014488A (ja) | 1983-07-05 | 1983-07-05 | レ−ザダイオ−ド検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6014488A JPS6014488A (ja) | 1985-01-25 |
| JPH0144028B2 true JPH0144028B2 (ja) | 1989-09-25 |
Family
ID=14827974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12211483A Granted JPS6014488A (ja) | 1983-07-05 | 1983-07-05 | レ−ザダイオ−ド検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6014488A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61169775A (ja) * | 1985-01-22 | 1986-07-31 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の測定装置 |
| KR100371314B1 (ko) * | 2000-01-20 | 2003-02-07 | 엘지전자 주식회사 | 레이저 다이오드의 검사 장치 및 방법 |
| KR100339005B1 (ko) * | 2000-02-11 | 2002-05-31 | 구자홍 | 레이저 다이오드의 전류 인가 장치 |
| JP4580186B2 (ja) * | 2004-04-28 | 2010-11-10 | アルファクス株式会社 | デバイス検査治具 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5227378A (en) * | 1975-08-27 | 1977-03-01 | Hitachi Ltd | Wafer test method |
| JPS5676545A (en) * | 1979-11-26 | 1981-06-24 | Hitachi Ltd | Scanning electron microscope or the like |
-
1983
- 1983-07-05 JP JP12211483A patent/JPS6014488A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5227378A (en) * | 1975-08-27 | 1977-03-01 | Hitachi Ltd | Wafer test method |
| JPS5676545A (en) * | 1979-11-26 | 1981-06-24 | Hitachi Ltd | Scanning electron microscope or the like |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6014488A (ja) | 1985-01-25 |
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