JPS61169775A - 半導体装置の測定装置 - Google Patents
半導体装置の測定装置Info
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- JPS61169775A JPS61169775A JP1060985A JP1060985A JPS61169775A JP S61169775 A JPS61169775 A JP S61169775A JP 1060985 A JP1060985 A JP 1060985A JP 1060985 A JP1060985 A JP 1060985A JP S61169775 A JPS61169775 A JP S61169775A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の測定装置に関するものである。
近年、半導体装置の試験装置については、試験の信頼度
を高めるために、被試験素子の配列や試験方法について
も正確な取扱が必要に成り、特に半導体発光素子の試験
の場合には、発光強度を測定の際に発光光線の反射波や
ノイズの影響を除去することが重要である。
を高めるために、被試験素子の配列や試験方法について
も正確な取扱が必要に成り、特に半導体発光素子の試験
の場合には、発光強度を測定の際に発光光線の反射波や
ノイズの影響を除去することが重要である。
従来、半導体素子（本発明では例として半導体レーザ素
子について説明する）を単体毎に試験をするか、又は−
直線状のアレー状に配列された複数のレーザ素子を短冊
形にウェハから切り出し、このアレー状のレーザ素子を
試験台にピンセットで載置して、その単体のレーザ素子
毎に試験針を用いて試験していた。
子について説明する）を単体毎に試験をするか、又は−
直線状のアレー状に配列された複数のレーザ素子を短冊
形にウェハから切り出し、このアレー状のレーザ素子を
試験台にピンセットで載置して、その単体のレーザ素子
毎に試験針を用いて試験していた。
第４図は従来の半導体レーザ素子の試験装置の斜視図で
あるが、半導体レーザ素子の試験装置１の上面にガラス
製の電極載置板２があって、その上にフィンガ状の電極
３が配置してあり、アレー状の半導体レーザ素子４がヒ
ートシンク５の上面に載置されていて、フィンガ状の電
極３と半導体レーザ素子４との位置合わせを実体顕微鏡
で観察しながらピンセットを用いて行われるために、作
業性が悪く、又アレー状の半導体レーザ素子４の位置が
不安定になって電極との接続が不十分になる恐れがあり
、又検査装置上の治具により発光光線が妨害されたり、
反射したりする“蹴られ“現象があって試験結果が不正
確になる欠点がある。
あるが、半導体レーザ素子の試験装置１の上面にガラス
製の電極載置板２があって、その上にフィンガ状の電極
３が配置してあり、アレー状の半導体レーザ素子４がヒ
ートシンク５の上面に載置されていて、フィンガ状の電
極３と半導体レーザ素子４との位置合わせを実体顕微鏡
で観察しながらピンセットを用いて行われるために、作
業性が悪く、又アレー状の半導体レーザ素子４の位置が
不安定になって電極との接続が不十分になる恐れがあり
、又検査装置上の治具により発光光線が妨害されたり、
反射したりする“蹴られ“現象があって試験結果が不正
確になる欠点がある。
第５図は従来の他の半導体レーザ素字の試験装置の斜視
図であるが、試験装置１１の上にＬ型のストッパ１２を
設け、更に真空チャック１３によって半導体素子１４を
固定して、それらの半導体素子を試験プローブ１５によ
って試験するものであり、この場合には半導体素子１４
をピンセットでセットする際に、作業上、半導体素子を
試験装置のエツジ部の線上に配列することが困難であり
、半導体素子と試験装置のエツジ部との距離ｌがある程
度必要であって、この距離ｌのために発光光線の“蹴ら
れ“現象がある。
図であるが、試験装置１１の上にＬ型のストッパ１２を
設け、更に真空チャック１３によって半導体素子１４を
固定して、それらの半導体素子を試験プローブ１５によ
って試験するものであり、この場合には半導体素子１４
をピンセットでセットする際に、作業上、半導体素子を
試験装置のエツジ部の線上に配列することが困難であり
、半導体素子と試験装置のエツジ部との距離ｌがある程
度必要であって、この距離ｌのために発光光線の“蹴ら
れ“現象がある。
第６図は、発光光線の“蹴られ“現象を説明する側断面
図であるが、半導体素子２１から発光された光線は試験
台２２の表面で矢印のように反射され受光装置２３で受
光した試験結果が不正確になるという欠点がある。
図であるが、半導体素子２１から発光された光線は試験
台２２の表面で矢印のように反射され受光装置２３で受
光した試験結果が不正確になるという欠点がある。
上記の構成の半導体素子の試験台では、試験台上に載置
された、アレー状の半導体レーザ素子からの発光光線が
試験台面で反射して“蹴られ“現象が発生することが問
題点である。
された、アレー状の半導体レーザ素子からの発光光線が
試験台面で反射して“蹴られ“現象が発生することが問
題点である。
本発明は、上記問題点を解消した半導体装置の検査装置
を提供するもので、その手段は、アレー状の複数の半導
体素子がＬ型ストッパで位置決めされて真空チャックで
固定されるアレーセットステージと、アレーセットステ
ージとアレー状の複数の半導体素子の端面部の位置で接
合するように構成された補助ステージと、測定電極を具
備した測定ステージからなり、アレーセットステージが
測定ステージと補助ステージとの間を移動するようにし
た半導体装置の測定装置によって達成できる。
を提供するもので、その手段は、アレー状の複数の半導
体素子がＬ型ストッパで位置決めされて真空チャックで
固定されるアレーセットステージと、アレーセットステ
ージとアレー状の複数の半導体素子の端面部の位置で接
合するように構成された補助ステージと、測定電極を具
備した測定ステージからなり、アレーセットステージが
測定ステージと補助ステージとの間を移動するようにし
た半導体装置の測定装置によって達成できる。
本発明は、試験台上でアレー状の半導体素子（例えば発
光素子の場合）をＬ型ス）７パによって位置決めを行な
って、真空チャックで固定してアレー状の半導体素子を
順次発光特性を試験するが、アレー状の半導体素子を載
置する際に、取扱上試験台の面積が成る程度余裕のある
面積が必要であるが、発光素子の発光方向に検査台の面
があると、その部分で光が反射して“蹴られ“現象があ
り、試験精度を低下させるので、試験台をアレーセット
ステージと、そのアレーセットステージと、アレー状の
半導体素子の端面部の位置で接合するようにした補助ス
テージと、測定電極を有する測定ステージとの三種類に
分離し、アレーセットステージと補助ステージを接合し
てアレー状の半導体素子をセットした後、アレーセット
ステージを測定ステージに移動させて試験電極により測
定を行うものである。
光素子の場合）をＬ型ス）７パによって位置決めを行な
って、真空チャックで固定してアレー状の半導体素子を
順次発光特性を試験するが、アレー状の半導体素子を載
置する際に、取扱上試験台の面積が成る程度余裕のある
面積が必要であるが、発光素子の発光方向に検査台の面
があると、その部分で光が反射して“蹴られ“現象があ
り、試験精度を低下させるので、試験台をアレーセット
ステージと、そのアレーセットステージと、アレー状の
半導体素子の端面部の位置で接合するようにした補助ス
テージと、測定電極を有する測定ステージとの三種類に
分離し、アレーセットステージと補助ステージを接合し
てアレー状の半導体素子をセットした後、アレーセット
ステージを測定ステージに移動させて試験電極により測
定を行うものである。
第１図と第２図は本発明のアレー状の半導体素子（本説
明では半導体レーザ素子を例にとる）の試験装置の斜視
図である。
明では半導体レーザ素子を例にとる）の試験装置の斜視
図である。
第１図で、半導体レーザ素子の測定ステージ１１があり
、その上にアレーセットステージ１２が載置された状態
であるが、電極保持板の表面に真空チャック１３が設け
られ、アレー状の半導体レーザ素子１４が、Ｌ型のスト
ッパ１５で位置決めされて載置され、半導体レーザ素子
の上部には測定プローブ１６が配置されており、又前方
にはレーザ光検出用の受光装置１７がｘ、ｙ、ｚ方向に
移動するように配置されている。
、その上にアレーセットステージ１２が載置された状態
であるが、電極保持板の表面に真空チャック１３が設け
られ、アレー状の半導体レーザ素子１４が、Ｌ型のスト
ッパ１５で位置決めされて載置され、半導体レーザ素子
の上部には測定プローブ１６が配置されており、又前方
にはレーザ光検出用の受光装置１７がｘ、ｙ、ｚ方向に
移動するように配置されている。
第２図は、本発明のアレーセットステージ１２と補助ス
テージ２１とが接合された状態を示す斜視図であって、
アレーセットステージ１２と補助ステージ２１との境界
は、アレーセットステージ１２のエツジ部２２と半導体
レーザ素子１４の発光面２３の断面が同一面になる部分
で接合されている。
テージ２１とが接合された状態を示す斜視図であって、
アレーセットステージ１２と補助ステージ２１との境界
は、アレーセットステージ１２のエツジ部２２と半導体
レーザ素子１４の発光面２３の断面が同一面になる部分
で接合されている。
アレーセットステージ１２は、測定ステージ１１の位置
と半導体レーザ素子が配置された補助ステージ２１の位
置との間を矢印のように移動するが、アレーセットステ
ージ１２は、同一平面上を間隙を作ることなくスライド
するように構成され、又受光素子１７は、Ｘ、Ｙ方向に
パルスモータにより高楕度に移動することができるよう
にする。
と半導体レーザ素子が配置された補助ステージ２１の位
置との間を矢印のように移動するが、アレーセットステ
ージ１２は、同一平面上を間隙を作ることなくスライド
するように構成され、又受光素子１７は、Ｘ、Ｙ方向に
パルスモータにより高楕度に移動することができるよう
にする。
更に、Ｌ型ストッパ１５からアレーセットステージ端２
３までの幅は、アレーの共振器長と同一幅に設定してい
る。
３までの幅は、アレーの共振器長と同一幅に設定してい
る。
半導体レーザアレーのファーフィールドパターン（Ｆ
Ｆ Ｐ）の測定方法は、最初半導体レーザアレーを補助
ステージに載置し、スライドさせながらＬ型ストッパに
よってセットした後、真空チャックによって吸引固定し
、次ぎに、アレーセットステージを測定ステージ１１に
移動させ、この位置で受光素子１７の位置をＸ及び２方
向に移動させながら光出力を測定すれはよく、これによ
ってＦＦＰが測定できる。
Ｆ Ｐ）の測定方法は、最初半導体レーザアレーを補助
ステージに載置し、スライドさせながらＬ型ストッパに
よってセットした後、真空チャックによって吸引固定し
、次ぎに、アレーセットステージを測定ステージ１１に
移動させ、この位置で受光素子１７の位置をＸ及び２方
向に移動させながら光出力を測定すれはよく、これによ
ってＦＦＰが測定できる。
第３図は本発明の補助ステージを設けることにより、半
導体レーザアレー１４を測定ステージ１１の端部に容易
にセットすることができるために、従来のような測定ス
テージ面で投射光が反射することがなく、矢印のように
照射され、発光特性を正確に測定することが可能になる
。
導体レーザアレー１４を測定ステージ１１の端部に容易
にセットすることができるために、従来のような測定ス
テージ面で投射光が反射することがなく、矢印のように
照射され、発光特性を正確に測定することが可能になる
。
以上詳細に説明したように本発明の半導体測定装置は、
アレー状の半導体チップを高精度に測定することができ
高度の品質管理に供し得るという効果大なるものがある
。
アレー状の半導体チップを高精度に測定することができ
高度の品質管理に供し得るという効果大なるものがある
。
第１図と第２図は本発明の半導体測定装置の斜視図、
第３図は本発明の半導体レーザの照射を示す模式断面図
、 第４図、第５図は従来の半導体測定装置の斜視図・ 第６図は従来の半導体レーザの照射を示す模式図におい
て、１１は測定ステージ、１２はアレーセットステージ
、１３は真空チャック、１４はアレー状の半導体レーザ
素子、１５はＬ型のストッパ、１６は測定プローブ、１
７はレーザ光検出用の受光装置、２１は補助ステージ、
２２はアレーセットステージのエツジ部、２３は半導体
レーザ素子の発光面をそれぞれ示す。
、 第４図、第５図は従来の半導体測定装置の斜視図・ 第６図は従来の半導体レーザの照射を示す模式図におい
て、１１は測定ステージ、１２はアレーセットステージ
、１３は真空チャック、１４はアレー状の半導体レーザ
素子、１５はＬ型のストッパ、１６は測定プローブ、１
７はレーザ光検出用の受光装置、２１は補助ステージ、
２２はアレーセットステージのエツジ部、２３は半導体
レーザ素子の発光面をそれぞれ示す。
Claims (1)
- アレー状の複数の半導体素子がＬ型ストッパで位置決め
されて真空チャックで固定されるアレーセットステージ
と、該アレーセットステージと該アレー状の複数の半導
体素子の端面部の位置で接合するように構成された補助
ステージと、測定電極を具備した測定ステージからなり
、該アレーセットステージが測定ステージと補助ステー
ジとの間を移動するようにしたことを特徴とする半導体
装置の測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1060985A JPS61169775A (ja) | 1985-01-22 | 1985-01-22 | 半導体装置の測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1060985A JPS61169775A (ja) | 1985-01-22 | 1985-01-22 | 半導体装置の測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61169775A true JPS61169775A (ja) | 1986-07-31 |
| JPH0350415B2 JPH0350415B2 (ja) | 1991-08-01 |
Family
ID=11754981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1060985A Granted JPS61169775A (ja) | 1985-01-22 | 1985-01-22 | 半導体装置の測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61169775A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6014488A (ja) * | 1983-07-05 | 1985-01-25 | Nec Corp | レ−ザダイオ−ド検査装置 |
-
1985
- 1985-01-22 JP JP1060985A patent/JPS61169775A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6014488A (ja) * | 1983-07-05 | 1985-01-25 | Nec Corp | レ−ザダイオ−ド検査装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0350415B2 (ja) | 1991-08-01 |
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