JPS62143448A - リ−ド平坦度検査装置 - Google Patents
リ−ド平坦度検査装置Info
- Publication number
- JPS62143448A JPS62143448A JP28293785A JP28293785A JPS62143448A JP S62143448 A JPS62143448 A JP S62143448A JP 28293785 A JP28293785 A JP 28293785A JP 28293785 A JP28293785 A JP 28293785A JP S62143448 A JPS62143448 A JP S62143448A
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- JP
- Japan
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- lead
- inspection
- stage
- leads
- flatness
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- Pending
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[技術分野]
本発明は、リードを有する面実装型の半導体装置等のリ
ード平坦度の検査に適用して有効な技術に関する。
ード平坦度の検査に適用して有効な技術に関する。
[背景技術]
プラスチック・リーデツド・チップキャリア型(PLC
C)、あるいはフラットパッケージ型等のパッケージ形
状を有する、いわゆる面実装型の半導体装置では、実装
されるリード位置の不揃いが実装信頼性に大きく影響す
る。すなわち、各リードの平坦度が精度良く維持されて
いないと、実装時にリードの浮き等を生じ実装不良を来
すことになるのである。
C)、あるいはフラットパッケージ型等のパッケージ形
状を有する、いわゆる面実装型の半導体装置では、実装
されるリード位置の不揃いが実装信頼性に大きく影響す
る。すなわち、各リードの平坦度が精度良く維持されて
いないと、実装時にリードの浮き等を生じ実装不良を来
すことになるのである。
そのため、上記のような面実装型の半導体装置の製造工
程では、リードの平坦度の検査が必要不可欠となる。こ
のような平坦度を検査する方法としては、第6図に示す
ようにv字状の溝61が形成された検査ステージ62の
上面に半導体装置2を載置して、前記7字溝の一側面に
保持された反射鏡63に前記半導体装置2のリード2a
の投影を反射させて、これを光学顕微鏡64で30倍〜
100倍程度に拡大して検査者の肉眼にて観察すること
により検査を行うことが考えられる。
程では、リードの平坦度の検査が必要不可欠となる。こ
のような平坦度を検査する方法としては、第6図に示す
ようにv字状の溝61が形成された検査ステージ62の
上面に半導体装置2を載置して、前記7字溝の一側面に
保持された反射鏡63に前記半導体装置2のリード2a
の投影を反射させて、これを光学顕微鏡64で30倍〜
100倍程度に拡大して検査者の肉眼にて観察すること
により検査を行うことが考えられる。
ところが、上記検査方法では、光学顕微鏡64を使用し
た肉眼検査であるため、検査効率が悪く、さらに高い検
査精度も期待できないことが本発明者によって明らかに
された。
た肉眼検査であるため、検査効率が悪く、さらに高い検
査精度も期待できないことが本発明者によって明らかに
された。
なお、前記のような面実装型の半導体装置の実装技術と
して詳しく述べである例としては、日経マグロウヒル社
1984年6月11日発行、日経エレクトロニクス別冊
「マイクロデバイセズ隘2JP151〜P153がある
。
して詳しく述べである例としては、日経マグロウヒル社
1984年6月11日発行、日経エレクトロニクス別冊
「マイクロデバイセズ隘2JP151〜P153がある
。
[発明の目的]
本発明の目的は、リードの平坦度の検査を精度良くしか
も効率良く行うことのできる技術を提供することにある
。
も効率良く行うことのできる技術を提供することにある
。
本発明の他の目的は実装信頼性の高い面実装型半導体装
置を提供することにある。
置を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
[発明の概要]
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、被検査リードに対して、該リードが突出され
ているパッケージ本体の斜め方向から直進光を該リード
に照射する投光器と、前記リードを通過する直進光を受
光する受光器とを存することにより、リードのばらつき
を自動検出することが可能となり、リードの平坦度検査
を精度良く、しかも効率良く行うことが可能となるもの
である。
ているパッケージ本体の斜め方向から直進光を該リード
に照射する投光器と、前記リードを通過する直進光を受
光する受光器とを存することにより、リードのばらつき
を自動検出することが可能となり、リードの平坦度検査
を精度良く、しかも効率良く行うことが可能となるもの
である。
[実施例1]
第1図は本発明の一実施例であるリード平坦度検査装置
を示す概略図、第2図はその検査ステージを示す第1図
■−■線における断面図、第3図は検査ステージ上に載
置された半導体装置のリードを示す拡大図である。
を示す概略図、第2図はその検査ステージを示す第1図
■−■線における断面図、第3図は検査ステージ上に載
置された半導体装置のリードを示す拡大図である。
本実施例1のリード平坦度検査装置l (以下単に検査
装置1という)は、被検査物としてPLCC型の半導体
装置2を使用するものであり、上面に該半導体装W2の
載置される検査ステージ3を有している。該検査ステー
ジ3は下部に位置する送りねじ機構4と係合されており
、さらにこの送りねじ機構4は制御部5の制御により所
定量の回転が行われるサーボモータ6に連結されている
。
装置1という)は、被検査物としてPLCC型の半導体
装置2を使用するものであり、上面に該半導体装W2の
載置される検査ステージ3を有している。該検査ステー
ジ3は下部に位置する送りねじ機構4と係合されており
、さらにこの送りねじ機構4は制御部5の制御により所
定量の回転が行われるサーボモータ6に連結されている
。
したがって、サーボモータ60回転量に対応して検査ス
テージ3も所定量だけxy方向に移動制御可能な状態と
なっている。
テージ3も所定量だけxy方向に移動制御可能な状態と
なっている。
検査ステージ3は第2図に示すようにステージ面3aが
水平方向に対して僅かに斜めに傾斜した状態で形成され
ており、この傾斜角度θはたとえば、載置された半導体
装置の最高位置となるリード列と最低位置となるリード
列との高低差dが0゜51〜1龍程度となるような角度
、すなわち0.5°〜l°程度で十分である。またこの
ステージ面3aには傾斜方向に沿って中央部に凹部7が
形成されており、この凹部7をレーザー光8が通過可能
な構造となっている。
水平方向に対して僅かに斜めに傾斜した状態で形成され
ており、この傾斜角度θはたとえば、載置された半導体
装置の最高位置となるリード列と最低位置となるリード
列との高低差dが0゜51〜1龍程度となるような角度
、すなわち0.5°〜l°程度で十分である。またこの
ステージ面3aには傾斜方向に沿って中央部に凹部7が
形成されており、この凹部7をレーザー光8が通過可能
な構造となっている。
前記検査ステージ3の傾斜方向の両側方にはレーザー光
線発射器9および受光器10が各々配置されている。な
お、本実施例1におけるレーザー光8はリード2aの延
設方向に所定の幅を有する照射が可能なものであり、一
方、受光器lOは複数のフォトトランジスタにより形成
され、前記レーザー光8の照射幅の変位をたとえば3μ
m程度の単位で検知できるものであればよい。
線発射器9および受光器10が各々配置されている。な
お、本実施例1におけるレーザー光8はリード2aの延
設方向に所定の幅を有する照射が可能なものであり、一
方、受光器lOは複数のフォトトランジスタにより形成
され、前記レーザー光8の照射幅の変位をたとえば3μ
m程度の単位で検知できるものであればよい。
なお、前記サーボモータ6の作動、レーザー光8の照射
は制御部5によって制御されるようになっている。
は制御部5によって制御されるようになっている。
次に本実施例の作用について説明する。
まず、検査ステージ3上に検査を行うリード列が最下部
になるようにして載置されると、サーボモータ6の作動
により検査ステージ3が所定量だけ移動され、検査初期
位置で停止される。ここで、発射器9よりレーザー光8
が、検査を行う最初のり−ド2aに対して照射される。
になるようにして載置されると、サーボモータ6の作動
により検査ステージ3が所定量だけ移動され、検査初期
位置で停止される。ここで、発射器9よりレーザー光8
が、検査を行う最初のり−ド2aに対して照射される。
このとき、レーザー光8はリード2aの延設方向に所定
の幅を有しているため、照射幅のうち一部はり一部2a
により遮られて受光器10にまで到達しない。すなわち
、受光器10のフォトトランジスタが到達レーザー光9
の幅を検知することによりリードの浮き状態が検出され
、この検出情報が初期値として制御部5に送られる。
の幅を有しているため、照射幅のうち一部はり一部2a
により遮られて受光器10にまで到達しない。すなわち
、受光器10のフォトトランジスタが到達レーザー光9
の幅を検知することによりリードの浮き状態が検出され
、この検出情報が初期値として制御部5に送られる。
次に、サーボモータ6の所定量の作動にともなって、検
査ステージ3がリード2aのピッチ分だけ移動されて二
番目のリードの浮き状態が検出される。
査ステージ3がリード2aのピッチ分だけ移動されて二
番目のリードの浮き状態が検出される。
このようにして順次検査ステージ3が移動されて一つの
リード列のリード平坦度検査が行われる。
リード列のリード平坦度検査が行われる。
ここで、たとえば、リードの浮き状態のばらつき、すな
わち一つのリード列内の最高位置のリードと最低位置に
あるリードとの差(第3図にeで示す長さ)が0.11
以上の高低差がある製品については、リード平坦度不良
として排除される。
わち一つのリード列内の最高位置のリードと最低位置に
あるリードとの差(第3図にeで示す長さ)が0.11
以上の高低差がある製品については、リード平坦度不良
として排除される。
以上のように本実施例1によれば、制御部5の制御によ
り検査ステージ3を順次移動させてリードの平坦度検査
を自動化して行うため、精度の高い検査を効率良く行う
ことができる。たとえば、顕微鏡による肉眼検査では一
つの半導体装直溝たり10分程度要するのに対して、本
実施例の検査装置1によれば、約2程度度にまで短縮す
ることが可能となる。
り検査ステージ3を順次移動させてリードの平坦度検査
を自動化して行うため、精度の高い検査を効率良く行う
ことができる。たとえば、顕微鏡による肉眼検査では一
つの半導体装直溝たり10分程度要するのに対して、本
実施例の検査装置1によれば、約2程度度にまで短縮す
ることが可能となる。
[実施例2]
第4図は、本発明の他の実施例であるリード平坦度検査
装置の検査ステージを示す概略図である。
装置の検査ステージを示す概略図である。
本実施例のリード平坦度検査装置は実施例Iで説明した
ものとほぼ同様のものであるが、検査ステージ23の構
造および半導体装置2のi!w置方法が異なるものであ
る。
ものとほぼ同様のものであるが、検査ステージ23の構
造および半導体装置2のi!w置方法が異なるものであ
る。
すなわち、本実施例の検査ステージ23は実施例1の検
査ステージ3と同様に傾斜面からなるステージ面23a
を有するものであるが、半導体装置2はリード面を上方
にした状態で該ステージ面23a上に載置される。この
状態で、検査ステージ23上の最高位置にあるリード列
のリード平坦度の検査が行われる。なお、検査方法につ
いては実施例1で説明した方法と同様でよい。
査ステージ3と同様に傾斜面からなるステージ面23a
を有するものであるが、半導体装置2はリード面を上方
にした状態で該ステージ面23a上に載置される。この
状態で、検査ステージ23上の最高位置にあるリード列
のリード平坦度の検査が行われる。なお、検査方法につ
いては実施例1で説明した方法と同様でよい。
このように、本実施例2によれば検査ステージ23上へ
の半導体装置2の載置が容易であり、しかもリード2a
がステージ面23aと非接触の状態で載置されるため、
検査時にリード2aとステージ面とが接触して生じるリ
ード2aの損傷等を防止できる。
の半導体装置2の載置が容易であり、しかもリード2a
がステージ面23aと非接触の状態で載置されるため、
検査時にリード2aとステージ面とが接触して生じるリ
ード2aの損傷等を防止できる。
[実施例3]
第5図は、本発明の他の実施例であるリード平坦度検査
装置の保持機構を示す概略図である。本実施例3のリー
ド平坦度検査装置も実施例1で説明したものとほぼ同様
のものであるが、半導体装置の保持機構が異なるもので
ある。
装置の保持機構を示す概略図である。本実施例3のリー
ド平坦度検査装置も実施例1で説明したものとほぼ同様
のものであるが、半導体装置の保持機構が異なるもので
ある。
すなわち、本実施例3の保持機構53は斜め方向から延
設された回転軸54に連設された真空チャック55であ
り、その先端には吸着口56が開設されており、この吸
着口56はさらに回転軸54の内部に連通された真空吸
引孔57と連通されている。
設された回転軸54に連設された真空チャック55であ
り、その先端には吸着口56が開設されており、この吸
着口56はさらに回転軸54の内部に連通された真空吸
引孔57と連通されている。
このような状態で、真空吸着された半導体装置2の最下
部にあるリード列のリード平坦度検査が行われる。ここ
で、検査方法は実施例1で説明したものと同様である。
部にあるリード列のリード平坦度検査が行われる。ここ
で、検査方法は実施例1で説明したものと同様である。
このようにして1列分の検査が終了した後に、前記回転
軸54が90°回転されて隣り合っている側面のリード
列の検査が行われる。
軸54が90°回転されて隣り合っている側面のリード
列の検査が行われる。
このように、本実施例2によれば各リード列の検査を続
けて行う際に、半導体装置2の向きの変更が容易であり
、検査効率を向上させることができる。
けて行う際に、半導体装置2の向きの変更が容易であり
、検査効率を向上させることができる。
[効果]
(l)、被検査リードに対して、該リードが突出されて
いるパッケージ本体の斜め方向から直進光を該リードに
照射する投光器と、前記リードを通過する直進光を受光
する受光器とを有するリード平坦度検査装置構造とする
ことにより、リードのばらつきを自動検出することが可
能となり、リードの平坦度検査を精度良く、しかも効率
良く行うことができる。
いるパッケージ本体の斜め方向から直進光を該リードに
照射する投光器と、前記リードを通過する直進光を受光
する受光器とを有するリード平坦度検査装置構造とする
ことにより、リードのばらつきを自動検出することが可
能となり、リードの平坦度検査を精度良く、しかも効率
良く行うことができる。
’ +21 、前記fllにより、リードの平坦度の検
査精度を高めることができるため、実装不良を予防でき
、実装信顛性の高い半導体装置を提供することができる
。
査精度を高めることができるため、実装不良を予防でき
、実装信顛性の高い半導体装置を提供することができる
。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、受光素子としてはフォトトランジス夕につい
てのみ説明したが、他の素子であってもよい。
てのみ説明したが、他の素子であってもよい。
また、実施例では、各リード位置で検査ステージを停止
させて各リードの高さ位置を検出する場合について説明
したが、これに限らず、検査ステージを所定の速度で′
m′Ifi、的に移動させるものであってもよい。
させて各リードの高さ位置を検出する場合について説明
したが、これに限らず、検査ステージを所定の速度で′
m′Ifi、的に移動させるものであってもよい。
[利用分野]
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその利用分野である、リードが四側面から突出された
、いわゆるPLCC型のパンケージ形状を有する半導体
装置に適用した場合について説明したが、これに限定さ
れるものではなく、たとえば二側面からのみリードが突
出されたパッケージ形状(SOJ)の半導体装置に適用
しても有効な技術である。
をその利用分野である、リードが四側面から突出された
、いわゆるPLCC型のパンケージ形状を有する半導体
装置に適用した場合について説明したが、これに限定さ
れるものではなく、たとえば二側面からのみリードが突
出されたパッケージ形状(SOJ)の半導体装置に適用
しても有効な技術である。
さらに、リードが3字状の成形されたパッケージ形状の
ものに限られず、リードがL字状に成形された、いわゆ
るフラットパッケージ型(PPP)の半導体装置であっ
てもよい。
ものに限られず、リードがL字状に成形された、いわゆ
るフラットパッケージ型(PPP)の半導体装置であっ
てもよい。
第1図は本発明の一実施例であるリード平坦度検査装置
を示す概略図、 第2図はその検査ステージを示す第1図■−■線におけ
る断面図、 第3図は検査ステージ上に載置された半導体装置のリー
ドを示す拡大図、 第4図は、本発明の他の実施例であるリード平坦度検査
装置の検査ステージを示す概略図、第5図は、本発明の
他の実施例であるリード平坦度検査装置の保持機構を示
す概略図、第6図は背景技術におけるリード平坦度の検
査方法の一例を示す説明図である。 1・・・検査装置(リード平坦度検査装置)、2・・・
半導体装置、2a・・・リード、3・・・検査ステージ
、3a・・・ステージ面、4・・・送りねじ機構、5・
・・制御部、6・・・サーボモータ、7・・・凹部、8
・・・レーザー光、9・・・レーザー光線発射器、10
・・・受光器、23・・・検査ステージ、23a・・・
ステージ面、53・・・保持機構、54・・・回転軸、
55・・・真空チャック、5G・・・吸着口、57・・
・真空吸引孔、61・・・溝、62・・・検査ステージ
、63・・・反射鏡、64・・・光学w4漱鏡。 第 1 図 ―丘 第 2 図 を 第 3 図
を示す概略図、 第2図はその検査ステージを示す第1図■−■線におけ
る断面図、 第3図は検査ステージ上に載置された半導体装置のリー
ドを示す拡大図、 第4図は、本発明の他の実施例であるリード平坦度検査
装置の検査ステージを示す概略図、第5図は、本発明の
他の実施例であるリード平坦度検査装置の保持機構を示
す概略図、第6図は背景技術におけるリード平坦度の検
査方法の一例を示す説明図である。 1・・・検査装置(リード平坦度検査装置)、2・・・
半導体装置、2a・・・リード、3・・・検査ステージ
、3a・・・ステージ面、4・・・送りねじ機構、5・
・・制御部、6・・・サーボモータ、7・・・凹部、8
・・・レーザー光、9・・・レーザー光線発射器、10
・・・受光器、23・・・検査ステージ、23a・・・
ステージ面、53・・・保持機構、54・・・回転軸、
55・・・真空チャック、5G・・・吸着口、57・・
・真空吸引孔、61・・・溝、62・・・検査ステージ
、63・・・反射鏡、64・・・光学w4漱鏡。 第 1 図 ―丘 第 2 図 を 第 3 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、被検査リードに対して、該リードが突出されている
パッケージ本体の斜め方向から直進光を該リードに照射
する投光器と、前記リードを通過する直進光を受光する
受光器とを有することを特徴とするリード平坦度検査装
置。 2、前記直進光がレーザー光で、かつ受光器がフォトト
ランジスタからなることを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載のリード平坦度検査装置。 3、前記パッケージ本体が真空吸着により保持されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のリード
平坦度検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28293785A JPS62143448A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | リ−ド平坦度検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28293785A JPS62143448A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | リ−ド平坦度検査装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62143448A true JPS62143448A (ja) | 1987-06-26 |
Family
ID=17659044
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28293785A Pending JPS62143448A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | リ−ド平坦度検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62143448A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1108636C (zh) * | 1996-09-24 | 2003-05-14 | 三星电子株式会社 | 检查集成电路封装引脚的方法和装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5875014A (ja) * | 1981-10-30 | 1983-05-06 | Hitachi Ltd | リ−ド位置検出装置 |
-
1985
- 1985-12-18 JP JP28293785A patent/JPS62143448A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5875014A (ja) * | 1981-10-30 | 1983-05-06 | Hitachi Ltd | リ−ド位置検出装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1108636C (zh) * | 1996-09-24 | 2003-05-14 | 三星电子株式会社 | 检查集成电路封装引脚的方法和装置 |
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