KR940009570B1 - 반도체 테스트장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
제 1 도는 종래의 반도체 테스트장치의 분해사시도.
제 2 도는 이 발명에 따른 반도체 테스트장치의 분해사시도이다.
이 발명은 반도체 테스트장치에 관한 것으로서, 특히 광을 발생하는 반도체의 전기 및 광특성을 검사하는 반도체 테스트장치를 제공함에 있다.
반도체는 제조공정(Fabrication)이 완료되고 조립(Assembly)를 하기전에 각각 소자(Device)들의 전기적 특성을 조사하여 양호한 것들과 불량한 것들을 구분하고 상기 양호한 소자들만을 조립한다. 특히, 레이저다이오드(LD) 및 발광다이오드(LED)등의 광 반도체는 전기적에너지를 광에너지로 변환시키므로 전기적특성 테스트시 광특성도 테스트를 하게된다.
제 1 도는 종래의 반도체 테스트장치의 분해사시도이다.
상기 반도체 테스트장치는 절연물질로 이루어지며 광소자(4)들을 막대(Bar)상태로 위치시킬 수 있는 스테이지(Stage ; 1)와, 상기 광소자(4)들에 전압을 인가하는 탐침(Prober ; 8)과, 상기 광소자(4)들에서 방출되는 광을 감지하는 포토다이오드(7)로 구성되어 있다. 상기 막대형상의 광소자(4)들은 상부 및 하부전극들(5), (6)이 구비되어 있는데, 상기 상부 전극(5)들은 상기 광소자(4)들을 각각의 칩(Chip)으로 분리할 수 있도록 에칭되어 있다. 상기 스테이지(1)의 표면은 상기 광소자(4)들의 하부전극(5)과 접촉되어 전기적으로 연결되도록 금등의 도전성금속이 도포되어 있는 도금영역(2)이 형성되어 있다. 또한, 상기 스테이지(1)에는 상기 광소자(4)들을 흡착고정시키기 위한 진공구(vacuum hole ; 3)들이 같은 간격으로 형성되어 있다. 그리고, 상기 탐침(8)은 도전성금속으로 이루어지며 상기 광소자(4)들의 상부전극(5)들과 접촉되어 전기를 공급한다.
상술한 테스트장치는 상기 스테이지(1)의 상부에 광소자(4)들을 하부전극(6)이 접촉되도록 올려놓고 진공구(3)를 통해 흡착고정시키며, 상기 탐침(8)을 상기 광소자(4)들의 상부전극(5)들과 접촉시켜 전압을 인가한다. 상기에서, 스테이지(1)표면에 형성되어 있는 도금영역(2)은 접지상태이다. 따라서 상기 광소자(4)들은 전자와 정공의 재결합에 의해 광을 방출하며 상기 광을 포토다이오드(7)가 감지하여 상기 광소자(4)들의 전기 및 광특성을 테스트한다.
그러나, 탐침의 끝부분이 매우 뾰족하므로 테스트시 접촉에 의해 상부전극에 미세한 균열이 발생될 수 있다. 상기 미세한 균열은 겉보기검사시 불량으로 처리가 되어 수율을 낮게하며, 또한 합격처리되어도 동작시 균열이 성장되도록 동작특성을 나쁘게 하여 신뢰성을 저하시키는 문제점이 있었다.
따라서, 이 발명의 목적은 탐침과 광소자를 직접 접촉시키지 않으므로 광반도체의 수율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 반도체 테스트장치를 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 이 발명은 상부표면이 도금영역들과 분리영역들로 구분되어 상기 도금영역들에 광소자들의 상부전극들을 접촉시켜 진공구들에 의해 광소자들을 흡착고정시키는 스테이지와, 이동축에 의해 상하이동하며 상기 광소자들의 하부전극과 접촉하여 접지시키는 접지판과, 상기 도금영역들과 순차적으로 접촉하여 전압을 인가하는 탐침과, 상기 광소자들이 방출하는 광을 감지하는 포토다이오드를 구비한 반도체 테스트장치에 특징이 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 이 발명을 상세히 설명한다.
제 2 도는 이 발명의 일실시예에 따른 반도체 테스트장치의 분해사시도이다.
상기 반도체 테스트장치는 테스트를 할 광소자(21)들을 막대상태로 위치시킬 수 있는 스테이지(11)와, 상기 광소자(21)들에 전압을 인가하기 위한 탐침(33)과, 상기 광소자(21)들과 접촉하여 접지시키는 접지판(ground plate ; 27)과, 상기 공통양극(27)을 상하로 이동시키는 이동축(29)과, 상기 광소자(21)들에서 방출되는 광을 감지하는 포토다이오드(31)로 구성되어 있다. 상기 광소자(21)들은 상부 및 하부전극들(23), (25)이 구비되어 있는데, 상기 상부전극(23)은 상기 광소자(21)들을 각각의 칩으로 분리할 수 있도록 에칭되어 있다. 또한 상기 스테이지(11)는 절연물질로 이루어지는 것으로 상부 표면이 금등의 도전성금속이 0.1∼2㎛ 정도의 두께로 도포되어 있는 도금영역(13)들이 형성되어 있으며, 상기 도금영역(13)들 이외의 스테이지(11)가 노출된 부분은 분리영역(15)들이 된다. 상기 도금영역(13)들에 상기 광소자(21)들을 흡착시키기 위한 진공구(19)들이 형성되어 있으며, 상기 분리영역(15)들에 광소자(21)들을 정렬시키기 위한 절연물질로 이루어진 정렬키(align key ; 17)가 형성되어 있다. 상기 스테이지(11)에 광소자(21)들을 위치시킬 때 상기 광소자(21)들의 상부전극(23)들을 에칭한 부분들을 정렬키(17)에 일치시켜 상기 도금영역(13)들과 상부전극(23)들을 각각 접촉시키고 진공구(19)들로 상기 광소자(21)들을 흡착고정시킨다. 따라서, 상기 분리영역(15)들과 정렬키(17)들은 각각 같은 간격으로 이격되어 있다.
또한, 상기 접지판(27)은 도전성금속으로 형성되어 상기 이동축(29)에 의해 상하로 이동되는 것으로 상기 광소자(21)들의 하부전극(25)과 접촉되어 접지시킨다. 상기 탐침(33)은 도전성금속으로 끝부분의 뾰족하게 형성되는 것으로, 상기 도금영역(13)들과 접촉되어 상기 광소자(21)들과 전기적으로 연결된다. 즉, 상기 상부전극(23)들이 N형전극이면 상기 탐침(33)에 음(-)전압을 인가하여 각각의 도금영역(13)들에 순차적으로 접촉시키면 상기 광소자(21)들이 각각 동작하여 빛을 방출한다. 그러므로, 상기 포토다이오드(31)는 상기 광소자(21)들에서 방출되는 광을 감지하여 상기 광소자(21)들의 전기 및 광특성을 테스트한다.
상술한 바와같이 광반도체의 전기 및 광특성을 테스트하는 장치에 있어서 광소자들을 막대형태로 위치시키는 스테이지의 표면에 도전성금속으로 도금영역을 형성하여 분리영역과 구분하고, 상기 광소자들의 상부전극들을 에칭한 부분과 일치되도록 분리영역에 정렬키를 형성하므로써 진공구에 의해 광소자들을 흡착고정시킬 때 각각의 광소자들을 전기적으로 분리하며, 하부전극을 접지판에 의해 접지시키도록 하고 탐침으로 각각의 분리영역들이 전압을 인가하여 광소자들의 전기 및 광특성을 테스트한다.
따라서, 이 발명은 탐침을 광소자들의 전극들과 접촉시키지 않고 도금영역들을 통하여 전압을 인가하므로 광소자들의 전극들에 균열이 발생되는 것을 방지하므로 수율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 잇점이 있다.
Claims (5)
- 광반도체의 전기 및 광특성을 테스트하는 반도체 테스트장치에 있어서, 상부표면이 도금영역들과 분리영역들로 구분되어 상기 도금영역들에 광소자들의 상부전극들을 접촉시켜 진공구들에 의해 광소자들을 흡착고정시키는 스테이지와, 이동축에 의해 상하이동하며 상기 광소자들의 하부전극과 접촉하여 접지시키는 접지판과, 상기 도금영역들과 순차적으로 접촉하여 전압을 인가하는 탐침과, 상기 광소자들이 방출하는 광을 감지하는 포토다이오드를 구비한 반도체 테스트장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 도금영역이 전도성금속으로 형성된 반도체 테스트장치.
- 제 2 항에 있어서, 상기 도금영역이 1~2㎛ 정도 두께로 형성된 반도체 테스트장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 분리영역들에 정렬키가 더 형성된 반도체 테스트장치.
- 제 4 항에 있어서, 상기 정렬키가 절연성물질로 형성된 반도체 테스트장치.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019920001048A KR940009570B1 (ko) | 1992-01-24 | 1992-01-24 | 반도체 테스트장치 |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1019920001048A KR940009570B1 (ko) | 1992-01-24 | 1992-01-24 | 반도체 테스트장치 |
Publications (2)
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| KR930017123A KR930017123A (ko) | 1993-08-30 |
| KR940009570B1 true KR940009570B1 (ko) | 1994-10-15 |
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Family Applications (1)
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| KR1019920001048A KR940009570B1 (ko) | 1992-01-24 | 1992-01-24 | 반도체 테스트장치 |
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| KR101227462B1 (ko) * | 2011-10-18 | 2013-01-29 | 가부시키가이샤 어드밴티스트 | 시험 장치, 시험 방법, 및 디바이스 인터페이스 |
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| KR100339005B1 (ko) * | 2000-02-11 | 2002-05-31 | 구자홍 | 레이저 다이오드의 전류 인가 장치 |
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1992
- 1992-01-24 KR KR1019920001048A patent/KR940009570B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR101227462B1 (ko) * | 2011-10-18 | 2013-01-29 | 가부시키가이샤 어드밴티스트 | 시험 장치, 시험 방법, 및 디바이스 인터페이스 |
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| KR930017123A (ko) | 1993-08-30 |
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