JP2008002858A - 光半導体検査装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 チップ搬送の回数を減少させ、搬送系をより簡単化し、搬送に伴う時間、手間を削減し、搬送に伴うチップ損傷の可能性を減少させた発光素子チップの検査装置を与えること
【解決手段】 ウエハプロセスによって発光素子を製作したウエハの裏面に導電性粘着シートを貼付け、ウエハを分割し、導電性粘着シートを広げてウエハを分離し、導電性粘着シートにテスターのリードを接続し、分離したチップに、プローブ電極、光路変換部、受光素子を含む移動台を接近させ、チップの上部電極をプローブ電極で押さえてテスターから駆動電流を流して発光素子を発光させ端面から横向きに出た光を光路変換部で上向き光にし受光素子で受光し、分岐光を光スペアナに入れて発光スペクトルを調べる。移動台を上げ伝導性のステージを横に移動して次のチップの検査を粘着シートの上で順次行う。
【選択図】 図1
Description
この発明は、半導体レーザ(LD)や発光ダイオード(LED)など端面発光型の半導体発光素子の光出力を検査する装置に関する。半導体発光素子は、電極間に通電し発光パワーと発光スペクトルを検査して基準に合えば合格、合わなければ不合格となる。発光試験のために電極間に通電しなければならない。発光素子チップをパッケージに収容し電極を付けた状態で通電試験することはもちろん可能である。その場合は検査の結果不良と分かるとパッケージを含めて廃棄するから、LED、LDチップだけでなくパッケージも無駄になってしまう。パッケージ実装の手数も無益になる。できればパッケージに収納する前に発光素子チップに通電試験し良否を調べたいものである。
特許文献1は半導体レーザをチップの状態で通電試験し良品不良品に選別する装置を提案している。接着剤を塗布した樹脂シートを、半導体レーザを多数作製したウエハ−の裏面に付けシートを引き延ばして樹脂シートをローディングステーションに置き、上からカメラで見てチップの位置と形状を求め、位置の分かったチップをコレットで掴み、持ち上げある方向に伸びるレールの上にある検査台にチップを一時的に載せる。検査台の上にはチップの裏面電極に接触する電極片がある。
レールの上で検査台を動かし出射輝度分布を調べる位置で停止する。上からプローブが下りてきて表面電極を押さえ電極間に電流を流す。チップの端面から光が出るのでそれを両側の撮像装置で感受する。ついで検査台をさらに動かして発光スペクトルを調べる位置で停止させる。同じようにプローブで上側電極を押さえてLDを発光させる。それを分光してスペクトルを求める。検査台を元の位置に戻しコレットで持ち上げてアンローディングステーションに置かれ位置形状を測定される。試験の結果によって良品のステージあるいは不良品ステージへ持っていきその凹部へ挿入される。
これはローディンングステーションから移動検査台へ、移動検査台からアンローディングステーションへ、アンローディングステーションから良品・不良品ステージへと、3次元に変位できるコレットによって吸引しチップを搬送するようになっている。
特許文献1の装置は半導体レーザをチップの状態で発光させて、輝度空間分布や発光スペクトルを調べることができた。パッケージに実装する前に良不良を試験できて優れたものである。しかしなお次のような欠点がある。粘着シートを裏面に貼付けウエハ−を切断して分離したチップをローディングステーションに置きコレットで吸引して検査台へ搬送し、検査台からさらにアンローディングステーションへ搬送し、もう一度良品ステージ、不良品ステージへ搬送する。全部でチップ搬送の回数が3回もある。チップ搬送は昇降自在のコレットを上から下ろしチップに当て真空吸引して持ち上げxy方向にコレットを動かして所望の位置へ運ぶようになっている。
チップ分割、搬送、検査、搬送、収納という順序でチップを取り扱う。分割してチップを検査装置へ搬送する必要がある。これが第1の搬送である。検査を終わったチップを検査装置から収納機構へ搬送する必要がある。それは第2の搬送である。搬送機構が二重に必要である、精密な機構であるから高価な装置でありコストを押し上げる。
搬送のためにコレットの先端をチップに押し付け真空引きして持ち上げるのであるが、コレットとチップが接触するときの衝撃によりチップが割れたり欠けたりする可能性もある。搬送が二重だから時間が掛かるという欠点もある。チップを検査装置に運び正確に位置決めする必要があるからチップの外形を予め計測する必要もある。そのための画像処理装置が不可欠でありそれもコストを押し上げる要因となる。
より搬送の回数を減らしてチップとコレットの衝突による破損の可能性を減じ、機構を単純化して装置コスト及び検査コストを低減することができるような発光素子の検査装置を提供することが本発明の目的である。
本発明は、導電性粘着シートを利用しチップを導電性粘着シートによって分割分離してそのままシートからチップを取り外さず、チップの底面電極と上面電極に外部から電流を流し端面発光させてそれを上向き光に変えて全光量と波長ごとの光量(スペクトル)を求めるようにする。導電性粘着シートを使う点が新規な特徴である。横方向に導電性を有し広げても尚十分な導電性を有するシートが入手できる場合は、そのままの形で検査できる。横方向に導電性を持たず縦方向だけに導電性を持つ粘着シートしか入手できない場合は、伝導性のステージに導電性粘着シートを貼付けてから行う。横方向の導電性があっても横方向に引き延ばすと横方向導電性が不足するという場合はやはり伝導性のステージを下に付けて伝導性のステージによって電流を横方向に流すようにする。
ウエハプロセスによって発光素子を製作したウエハの裏面に導電性粘着シートを貼付け、ウエハを分割し、導電性粘着シートを広げてウエハを分離し、導電性粘着シートにテスターのリードを接続し、分離したチップに、プローブ電極、光路変換部、受光素子を含む移動台を接近させ、チップの上部電極をプローブ電極で押さえてテスターから駆動電流を流して発光素子を発光させ端面から横向きに出た光を光路変換部で上向き光にし受光素子で受光し、分岐光を光スペアナに入れて発光スペクトルを調べる。移動台を上げ伝導性のステージを横に移動して次のチップの検査を粘着シートの上で順次行う。
従来法のように、チップ分離したものを搬送機構で検査装置へ搬送し、検査が終わったチップを再び搬送機構で、チップ保管機構へ搬送するという二重の搬送系を簡略化することができる。
チップ搬送系はチップを掴んで持ち上げ水平方向へ運搬する機構やチップの位置や方位を調べるために画像観察装置などを含み高価な装置である。それを一つ削減できるので効果がある。検査時間を短縮するという効果もある。真空チャックでチップを吸い上げることによって搬送するが、真空チャックがチップに衝突することによってチップが損傷する可能性を下げることができる。
それにウエハから分割分離した直後でチップの序列が保持された状態で検査するから、特定の試料について全光量や光スペクトルに偏りあるチップが発見された場合、そのチップのウエハ面での所在が分かる。それによってウエハプロセスにおいてどの工程で不具合が起こるのか?などという製造履歴に遡って製造工程の診断を間接的に行うことができる。それはとても有用な本発明の特徴である。従来のようにランダムにチップ分離して検査する方法では望みがたいことである。
全出力と波長ごとの出力(スペクトル)を調べる必要がある場合は、分岐ファイバを用いて試験光を分岐させる。そうすると2種類の検査を一時で行うことができる。全光量の検査だけで十分だという場合は、光スペアナを省き受光素子で全光量を感受する。受光素子はフォトダイオード、アバランシェフォトダイオード、フォトトランジスタなどを用いることができる。裏面入射型、上面入射型などどちらも利用できる。
光路変換部は四角柱の透明体であって、光入口は平坦面であり、光入口の後方に45°の傾斜をなす平面があってこれが反射鏡として働き横方向の光を上向き光に変換してもよい。この形状では加工は容易であり、移動台上での位置決めが容易になる。
光路変換部を光ファイバで作ることができる。光路変換部を光ファイバで作る場合、分岐光ファイバと一体化できるので構成が単純化される。光ファイバで光路変換部を形成する場合は後面を45゜の傾斜面に切って反射鏡とすることができる。
そうではなくて、彎曲した光ファイバ製の光路変換部を構成することもできる。レンズに続いて光ファイバがあり光ファイバを彎曲させ90゜の光路変換をさせて光路変換部とすることもできる。光ファイバは自在に曲げることができ光路変換は彎曲によってなすこともできる。
光路変換部は金属筒であって、先端に45°傾斜した反射ミラーを取り付けてもよい。この形状は構造が単純で容易に構成できる。
また発光スペクトルを測らない場合は、光路変換部のかわりに光路変換ミラーを用いてもよい。この場合、導電性粘着シートに付けた状態でウエハから分割し分離した半導体素子チップの発光特性をそのままの状態で検査する検査装置の構造をより簡略化できる。
本発明は、導電性粘着シートに付けた状態でウエハから分割し分離した半導体発光素子チップの発光特性をそのままの状態で検査することができる。だから検査に要する時間や工数を低減することができる。
ウエハプロセスにおいて、多数の同等の半導体デバイスが作製される。その状態から出発する。ウエハの上に半導体チップ(例えば半導体レーザLD)2が縦横に多数製作されている。ウエハの裏面に、導電性粘着シート3を貼付ける。粘着シートを貼付けて素子単位ごとに縦横にスクライブして劈開面に沿って切断しチップ分割する。さらに導電性粘着シート3を広げる。シート3の面積は広がるがチップは広がらないから隣接チップ間の間隔が開いていく。チップが分離される。前者のチップが相互に切り放されウエハがチップになることを分割という。後者のチップの間が離隔することを分離という。粘着シートにウエハを付けて分割分離したわけである。粘着シート3に裏面が接着されているのでチップ2は粘着シート3から落ちない。
被試験体である半導体チップ2は端面発光型半導体チップ(LD、LED)である。発光特性のうちでも、発光強度と発光スペクトルの二つについて試験する。上面発光型だとウエハのままでも通電して上向き光を測ればよいのだが、端面入射型だとチップ分離しないと発光を測定できない。
検査のためにxyz3方向に移動できる移動台4を設ける。移動台4から光路変換部5が垂下される。これは透明の柱体あるいは空洞を持つ筒である。移動台4の中には受光素子6が収納される。それは被試験体である半導体チップ2の全発光強度を調べるためのものである。受光素子6に逆バイアスを与えるための電源、受光素子の光電流を増幅、処理する回路が必要である。それらは移動台4の中にあってもよいし、移動台4の外部に設けてもよい。
移動台4の外部に半導体チップ2に電流を流すためのテスター7が設けられる。さらに移動台4の外部には発光スペクトルを調べるための光スペアナ装置8(スペクトルアナライザー)がある。移動台4の下にはプローブ電極9が垂下してある。移動台4は、プローブ電極9と光路変換部5の関係を保持したまま同時にそれらを移動させるという機能を持つ。導電性粘着シート3はそのままでは形が決まらないので伝導性のステージ10に固定するのがよい。
移動台4の中には光ファイバ分岐20が設けられる。光ファイバ分岐20は半導体チップ2から出た光を、受光素子6と光スペアナ8へ導くものである。光ファイバ分岐20の入力部分22は光路変換部5の上頂部54に接続される。第1分岐23は受光素子6の受光部25へつながる。第2分岐24が移動台4の外部へ出て光スペアナ装置8の入力部分26に接続される。
被試験体である発光素子2の底面電極(例えばn電極)27は導電性粘着シート3と接触している。移動台4に設けられたプローブ電極9は金属の棒の先端を尖らせたものである。プローブ電極9の先端は半導体発光素子2の上部電極34(例えばp電極)を押さえる。プローブ電極9の上端部31はリード30を介してテスター7に接続される。テスター7は直流電源である。テスター7から出る他のリード32は導電性粘着シート3に接続される。接続点33が陰極になる。
テスター7・リード30・プローブ電極(陽極)9・半導体発光素子2・導電性粘着シート3は閉じた回路を形成する。テスター7からリード30、32、プローブ電極9を通して半導体発光素子2へ駆動電流Jが与えられる。それによって半導体発光素子2の端面28から前方に向けて光が出る。これが試験の対象物である試験光29である。光の出る方向をx方向とする。それに直角の水平方向成分をy方向とする。縦方向がz方向である。
光路変換部5は光入口50、反射鏡52、上向き通路53、上頂部54よりなる。光路変換部5は透明のガラス柱としてもよい。その場合は四角柱で光入口50はyz面に平行な面とし、反射鏡52は、yz面とxy面の二等分面とする。発光素子2の端面28からx方向に出た試験光は、光路変換部5の光入口50に入り、反射鏡52で90゜反射しz方向に向かう光となる。
試験光29は上向き通路53を伝搬し上頂部54から出て、移動台4に光ファイバ分岐20に入る。そして分岐20で二つの部分光に分かれる。第1分岐23を通った光は受光素子6に入る。ここで全光パワーが検査される。第2分岐24へ進んだ光は光スペアナ8に入る。これによってスペクトルが検査される。
全パワーWと波長毎のパワー(スペクトル)S(λ)が分かるのでその発光素子の発光特性が分かる。一定の駆動電流Jのときの全パワーWとスペクトルS(λ)を調べるのでもよいし、駆動電流Jを変化させて全パワーW(J)とスペクトルS(λ、J)を調べるものでもよい。
あるいは、光路変換部5と光ファイバ20、光ファイバ入力部分22とは一体になった光ファイバを用いてもよい。円形同心コア・クラッド構造を持つ光ファイバを光路変換部5とすれば、上頂部54、入力部分22の結合がなくなり構造が単純化される。
その場合、光入口50がy方向に円形になり、凸レンズとなって集光作用がある。1/fy=(n−1)/Rであるが、n=1.5とすると、大体fy=2Rとなる。y方向に幾分集光されることになる。さらに光入口50にレンズを付けてもよい。光ファイバとすると集光性を上げるためにはコア径の広い方が望ましい。光ファイバであると反射鏡52は端面を45゜程度に斜め研磨しただけのものでよい。
その場合、臨界角ΘはcosΘ=1/nで決まる。たとえばn=1.5とすると、Θ=48゜である。これは45゜より大きいから、45゜斜め光は反射鏡52で全反射する。半導体チップ2の端面28と光路変換部5の光入口50の距離dは、チップ2からの試験光の広がりやファイバクラッドの寸法によって最適値が決められる。
あるいは光路変換部5は金属の筒体とすることもできる。その場合は反射鏡52は斜めに付けた別体のミラーとなる。光入口50に集光レンズを設けるとより多くの発光をミラーへ集めることができる。光は空洞の中を下から上へと進行する。その場合は光ファイバ22に効率よく光を入射させるために上頂部54にレンズを置くようにする。
一つのチップの発光状態の試験が終わると、移動台4を持ち上げる。導電性粘着シート3を伝導性のステージ10とともに1チップ分平行移動する。移動台4を下げて、プローブ電極9の先端が次の試験体であるチップ2の上部電極34に接触するようにする。チップ2の端面28の直前に光路変換部5の光入口50が位置する。テスター7からリード30、プローブ電極9、チップ2、底面電極27、導電性粘着シート3、リード32を通し試験電流Jがチップ2に流れる。チップ2が発光するので同様の試験をする。以下同じような工程を繰り返す。
移動台4とチップ2の位置決めは、顕微鏡を通した目視によってもよい。その場合は一つ一つ人手による観察となる。
あるいは撮像装置と画像処理装置を組み合わせて粘着シート3の上にある試験体チップ2の位置、方位を検出して、移動台4を試験体のチップ2の方へ移動するようにしてもよい。そのようなチップの位置、形状を検出する装置はすでにあるものを用いることができる。
粘着シートはチップ分離の際に用いられるがそれらは絶縁性の粘着シートであった。それでは底面電極との電気的な接続ができない。それで本発明は導電性の粘着シートを用いる。これは電気伝導性のあるシートであり、これが必須の条件となる。しかもウエハ裏面に付けチップに分離した後引き延ばすことができるものでなければならない。布製では伸びないから不適である。樹脂製であってかなりの伸びが可能でなければならない。
さらに縦方向だけでなくて横方向にも電流が流れる方がよい。金属微粒子を含有させた樹脂製のシートで表面抵抗率が0.05Ω/□〜0.1Ω/□程度のものが入手できる。これは延ばさないときの値である、引き延ばすと金属微粒子の接触抵抗が増えるので初めの値より抵抗率が上がる。あるいは銀ペーストを樹脂シートの表面に塗布した導電性フィルムも存在する。これも表面抵抗率が0.06Ω/□〜0.1Ω/□程度のものが入手できる。銀ペーストを表裏貫通して含有させると縦方向にも電流が流れるようにできる。これも引き延ばすと表面抵抗率が上がる。金属微粒子を分散させることによって導電性を出しているので横方向に延ばすと導電性は減少する。伸縮自在でしかも横方向に導電性があるような樹脂シートはなかなか得難いが存在する。
縦方向に導電性のある樹脂シートは金属微粒子を分散させたものがある。これは横方向には殆ど電流が流れないし引き延ばすと横方向抵抗はさらに高くなる。 しかしその場合は伝導性のステージ10にリード32の端を付けることによって粘着シート3には縦方向に電流を流すようにしてもよい。そのような縦方向にのみ電流の流れる異方性導電性シートは比較的入手しやすい。粘着シート3は使い捨てとなるので低コストが望まれる。現在では、そのような導電性あるシートは低コストというわけにはいかない。しかし近い将来にはより伸び縮みできる低廉な導電性シートが入手できるようになるであろう。
図2は第2の実施例に係る装置である。これは光スペアナがなく光路変換部が少し違っている。光スペアナがないので発光素子の発光スペクトルを調べない。全発光強度だけを検査するようになっている。
移動台14は、プローブ電極9と受光素子6と光路変換ミラー55、受光素子6の電源回路や増幅回路などを保持している。移動台14はxyz方向に自在に移動できる。プローブ電極9は金属の棒であり、先端が試験体の半導体発光素子チップ2の上面電極(例えばp電極)34を直接に押さえる。プローブ電極9はリード30によってテスター7につながる。テスター7から出るもう一方のリード32は接続点33において導電性粘着シート3に接続されている。
導電性粘着シート3は伸縮できしかも導電性のある樹脂のシートである。ウエハの裏面に貼付けてからウエハを素子単位に沿って切り出す。列、行に沿って素子単位を折り、チップに分割する。シートの四辺を引っ張ってチップの間隔を開ける。適当な広がりになってから、導電性のステージ10の上面に貼付ける。
チップ2は底面電極27が直接に導電性粘着シート3に接触している。テスター7からリード30、プローブ電極9、上部電極34、チップ内部、底面電極27、導電性粘着シート3、リード32というように閉回路を電流Jが流れる。テスター7は駆動電流Jをチップ2に流す役割を持つ。光路変換ミラー55は斜め45゜に置かれたミラーである。
光路変換ミラー55の横方向(−x方向)には光入口56があり、上方向(z方向)には受光素子6がある。発光素子チップ2は駆動電流Jによって発光する。端面28から出た試験光29は光路変換ミラー55で上向きに反射されて受光素子6に入る。これによって全発光量を検査することができる。受光素子は裏面入射型であってもよいし、上面入射型を上下ひっくりかえしたものであってもよい。
一つのチップ2の検査が終わると、移動台14を上げて、伝導性のステージ10を動かして次の試験体であるチップ2を定位置(試験位置)に移動させる。そして移動台を下げてプローブ電極9を上部電極34に当てて同じ検査を繰り返す。
上記において、本発明の実施の形態及び実施例について説明を行なったが、上記に開示された本発明の実施の形態および実施例は、あくまで例示であって、本発明の範囲はこれら発明の実施の形態に限定されない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載によって示され、さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
2 半導体発光素子チップ
3 導電性粘着シート
4 移動台
5 光路変換部
6 受光素子
7 テスター
8 光スペアナ(スペクトルアナライザー)
9 プローブ電極
10伝導性のステージ
14移動台
20光ファイバ分岐
22光ファイバ入力部分
23第1分岐
24第2分岐
25受光部
26光スペアナ入力部分
27底面電極
28発光素子端面
29試験光
30リード
31上端部
32リード
33接続点(陰極)
34上部電極
50光入口
52反射鏡
53上向き通路
54上頂部
55光路変換ミラー
56光入口
3 導電性粘着シート
4 移動台
5 光路変換部
6 受光素子
7 テスター
8 光スペアナ(スペクトルアナライザー)
9 プローブ電極
10伝導性のステージ
14移動台
20光ファイバ分岐
22光ファイバ入力部分
23第1分岐
24第2分岐
25受光部
26光スペアナ入力部分
27底面電極
28発光素子端面
29試験光
30リード
31上端部
32リード
33接続点(陰極)
34上部電極
50光入口
52反射鏡
53上向き通路
54上頂部
55光路変換ミラー
56光入口
Claims (7)
- 横方向の光を上向きの光に変化する光路変換部と、チップの上部電極を押さえるための金属棒からなるプローブ電極と、発光素子チップの光を受光して全光量を検出する受光素子と、光路変換部からの光を分岐し受光素子と光スペアナへ伝送する光ファイバと、発光素子チップの光を分光してスペクトルを求める光スペアナと、光路変換部、プローブ電極、光ファイバ、受光素子を保持しxyz方向に移動可能な移動台と、プローブ電極と導電性粘着シートの間に電圧を印加し発光素子チップに電流を流すためのテスターとを含み、ウエハプロセスによって発光素子を製作したウエハの裏面を縦横方向に伝導性のある導電性粘着シートに貼付け、素子毎に分割し導電性粘着シートを広げることによってチップ分離し、移動台を動かして、粘着シート上のチップの上部電極にプローブ電極を当てて、テスターからチップに駆動電流を流し、端面からの水平方向の発光を光路変換部によって上向き光にし受光素子と光スペアナに導き発光素子チップの発光の光量とスペクトルを求めるようにし、導電性粘着シートと移動台を相対移動させて順次発光素子チップを検査するようにしたことを特徴とする光半導体検査装置。
- 横方向の光を上向きの光に変化する光路変換部と、チップの上部電極を押さえるための金属棒からなるプローブ電極と、発光素子チップの光を受光して全光量を検出する受光素子と、光路変換部からの光を分岐し受光素子と光スペアナへ伝送する光ファイバと、発光素子チップの光を分光して発光スペクトルを求める光スペアナと、光路変換部、プローブ電極、光ファイバ、受光素子を保持しxyz方向に移動可能な移動台と、プローブ電極と伝導性のステージの間に電圧を印加し発光素子チップに電流を流すためのテスターと、導電性粘着シートを貼付けxy方向に移動可能な伝導性のステージを含み、ウエハプロセスによって発光素子を製作したウエハの裏面を縦方向に伝導性のある導電性粘着シートに貼付け、素子毎に分割し導電性粘着シートを広げることによってチップ分離し、導電性粘着シートを伝導性のステージに貼付け、移動台を動かして、粘着シート上のチップの上部電極にプローブ電極を当てて、テスターからチップに駆動電流を流し、端面からの水平方向の発光を光路変換部によって上向き光にし受光素子と光スペアナに導き発光素子チップの発光の光量とスペクトルを求めるようにし、導電性粘着シートと移動台を相対移動させて順次発光素子チップを検査するようにしたことを特徴とする光半導体検査装置。
- 光路変換部は四角柱の透明体であって、光入口は平坦面であり、光入口の後方に45゜の傾斜をなす平面があってこれが反射鏡として働き横方向の光を上向き光に変換するようにしたことを特徴とする請求項1または2に記載の光半導体検査装置。
- 光路変換部は光ファイバであって、先端を45゜に研磨してあり、凸面から光が入射し研磨面が反射鏡として働き横方向の光を上向き光に変換するようにしたことを特徴とする請求項1または2に記載の光半導体検査装置。
- 光路変換部は金属筒であって、先端に45゜傾斜した反射ミラーが取り付けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の光半導体検査装置。
- 横方向の光を反射して上向きの光に変化する光路変換ミラーと、チップの上部電極を押さえるための金属棒からなるプローブ電極と、光路変換ミラーによって反射された発光素子チップからの光を受光して全光量を検出する受光素子と、光路変換部、プローブ電極、光ファイバ、受光素子を保持しxyz方向に移動可能な移動台と、プローブ電極と導電性粘着シートの間に電圧を印加し発光素子チップに電流を流すためのテスターとを含み、ウエハプロセスによって発光素子を製作したウエハの裏面を縦横方向に伝導性のある導電性粘着シートに貼付け、素子毎に分割し導電性粘着シートを広げることによってチップ分離し、移動台を動かして、粘着シート上のチップの上部電極にプローブ電極を当てて、テスターからチップに駆動電流を流し、端面からの水平方向の発光を光路変換ミラーによって上向き光にし空間伝送して受光素子に導き発光素子チップの発光の光量を求めるようにし、導電性粘着シートと移動台を相対移動させて順次発光素子チップを検査するようにしたことを特徴とする光半導体検査装置。
- 横方向の光を反射して上向きの光に変化する光路変換ミラーと、チップの上部電極を押さえるための金属棒からなるプローブ電極と、光路変換ミラーによって反射された発光素子チップからの光を受光して全光量を検出する受光素子と、光路変換部、プローブ電極、受光素子を保持しxyz方向に移動可能な移動台と、プローブ電極と伝導性のステージの間に電圧を印加し発光素子チップに電流を流すためのテスターと、導電性粘着シートを貼付けxy方向に移動可能な伝導性のステージを含み、ウエハプロセスによって発光素子を製作したウエハの裏面を縦方向に伝導性のある導電性粘着シートに貼付け、素子毎に分割し導電性粘着シートを広げることによってチップ分離し、導電性粘着シートを伝導性のステージに貼付け、移動台を動かして、粘着シート上のチップの上部電極にプローブ電極を当てて、テスターからチップに駆動電流を流し、端面からの水平方向の発光を光路変換ミラーによって上向き光にし空間伝送して受光素子に導き発光素子チップの発光の光量を求めるようにし、導電性粘着シートと移動台を相対移動させて順次発光素子チップを検査するようにしたことを特徴とする光半導体検査装置。
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Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009257820A (ja) * | 2008-04-14 | 2009-11-05 | Otsuka Denshi Co Ltd | 光学特性測定装置および光学特性測定方法 |
JP2011096936A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Alpha- Design Kk | 半導体発光ディバイス製造装置 |
JP2013044665A (ja) * | 2011-08-25 | 2013-03-04 | Micronics Japan Co Ltd | 発光素子の検査装置及び検査方法 |
JP2013120075A (ja) * | 2011-12-06 | 2013-06-17 | Mitsubishi Electric Corp | 故障解析装置および故障解析方法ならびにスクリーニングテスト装置およびスクリーニングテスト方法 |
JP2013173852A (ja) * | 2012-02-24 | 2013-09-05 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 導電性粘着シート及び電子部品の製造方法 |
WO2014020768A1 (ja) * | 2012-08-03 | 2014-02-06 | パイオニア株式会社 | 光量測定装置及び光量測定方法 |
WO2014020978A1 (ja) * | 2012-07-31 | 2014-02-06 | パイオニア株式会社 | 光量測定装置及び光量測定方法 |
JP5567223B2 (ja) * | 2012-07-31 | 2014-08-06 | パイオニア株式会社 | 光量測定装置及び光量測定方法 |
KR20190004773A (ko) * | 2016-07-15 | 2019-01-14 | 코니카 미놀타 가부시키가이샤 | 측색계 |
CN111443272A (zh) * | 2020-05-12 | 2020-07-24 | 中南大学 | 激光器bar条测试方法及设备 |
CN112198589A (zh) * | 2020-10-23 | 2021-01-08 | 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 | 测试结构、晶圆以及晶圆的制造工艺控制监控方法 |
WO2021177778A1 (ko) * | 2020-03-06 | 2021-09-10 | 삼성전자주식회사 | 발광 다이오드 모듈 및 발광 다이오드 검사 방법 |
WO2024021227A1 (zh) * | 2022-07-29 | 2024-02-01 | 河北圣昊光电科技有限公司 | 直向拐向EMLSOA芯片Bar条测试机及检测方法 |
-
2006
- 2006-06-21 JP JP2006170806A patent/JP2008002858A/ja active Pending
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009257820A (ja) * | 2008-04-14 | 2009-11-05 | Otsuka Denshi Co Ltd | 光学特性測定装置および光学特性測定方法 |
JP2011096936A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Alpha- Design Kk | 半導体発光ディバイス製造装置 |
JP2013044665A (ja) * | 2011-08-25 | 2013-03-04 | Micronics Japan Co Ltd | 発光素子の検査装置及び検査方法 |
JP2013120075A (ja) * | 2011-12-06 | 2013-06-17 | Mitsubishi Electric Corp | 故障解析装置および故障解析方法ならびにスクリーニングテスト装置およびスクリーニングテスト方法 |
JP2013173852A (ja) * | 2012-02-24 | 2013-09-05 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 導電性粘着シート及び電子部品の製造方法 |
JP5567223B2 (ja) * | 2012-07-31 | 2014-08-06 | パイオニア株式会社 | 光量測定装置及び光量測定方法 |
WO2014020978A1 (ja) * | 2012-07-31 | 2014-02-06 | パイオニア株式会社 | 光量測定装置及び光量測定方法 |
WO2014020713A1 (ja) * | 2012-07-31 | 2014-02-06 | パイオニア株式会社 | 光量測定装置及び光量測定方法 |
TWI460405B (zh) * | 2012-07-31 | 2014-11-11 | Pioneer Corp | Light amount measuring device and light amount measuring method |
WO2014020768A1 (ja) * | 2012-08-03 | 2014-02-06 | パイオニア株式会社 | 光量測定装置及び光量測定方法 |
KR20190004773A (ko) * | 2016-07-15 | 2019-01-14 | 코니카 미놀타 가부시키가이샤 | 측색계 |
KR102088125B1 (ko) | 2016-07-15 | 2020-03-11 | 코니카 미놀타 가부시키가이샤 | 측색계 |
WO2021177778A1 (ko) * | 2020-03-06 | 2021-09-10 | 삼성전자주식회사 | 발광 다이오드 모듈 및 발광 다이오드 검사 방법 |
CN111443272A (zh) * | 2020-05-12 | 2020-07-24 | 中南大学 | 激光器bar条测试方法及设备 |
CN111443272B (zh) * | 2020-05-12 | 2021-08-17 | 中南大学 | 激光器bar条测试方法及设备 |
CN112198589A (zh) * | 2020-10-23 | 2021-01-08 | 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 | 测试结构、晶圆以及晶圆的制造工艺控制监控方法 |
WO2024021227A1 (zh) * | 2022-07-29 | 2024-02-01 | 河北圣昊光电科技有限公司 | 直向拐向EMLSOA芯片Bar条测试机及检测方法 |
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