CN115524345A - 一种用于半导体的缺陷检测光学系统 - Google Patents

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CN115524345A CN202211491483.0A CN202211491483A CN115524345A CN 115524345 A CN115524345 A CN 115524345A CN 202211491483 A CN202211491483 A CN 202211491483A CN 115524345 A CN115524345 A CN 115524345A
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Abstract

本申请涉及一种用于半导体的缺陷检测光学系统,该系统中第一光源的光垂直照射在样品的表面,产生反射光通过第一二向色镜进入第一套筒透镜,随后经过第二二向色镜后进入反射光检测组件,第二光源的光倾斜照射在样品的表面,产生散射光通过第一二向色镜进入第一套筒透镜,经过第二二向色镜后进入散射光检测组件,第一光源照射在样品上产生的荧光通过第一二向色镜进入第二套筒透镜,通过第二套筒透镜的荧光进入光致发光检测组件,形成包含无限远光学矫正的显微系统以实现自动光学检测和光致发光检测等多通道共存,通过两个光源可以实现明场和暗场的同时的自动光学检测,通过第一二向色镜透射反射光和散射光及反射荧光提高了AOI检测信号的强度。

Description

一种用于半导体的缺陷检测光学系统
技术领域
本申请适用于半导体晶圆检测技术领域,尤其涉及一种用于半导体的缺陷检测光学系统。
背景技术
半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用,如二极管就是采用半导体制作的器件。目前,以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料及器件的开发是新兴半导体产业的核心和基础,其研究开发呈现出日新月异的发展势态。
每个半导体产品的制造都需要数百个工艺,可将整个制造过程分为八个步骤:晶圆加工-氧化-光刻-刻蚀-薄膜沉积-互连-测试-封装等。在晶圆加工过程中,拉单晶、切片、磨片、抛光、增层、光刻、掺杂、热处理以及划片等一系列处理过程均可能使晶圆的表面产生缺陷。为了防止有缺陷的晶圆经过后续七个步骤进入封装环节,需要利用缺陷检测设备来对晶圆产品进行物理性质分析及质量分拣。
现有的晶圆检测通常是对晶圆进行明场(Bright Field,BF)或暗场(Dark Field,DF)表面形貌缺陷自动光学检测(Automated Optical Inspection,AOI),以及光致发光(Photoluminescence,PL)的串行检测,检测时间相互叠加,因此,检测时间久、效率低。为了缩短检测时间,如果将AOI与PL进行并行检测,在光学显微系统中物镜与套筒透镜搭配使用,受限于套筒透镜的焦距,并行检测的通道数量受限,无法开辟更多的检测通道获得更多的荧光信息,将AOI与PL集成在同一光学系统中,此时AOI检测信号的强度90%被牺牲掉,未能充分利用,造成AOI检测信号的强度偏低。因此,如何在AOI与PL集成的并行检测光学系统中使用多个检测通道且提高AOI检测信号强度,以提高检测效率和准确率成为亟待解决的问题。
发明内容
有鉴于此,本申请实施例提供了一种用于半导体的缺陷检测光学系统,以解决如何在AOI与PL集成的并行检测光学系统中使用多个检测通道且提高AOI检测信号强度,以提高检测效率和准确率的问题。
本申请提供一种用于半导体的缺陷检测光学系统,所述缺陷检测光学系统包括第一光源、第二光源、第一二向色镜、第二二向色镜、第一套筒透镜、第二套筒透镜、反射光检测组件、散射光检测组件和光致发光检测组件;
所述第一光源的光垂直照射在样品的表面,产生的反射光通过所述第一二向色镜后进入所述第一套筒透镜,从所述第一套筒透镜出射的所述反射光经过所述第二二向色镜后进入所述反射光检测组件;
所述第二光源的光倾斜照射在所述样品的表面,产生的散射光通过所述第一二向色镜后进入所述第一套筒透镜,从所述第一套筒透镜出射的所述散射光经过所述第二二向色镜后进入所述散射光检测组件;
所述第一光源照射在所述样品上产生的荧光通过所述第一二向色镜进入所述第二套筒透镜,通过所述第二套筒透镜的荧光进入所述光致发光检测组件。
在一实施方式中,所述缺陷检测光学系统还包括第一分光元件,所述第一分光元件设置在所述第一二向色镜与所述第一套筒透镜之间,所述第一分光元件用于将所述第一光源发出的光反射后通过所述第一二向色镜垂直照射至所述样品的表面,且所述第一分光元件用于透射所述反射光和所述散射光。
在一实施方式中,所述缺陷检测光学系统还包括工程散射片、第一光源透镜、光源反射镜、针孔滤波器和第二光源透镜,所述第一光源发出的光依次通过所述工程散射片、所述第一光源透镜、所述光源反射镜、所述针孔滤波器和所述第二光源透镜后进入所述第一分光元件。
在一实施方式中,所述缺陷检测光学系统还包括显微物镜,所述显微物镜设置在所述第一二向色镜与所述样品之间,所述第一二向色镜出射的光通过所述显微物镜到达所述样品的表面,所述反射光、所述散射光和所述荧光通过所述显微物镜进入所述第一二向色镜。
在一实施方式中,所述 第二光源设置在所述显微物镜的外周壁上,所述第二光源发出的光斜照射在所述样品表面。
在一实施方式中,所述反射光检测组件包括第一滤光片和第一探测器,所述第一滤光片用于过滤掉从所述第二二向色镜出射的所述散射光,所述第一探测器用于检测过滤后的所述反射光。
在一实施方式中,所述散射光检测组件包括第二滤光片和第二探测器,所述第二滤光片用于过滤掉从所述第二二向色镜出射的所述反射光,所述第二探测器用于检测过滤后的所述散射光。
在一实施方式中,所述光致发光检测组件还包括第二分光元件、光谱仪和第三分光元件,所述第二分光元件的入射光轴对准所述第二套筒透镜,所述第二分光元件用于将通过所述第二套筒透镜入射的荧光分为两路光路,其中,一光路的光进入所述光谱仪,另一光路的光进入所述第三分光元件,所述第三分光元件用于将光路上的荧光分为两路光路 。
在一实施方式中,所述光致发光检测组件还包括聚焦透镜,所述聚焦透镜设置在所述光谱仪与所述第二分光元件之间的光路上,光路上的光进入所述聚焦透镜的光入射端,所述聚焦透镜的光出射端通过光纤连接所述光谱仪。
在一实施方式中,所述光致发光检测组件还包括第三滤光片、第三探测器、第四滤光片和第四探测器, 所述第三滤光片用于选择从所述第三分光元件出射的所述荧光的一部分波段,所述第三探测器用于检测过滤后的所述部分波段荧光,所述第四滤光片用于选择从所述第三分光元件出射的所述荧光的另一部分波段,所述第四探测器用于检测过滤后的所述另一部分波段荧光。
本申请实施例与现有技术相比存在的有益效果是:本申请缺陷检测光学系统包括第一光源、第二光源、第一二向色镜、第二二向色镜、第一套筒透镜、第二套筒透镜、反射光检测组件、散射光检测组件和光致发光检测组件,第一光源的光垂直照射在样品的表面,产生的反射光通过第一二向色镜后进入第一套筒透镜,从第一套筒透镜出射的反射光经过第二二向色镜后进入反射光检测组件,第二光源的光倾斜照射在样品的表面,产生的散射光通过第一二向色镜后进入第一套筒透镜,从第一套筒透镜出射的散射光经过第二二向色镜后进入散射光检测组件,第一光源照射在样品上产生的荧光通过第一二向色镜进入第二套筒透镜,通过第二套筒透镜的荧光进入光致发光检测组件,形成包含无限远光学矫正的显微系统以实现自动光学检测和光致发光检测等多通道共存,通过两个光源可以实现明场和暗场的同时的自动光学检测,通过第一二向色镜透射明场反射光和暗场散射光及反射荧光提高了AOI检测信号的强度,能够有助于提高检测效率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例一提供的一种用于半导体的缺陷检测光学系统的结构框图;
图2是本申请实施例二提供的一种用于半导体的缺陷检测光学系统的结构框图;
图3是本申请实施例三提供的一种用于半导体的缺陷检测光学系统的结构框图;
图4是本申请实施例四提供的一种用于半导体的缺陷检测光学系统的结构框图;
其中,1、第一光源;2、第二光源;3、工程散射片;4、第一光源透镜;5、光源反射镜;6、针孔滤波器;7、第二光源透镜;8、第一分光元件;9、第一二向色镜;10、显微物镜;11、样品;12、第一套筒透镜;13、第二二向色镜;14、反射光检测组件;141、第一滤光片;142、第一探测器;15、散射光检测组件;151、第二滤光片;152、第二探测器;16、荧光反射镜;17、第二套筒透镜;18、光致发光检测组件;181、第二分光元件;182、聚焦透镜;183、光谱仪;184、第三分光元件;185、第三滤光片;186、第三探测器;187、第四滤光片;188、第四探测器。
具体实施方式
以下描述中,为了说明而不是为了限定,提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节,以便透彻理解本申请实施例。然而,本领域的技术人员应当清楚,在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本申请。在其它情况中,省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明,以免不必要的细节妨碍本申请的描述。
应当理解,当在本申请说明书和所附权利要求书中使用时,术语“包括”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在,但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
还应当理解,在本申请说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合,并且包括这些组合。术语“横向”、“竖向”、 “长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。在本申请的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。另外,在本申请说明书和所附权利要求书的描述中,术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本申请说明书中描述的参考“一个实施例”或“一些实施例”等意味着在本申请的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。由此,在本说明书中的不同之处出现的语句“在一个实施例中”、“在一些实施例中”、“在其他一些实施例中”、“在另外一些实施例中”等不是必然都参考相同的实施例,而是意味着“一个或多个但不是所有的实施例”,除非是以其他方式另外特别强调。术语“包括”、“包含”、“具有”及它们的变形都意味着“包括但不限于”,除非是以其他方式另外特别强调。
需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。为了说明本申请的技术方案,下面通过具体实施例来进行说明。
参见图1,为本申请实施例一提供的一种用于半导体的缺陷检测光学系统的结构框图,如图1所示,所述缺陷检测光学系统包括第一光源1、第二光源2、第一二向色镜9、第二二向色镜13、第一套筒透镜12、第二套筒透镜17、反射光检测组件14、散射光检测组件15和光致发光检测组件18。
所述第一光源1的光垂直照射在样品11的表面,产生的反射光通过所述第一二向色镜9后进入所述第一套筒透镜12,从所述第一套筒透镜12出射的所述反射光经过所述第二二向色镜13后进入所述反射光检测组件14。
所述第二光源2的光倾斜照射在所述样品11的表面,产生的散射光通过所述第一二向色镜9后进入所述第一套筒透镜12,从所述第一套筒透镜12出射的所述散射光经过所述第二二向色镜13后进入所述散射光检测组件15。
所述第一光源1照射在所述样品11上产生的荧光通过所述第一二向色镜9进入所述第二套筒透镜17,所述第二光源2照射在所述样品11上产生的荧光通过所述第一二向色镜9进入所述第二套筒透镜17,通过所述第二套筒透镜17的荧光进入所述光致发光检测组件18。
第一光源1发出的光照射至样品11的表面,收集经样品11反射后的反射光形成明场的AOI,第二光源2发出的光照射至样品11的表面,收集经样品11散射后的散射光形成暗场的AOI。
第一光源1的光照射在样品11上之后,会使得样品11产生对应的荧光,光致发光检测组件18用于收集样品11产生的荧光,形成荧光图像即光致发光检测。荧光产生具体的是,样品11吸收第一光源1的光子后重新辐射出光子的过程,即样品11吸收第一光源的光子跃迁到较高能级的激发态后返回低能态,同时放出光子的过程,所放出的光子能量与电子从较高能级的激发态跃迁至低能态所释放的能量相当。
本申请中样品11可以为Mini LED、Micro LED以及半导体外延片等半导体样品,检测组件中分别可以有相应的探测设备进行光信号的探测,通过上述第一光源1和第二光源2分别照射在样品11上,产生的反射光和散射光通过一个套筒透镜分别由相应的检测组件进行采集,产生的荧光通过一个套筒透镜由相应的检测组件进行采集,形成包含两个无限远光学矫正显微系统以实现自动光学检测和光致发光检测检测等多通道共存,通过两个光源可以实现明场和暗场的同时的自动光学检测,通过第一二向色镜透射明场反射光和暗场散射光及反射荧光,提高了AOI检测信号的强度,能够有助于提高检测效率。
在一实施方式中,所述第一二向色镜9为短波通滤波器,用于透射较短波长的所述入射光、反射光以及散射光,使所述反射光以及散射光以较低的能量损耗进入反射光检测组件和散射光检测组件中,探测器能够探测到更高的信号强度,反射所述较大波长的荧光改变其传播方向,使荧光沿光致发光检测组件行进。
如图2所示,为本申请实施例二提供的一种用于半导体的缺陷检测光学系统的结构框图,如图2所示,在实施例一的基础上,所述缺陷检测光学系统还包括第一分光元件8,所述第一分光元件8设置在所述第一二向色镜9与所述第一套筒透镜12之间,所述第一分光元件8用于将所述第一光源1发出的光反射后通过所述第一二向色镜9垂直照射至所述样品11的表面,且所述第一分光元件8用于透射所述反射光和所述散射光。
本申请的第一分光元件8用于将第一光源1发出的光进行光路修正,以垂直照射至样品11表面,并且能够透射从第一二向色镜9进入第一套筒透镜12的光,也即是样品11对第一光源1的反射光和第二光源2的散射光。从而降低了第一光源1的构造难度,使得反射光更加准确地被检测到。
在一实施方式中,如图2所示,所述缺陷检测光学系统还包括工程散射片3、第一光源透镜4、光源反射镜5、针孔滤波器6和第二光源透镜7,所述第一光源1发出的光依次通过所述工程散射片3、所述第一光源透镜4、所述光源反射镜5、所述针孔滤波器6和所述第二光源透镜7后进入所述第一分光元件8。上述的光路能够将第一光源1出射的同轴入射光进行准直扩束或缩束及匀化光斑质量,从而提高了第一光源1的光源质量。
参见图3,为本申请实施例三提供的一种用于半导体的缺陷检测光学系统的结构框图,如图3所示,在实施例二的基础上,所述缺陷检测光学系统还包括显微物镜10,所述显微物镜10设置在所述第一二向色镜9与所述样品11之间,所述第一二向色镜9出射的光通过所述显微物镜10到达所述样品11的表面,所述反射光、所述散射光和所述荧光通过所述显微物镜10进入所述第一二向色镜9。
其中,显微物镜10用于对样品11进行显微成像,以放大样品11表面的纹理等,从而得到样品11的表面形貌缺陷、亚表面层错、位错缺陷等物理特性。
在一实施方式中,如图3所示,所述 第二光源2设置在所述显微物镜10的外周壁上,所述第二光源2发出的光斜照射在所述样品11表面。其中,所述第二光源2可以为LED环形光源,LED环形光源的中间包围显微物镜10,从而不会遮挡视场。
参见图4,为本申请实施例三提供的一种用于半导体的缺陷检测光学系统的结构框图,如图4所示,在实施例三的基础上,所述反射光检测组件14包括第一滤光片141和第一探测器142,所述第一滤光片141用于过滤掉从所述第二二向色镜13出射的散射光,所述第一探测器142用于检测过滤后的反射光。
其中,探测器的探测芯片将光信号转换为电信号后传输至计算机上,得到反射光构成的明场自动光学检测的图像。
在一实施方式中,如图4所示,所述散射光检测组件15包括第二滤光片151和第二探测器152,所述第二滤光片151用于过滤掉从所述第二二向色镜13出射的反射光,所述第二探测器152用于检测过滤后的散射光。
其中,探测器的探测芯片将光信号转换为电信号后传输至计算机上,得到散射光构成的暗场自动光学检测的图像。
如图4所示,所述光致发光检测组件18还包括第二分光元件181、光谱仪183和第三分光元件184,所述第二分光元件181的入射光轴对准所述第二套筒透镜17,所述第二分光元件181用于将通过所述第二套筒透镜17入射的荧光分为两路光路,其中,一光路的光进入所述光谱仪183,另一光路的光进入所述第三分光元件184,所述第三分光元件184用于将光路上的荧光分为两路光路 。
如图4所示,所述光致发光检测组件18还包括聚焦透镜182,所述聚焦透镜182设置在所述光谱仪183与所述第二分光元件181之间的光路上,光路上的光进入所述聚焦透镜182的光入射端,所述聚焦透镜182的光出射端通过光纤连接所述光谱仪183。
如图4所示,所述光致发光检测组件18还包括第三滤光片185、第三探测器186、第四滤光片187和第四探测器188, 所述第三滤光片185用于选择从所述第三分光元件184出射的所述荧光的一部分波段,所述第三探测器186用于检测过滤后的所述部分波段荧光,所述第四滤光片187用于选择从所述第三分光元件184出射的所述荧光的另一部分波段,所述第四探测器188用于检测过滤后的所述另一部分波段荧光。
其中,光致发光产生的荧光光谱可以获得与样品11的物理性质相关的信息,通过获取的荧光光谱不仅能够得到样品11内部的缺陷信息,结合荧光图像可以对样品11进行分选,具有检测精确度高的特点,同时从荧光光谱还能获取样品11的峰值波长、主波长、光谱半高宽、积分光强、峰值强度等信息,有利于进行样品11的优劣分选。例如,样品11为晶圆时,使用上述系统即可无接触的实现晶圆优劣分选。
如图4所示,所述光致发光检测组件18中每个探测器前端还设置有对应的滤光片,第三探测器186前设置有第三滤光片185,第四探测器188前设置有第四滤光片187。滤光片用于阻断所述第一光源1照射样品11后产生的反射光和第二光源2照射样品11后产生的散射光,从而透过荧光,降低非荧光对荧光探测的影响。为了降低光路的长度,在第一二向色镜9和第二套筒透镜17之间设置荧光反射镜16,以将改变荧光的光路方向,缩小系统的体积。
所述第一探测器142、第二探测器152、第三探测器186和第四探测器188均可为线阵工业相机或面阵工业相机,所述第一光源1的波长比样品11的峰值波长小100nm及以上,所述第二光源2的波长比样品11的峰值波长小40nm左右,所述第二二向色镜13为长波通滤波器。
本申请提供的用于半导体的缺陷检测光学系统,采用照明光路模块中的第一光源1匀化同轴入射、第二光源2斜入射分别照射半导体样品11,能够获得半导体样品11表面形貌缺陷的同轴反射明场图像以及散射暗场图像,同时,第一光源1也能够激发半导体样品11光致发光产生荧光。采用分光元件及短波通二向色镜组合能够有效反射荧光至光致发光检测组件光路中,并有效透射反射光及散射光至自动光学检测模块,不造成光能量的大量损耗,提高对半导体进行自动光学检测和光致发光缺陷检测的信号强度;采用多个套筒透镜可以分割出多个缺陷检测通道,有效提升缺陷检测的通道数量,通道数目不再受限于单个套筒透镜的焦距范围。以此为基础,高精度、无接触、快速的对单个视场进行半导体缺陷检测,分析物理性质与分选半导体样品优劣;通过三个不同检测组件可以精准分割出AOI明暗场缺陷检测与荧光缺陷检测;基于此系统,可实现对半导体缺陷进行高精度、无接触、快速、并行的显微光致发光与自动光学检测。
本申请不对上述步骤的顺序进行限定,上述步骤的顺序与其具体实现过程相关,上述步骤所实现的过程与上述电池充放电保护用驱动电路中各电路的实现过程相同,在此不再赘述。在对该方法进行实施时,可以将其包装成控制程序,并安装在相应的处理器的存储器中,处理器处理该程序来实现上述的方法。
以上所述仅为本申请的较佳实施例而已,并不用以限制本申请,凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种用于半导体的缺陷检测光学系统,其特征在于,所述缺陷检测光学系统包括第一光源、第二光源、第一二向色镜、第二二向色镜、第一套筒透镜、第二套筒透镜、反射光检测组件、散射光检测组件和光致发光检测组件;
所述第一光源的光垂直照射在样品的表面,产生的反射光通过所述第一二向色镜后进入所述第一套筒透镜,从所述第一套筒透镜出射的所述反射光经过所述第二二向色镜后进入所述反射光检测组件;
所述第二光源的光倾斜照射在所述样品的表面,产生的散射光通过所述第一二向色镜后进入所述第一套筒透镜,从所述第一套筒透镜出射的所述散射光经过所述第二二向色镜后进入所述散射光检测组件;
所述第一光源照射在所述样品上产生的荧光通过所述第一二向色镜进入所述第二套筒透镜,通过所述第二套筒透镜的荧光进入所述光致发光检测组件。
2.根据权利要求1所述的缺陷检测光学系统,其特征在于,所述缺陷检测光学系统还包括第一分光元件,所述第一分光元件设置在所述第一二向色镜与所述第一套筒透镜之间,所述第一分光元件用于将所述第一光源发出的光反射后通过所述第一二向色镜垂直照射至所述样品的表面,且所述第一分光元件用于透射所述反射光和所述散射光。
3.根据权利要求2所述的缺陷检测光学系统,其特征在于,所述缺陷检测光学系统还包括工程散射片、第一光源透镜、光源反射镜、针孔滤波器和第二光源透镜,所述第一光源发出的光依次通过所述工程散射片、所述第一光源透镜、所述光源反射镜、所述针孔滤波器和所述第二光源透镜后进入所述第一分光元件。
4.根据权利要求1所述的缺陷检测光学系统,其特征在于,所述缺陷检测光学系统还包括显微物镜,所述显微物镜设置在所述第一二向色镜与所述样品之间,所述第一二向色镜出射的光通过所述显微物镜到达所述样品的表面,所述反射光、所述散射光和所述荧光通过所述显微物镜进入所述第一二向色镜。
5.根据权利要求4所述的缺陷检测光学系统,其特征在于,所述第二光源设置在所述显微物镜的外周壁上,所述第二光源发出的光斜照射在所述样品表面。
6.根据权利要求1所述的缺陷检测光学系统,其特征在于,所述反射光检测组件包括第一滤光片和第一探测器,所述第一滤光片用于过滤掉从所述第二二向色镜出射的所述散射光,所述第一探测器用于检测过滤后的所述反射光。
7.根据权利要求1所述的缺陷检测光学系统,其特征在于,所述散射光检测组件包括第二滤光片和第二探测器,所述第二滤光片用于过滤掉从所述第二二向色镜出射的所述反射光,所述第二探测器用于检测过滤后的所述散射光。
8.根据权利要求1所述的缺陷检测光学系统,其特征在于,所述光致发光检测组件还包括第二分光元件、光谱仪和第三分光元件,所述第二分光元件的入射光轴对准所述第二套筒透镜,所述第二分光元件用于将通过所述第二套筒透镜入射的荧光分为两路光路,其中,一光路的光进入所述光谱仪,另一光路的光进入所述第三分光元件,所述第三分光元件用于将光路上的荧光分为两路光路。
9.根据权利要求8所述的缺陷检测光学系统,其特征在于,所述光致发光检测组件还包括聚焦透镜,所述聚焦透镜设置在所述光谱仪与所述第二分光元件之间的光路上,光路上的光进入所述聚焦透镜的光入射端,所述聚焦透镜的光出射端通过光纤连接所述光谱仪。
10.根据权利要求8所述的缺陷检测光学系统,其特征在于,所述光致发光检测组件还包括第三滤光片、第三探测器、第四滤光片和第四探测器,所述第三滤光片用于选择从所述第三分光元件出射的所述荧光的一部分波段,所述第三探测器用于检测过滤后的所述部分波段荧光,所述第四滤光片用于选择从所述第三分光元件出射的所述荧光的另一部分波段,所述第四探测器用于检测过滤后的所述另一部分波段荧光。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115855971A (zh) * 2023-02-28 2023-03-28 深圳市壹倍科技有限公司 半导体缺陷检测系统

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN208476792U (zh) * 2018-08-01 2019-02-05 德诺杰亿(北京)生物科技有限公司 光学检测装置
CN110308127A (zh) * 2019-08-15 2019-10-08 四川朴澜医疗科技有限公司 可多荧光信号同时检测的光学分析装置
CN210294061U (zh) * 2016-12-22 2020-04-10 株式会社埃塔麦斯 同时检测光致发光和散射光的缺陷检查装置
CN111239093A (zh) * 2020-03-13 2020-06-05 苏州雅睿生物技术有限公司 一种平面式微型多通道荧光检测光学系统
CN111458312A (zh) * 2020-03-09 2020-07-28 哈尔滨工业大学 一种软脆光学晶体加工表层微区荧光性缺陷检测光学系统
CN112229854A (zh) * 2020-09-03 2021-01-15 中国科学院上海光学精密机械研究所 一种球面光学元件表面缺陷测量装置和测量方法
CN113768472A (zh) * 2021-11-10 2021-12-10 华中科技大学 一种具有荧光标记的三维图像获取装置及方法
CN114235836A (zh) * 2021-12-16 2022-03-25 深圳市壹倍科技有限公司 一种用于半导体缺陷检测的系统
CN115268019A (zh) * 2022-07-15 2022-11-01 深圳赛陆医疗科技有限公司 套筒透镜、光检测显微系统、基因测序仪及使用方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN210294061U (zh) * 2016-12-22 2020-04-10 株式会社埃塔麦斯 同时检测光致发光和散射光的缺陷检查装置
CN208476792U (zh) * 2018-08-01 2019-02-05 德诺杰亿(北京)生物科技有限公司 光学检测装置
CN110308127A (zh) * 2019-08-15 2019-10-08 四川朴澜医疗科技有限公司 可多荧光信号同时检测的光学分析装置
CN111458312A (zh) * 2020-03-09 2020-07-28 哈尔滨工业大学 一种软脆光学晶体加工表层微区荧光性缺陷检测光学系统
CN111239093A (zh) * 2020-03-13 2020-06-05 苏州雅睿生物技术有限公司 一种平面式微型多通道荧光检测光学系统
CN112229854A (zh) * 2020-09-03 2021-01-15 中国科学院上海光学精密机械研究所 一种球面光学元件表面缺陷测量装置和测量方法
CN113768472A (zh) * 2021-11-10 2021-12-10 华中科技大学 一种具有荧光标记的三维图像获取装置及方法
CN114235836A (zh) * 2021-12-16 2022-03-25 深圳市壹倍科技有限公司 一种用于半导体缺陷检测的系统
CN115268019A (zh) * 2022-07-15 2022-11-01 深圳赛陆医疗科技有限公司 套筒透镜、光检测显微系统、基因测序仪及使用方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115855971A (zh) * 2023-02-28 2023-03-28 深圳市壹倍科技有限公司 半导体缺陷检测系统

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