JP3297347B2 - アクティブマトリクスディスプレイ - Google Patents

アクティブマトリクスディスプレイ

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
クスディスプレイに関し、特にマトリクス内のアクティ
ブ素子として低温ポリシリコン薄膜トランジスタを用い
ている液晶アクティブマトリクスディスプレイに関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来知られているアクティブマトリクス
ディスプレイは、液晶などの表示材料の光学特性を制御
するために、マトリクス状に配置されたアドレス配線内
にアクティブ回路を有している。図1は、典型的なアク
ティブマトリクスディスプレイの構成を示している。1
は、絵素(ピクセル)が規則的に配置された矩形状のア
レイである。ピクセルアレイ1の行のアドレスは、スキ
ャンドライバ2によって行われ、列のアドレスはデータ
ドライバ3によって行われる。4は、典型的なピクセル
の回路を示している。
【0003】各ピクセルは、ホールドキャパシタ5に並
列に接続された表示素子(図示せず)を有している。ホ
ールドキャパシタ5は、薄膜電界効果トランジスタ6の
ソースと、コモン配線または1つ前のゲート配線との間
に接続されている。トランジスタ6のゲートは、そのピ
クセルが属する行の全てのピクセルに共通のスキャン電
極8に接続されている。また、トランジスタ6のドレイ
ンは、そのピクセルが属する列の全てのピクセルに共通
のデータ電極7に接続されている。各スキャン電極8
は、スキャンドライバ2の出力のうちの対応するものに
接続されており、各データ電極7は、データドライバ3
の出力のうちの対応するものに接続されている。
【0004】動作時には、各行のピクセル表示データ
が、スキャンドライバ2からスキャン電極8に周期的に
繰り返して与えられるスキャンパルスに同期して、デー
タドライバ3からデータ電極7に与えられる。このた
め、同じ行のピクセルは、全ての行がリフレッシュされ
て1フレームの表示データのリフレッシュが完了するま
で同時にリフレッシュされる。その後、次のフレームの
データについてこのプロセスが繰り返される。
【0005】各ピクセルのスキャン電極8がスキャンド
ライバ2からスキャンパルスを受け取ると、データ電極
7の電圧によってホールドキャパシタ5が充電される。
スキャンパルスが除かれると、トランジスタ6はホール
ドキャパシタ5をデータ電極7から切り離す。それによ
り関連する表示素子の光学特性は、そのピクセルが次の
フレームでリフレッシュされるまでホールドキャパシタ
5に印加された電圧に対応したものとなる。
【0006】アクティブマトリクス液晶ディスプレイで
は、ホールドキャパシタ5に蓄積された電圧は、液晶層
の光学特性を変調するために用いられる。従来知られて
いるディスプレイでは、スイッチング素子として用いら
れるトランジスタ6はアモルファスシリコン薄膜トラン
ジスタで構成される。各ピクセルのリフレッシュサイク
ルの間、キャパシタ5に蓄積された電圧の動的な振るま
いは、画質を決定する上でかなり重要である。
【0007】たいていの液晶装置では、印加電圧と液晶
上の表面電荷との間の関係は非線形であり、時間依存性
を有している。これは誘電率異方性として知られてい
る。このことは、液晶装置の実効容量が印加電圧と液晶
の応答速度との関数であることを示唆している。従来の
アクティブマトリクス液晶装置のピクセルでは、理想的
ではない液晶容量Clc(図2に9で示されている)が
固定された蓄積容量Csに並列に接続されている。スキ
ャンパルスをスキャン電極8に与えることによってピク
セルにアドレスすると、そのピクセルのトランジスタ6
のゲート電圧は比較的短い時間ハイになり、それにより
表示素子は、目に見えるフリッカを防ぐのに十分な速さ
でリフレッシュされる。したがって、並列に接続された
キャパシタ5と表示素子9との組み合わせを有する容量
の充電時間は、液晶容量Clcの電圧依存性が実質的に
何の影響も及ぼさないほど十分に短い。このため液晶容
量Clcはスキャンパルスが継続している間一定である
としてもよい。しかしながら、スキャンパルスとスキャ
ンパルスとの間では、トランジスタ6はキャパシタ5お
よび表示素子9を実質的に切り離してしまうので、並列
に接続されたキャパシタ5および表示素子9全体の電荷
は実質的に一定のままである。液晶が印加電圧に応答す
ると、液晶容量Clcが変わるため、表示素子にかかる
最終的な電圧は、パルスの振幅とは等しくなくなり、ゆ
えにピクセルのスキャン中にデータ電極7に与えられる
データ電圧には対応しなくなる。液晶が正の誘電率異方
性を有している場合には、容量が増えて液晶表示素子に
かかる電圧は低下する。
【0008】図3(a)〜(c)は誘電率異方性の影響
を示すグラフであり、いずれも時間に対するゲート電圧
およびディスプレイの透過率を示している。図3(a)
は、1リフレッシュ期間に1つのパルスを与えたときの
液晶の応答を示している。データ電極の電圧は、ゲート
電圧を比較的継続期間が短いパルスの形で提供する。こ
の図では実現したい透過率の値を左側の縦軸上に示して
いるが、実際の液晶表示素子の透過特性は実現したい透
過率よりも低くなっている。つまり、液晶が電圧に応答
すると、容量が増えて液晶にかかる電圧が低下し、結果
として透過率が所望の値に達しない。
【0009】図3(b)は、図3(a)に対応するグラ
フであり、複数のリフレッシュ期間(図では3回のリフ
レッシュ期間)にわたってピクセルに同じデータ信号を
与えたときの影響を示している。このように、一連のス
キャンパルスをピクセルに与えることによって所望の透
過率を実現することができる。
【0010】図3(c)は、図3(a)および(b)に
対応しており、より低いインピーダンスの電源からの液
晶容量の充電の影響を示している。これは、例えばトラ
ンジスタ6をより長い期間にわたってオン状態にし、そ
れによりホールドキャパシタ5および液晶容量Clcを
比較的低い出力インピーダンスを有するデータドライバ
3の各出力から充電することによって実現され得る。し
たがって液晶表示素子は所望の透過率を実現することが
できるが、ディスプレイをリフレッシュすることができ
るレートは大幅に減少し、フリッカなどの望ましくない
現象が観察されるようになる。
【0011】理想的でない容量の影響を減少させる方法
として、ホールドキャパシタの容量Csを理想的ではな
い液晶容量Clcよりもかなり大きくするという方法が
知られている。このアプローチは、典型的には10-4
/m2の表面電荷密度を有する典型的なネマティック材
料に対して用いることができる。しかしながら、切り替
えられる状態によって大きく表面電荷密度が異なる液晶
モードもある。このような材料を従来のアクティブマト
リクス駆動方法を用いて駆動するには、スキャン電極が
ハイになっている期間中にこの高い値の電荷を供給する
ことが必要である。スキャン期間の間は、液晶材料が応
答するのに十分な時間がないため、これには、非常に大
きな蓄積キャパシタ、非常に高いデータ電圧と従来のサ
イズのキャパシタ、あるいはこれらの手法を折衷した手
法が必要とされる。一般に、このような条件のもとで従
来のアクティブマトリクス駆動方法を用いることを検討
するのは、実用的ではない。なぜなら、大きな容量およ
び/または電圧を組み合わせると、開口率やディスプレ
イの消費電力に悪影響が及び得るからである。このよう
な材料には、例えば、表面安定化強誘電液晶のような自
発分極を有する液晶装置、あるいは、電傾(electrocli
nics)、ヘリオエレクトリック(helioelectrics)、変
形らせん強誘電、反強誘電、ランダム相およびカラムナ
ーのような電界誘起自発分極を有する液晶装置が含まれ
る。
【0012】誘電率異方性の影響に加えて、薄膜トラン
ジスタ6のリーク電流の影響も視覚的に望ましくない現
象を起こす要因の1つである。リーク電流はゲート電圧
が閾値電圧よりも下であるときにトランジスタのチャネ
ルを流れる電流である。リーク電流が高すぎると、液晶
表示素子にかかる電圧はフレーム期間の間に大幅に低下
する。その結果、表示素子の透過特性は、リフレッシュ
とリフレッシュとの間で著しく変わることになり、ディ
スプレイを観察している観察者にフリッカが見えるよう
になる。
【0013】近年の薄膜トランジスタ製造技術の進展に
よって、高性能のポリシリコン薄膜トランジスタの開発
が進んでいる。特に、現在では、このようなトランジス
タを、ディスプレイに用いられるガラス基板に適合する
ほど低い温度で作製することが可能である。さらに、こ
のようなトランジスタは、従来のアモルファスシリコン
薄膜トランジスタに比べて駆動能力も向上しており、そ
れゆえにディスプレイの各ピクセル内だけではなく、ド
ライバ2および3のような高速の周辺駆動回路にも用い
られるようになっている。これにより、駆動回路を搭載
したディスプレイの製造コストを低減することができ
る。
【0014】ピクセルレベルでは、ポリシリコントラン
ジスタは、アモルファスシリコントランジスタよりも小
さくすることができ、それにより開口率を高め、スキャ
ン電圧のフィードスルーを減少させることができる。し
かしながら、ポリシリコン薄膜トランジスタのリーク電
流はアモルファスシリコン薄膜トランジスタよりもかな
り大きく、トランジスタ6のゲート−ソース間の電圧と
ドレイン−ソース間の電圧とに非常に依存しているオフ
状態でのリークは、ディスプレイパネル内で最もばらつ
くパラメータの1つになっている。したがってこれらの
特性は、アクティブマトリクス液晶ディスプレイパネル
にスイッチング素子としてポリシリコン薄膜トランジス
タを用いる際の主要な問題となっている。
【0015】図4は、2種類の異なる温度および2種類
のドレイン−ソース電圧について、ゲート−ソース電圧
に対するドレイン電流を示しており、ドレイン電流は対
数をとったもので示している。ドレイン−ソース電圧を
下げると、いずれの温度でもリーク電流は指数的に減少
する。このため、知られているように、トランジスタの
ドレインでの電界を小さくすることによってリーク電流
を低減することができる。これを実現するための手法と
して、F.Okumura and K. Sera, A.M.L.C.D., p24-27 (1
994)には、低濃度ドープドレイン(LDD)構造、オフ
セットゲート(OG)構造、アクティブゲート(AG)
構造およびマルチゲート構造が開示されている。
【0016】LDD構造およびOG構造は、ドレインで
の電界を低減するだけではなく、オン電流に悪影響を及
ぼし、結果としてトランジスタの速度を下げる。したが
って、このような構造は、一体型ディスプレイには理想
的ではない。一体型ディスプレイでは、オフ電流の低減
が重要であるピクセルトランジスタと、高速化が重要で
ある駆動回路用のトランジスタとを異なるプロセスで作
製する必要が生じるからである。このように余分な工程
が生じてしまうことは望ましくないし、また製造コスト
の増加にもつながりかねない。
【0017】マルチゲート構造を採用した場合には、図
5に示すように、直列に接続された2以上の薄膜トラン
ジスタを用いることになる。図5に示す構成では、図1
および2に示されている構成における単一のゲートを有
するトランジスタ6が、トランジスタ6aおよび6bに
等価であるマルチプルゲートトランジスタに置き換わっ
ている。しかしながら、この構成では、余分なリーク電
流を防ぐため十分に電界を低減させることができないこ
とがあり、そのためにこの構造はしばしばLDD構造と
ともに用いられる。
【0018】その他に知られている手法を図6に示す。
この手法では、マルチゲート構造の接合部(実際にはト
ランジスタ6aおよび6bの間)にホールドキャパシタ
10を付加している。しかし、このような構成によっ
て、望ましくない視覚的な現象を生じさせることなくポ
リシリコン薄膜トランジスタをディスプレイにおいて用
いることを可能にするほど十分なホールド時間が提供さ
れ得るかどうかは疑わしいところである。
【0019】図7は、特開平5-142573号公報に開示され
ているホールド時間を数フレームにわたって引き延ばす
手法を適用した回路を示している。この回路は、ユニテ
ィゲインを有するアンプ11の入力をキャパシタ5およ
び表示素子9に接続し、出力をトランジスタ6aおよび
6bの間の接合部に接続することによって、フィードバ
ック機能を有している。これによって、キャパシタ5お
よび表示素子9に印加される電圧は直列に接続された薄
膜トランジスタ6aおよび6bの接合部に現れる。バッ
ファアンプ11が理想的であり、かつ、キャパシタ5お
よび表示素子9の容量から電荷が出されなければ、液晶
からのリークはなくなる。
【0020】EP 0 586 155は、図8に示すようなアクテ
ィブマトリクス液晶ディスプレイを開示している。この
アクティブマトリクス液晶ディスプレイは、図1に示し
たものとほぼ同様の構成を有しているが、ユニティゲイ
ンを有するバッファアンプ11が各ピクセルのアクティ
ブ回路に設けられているという点で図1に示したディス
プレイとは異なっている。アンプ11の入力はトランジ
スタ6のソースとホールドキャパシタ5とに接続されて
おり、出力は液晶表示素子9に接続されている。アンプ
11は、非常に高い入力インピーダンスと比較的低い出
力インピーダンスとを有している。
【0021】スキャン電極8にスキャンパルスを与える
ことによってピクセルをアドレスすると、トランジスタ
6はオン状態に切り替わり、ホールドキャパシタ5はデ
ータ電極7に印加されている電圧まで充電される。電極
8に印加されるスキャンパルスとスキャンパルスとの間
では、トランジスタ6はオフ状態に切り替わる。アンプ
11の出力はキャパシタ5に印加されている電圧にした
がい、表示素子9にこの電圧を供給する。
【0022】アンプ11の出力インピーダンスが比較的
低いので、表示素子9は電圧駆動される。したがって表
示素子9に印加される電圧は実質的には一定のままであ
る。このため、フレームリフレッシュ期間全体にわたっ
て液晶に印加される電圧がステップ状になる。
【0023】EP 0 586 155は、連続したリフレッシュ間
で表示素子に印加される電圧の低下を引き起こす表示素
子9の電極間のリーク電流の影響をなくすことに関連し
てはいるが、液晶の誘電率異方性の影響もまた実質的に
低減されるか、あるいはなくなり得る。
【0024】
【発明が解決しようとする課題】図8に示すEP 0 586 1
55において開示されている回路では、アンプ11を用い
て、表示素子9にかかる電圧をホールドキャパシタ5に
かかる電圧と強制的に同じにすることによって、液晶の
誘電率が変化しても表示素子9の電圧が変化しないよう
にしている。しかしこの回路では、ホールドキャパシタ
5に蓄積された電荷がトランジスタ6を介して逃げてし
まい得るため、キャパシタ5にかかる電圧が低下してし
まい、その結果表示素子9にかかる電圧も低下してしま
い得る。つまり、EP 0 586 155に開示されている回路で
は、トランジスタ6のオフ時のリーク電流に起因する表
示電圧の低下を防ぐことはできない。
【0025】本発明はこのような現状に鑑みてなされた
ものであり、液晶の誘電率異方性が表示に及ぼす影響を
実質的になくすとともに、各ピクセルのゲートにおける
リーク電流が表示に及ぼす影響をも実質的になくすこと
ができるアクティブマトリクスディスプレイを提供する
ことを目的とする。
【0026】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、データ
入力されるデータ電極に接続されるとともに、スキャン
電極に接続されたゲートをそれぞれが有している複数の
絵素と、該ゲートの出力に接続されているホールドキャ
パシタと、該ホールドキャパシタに接続されている入力
を有するバッファアンプと、該バッファアンプの出力に
接続されている表示素子と、を備えているアクティブマ
トリクスディスプレイであって、該ゲートは、直列に接
続された第1および第2の半導体スイッチを有してお
り、該バッファアンプの出力は該第1および第2の半導
体スイッチの間のノードに直接接続されて、該第1およ
び第2の半導体スイッチのノードとバッファアンプの出
力との間は初期充電の経路になっている。
【0027】これにより、半導体装置のリーク電流の望
ましくない影響だけではなく液晶の誘電率異方性の影響
をも実質的に低減されているか、あるいは、影響のない
ディスプレイを提供することが可能である。このディス
プレイではリフレッシュ速度を上げてもよく、フリッカ
のような視覚的な望ましくない現象を低減することがで
きる。他の手法を用いた表示素子については、ホールド
キャパシタは、そうでない場合に表示素子によって引き
起こされ得るいかなる望ましくない影響から実質的に切
り離されている。半導体装置は、ピクセル用とディスプ
レイに一体的に搭載される駆動回路用とで同じプロセス
工程を用いて作製してもよい。それによって、実質的に
製造コストを増やすことがない。
【0028】表示素子のそれぞれは、液晶表示素子であ
ってもよい。
【0029】アンプは、ポリシリコンアクティブ素子を
備えていてもよい。アクティブ素子は、ポリシリコン薄
膜トランジスタを備えていてもよい。
【0030】好ましくは、アンプはユニティゲインを有
している。
【0031】第1および第2のスイッチのそれぞれは、
トランジスタを備えていてもよい。
【0032】アンプは、ソースフォロワを備えていても
よい。ソースフォロワは一定電流にするための負荷を備
えていてもよい。
【0033】アンプは、非反転入力がホールドキャパシ
タに接続されており、反転入力が出力に接続されている
差動アンプであってもよい。差動アンプは、共通の負荷
に接続されている第1および第2のトランジスタを備え
ていてもよい。共通の負荷は定電流発生器であってもよ
い。アンプは、第1および第2のトランジスタのドレイ
ンに接続されている電流ミラーを備えていてもよい。
【0034】絵素は、複数の行として配置されてもよ
い。この場合には、各行の絵素のスキャン入力は対応す
る共通のスキャン電極に接続され、各行の絵素のアンプ
は、隣接する行に対応するスキャン電極の間に接続され
た電源端子を有し得る。隣接する行の絵素は、逆の導電
型の半導体装置を備えていてもよい。
【0035】本発明の好ましい実施形態では、アクティ
ブバッファがアクティブマトリクスディスプレイの各ピ
クセルに設けられる。このアクティブバッファは、入力
がホールドキャパシタに、出力が液晶セルに接続される
ように、ホールドキャパシタと液晶セルとの間に設けら
れる。さらに、フィードバックループがバッファの出力
から2つの直列に接続されたポリシリコン薄膜トランジ
スタの接続部に接続される。これら2つの直列に接続さ
れたポリシリコン薄膜トランジスタは、データ配線から
ホールドキャパシタへのパスゲートとして機能する。ホ
ールドキャパシタは、比較的小さな容量であり、各行を
スキャンする期間中に充電され、バッファの入力に参照
電圧を与える。続いてバッファは、フレーム期間の残り
の期間、液晶セルを一定の電圧で駆動する。このような
配置を採用すれば、非常に長い期間電荷がバッファから
供給されるので、非常に高い表面電荷密度を有する材料
を駆動することが可能である。したがって高電圧および
/あるいは大容量のホールドキャパシタを用いる必要は
なくなり、消費電力や開口率という点から見れば有利で
ある。バッファの出力は、2個直列に接続されたトラン
ジスタの間のノードにフィードバックされるように接続
されており、それによってノードの電圧をバッファの出
力電圧に実質的に等しくしている。バッファは、ホール
ドキャパシタの電圧に従い、液晶容量とパストランジス
タの接合部とを同時に駆動する。このような状況下で、
理想的なバッファを用いれば、液晶容量に近い側のトラ
ンジスタのドレイン−ソース電圧は実質的にゼロにな
り、それゆえにリーク電流も実質的になくなる。
【0036】
【発明の実施の形態】図9に示されているアクティブマ
トリクス液晶ディスプレイは、図8に示すディスプレイ
とほぼ同様の構成を有しているが、トランジスタ6が直
列に接続されたトランジスタ6aおよび6bに置き換わ
っている点が異なっている。これらのトランジスタ6a
および6bは、例えば図5から7に示されているように
マルチゲートトランジスタとして機能する。さらに、図
9のディスプレイでは、アンプ11の出力がトランジス
タ6aのソースとトランジスタ6bのドレインとの間の
接続部に接続されている。
【0037】トランジスタ6aのソースとアンプ11と
の間の接続部は、データ配線からの初期充電の経路とな
る。ピクセルを含む配線のスキャンの後、アンプ11の
出力およびトランジスタ6bのドレインは、ホールドキ
ャパシタ5と同じ電位になる。このため、表示素子9に
かかる電圧は、アンプ11によって強制的にホールドキ
ャパシタ5にかかる電圧と同じに保たれ、仮に液晶の誘
電率が変化したとしても表示素子9の電圧は変化しな
い。また、表示素子9に近い側のトランジスタ6bのド
レイン側の電位をアンプ11の出力電位と同じ電位にす
ることによって、トランジスタ6bのソース−ドレイン
電圧は実質的にゼロに等しくなり、それによりトランジ
スタ6bのリーク電流ilは実質的にゼロに等しくな
る。このために、従来問題であったスイッチング素子の
リーク電流に起因するホールドキャパシタ5の電圧低下
を防ぐことができ、その結果リーク電流が表示に悪影響
を及ぼすことが実質的になくなる。
【0038】ユニティゲインを有するバッファアンプ1
1を実現するにはさまざまな構成が考えられ、どの構成
を採用するかは、アンプの面積、効率および許容誤差等
のさまざまな検討によって決定される。
【0039】図10は、バッファアンプ11の一構成例
を示しており、この例ではアンプ11はソースフォロワ
の形で実現されている。ソースフォロワは、電圧供給配
線VddとVssとの間に直列に接続されたエンハンス
メントトランジスタ12および13を有している。トラ
ンジスタ12のゲートはキャパシタ5に接続されたアン
プの入力を構成し、トランジスタ12のソースはアンプ
の出力を構成する。トランジスタ13のゲートはバイア
ス電圧Vbに接続されており、トランジスタ12を一定
電流にするための負荷を構成する。
【0040】図10に示されているソースフォロワに
は、液晶表示素子9の容量Clcの変化に追従するため
に必要となる電流とリークを補償するのに必要な電流と
を供給することだけが要求される。このため、このソー
スフォロワの電流の要件はきわめて小さい。
【0041】図11に示すように、ソースフォロワをデ
プレッショントランジスタ12aおよび13aで構成し
てもよい。この場合には、トランジスタ13aのゲート
がソースに接続されて定電流発生器を構成する。このた
め、バイアス電圧Vbは必要なくなり、余分な電圧供給
配線を省略することができる。
【0042】図12は、ユニティゲインを有するバッフ
ァアンプの他の構成例を示す図である。この例では、ポ
リシリコンエンハンスメント薄膜トランジスタを用いた
差動アンプによってユニティゲインを有するバッファア
ンプを構成している。アンプは、差動入力トランジスタ
20および21と、トランジスタ22を有する定電流ソ
ースとを備えている。トランジスタ22のゲートは、バ
イアス電圧Vbを受け取るように接続されている。トラ
ンジスタ20のドレインは電流ミラーの入力に接続され
ており、電流ミラーの出力はトランジスタ21のドレイ
ンに接続されている。電流ミラーは、トランジスタ2
0、21および22とは逆の導電型のトランジスタ23
および24から構成されている。差動アンプの非反転入
力としては、ホールドキャパシタ5に接続されているト
ランジスタ20のゲートが用いられる。トランジスタ2
1のゲートは差動アンプの反転入力として用いられ、ア
ンプの出力に接続されている。アンプの出力は、トラン
ジスタ21のドレインとトランジスタ24のドレインと
の間の接続部に形成される。トランジスタは、アンプの
閉ループゲインが1に非常に近くなるように、サブ閾値
電流で動作する。スキャンパルスとスキャンパルスとの
間の動作中に、トランジスタ6bのチャネルにかかる電
位差は、アンプ11の入力オフセット電圧に等しくな
り、これは非常に小さい値である。
【0043】図13は、上述した配置に関して、ホール
ドキャパシタ電圧の低下を時間に対して示したものであ
る。曲線30は、図1に示されている回路の性能を示し
ており、ピクセルの電圧は比較的急速に低下していくこ
とがわかる。フレームリフレッシュ期間が20ミリ秒オ
ーダーである標準的な映像表示を考えると、ピクセルの
電圧は、入力値10ボルトから約6ボルトまで低下する
ことになる。曲線31は図5に示されている回路の性能
を示しており、曲線32は図6に示されている回路の性
能を示している。同様にリフレッシュ期間を20ミリ秒
と考えると、ピクセル電圧は10ボルトから約8.5ボ
ルトに低下する。これらの電圧低下が、目に見えるくら
いの視覚的な悪影響につながる。
【0044】曲線33は図9、10および11に示され
ている本発明のアクティブマトリクスディスプレイにお
いて用いられる回路の性能を示している。この曲線か
ら、リフレッシュ期間中の電圧の低下は比較的小さく、
0.5ボルト以下であることがわかる。曲線34は図1
2に示されている本発明のアクティブマトリクスディス
プレイにおいて用いられる回路の性能を示しており、こ
の回路については20ミリ秒のリフレッシュ期間中の電
圧低下は無視できる量である。
【0045】このように本発明によれば、液晶の誘電率
異方性の影響を実質的になくし、それにより目に見える
視覚的な悪影響が表示に現れないようなアクティブマト
リクスディスプレイ提供することができる。ゲーティン
グトランジスタのリーク電流の影響も大幅に低減する
か、あるいは実質的になくすことができる。したがっ
て、ポリシリコン薄膜トランジスタを各ピクセルのアク
ティブ回路や、スキャンドライバ2およびデータドライ
バ3のような周辺駆動回路において使用することが可能
になる。このため、全ての回路を同一の製造プロセスに
よって作製することができ、余分なプロセスを追加する
必要はなくなる。
【0046】ピクセルにバッファアンプ11を設けるこ
との欠点として考えられるとすれば、電圧供給配線Vd
dおよびVssへの電源を設けなければならないことで
ある。余分な配線を設けると、それにより高精細ディス
プレイでは開口率が著しく下がるし、電極をマトリクス
状に形成するためにはある電極や配線が他の電極や配線
をまたぐように配置しなければならない場合が生じ、欠
陥の可能性が増大する。このような問題が生じるのを防
ぐためには、余分な配線を付加する必要のない配置が好
ましい。
【0047】図14に余分な配線を追加する必要のない
配置の例を示す。図14では、アクティブマトリクスデ
ィスプレイのピクセル1列分の一部のみを示している。
各ピクセルは、図9に示されているディスプレイとほぼ
同様に構成されているが、ある行のピクセルと隣の行の
ピクセルとではアクティブ素子の極性が逆である点で図
9のディスプレイとは異なっている。つまり、i行目の
トランジスタ6aiおよび6biが例えばp型であるとす
ると、i+1行目のトランジスタ6ai+1および6bi+1
はn型である。i行目のp型トランジスタ6aiおよび
6biは、対応するスキャン配線i(i番目のスキャン
配線)がネガティブになるとオン状態になり、スキャン
配線iがポジティブになるとオフ状態になる。一方、i
+1行目のn型のトランジスタ6ai+1および6b
i+1は、対応するスキャン配線であるi+1番目のスキ
ャン配線i+1がポジティブになるとオン状態になり、
スキャン配線i+1がネガティブになるとオフ状態にな
る。
【0048】このように、スキャンパルスが印加されて
いないときにはスキャン配線は1本おきにネガティブで
あり、残りのスキャン配線はポジティブである。したが
って、図14に示すように、スキャン配線に電圧供給配
線VddおよびVssを接続して、アンプ11iおよび
11i+1への電圧供給源としても用いることが可能とな
る。このようにして、各ピクセルのアクティブ回路に
は、そのピクセルが属する行の両側の行(1つ前の行と
1つ後の行)のピクセルに対応するスキャン配線とが静
止状態にある間、つまり1つ前の行のピクセルのリフレ
ッシュと1つ後の行のピクセルのリフレッシュとの間の
期間全体にわたって、電圧が供給されることになる。し
たがって、余分な配線を設けることなく、アンプに電圧
を供給することが可能になる。
【0049】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
液晶の誘電率異方性が表示に及ぼす、例えばフリッカの
ような悪影響、およびスイッチング回路のスイッチング
素子におけるリーク電流が表示に及ぼす悪影響の両方を
大幅に低減、または実質的になくすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 従来のアクティブマトリクスディスプレイの
構成を概略的に示す図である。
【図2】 図1のアクティブマトリクスディスプレイの
アクティブ素子の構成を示す図である。
【図3】 (a)から(c)は異なるゲート波形につい
て液晶の誘電率異方性の影響を示す図である。
【図4】 典型的なポリシリコン薄膜トランジスタにつ
いて、バイアス電圧に対するリーク電流を示す図であ
る。
【図5】 リーク電流を低減するための公知の手法を適
用したアクティブマトリクスディスプレイの主要部の構
成を示す図である。
【図6】 リーク電流を低減するための公知の他の手法
を適用したアクティブマトリクスディスプレイの主要部
の構成を示す図である。
【図7】 リーク電流を低減するための公知のさらに他
の手法を適用したアクティブマトリクスディスプレイの
主要部の構成を示す図である。
【図8】 従来の他のアクティブマトリクスディスプレ
イの構成を概略的に示す図である。
【図9】 本発明の一実施形態におけるアクティブマト
リクスディスプレイの構成を概略的に示す図である。
【図10】 図9のディスプレイにおいて用いられるア
ンプの構成を示す図である。
【図11】 図9のディスプレイにおいて用いられるア
ンプの他の構成を示す図である。
【図12】 図9のディスプレイにおいて用いられるア
ンプの他の構成を示す図である。
【図13】 異なるアクティブ回路についてリーク電流
の影響を示す図である。
【図14】 本発明のアクティブマトリクスディスプレ
イにおいて、ピクセルのアクティブ回路に電圧を供給す
るためにスキャン配線を用いる構成を示す図である。
【符号の説明】
1 ピクセルアレイ 2 スキャンドライバ 3 データドライバ 4 ピクセル 5 ホールドキャパシタ 6a、6b トランジスタ 7 データ電極 8 スキャン電極 9 表示素子 11 バッファアンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 久保田 靖 奈良県桜井市朝倉台西5−1093−267 (72)発明者 足立 昌浩 奈良県奈良市朱雀4−3−4 ローレル コート高の原ダブリュー305 (56)参考文献 特開 平5−142573(JP,A) 特開 平5−173175(JP,A) 特開 平4−154312(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02F 1/136 G02F 1/133

Claims (14)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 データ入力されるデータ電極に接続され
    るとともに、スキャン電極に接続されたゲートをそれぞ
    れが有している複数の絵素と、 該ゲートの出力に接続されているホールドキャパシタ
    と、 該ホールドキャパシタに接続されている入力を有するバ
    ッファアンプと、 該バッファアンプの出力に接続されている表示素子と、 を備えているアクティブマトリクスディスプレイであっ
    て、 該ゲートは、直列に接続された第1および第2の半導体
    スイッチを有しており、該バッファアンプの出力は該第
    1および第2の半導体スイッチの間のノードに直接接続
    されて、該第1および第2の半導体スイッチのノードと
    バッファアンプの出力との間は初期充電の経路になって
    いる、アクティブマトリクスディプレイ。
  2. 【請求項2】 前記表示素子は液晶表示素子である、請
    求項1に記載のアクティブマトリクスディスプレイ。
  3. 【請求項3】 前記ゲートおよび前記バッファアンプは
    ポリシリコンアクティブ素子である、請求項1または2
    に記載のアクティブマトリクスディスプレイ。
  4. 【請求項4】 前記アクティブ素子はポリシリコン薄膜
    トランジスタである、請求項3に記載のアクティブマト
    リクスディスプレイ。
  5. 【請求項5】 前記バッファアンプはユニティゲインを
    有している、請求項1から4のいずれか1つに記載のア
    クティブマトリクスディスプレイ。
  6. 【請求項6】 前記第1および第2の半導体スイッチの
    それぞれはトランジスタから構成されている、請求項1
    から5のいずれか1つに記載のアクティブマトリクスデ
    ィスプレイ。
  7. 【請求項7】 前記バッファアンプはソースフォロワで
    構成されている、請求項1から6のいずれか1つに記載
    のアクティブマトリクスディスプレイ。
  8. 【請求項8】 前記ソースフォロワは一定電流にするた
    めの負荷を有している、請求項7に記載のアクティブマ
    トリクスディスプレイ。
  9. 【請求項9】 前記バッファアンプは、前記ホールドキ
    ャパシタに接続された非反転入力と、前記出力に接続さ
    れた反転入力とを有する差動アンプである、請求項1か
    ら6のいずれか1つに記載のアクティブマトリクスディ
    スプレイ。
  10. 【請求項10】 前記差動アンプは、共通の負荷を有す
    る第1および第2のトランジスタを備えている、請求項
    9に記載のアクティブマトリクスディスプレイ。
  11. 【請求項11】 前記共通の負荷は、定電流発生器であ
    る、請求項10に記載のアクティブマトリクスディスプ
    レイ。
  12. 【請求項12】 前記バッファアンプは、前記第1およ
    び第2のトランジスタのドレインに接続されている電流
    ミラーで構成されている、請求項10または11に記載
    のアクティブマトリクスディスプレイ。
  13. 【請求項13】 前記複数の絵素は複数の行として配置
    されており、該複数の行のそれぞれの絵素のスキャン入
    力は共通の対応するスキャン電極に接続されており、 該複数の行のそれぞれの絵素のバッファアンプは、該行
    に隣接する一対の行に対応するスキャン電極の間に接続
    された電源端子を有している、請求項1から12のいず
    れか1つに記載のアクティブマトリクスディスプレイ。
  14. 【請求項14】 前記複数の行のうちの隣接する行の絵
    素のゲートは、互いに逆の導電型の半導体装置を有して
    いる、請求項13に記載のアクティブマトリクスディス
    プレイ。
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