JP5329670B2 - メモリ装置およびメモリ装置を備えた液晶表示装置 - Google Patents
メモリ装置およびメモリ装置を備えた液晶表示装置 Download PDFInfo
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 63
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 191
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000000415 inactivating effect Effects 0.000 claims 1
- 101150077194 CAP1 gene Proteins 0.000 abstract description 23
- 101100245221 Mus musculus Prss8 gene Proteins 0.000 abstract description 23
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 abstract description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 187
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 22
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 15
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 13
- 230000006870 function Effects 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 6
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 101000685663 Homo sapiens Sodium/nucleoside cotransporter 1 Proteins 0.000 description 1
- 102100023116 Sodium/nucleoside cotransporter 1 Human genes 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006386 memory function Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
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- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
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- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
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- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3618—Control of matrices with row and column drivers with automatic refresh of the display panel using sense/write circuits
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
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- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
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- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
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- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
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- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
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- G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
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- G11C2211/00—Indexing scheme relating to digital stores characterized by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C2211/401—Indexing scheme relating to cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
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- G11C2211/4067—Refresh in standby or low power modes
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- H—ELECTRICITY
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
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Description
データ信号電位の書き込み後のデータ保持期間にリフレッシュ動作を行うメモリ装置であって、
第1〜第4トランジスタと、該第1トランジスタをオン/オフする第1信号線と、該第2トランジスタをオン/オフする第2信号線と、該第4トランジスタをオン/オフする第3信号線と、データ信号電位を供給する第4信号線と、データ信号電位を保持する容量を形成するための第5信号線とを備え、
上記第1トランジスタは、制御端子が上記第1信号線に接続されるとともに、第1導通端子が上記第4信号線に接続され、
上記第2トランジスタは、制御端子が上記第2信号線に接続されるとともに、第1導通端子が第1接続点において上記第1トランジスタの第2導通端子に接続され、
上記第3トランジスタは、制御端子が第2接続点において上記第2トランジスタの第2導通端子に接続されるとともに、第1導通端子が上記第2信号線に接続され、
上記第4トランジスタは、制御端子が上記第3信号線に接続されるとともに、第1導通端子が上記第3トランジスタの第2導通端子に接続され、かつ、第2導通端子が上記第1接続点に接続され、
上記第1接続点と上記第5信号線との間に第1容量が形成され、上記第2接続点と上記第5信号線との間に第2容量が形成され、上記第3トランジスタの第1導通端子と上記第2接続点との間に第3容量が形成されていることを特徴としている。
データ信号電位の書き込み後のデータ保持期間にリフレッシュ動作を行うメモリ装置であって、
第1〜第4トランジスタと、該第1トランジスタをオン/オフする第1信号線と、該第2トランジスタをオン/オフする第2信号線と、該第4トランジスタをオン/オフする第3信号線と、データ信号電位を供給する第4信号線と、データ信号電位を保持する容量を形成するための第5信号線と、第6信号線とを備え、
上記第1トランジスタは、制御端子が上記第1信号線に接続されるとともに、第1導通端子が上記第4信号線に接続され、
上記第2トランジスタは、制御端子が上記第2信号線に接続されるとともに、第1導通端子が第1接続点において上記第1トランジスタの第2導通端子に接続され、
上記第3トランジスタは、制御端子が第2接続点において上記第2トランジスタの第2導通端子に接続されるとともに、第1導通端子が上記第2信号線に接続され、
上記第4トランジスタは、制御端子が上記第3信号線に接続されるとともに、第1導通端子が上記第3トランジスタの第2導通端子に接続され、かつ、第2導通端子が上記第1接続点に接続され、
上記第1接続点と上記第5信号線との間に第1容量が形成され、上記第2接続点と上記第5信号線との間に第2容量が形成され、上記第2接続点と上記第6信号線との間に第3容量が形成されていることを特徴としている。
上記何れかに記載のメモリ装置を備えており、また、画素電極と対向電極とを備えるとともに、上記画素電極は上記第1接続点に接続され、上記第1信号線が走査信号線を兼ねるとともに、上記第4信号線がデータ信号線を兼ねることを特徴としている。
データ信号電位の書き込み後のデータ保持期間にリフレッシュ動作を行うメモリ型の液晶表示装置であって、
データ信号線と、走査信号線と、保持容量配線と、データ転送線と、リフレッシュ線と、画素電極と、対向電極と、制御端子が該走査信号線に接続された第1トランジスタと、制御端子が該データ転送線に接続された第2トランジスタと、制御端子が該第2トランジスタを介して該画素電極に接続された第3トランジスタと、制御端子が該リフレッシュ線に接続された第4トランジスタと、該画素電極に接続された第1容量と、該第2トランジスタを介して該画素電極に接続された第2容量と、を備え、
上記画素電極は、上記第1トランジスタを介して上記データ信号線に接続されるとともに、上記第4トランジスタおよび第3トランジスタを介して上記データ転送線に接続され、
上記第3トランジスタにおける上記データ転送線に接続される導通端子と、該第3トランジスタの制御端子との間に第3容量が形成されていることを特徴としている。
第1のステップでは、書き込み/読み出し回路7からビット線Yjにデータに対応する2値論理レベルを供給した状態、かつ、リフレッシュ出力制御部RS1に第2の動作を行わせた状態としてスイッチ回路SW1を導通させることによりメモリセル8に上記2値論理レベルを書き込み、メモリセル8に上記2値論理レベルが書き込まれた状態、かつ、リフレッシュ出力制御部RS1に第2の動作を行わせた状態としてデータ転送部TS1によって転送動作を行う。
第2のステップでは、第1ステップに続いて、リフレッシュ出力制御部RS1に第2の動作を行わせた状態、かつ、データ転送部TS1に非転送動作を行わせた状態としてスイッチ回路SW1を導通させることにより、リフレッシュ出力制御部RS1をアクティブ状態とする制御情報に相当するレベルと同じ2値論理レベルを、ビット線Yjを介して第1データ保持部DS1に入力する。
第3のステップでは、第2ステップに続いて、スイッチ回路SW1を遮断した状態、かつ、データ転送部TS1に非転送動作を行わせた状態としてリフレッシュ出力制御部RS1によって第1の動作を行うとともに、第1の動作の終了時には供給源VS1からリフレッシュ出力制御部RS1の入力にリフレッシュ出力制御部RS1をアクティブ状態とする制御情報に相当するレベルの反転レベルの2値論理レベルを供給している状態とする。
第4のステップでは、第3ステップに続いて、スイッチ回路SW1を遮断した状態、かつ、リフレッシュ出力制御部RS1に第2の動作を行わせた状態としてデータ転送部TS1によって転送動作を行う。
第5のステップでは、書き込み/読み出し回路7からビット線Yjにリフレッシュ出力制御部RS1をアクティブ状態とする上記制御情報に相当するレベルと同じ2値論理レベルを供給した状態、かつ、データ転送部TS1に非転送動作を行わせた状態、かつ、リフレッシュ出力制御部RS1に第2の動作を行わせた状態として、スイッチ回路SW1を導通させることによりメモリセル8に上記2値論理レベルを書き込む。
第6のステップでは、第5のステップに続いて、スイッチ回路SW1を導通させた状態、かつ、データ転送部TS1に非転送動作を行わせた状態として、リフレッシュ出力制御部RS1に第1の動作を行わせる。
第7のステップでは、第6のステップに続いて、スイッチ回路SW1を導通させた状態、かつ、データ転送部TS1に非転送動作を行わせた状態として、ビット線Yjの電位を書き込み/読み出し回路7によってセンスすることにより、メモリセル8に保持されていたデータを判定する。
第8のステップでは、第7のステップに続いて、スイッチ回路SW1を遮断した状態、かつ、リフレッシュ出力制御部RS1に第2の動作を行わせた状態として、データ転送部TS1に転送動作を行わせる。
第9のステップでは、第8のステップに続いて、データ転送部TS1に非転送動作を行わせた状態、かつ、書き込み/読み出し回路7からビット線Yjにリフレッシュ出力制御部RS1をアクティブ状態とする制御情報に相当するレベルと同じ2値論理レベルを供給した状態、かつ、リフレッシュ出力制御部RS1に第2の動作を行わせた状態として、スイッチ回路SW1を導通させる。
第10のステップでは、第9のステップに続いて、スイッチ回路SW1を遮断した状態、かつ、データ転送部TS1に非転送動作を行わせた状態として、リフレッシュ出力制御部RS1に第1の動作を行わせる。
第11のステップでは、第10のステップに続いて、スイッチ回路SW1を遮断した状態、かつ、リフレッシュ出力制御部RS1に第2の動作を行わせた状態として、データ転送部TS1に転送動作を行わせる。
本メモリ回路MR1では、トランジスタN3の、ゲート電極(制御端子)と、第2ワード線Xi(2)に接続されるソース電極(第1導通端子)との間に、容量Cap1が形成されている。図12は、容量Cap1を備えるメモリ回路MR1の回路図であり、図13は、このメモリ回路MR1の動作を示すタイミングチャートである。図13に示すように、第2ワード線Xi(2)の電位がHighからLowに切り替わると、容量Cap1に起因した引き込み電圧による電位変動により、ノードMRYの電位が突き下げられる(図13の矢印)。突き下げられる電位の値は、容量Cap1の大きさに応じて変化するため、ここでは、容量Cap1は、第3ワード線Xi(3)の電位がHighの期間(期間t12)において、ノードMRYの電位が、トランジスタN3をON状態にする電位に達しない程度に設定される。
)として、それぞれ表記してある。
ステップAでは、駆動信号発生回路/映像信号発生回路34およびデマルチプレクサ35からソースラインSL(j)にデータ信号に対応する2値論理レベルを供給した状態、かつ、リフレッシュ出力制御部RS1に第2の動作を行わせた状態としてスイッチ回路SW1を導通させることにより画素40に上記2値論理レベルを書き込み、メモリセル8に上記2値論理レベルが書き込まれた状態、かつ、リフレッシュ出力制御部RS1に第2の動作を行わせた状態としてデータ転送部TS1によって転送動作を行う。
ステップBでは、ステップAに続いて、リフレッシュ出力制御部RS1に第2の動作を行わせた状態、かつ、データ転送部TS1に非転送動作を行わせた状態としてスイッチ回路SW1を導通させることにより、リフレッシュ出力制御部RS1をアクティブ状態とする制御情報に相当するレベルと同じ2値論理レベルを、ソースラインSL(j)を介して第1データ保持部DS1に入力する。
ステップCでは、ステップBに続いて、スイッチ回路SW1を遮断した状態、かつ、データ転送部TS1に非転送動作を行わせた状態としてリフレッシュ出力制御部RS1によって第1の動作を行うとともに、第1の動作の終了時には供給源VS1からリフレッシュ出力制御部RS1の入力にリフレッシュ出力制御部RS1をアクティブ状態とする制御情報に相当するレベルの反転レベルの2値論理レベルを供給している状態とする。
ステップDでは、ステップCに続いて、スイッチ回路SW1を遮断した状態、かつ、リフレッシュ出力制御部RS1に第2の動作を行わせた状態としてデータ転送部TS1によって転送動作を行う。
実施例2に係るメモリ回路MR2では、実施例1のメモリ回路MR1に第4ワード線Xi(4)(第6信号線)が新たに設けられ、ノードMRY(第2接続点)と第4ワード線Xi(4)との間に、容量Cap1が形成されている。図19は、容量Cap1を備えるメモリ回路MR2の回路図であり、図20は、このメモリ回路MR2の動作を示すタイミングチャートである。図20に示すように、第4ワード線Xi(4)の電位がHighからLowに切り替わると、容量Cap1に起因した引き込み電圧による電位変動により、ノードMRYの電位が突き下げられる。突き下げられる電位の値は、容量Cap1の大きさに応じて変化するため、容量Cap1は、実施例1と同様、第3ワード線Xi(3)の電位がHighの期間(期間t12)において、ノードMRYの電位が、トランジスタN3をON状態にする電位に達しないように設定される。
上記メモリアレイのロウごとに設けられるとともに同じロウの各上記メモリセルに接続された第1信号線(スイッチ制御線SC1)と、
上記メモリセルに接続された、第2信号線(データ転送制御線DT1)および第3信号線(リフレッシュ出力制御線RC1)と、
上記メモリアレイのコラムごとに設けられるとともに同じコラムの各上記メモリセルに接続されて、上記コラムドライバによって2値論理レベルを表す第1の電位レベルと第2の電位レベルとのそれぞれが供給されるように駆動される第4信号線(データ入力線IN1)とを備えており、
上記メモリセルは、スイッチ回路、第1保持部(第1データ保持部DS1)、転送部(データ転送部TS1)、第2保持部(第2データ保持部DS2)、および、第1制御部(リフレッシュ出力制御部)を備えており、
上記スイッチ回路は、上記ロウドライバにより上記第1信号線を介して駆動されることによって、上記第4信号線と上記第1保持部との間の導通と遮断とを選択的に行い、
上記第1保持部は、上記第1保持部に入力される上記2値論理レベルを保持し、
上記転送部は、上記第2信号線を介して駆動されることによって、上記第1保持部に保持されている上記2値論理レベルを第1保持部が保持したまま上記第2保持部へ転送する転送動作と、上記転送動作を行わない非転送動作とを選択的に行い、
上記第2保持部は、上記第2保持部に入力される上記2値論理レベルを保持し、
上記第1制御部は、上記第3信号線を介して駆動されることによって第1の動作を行う状態または第2の動作を行う状態に選択的に制御され、
上記第1の動作は、上記第2保持部に保持されている上記2値論理レベルが上記第1の電位レベルであるか上記第2の電位レベルであるかという制御情報に応じて、上記第1制御部への入力を取り込んで上記第1制御部の出力として上記第1保持部に供給するアクティブ状態となるか、上記第1制御部の出力を停止する非アクティブ状態となるかを選択して行う動作であり、
上記第2の動作は、上記制御情報に関わらず上記第1制御部の出力を停止する動作であり、
上記第1制御部の入力に設定された電位の供給を行う供給源を備えている構成である。
データ信号電位の書き込み後のデータ保持期間にリフレッシュ動作を行うメモリ装置であって、
第1〜第4トランジスタと、該第1トランジスタをオン/オフする第1信号線と、該第2トランジスタをオン/オフする第2信号線と、該第4トランジスタをオン/オフする第3信号線と、データ信号電位を供給する第4信号線と、データ信号電位を保持する容量を形成するための第5信号線とを備え、
上記第1トランジスタは、制御端子が上記第1信号線に接続されるとともに、第1導通端子が上記第4信号線に接続され、
上記第2トランジスタは、制御端子が上記第2信号線に接続されるとともに、第1導通端子が第1接続点において上記第1トランジスタの第2導通端子に接続され、
上記第3トランジスタは、制御端子が第2接続点において上記第2トランジスタの第2導通端子に接続されるとともに、第1導通端子が上記第2信号線に接続され、
上記第4トランジスタは、制御端子が上記第3信号線に接続されるとともに、第1導通端子が上記第3トランジスタの第2導通端子に接続され、かつ、第2導通端子が上記第1接続点に接続され、
上記第1接続点と上記第5信号線との間に第1容量が形成され、上記第2接続点と上記第5信号線との間に第2容量が形成され、上記第3トランジスタの第1導通端子と上記第2接続点との間に第3容量が形成されていることを特徴としている。
データ信号電位の書き込み後のデータ保持期間にリフレッシュ動作を行うメモリ装置であって、
第1〜第4トランジスタと、該第1トランジスタをオン/オフする第1信号線と、該第2トランジスタをオン/オフする第2信号線と、該第4トランジスタをオン/オフする第3信号線と、データ信号電位を供給する第4信号線と、データ信号電位を保持する容量を形成するための第5信号線と、第6信号線とを備え、
上記第1トランジスタは、制御端子が上記第1信号線に接続されるとともに、第1導通端子が上記第4信号線に接続され、
上記第2トランジスタは、制御端子が上記第2信号線に接続されるとともに、第1導通端子が第1接続点において上記第1トランジスタの第2導通端子に接続され、
上記第3トランジスタは、制御端子が第2接続点において上記第2トランジスタの第2導通端子に接続されるとともに、第1導通端子が上記第2信号線に接続され、
上記第4トランジスタは、制御端子が上記第3信号線に接続されるとともに、第1導通端子が上記第3トランジスタの第2導通端子に接続され、かつ、第2導通端子が上記第1接続点に接続され、
上記第1接続点と上記第5信号線との間に第1容量が形成され、上記第2接続点と上記第5信号線との間に第2容量が形成され、上記第2接続点と上記第6信号線との間に第3容量が形成されていることを特徴としている。
上記何れかに記載のメモリ装置を備えており、また、画素電極と対向電極とを備えるとともに、上記画素電極は上記第1接続点に接続され、上記第1信号線が走査信号線を兼ねるとともに、上記第4信号線がデータ信号線を兼ねることを特徴としている。
データ信号電位の書き込み後のデータ保持期間にリフレッシュ動作を行うメモリ型の液晶表示装置であって、
データ信号線と、走査信号線と、保持容量配線と、データ転送線と、リフレッシュ線と、画素電極と、対向電極と、制御端子が該走査信号線に接続された第1トランジスタと、制御端子が該データ転送線に接続された第2トランジスタと、制御端子が該第2トランジスタを介して該画素電極に接続された第3トランジスタと、制御端子が該リフレッシュ線に接続された第4トランジスタと、該画素電極に接続された第1容量と、該第2トランジスタを介して該画素電極に接続された第2容量と、を備え、
上記画素電極は、上記第1トランジスタを介して上記データ信号線に接続されるとともに、上記第4トランジスタおよび第3トランジスタを介して上記データ転送線に接続され、
上記第3トランジスタにおける上記データ転送線に接続される導通端子と、該第3トランジスタの制御端子との間に第3容量が形成されていることを特徴としている。
上記第1容量電極と上記保持容量配線とが絶縁膜を介して重なることによって上記第1容量が形成され、上記第2容量電極と上記保持容量配線延伸部とが絶縁膜を介して重なることによって上記第2容量が形成され、上記第3容量電極と上記データ転送線とが絶縁膜を介して重なることによって上記第3容量が形成されている構成とすることもできる。
2 メモリアレイ
6 ワード線制御回路(ロウドライバ)
7 書き込み/読み出し回路(コラムドライバ)
8 メモリセル
9 液晶表示装置(表示装置)
10 画素電極
40 画素(メモリセル)
37a 容量電極(第1容量電極)
37b 容量電極(第2容量電極)
37c 容量電極(第3容量電極)
10bb CS延伸部(保持容量配線延伸部)
SC1 スイッチ制御線(第1信号線)
DT1、DT(i) データ転送制御線(データ転送線、第2信号線)
RC1、RC(i) リフレッシュ出力制御線(リフレッシュ線、第3信号線)
IN1 データ入力線(第4信号線)
RL1 基準電位配線(第5信号線)
Xi(1)(1≦i≦n) 第1ワード線(第1信号線)
Xi(2)(1≦i≦n) 第2ワード線(第2信号線)
Xi(3)(1≦i≦n) 第3ワード線(第3信号線)
Xi(4)(1≦i≦n) 第6ワード線(第6信号線)
Yj(1≦j≦m) ビット線(第4信号線)
SW1 スイッチ回路
DS1 第1データ保持部
DS2 第2データ保持部
TS1 データ転送部
RS1 リフレッシュ出力制御部
VS1 供給源
N1〜N4 トランジスタ(Nチャネル型の電界効果トランジスタ)
P1 トランジスタ(Pチャネル型の電界効果トランジスタ、第5トランジスタ)
N1 トランジスタ(第1トランジスタ)
N2 トランジスタ(第2トランジスタ)
N3 トランジスタ(第3トランジスタ)
N4 トランジスタ(第4トランジスタ)
Ca1 容量(第1容量)
Cb1 容量(第2容量)
Cap1 容量(第3容量)
PIX ノード(第1接続点)
MRY ノード(第2接続点)
GL(i)(1≦i≦n) ゲートライン(走査信号線)
SL(j)(1≦j≦m) ソースライン(データ信号線)
CSL(i)(1≦j≦m) CSライン(補助容量配線)
MR1、MR2 メモリ回路
MR9、MR10 画素回路
Claims (8)
- データ信号電位の書き込み後のデータ保持期間にリフレッシュ動作を行うメモリ装置であって、
第1〜第4トランジスタと、該第1トランジスタをオン/オフする第1信号線と、該第2トランジスタをオン/オフする第2信号線と、該第4トランジスタをオン/オフする第3信号線と、データ信号電位を供給する第4信号線と、データ信号電位を保持する容量を形成するための第5信号線とを備え、
上記第1トランジスタは、制御端子が上記第1信号線に接続されるとともに、第1導通端子が上記第4信号線に接続され、
上記第2トランジスタは、制御端子が上記第2信号線に接続されるとともに、第1導通端子が第1接続点において上記第1トランジスタの第2導通端子に接続され、
上記第3トランジスタは、制御端子が第2接続点において上記第2トランジスタの第2導通端子に接続されるとともに、第1導通端子が上記第2信号線に接続され、
上記第4トランジスタは、制御端子が上記第3信号線に接続されるとともに、第1導通端子が上記第3トランジスタの第2導通端子に接続され、かつ、第2導通端子が上記第1接続点に接続され、
上記第1接続点と上記第5信号線との間に第1容量が形成され、上記第2接続点と上記第5信号線との間に第2容量が形成され、上記第3トランジスタの第1導通端子と上記第2接続点との間に第3容量が形成されていることを特徴とするメモリ装置。 - データ信号電位の書き込み期間では、上記第2信号線をアクティブにしておき、上記第4信号線にデータ信号電位を出力しながら上記第1信号線を選択することを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 上記データ保持期間では、上記第4信号線に、上記第3トランジスタをONにする定電位を与えることを特徴とする請求項2に記載のメモリ装置。
- 上記データ保持期間では、上記第2信号線を非アクティブにしながら、上記第1信号線を一旦アクティブにした後に上記第3信号線をアクティブにすることによりリフレッシュ動作を行うことを特徴とする請求項3に記載のメモリ装置。
- 上記第2信号線をアクティブから非アクティブにしたときの上記第3容量に起因する電位変動により、上記第2接続点の電位を引き下げることを特徴とする請求項4に記載のメモリ装置。
- データ信号電位の書き込み後のデータ保持期間にリフレッシュ動作を行うメモリ装置であって、
第1〜第4トランジスタと、該第1トランジスタをオン/オフする第1信号線と、該第2トランジスタをオン/オフする第2信号線と、該第4トランジスタをオン/オフする第3信号線と、データ信号電位を供給する第4信号線と、データ信号電位を保持する容量を形成するための第5信号線と、第6信号線とを備え、
上記第1トランジスタは、制御端子が上記第1信号線に接続されるとともに、第1導通端子が上記第4信号線に接続され、
上記第2トランジスタは、制御端子が上記第2信号線に接続されるとともに、第1導通端子が第1接続点において上記第1トランジスタの第2導通端子に接続され、
上記第3トランジスタは、制御端子が第2接続点において上記第2トランジスタの第2導通端子に接続されるとともに、第1導通端子が上記第2信号線に接続され、
上記第4トランジスタは、制御端子が上記第3信号線に接続されるとともに、第1導通端子が上記第3トランジスタの第2導通端子に接続され、かつ、第2導通端子が上記第1接続点に接続され、
上記第1接続点と上記第5信号線との間に第1容量が形成され、上記第2接続点と上記第5信号線との間に第2容量が形成され、上記第2接続点と上記第6信号線との間に第3容量が形成されていることを特徴とするメモリ装置。 - データ信号電位の書き込み期間では、上記第2信号線をアクティブにしておき、上記第4信号線にデータ信号電位を出力しながら上記第1信号線を選択し、
上記データ保持期間では、上記第4信号線に、上記第3トランジスタをONにする定電位を与え、上記第2信号線を非アクティブにしながら、上記第1信号線を一旦アクティブにした後に上記第3信号線をアクティブにすることによりリフレッシュ動作を行うとともに、
上記第2信号線を非アクティブにした後、上記第3信号線をアクティブにする前に、上記第6信号線をアクティブから非アクティブにすることを特徴とする請求項6に記載のメモリ装置。 - 請求項1から7の何れか1項に記載のメモリ装置を備えた液晶表示装置であって、
画素電極と対向電極とを備えるとともに、上記画素電極は上記第1接続点に接続され、
上記第1信号線が走査信号線を兼ねるとともに、上記第4信号線がデータ信号線を兼ねることを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011531821A JP5329670B2 (ja) | 2009-09-16 | 2010-05-18 | メモリ装置およびメモリ装置を備えた液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009215061 | 2009-09-16 | ||
JP2009215061 | 2009-09-16 | ||
PCT/JP2010/058382 WO2011033821A1 (ja) | 2009-09-16 | 2010-05-18 | メモリ装置およびメモリ装置を備えた液晶表示装置 |
JP2011531821A JP5329670B2 (ja) | 2009-09-16 | 2010-05-18 | メモリ装置およびメモリ装置を備えた液晶表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2011033821A1 JPWO2011033821A1 (ja) | 2013-02-07 |
JP5329670B2 true JP5329670B2 (ja) | 2013-10-30 |
Family
ID=43758434
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011531821A Expired - Fee Related JP5329670B2 (ja) | 2009-09-16 | 2010-05-18 | メモリ装置およびメモリ装置を備えた液晶表示装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8866719B2 (ja) |
EP (1) | EP2479760B1 (ja) |
JP (1) | JP5329670B2 (ja) |
WO (1) | WO2011033821A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5437382B2 (ja) * | 2009-09-16 | 2014-03-12 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101861980B1 (ko) | 2009-11-06 | 2018-05-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2013084813A1 (ja) * | 2011-12-07 | 2013-06-13 | シャープ株式会社 | 表示装置および電子機器 |
JP6653129B2 (ja) | 2014-05-29 | 2020-02-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置 |
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US8564519B2 (en) * | 2011-08-10 | 2013-10-22 | Chimei Innolux Corporation | Operating method and display panel using the same |
-
2010
- 2010-05-18 EP EP10816934.3A patent/EP2479760B1/en not_active Not-in-force
- 2010-05-18 WO PCT/JP2010/058382 patent/WO2011033821A1/ja active Application Filing
- 2010-05-18 JP JP2011531821A patent/JP5329670B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-05-18 US US13/395,549 patent/US8866719B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2011033821A1 (ja) | 2013-02-07 |
US20120169579A1 (en) | 2012-07-05 |
US8866719B2 (en) | 2014-10-21 |
EP2479760A1 (en) | 2012-07-25 |
WO2011033821A1 (ja) | 2011-03-24 |
EP2479760B1 (en) | 2014-07-23 |
EP2479760A4 (en) | 2013-05-08 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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