JP3283743B2 - シリコンウェーハーキャリア - Google Patents

シリコンウェーハーキャリア

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はシリコンウェーハー
搬送体として用いられるシリコンウェーハーキャリアに
関し、更に詳しくは耐熱性を有し且つシリコンウェーハ
ーの表面汚れとして支障を及ぼさない程度まで揮発ガス
の発生が抑えられた、特定のポリエステル樹脂よりなる
シリコンウェーハーキャリアに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコンウェーハーキャリアとし
てはポリプロピレン等の汎用樹脂からなるものが広く使
用されている。近年の情報社会の進歩に伴って、シリコ
ンウェーハーの大径化が進み、シリコンウェーハーキャ
リアも大型化しており、汎用樹脂製シリコンウェーハー
キャリアより更に高い剛性を備えたシリコンウェーハー
キャリアが求められている。また、シリコンウェーハー
キャリアはシリコンウェーハーの熱処理工程、洗浄工程
及び運搬における搬送体として一貫して使用するため
に、高い耐熱性を備えたものであることが望ましい。ポ
リプロピレン等の汎用樹脂からなるシリコンウェーハー
キャリアは、耐熱性が十分でなく、高温の熱処理に対応
できるよう一層の耐熱性の向上が望まれていた。
【０００３】ところで、通常の熱可塑性ポリエステル樹
脂からなるシリコンウェーハーキャリアは既に使用され
ている。このシリコンウェーハーキャリアは汎用樹脂か
らなるシリコンウェーハーキャリアの耐熱性、剛性にお
ける問題点を解消した点では優れたものであるが、高温
下で使用したときにシリコンウェーハー表面を汚染する
場合がありシリコンウェーハーキャリアとして重大な問
題があった。シリコンウェーハーに表面汚染があると、
デバイスの結晶欠陥や電気特性低下が発生し、このよう
なシリコンウェーハーから加工された製品は品質上使用
に供し得ない状態となる。
【０００４】
【発明が解決すべき課題】本発明は、上述の従来技術の
問題を解決することを課題とするものであり、剛性等の
機械的特性及び耐熱性を備え、実質的にシリコンウェー
ハー表面汚染を発生させることのないシリコンウェーハ
ーキャリアを提供することを課題とする。
【０００５】本発明者らは、高温下で使用したときにシ
リコンウェーハー表面を汚染する原因について鋭意研究
の結果、シリコンウェーハーの表面汚染がシリコンウェ
ーハーキャリアからの揮発ガス及び溶出金属に起因する
ものであることを知見した。
【０００６】本発明者らの知見によれば、通常の熱可塑
性ポリエステル樹脂からなるシリコンウェーハーキャリ
アは、高温下で有機ガスからなる揮発ガスが多量に発生
し、シリコンウェーハーの運搬、保管において揮発ガス
がシリコンウェーハー上で凝縮しシリコンウェーハー表
面を汚染する。また、シリコンウェーハーの洗浄工程に
おいて、シリコンウェーハーキャリアからの溶出金属が
多いと、シリコンウェーハーの表面に付着してシリコン
ウェーハー表面を汚染する。
【０００７】シリコンウェーハーキャリアは、シリコン
ウェーハーの加熱工程及び洗浄工程で用いられることか
ら耐加水分解性を備えたものであることが望ましい。本
発明の他の課題は、耐加水分解性を備えたシリコンウェ
ーハーキャリアを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、その末端カル
ボキシル基濃度が１０当量／ｔｏｎ以下で、かつ、１５
０℃で６０分間熱処理したときに発生する揮発ガスの量
が２００ｐｐｍ以下であり、８０℃の超純水の中で１２
０分間浸漬処理したときに溶出するアルカリ金属の量が
１０ｐｐｍ以下であって、導電性カーボンを含まない熱
可塑性ポリエステル樹脂よりなるシリコンウェーハーキ
ャリアに係るものである。
【０００９】本発明のシリコンウェーハーキャリアは、
１５０℃で６０分間熱処理したときの揮発ガスの発生量
が２００ｐｐｍ以下であることが必要であり、２０ｐｐ
ｍ以下であることが好ましい。
【００１０】シリコンウェーハーキャリアの揮発ガス発
生量は、シリコンウェーハーキャリアを５ｍｍ角のフレ
ークス状粒子に粉砕して得た試料１０ｇについて測定し
た値であり、ヘッドスペース・ガス・クロマトグラフに
より検出した値である。
【００１１】揮発ガスの発生量が２００ｐｐｍを超える
と、揮発ガスによるシリコンウェーハーの表面汚染がシ
リコンウェーハーの品質を害し、後にシリコンウェーハ
ーを加工して得られるＬＳＩ等の電子デバイスの製品欠
陥の原因となる。
【００１２】シリコンウェーハーキャリアの熱処理によ
り発生する揮発ガスは主に有機ガスであり、例えばアセ
トアルデヒド、アセトン、テトラヒドロフラン、３―ブ
テン―１―オールである。これらの揮発ガスはシリコン
ウェーハー上に凝縮し、またシリコンウェーハーキャリ
ア上に凝縮してシリコンウェーハーに転写され、シリコ
ンウェーハー表面を汚染する。
【００１３】更に、本発明のシリコンウェーハーキャリ
アは８０℃の超純水に１２０分間浸漬処理したときのア
ルカリ金属の溶出量が１０ｐｐｍ以下であることが必要
であり、１ｐｐｍ以下であることが好ましい。
【００１４】シリコンウェーハーキャリアのアルカリ金
属溶出量は、シリコンウェーハーキャリアを５ｍｍ角の
フレークス状粒子に粉砕して得た試料１０ｇを８０℃の
超純水８０ｍｌに１２０分間浸漬した後、超純水中に溶
出したアルカリ金属の量を原子吸光光度計により測定さ
れる値である。
【００１５】アルカリ金属の溶出量が１０ｐｐｍを越え
るとアルカリ金属によるシリコンウェーハーの表面汚染
がシリコンウェーハーの品質を害し、後にシリコンウェ
ーハーを加工して得られるＬＳＩ等の電子デバイスの製
品欠陥の原因となる。
【００１６】アルカリ金属によるシリコンウェーハーの
表面汚染は、主にシリコンウェーハー洗浄処理工程にお
いてシリコンウェーハーキャリアから溶出したアルカリ
金属がシリコンウェーハーへ付着することによって起こ
る。
【００１７】本発明でシリコンウェーハーを構成する熱
可塑性ポリエステル樹脂は固有粘度が０．６〜１．２の
ものが好ましい。固有粘度が０．６より小さいと充分な
機械的特性が得られず、１．２より大きくなると溶融粘
度が高く流動性が低下して成形性が損なわれるため好ま
しくない。ここで固有粘度は３５℃におけるオルトクロ
ルフェノール中での測定値をもとにした計算値である。
【００１８】本発明に係るシリコンウェーハーを構成す
る熱可塑性ポリエステル樹脂は、その末端カルボキシル
基濃度が１０当量／ｔｏｎ以下である。更に末端カルボ
キシル基濃度は５当量／ｔｏｎ以下が好ましい。末端カ
ルボキシル基濃度は、１０当量／ｔｏｎを超えると、熱
処理時の揮発ガス発生量が多くなり、また、本発明の目
的の一つである耐加水分解性の向上が達成されない。
【００１９】ここで、末端カルボキシル基（ＣＯＯＨ）
濃度は、エイ・コニックス（Ａ．Ｃｏｎｉｘ）の方法
｛Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ，２６，２２６（１９５
８）｝によって測定されるポリマー１０６ｇ当りの当量
数である。
【００２０】本発明に用いられる熱可塑性ポリエステル
樹脂としては、主たるジカルボン酸成分としてテレフタ
ル酸または２，６―ナフタレンジカルボン酸あるいはこ
れらのエステル形成性誘導体を用い、主たるグリコール
成分として炭素数２〜１０のグリコール又はそのエステ
ル形成性誘導体を用いて得られる線状飽和ポリエステル
が好ましい。かかる線状飽和ポリエステルとして例えば
ポリエチレチンテレフタレート、ポリプロピレンテレフ
タレート、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポ
リヘキサメチレンテレフタレート、ポリシクロヘキサン
―１，４―ジメチレンテレフタレート、ポリエチレン―
２，６―ナフタレンジカルボキシレート、ポリブチレン
―２，６―ナフタレンジカルボキシレート等が挙げられ
る。これらの中で特にＰＢＴが好ましい。
【００２１】ここで「主たる」とは、全ジカルボン酸成
分又は全グリコール成分に対して８０モル％以上をい
い、好ましくは９０モル％以上である。更に、ジカルボ
ン酸成分或はグリコール成分の一部を他の共重合成分で
置き換えたものでもよい。かかる共重合可能なジカルボ
ン酸成分としては、芳香族ジカルボン酸、例えばテレフ
タル酸（主たるジカルボン酸がテレフタル酸である場合
を除く）、２，６―ナフタレンジカルボン酸（主たるジ
カルボン酸が２，６―ナフタレンジカルボン酸である場
合を除く）、イソフタル酸、ナフタレンジカルボン酸、
ジフェニルジカルボン酸、ジフェニルエーテルジカルボ
ン酸、ジフェノキシエタンジカルボン酸、ジフェニルケ
トンジカルボン酸、ジフェニルスルフォンジカルボン酸
等；脂肪族ジカルボン酸、例えばコハク酸、アジピン
酸、セバシン酸等；脂環族ジカルボン酸、例えばシクロ
ヘキサンジカルボン酸、テトラリンジカルボン酸、デカ
リンジカルボン酸等；が例示される。共重合可能なグリ
コール成分としては、例えばエチレングリコール、プロ
ピレングリコール、ブチレングリコール、ヘキサメチレ
ングリコール、デカンジオール、１，４―シクロヘキサ
ンジメタノール、トリシクロデカンジメチロール、ビス
フェノールＡ、ビスフェノールＳ、ビスヒドロキシエト
キシビスフェノールＡ等が例示される。また、本発明で
用いられる線状飽和ポリエステルは実質的に成形性を損
なわない範囲で多官能化合物、例えばグリセリン、トリ
メチロールプロパン、ペンタエリスリトール、トリメリ
ット酸、トリメシン酸、ピロメリット酸等を共重合して
もよい。
【００２２】これらの共重合成分は１種または２種以上
を用いることができる。また共重合成分の割合は全ジカ
ルボン酸（オキシカルボン酸はその半分量がカルボン酸
として計算）当たり２０モル％以下が好ましく、更に１
０％モル以下が好ましい。
【００２３】なかでも、本発明に用いられる熱可塑性ポ
リエステル樹脂はＰＢＴのホモポリマーが特に好まし
い。
【００２４】本発明のシリコンウェーハーキャリアは既
述のとおり、揮発ガスの発生量が２００ｐｐｍ以下であ
り、アルカリ金属の溶出量が１０ｐｐｍ以下であること
が必要である。この条件は、シリコンウェーハーキャリ
アの５ｍｍ角のフレークス状粉砕物について満足するこ
とが必要であることは既述のとおりである。
【００２５】このようなシリコンウェーハーキャリア
は、ポリマーの末端カルボキシル基濃度が１０当量／ｔ
ｏｎ以下であって、ペレットの状態で１５０℃で６０分
間熱処理したときの揮発ガスの発生量が２００ｐｐｍ以
下、好ましくは２０ｐｐｍ以下であり、ペレットの状態
で８０℃の超純水に１２０分間浸漬処理したときのアル
カリ金属の溶出量が１０ｐｐｍ以下、好ましくは１ｐｐ
ｍ以下であるポリエステル樹脂のペレットを用いて成形
することにより得ることができる。ペレットの揮発ガス
の発生量及びアルカリ金属の溶出量はシリコンウェーハ
ーキャリアの粉砕物についての測定方法と同様の方法に
よる測定値である。
【００２６】本発明に成形用ペレットとして用いられる
上記の熱可塑性ポリエステル樹脂はテレフタル酸を含む
ジカルボン酸またはそのエステル形成性誘導体とエチレ
ングリコールを含むジヒドロキシ化合物またはそのエス
テル形成性誘導体とを重縮合触媒の存在下に液相重縮合
させた後、ペレット化して更に１８０℃〜２２５℃、常
圧の条件で窒素雰囲気下で固相重縮合反応を行い、その
後１４０〜１７０℃の窒素雰囲気で２〜６時間加熱乾燥
することにより得ることができる。
【００２７】本発明のシリコンウェーハーキャリアはこ
のようにして得られた特定の熱可塑性ポリエステル樹脂
のペレットを用いて公知の成形方法、例えば射出成形、
押出成形、注型成形によって得ることができる。
【００２８】
【実施例】以下、実施例及び比較例により本発明を詳述
する。
【００２９】実施例及び比較例における引張強度はＡＳ
ＴＭＤ６３８に準拠して測定した。また、荷重撓み温度
はＡＳＴＭＤ６４８に準拠して測定した。
【００３０】揮発ガス発生量の評価は試料（実施例１及
び比較例１においてはペレット及びシリコンウェーハー
キャリアの５ｍｍ角フレークス状粉砕物、比較例２にお
いてはペレット）１０ｇを１５０℃で６０分間熱処理し
たときの揮発ガス発生量をガスクロマトグラフィーを用
いて測定することにより行った。
【００３１】ガスクロマトグラフィーにはヘッドスペー
スガスクロマトグラフィー（株）島津製作所製ＨＳ―Ｇ
Ｃ：ＧＣ―９Ａ ＨＳＳ―２ＡとＣＲ―４Ａ）を用い
た。
【００３２】ガスクロマトグラフィーによる分析条件は
以下のとおりである。 １）カラム： シリコン ＯＶ―１７０１，ＩＤ ０．
２５ｍｍ ×５０ｍｍ，ｄｆ ０．３μｍ ２）キャリアガス： Ｈｅ１．５ｋｇ／ｃｍ2Ｇ ３）スプリット比： スフ゜リット／カラム ＝６０／
０．７５＝８０ ４）セプタムパージ流量： １．５ｍｌ／ｍｉｎ ５）カラム ＩＮＩ．Ｔｅｍｐ： ５０℃ ６）カラム ＩＮＩ．Ｔｉｍｅ： ２ ｍｉｎ ７）カラム Ｐ． ＲＡＴＥ： １０℃／ｍｉｎ ８）カラム ＦＩＮＥ．Ｔｅｍｐ： ２５０℃ ９）カラム ＦＩＮＥ．Ｔｉｍｅ： １０ ｍｉｎ １０）ＩＮＪ． Ｔｅｍｐ： ３００℃ １１）ＤＥＴ． ＲＡＮＧＥ： １０×１ １２）ＣＲ−４Ａ ＷＩＤＴＨ： ５ｓｅｃ １３）ＡＴＴＥＮ ： ２ １４）ＭＩＮ． ＡＲＥＡ ： １００ １５）ＳＴＯＰ． ＴＭ ： ３３ｍｉｎ １６）ＳＰＥＥＤ ： １０ｍｍ／ｍｉｎ
【００３３】アルカリ金属溶出量の評価は試料（シリコ
ンウェーハーキャリアの５ｍｍ角フレークス状粉砕物）
１０ｇを８０℃の超純水８０ｃｃ中に１２０分間浸漬処
理した後、原子吸光光度計（日立製作所製 Ｚ８１０
０）を用いて、浸漬処理後の超純水中の溶出アルカリ金
属の量を分析することにより行った。
【００３４】実施例、比較例において用いた各種樹脂は
以下のとおりである。 実施例１：ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ） 帝人（株）製 商品名 Ｃ７０００ＺＹ 末端カルボキシル基濃度：３．５当量／ｔｏｎ 固有粘度 ：０．９２ 比較例１：ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ） 帝人（株）製 商品名：Ｃ７０００ 末端カルボキシル基濃度：４７当量／ｔｏｎ 固有粘度 ：１．０７ 比較例２：ポリプロピレン（ＰＰ） 三井東圧化学（株）製 商品名 ＢＪＳ―Ｇ
【００３５】［実施例１］ ポリブチレンテレフタレート（帝人（株）製 Ｃ７００
０ＺＹ）を押出機で、２６０℃、スクリュー回転数１６
０ｒｐｍ、吐出量５０ｋｇ／ｈにて溶融混練し、ダイス
から吐出するスレッドを冷却後、切断して成形用ペレッ
トを得た。次いで射出成形により試験片を作成し、機械
的強度、耐熱性（荷重撓み温度）の評価を行った。
【００３６】成形用ペレットを用いてシリンダー温度２
５０℃、金型温度６０℃で射出成形を行い、８″サイズ
のシリコンウェーハーキャリアを得た。このシリコンウ
ェーハーキャリアを５ｍｍ角のフレークス状に粉砕して
揮発ガス、溶出アルカリ金属の分析に供する試料を作成
し、揮発ガス発生量及びアルカリ金属溶出量の評価を行
った。結果を表１に示す。
【００３７】ウェハー汚染の原因となる揮発ガスは５ｐ
ｐｍと極めて小さく、ウェハー製造工程で必須とされる
耐熱レベルを有しており、ウェーハーキャリアとして優
れた特性を示した。
【００３８】また、溶出するアルカリ金属量は１２０ｐ
ｐｂと極めて低レベルにあり、ウェーハーキャリアとし
て優れた特性を示した。
【００３９】［比較例１］ 実施例１のポリブチレンテレフタレート（帝人（株）製
Ｃ７０００ＺＹ）に代えて、通常のポリブチレンテレ
フタレート（帝人（株）製Ｃ７０００）を用いて、実施
例１と同様に評価を行った。
【００４０】結果を表１に示す。
【００４１】［比較例２］ 実施例１のポリブチレンテレフタレート（帝人（株）製
Ｃ７０００ＺＹ）に代えて、ポリプロピレン（三井東
圧化学（株）製ＢＪＳ―Ｇ）を用いて、実施例１と同様
に評価を行った。結果を表１に示す。
【００４２】
【表１】
【００４３】
【発明の効果】本発明のシリコンウェーハーキャリアは
シリコンウェーハーの表面汚れを実質上生じさせること
のない程度に揮発ガス発生量及び溶出金属量が抑えられ
たシリコンウェーハーキャリアであり、さらに高い機械
的特性、耐熱性を備える。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C08G 63/00 - 63/91 H01L 21/68

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 その末端カルボキシル基濃度が１０当量
    ／ｔｏｎ以下で、かつ、１５０℃で６０分間熱処理した
    ときに発生する揮発ガスの量が２００ｐｐｍ以下であ
    り、８０℃の超純水の中で１２０分間浸漬処理したとき
    に溶出するアルカリ金属の量が１０ｐｐｍ以下であっ
    て、導電性カーボンを含まない熱可塑性ポリエステル樹
    脂よりなるシリコンウェーハーキャリア。
  2. 【請求項２】 熱可塑性ポリエステル樹脂がポリブチレ
    ンテレフタレートである請求項１に記載のシリコンウェ
    ーハーキャリア。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4054151B2 (ja) * 1999-01-18 2008-02-27 日本ポリペンコ株式会社 帯電防止性ポリエステルアミド樹脂成形体
US20030217693A1 (en) * 2002-05-22 2003-11-27 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly having an edge protector
US20030219986A1 (en) * 2002-05-22 2003-11-27 Applied Materials, Inc. Substrate carrier for processing substrates
US20040004079A1 (en) * 2002-07-05 2004-01-08 Sanjiv Bhatt Fire retardant foup wafer carrier
JP2006001647A (ja) * 2004-05-18 2006-01-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 容器、包装体、容器の製造方法、包装体の製造方法および化合物半導体基板
JP2008130982A (ja) * 2006-11-24 2008-06-05 Sumitomo Electric Ind Ltd ウエハ収納容器内に設ける部材およびその製造方法
JP5916308B2 (ja) * 2011-07-20 2016-05-11 ウィンテックポリマー株式会社 樹脂ペレットの製造方法及び自動車内装部品
JP2013023553A (ja) * 2011-07-20 2013-02-04 Wintech Polymer Ltd 樹脂成形体の製造方法、及び樹脂成形体の製造条件決定方法
SG11201601098VA (en) * 2013-09-11 2016-03-30 Shinetsu Polymer Co Container for storing photomask blanks

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62230835A (ja) 1986-03-31 1987-10-09 Takemoto Oil & Fat Co Ltd 合成高分子材料用帯電防止剤
US5338795A (en) * 1986-04-14 1994-08-16 Toray Industries, Inc. Housing and thermoplastic resin compositions including polyether ester amide, styrene based resin and vinyl copolymer
JPS63120754A (ja) 1986-11-11 1988-05-25 Toray Ind Inc 熱可塑性ポリエステル組成物
US5096995A (en) * 1987-08-13 1992-03-17 Toray Industries, Inc. Polyether-ester amide and permanently antistatic resin composition
JPH0651831B2 (ja) 1988-08-29 1994-07-06 東レ株式会社 熱可塑性ポリエステル組成物
JPH03228349A (ja) 1990-02-02 1991-10-09 Nec Corp 半導体ウェハーケース
JPH04276442A (ja) 1991-03-04 1992-10-01 Toyo Seikan Kaisha Ltd 制電性ポリエステル容器
JPH04296525A (ja) 1991-03-26 1992-10-20 Toray Ind Inc ポリエステル樹脂ブロー中空成形品
JP3228349B2 (ja) 1992-08-10 2001-11-12 古河電気工業株式会社 熱可塑性樹脂発泡体の製造方法
EP0692817B1 (en) * 1994-07-15 1997-09-24 Fluoroware, Inc. Wafer carrier
JPH08288377A (ja) 1995-04-18 1996-11-01 Sony Corp ウェーハ収納体
JPH0912844A (ja) 1995-07-03 1997-01-14 Fuji Kasei Kogyo Kk ポリエステル樹脂組成物
JPH0912845A (ja) 1995-07-04 1997-01-14 Fuji Kasei Kogyo Kk ポリエステル樹脂組成物

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