JPH10116889A - シリコンウェーハーキャリア - Google Patents
シリコンウェーハーキャリアInfo
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- JPH10116889A JPH10116889A JP26721596A JP26721596A JPH10116889A JP H10116889 A JPH10116889 A JP H10116889A JP 26721596 A JP26721596 A JP 26721596A JP 26721596 A JP26721596 A JP 26721596A JP H10116889 A JPH10116889 A JP H10116889A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリコンウェーハーの表面汚れを実質的に生
じさせない程度に揮発ガス発生量が抑えられ、かつ高い
機械的強度及び耐熱性を備えたシリコンウェーハーキャ
リアを提供する。 【解決手段】 １５０℃で６０分間熱処理したときに発
生する揮発ガスの量が１０ｐｐｍ以下であり、８０℃の
超純水の中で１２０分間浸漬処理したときに溶出するア
ルカリ金属の量が５０ｐｐｂ以下である熱可塑性ポリエ
ステル樹脂よりなるシリコンウェーハーキャリア。
じさせない程度に揮発ガス発生量が抑えられ、かつ高い
機械的強度及び耐熱性を備えたシリコンウェーハーキャ
リアを提供する。 【解決手段】 １５０℃で６０分間熱処理したときに発
生する揮発ガスの量が１０ｐｐｍ以下であり、８０℃の
超純水の中で１２０分間浸漬処理したときに溶出するア
ルカリ金属の量が５０ｐｐｂ以下である熱可塑性ポリエ
ステル樹脂よりなるシリコンウェーハーキャリア。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はシリコンウェーハー
搬送体として用いられるシリコンウェーハーキャリアに
関する。
搬送体として用いられるシリコンウェーハーキャリアに
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコンウェーハーキャリアとし
てはポリプロピレン等の汎用樹脂からなるものが広く使
用されている。近年の情報社会の進歩の伴って、シリコ
ンウェーハーの大径化が進み、シリコンウェーハーキャ
リアも大型化しており、汎用樹脂製シリコンウェーハー
キャリアより更に高い剛性を備えたシリコンウェーハー
キャリアが求められている。また、シリコンウェーハー
キャリアはシリコンウェーハーの熱処理工程、洗浄工程
及び運搬における搬送体として一貫して使用するため
に、高い耐熱性を備えたものであることが望ましい。ポ
リプロピレン等の汎用樹脂からなるシリコンウェーハー
キャリアは、耐熱性が十分でなく、高温の熱処理に対応
できるよう一層の耐熱性の向上が望まれていた。
てはポリプロピレン等の汎用樹脂からなるものが広く使
用されている。近年の情報社会の進歩の伴って、シリコ
ンウェーハーの大径化が進み、シリコンウェーハーキャ
リアも大型化しており、汎用樹脂製シリコンウェーハー
キャリアより更に高い剛性を備えたシリコンウェーハー
キャリアが求められている。また、シリコンウェーハー
キャリアはシリコンウェーハーの熱処理工程、洗浄工程
及び運搬における搬送体として一貫して使用するため
に、高い耐熱性を備えたものであることが望ましい。ポ
リプロピレン等の汎用樹脂からなるシリコンウェーハー
キャリアは、耐熱性が十分でなく、高温の熱処理に対応
できるよう一層の耐熱性の向上が望まれていた。
【０００３】ところで、通常の熱可塑性ポリエステル樹
脂からなるシリコンウェーハーキャリアは既に使用され
ている。このシリコンウェーハーキャリアは汎用樹脂か
らなるシリコンウェーハーキャリアの耐熱性、剛性にお
ける問題点を解消した点では優れたものであるが高温下
で使用したときにシリコンウェーハー表面を汚染する場
合がありシリコンウェーハーキャリアとして重大な問題
があった。シリコンウェーハーに表面汚染があると、デ
バイスの結晶欠陥や電気特性低下が発生し、このような
シリコンウェーハーから加工された製品は品質上使用に
供し得ない状態となる。
脂からなるシリコンウェーハーキャリアは既に使用され
ている。このシリコンウェーハーキャリアは汎用樹脂か
らなるシリコンウェーハーキャリアの耐熱性、剛性にお
ける問題点を解消した点では優れたものであるが高温下
で使用したときにシリコンウェーハー表面を汚染する場
合がありシリコンウェーハーキャリアとして重大な問題
があった。シリコンウェーハーに表面汚染があると、デ
バイスの結晶欠陥や電気特性低下が発生し、このような
シリコンウェーハーから加工された製品は品質上使用に
供し得ない状態となる。
【０００４】
【発明が解決すべき課題】本発明は、上述の従来技術の
問題を解決することを課題とするものであり、剛性等の
機械的特性及び耐熱性を備え、実質的にシリコンウェー
ハー表面汚染を発生させることのないシリコンウェーハ
ーキャリアを提供することを課題とする。
問題を解決することを課題とするものであり、剛性等の
機械的特性及び耐熱性を備え、実質的にシリコンウェー
ハー表面汚染を発生させることのないシリコンウェーハ
ーキャリアを提供することを課題とする。
【０００５】本発明者らは、シリコンウェーハーの表面
汚染がシリコンウェーハーキャリアからの揮発ガス及び
溶出金属に起因するものであることを知見した。
汚染がシリコンウェーハーキャリアからの揮発ガス及び
溶出金属に起因するものであることを知見した。
【０００６】発明者らの知見によれば通常の熱可塑性ポ
リエステル樹脂からなるシリコンウェーハーキャリアは
有機ガスからなる揮発ガスが多量に発生し、シリコンウ
ェーハーの運搬、保管において揮発ガスがシリコンウェ
ーハー上で凝縮しシリコンウェーハー表面を汚染する。
また、シリコンウェーハーの洗浄工程において、シリコ
ンウェーハーキャリアからの溶出金属が多いと、シリコ
ンウェーハーの表面に付着してシリコンウェーハー表面
を汚染する。
リエステル樹脂からなるシリコンウェーハーキャリアは
有機ガスからなる揮発ガスが多量に発生し、シリコンウ
ェーハーの運搬、保管において揮発ガスがシリコンウェ
ーハー上で凝縮しシリコンウェーハー表面を汚染する。
また、シリコンウェーハーの洗浄工程において、シリコ
ンウェーハーキャリアからの溶出金属が多いと、シリコ
ンウェーハーの表面に付着してシリコンウェーハー表面
を汚染する。
【０００７】本発明はシリコンウェーハーの表面汚れと
して支障を及ぼさない程度にまで揮発ガスの発生及び金
属の溶出が抑えられたシリコンウェーハーキャリアを提
供することを課題とする。
して支障を及ぼさない程度にまで揮発ガスの発生及び金
属の溶出が抑えられたシリコンウェーハーキャリアを提
供することを課題とする。
【０００８】シリコンウェーハーキャリアは、シリコン
ウェーハーの加熱工程及び洗浄工程で用いられることか
ら耐加水分解性を備えたものであることが望ましい。本
発明の他の課題は、上記特性に加えて耐加水分解性を備
えたシリコンウェーハーキャリアを提供することにあ
る。
ウェーハーの加熱工程及び洗浄工程で用いられることか
ら耐加水分解性を備えたものであることが望ましい。本
発明の他の課題は、上記特性に加えて耐加水分解性を備
えたシリコンウェーハーキャリアを提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、１５０℃で６
０分間熱処理したときに発生する揮発ガスの量が１０ｐ
ｐｍ以下であり、８０℃の超純水の中で１２０分間浸漬
処理したときに溶出するアルカリ金属の量が５０ｐｐｂ
以下である熱可塑性ポリエステル樹脂よりなるシリコン
ウェーハーキャリアである。
０分間熱処理したときに発生する揮発ガスの量が１０ｐ
ｐｍ以下であり、８０℃の超純水の中で１２０分間浸漬
処理したときに溶出するアルカリ金属の量が５０ｐｐｂ
以下である熱可塑性ポリエステル樹脂よりなるシリコン
ウェーハーキャリアである。
【００１０】本発明のシリコンウェーハーキャリアは１
５０℃で６０分間熱処理したときの揮発ガスの発生量が
１０ｐｐｍ以下であることが必要であり、５ｐｐｍ以下
であることが好ましい。
５０℃で６０分間熱処理したときの揮発ガスの発生量が
１０ｐｐｍ以下であることが必要であり、５ｐｐｍ以下
であることが好ましい。
【００１１】シリコンウェーハーキャリアの揮発ガス発
生量は、シリコンウェーハーキャリアを５ｍｍ角のフレ
ークス状粒子に粉砕して得た試料１０ｇについて測定し
た値であり、ヘッドスペース・ガス・クロマトグラフに
より検出した値である。
生量は、シリコンウェーハーキャリアを５ｍｍ角のフレ
ークス状粒子に粉砕して得た試料１０ｇについて測定し
た値であり、ヘッドスペース・ガス・クロマトグラフに
より検出した値である。
【００１２】揮発ガスの発生量が１０ｐｐｍを超える
と、揮発ガスによるシリコンウェーハーの表面汚染がシ
リコンウェーハーの品質を害し、後にシリコンウェーハ
ーを加工して得られるＬＳＩ等の電子デバイスの製品欠
陥の原因となる。
と、揮発ガスによるシリコンウェーハーの表面汚染がシ
リコンウェーハーの品質を害し、後にシリコンウェーハ
ーを加工して得られるＬＳＩ等の電子デバイスの製品欠
陥の原因となる。
【００１３】シリコンウェーハーキャリアの熱処理によ
り発生する揮発ガスは主に有機ガスであり、例えばアセ
トアルデヒド、アセトン、テトラヒドロフラン、３―ブ
テン―１―オールである。これらの揮発ガスはシリコン
ウェーハー上に凝縮し、またシリコンウェーハーキャリ
ア上に凝縮してシリコンウェーハーに転写され、シリコ
ンウェーハー表面を汚染する。
り発生する揮発ガスは主に有機ガスであり、例えばアセ
トアルデヒド、アセトン、テトラヒドロフラン、３―ブ
テン―１―オールである。これらの揮発ガスはシリコン
ウェーハー上に凝縮し、またシリコンウェーハーキャリ
ア上に凝縮してシリコンウェーハーに転写され、シリコ
ンウェーハー表面を汚染する。
【００１４】本発明のシリコンウェーハーキャリアは８
０℃の超純水に１２０分間浸漬処理したときのアルカリ
金属の溶出量が５０ｐｐｂ以下であることが必要であ
り、１０ｐｐｂ以下であることが好ましい。
０℃の超純水に１２０分間浸漬処理したときのアルカリ
金属の溶出量が５０ｐｐｂ以下であることが必要であ
り、１０ｐｐｂ以下であることが好ましい。
【００１５】シリコンウェーハーキャリアのアルカリ金
属溶出量は、シリコンウェーハーキャリアを５ｍｍ角の
フレークス状粒子に粉砕して得た試料１０ｇを８０℃の
超純水８０ｍｌに１２０分間浸漬した後、超純水中に溶
出したアルカリ金属の量を原子吸光光度計により測定し
た値である。
属溶出量は、シリコンウェーハーキャリアを５ｍｍ角の
フレークス状粒子に粉砕して得た試料１０ｇを８０℃の
超純水８０ｍｌに１２０分間浸漬した後、超純水中に溶
出したアルカリ金属の量を原子吸光光度計により測定し
た値である。
【００１６】アルカリ金属の溶出量が５０ｐｐｂを越え
るとアルカリ金属によるシリコンウェーハーの表面汚染
がシリコンウェーハーの品質を害し、後にシリコンウェ
ーハーを加工して得られるＬＳＩ等の電子デバイスの製
品の欠陥の原因となる。
るとアルカリ金属によるシリコンウェーハーの表面汚染
がシリコンウェーハーの品質を害し、後にシリコンウェ
ーハーを加工して得られるＬＳＩ等の電子デバイスの製
品の欠陥の原因となる。
【００１７】アルカリ金属によるシリコンウェーハーの
表面汚染は、主にシリコンウェーハー洗浄処理工程にお
いてシリコンウェーハーキャリアから溶出したアルカリ
金属がシリコンウェーハーへ付着することによって起こ
る。
表面汚染は、主にシリコンウェーハー洗浄処理工程にお
いてシリコンウェーハーキャリアから溶出したアルカリ
金属がシリコンウェーハーへ付着することによって起こ
る。
【００１８】本発明で用いられる熱可塑性ポリエステル
樹脂は固有粘度が０．６〜１．２である。固有粘度がこ
の範囲であれば、シリコンウェーハーキャリアの状態で
の高い剛性と成形時の樹脂の十分な流動性性を得ること
ができ、大型キャリアをショートショットを発生させる
ことなく得ることができる。ここで固有粘度は３５℃に
おけるオルトクロルフェノール中での測定値をもとにし
た計算値である。
樹脂は固有粘度が０．６〜１．２である。固有粘度がこ
の範囲であれば、シリコンウェーハーキャリアの状態で
の高い剛性と成形時の樹脂の十分な流動性性を得ること
ができ、大型キャリアをショートショットを発生させる
ことなく得ることができる。ここで固有粘度は３５℃に
おけるオルトクロルフェノール中での測定値をもとにし
た計算値である。
【００１９】本発明に用いられる熱可塑性ポリエステル
は、その末端カルボキシル基濃度が好ましくは１０当量
／ｔｏｎ以下、更に好ましくは５当量／ｔｏｎ以下であ
る。末端カルボキシル基濃度がこの範囲にあれば、シリ
コンウェーハーキャリアは熱処理時の揮発ガス発生量が
十分に少なく、また、優れた耐加水分解性を備えたもの
となる。
は、その末端カルボキシル基濃度が好ましくは１０当量
／ｔｏｎ以下、更に好ましくは５当量／ｔｏｎ以下であ
る。末端カルボキシル基濃度がこの範囲にあれば、シリ
コンウェーハーキャリアは熱処理時の揮発ガス発生量が
十分に少なく、また、優れた耐加水分解性を備えたもの
となる。
【００２０】末端カルボキシル基（ＣＯＯＨ）濃度はエ
イ・コニックス（Ａ．Ｃｏｎｉｘ）の方法｛Ｍａｋｒｏ
ｍｏｌ．Ｃｈｅｍ，２６，２２６（１９５８）｝によっ
て測定したポリマー１０6ｇ当りの当量数である。
イ・コニックス（Ａ．Ｃｏｎｉｘ）の方法｛Ｍａｋｒｏ
ｍｏｌ．Ｃｈｅｍ，２６，２２６（１９５８）｝によっ
て測定したポリマー１０6ｇ当りの当量数である。
【００２１】本発明に用いられる熱可塑性ポリエステル
樹脂としては、主たるジカルボン酸成分としてテレフタ
ル酸または２，６―ナフタレンジカルボン酸あるいはこ
れらのエステル形成性誘導体を用い、主たるグリコール
成分として炭素数２〜１０のグリコール又はそのエステ
ル形成性誘導体を用いて得られる線状飽和ポリエステル
が好ましい。かかる線状飽和ポリエステルとして例えば
ポリエチレチンテレフタレート、ポリプロピレンテレフ
タレート、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポ
リヘキサメチレンテレフタレート、ポリシクロヘキサン
―１，４―ジメチレンテレフタレート、ポリエチレン―
２，６―ナフタレンジカルボキシレート、ポリブチレン
―２，６―ナフタレンジカルボキシレート等が挙げられ
る。これらの中で特にポリブチレンテレフタレート（Ｐ
ＢＴ）が好ましい。本発明においてポリブチレンテレフ
タレート（ＰＢＴ）は、テレフタル酸を主たるジカルボ
ン酸成分、テトラメチレングリコールを主たるグリコー
ル成分としてなるポリエステルである。
樹脂としては、主たるジカルボン酸成分としてテレフタ
ル酸または２，６―ナフタレンジカルボン酸あるいはこ
れらのエステル形成性誘導体を用い、主たるグリコール
成分として炭素数２〜１０のグリコール又はそのエステ
ル形成性誘導体を用いて得られる線状飽和ポリエステル
が好ましい。かかる線状飽和ポリエステルとして例えば
ポリエチレチンテレフタレート、ポリプロピレンテレフ
タレート、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポ
リヘキサメチレンテレフタレート、ポリシクロヘキサン
―１，４―ジメチレンテレフタレート、ポリエチレン―
２，６―ナフタレンジカルボキシレート、ポリブチレン
―２，６―ナフタレンジカルボキシレート等が挙げられ
る。これらの中で特にポリブチレンテレフタレート（Ｐ
ＢＴ）が好ましい。本発明においてポリブチレンテレフ
タレート（ＰＢＴ）は、テレフタル酸を主たるジカルボ
ン酸成分、テトラメチレングリコールを主たるグリコー
ル成分としてなるポリエステルである。
【００２２】ここで「主たる」とは、全ジカルボン酸成
分又は全グリコール成分に対して８０モル％以上をい
い、好ましくは９０モル％以上である。
分又は全グリコール成分に対して８０モル％以上をい
い、好ましくは９０モル％以上である。
【００２３】熱可塑性ポリエステル樹脂は、この範囲で
ジカルボン酸成分或はグリコール成分の一部を他の共重
合成分で置き換えたものでもよい。かかる共重合可能な
ジカルボン酸成分としては、芳香族ジカルボン酸、例え
ばテレフタル酸（主たるジカルボン酸がテレフタル酸で
ある場合を除く）、２，６―ナフタレンジカルボン酸
（主たるジカルボン酸が２，６―ナフタレンジカルボン
酸である場合を除く）、イソフタル酸、ナフタレンジカ
ルボン酸、ジフェニルジカルボン酸、ジフェニルエーテ
ルジカルボン酸、ジフェノキシエタンジカルボン酸、ジ
フェニルケトンジカルボン酸、ジフェニルスルフォンジ
カルボン酸等、脂肪族ジカルボン酸、例えばコハク酸、
アジピン酸、セバシン酸等、脂環族ジカルボン酸、例え
ばシクロヘキサンジカルボン酸、テトラリンジカルボン
酸、デカリンジカルボン酸等が例示される。共重合可能
なグリコール成分としては、例えばエチレングリコー
ル、プロピレングリコール、ブチレングリコール、ヘキ
サメチレングリコール、デカンジオール、１，４―シク
ロヘキサンジメタノール、トリシクロデカンジメチロー
ル、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＳ、ビスヒドロ
キシエトキシビスフェノールＡ等が例示される。また、
本発明で用いられる芳香族ポリエステルは実質的に成形
性を損なわない範囲で多官能化合物、例えばグリセリ
ン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、
トリメリット酸、トリメシン酸、ピロメリット酸等を共
重合してもよい。
ジカルボン酸成分或はグリコール成分の一部を他の共重
合成分で置き換えたものでもよい。かかる共重合可能な
ジカルボン酸成分としては、芳香族ジカルボン酸、例え
ばテレフタル酸（主たるジカルボン酸がテレフタル酸で
ある場合を除く）、２，６―ナフタレンジカルボン酸
（主たるジカルボン酸が２，６―ナフタレンジカルボン
酸である場合を除く）、イソフタル酸、ナフタレンジカ
ルボン酸、ジフェニルジカルボン酸、ジフェニルエーテ
ルジカルボン酸、ジフェノキシエタンジカルボン酸、ジ
フェニルケトンジカルボン酸、ジフェニルスルフォンジ
カルボン酸等、脂肪族ジカルボン酸、例えばコハク酸、
アジピン酸、セバシン酸等、脂環族ジカルボン酸、例え
ばシクロヘキサンジカルボン酸、テトラリンジカルボン
酸、デカリンジカルボン酸等が例示される。共重合可能
なグリコール成分としては、例えばエチレングリコー
ル、プロピレングリコール、ブチレングリコール、ヘキ
サメチレングリコール、デカンジオール、１，４―シク
ロヘキサンジメタノール、トリシクロデカンジメチロー
ル、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＳ、ビスヒドロ
キシエトキシビスフェノールＡ等が例示される。また、
本発明で用いられる芳香族ポリエステルは実質的に成形
性を損なわない範囲で多官能化合物、例えばグリセリ
ン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、
トリメリット酸、トリメシン酸、ピロメリット酸等を共
重合してもよい。
【００２４】これらの共重合成分は１種または２種以上
を用いることができる。また共重合成分の割合は全ジカ
ルボン酸（オキシカルボン酸はその半分量がカルボン酸
として計算）に対して２０モル％以下が好ましく、更に
１０％モル以下が好ましい。本発明に用いられる熱可塑
性ポリエステル樹脂はＰＢＴのホモポリマーが特に好ま
しい。
を用いることができる。また共重合成分の割合は全ジカ
ルボン酸（オキシカルボン酸はその半分量がカルボン酸
として計算）に対して２０モル％以下が好ましく、更に
１０％モル以下が好ましい。本発明に用いられる熱可塑
性ポリエステル樹脂はＰＢＴのホモポリマーが特に好ま
しい。
【００２５】本発明のシリコンウェーハーキャリアは既
述のとおり、揮発ガスの発生量が１０ｐｐｍ以下であ
り、アルカリ金属の溶出量が５０ｐｐｂ以下であること
が必要である。この条件は、シリコンウェーハーキャリ
アの５ｍｍ角のフレークス状粉砕物について満足するこ
とが必要であることは既述のとおりである。
述のとおり、揮発ガスの発生量が１０ｐｐｍ以下であ
り、アルカリ金属の溶出量が５０ｐｐｂ以下であること
が必要である。この条件は、シリコンウェーハーキャリ
アの５ｍｍ角のフレークス状粉砕物について満足するこ
とが必要であることは既述のとおりである。
【００２６】このようなシリコンウェーハーキャリア
は、ペレットの状態で１５０℃で６０分間熱処理したと
きの揮発ガスの発生量が１０ｐｐｍ以下、好ましくは５
ｐｐｍ以下であり、ペレットの状態で８０℃の超純水に
１２０分間浸漬処理したときのアルカリ金属の溶出量が
５０ｐｐｂ以下、好ましくは１０ｐｐｂ以下であるポリ
エステル樹脂ペレットを用いて成形することにより得る
ことができる。ペレットの揮発ガスの発生量及びアルカ
リ金属の溶出量はシリコンウェーハーキャリアの粉砕物
についての測定方法と同様の方法による測定値である。
は、ペレットの状態で１５０℃で６０分間熱処理したと
きの揮発ガスの発生量が１０ｐｐｍ以下、好ましくは５
ｐｐｍ以下であり、ペレットの状態で８０℃の超純水に
１２０分間浸漬処理したときのアルカリ金属の溶出量が
５０ｐｐｂ以下、好ましくは１０ｐｐｂ以下であるポリ
エステル樹脂ペレットを用いて成形することにより得る
ことができる。ペレットの揮発ガスの発生量及びアルカ
リ金属の溶出量はシリコンウェーハーキャリアの粉砕物
についての測定方法と同様の方法による測定値である。
【００２７】本発明に成形用ペレットとして用いられる
熱可塑性ポリエステル樹脂はテレフタル酸を含むジカル
ボン酸またはそのエステル形成性誘導体とエチレングリ
コールを含むジヒドロキシ化合物またはそのエステル形
成性誘導体とを重縮合触媒の存在下に液相重縮合させた
後、ペレット化して更に１８０℃〜２２５℃、常圧の条
件で窒素雰囲気下で固相重縮合反応を行い、その後１４
０〜１７０℃の窒素雰囲気で２〜６時間加熱処理するこ
とにより得ることができる。
熱可塑性ポリエステル樹脂はテレフタル酸を含むジカル
ボン酸またはそのエステル形成性誘導体とエチレングリ
コールを含むジヒドロキシ化合物またはそのエステル形
成性誘導体とを重縮合触媒の存在下に液相重縮合させた
後、ペレット化して更に１８０℃〜２２５℃、常圧の条
件で窒素雰囲気下で固相重縮合反応を行い、その後１４
０〜１７０℃の窒素雰囲気で２〜６時間加熱処理するこ
とにより得ることができる。
【００２８】本発明のシリコンウェーハーキャリアはこ
のようにして得られた熱可塑性ポリエステル樹脂のペレ
ットを用いて公知の成形方法、例えば射出成形、押出成
形、注型成形によって得ることができる。
のようにして得られた熱可塑性ポリエステル樹脂のペレ
ットを用いて公知の成形方法、例えば射出成形、押出成
形、注型成形によって得ることができる。
【００２９】
【実施例】以下実施例により本発明を詳述する。 ［引張強度］引張強度はＡＳＴＭＤ６３８に準拠して測
定した。 ［熱変形温度］熱変形温度はＡＳＴＭＤ６４８に準拠し
て荷重撓み温度を測定した。
定した。 ［熱変形温度］熱変形温度はＡＳＴＭＤ６４８に準拠し
て荷重撓み温度を測定した。
【００３０】［揮発ガス］揮発ガス発生量の評価は、試
料（シリコンウェーハーキャリアの５ｍｍ角フレークス
状粉砕物）１０ｇを１５０℃で６０分間熱処理したとき
の揮発ガスの発生量をガスクロマトグラフィーを用いて
測定することにより行った。
料（シリコンウェーハーキャリアの５ｍｍ角フレークス
状粉砕物）１０ｇを１５０℃で６０分間熱処理したとき
の揮発ガスの発生量をガスクロマトグラフィーを用いて
測定することにより行った。
【００３１】ガスクロマトグラフィーにはヘッドスペー
スガスクロマトグラフィー（（株）島津製作所製ＨＳ―
ＧＣ：ＧＣ―９Ａ ＨＳＳ―２ＡとＣＲ―４Ａ）を用い
た。
スガスクロマトグラフィー（（株）島津製作所製ＨＳ―
ＧＣ：ＧＣ―９Ａ ＨＳＳ―２ＡとＣＲ―４Ａ）を用い
た。
【００３２】分析条件は以下のとおりである。 １）カラム シリコン ０Ｖ―１７０１，Ｉｄ 0.25mm ×50mm，ｄｆ 0.3μｍ ２）キャリアガス Ｈｅ １．５kg／cm2Ｇ ３）スプリット比 スフ゜リット/カラム ＝６０／０．７５＝８０ ４）セプタムパージ流量 １．５ml／min ５）カラム INI. Temp ５０℃ ６）カラム INI. Time ２ min ７）カラム P. RATE １０℃／min ８）カラム FINE. Temp ２５０℃ ９）カラム FINE. Time １０ min １０）INJ. Temp ３００℃ １１）DET. RANGE １０×１ １２）CR-4A WIDTH ５ｓｅｃ １３）ATTEN ２ １４）MIN. AREA １００ １５）STOP. TM ３３min １６）SPEED １０mm／min
【００３３】［溶出アルカリ金属］アルカリ金属溶出量
の評価は、試料（シリコンウェーハーキャリアの５ｍｍ
角フレークス状粉砕物）１０ｇを８０℃の超純水８０ｍ
ｌ中に１２０分間浸漬処理した後、原子吸光光度計（日
立製作所製 Ｚ８１００）を用いて、浸漬処理後の超純
水中の溶出アルカリ金属の量を分析することにより行っ
た。
の評価は、試料（シリコンウェーハーキャリアの５ｍｍ
角フレークス状粉砕物）１０ｇを８０℃の超純水８０ｍ
ｌ中に１２０分間浸漬処理した後、原子吸光光度計（日
立製作所製 Ｚ８１００）を用いて、浸漬処理後の超純
水中の溶出アルカリ金属の量を分析することにより行っ
た。
【００３４】実施例、比較例において用いた各種樹脂は
以下のとおりである。 ・ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ） 溶液重合後固相重合により得たＰＢＴ 帝人（株）製 商品名 Ｃ７０００ＺＹ 末端カルボキシル基濃度：３．５当量／ｔｏｎ 固有粘度 ：０．９２ ・ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ） 帝人（株）製 商品名 Ｃ７０００ 末端カルボキシル基濃度：４７当量／ｔｏｎ 固有粘度 ：１．０７ ・ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ） 溶液重合後固相重合により得たＰＢＴ 帝人（株）製 商品名 ＴＲＢ−ＲＫ 末端カルボキシル基濃度：３．５当量／ｔｏｎ ・ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ） 溶液重合により得たＰＢＴ 帝人（株）製 商品名 ＴＲＢ−Ｊ 末端カルボキシル基濃度：５２当量／ｔｏｎ ・ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ） 溶液重合により得たＰＢＴ 帝人（株）製 商品名 ＴＲＢ−Ｋ 末端カルボキシル基濃度：４２当量／ｔｏｎ ・ポリプロピレン（ＰＰ） 三井東圧化学（株）製 商品名 ＢＪＳ―Ｇ
以下のとおりである。 ・ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ） 溶液重合後固相重合により得たＰＢＴ 帝人（株）製 商品名 Ｃ７０００ＺＹ 末端カルボキシル基濃度：３．５当量／ｔｏｎ 固有粘度 ：０．９２ ・ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ） 帝人（株）製 商品名 Ｃ７０００ 末端カルボキシル基濃度：４７当量／ｔｏｎ 固有粘度 ：１．０７ ・ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ） 溶液重合後固相重合により得たＰＢＴ 帝人（株）製 商品名 ＴＲＢ−ＲＫ 末端カルボキシル基濃度：３．５当量／ｔｏｎ ・ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ） 溶液重合により得たＰＢＴ 帝人（株）製 商品名 ＴＲＢ−Ｊ 末端カルボキシル基濃度：５２当量／ｔｏｎ ・ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ） 溶液重合により得たＰＢＴ 帝人（株）製 商品名 ＴＲＢ−Ｋ 末端カルボキシル基濃度：４２当量／ｔｏｎ ・ポリプロピレン（ＰＰ） 三井東圧化学（株）製 商品名 ＢＪＳ―Ｇ
【００３５】［実施例１］ポリブチレンテレフタレート
（帝人（株）製Ｃ７０００ＺＹ）を押出機で、２６０
℃、スクリュー回転数１６０ｒｐｍ、吐出量５０ｋｇ／
ｈにて溶融混練し、ダイスから吐出するスレッドを冷却
後、切断して成形用ペレットを得た。次いで射出成形に
より試験片を作成し、機械的強度、耐熱性（荷重撓み温
度）の評価を行った。
（帝人（株）製Ｃ７０００ＺＹ）を押出機で、２６０
℃、スクリュー回転数１６０ｒｐｍ、吐出量５０ｋｇ／
ｈにて溶融混練し、ダイスから吐出するスレッドを冷却
後、切断して成形用ペレットを得た。次いで射出成形に
より試験片を作成し、機械的強度、耐熱性（荷重撓み温
度）の評価を行った。
【００３６】成形用ペレットを用いてシリンダー温度２
５０℃、金型温度６０℃で射出成形を行い、８インチサ
イズのシリコンウェーハーキャリアを得た。このシリコ
ンウェーハーキャリアを５ｍｍ角のフレークス状に粉砕
して揮発ガス、溶出アルカリ金属の分析に供する試料を
作成し、揮発ガス発生量及びアルカリ金属溶出量の評価
を行った。結果を表１及び表２に示す。
５０℃、金型温度６０℃で射出成形を行い、８インチサ
イズのシリコンウェーハーキャリアを得た。このシリコ
ンウェーハーキャリアを５ｍｍ角のフレークス状に粉砕
して揮発ガス、溶出アルカリ金属の分析に供する試料を
作成し、揮発ガス発生量及びアルカリ金属溶出量の評価
を行った。結果を表１及び表２に示す。
【００３７】本発明のシリコンウェーハーキャリアは、
シリコンウェハー汚染の原因となる揮発ガス発生量は３
ｐｐｍと極めて小さく、またシリコンウェハー製造工程
で必須とされる耐熱レベルを有しており、シリコンウェ
ーハーキャリアとして優れた特性を示した。
シリコンウェハー汚染の原因となる揮発ガス発生量は３
ｐｐｍと極めて小さく、またシリコンウェハー製造工程
で必須とされる耐熱レベルを有しており、シリコンウェ
ーハーキャリアとして優れた特性を示した。
【００３８】さらに、本発明のシリコンウェーハーキャ
リアは、溶出するアルカリ金属量は２．２ｐｐｂ以下と
極めて少なく、ウェーハーキャリアとして優れた特性を
示した。
リアは、溶出するアルカリ金属量は２．２ｐｐｂ以下と
極めて少なく、ウェーハーキャリアとして優れた特性を
示した。
【００３９】［比較例１］実施例１のポリブチレンテレ
フタレート（帝人（株）製Ｃ７０００ＺＹ）に代えてポ
リブチレンテレフタレート（帝人（株）製Ｃ７０００）
を用いて、実施例１と同様に評価を行った。結果を表１
に示す。
フタレート（帝人（株）製Ｃ７０００ＺＹ）に代えてポ
リブチレンテレフタレート（帝人（株）製Ｃ７０００）
を用いて、実施例１と同様に評価を行った。結果を表１
に示す。
【００４０】［比較例２］実施例１のポリブチレンテレ
フタレート（帝人（株）製Ｃ７０００ＺＹ）に代えてポ
リプロピレン（三井東圧化学（株）製ＢＪＳ―Ｇ）を用
いて、実施例１と同様に評価を行った。結果を表１に示
す。
フタレート（帝人（株）製Ｃ７０００ＺＹ）に代えてポ
リプロピレン（三井東圧化学（株）製ＢＪＳ―Ｇ）を用
いて、実施例１と同様に評価を行った。結果を表１に示
す。
【００４１】
【表１】
【００４２】［実施例２］実施例１のポリブチレンテレ
フタレート（帝人（株）製Ｃ７０００ＺＹ）に代えてポ
リブチレンテレフタレート（帝人（株）製ＴＲＢ−Ｒ
Ｋ）を用いて、実施例１と同様に評価を行った。結果を
表２に示す。
フタレート（帝人（株）製Ｃ７０００ＺＹ）に代えてポ
リブチレンテレフタレート（帝人（株）製ＴＲＢ−Ｒ
Ｋ）を用いて、実施例１と同様に評価を行った。結果を
表２に示す。
【００４３】［比較例３］実施例１のポリブチレンテレ
フタレート（帝人（株）製Ｃ７０００ＺＹ）に代えてポ
リブチレンテレフタレート（帝人（株）製ＴＲＢ−Ｊ）
を用いて、実施例１と同様に評価を行った。結果を表２
に示す。
フタレート（帝人（株）製Ｃ７０００ＺＹ）に代えてポ
リブチレンテレフタレート（帝人（株）製ＴＲＢ−Ｊ）
を用いて、実施例１と同様に評価を行った。結果を表２
に示す。
【００４４】［比較例４］実施例１のポリブチレンテレ
フタレート（帝人（株）製Ｃ７０００ＺＹ）に代えてポ
リブチレンテレフタレート（帝人（株）製ＴＲＢ−Ｋ）
を用いて、実施例１と同様に評価を行った。結果を表２
に示す。
フタレート（帝人（株）製Ｃ７０００ＺＹ）に代えてポ
リブチレンテレフタレート（帝人（株）製ＴＲＢ−Ｋ）
を用いて、実施例１と同様に評価を行った。結果を表２
に示す。
【００４５】
【表２】
【００４６】
【発明の効果】本発明のシリコンウェーハーキャリアは
シリコンウェーハーの表面汚れを実質上生じさせること
のない程度に揮発ガス発生量及び溶出金属量が抑えられ
たシリコンウェーハーキャリアであり、さらに高い機械
的特性、耐熱性を備える。
シリコンウェーハーの表面汚れを実質上生じさせること
のない程度に揮発ガス発生量及び溶出金属量が抑えられ
たシリコンウェーハーキャリアであり、さらに高い機械
的特性、耐熱性を備える。
Claims (2)
- 【請求項１】 １５０℃で６０分間熱処理したときに発
生する揮発ガスの量が１０ｐｐｍ以下であり、８０℃の
超純水の中で１２０分間浸漬処理したときに溶出するア
ルカリ金属の量が５０ｐｐｂ以下である熱可塑性ポリエ
ステル樹脂よりなるシリコンウェーハーキャリア。 - 【請求項２】 ポリエステル樹脂がポリブチレンテレフ
タレートである請求項１に記載のシリコンウェーハーキ
ャリア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26721596A JPH10116889A (ja) | 1996-10-08 | 1996-10-08 | シリコンウェーハーキャリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26721596A JPH10116889A (ja) | 1996-10-08 | 1996-10-08 | シリコンウェーハーキャリア |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10116889A true JPH10116889A (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=17441745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26721596A Pending JPH10116889A (ja) | 1996-10-08 | 1996-10-08 | シリコンウェーハーキャリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10116889A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6663924B1 (en) | 1998-07-17 | 2003-12-16 | Daiken Industries, Ltd. | Packaging material for molding material and parts for semiconductor production apparatuses, method for packaging by using same and packaged molding material and parts for semiconductor production apparatuses |
-
1996
- 1996-10-08 JP JP26721596A patent/JPH10116889A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6663924B1 (en) | 1998-07-17 | 2003-12-16 | Daiken Industries, Ltd. | Packaging material for molding material and parts for semiconductor production apparatuses, method for packaging by using same and packaged molding material and parts for semiconductor production apparatuses |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060208 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A132 Effective date: 20060214 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060725 |