JP3254823B2 - 半導体エピタキシャル基板およびその製造方法 - Google Patents
半導体エピタキシャル基板およびその製造方法Info
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 61
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 49
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 46
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 14
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 claims description 4
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910052987 metal hydride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000004681 metal hydrides Chemical class 0.000 claims description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 35
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 15
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 4
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001803 electron scattering Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
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- H01L21/02433—Crystal orientation
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- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02455—Group 13/15 materials
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- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/02546—Arsenides
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- H01L21/0257—Doping during depositing
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- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、単結晶砒化ガリウム
（以下、ＧａＡｓと呼称することがある。）基板上にエ
ピタキシャル成長方法により形成される半導体エピタキ
シャル基板およびその製造方法に関する。
（以下、ＧａＡｓと呼称することがある。）基板上にエ
ピタキシャル成長方法により形成される半導体エピタキ
シャル基板およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体を用いた各種電子素子は近年、飛
躍的な発達を遂げ、今後も着実な進展が予想される産業
分野である。その基盤材料である半導体は、近年シリコ
ンが主に用いられているが、現在は発光特性あるいは高
速性に優れるＧａＡｓを中心とする化合物半導体が着実
な進展をみせつつある。
躍的な発達を遂げ、今後も着実な進展が予想される産業
分野である。その基盤材料である半導体は、近年シリコ
ンが主に用いられているが、現在は発光特性あるいは高
速性に優れるＧａＡｓを中心とする化合物半導体が着実
な進展をみせつつある。
【０００３】通常、単結晶基板に、イオン注入法、拡散
法、さらにはエピタキシャル成長法などの各種手法によ
り必要な特性を有する結晶層を付与することにより所望
の性能を有する各種電子素子を得ることができる。中で
もエピタキシャル成長法は不純物量の制御のみならず、
結晶の組成や膜厚などをきわめて広い範囲で、かつ精密
に制御可能であるため、広く用いられるようになってい
る。
法、さらにはエピタキシャル成長法などの各種手法によ
り必要な特性を有する結晶層を付与することにより所望
の性能を有する各種電子素子を得ることができる。中で
もエピタキシャル成長法は不純物量の制御のみならず、
結晶の組成や膜厚などをきわめて広い範囲で、かつ精密
に制御可能であるため、広く用いられるようになってい
る。
【０００４】該エピタキシャル成長方法としては液相
法、気相法および真空蒸着法の一種である分子線エピタ
キシャル成長法（以下、ＭＢＥ法と呼称することがあ
る。）などが知られている。特に気相法は大量の基板を
制御性よく処理可能なため工業的に広く用いられてい
る。中でも有機金属熱分解法（Ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉ
ｃＣｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ法、以下ＭＯＣＶＤ法と呼称することがある。）は近
年広く用いられるようになっている。
法、気相法および真空蒸着法の一種である分子線エピタ
キシャル成長法（以下、ＭＢＥ法と呼称することがあ
る。）などが知られている。特に気相法は大量の基板を
制御性よく処理可能なため工業的に広く用いられてい
る。中でも有機金属熱分解法（Ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉ
ｃＣｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ法、以下ＭＯＣＶＤ法と呼称することがある。）は近
年広く用いられるようになっている。
【０００５】例えば、最近、マイクロ波通信において低
雑音の増幅器の構成部品として重要な高電子移動度トラ
ンジスタ−〔ＨＥＭＴ（Ｈｉｇｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
Ｍｏｂｉｌｉｔｙ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、またはＭ
ＯＤＦＥＴ（Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ Ｄｏｐｅｄ Ｆｉ
ｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、また
はＨＪＦＥＴ（Ｈｅｔｅｒｏ−Ｊｕｎｃｔｉｏｎ Ｆｉ
ｅｌｄ ＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）などとも
呼ばれる。以下、ＨＥＭＴと呼称することがある。〕
は、電界効果トランジスタ−の一種である。それに用い
られる結晶は上記のような気相成長法により、必要な電
子的特性を有するＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ結晶を必要な
構造でＧａＡｓ基板上に積層成長させることにより作製
することができる。
雑音の増幅器の構成部品として重要な高電子移動度トラ
ンジスタ−〔ＨＥＭＴ（Ｈｉｇｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
Ｍｏｂｉｌｉｔｙ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、またはＭ
ＯＤＦＥＴ（Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ Ｄｏｐｅｄ Ｆｉ
ｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、また
はＨＪＦＥＴ（Ｈｅｔｅｒｏ−Ｊｕｎｃｔｉｏｎ Ｆｉ
ｅｌｄ ＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）などとも
呼ばれる。以下、ＨＥＭＴと呼称することがある。〕
は、電界効果トランジスタ−の一種である。それに用い
られる結晶は上記のような気相成長法により、必要な電
子的特性を有するＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ結晶を必要な
構造でＧａＡｓ基板上に積層成長させることにより作製
することができる。
【０００６】また、これらの素子作製に用いる材料とし
ては、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ系が、任意の組成で格子
定数を一致させることができ、良好な結晶性を保ちつつ
各種ヘテロ接合が可能なため広く用いられている。
ては、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ系が、任意の組成で格子
定数を一致させることができ、良好な結晶性を保ちつつ
各種ヘテロ接合が可能なため広く用いられている。
【０００７】さて、Ｉｎy Ｇａ(1-y) Ａｓ（０＜ｙ≦
１）は電子輸送特性に優れ、また組成に応じ、エネルギ
−ギャップを大幅に変えることが可能である。従ってヘ
テロ接合材料として非常に優れた素質を有している。Ｇ
ａＡｓに対しては格子整合が不可能なためこれまではも
っぱらｙ＝０．４９付近で格子整合可能なＩｎＰ基板が
用いられてきた。
１）は電子輸送特性に優れ、また組成に応じ、エネルギ
−ギャップを大幅に変えることが可能である。従ってヘ
テロ接合材料として非常に優れた素質を有している。Ｇ
ａＡｓに対しては格子整合が不可能なためこれまではも
っぱらｙ＝０．４９付近で格子整合可能なＩｎＰ基板が
用いられてきた。
【０００８】しかし近年、技術の進展により格子不整合
の系であっても弾性変形の限界内であれば転位の発生な
ど不都合な結晶性の低下を招くことなく、信頼性あるヘ
テロ接合が可能であることが明らかになってきた。
の系であっても弾性変形の限界内であれば転位の発生な
ど不都合な結晶性の低下を招くことなく、信頼性あるヘ
テロ接合が可能であることが明らかになってきた。
【０００９】このような特定の組成、膜厚の範囲内の歪
層の利用により、ＧａＡｓ基板を用いるエピタキシャル
基板においてもＩｎＧａＡｓ層をその一部に有する基板
の製造が可能になっている。例えば通常の結晶成長条件
下ではｙ＝０．１５、膜厚１５ｎｍ程度のＩｎy Ｇａ
(1-y) Ａｓ層が結晶性の低下をきたすことなく作製可能
である。このようなＩｎy Ｇａ(1-y) Ａｓ層をＧａＡｓ
バッファ−層とｎ型ＡｌＧａＡｓ電子供給層との間に挿
入した構造のエピタキシャル基板を利用することによ
り、従来に比べ、雑音特性の優れたＨＥＭＴが作製され
ている。
層の利用により、ＧａＡｓ基板を用いるエピタキシャル
基板においてもＩｎＧａＡｓ層をその一部に有する基板
の製造が可能になっている。例えば通常の結晶成長条件
下ではｙ＝０．１５、膜厚１５ｎｍ程度のＩｎy Ｇａ
(1-y) Ａｓ層が結晶性の低下をきたすことなく作製可能
である。このようなＩｎy Ｇａ(1-y) Ａｓ層をＧａＡｓ
バッファ−層とｎ型ＡｌＧａＡｓ電子供給層との間に挿
入した構造のエピタキシャル基板を利用することによ
り、従来に比べ、雑音特性の優れたＨＥＭＴが作製され
ている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】さて、以上述べてきた
ようにＧａＡｓを基板とし、ＩｎＧａＡｓの歪層をその
一部に含むエピタキシャル基板はＭＢＥ法またはＭＯＣ
ＶＤ法により作製されてきたが、それを用いた素子の物
性および生産性については問題があった。
ようにＧａＡｓを基板とし、ＩｎＧａＡｓの歪層をその
一部に含むエピタキシャル基板はＭＢＥ法またはＭＯＣ
ＶＤ法により作製されてきたが、それを用いた素子の物
性および生産性については問題があった。
【００１１】すなわちＭＢＥ法は薄膜制御性に優れるエ
ピタキシャル成長法であるが、ＭＢＥ法による結晶は表
面欠陥が多く、素子歩留まりの上で問題があり、また結
晶成長速度が遅いことや超高真空を有することから生産
性の点でも問題があった。一方、ＭＯＣＶＤ法は生産性
に優れており、ＭＯＣＶＤ法により得られたエピタキシ
ャル基板は表面欠陥が少ないが、該エピタキシャル基板
を用いた素子は、その特性が必ずしも良好ではないとい
う問題があった。
ピタキシャル成長法であるが、ＭＢＥ法による結晶は表
面欠陥が多く、素子歩留まりの上で問題があり、また結
晶成長速度が遅いことや超高真空を有することから生産
性の点でも問題があった。一方、ＭＯＣＶＤ法は生産性
に優れており、ＭＯＣＶＤ法により得られたエピタキシ
ャル基板は表面欠陥が少ないが、該エピタキシャル基板
を用いた素子は、その特性が必ずしも良好ではないとい
う問題があった。
【００１２】すなわち、通常のＭＯＣＶＤ法による成長
条件下で作製された該エピタキシャル基板を用いた場
合、例えばＩｎ0.15Ｇａ0.85Ａｓ層の場合、厚さ１５ｎ
ｍ（設計値）に対して、実際の膜厚が変動しておよそ２
００〜４００ｎｍの周期で２〜５ｎｍ程度の凹凸を有し
やすい。その凹凸の影響を受け、ＩｎＧａＡｓ層中を走
行する２次元電子ガスの移動度が低下するという問題を
本発明者らは見出した。
条件下で作製された該エピタキシャル基板を用いた場
合、例えばＩｎ0.15Ｇａ0.85Ａｓ層の場合、厚さ１５ｎ
ｍ（設計値）に対して、実際の膜厚が変動しておよそ２
００〜４００ｎｍの周期で２〜５ｎｍ程度の凹凸を有し
やすい。その凹凸の影響を受け、ＩｎＧａＡｓ層中を走
行する２次元電子ガスの移動度が低下するという問題を
本発明者らは見出した。
【００１３】このようなＩｎＧａＡｓ層の平坦性を向上
させる手法の一つとして、例えば本発明者らは特願平５
−３９４８号において、基板の結晶学的面方位が１つの
｛１００｝面の結晶学的面方位から傾いており、その傾
きの大きさが１゜以下である単結晶砒化ガリウム基板上
にエピタキシャル成長させることを提案した。これによ
りＩｎＧａＡｓ層の凹凸がほぼ１ｎｍに抑えられ、さら
に、その結晶を用いたＨＥＭＴでは２次元電子ガス移動
度が向上した。
させる手法の一つとして、例えば本発明者らは特願平５
−３９４８号において、基板の結晶学的面方位が１つの
｛１００｝面の結晶学的面方位から傾いており、その傾
きの大きさが１゜以下である単結晶砒化ガリウム基板上
にエピタキシャル成長させることを提案した。これによ
りＩｎＧａＡｓ層の凹凸がほぼ１ｎｍに抑えられ、さら
に、その結晶を用いたＨＥＭＴでは２次元電子ガス移動
度が向上した。
【００１４】しかし、エピタキシャル成長を行なう場合
には、好ましくはその基板の結晶学的面方位の自由度が
許されることが望ましい。従って、結晶学的面方位から
の傾きの大きさが１゜を超える単結晶砒化ガリウム基板
上であってもＩｎＧａＡｓ層の凹凸が１ｎｍ以下に抑え
られ、かつその結果２次元電子ガス移動度が大きい半導
体エピタキシャル基板がさらに望ましい。
には、好ましくはその基板の結晶学的面方位の自由度が
許されることが望ましい。従って、結晶学的面方位から
の傾きの大きさが１゜を超える単結晶砒化ガリウム基板
上であってもＩｎＧａＡｓ層の凹凸が１ｎｍ以下に抑え
られ、かつその結果２次元電子ガス移動度が大きい半導
体エピタキシャル基板がさらに望ましい。
【００１５】本発明の目的は、電子走行層であるＩｎy
Ｇａ(1-y) Ａｓ（０＜ｙ≦１）層の成長界面の凹凸を小
さくして、平坦化して、２次元電子ガス移動度を向上さ
せた半導体エピタキシャル基板およびその製造方法を提
供するものである。
Ｇａ(1-y) Ａｓ（０＜ｙ≦１）層の成長界面の凹凸を小
さくして、平坦化して、２次元電子ガス移動度を向上さ
せた半導体エピタキシャル基板およびその製造方法を提
供するものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記問題を
解決するためさらに鋭意検討を行ってきた結果、本発明
に至ったものである。すなわち、本発明は以下に示す発
明からなる。 （１）ＧａＡｓ単結晶基板上に作製され、電子走行層が
Ｉｎy Ｇａ(1-y) Ａｓ（０＜ｙ≦１）結晶であり、該Ｉ
ｎy Ｇａ(1-y) Ａｓ層の組成および厚さが、該層および
該層の周辺を構成する結晶の弾性変形限界内の範囲であ
るエピタキシャル基板であり、電子走行層と該電子走行
層に電子を供給する電子供給層との間に、ＧａＡｓの禁
制帯幅の値以上で、かつ該電子供給層の禁制帯幅の値以
下である禁制帯幅の値を有する０．５ｎｍ以上５ｎｍ以
下の厚さの半導体層を有することを特徴とする半導体エ
ピタキシャル基板。 （２）半導体層がＧａＡｓであることを特徴とする
（１）記載の半導体エピタキシャル基板。 （３）電子供給層がＡｌx Ｇａ(1-x) Ａｓ（０＜ｘ≦
１）であることを特徴とする（１）または（２）記載の
半導体エピタキシャル基板。 （４）エピタキシャル成長に際して、電子走行層および
半導体層は６２５℃以下の温度で成長され、電子供給層
は６５０℃以上の温度で成長されることを特徴とする
（１）、（２）または（３）記載の半導体エピタキシャ
ル基板の製造方法。 （５）原料として有機金属および／または金属水素化物
を用いる気相熱分解法を用いることを特徴とする（４）
記載の半導体エピタキシャル基板の製造方法。
解決するためさらに鋭意検討を行ってきた結果、本発明
に至ったものである。すなわち、本発明は以下に示す発
明からなる。 （１）ＧａＡｓ単結晶基板上に作製され、電子走行層が
Ｉｎy Ｇａ(1-y) Ａｓ（０＜ｙ≦１）結晶であり、該Ｉ
ｎy Ｇａ(1-y) Ａｓ層の組成および厚さが、該層および
該層の周辺を構成する結晶の弾性変形限界内の範囲であ
るエピタキシャル基板であり、電子走行層と該電子走行
層に電子を供給する電子供給層との間に、ＧａＡｓの禁
制帯幅の値以上で、かつ該電子供給層の禁制帯幅の値以
下である禁制帯幅の値を有する０．５ｎｍ以上５ｎｍ以
下の厚さの半導体層を有することを特徴とする半導体エ
ピタキシャル基板。 （２）半導体層がＧａＡｓであることを特徴とする
（１）記載の半導体エピタキシャル基板。 （３）電子供給層がＡｌx Ｇａ(1-x) Ａｓ（０＜ｘ≦
１）であることを特徴とする（１）または（２）記載の
半導体エピタキシャル基板。 （４）エピタキシャル成長に際して、電子走行層および
半導体層は６２５℃以下の温度で成長され、電子供給層
は６５０℃以上の温度で成長されることを特徴とする
（１）、（２）または（３）記載の半導体エピタキシャ
ル基板の製造方法。 （５）原料として有機金属および／または金属水素化物
を用いる気相熱分解法を用いることを特徴とする（４）
記載の半導体エピタキシャル基板の製造方法。
【００１７】以下さらに詳細に本発明について説明す
る。本発明の半導体エピタキシャル基板は、ＧａＡｓ単
結晶基板上に作製され、電子走行層としてＩｎy Ｇａ
(1-y) Ａｓ（０＜ｙ≦１）結晶を有するものである。そ
して、該Ｉｎy Ｇａ(1-y) Ａｓ層の組成および厚さは、
該層および該層の周辺を構成する結晶の弾性変形限界内
の範囲である。弾性変形限界内の範囲は、組成、膜厚の
関係式から求めることができる。ＧａＡｓに対するＩｎ
ＧａＡｓのそれはＭａｔｈｅｗｓら（Ｊ．Ｃｒｙｓｔａ
ｌ Ｇｒｏｗｔｈ、２７（１９７４）ｐ．１１８及び３
２（１９７４）ｐ．２６５）により与えられた下記の式
から算出される値を用いる。
る。本発明の半導体エピタキシャル基板は、ＧａＡｓ単
結晶基板上に作製され、電子走行層としてＩｎy Ｇａ
(1-y) Ａｓ（０＜ｙ≦１）結晶を有するものである。そ
して、該Ｉｎy Ｇａ(1-y) Ａｓ層の組成および厚さは、
該層および該層の周辺を構成する結晶の弾性変形限界内
の範囲である。弾性変形限界内の範囲は、組成、膜厚の
関係式から求めることができる。ＧａＡｓに対するＩｎ
ＧａＡｓのそれはＭａｔｈｅｗｓら（Ｊ．Ｃｒｙｓｔａ
ｌ Ｇｒｏｗｔｈ、２７（１９７４）ｐ．１１８及び３
２（１９７４）ｐ．２６５）により与えられた下記の式
から算出される値を用いる。
【数１】 （式中、ＬC : 限界膜厚、ａ：ＧａＡｓの格子定数、
σ：ポアソン比）
σ：ポアソン比）
【００１８】本発明の半導体エピタキシャル基板は、電
子走行層と該電子走行層に電子を供給する電子供給層と
の間に、ＧａＡｓの禁制帯幅の値以上で、かつ該電子供
給層の禁制帯幅の値以下である禁制帯幅の値を有する
０．５ｎｍ以上５ｎｍ以下の厚さの半導体層を有する。
該半導体層がＧａＡｓの禁制帯幅の値未満の禁制帯幅の
値を有する場合は、該半導体中を走行する２次元電子ガ
スの割合が増加し、電子輸送性の優れたＩｎＧａＡｓ層
を走行する２次元電子ガスの割合が減少するので好まし
くない。また、該半導体層が電子供給層を構成する半導
体の禁制帯幅の値を超えた禁制帯幅の値を有する場合
は、電子供給層と電子走行層との間に該半導体層が障壁
となって２次元電子ガスの供給を抑制するため、充分な
２次元電子ガスを得ることが困難になるため好ましくな
い。
子走行層と該電子走行層に電子を供給する電子供給層と
の間に、ＧａＡｓの禁制帯幅の値以上で、かつ該電子供
給層の禁制帯幅の値以下である禁制帯幅の値を有する
０．５ｎｍ以上５ｎｍ以下の厚さの半導体層を有する。
該半導体層がＧａＡｓの禁制帯幅の値未満の禁制帯幅の
値を有する場合は、該半導体中を走行する２次元電子ガ
スの割合が増加し、電子輸送性の優れたＩｎＧａＡｓ層
を走行する２次元電子ガスの割合が減少するので好まし
くない。また、該半導体層が電子供給層を構成する半導
体の禁制帯幅の値を超えた禁制帯幅の値を有する場合
は、電子供給層と電子走行層との間に該半導体層が障壁
となって２次元電子ガスの供給を抑制するため、充分な
２次元電子ガスを得ることが困難になるため好ましくな
い。
【００１９】該半導体層は、０．５ｎｍ以上５ｎｍ以下
の厚さ、好ましくは１ｎｍ以上３ｎｍ以下の厚さを有す
る。０．５ｎｍ未満では、ＩｎＧａＡｓ層の凹凸を小さ
くすること、すなわち平坦化が不充分となるため好まし
くない。また、５ｎｍを超えると、電子供給層と電子走
行層との距離が離れるため、該半導体中を走行する２次
元電子ガスの割合が増加し、電子輸送性の優れたＩｎＧ
ａＡｓ層を走行する２次元電子ガスの割合が減少するの
で好ましくない。
の厚さ、好ましくは１ｎｍ以上３ｎｍ以下の厚さを有す
る。０．５ｎｍ未満では、ＩｎＧａＡｓ層の凹凸を小さ
くすること、すなわち平坦化が不充分となるため好まし
くない。また、５ｎｍを超えると、電子供給層と電子走
行層との距離が離れるため、該半導体中を走行する２次
元電子ガスの割合が増加し、電子輸送性の優れたＩｎＧ
ａＡｓ層を走行する２次元電子ガスの割合が減少するの
で好ましくない。
【００２０】本発明の半導体エピタキシャル基板におけ
る電子供給層としては、先に挙げたＡｌx Ｇａ(1-x) Ａ
ｓ（０＜ｘ≦１）の他に、Ａｌx Ｇａ(1-x) Ａｓy Ｐ
(1-y)、ＺｎＳx Ｓｅ(1-x) 等の半導体結晶が挙げられ
る（いずれも０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）。これらの中で
Ａｌx Ｇａ(1-x) Ａｓ（０＜ｘ≦１）が、ＧａＡｓと格
子定数を一致させることができ、ヘテロ接合の作製が可
能なため好ましい。特にその中でもＡｌx Ｇａ(1-x) Ａ
ｓ（０．１≦ｘ≦０．３）がさらに好ましい。
る電子供給層としては、先に挙げたＡｌx Ｇａ(1-x) Ａ
ｓ（０＜ｘ≦１）の他に、Ａｌx Ｇａ(1-x) Ａｓy Ｐ
(1-y)、ＺｎＳx Ｓｅ(1-x) 等の半導体結晶が挙げられ
る（いずれも０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）。これらの中で
Ａｌx Ｇａ(1-x) Ａｓ（０＜ｘ≦１）が、ＧａＡｓと格
子定数を一致させることができ、ヘテロ接合の作製が可
能なため好ましい。特にその中でもＡｌx Ｇａ(1-x) Ａ
ｓ（０．１≦ｘ≦０．３）がさらに好ましい。
【００２１】次に、本発明の半導体エピタキシャル基板
の製造方法を説明する。エピタキシャル成長方法として
は、気相法または真空蒸着法の一種である分子線エピタ
キシャル成長法（以下、ＭＢＥ法と呼称することがあ
る。）を用いることができる。特に気相法は大量の基板
を制御性よく処理可能なため好ましい。中でもエピタキ
シャル層を構成する原子種の有機金属化合物および／ま
たは水素化物を原料として用い、基板上で熱分解させ結
晶成長を行う有機金属熱分解法（ＭＯＣＶＤ法）は適用
可能な物質の範囲が広く、また結晶の組成、膜厚の精密
な制御に適しているため好ましい。
の製造方法を説明する。エピタキシャル成長方法として
は、気相法または真空蒸着法の一種である分子線エピタ
キシャル成長法（以下、ＭＢＥ法と呼称することがあ
る。）を用いることができる。特に気相法は大量の基板
を制御性よく処理可能なため好ましい。中でもエピタキ
シャル層を構成する原子種の有機金属化合物および／ま
たは水素化物を原料として用い、基板上で熱分解させ結
晶成長を行う有機金属熱分解法（ＭＯＣＶＤ法）は適用
可能な物質の範囲が広く、また結晶の組成、膜厚の精密
な制御に適しているため好ましい。
【００２２】本発明の半導体エピタキシャル基板におけ
る電子走行層であるＩｎy Ｇａ(1-y ) Ａｓ層、および電
子走行層と電子供給層の間の特定の禁制帯幅を有する半
導体層は、６２５℃以下、さらに好ましくは６００℃以
下の温度でエピタキシャル成長させる。６２５℃を超え
ると、エピタキシャル成長界面の凹凸が大きくなるので
好ましくない。本発明の半導体エピタキシャル基板にお
ける電子供給層は、６５０℃以上、さらに好ましくは６
７５度以上の温度でエピタキシャル成長させる。６５０
℃未満では、結晶成長に際して電子供給層中に取り込ま
れるアクセプタ不純物量が増加し、電気的に活性で実効
的なドナー不純物量が減少し、また、このアクセプタ不
純物は電子散乱の中心となり、電気的特性を劣化させる
ので好ましくない。
る電子走行層であるＩｎy Ｇａ(1-y ) Ａｓ層、および電
子走行層と電子供給層の間の特定の禁制帯幅を有する半
導体層は、６２５℃以下、さらに好ましくは６００℃以
下の温度でエピタキシャル成長させる。６２５℃を超え
ると、エピタキシャル成長界面の凹凸が大きくなるので
好ましくない。本発明の半導体エピタキシャル基板にお
ける電子供給層は、６５０℃以上、さらに好ましくは６
７５度以上の温度でエピタキシャル成長させる。６５０
℃未満では、結晶成長に際して電子供給層中に取り込ま
れるアクセプタ不純物量が増加し、電気的に活性で実効
的なドナー不純物量が減少し、また、このアクセプタ不
純物は電子散乱の中心となり、電気的特性を劣化させる
ので好ましくない。
【００２３】前記の電子走行層であるＩｎX Ｇａ(1-X)
Ａｓ層、半導体層、電子供給層の他の層については、通
常６００℃以上８００℃以下、さらに好ましくは６５０
℃以上８００℃以下の範囲でエピタキシャル成長させ
る。
Ａｓ層、半導体層、電子供給層の他の層については、通
常６００℃以上８００℃以下、さらに好ましくは６５０
℃以上８００℃以下の範囲でエピタキシャル成長させ
る。
【００２４】本発明の半導体エピタキシャル基板は、Ｇ
ａＡｓ単結晶基板上に、各種のエピタキシャル結晶を積
層することにより得られる。例えば、ＧａＡｓ、ＡｌX
Ｇａ (1-X) Ａｓ（０＜ｘ≦１）およびＩｎy Ｇａ(1-y)
Ａｓ（０＜ｙ＜１）結晶の組み合わせを例にとると、こ
れらの層をＧａＡｓ単結晶基板上に以下のように積層成
長させることにより作製することができる。
ａＡｓ単結晶基板上に、各種のエピタキシャル結晶を積
層することにより得られる。例えば、ＧａＡｓ、ＡｌX
Ｇａ (1-X) Ａｓ（０＜ｘ≦１）およびＩｎy Ｇａ(1-y)
Ａｓ（０＜ｙ＜１）結晶の組み合わせを例にとると、こ
れらの層をＧａＡｓ単結晶基板上に以下のように積層成
長させることにより作製することができる。
【００２５】まず、高抵抗の半絶縁性ＧａＡｓ単結晶基
板の表面を脱脂洗浄、エッチング、水洗、乾燥した後、
結晶成長炉の加熱台上に載置する。炉内を十分高純度水
素で置換した後、加熱を開始し、通常６００℃以上８０
０℃以下、さらに好ましくは６５０℃以上８００℃以下
の範囲で炉内に砒素原料を導入し、続いてガリウム原料
を導入する。所要の時間をかけてノンドープＧａＡｓを
０．１〜２μｍ成長する。該ノンドープＧａＡｓの代わ
りにノンドープＡｌ x Ｇａ(1-x) Ａｓ（０＜ｘ≦１）
層、またはノンドープＡｌx Ｇａ(1-x) Ａｓ（０＜ｘ≦
１）層とノンドープＧａＡｓ層とを交互に積層した構造
としてもよい。
板の表面を脱脂洗浄、エッチング、水洗、乾燥した後、
結晶成長炉の加熱台上に載置する。炉内を十分高純度水
素で置換した後、加熱を開始し、通常６００℃以上８０
０℃以下、さらに好ましくは６５０℃以上８００℃以下
の範囲で炉内に砒素原料を導入し、続いてガリウム原料
を導入する。所要の時間をかけてノンドープＧａＡｓを
０．１〜２μｍ成長する。該ノンドープＧａＡｓの代わ
りにノンドープＡｌ x Ｇａ(1-x) Ａｓ（０＜ｘ≦１）
層、またはノンドープＡｌx Ｇａ(1-x) Ａｓ（０＜ｘ≦
１）層とノンドープＧａＡｓ層とを交互に積層した構造
としてもよい。
【００２６】温度を６２５℃以下、より好ましくは６０
０℃以下とした後、インジウム原料を加え、ノンド−プ
Ｉｎy Ｇａ(1-y) Ａｓ（０＜ｙ≦１、好ましくは０．１
≦ｙ≦０．３）を５〜２５ｎｍ成長し、引き続いて成長
中断無しにノンドープＡｌxＧａ(1-x) Ａｓ（０≦ｘ≦
０．３、ただしｘは引き続いて成長するｎ型ＡｌＧａＡ
ｓ層のＡｌ組成を示す値よりも小さい。）を０．５〜５
ｎｍ成長する。この場合、より好ましくはｘ＝０、すな
わちＧａＡｓであることが好ましい。ここで、ノンド−
プＩｎy Ｇａ(1-y) ＡｓとノンドープＡｌx Ｇａ(1-x)
Ａｓとは、成長の実質的な中断なしに連続して成長を行
なうことが好ましい。例えば具体的には、インジウム原
料の供給を停止すると同時にアルミニウム原料の供給を
始める方法が挙げられる。
０℃以下とした後、インジウム原料を加え、ノンド−プ
Ｉｎy Ｇａ(1-y) Ａｓ（０＜ｙ≦１、好ましくは０．１
≦ｙ≦０．３）を５〜２５ｎｍ成長し、引き続いて成長
中断無しにノンドープＡｌxＧａ(1-x) Ａｓ（０≦ｘ≦
０．３、ただしｘは引き続いて成長するｎ型ＡｌＧａＡ
ｓ層のＡｌ組成を示す値よりも小さい。）を０．５〜５
ｎｍ成長する。この場合、より好ましくはｘ＝０、すな
わちＧａＡｓであることが好ましい。ここで、ノンド−
プＩｎy Ｇａ(1-y) ＡｓとノンドープＡｌx Ｇａ(1-x)
Ａｓとは、成長の実質的な中断なしに連続して成長を行
なうことが好ましい。例えば具体的には、インジウム原
料の供給を停止すると同時にアルミニウム原料の供給を
始める方法が挙げられる。
【００２７】さらにインジウム原料を停止し、温度を６
５０℃以上、さらに好ましくは６７５℃以上とした後、
アルミニウム原料を加えノンド−プの高純度Ａｌx Ｇａ
(1-x ) Ａｓ（０．１≦ｘ≦０．３）を１〜２ｎｍ成長す
る。この層は省略されることもある。続いてｎ型ド−パ
ントを添加してキャリア濃度が（１〜３）×１０18／ｃ
ｍ3 のｎ型Ａｌx Ｇａ(1-x) Ａｓ（０．１≦ｘ≦０．
３）を３０〜５０ｎｍ成長させ、次にアルミニウム原料
の供給を停止し、キャリア濃度が（２〜１０）×１０18
／ｃｍ3 のｎ型ＧａＡｓを３０〜２００ｎｍ成長させ
る。最後にガリウム原料、続いて砒素原料の供給を停止
して結晶成長を停止し、冷却後以上のようにして積層し
たエピタキシャル基板を炉内から取り出して結晶成長を
完了する。
５０℃以上、さらに好ましくは６７５℃以上とした後、
アルミニウム原料を加えノンド−プの高純度Ａｌx Ｇａ
(1-x ) Ａｓ（０．１≦ｘ≦０．３）を１〜２ｎｍ成長す
る。この層は省略されることもある。続いてｎ型ド−パ
ントを添加してキャリア濃度が（１〜３）×１０18／ｃ
ｍ3 のｎ型Ａｌx Ｇａ(1-x) Ａｓ（０．１≦ｘ≦０．
３）を３０〜５０ｎｍ成長させ、次にアルミニウム原料
の供給を停止し、キャリア濃度が（２〜１０）×１０18
／ｃｍ3 のｎ型ＧａＡｓを３０〜２００ｎｍ成長させ
る。最後にガリウム原料、続いて砒素原料の供給を停止
して結晶成長を停止し、冷却後以上のようにして積層し
たエピタキシャル基板を炉内から取り出して結晶成長を
完了する。
【００２８】砒素原料としては３水素化砒素（アルシ
ン）が好ましいが、一個の水素を炭素数が１〜４のアル
キル基で置換したモノアルキルアルシンも使用すること
ができる。
ン）が好ましいが、一個の水素を炭素数が１〜４のアル
キル基で置換したモノアルキルアルシンも使用すること
ができる。
【００２９】ガリウム、インジウムおよびアルミニウム
の原料としては各金属原子に炭素数が１〜３のアルキル
基または水素がついたトリアルキル化物または３水素化
物またはそれらにさらに炭素数が１〜４のアルキル基と
窒素、または燐または砒素から選ばれた元素からなるト
リアルキル化合物を配位させた化合物が好ましい。
の原料としては各金属原子に炭素数が１〜３のアルキル
基または水素がついたトリアルキル化物または３水素化
物またはそれらにさらに炭素数が１〜４のアルキル基と
窒素、または燐または砒素から選ばれた元素からなるト
リアルキル化合物を配位させた化合物が好ましい。
【００３０】ｎ型ド−パントとしてはシリコン、ゲルマ
ニウム、スズ、硫黄、セレンなどの水素化物または炭素
数が１〜３のアルキル基を有するアルキル化物が好まし
い。上記の結晶の各層の組成および膜厚はおおよその範
囲であって、実際には要求される素子特性に応じて色々
な範囲で選択される。
ニウム、スズ、硫黄、セレンなどの水素化物または炭素
数が１〜３のアルキル基を有するアルキル化物が好まし
い。上記の結晶の各層の組成および膜厚はおおよその範
囲であって、実際には要求される素子特性に応じて色々
な範囲で選択される。
【００３１】ここで、以下、例えば、
【数２】 をそれぞれ、＜０−１０＞方向、＜０−１−１＞方向と
示すことにする。
示すことにする。
【００３２】成長に用いるＧａＡｓ基板は、主たる面方
位が｛１００｝面であればその方位から傾ける角度、お
よびその方位についてはいずれの場合でも可能である。
例えば、＜０−１１＞方向もしくはこれと結晶学的に等
価な方位、これと直行する＜０−１−１＞方向、または
これと結晶学的に等価な方位、従来用いられてきた＜１
１０＞またはこれに結晶学的に等価な方位などが挙げら
れる。これらの中で、ＩｎＧａＡｓ層のより高い平坦
性、あるいは２次元電子ガス移動度を得るためには基板
の面方位は＜０−１１＞方向もしくはこれと結晶学的に
等価な方位が好ましい。
位が｛１００｝面であればその方位から傾ける角度、お
よびその方位についてはいずれの場合でも可能である。
例えば、＜０−１１＞方向もしくはこれと結晶学的に等
価な方位、これと直行する＜０−１−１＞方向、または
これと結晶学的に等価な方位、従来用いられてきた＜１
１０＞またはこれに結晶学的に等価な方位などが挙げら
れる。これらの中で、ＩｎＧａＡｓ層のより高い平坦
性、あるいは２次元電子ガス移動度を得るためには基板
の面方位は＜０−１１＞方向もしくはこれと結晶学的に
等価な方位が好ましい。
【００３３】以上のようにして製造された半導体エピタ
キシャル基板は従来のものに比べ電子走行ＩｎＧａＡｓ
層と電子供給層との界面の平坦性に優れるとともに、従
来の結晶に比べ高い電子移動度を有しており、高いデバ
イス特性が期待できるものである。
キシャル基板は従来のものに比べ電子走行ＩｎＧａＡｓ
層と電子供給層との界面の平坦性に優れるとともに、従
来の結晶に比べ高い電子移動度を有しており、高いデバ
イス特性が期待できるものである。
【００３４】
【実施例】以下、本発明に関する実施例を示すが、本発
明はこれに限定されるものではない。 実施例１ ＧａＡｓ基板としては（１００）面から＜０−１１＞方
向に０．５゜傾けたものを用いた。有機金属熱分解法の
原料としては、トリメチルガリウム〔（６〜２３）×１
０ -5ｍｏｌ／ｍｉｎ〕、トリメチルアルミニウム〔１．
３×１０-5ｍｏｌ／ｍｉｎ〕、トリメチルインジウム
〔５．６×１０-5ｍｏｌ／ｍｉｎ〕、アルシン〔４．５
×１０-3ｍｏｌ／ｍｉｎ〕およびｎ型ド−パントである
ジシラン〔２．２〜２．５×１０-8ｍｏｌ／ｍｉｎ〕を
用いた。
明はこれに限定されるものではない。 実施例１ ＧａＡｓ基板としては（１００）面から＜０−１１＞方
向に０．５゜傾けたものを用いた。有機金属熱分解法の
原料としては、トリメチルガリウム〔（６〜２３）×１
０ -5ｍｏｌ／ｍｉｎ〕、トリメチルアルミニウム〔１．
３×１０-5ｍｏｌ／ｍｉｎ〕、トリメチルインジウム
〔５．６×１０-5ｍｏｌ／ｍｉｎ〕、アルシン〔４．５
×１０-3ｍｏｌ／ｍｉｎ〕およびｎ型ド−パントである
ジシラン〔２．２〜２．５×１０-8ｍｏｌ／ｍｉｎ〕を
用いた。
【００３５】表１に示す条件で層１〜層５の順でＧａＡ
ｓ基板上に積層することにより、ＨＥＭＴ用半導体基板
を作製した。４５リットル／ｍｉｎのパラジウム膜透過
精製した水素をキャリアガスとして、圧力は７６Ｔｏｒ
ｒで、原料の熱分解を行なった。表１において、トリメ
チルガリウム、トリメチルアルミニウム、トリメチルイ
ンジウムをそれぞれＴＭＧ、ＴＭＡ、ＴＭＩと略記す
る。
ｓ基板上に積層することにより、ＨＥＭＴ用半導体基板
を作製した。４５リットル／ｍｉｎのパラジウム膜透過
精製した水素をキャリアガスとして、圧力は７６Ｔｏｒ
ｒで、原料の熱分解を行なった。表１において、トリメ
チルガリウム、トリメチルアルミニウム、トリメチルイ
ンジウムをそれぞれＴＭＧ、ＴＭＡ、ＴＭＩと略記す
る。
【００３６】層２である１２ｎｍのＩｎ0.20Ｇａ0.80Ａ
ｓ層は 数１ から与えられる弾性変形限界内の組成お
よび膜厚である。層２および層３の成長に際しては、層
２の成長後、トリメチルインジウムの供給を停止し、ト
リメチルガリウムの供給は継続したまま実質的な成長中
断を行なうことなしに２ｎｍのＧａＡｓ層（層３）を積
層した。
ｓ層は 数１ から与えられる弾性変形限界内の組成お
よび膜厚である。層２および層３の成長に際しては、層
２の成長後、トリメチルインジウムの供給を停止し、ト
リメチルガリウムの供給は継続したまま実質的な成長中
断を行なうことなしに２ｎｍのＧａＡｓ層（層３）を積
層した。
【００３７】
【表１】
【００３８】このとき、得られた結晶の７７Ｋにおける
２次元電子ガス移動度をＨａｌｌ測定により評価したと
ころ、２５０００ｃｍ2 ／Ｖｓであった。またフォトル
ミネッセンス発光ピーク（以下、ＰＬピークと呼称する
ことがある。）のうち７７Ｋにて測定可能な９２０〜９
５０ｎｍに観察されるＰＬピークの半値幅（ＰＬ発光強
度が１／２となる範囲のエネルギー幅。ＩｎＧａＡｓ層
の平坦度を反映し、この値が大きいほど平坦度は悪化す
る。）が１９．７ｍｅＶであった。
２次元電子ガス移動度をＨａｌｌ測定により評価したと
ころ、２５０００ｃｍ2 ／Ｖｓであった。またフォトル
ミネッセンス発光ピーク（以下、ＰＬピークと呼称する
ことがある。）のうち７７Ｋにて測定可能な９２０〜９
５０ｎｍに観察されるＰＬピークの半値幅（ＰＬ発光強
度が１／２となる範囲のエネルギー幅。ＩｎＧａＡｓ層
の平坦度を反映し、この値が大きいほど平坦度は悪化す
る。）が１９．７ｍｅＶであった。
【００３９】比較例１ 結晶成長の際に、基板温度７００℃にてＩｎ0.20Ｇａ
0.80Ａｓ層（層２）の成長を行い、引き続いて電子供給
層であるＡｌＧａＡｓ層（層４）の成長を行なった他
は、実施例１と同様の成長条件で成長した結晶の７７Ｋ
における２次元電子ガス移動度をＨａｌｌ測定により評
価したところ９７００ｃｍ2 ／Ｖｓであった。ＰＬピー
クの半値幅は３１．８ｍｅＶであった。さらに、この結
晶を高分解能を有する透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）によ
り結晶断面を観察した結果、ＩｎＧａＡｓ結晶表面に一
方向に配列した波状の凹凸が認められた。その周期は２
００〜４００ｎｍ、またその凹凸の高さは２ｎｍ以上あ
った。
0.80Ａｓ層（層２）の成長を行い、引き続いて電子供給
層であるＡｌＧａＡｓ層（層４）の成長を行なった他
は、実施例１と同様の成長条件で成長した結晶の７７Ｋ
における２次元電子ガス移動度をＨａｌｌ測定により評
価したところ９７００ｃｍ2 ／Ｖｓであった。ＰＬピー
クの半値幅は３１．８ｍｅＶであった。さらに、この結
晶を高分解能を有する透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）によ
り結晶断面を観察した結果、ＩｎＧａＡｓ結晶表面に一
方向に配列した波状の凹凸が認められた。その周期は２
００〜４００ｎｍ、またその凹凸の高さは２ｎｍ以上あ
った。
【００４０】比較例２ 結晶成長の際に、基板温度６００℃にてＩｎ0.20Ｇａ
0.80Ａｓ層（層２）の成長を行い、基板温度を７００℃
に変更した後、ＧａＡｓ層（層３）の成長を行なった他
は、実施例１と同様の成長条件で成長した結晶の７７Ｋ
における２次元電子ガス移動度をＨａｌｌ測定により評
価したところ、１７５００ｃｍ2 ／Ｖｓであった。ＰＬ
ピークの半値幅は３１．３ｍｅＶであった。さらに、こ
の結晶をＴＥＭにより断面観察した結果、ＩｎＧａＡｓ
結晶表面に一方向に配列した波状の凹凸が認められた。
その周期は２００〜４００ｎｍ、またその凹凸の高さは
２ｎｍ以上あった。
0.80Ａｓ層（層２）の成長を行い、基板温度を７００℃
に変更した後、ＧａＡｓ層（層３）の成長を行なった他
は、実施例１と同様の成長条件で成長した結晶の７７Ｋ
における２次元電子ガス移動度をＨａｌｌ測定により評
価したところ、１７５００ｃｍ2 ／Ｖｓであった。ＰＬ
ピークの半値幅は３１．３ｍｅＶであった。さらに、こ
の結晶をＴＥＭにより断面観察した結果、ＩｎＧａＡｓ
結晶表面に一方向に配列した波状の凹凸が認められた。
その周期は２００〜４００ｎｍ、またその凹凸の高さは
２ｎｍ以上あった。
【００４１】
【発明の効果】本発明によればＧａＡｓ基板に形成さ
れ、ＩｎＧａＡｓ層を用いることを特徴とする各種電子
素子において、本発明に係わるエピタキシャル基板を用
いることにより、良好な特性を有する素子が安価に大量
に製造可能であり、その工業的な意義はきわめて大き
い。すなわち、本発明の半導体エピタキシャル基板は従
来のものに比べ電子走行ＩｎＧａＡｓ層と電子供給層と
の界面の平坦性に優れるとともに、従来の結晶に比べ高
い電子移動度を有しており、高いデバイス特性が期待で
きるものである。Ｉｎy Ｇａ(1-y) Ａｓ（０＜ｙ≦１）
が電子走行層である電界効果トランジスタ用に本発明の
半導体エピタキシャル基板を用いた場合、電子走行層の
成長界面の凹凸による２次元電子ガス移動度劣化のない
優れた性能を有するＨＥＭＴが作製可能である。
れ、ＩｎＧａＡｓ層を用いることを特徴とする各種電子
素子において、本発明に係わるエピタキシャル基板を用
いることにより、良好な特性を有する素子が安価に大量
に製造可能であり、その工業的な意義はきわめて大き
い。すなわち、本発明の半導体エピタキシャル基板は従
来のものに比べ電子走行ＩｎＧａＡｓ層と電子供給層と
の界面の平坦性に優れるとともに、従来の結晶に比べ高
い電子移動度を有しており、高いデバイス特性が期待で
きるものである。Ｉｎy Ｇａ(1-y) Ａｓ（０＜ｙ≦１）
が電子走行層である電界効果トランジスタ用に本発明の
半導体エピタキシャル基板を用いた場合、電子走行層の
成長界面の凹凸による２次元電子ガス移動度劣化のない
優れた性能を有するＨＥＭＴが作製可能である。
【図１】実施例１による半導体エピタキシャル基板の断
面図。
面図。
【図２】比較例１による半導体エピタキシャル基板の断
面図。
面図。
【図３】比較例２による半導体エピタキシャル基板の断
面図。
面図。
【図４】フォトルミネッセンス発光ピークスペクトルを
示す図。
示す図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 乾 勝美 茨城県つくば市北原６ 住友化学工業株 式会社内 (56)参考文献 特開 平２−246344（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−20966（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 21/203
Claims (4)
- 【請求項１】ＧａＡｓ単結晶基板上に作製され、電子走
行層がＩｎyＧａ(1-y)Ａｓ（０＜ｙ≦１）結晶であり、
該ＩｎyＧａ(1-y)Ａｓ層の組成および厚さが、該層およ
び該層の周辺を構成する結晶の弾性変形限界内の範囲で
あるエピタキシャル基板であり、電子走行層と該電子走
行層に電子を供給する電子供給層との間に、ＧａＡｓの
禁制帯幅の値以上で、かつ該電子供給層の禁制帯幅の値
以下である禁制帯幅の値を有する０．５ｎｍ以上５ｎｍ
以下の厚さの半導体層を有する半導体エピタキシャル基
板を製造するに当たり、原料として有機金属および／又
は金属水素化物を用いる気相熱分解法を用い、電子走行
層および半導体層を６２５℃以下の温度で成長し、電子
供給層を６５０℃以上の温度で成長することを特徴とす
る半導体エピタキシャル基板の製造方法。 - 【請求項２】半導体層がＧａＡｓであることを特徴とす
る請求項１記載の半導体エピタキシャル基板の製造方
法。 - 【請求項３】電子供給層がＡｌXＧａ(1-X)Ａｓ（０＜ｘ
≦１）であることを特徴とする請求項１または２記載の
半導体エピタキシャル基板の製造方法。 - 【請求項４】電子走行層および半導体層を５００℃を越
える６２５℃以下の温度で成長することを特徴とする請
求項１〜３いずれかに記載の半導体エピタキシャル基板
の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15685093A JP3254823B2 (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 半導体エピタキシャル基板およびその製造方法 |
| CA002126741A CA2126741A1 (en) | 1993-06-28 | 1994-06-24 | Semiconductor epitaxial substrate and process for producing same |
| KR1019940014800A KR100329690B1 (ko) | 1993-06-28 | 1994-06-27 | 반도체 에피택셜 기판의 제조 방법 |
| DE69425703T DE69425703T2 (de) | 1993-06-28 | 1994-06-28 | Ein Verfahren zur Herstellung eines epitaktischen Halbleitersubstrats |
| US08/266,680 US5441913A (en) | 1993-06-28 | 1994-06-28 | Process of making a semiconductor epitaxial substrate |
| EP94304696A EP0631298B1 (en) | 1993-06-28 | 1994-06-28 | A method for the production of semiconductor epitaxial substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15685093A JP3254823B2 (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 半導体エピタキシャル基板およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0714785A JPH0714785A (ja) | 1995-01-17 |
| JP3254823B2 true JP3254823B2 (ja) | 2002-02-12 |
Family
ID=15636749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15685093A Expired - Fee Related JP3254823B2 (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 半導体エピタキシャル基板およびその製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5441913A (ja) |
| EP (1) | EP0631298B1 (ja) |
| JP (1) | JP3254823B2 (ja) |
| KR (1) | KR100329690B1 (ja) |
| CA (1) | CA2126741A1 (ja) |
| DE (1) | DE69425703T2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2674474B2 (ja) * | 1993-07-29 | 1997-11-12 | 日本電気株式会社 | 歪量子井戸半導体レーザの気相成長方法 |
| JPH0786184A (ja) * | 1993-09-20 | 1995-03-31 | Nec Kansai Ltd | 結晶成長方法 |
| JP4867137B2 (ja) * | 2004-05-31 | 2012-02-01 | 住友化学株式会社 | 化合物半導体エピタキシャル基板 |
| JP6812333B2 (ja) * | 2017-12-08 | 2021-01-13 | エア・ウォーター株式会社 | 化合物半導体基板 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4207122A (en) * | 1978-01-11 | 1980-06-10 | International Standard Electric Corporation | Infra-red light emissive devices |
| US4233090A (en) * | 1979-06-28 | 1980-11-11 | Rca Corporation | Method of making a laser diode |
| KR900002687B1 (ko) * | 1985-12-16 | 1990-04-23 | 후지쓰가부시끼가이샤 | Mbe법에 의한 기판에 격자 정합시키는 4원 또는 5원 흔정 반도체의 성장방법 |
| US4827320A (en) * | 1986-09-19 | 1989-05-02 | University Of Illinois | Semiconductor device with strained InGaAs layer |
| JPH0198215A (ja) * | 1987-10-12 | 1989-04-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体エピタキシヤル基板 |
| JP2708863B2 (ja) * | 1989-03-20 | 1998-02-04 | 三洋電機株式会社 | エピタキシヤルウエハ及びその製造方法 |
| JPH0322541A (ja) * | 1989-06-20 | 1991-01-30 | Sanyo Electric Co Ltd | エピタキシャルウエハ |
| US5270798A (en) * | 1990-02-20 | 1993-12-14 | Varian Associates, Inc. | High electron mobility transistor |
| JPH0410684A (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-14 | Nec Corp | 半導体レーザ |
| JPH0828326B2 (ja) * | 1990-05-18 | 1996-03-21 | シャープ株式会社 | 化合物半導体層の製造方法 |
| CA2041991A1 (en) * | 1990-06-12 | 1991-12-13 | Gary E. Bulman | Silcon-doped inygal-yas laser |
| JPH04186824A (ja) * | 1990-11-21 | 1992-07-03 | Fujitsu Ltd | 半導体基板およびその製造方法 |
| JPH04321239A (ja) * | 1991-04-19 | 1992-11-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 電界効果型トランジスタ |
| US5298441A (en) * | 1991-06-03 | 1994-03-29 | Motorola, Inc. | Method of making high transconductance heterostructure field effect transistor |
| US5162243A (en) * | 1991-08-30 | 1992-11-10 | Trw Inc. | Method of producing high reliability heterojunction bipolar transistors |
| US5313093A (en) * | 1991-10-29 | 1994-05-17 | Rohm Co., Ltd. | Compound semiconductor device |
-
1993
- 1993-06-28 JP JP15685093A patent/JP3254823B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-06-24 CA CA002126741A patent/CA2126741A1/en not_active Abandoned
- 1994-06-27 KR KR1019940014800A patent/KR100329690B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-06-28 DE DE69425703T patent/DE69425703T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-06-28 EP EP94304696A patent/EP0631298B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-06-28 US US08/266,680 patent/US5441913A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0714785A (ja) | 1995-01-17 |
| EP0631298A3 (en) | 1995-03-01 |
| EP0631298B1 (en) | 2000-08-30 |
| US5441913A (en) | 1995-08-15 |
| DE69425703T2 (de) | 2001-04-19 |
| KR950001874A (ko) | 1995-01-04 |
| DE69425703D1 (de) | 2000-10-05 |
| KR100329690B1 (ko) | 2002-08-17 |
| EP0631298A2 (en) | 1994-12-28 |
| CA2126741A1 (en) | 1994-12-29 |
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