JPH04321239A - 電界効果型トランジスタ - Google Patents
電界効果型トランジスタInfo
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- JPH04321239A JPH04321239A JP11692491A JP11692491A JPH04321239A JP H04321239 A JPH04321239 A JP H04321239A JP 11692491 A JP11692491 A JP 11692491A JP 11692491 A JP11692491 A JP 11692491A JP H04321239 A JPH04321239 A JP H04321239A
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Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高電子移動度トランジス
タ等として構成される電界効果型トランジスタに関する
。 【０００２】 【従来の技術】近年衛星放送受信システムに対する需要
の増大に伴って、この受信システムの重要部分を占める
超低雑音化が可能な電界効果型トランジスタ、例えばＧ
ａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系の高電子移動度トランジスタＨ
ＥＭＴ（Ｈｉｇｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｏｂｉｌｉｔ
ｙ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、或いは２次元電子ガスが
形成されるヘテロ接合としてＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡ
ｓを採用したスードモルフィックＨＥＭＴに対する性能
向上が注目されている。 【０００３】図５は従来の一般的なＨＥＭＴの断面構造
図であり、半絶縁性ＧａＡｓからなる基板１上に厚さ８
０００ÅのノンドープＧａＡｓからなるバッファ層２、
厚さ１５０ ÅのノンドープＩｎＧａＡｓ（Ｉｎ 組成
比：０．１５） からなるチャネル層３、厚さ２０Åの
ノンドープＡｌＧａＡｓ（Ａｌ 組成比：０．２２）
からなるスペーサ層４を含む厚さ５００ Åのｎ型（不
純物濃度：２×１０１８ｃｍ−３）ＡｌＧａＡｓ（Ａｌ
組成比：０．２２） からなる電子供給層５、厚さ５
００Åのｎ型（不純物濃度：３×１０１８ｃｍ−３）Ｇ
ａＡｓからなるキャップ層６，６をこの順序に積層形成
すると共に、キャップ層６，６間に露出する電子供給層
５上にゲート電極１１を、また各キャップ層６，６上に
ソース電極１２、ドレイン電極１３を夫々形成して構成
されている。 【０００４】この種のＨＥＭＴの性能向上にはゲート長
の短縮による相互コンダクタンスの増大が効果的である
ことは知られているが、スードモルフィックＨＥＭＴの
場合はＩｎＧａＡｓがＧａＡｓと比較して谷間散乱が少
ないため飽和電子速度が高く、またキャリヤを狭い領域
に効果的に閉じ込め得て、ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ
ヘテロ接合間のバンド不連続が大きくシートキャリヤ濃
度を高く、しかも相互コンダクタンスを大きく出来るこ
とからこの面から飽和電子速度、キャリヤ濃度を高める
上での種々の試みがなされている。その一つとして本出
願人はＩｎＧａＡｓからなるチャネル層中にこれよりも
禁止帯幅の小さい層、例えばＩｎＡｓからなる半導体層
を介在させることで２次電子ガス濃度，電子の移動度を
高めて性能の向上を図った電界効果トランジスタについ
て既に提案を行っている （特願平２−２７５１ 号）
。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】ところで上述した如き
本出願人が提案している電界効果トランジスタでは電子
の移動度は大きくなるが、格子定数の差異に起因するス
トレスが大きく、信頼性向の面で難点がある外、飽和電
子速度の大幅な増加が期待出来ず、飽和電子速度が重要
視される素子への適用性が十分でないという問題があっ
た。本発明はかかる事情に鑑みなされたものであって、
その目的とするところは２次元ガス濃度を高め、電子移
動度、飽和電子速度の向上を図れ、しかも高い信頼性が
得られるようにした電界効果型トランジスタを提供する
にある。 【０００６】 【課題を解決するための手段】第１の発明に係る電界効
果型トランジスタは、半絶縁性の基板上に、チャネル層
を構成する第１の半導体層と、これよりも電子親和力が
小さく、禁止帯幅が大きい電子供給層を構成する第２の
半導体層とのヘテロ接合を有する電界効果型トランジス
タにおいて、前記第１の半導体層内に、キャリヤのエネ
ルギー基底状態の存在確率が最大となる位置及びその近
傍領域に対応して前記第１の半導体層の電子親和力より
大きい電子親和力を有する半導体層を介装したことを特
徴とする。第２の発明に係る電荷効果型トランジスタは
、半絶縁性の基板上に、チャネル層を構成する第１の半
導体層と、これよりも電子親和力が小さい電子供給層を
構成する第２の半導体層とのヘテロ接合を有する電界効
果型トランジスタにおいて、前記第１の半導体層内にこ
れよりも電子親和力が大きい半導体層を、また前記第２
の半導体層内には高不純物濃度薄層を夫々介装したこと
を特徴とする。 【０００７】 【作用】第１の発明にあってはこれによって、キャリヤ
のエネルギー基底状態の存在確率が最大となる位置及び
その近傍領域にチャネル層よりも電子親和力の大きい半
導体を介装することで、基底サブバンドエネルギーの減
少が大きくなり、２次元電子ガスシートキャリヤ濃度を
大幅に増大させ得る。また第２の発明にあっては第１の
発明の作用に加えて、高不純物濃度薄層を設けることに
より、電子移動度を損なうことなく、２次元電子ガスシ
ートキャリヤ濃度を一層増大させることが可能となる。 【０００８】 【実施例】 （実施例１）図１は本発明に係る電界効果型トランジス
タを高電子移動度トランジスタとして構成した場合を示
す断面構造図であり、図中１は半絶縁性ＧａＡｓからな
る基板を示している。この基板１上に厚さ８０００Åの
ノンドープＧａＡｓからなるバッファ層２、中間にＩｎ
Ａｓの単分子層等からなる電子親和力の大きい半導体層
８を介装させた厚さ１５０ ÅのＩｎＧａＡｓからなる
チャネル層３、厚さ２０Å（又は８０Å）のノンドープ
ＡｌＧａＡｓからなるスペーサ層４を含む厚さ５００
Åのｎ型（不純物濃度：２×１０１８ｃｍ−３）ＡｌＧ
ａＡｓ（Ａｌ 組成比：０．２２） からなる電子供給
層５及び厚さ５００ Åのｎ型（不純物濃度：３×１０
１８ｃｍ−３）ＧａＡｓからなるキャップ層６，６をこ
の順序で積層形成すると共に、キャップ層６，６間に露
出する電子供給層５上にゲート電極１１を、またキャッ
プ層６，６上にソース電極１２，ドレイン電極１３を形
成して構成されている。 【０００９】図２は本発明を用いたＨＥＭＴの、また図
６は本出願人が既に提案したＨＥＭＴの各エネルギーバ
ンド図である。本発明に係るＨＥＭＴでは電子親和度の
大きい半導体層８による井戸ｗが基底サブバンドエネル
ギーにおける包絡線関数の曲線ｆのピーク位置ａを中心
とした領域と対応するよう位置しているため、ピーク位
置ａからずれた位置ｂと対応する位置に井戸ｗが形成さ
れている従来のＨＥＭＴと比較して２次元電子ガスシー
トキャリヤ濃度ＮＳ は若干大きくなる程度に留まるが
、電子移動度μＨ は格段に大きくなることが推測出来
る。 【００１０】（試験例）図１に示す如き本発明を利用し
たＨＥＭＴにおけるスペーサ層４の厚さ及びチャネル層
３を構成する各層の厚さ（全体としての厚さは１５０
Åに留める） を変化させたサンプルＡ，Ｂ，Ｃ、並び
に図５に示す従来のＨＥＭＴのサンプルＤを作成し（表
１）、これら各サンプルのホール効果を測定し、２次元
電子ガスシートキャリヤ濃度ＮＳ ，電子移動度μＨ
を求めた。結果は表２に示すとおりである。 【００１１】 【００１２】 【００１３】表２から明らかな如く、従来のスードモル
フィックＨＥＭＴ（サンプルＤ）と比較して本発明に係
るサンプルＡはシートキャリヤ濃度ＮＳ ，電子移動度
μＨ とも夫々向上が見られ、またサンプルＢはシート
キャリヤ濃度ＮＳ が、更にサンプルＣは電子移動度μ
Ｈ が夫々格段に向上していることが解る。 【００１４】（実施例２）実施例１が電子移動度の改善
による性能の向上を図ったのに対し、この実施例２では
電子移動度を損なうことなく２次元電子ガス濃度を高め
、飽和電子速度の向上を図る。 【００１５】図３は本発明の実施例２の断面構造図であ
り、図中１は半絶縁性のＧａＡｓからなる基板、２は厚
さ１μｍ のノンドープＧａＡｓからなるバッファ層、
３は中間に厚さ３ÅのＩｎＡｓからなる電子親和度の大
きい半導体層８を介装した厚さ１５０ ÅのＩｎＧａＡ
ｓからなるチャネル層、７は中間に高不純物濃度薄層９
を介装した厚さ３００ Å （Ａｌ組成比：０．２２）
のＡｌＧａＡｓからなる電子供給層を示している。そ
してこの電子供給層７上に厚さ５００ Åのｎ型（不純
物濃度：３×１０１８ｃｍ−３）ＧａＡｓからなるキャ
ップ層６， ６をこの順序で積層形成し、キャップ層６
，６間に露出する電子供給層７上にゲート電極１１を、
また各キャップ層６，６上にソース電極１２，ドレイン
電極１３を形成して構成してある。 【００１６】半導体層８はその電子親和力がチャネル層
３を構成するＩｎＧａＡｓの電子親和力よりも大きく設
定してある。また高不純物濃度薄層９はＡｌＧａＡｓに
アトミック・プレーン・ドーピング（ＡＰＤ） 法等に
より高い不純物（シートキャリヤ濃度：４×１０１２ｃ
ｍ−２）を注入して構成されている。 【００１７】図４は本発明を適用したＨＥＭＴの伝導帯
エネルギーバンド図であり、図７に示す従来のＨＥＭＴ
のエネルギーバンド図と対比すれば明らかな如くＩｎＡ
ｓの単分子層からなる電子親和力の大きい半導体層８の
存在によって、電子波動関数のピーク位置ａが鋭角的で
、しかもその位置がＡｌＧａＡｓからなる電子供給層７
、具体的にはそのうちのスペーサ層４から遠ざかってお
り、電子供給層７内での電子数が低減され、電子移動度
が高められていることが推測出来る。 【００１８】しかも本発明を適用したＨＥＭＴでは、更
にＡｌＧａＡｓからなる電子供給層７内に高不純物濃度
薄層９を介装してあるため、電子分布の高い領域が電子
供給層７とチャネル層３との界面からより離れ得ること
が推測され、電子移動度が損なわれることなく、２次電
子ガスシートキャリヤ濃度濃度が増大し、飽和電子速度
を高め得て特性の向上が図れることが解る。 【００１９】（試験例）次に図１に示した如き構造の本
発明を適用したＨＥＭＴについて電子供給層７とチャネ
ル層３との界面から高不純物濃度薄層迄の距離ｌを５０
Å， ３０Åと異ならせて表３に示す如きＨＥＭＴのサ
ンプルＡ，Ｂ及び図５に示す如き従来のＨＥＭＴのサン
プルＣを作成し、夫々について電子移動度μＨ ，２次
元電子ガス濃度ＮＳ を測定した。結果は表４，５に示
す如くである。 【００２０】 【００２１】 【００２２】表４から明らかな如くサンプルＡでは電子
移動速度μＨ が、またサンプルＢでは２次元電子ガス
濃度ＮＳ が夫々サンプルＣに比較して格段に大きくな
っていることが解る。次に前記各サンプルＡ，Ｂ，Ｃに
ついて夫々ゲート長を０．２５μｍ に設定し、最大相
互コンダクタンス（ｇｍｍａｘ）を測定した。結果は表
５に示す如くである。 【００２３】 【００２４】本発明に係るサンプルＡ，Ｂ
ではいずれも最大相互コンダクタンスｇｍｍａｘが向上
しており、特にサンプルＢでは格段の向上が認められる
。これによってウェーハ内のストレスを大きくすること
なく所望の特性を得られる。なお上述の実施例２はチャ
ネル層がＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系、ＩｎＡｌＡｓ／Ｉ
ｎＧａＡｓ系等のＨＥＭＴにも適用し得ることは言うま
でもない。 【００２５】 【発明の効果】以上の如く本発明に係る電界効果型トラ
ンジスタにあっては、２次元電子ガスシートキャリヤ濃
度が増大し、電子移動度を増大させ得、また電子供給層
内に高不純物濃度薄層を介装することにより電子移動度
を損なうことなく、２次元電子ガス濃度を大幅に向上し
得る等、本発明は優れた効果を奏するものである。
タ等として構成される電界効果型トランジスタに関する
。 【０００２】 【従来の技術】近年衛星放送受信システムに対する需要
の増大に伴って、この受信システムの重要部分を占める
超低雑音化が可能な電界効果型トランジスタ、例えばＧ
ａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系の高電子移動度トランジスタＨ
ＥＭＴ（Ｈｉｇｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｏｂｉｌｉｔ
ｙ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、或いは２次元電子ガスが
形成されるヘテロ接合としてＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡ
ｓを採用したスードモルフィックＨＥＭＴに対する性能
向上が注目されている。 【０００３】図５は従来の一般的なＨＥＭＴの断面構造
図であり、半絶縁性ＧａＡｓからなる基板１上に厚さ８
０００ÅのノンドープＧａＡｓからなるバッファ層２、
厚さ１５０ ÅのノンドープＩｎＧａＡｓ（Ｉｎ 組成
比：０．１５） からなるチャネル層３、厚さ２０Åの
ノンドープＡｌＧａＡｓ（Ａｌ 組成比：０．２２）
からなるスペーサ層４を含む厚さ５００ Åのｎ型（不
純物濃度：２×１０１８ｃｍ−３）ＡｌＧａＡｓ（Ａｌ
組成比：０．２２） からなる電子供給層５、厚さ５
００Åのｎ型（不純物濃度：３×１０１８ｃｍ−３）Ｇ
ａＡｓからなるキャップ層６，６をこの順序に積層形成
すると共に、キャップ層６，６間に露出する電子供給層
５上にゲート電極１１を、また各キャップ層６，６上に
ソース電極１２、ドレイン電極１３を夫々形成して構成
されている。 【０００４】この種のＨＥＭＴの性能向上にはゲート長
の短縮による相互コンダクタンスの増大が効果的である
ことは知られているが、スードモルフィックＨＥＭＴの
場合はＩｎＧａＡｓがＧａＡｓと比較して谷間散乱が少
ないため飽和電子速度が高く、またキャリヤを狭い領域
に効果的に閉じ込め得て、ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ
ヘテロ接合間のバンド不連続が大きくシートキャリヤ濃
度を高く、しかも相互コンダクタンスを大きく出来るこ
とからこの面から飽和電子速度、キャリヤ濃度を高める
上での種々の試みがなされている。その一つとして本出
願人はＩｎＧａＡｓからなるチャネル層中にこれよりも
禁止帯幅の小さい層、例えばＩｎＡｓからなる半導体層
を介在させることで２次電子ガス濃度，電子の移動度を
高めて性能の向上を図った電界効果トランジスタについ
て既に提案を行っている （特願平２−２７５１ 号）
。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】ところで上述した如き
本出願人が提案している電界効果トランジスタでは電子
の移動度は大きくなるが、格子定数の差異に起因するス
トレスが大きく、信頼性向の面で難点がある外、飽和電
子速度の大幅な増加が期待出来ず、飽和電子速度が重要
視される素子への適用性が十分でないという問題があっ
た。本発明はかかる事情に鑑みなされたものであって、
その目的とするところは２次元ガス濃度を高め、電子移
動度、飽和電子速度の向上を図れ、しかも高い信頼性が
得られるようにした電界効果型トランジスタを提供する
にある。 【０００６】 【課題を解決するための手段】第１の発明に係る電界効
果型トランジスタは、半絶縁性の基板上に、チャネル層
を構成する第１の半導体層と、これよりも電子親和力が
小さく、禁止帯幅が大きい電子供給層を構成する第２の
半導体層とのヘテロ接合を有する電界効果型トランジス
タにおいて、前記第１の半導体層内に、キャリヤのエネ
ルギー基底状態の存在確率が最大となる位置及びその近
傍領域に対応して前記第１の半導体層の電子親和力より
大きい電子親和力を有する半導体層を介装したことを特
徴とする。第２の発明に係る電荷効果型トランジスタは
、半絶縁性の基板上に、チャネル層を構成する第１の半
導体層と、これよりも電子親和力が小さい電子供給層を
構成する第２の半導体層とのヘテロ接合を有する電界効
果型トランジスタにおいて、前記第１の半導体層内にこ
れよりも電子親和力が大きい半導体層を、また前記第２
の半導体層内には高不純物濃度薄層を夫々介装したこと
を特徴とする。 【０００７】 【作用】第１の発明にあってはこれによって、キャリヤ
のエネルギー基底状態の存在確率が最大となる位置及び
その近傍領域にチャネル層よりも電子親和力の大きい半
導体を介装することで、基底サブバンドエネルギーの減
少が大きくなり、２次元電子ガスシートキャリヤ濃度を
大幅に増大させ得る。また第２の発明にあっては第１の
発明の作用に加えて、高不純物濃度薄層を設けることに
より、電子移動度を損なうことなく、２次元電子ガスシ
ートキャリヤ濃度を一層増大させることが可能となる。 【０００８】 【実施例】 （実施例１）図１は本発明に係る電界効果型トランジス
タを高電子移動度トランジスタとして構成した場合を示
す断面構造図であり、図中１は半絶縁性ＧａＡｓからな
る基板を示している。この基板１上に厚さ８０００Åの
ノンドープＧａＡｓからなるバッファ層２、中間にＩｎ
Ａｓの単分子層等からなる電子親和力の大きい半導体層
８を介装させた厚さ１５０ ÅのＩｎＧａＡｓからなる
チャネル層３、厚さ２０Å（又は８０Å）のノンドープ
ＡｌＧａＡｓからなるスペーサ層４を含む厚さ５００
Åのｎ型（不純物濃度：２×１０１８ｃｍ−３）ＡｌＧ
ａＡｓ（Ａｌ 組成比：０．２２） からなる電子供給
層５及び厚さ５００ Åのｎ型（不純物濃度：３×１０
１８ｃｍ−３）ＧａＡｓからなるキャップ層６，６をこ
の順序で積層形成すると共に、キャップ層６，６間に露
出する電子供給層５上にゲート電極１１を、またキャッ
プ層６，６上にソース電極１２，ドレイン電極１３を形
成して構成されている。 【０００９】図２は本発明を用いたＨＥＭＴの、また図
６は本出願人が既に提案したＨＥＭＴの各エネルギーバ
ンド図である。本発明に係るＨＥＭＴでは電子親和度の
大きい半導体層８による井戸ｗが基底サブバンドエネル
ギーにおける包絡線関数の曲線ｆのピーク位置ａを中心
とした領域と対応するよう位置しているため、ピーク位
置ａからずれた位置ｂと対応する位置に井戸ｗが形成さ
れている従来のＨＥＭＴと比較して２次元電子ガスシー
トキャリヤ濃度ＮＳ は若干大きくなる程度に留まるが
、電子移動度μＨ は格段に大きくなることが推測出来
る。 【００１０】（試験例）図１に示す如き本発明を利用し
たＨＥＭＴにおけるスペーサ層４の厚さ及びチャネル層
３を構成する各層の厚さ（全体としての厚さは１５０
Åに留める） を変化させたサンプルＡ，Ｂ，Ｃ、並び
に図５に示す従来のＨＥＭＴのサンプルＤを作成し（表
１）、これら各サンプルのホール効果を測定し、２次元
電子ガスシートキャリヤ濃度ＮＳ ，電子移動度μＨ
を求めた。結果は表２に示すとおりである。 【００１１】 【００１２】 【００１３】表２から明らかな如く、従来のスードモル
フィックＨＥＭＴ（サンプルＤ）と比較して本発明に係
るサンプルＡはシートキャリヤ濃度ＮＳ ，電子移動度
μＨ とも夫々向上が見られ、またサンプルＢはシート
キャリヤ濃度ＮＳ が、更にサンプルＣは電子移動度μ
Ｈ が夫々格段に向上していることが解る。 【００１４】（実施例２）実施例１が電子移動度の改善
による性能の向上を図ったのに対し、この実施例２では
電子移動度を損なうことなく２次元電子ガス濃度を高め
、飽和電子速度の向上を図る。 【００１５】図３は本発明の実施例２の断面構造図であ
り、図中１は半絶縁性のＧａＡｓからなる基板、２は厚
さ１μｍ のノンドープＧａＡｓからなるバッファ層、
３は中間に厚さ３ÅのＩｎＡｓからなる電子親和度の大
きい半導体層８を介装した厚さ１５０ ÅのＩｎＧａＡ
ｓからなるチャネル層、７は中間に高不純物濃度薄層９
を介装した厚さ３００ Å （Ａｌ組成比：０．２２）
のＡｌＧａＡｓからなる電子供給層を示している。そ
してこの電子供給層７上に厚さ５００ Åのｎ型（不純
物濃度：３×１０１８ｃｍ−３）ＧａＡｓからなるキャ
ップ層６， ６をこの順序で積層形成し、キャップ層６
，６間に露出する電子供給層７上にゲート電極１１を、
また各キャップ層６，６上にソース電極１２，ドレイン
電極１３を形成して構成してある。 【００１６】半導体層８はその電子親和力がチャネル層
３を構成するＩｎＧａＡｓの電子親和力よりも大きく設
定してある。また高不純物濃度薄層９はＡｌＧａＡｓに
アトミック・プレーン・ドーピング（ＡＰＤ） 法等に
より高い不純物（シートキャリヤ濃度：４×１０１２ｃ
ｍ−２）を注入して構成されている。 【００１７】図４は本発明を適用したＨＥＭＴの伝導帯
エネルギーバンド図であり、図７に示す従来のＨＥＭＴ
のエネルギーバンド図と対比すれば明らかな如くＩｎＡ
ｓの単分子層からなる電子親和力の大きい半導体層８の
存在によって、電子波動関数のピーク位置ａが鋭角的で
、しかもその位置がＡｌＧａＡｓからなる電子供給層７
、具体的にはそのうちのスペーサ層４から遠ざかってお
り、電子供給層７内での電子数が低減され、電子移動度
が高められていることが推測出来る。 【００１８】しかも本発明を適用したＨＥＭＴでは、更
にＡｌＧａＡｓからなる電子供給層７内に高不純物濃度
薄層９を介装してあるため、電子分布の高い領域が電子
供給層７とチャネル層３との界面からより離れ得ること
が推測され、電子移動度が損なわれることなく、２次電
子ガスシートキャリヤ濃度濃度が増大し、飽和電子速度
を高め得て特性の向上が図れることが解る。 【００１９】（試験例）次に図１に示した如き構造の本
発明を適用したＨＥＭＴについて電子供給層７とチャネ
ル層３との界面から高不純物濃度薄層迄の距離ｌを５０
Å， ３０Åと異ならせて表３に示す如きＨＥＭＴのサ
ンプルＡ，Ｂ及び図５に示す如き従来のＨＥＭＴのサン
プルＣを作成し、夫々について電子移動度μＨ ，２次
元電子ガス濃度ＮＳ を測定した。結果は表４，５に示
す如くである。 【００２０】 【００２１】 【００２２】表４から明らかな如くサンプルＡでは電子
移動速度μＨ が、またサンプルＢでは２次元電子ガス
濃度ＮＳ が夫々サンプルＣに比較して格段に大きくな
っていることが解る。次に前記各サンプルＡ，Ｂ，Ｃに
ついて夫々ゲート長を０．２５μｍ に設定し、最大相
互コンダクタンス（ｇｍｍａｘ）を測定した。結果は表
５に示す如くである。 【００２３】 【００２４】本発明に係るサンプルＡ，Ｂ
ではいずれも最大相互コンダクタンスｇｍｍａｘが向上
しており、特にサンプルＢでは格段の向上が認められる
。これによってウェーハ内のストレスを大きくすること
なく所望の特性を得られる。なお上述の実施例２はチャ
ネル層がＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系、ＩｎＡｌＡｓ／Ｉ
ｎＧａＡｓ系等のＨＥＭＴにも適用し得ることは言うま
でもない。 【００２５】 【発明の効果】以上の如く本発明に係る電界効果型トラ
ンジスタにあっては、２次元電子ガスシートキャリヤ濃
度が増大し、電子移動度を増大させ得、また電子供給層
内に高不純物濃度薄層を介装することにより電子移動度
を損なうことなく、２次元電子ガス濃度を大幅に向上し
得る等、本発明は優れた効果を奏するものである。
【図１】本発明に係る電界効果型トランジスタの断面構
造図である。
造図である。
【図２】同じくエネルギーバンド図である。
【図３】本発明に係る他の電界効果型トランジスタの断
面構造図である。
面構造図である。
【図４】同じくエネルギーバンド図である。
【図５】従来の電界効果型トランジスタの断面構造図で
ある。
ある。
【図６】従来のエネルギーバンド図である。
【図７】従来のエネルギーバンド図の部分拡大図である
。
。
１ 基板
２ バッファ層
３ チャネル層
４ スペーサ層
５ 電子供給層
７ 電子供給層
８ 電子親和力の大きい半導体層
９ 高不純物濃度薄層
Claims (2)
- 【請求項１】 半絶縁性の基板上に、チャネル層を構
成する第１の半導体層と、これよりも電子親和力が小さ
く、禁止帯幅が大きい電子供給層を構成する第２の半導
体層とのヘテロ接合を有する電界効果型トランジスタに
おいて、前記第１の半導体層内に、キャリヤのエネルギ
ー基底状態の存在確率が最大となる位置及びその近傍領
域に対応して前記第１の半導体層の電子親和力より大き
い電子親和力を有する半導体層を介装したことを特徴と
する電界効果型トランジスタ。 - 【請求項２】 半絶縁性の基板上に、チャネル層を構
成する第１の半導体層と、これよりも電子親和力が小さ
い電子供給層を構成する第２の半導体層とのヘロ接合を
有する電界効果型トランジスタにおいて、前記第１の半
導体層内にこれよりも電子親和力が大きい半導体層を、
また前記第２の半導体層内には高不純物濃度薄層を夫々
介装したことを特徴とする電界効果型トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11692491A JPH04321239A (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 電界効果型トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11692491A JPH04321239A (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 電界効果型トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04321239A true JPH04321239A (ja) | 1992-11-11 |
Family
ID=14699052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11692491A Pending JPH04321239A (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 電界効果型トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04321239A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5351128A (en) * | 1991-08-02 | 1994-09-27 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device having reduced contact resistance between a channel or base layer and a contact layer |
| EP0631298A2 (en) * | 1993-06-28 | 1994-12-28 | Sumitomo Chemical Company Limited | Semiconductor epitaxial substrate and process for its production |
| WO1997017731A1 (fr) * | 1995-11-09 | 1997-05-15 | Matsushita Electronics Corporation | Transistor a effet de champ |
-
1991
- 1991-04-19 JP JP11692491A patent/JPH04321239A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5351128A (en) * | 1991-08-02 | 1994-09-27 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device having reduced contact resistance between a channel or base layer and a contact layer |
| EP0631298A2 (en) * | 1993-06-28 | 1994-12-28 | Sumitomo Chemical Company Limited | Semiconductor epitaxial substrate and process for its production |
| US5441913A (en) * | 1993-06-28 | 1995-08-15 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Process of making a semiconductor epitaxial substrate |
| WO1997017731A1 (fr) * | 1995-11-09 | 1997-05-15 | Matsushita Electronics Corporation | Transistor a effet de champ |
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