JPH03235323A - 化合物半導体結晶の気相成長法 - Google Patents
化合物半導体結晶の気相成長法Info
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- JPH03235323A JPH03235323A JP2945690A JP2945690A JPH03235323A JP H03235323 A JPH03235323 A JP H03235323A JP 2945690 A JP2945690 A JP 2945690A JP 2945690 A JP2945690 A JP 2945690A JP H03235323 A JPH03235323 A JP H03235323A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、有機金属気相１戊艮法により、高濃度の炭素
ドープ化合物半導体結晶、例えば、ＧａＡｓ、ＡｌＧａ
Ａｓ等のＩＩＩ −Ｖ族化合物半導体結晶を気相成長さ
せる方法に関する。
ドープ化合物半導体結晶、例えば、ＧａＡｓ、ＡｌＧａ
Ａｓ等のＩＩＩ −Ｖ族化合物半導体結晶を気相成長さ
せる方法に関する。
（従来の技術）
有機金属気相成長法（ＯＭＶＰＥ法）は、有機金属化合
物と金属水素化物を反応炉中で熱分解させることにより
、基板−にに薄膜の単結晶を成長させる方法である。こ
の方法は、超薄膜の多層構造の形成が容易であり、ｊｌ
【産性も高いので、化合物半導体を用いたヘテロ接合デ
バイス用ウェハの作製に用いられている。特に、ヘテロ
接合デバイスの中でもヘテロ・バイポーラ・トランジス
タ（ＨＩＳＴ）は、超高速で動作するので、盛んに開発
されている。
物と金属水素化物を反応炉中で熱分解させることにより
、基板−にに薄膜の単結晶を成長させる方法である。こ
の方法は、超薄膜の多層構造の形成が容易であり、ｊｌ
【産性も高いので、化合物半導体を用いたヘテロ接合デ
バイス用ウェハの作製に用いられている。特に、ヘテロ
接合デバイスの中でもヘテロ・バイポーラ・トランジス
タ（ＨＩＳＴ）は、超高速で動作するので、盛んに開発
されている。
１１ＢＴは、ｎ−ＧａＡｓのコレクタ、Ｐ”−ＧａＡｓ
のベース、ｎ−ＡｌＧａＡｓのエミッタから構成されて
いる。
のベース、ｎ−ＡｌＧａＡｓのエミッタから構成されて
いる。
１１ＢＴの構造は、第５図に示すように、半絶縁性また
は導電性（ｉａＡｓ基板の上にｎ”−ＧａＡｓ及びｎ−
ＧａＡｓ１１％のコレクタ層を積層し、さらにｐ’−Ｇ
ｊＡｓ層のベース層をも１層し、さらにその」二にａ−
Ａ ｌＧａＡｓ層及びｎ−ＧａＡｓ層のエミツタ層を積
層し、上記ｐ”−ＧａＡｓ層とｎ−ＡｌＧａＡｓ層との
間にｐｎ接合を形成したものである。そして、コレクタ
電極はｎ”−ＧａＡｓコレクタ層の」−に、ベース電極
はｐ”−ＧａＡａベース層の」―に、エミッタ電極はｎ
−ＧａＡｓエミツタ層の」二にそれぞれ形成する。この
ようなＨ口Ｔの特性は、Ｐ”−ＧａＡｓのベース層のＩ
Ｅ孔濃度が高いほど優れた特性が１１Ｊられ、ｐ”−Ｇ
ａＡｓのベース層とｎ−ＡｌＧａＡｓのエミツタ層との
間のｐｎ接合の界面が急峻なほど優′れた特性がｉ）ら
れる。
は導電性（ｉａＡｓ基板の上にｎ”−ＧａＡｓ及びｎ−
ＧａＡｓ１１％のコレクタ層を積層し、さらにｐ’−Ｇ
ｊＡｓ層のベース層をも１層し、さらにその」二にａ−
Ａ ｌＧａＡｓ層及びｎ−ＧａＡｓ層のエミツタ層を積
層し、上記ｐ”−ＧａＡｓ層とｎ−ＡｌＧａＡｓ層との
間にｐｎ接合を形成したものである。そして、コレクタ
電極はｎ”−ＧａＡｓコレクタ層の」−に、ベース電極
はｐ”−ＧａＡａベース層の」―に、エミッタ電極はｎ
−ＧａＡｓエミツタ層の」二にそれぞれ形成する。この
ようなＨ口Ｔの特性は、Ｐ”−ＧａＡｓのベース層のＩ
Ｅ孔濃度が高いほど優れた特性が１１Ｊられ、ｐ”−Ｇ
ａＡｓのベース層とｎ−ＡｌＧａＡｓのエミツタ層との
間のｐｎ接合の界面が急峻なほど優′れた特性がｉ）ら
れる。
従来、ＯＭＶＰＩ７法でＩ） ！！！！ドーパントとし
て亜鉛（Ｚｎ）が′用いられていたが、亜鉛は拡散係数
が大きいため、成長中にベース領域からエミッタ領域へ
の拡散を避けることができず、急峻なｐｎ接合を得るこ
とができないという問題／Ｊ＜ アった。 分子線エピ
タキシャル法（ＭＩＩＥ法）では、ｌＸｌ０″’ ｃ
ｍ −’ 程度までト′−ピングすることが可能で、か
つ、拡散係数の小さなＩｌｅが一般的に用いられている
が、ＯＭＶＩＩＩ’：法では安全性の観点から、Ｉｌｅ
を用いることは困難である。
て亜鉛（Ｚｎ）が′用いられていたが、亜鉛は拡散係数
が大きいため、成長中にベース領域からエミッタ領域へ
の拡散を避けることができず、急峻なｐｎ接合を得るこ
とができないという問題／Ｊ＜ アった。 分子線エピ
タキシャル法（ＭＩＩＥ法）では、ｌＸｌ０″’ ｃ
ｍ −’ 程度までト′−ピングすることが可能で、か
つ、拡散係数の小さなＩｌｅが一般的に用いられている
が、ＯＭＶＩＩＩ’：法では安全性の観点から、Ｉｌｅ
を用いることは困難である。
そのため、ｉｌｉ鉛に比べて拡散係数が５桁程度小さい
Ｍｇがドーパントとして検討されている。
Ｍｇがドーパントとして検討されている。
しかし、Ｍｇ原料のビスシクロペンタジェニルマグネシ
ウム（Ｃｐ＊Ｍｇ）やビスメチルシクロペンタジェニル
マグネシウム（Ｍ＊ＣＰ＊Ｍｇ）は、室温状態の配管や
反応管の内壁に吸着されるため、反応管にＭｇ原料の供
給を開始しても、内壁への吸着が飽和するまで、化合物
半導体へのドーピングｌｉｔが一定にならず、また、Ｍ
ｇ原料を反応管から排気管に切り換えた後も、配管や反
応管の内壁に吸着した口原料が徐々に脱離して基板結晶
表面に運ばれるために、Ｍｇが引き続きドーピングされ
る。それ故、口のドーピングによりｐ！１２化合物半導
体を形成しようとするときに、急峻なドーピング・プロ
ファイルを１りることができないという問題があった。
ウム（Ｃｐ＊Ｍｇ）やビスメチルシクロペンタジェニル
マグネシウム（Ｍ＊ＣＰ＊Ｍｇ）は、室温状態の配管や
反応管の内壁に吸着されるため、反応管にＭｇ原料の供
給を開始しても、内壁への吸着が飽和するまで、化合物
半導体へのドーピングｌｉｔが一定にならず、また、Ｍ
ｇ原料を反応管から排気管に切り換えた後も、配管や反
応管の内壁に吸着した口原料が徐々に脱離して基板結晶
表面に運ばれるために、Ｍｇが引き続きドーピングされ
る。それ故、口のドーピングによりｐ！１２化合物半導
体を形成しようとするときに、急峻なドーピング・プロ
ファイルを１りることができないという問題があった。
そのため、最近では炭素ドーピングが検討されている。
例えば、Ｊ、＾ｐｐ１． Ｐｈｙｓ、 Ｖｏｌ、 ６４
゜Ｎｏ、 ８． ｐ、 ３９７５〜３９７９． Ｋ、
５ａｉｔｏ ｅＬ ａｌ、では、ガスソース菖旧シ法に
よりＩＩＩ族原料にトリメチルガリウム（ＴＭＧａ）を
、■族原料に金属ヒ素を用いて１０”ｃｍ−３程度の炭
素ドーピングを行っている。
゜Ｎｏ、 ８． ｐ、 ３９７５〜３９７９． Ｋ、
５ａｉｔｏ ｅＬ ａｌ、では、ガスソース菖旧シ法に
よりＩＩＩ族原料にトリメチルガリウム（ＴＭＧａ）を
、■族原料に金属ヒ素を用いて１０”ｃｍ−３程度の炭
素ドーピングを行っている。
また、＾ｐｐ１． Ｐｈｙｓ、 １．ｅＬＬ、 Ｖｏｌ
、 ５３． Ｎｏ、 １４． ｐ。
、 ５３． Ｎｏ、 １４． ｐ。
１３１７〜１３１９． Ｔ、 Ｆ、 Ｋｕｅｃｈ ａｔ
ａｔ、では、ａ機金属気相成長法により、：１１族原
料にＴＭＧａ、 Ｖ族原料にＴＭＡｓを用い、成長圧カ
フ６Ｔｏｒｒで、］戊艮温度６００℃で炭素ドープＧａ
Ａｓを成長するときに、炭素ドープ１ｕの最高値が２Ｘ
ＩＯ”ｃｍ−３であったと報告している。
ａｔ、では、ａ機金属気相成長法により、：１１族原
料にＴＭＧａ、 Ｖ族原料にＴＭＡｓを用い、成長圧カ
フ６Ｔｏｒｒで、］戊艮温度６００℃で炭素ドープＧａ
Ａｓを成長するときに、炭素ドープ１ｕの最高値が２Ｘ
ＩＯ”ｃｍ−３であったと報告している。
（発明が解決しようとする課Ｂ）
ところで、ＩＩＨＴの特性は、」１記のように、ベース
層のキャリア濃度が高いほど向上する。
層のキャリア濃度が高いほど向上する。
通常、ベース層のキャリア濃度は、２Ｘｌｏ”ａｍ−”
以」−が必要とされているが、従来のＯＭＶＩ’Ｆ法に
おいて、７ＢＴｏｒｒ以上の通常の減圧成長または大気
圧成長で、■族原料に有機金属化合物を用いて炭素ドー
プＧａＡｓを成長するときには、２ＸｌＯ”ａｍ−”を
越えてドーピングすることは難しかった。
以」−が必要とされているが、従来のＯＭＶＩ’Ｆ法に
おいて、７ＢＴｏｒｒ以上の通常の減圧成長または大気
圧成長で、■族原料に有機金属化合物を用いて炭素ドー
プＧａＡｓを成長するときには、２ＸｌＯ”ａｍ−”を
越えてドーピングすることは難しかった。
本発明は、」−記の問題を解消し、ＩＩｎＴに適した高
濃度の炭素をドーピングし、かつ、そのドーピング量を
制御することのできる気相成長法を提供しようとするも
のである。
濃度の炭素をドーピングし、かつ、そのドーピング量を
制御することのできる気相成長法を提供しようとするも
のである。
（課題を解決するための手段）
本発明は、ＩＩＩ −Ｖ族化合物半導体の有機金属気相
成長法において、■族原料として有機金属化合物を用い
、１〜４０Ｔｏｒｒの成長圧力及び６２５℃以下の成長
！！度の範囲で、成長湯度を変化させることにより、炭
素のドーピングｍを制御することを特徴とする気相成長
法である。
成長法において、■族原料として有機金属化合物を用い
、１〜４０Ｔｏｒｒの成長圧力及び６２５℃以下の成長
！！度の範囲で、成長湯度を変化させることにより、炭
素のドーピングｍを制御することを特徴とする気相成長
法である。
（作用）
ＴＭＧａとＴＭＡｓを原料に用いてＧａＡｓにドーピン
グされる炭素は、ＴＭＧａ及びＴＭＡ＠のメチル基の炭
素がガリウム若しくはヒ素と結合した形で、結晶中に取
り込まれると考えられている。
グされる炭素は、ＴＭＧａ及びＴＭＡ＠のメチル基の炭
素がガリウム若しくはヒ素と結合した形で、結晶中に取
り込まれると考えられている。
本発明者らは、ＩＩＩ族ハ１料にＴＭＧａを、■族原料
にＴＭＡｓを用い、１〜７６Ｔｏｒｒの範囲の圧力で成
長温度を変化させて炭素ドープＧａＡｓの結晶成長を行
い、炭素ドーピング哨の成長温度依存性を調べたところ
、４０Ｔｏｒｒ以下の圧力領域において、炭素のドーピ
ング屋を著しく向−Ｌさせることができ、かつ、成長温
度が６２５℃以下で成長温度を変化させることにより、
高濃度の炭素ドーピングＪｊ１を制御することができ、
表面状態の良好なエピタキシャルｌＩ’Ｊを形成可能で
あることを見いだした。これは、４０Ｔｏｒｒ以下の成
長圧力では、従来の減圧成長で用いられている６０Ｔｏ
ｒｒ以−にの圧力の場合に比べて、ＴＭＧａ及びＴＭＡ
ｓの分解が進みにくいためであり、未分解のＴＭＧａ及
びＴＭＡｓがメチルノλと結合し、た状！♂で基板表面
に到達しやすく、大１社の炭素がガリウム又はヒ素と結
合した状態でＧａＡｓ結晶に取り込まれると考えられる
。
にＴＭＡｓを用い、１〜７６Ｔｏｒｒの範囲の圧力で成
長温度を変化させて炭素ドープＧａＡｓの結晶成長を行
い、炭素ドーピング哨の成長温度依存性を調べたところ
、４０Ｔｏｒｒ以下の圧力領域において、炭素のドーピ
ング屋を著しく向−Ｌさせることができ、かつ、成長温
度が６２５℃以下で成長温度を変化させることにより、
高濃度の炭素ドーピングＪｊ１を制御することができ、
表面状態の良好なエピタキシャルｌＩ’Ｊを形成可能で
あることを見いだした。これは、４０Ｔｏｒｒ以下の成
長圧力では、従来の減圧成長で用いられている６０Ｔｏ
ｒｒ以−にの圧力の場合に比べて、ＴＭＧａ及びＴＭＡ
ｓの分解が進みにくいためであり、未分解のＴＭＧａ及
びＴＭＡｓがメチルノλと結合し、た状！♂で基板表面
に到達しやすく、大１社の炭素がガリウム又はヒ素と結
合した状態でＧａＡｓ結晶に取り込まれると考えられる
。
第１図は、成長圧力１０Ｔｏｒｒで、成長温度を６２５
℃から５５０℃まで変化させて成長させた炭素ドープＧ
ａＡｓについて、ホール効果測定法により求めた正孔濃
度及び移動度を示したものであり、図から明らかなよう
に、炭素ドーピングｉｉｔの成長温度依存性が認められ
、また、成長ＩＩＩＪｅを５５０℃にするとｌＸｌ０”
ａｍ”という高濃度の炭素ドーピングが可能であり、ド
ーピングされた炭素は十分に活性化していることが分か
る。このことは、移動度が池のドーパントを用いたｐ？
ｌ！ＧａＡｓの値と同等以、１：であることからも明ら
かである。
℃から５５０℃まで変化させて成長させた炭素ドープＧ
ａＡｓについて、ホール効果測定法により求めた正孔濃
度及び移動度を示したものであり、図から明らかなよう
に、炭素ドーピングｉｉｔの成長温度依存性が認められ
、また、成長ＩＩＩＪｅを５５０℃にするとｌＸｌ０”
ａｍ”という高濃度の炭素ドーピングが可能であり、ド
ーピングされた炭素は十分に活性化していることが分か
る。このことは、移動度が池のドーパントを用いたｐ？
ｌ！ＧａＡｓの値と同等以、１：であることからも明ら
かである。
また、第２図は、上記炭素ドープＧａＡｓについて、ホ
ール効果測定法により求めた正孔濃度と、３１ＭＳ測定
法により求めた炭素濃度とを対比して示したものであり
、正孔濃１文と炭素濃度はよく一致していることが分か
る。
ール効果測定法により求めた正孔濃度と、３１ＭＳ測定
法により求めた炭素濃度とを対比して示したものであり
、正孔濃１文と炭素濃度はよく一致していることが分か
る。
第３図は、」―記炭素ドープＧａＡｓの中で成長温度５
５０℃で成長させたエピタキシャル膜についての、炭素
濃度の深さ方向のプロファイルを示した図であり、急峻
なドーピング・プロファイルを示していることが分かる
。
５０℃で成長させたエピタキシャル膜についての、炭素
濃度の深さ方向のプロファイルを示した図であり、急峻
なドーピング・プロファイルを示していることが分かる
。
（実施例１）
反応管内の圧力を１ＯＴｏｒｒに保ち、予め反応管内に
ＴＭＡｓを流した状態で、ＧａＡｌ１ＪＡ板を成長温度
まで加熱した後、ＴＭＧａを反応管へ導入し、ＧａＡｓ
の成長を開始した。この際、ＴＭＡｓとＴＭＧａのモル
比を１４とし、ＴＭＧａの流ｔｌを７ｍｌ／ｓｉｎとし
て炭素ドープＧａＡｓエピタキシャル層を９０分間成長
させた後、ＴＭＧａを排気管に切り替えて、ノ５板温度
を室温に戻して成長を終了した。この実験を、成長温度
６２５℃、６００℃、５７５℃及び５５０℃の４つの条
件で行った。
ＴＭＡｓを流した状態で、ＧａＡｌ１ＪＡ板を成長温度
まで加熱した後、ＴＭＧａを反応管へ導入し、ＧａＡｓ
の成長を開始した。この際、ＴＭＡｓとＴＭＧａのモル
比を１４とし、ＴＭＧａの流ｔｌを７ｍｌ／ｓｉｎとし
て炭素ドープＧａＡｓエピタキシャル層を９０分間成長
させた後、ＴＭＧａを排気管に切り替えて、ノ５板温度
を室温に戻して成長を終了した。この実験を、成長温度
６２５℃、６００℃、５７５℃及び５５０℃の４つの条
件で行った。
成長したＧａＡｓエピタキシャル層について、正孔濃度
及び移動度をホール効果測定法で測定した結果を第１図
に示す。成長温度６２５℃の場合に１．４ＸＩＯ”ｃｍ
−’から５５０℃の場合の１×１０”ｃｍ−’まで正札
濃度を制御することができた。移動度は正孔濃度が１．
４ＸＩＯ”ａｍ”にお・いて１４０ｃｍ”／Ｖ−ｓｅｃ
、 １．０ＸＩＯ”ａｍ−’ｌこおいては６３ｃｌｌＩ
／ｖ−ＩＩｅｃであり、他のドーパントと同等以、１−
の値であり、得られた炭素ドープＧａＡｓの結晶性が良
好なことを示している。
及び移動度をホール効果測定法で測定した結果を第１図
に示す。成長温度６２５℃の場合に１．４ＸＩＯ”ｃｍ
−’から５５０℃の場合の１×１０”ｃｍ−’まで正札
濃度を制御することができた。移動度は正孔濃度が１．
４ＸＩＯ”ａｍ”にお・いて１４０ｃｍ”／Ｖ−ｓｅｃ
、 １．０ＸＩＯ”ａｍ−’ｌこおいては６３ｃｌｌＩ
／ｖ−ＩＩｅｃであり、他のドーパントと同等以、１−
の値であり、得られた炭素ドープＧａＡｓの結晶性が良
好なことを示している。
（実施例２）
反応管内の圧力を１ＯＴｏｒｒに保ち、予め反応管内に
ＴＭＡｓを流した状態で、Ｇ ａ Ａ ｓ Ｊ＆板を成
長温度５７５℃まで加熱した後、ＴＭＧａとＴＭＡ ｌ
を反応管へ導入し、＾ｌｓ、＋Ｇａｏ、ｓＡ８のエピタ
キシャル成長を開始した。この際、ＴＭＡｓと（ＴＭＧ
ａ＋ＴＭ＾１）のモル比を１０とした。６０分間成長さ
せた後、ＴＭＧａとＴＭＡ ｌを排気管に切り換え、基
板温度を室温に戻して成長を終了した。成長した＾ｌｏ
、ｔＧａｓ、ｅＡｓエピタキシャル層について、室温で
ホール効果測定を行ったところ、正孔濃度は鳳ＸＩＯ”
ｃｍ−’であった。
ＴＭＡｓを流した状態で、Ｇ ａ Ａ ｓ Ｊ＆板を成
長温度５７５℃まで加熱した後、ＴＭＧａとＴＭＡ ｌ
を反応管へ導入し、＾ｌｓ、＋Ｇａｏ、ｓＡ８のエピタ
キシャル成長を開始した。この際、ＴＭＡｓと（ＴＭＧ
ａ＋ＴＭ＾１）のモル比を１０とした。６０分間成長さ
せた後、ＴＭＧａとＴＭＡ ｌを排気管に切り換え、基
板温度を室温に戻して成長を終了した。成長した＾ｌｏ
、ｔＧａｓ、ｅＡｓエピタキシャル層について、室温で
ホール効果測定を行ったところ、正孔濃度は鳳ＸＩＯ”
ｃｍ−’であった。
（実施例３）
反応管内の圧力をｌ０Ｔｏｒｒにした状態で、予め反応
管内に＾８ｈを流した状態で、ＧａＡｓ基板を６５０℃
まで加熱した後、ＴＭＧａを反応管へ導入し、１７さ０
．５μ−のアンドープＧＩＩ＾８を成長させた。その後
、ＴＭＧａを排気管へ切り換え、−Ｉ成長を中断し、基
板温度を５５０℃に下げた。
管内に＾８ｈを流した状態で、ＧａＡｓ基板を６５０℃
まで加熱した後、ＴＭＧａを反応管へ導入し、１７さ０
．５μ−のアンドープＧＩＩ＾８を成長させた。その後
、ＴＭＧａを排気管へ切り換え、−Ｉ成長を中断し、基
板温度を５５０℃に下げた。
温度が安定した後、ＴＭＡｓを反応管に導入し、その２
分後に八ｓＨｓを排気管へ切り換え、ＴＭＧａを反応管
に導入し、炭素ドープＧａＡｓを成長させた。炭素ドー
プＧａＡｓを０．１５μｍ１戊長させた後、ＴＭＧａを
排気管へ切り換え、成長を中断した。
分後に八ｓＨｓを排気管へ切り換え、ＴＭＧａを反応管
に導入し、炭素ドープＧａＡｓを成長させた。炭素ドー
プＧａＡｓを０．１５μｍ１戊長させた後、ＴＭＧａを
排気管へ切り換え、成長を中断した。
そして、再び八ｓＨｓを反応管へ導入し、２分後にＴＭ
Ａｓを排気管へ切り換えてから、ノ１阪温度を６５０℃
に変更した。基板温度が安定してから、ＴＭＧａを反応
管に導入してアンドープＧａＡｓを０．５ｕｇ＋成長さ
せ、その後ＴＭ（ｉａを排気管へ切り換え、基板温度を
室温に戻して成長を終了させた。
Ａｓを排気管へ切り換えてから、ノ１阪温度を６５０℃
に変更した。基板温度が安定してから、ＴＭＧａを反応
管に導入してアンドープＧａＡｓを０．５ｕｇ＋成長さ
せ、その後ＴＭ（ｉａを排気管へ切り換え、基板温度を
室温に戻して成長を終了させた。
得られた３層構造のエピタキシャル層を５ｌｌａＳ測定
した結果を第４図に示す。図から明らかなように、急峻
な界面を有する１ｘ１０１ｎＣ１３の炭素ドープ層を形
成することができた。
した結果を第４図に示す。図から明らかなように、急峻
な界面を有する１ｘ１０１ｎＣ１３の炭素ドープ層を形
成することができた。
（発明の効果）
本発明は、上記の構成を採用することにより、■族原料
として有機金属化合物を用いた炭素ドーピングにおいて
、成長圧力を１〜４０Ｔｏｒｒ、成長温度を６２５℃以
下の範囲で成長温度を変えることにより、高濃度の炭素
ドーピング徂を制御可能となった。
として有機金属化合物を用いた炭素ドーピングにおいて
、成長圧力を１〜４０Ｔｏｒｒ、成長温度を６２５℃以
下の範囲で成長温度を変えることにより、高濃度の炭素
ドーピング徂を制御可能となった。
第１図は実施例１のＧａＡｓエピタキンヤル膜について
の正孔濃度及び移動度の成長温度依び性を示す図、第２
図は実施例１のＧａＡｓエピタキシャル膜についての正
孔濃度と炭素濃度とを対比した図、第３図は実施例１の
ＧａＡｓエピタキ／ヤルＩＩ’Ｊについての炭素濃１文
の深さ方向のプロファイルを示す図、第４図は実施例３
のＧａＡｓエピタキシャル膜中の正孔濃度の深さ方向の
プロファイルを示す図、第５図は）ＩＢＴの模式図であ
る。 第１図 成長温度Ｔ （’Ｃ） 第２図 成長温度Ｔ （’Ｃ） １０００／Ｔ（に−９ １０００／Ｔ（Ｋつ 第３図 第４図
の正孔濃度及び移動度の成長温度依び性を示す図、第２
図は実施例１のＧａＡｓエピタキシャル膜についての正
孔濃度と炭素濃度とを対比した図、第３図は実施例１の
ＧａＡｓエピタキ／ヤルＩＩ’Ｊについての炭素濃１文
の深さ方向のプロファイルを示す図、第４図は実施例３
のＧａＡｓエピタキシャル膜中の正孔濃度の深さ方向の
プロファイルを示す図、第５図は）ＩＢＴの模式図であ
る。 第１図 成長温度Ｔ （’Ｃ） 第２図 成長温度Ｔ （’Ｃ） １０００／Ｔ（に−９ １０００／Ｔ（Ｋつ 第３図 第４図
Claims (3)
- （１）III−Ｖ族化合物半導体の有機金属気相成長法に
おいて、Ｖ族原料として有機金属化合物を用い、１〜４
０Ｔｏｒｒの成長圧力及び６２５℃以下の成長温度の範
囲で、成長温度を変化させることにより、炭素のドーピ
ング量を制御することを特徴とする気相成長法。 - （２）前記III−Ｖ族化合物半導体がＧａＡｓであり、
III族原料がトリメチルガリウム又はトリエチルガリウ
ムであることを特徴とする請求項（１）記載の気相成長
法。 - （３）前記III−Ｖ族化合物半導体がＡｌＧａＡｓであ
り、III族原料がトリメチルガリウム又はトリエチルガ
リウム、及び、トリメチルアルミニウムであり、Ｖ族有
機金属化合物がトリメチルヒ素であることを特徴とする
請求項（１）記載の気相成長法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2945690A JP2861192B2 (ja) | 1990-02-13 | 1990-02-13 | 化合物半導体結晶の気相成長法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2945690A JP2861192B2 (ja) | 1990-02-13 | 1990-02-13 | 化合物半導体結晶の気相成長法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03235323A true JPH03235323A (ja) | 1991-10-21 |
| JP2861192B2 JP2861192B2 (ja) | 1999-02-24 |
Family
ID=12276607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2945690A Expired - Fee Related JP2861192B2 (ja) | 1990-02-13 | 1990-02-13 | 化合物半導体結晶の気相成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2861192B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2307335A (en) * | 1995-11-14 | 1997-05-21 | Mitsubishi Electric Corp | Method of manufacturing a carbon-doped compound semiconductor layer |
| JP2009032873A (ja) * | 2007-07-26 | 2009-02-12 | Toyota Central R&D Labs Inc | 窒化物半導体装置とその製造方法 |
-
1990
- 1990-02-13 JP JP2945690A patent/JP2861192B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2307335A (en) * | 1995-11-14 | 1997-05-21 | Mitsubishi Electric Corp | Method of manufacturing a carbon-doped compound semiconductor layer |
| GB2307335B (en) * | 1995-11-14 | 2000-05-10 | Mitsubishi Electric Corp | Method of manufacturing a carbon-doped compound semiconductor layer |
| US6096617A (en) * | 1995-11-14 | 2000-08-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a carbon-doped compound semiconductor layer |
| JP2009032873A (ja) * | 2007-07-26 | 2009-02-12 | Toyota Central R&D Labs Inc | 窒化物半導体装置とその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2861192B2 (ja) | 1999-02-24 |
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