JPH11251329A - 半導体ウェハ及びその製造方法 - Google Patents
半導体ウェハ及びその製造方法Info
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- JPH11251329A JPH11251329A JP5305098A JP5305098A JPH11251329A JP H11251329 A JPH11251329 A JP H11251329A JP 5305098 A JP5305098 A JP 5305098A JP 5305098 A JP5305098 A JP 5305098A JP H11251329 A JPH11251329 A JP H11251329A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】表面の凹凸が小さいＧａＡｓをエミッタコンタ
クト層に用い且つそのコンタクト抵抗を十分に低くした
III ／Ｖ族系ＨＢＴ用半導体ウェハの製造方法を提供す
ることにある。 【解決手段】ｎ型のコレクタコンタクト層２と、ｎ型の
コレクタ層３と、ｐ型のベース層４と、前記ベース層に
対してヘテロ接合を形成するｎ型のＡｌＧａＡｓまたは
ＩｎＧａＰ結晶からなるエミッタ層５と、Ｓｅをドープ
したｎ型のＧａＡｓ結晶からなるエミッタコンタクト層
１６とを順次成長させた半導体ウェハの製造方法におい
て、前記エミッタコンタクト層１６のｎ型のＧａＡｓ結
晶は、Ｇａ源にＴＥＧａを、Ａｓ源にＡｓＨ3 などの水
素化合物を、そしてｎ型のドーパントにＨ2 Ｓｅを用
い、気相エピタキシャル成長法により、４５０℃〜５５
０℃の成長温度で、１０19cm-3台の高キャリア濃度のｎ
型のＧａＡｓをエピタキシャル成長させる。
クト層に用い且つそのコンタクト抵抗を十分に低くした
III ／Ｖ族系ＨＢＴ用半導体ウェハの製造方法を提供す
ることにある。 【解決手段】ｎ型のコレクタコンタクト層２と、ｎ型の
コレクタ層３と、ｐ型のベース層４と、前記ベース層に
対してヘテロ接合を形成するｎ型のＡｌＧａＡｓまたは
ＩｎＧａＰ結晶からなるエミッタ層５と、Ｓｅをドープ
したｎ型のＧａＡｓ結晶からなるエミッタコンタクト層
１６とを順次成長させた半導体ウェハの製造方法におい
て、前記エミッタコンタクト層１６のｎ型のＧａＡｓ結
晶は、Ｇａ源にＴＥＧａを、Ａｓ源にＡｓＨ3 などの水
素化合物を、そしてｎ型のドーパントにＨ2 Ｓｅを用
い、気相エピタキシャル成長法により、４５０℃〜５５
０℃の成長温度で、１０19cm-3台の高キャリア濃度のｎ
型のＧａＡｓをエピタキシャル成長させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ヘテロバイポーラ
トランジスタ（ＨＢＴ）などの半導体装置を形成する基
体となる半導体ウェハとその製造方法、より詳しくはエ
ミッタコンタクト層の表面の凹凸を無くしコンタクト抵
抗を低減したIII ／Ｖ族系ＨＢＴ用エピタキシャルウェ
ハとその製造方法に関するものである。
トランジスタ（ＨＢＴ）などの半導体装置を形成する基
体となる半導体ウェハとその製造方法、より詳しくはエ
ミッタコンタクト層の表面の凹凸を無くしコンタクト抵
抗を低減したIII ／Ｖ族系ＨＢＴ用エピタキシャルウェ
ハとその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】エミッタ・ベース接合にヘテロ接合を用
いたヘテロ接合バイポーラートランジスタ（ＨＢＴ）
は、エミッタ層のバンドギャップがベース層のバンドギ
ャップよりも広いことにより、エミッタ注入孔率を高く
することができるため、超高速、高出力デバイスとして
の利用が期待されている。特に、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡ
ｓを材料とするＨＢＴは、高速性・高電流駆動能力に優
れているため、光通信用の高速電子デバイスとして開発
が盛んに行われている。
いたヘテロ接合バイポーラートランジスタ（ＨＢＴ）
は、エミッタ層のバンドギャップがベース層のバンドギ
ャップよりも広いことにより、エミッタ注入孔率を高く
することができるため、超高速、高出力デバイスとして
の利用が期待されている。特に、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡ
ｓを材料とするＨＢＴは、高速性・高電流駆動能力に優
れているため、光通信用の高速電子デバイスとして開発
が盛んに行われている。
【０００３】ＨＢＴは、電界効果トランジスタ（ＦＥ
Ｔ）などに比べ素子内を流れる電流密度を飛躍的に高く
することが可能であり、半導体コンタクト層と金属電極
とのコンタクト抵抗の低減は、電流取り出し効率やそれ
に伴う発熱の点で重要である。特にエミッタコンタクト
層と金属電極とのコンタクト面積は、構造上エミッタ面
積より大きくできないため、エミッタコンタクト抵抗の
低減は最重要課題となっている。
Ｔ）などに比べ素子内を流れる電流密度を飛躍的に高く
することが可能であり、半導体コンタクト層と金属電極
とのコンタクト抵抗の低減は、電流取り出し効率やそれ
に伴う発熱の点で重要である。特にエミッタコンタクト
層と金属電極とのコンタクト面積は、構造上エミッタ面
積より大きくできないため、エミッタコンタクト抵抗の
低減は最重要課題となっている。
【０００４】従来、ＨＢＴでは微細化によるエミッタ電
極のコンタクト面積の縮小がコンタクト抵抗の増大を招
き、期待通りの高速化が計られないという問題があった
ことから、このエミッタコンタクト抵抗を低減するため
に、バンドギャップの狭いＩｎＧａＡｓ層を高濃度にド
ーピングしてエミッタ領域の上部にエピタキシャル成長
し、エミッタコンタクト層とすることにより、エミッタ
電極金属との間のバリアハイトを実質的にほとんど無く
すようにしている。
極のコンタクト面積の縮小がコンタクト抵抗の増大を招
き、期待通りの高速化が計られないという問題があった
ことから、このエミッタコンタクト抵抗を低減するため
に、バンドギャップの狭いＩｎＧａＡｓ層を高濃度にド
ーピングしてエミッタ領域の上部にエピタキシャル成長
し、エミッタコンタクト層とすることにより、エミッタ
電極金属との間のバリアハイトを実質的にほとんど無く
すようにしている。
【０００５】この技術を用いた従来のＡｌＧａＡｓ／Ｇ
ａＡｓ系ＨＢＴのウェハ構造の一例を図２に示す。図２
において半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に、コレクタコンタ
クト層２と、コレクタ層３とが積層されている。上記コ
レクタコンタクト層２は厚さ５００nm，キャリア濃度５
×１０18cm-3のｎ+ 型ＧａＡｓ層から、また上記コレク
タ層３は厚さ５００nm，キャリア濃度２×１０16cm-3の
ｎ- 型ＧａＡｓ層から構成されている。
ａＡｓ系ＨＢＴのウェハ構造の一例を図２に示す。図２
において半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に、コレクタコンタ
クト層２と、コレクタ層３とが積層されている。上記コ
レクタコンタクト層２は厚さ５００nm，キャリア濃度５
×１０18cm-3のｎ+ 型ＧａＡｓ層から、また上記コレク
タ層３は厚さ５００nm，キャリア濃度２×１０16cm-3の
ｎ- 型ＧａＡｓ層から構成されている。
【０００６】４は上記コレクタ層３上に形成された厚さ
１００nm，キャリア濃度が４×１０19cm-3のｐ+ 型Ｇａ
Ａｓベース層で、その上にはエミッタ層５が形成されて
いる。
１００nm，キャリア濃度が４×１０19cm-3のｐ+ 型Ｇａ
Ａｓベース層で、その上にはエミッタ層５が形成されて
いる。
【０００７】エミッタ層５は、Ｓｉドープによるキャリ
ア濃度５×１０17cm-3、厚さ１２０nmのｎ型Ａｌ0.25Ｇ
ａ0.75Ａｓ層５ａと、この層５ａの上にＡｌＡｓ混晶比
ｘを０．２５から０まで徐々に減少させて成長した、厚
さ約３０nm、Ｓｉドープによるキャリア濃度５×１０18
cm-3から５×１０17cm-3のｎ+ 型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓグ
レーデッド層５ｂとから構成されている。
ア濃度５×１０17cm-3、厚さ１２０nmのｎ型Ａｌ0.25Ｇ
ａ0.75Ａｓ層５ａと、この層５ａの上にＡｌＡｓ混晶比
ｘを０．２５から０まで徐々に減少させて成長した、厚
さ約３０nm、Ｓｉドープによるキャリア濃度５×１０18
cm-3から５×１０17cm-3のｎ+ 型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓグ
レーデッド層５ｂとから構成されている。
【０００８】そして、エミッタ層５上には、エミッタコ
ンタクト層６として、厚さ１００nm、Ｓｉドープによる
キャリア濃度１．６×１０19cm-3のｎ+ 型ＧａＡｓ層６
ａと、この層６ａの上に形成された厚さ５０nm、Ｓｅド
ープによるキャリア濃度が１×１０19cm-3から４×１０
19cm-3のｎ+ 型Ｉｎy Ｇａ1-y Ａｓ（ｙ＝０→０．５）
グレーデッド層６ｂと、このグレーデッド層６ｂの上に
形成された厚さ５０nm、Ｓｅドープによるキャリア濃度
４×１０19cm-3のｎ+ 型Ｉｎ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ層６ｃと
が、順に積層されている。上記ｎ+ 型Ｉｎy Ｇａ1-y Ａ
ｓグレーディッド層６ｂは、ＩｎＡｓ混晶比ｙを下面か
ら上面にかけて０から０．５まで徐々に増加させた構造
となっている。このエミッタコンタクト層６は、エミッ
タ層５とエミッタ電極（図示せず）とのコンタクト抵抗
を低減させるものであるため、構成材料として、エミッ
タ電極との接触抵抗が低く、しかもシート抵抗の低いＩ
ｎＧａＡｓが用いられている。
ンタクト層６として、厚さ１００nm、Ｓｉドープによる
キャリア濃度１．６×１０19cm-3のｎ+ 型ＧａＡｓ層６
ａと、この層６ａの上に形成された厚さ５０nm、Ｓｅド
ープによるキャリア濃度が１×１０19cm-3から４×１０
19cm-3のｎ+ 型Ｉｎy Ｇａ1-y Ａｓ（ｙ＝０→０．５）
グレーデッド層６ｂと、このグレーデッド層６ｂの上に
形成された厚さ５０nm、Ｓｅドープによるキャリア濃度
４×１０19cm-3のｎ+ 型Ｉｎ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ層６ｃと
が、順に積層されている。上記ｎ+ 型Ｉｎy Ｇａ1-y Ａ
ｓグレーディッド層６ｂは、ＩｎＡｓ混晶比ｙを下面か
ら上面にかけて０から０．５まで徐々に増加させた構造
となっている。このエミッタコンタクト層６は、エミッ
タ層５とエミッタ電極（図示せず）とのコンタクト抵抗
を低減させるものであるため、構成材料として、エミッ
タ電極との接触抵抗が低く、しかもシート抵抗の低いＩ
ｎＧａＡｓが用いられている。
【０００９】このように従来は、エミッタコンタクト抵
抗を下げるために、１０19cm-3台の高濃度にｎ型ド−ピ
ング可能な高インジウム（Ｉｎ）組成比のインジウムガ
リウム砒素（ＩｎＧａＡｓ）層を用いていた。
抗を下げるために、１０19cm-3台の高濃度にｎ型ド−ピ
ング可能な高インジウム（Ｉｎ）組成比のインジウムガ
リウム砒素（ＩｎＧａＡｓ）層を用いていた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術のように、エミッタコンタクト層に高Ｉｎ組成比のＩ
ｎＧａＡｓを用いた場合、このＩｎＧａＡｓ層の表面の
凹凸は２０nm程度に達し、この凹凸が、デバイスの微細
化を制限したり、また素子形成プロセスを非常に難しく
していた。以下にその例を示す。
術のように、エミッタコンタクト層に高Ｉｎ組成比のＩ
ｎＧａＡｓを用いた場合、このＩｎＧａＡｓ層の表面の
凹凸は２０nm程度に達し、この凹凸が、デバイスの微細
化を制限したり、また素子形成プロセスを非常に難しく
していた。以下にその例を示す。
【００１１】（１）微細化したエミッタにおける問題 ＨＢＴは電流密度を高くすることが可能なため、エミッ
タ面積の微細化が行われている。この微細化と電流密度
の増大により、面積が大きかった時は問題にならなかっ
たＩｎＧａＡｓｎの凹凸に起因するコンタクト抵抗の不
均ー性により、部分的に電流が集中して素子破壊を引き
起こす場合があり、微細化を制限する要因になってい
た。
タ面積の微細化が行われている。この微細化と電流密度
の増大により、面積が大きかった時は問題にならなかっ
たＩｎＧａＡｓｎの凹凸に起因するコンタクト抵抗の不
均ー性により、部分的に電流が集中して素子破壊を引き
起こす場合があり、微細化を制限する要因になってい
た。
【００１２】（２）ベース電極形成における問題 ベース電極を形成するにはエッチングによりベース層表
面を出す必要があるが、このエッチングにおいてＩｎＧ
ａＡｓ表面の凹凸がそのまま引き継がれるため、部分的
にエミッタ層が残ったりベース層を削り過ぎたりして、
均ーなコンタクト抵抗の形成を難しくしていた。
面を出す必要があるが、このエッチングにおいてＩｎＧ
ａＡｓ表面の凹凸がそのまま引き継がれるため、部分的
にエミッタ層が残ったりベース層を削り過ぎたりして、
均ーなコンタクト抵抗の形成を難しくしていた。
【００１３】前述の問題点（１）は、表面の凹凸が小さ
い層をエミッタコンタクト層に用いることができれば解
決することができると考えられるが、例えば平坦な表面
が得られるＧａＡｓでは、従来技術において十分に低い
コンタクト抵抗を得るのに必要なｎ型で１０19cm-3台の
高濃度ドーピングを実現することができなかった。
い層をエミッタコンタクト層に用いることができれば解
決することができると考えられるが、例えば平坦な表面
が得られるＧａＡｓでは、従来技術において十分に低い
コンタクト抵抗を得るのに必要なｎ型で１０19cm-3台の
高濃度ドーピングを実現することができなかった。
【００１４】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、表面の凹凸が小さいＧａＡｓをエミッタコンタクト
層に用い且つそのコンタクト抵抗を十分に低くしたIII
／Ｖ族系ＨＢＴ用として適した半導体ウェハとその製造
方法を提供することにある。
し、表面の凹凸が小さいＧａＡｓをエミッタコンタクト
層に用い且つそのコンタクト抵抗を十分に低くしたIII
／Ｖ族系ＨＢＴ用として適した半導体ウェハとその製造
方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、次のように構成したものである。
め、本発明は、次のように構成したものである。
【００１６】（１）請求項１に記載の発明は、ｎ型の伝
導を示すコレクタコンタクト層と、ｎ型の伝導を示すコ
レクタ層と、ｐ型の伝導を示すベース層と、前記ベース
層に対してヘテロ接合を形成するｎ型の伝導を示すＡｌ
ＧａＡｓ（アルミニウムガリウム砒素）またはＩｎＧａ
Ｐ（インジウムガリウムリン）結晶からなるエミッタ層
と、ｎ型の伝導を示すエミッタコンタクト層とを順次積
層した半導体ウェハにおいて、前記エミッタコンタクト
層にＳｅ（セレン）をドープしたｎ型のＧａＡｓを用
い、そのキャリア濃度を１０19cm-3台の高濃度としたも
のである。
導を示すコレクタコンタクト層と、ｎ型の伝導を示すコ
レクタ層と、ｐ型の伝導を示すベース層と、前記ベース
層に対してヘテロ接合を形成するｎ型の伝導を示すＡｌ
ＧａＡｓ（アルミニウムガリウム砒素）またはＩｎＧａ
Ｐ（インジウムガリウムリン）結晶からなるエミッタ層
と、ｎ型の伝導を示すエミッタコンタクト層とを順次積
層した半導体ウェハにおいて、前記エミッタコンタクト
層にＳｅ（セレン）をドープしたｎ型のＧａＡｓを用
い、そのキャリア濃度を１０19cm-3台の高濃度としたも
のである。
【００１７】本発明の半導体ウェハでは、ＧａＡｓをエ
ミッタコンタクト層に用いているので、ＩｎＧａＡｓを
エミッタコンタクト層に用いた従来のウェハ構造に比
べ、表面の凹凸が極めて小さく、平坦な表面が得られ
る。しかも、このＧａＡｓエミッタコンタクト層は、Ｓ
ｅをドープすることによりｎ型で１０19cm-3台の高キャ
リア濃度のＧａＡｓ層としているので、十分に低いコン
タクト抵抗を得ることができる。この半導体ウェハは、
電流密度の高いＨＢＴなどの半導体装置を形成する基体
として適する。
ミッタコンタクト層に用いているので、ＩｎＧａＡｓを
エミッタコンタクト層に用いた従来のウェハ構造に比
べ、表面の凹凸が極めて小さく、平坦な表面が得られ
る。しかも、このＧａＡｓエミッタコンタクト層は、Ｓ
ｅをドープすることによりｎ型で１０19cm-3台の高キャ
リア濃度のＧａＡｓ層としているので、十分に低いコン
タクト抵抗を得ることができる。この半導体ウェハは、
電流密度の高いＨＢＴなどの半導体装置を形成する基体
として適する。
【００１８】（２）請求項２に記載の発明は、ｎ型の伝
導を示すコレクタコンタクト層と、ｎ型の伝導を示すコ
レクタ層と、ｐ型の伝導を示すベース層と、前記ベース
層に対してヘテロ接合を形成するｎ型の伝導を示すＡｌ
ＧａＡｓまたはＩｎＧａＰ結晶からなるエミッタ層と、
Ｓｅをドープしたｎ型の伝導を示すＧａＡｓ結晶からな
るエミッタコンタクト層とを順次有機金属気相成長法
（ＭＯＶＰＥ法）により成長させた半導体ウェハの製造
方法において、前記エミッタコンタクト層のｎ型のＧａ
Ａｓ結晶は、Ｇａ（ガリウム）源にトリエチルガリウム
（ＴＥＧａ）を、Ａｓ源に水素化砒素（ＡｓＨ3 ）など
の水素化合物を、またｎ型のドーパントにセレン化水素
（Ｈ2 Ｓｅ）を用い、４５０℃〜５５０℃の成長温度
で、１０19cm -3台の高キャリア濃度のｎ型のＧａＡｓを
エピタキシャル成長させるものである。
導を示すコレクタコンタクト層と、ｎ型の伝導を示すコ
レクタ層と、ｐ型の伝導を示すベース層と、前記ベース
層に対してヘテロ接合を形成するｎ型の伝導を示すＡｌ
ＧａＡｓまたはＩｎＧａＰ結晶からなるエミッタ層と、
Ｓｅをドープしたｎ型の伝導を示すＧａＡｓ結晶からな
るエミッタコンタクト層とを順次有機金属気相成長法
（ＭＯＶＰＥ法）により成長させた半導体ウェハの製造
方法において、前記エミッタコンタクト層のｎ型のＧａ
Ａｓ結晶は、Ｇａ（ガリウム）源にトリエチルガリウム
（ＴＥＧａ）を、Ａｓ源に水素化砒素（ＡｓＨ3 ）など
の水素化合物を、またｎ型のドーパントにセレン化水素
（Ｈ2 Ｓｅ）を用い、４５０℃〜５５０℃の成長温度
で、１０19cm -3台の高キャリア濃度のｎ型のＧａＡｓを
エピタキシャル成長させるものである。
【００１９】本発明の製造方法に従い、エミッタコンタ
クト層の成長に際し、そのＧａ源にＴＥＧａ、そのｎ型
のドーパントとしてＳｅＨ2 を用い、その成長温度を４
５０℃〜５５０℃にすることにより、従来では不可能で
あった１０19cm-3台の高濃度にドーピングしたｎ型のＧ
ａＡｓエミッタコンタクト層を実現することができる。
クト層の成長に際し、そのＧａ源にＴＥＧａ、そのｎ型
のドーパントとしてＳｅＨ2 を用い、その成長温度を４
５０℃〜５５０℃にすることにより、従来では不可能で
あった１０19cm-3台の高濃度にドーピングしたｎ型のＧ
ａＡｓエミッタコンタクト層を実現することができる。
【００２０】エミッタコンタクト層の成長温度を４５０
℃〜５５０℃の範囲とするのは、次の理由による。
℃〜５５０℃の範囲とするのは、次の理由による。
【００２１】(a) ＴＥＧａを用いたＧａＡｓが輸送律速
で成長する温度範囲は４５０℃〜５７０℃である。即
ち、４５０℃未満であると３次元核成長により表面に凹
凸が発生し、また５７０℃以上であると、ＴＥＧａが気
相中で分解し始め、膜厚均一性が悪化する。
で成長する温度範囲は４５０℃〜５７０℃である。即
ち、４５０℃未満であると３次元核成長により表面に凹
凸が発生し、また５７０℃以上であると、ＴＥＧａが気
相中で分解し始め、膜厚均一性が悪化する。
【００２２】(b) 一方、ＧａＡｓに１０19cm-3以上にＳ
ｅ（Ｈ2 Ｓｅ）をドーピングできる温度範囲は、４００
℃〜５５０℃である。
ｅ（Ｈ2 Ｓｅ）をドーピングできる温度範囲は、４００
℃〜５５０℃である。
【００２３】以上の２つから、エミッタコンタクト層の
最適成長温度は４５０℃以上かつ５５０℃未満の範囲が
適切となる。
最適成長温度は４５０℃以上かつ５５０℃未満の範囲が
適切となる。
【００２４】本発明の方法により製造される半導体ウェ
ハは、エミッタコンタクト層がＧａＡｓから成るので、
表面の凹凸が極めて小さく平坦な表面が得られると共
に、Ｓｅをドープすることにより１０19cm-3台の高キャ
リア濃度のｎ型ＧａＡｓ層となっているので、十分に低
いコンタクト抵抗を得ることができ、電流密度の高いＨ
ＢＴなどの半導体装置を形成する基体として適する。
ハは、エミッタコンタクト層がＧａＡｓから成るので、
表面の凹凸が極めて小さく平坦な表面が得られると共
に、Ｓｅをドープすることにより１０19cm-3台の高キャ
リア濃度のｎ型ＧａＡｓ層となっているので、十分に低
いコンタクト抵抗を得ることができ、電流密度の高いＨ
ＢＴなどの半導体装置を形成する基体として適する。
【００２５】要点を補足説明すると、本発明のＳｅドー
プＧａＡｓエミッタコンタクト層は、従来のＩｎＧａＡ
ｓの場合よりワイドギャップになるため、同じキャリア
濃度で比較した場合、ＩｎＧａＡｓ層よりコンタクト抵
抗は高くなるが、それでも１０-7Ωcm2 台を実現できる
ため実用上問題はない。
プＧａＡｓエミッタコンタクト層は、従来のＩｎＧａＡ
ｓの場合よりワイドギャップになるため、同じキャリア
濃度で比較した場合、ＩｎＧａＡｓ層よりコンタクト抵
抗は高くなるが、それでも１０-7Ωcm2 台を実現できる
ため実用上問題はない。
【００２６】一方、従来のＩｎＧａＡｓをエミッタコン
タクト層に用いた場合、エミッタ電極に低融点金属を用
いると、熱による合金化により、逆にコンタクト抵抗が
高くなってしまう。そこで従来は、プロセス中の高温で
も合金化しない、高融点金属をエミッタ電極に用いてい
る。本発明のＧａＡｓコンタクト層の場合も、エミッタ
電極に高融点金属を用いることができ、これにより実用
上問題がないコンタクト抵抗が得られるものである。し
かし、本発明のＧａＡｓコンタクト層の場合には、エミ
ッタ電極に低融点金属を用いることができ、その合金化
により、高融点金属を用いた場合よりも低いコンタクト
抵抗を得ることができる。
タクト層に用いた場合、エミッタ電極に低融点金属を用
いると、熱による合金化により、逆にコンタクト抵抗が
高くなってしまう。そこで従来は、プロセス中の高温で
も合金化しない、高融点金属をエミッタ電極に用いてい
る。本発明のＧａＡｓコンタクト層の場合も、エミッタ
電極に高融点金属を用いることができ、これにより実用
上問題がないコンタクト抵抗が得られるものである。し
かし、本発明のＧａＡｓコンタクト層の場合には、エミ
ッタ電極に低融点金属を用いることができ、その合金化
により、高融点金属を用いた場合よりも低いコンタクト
抵抗を得ることができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図示の実施形態に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
【００２８】本発明に従ったＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系
ＨＢＴ用エピタキシャルウェハ（半導体ウェハ）の構造
例を図１に示す。これは従来のエミッタコンタクト層６
の代わりに、Ｓｅをドープしたｎ+ 型ＧａＡｓエミッタ
コンタクト層１６を用いている点で、図２に示した従来
のＨＢＴ用エピタキシャルウェハと構造が異なる。
ＨＢＴ用エピタキシャルウェハ（半導体ウェハ）の構造
例を図１に示す。これは従来のエミッタコンタクト層６
の代わりに、Ｓｅをドープしたｎ+ 型ＧａＡｓエミッタ
コンタクト層１６を用いている点で、図２に示した従来
のＨＢＴ用エピタキシャルウェハと構造が異なる。
【００２９】図１において半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に
は、厚さ５００nm，キャリア濃度５×１０18cm-3のｎ+
型ＧａＡｓコレクタコンタクト層２と、厚さ５００nm，
キャリア濃度２×１０16cm-3のｎ- 型ＧａＡｓコレクタ
層３と、厚さ１００nm，キャリア濃度が４×１０19cm-3
のｐ+ 型ＧａＡｓベース層４とが、下から順に積層さ
れ、そのベース層４の上には、エミッタ層５として、Ｓ
ｉドープによるキャリア濃度５×１０17cm-3、厚さ１２
０nmのｎ型Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ層５ａと、この層５ａ
の上にＡｌＡｓ混晶比ｘを０．２５から０まで徐々に減
少させて成長した、厚さ約３０nm、Ｓｉドープによるキ
ャリア濃度５×１０18cm-3から５×１０17cm-3のｎ+ 型
Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓグレーデッド層５ｂとが積層され
る。
は、厚さ５００nm，キャリア濃度５×１０18cm-3のｎ+
型ＧａＡｓコレクタコンタクト層２と、厚さ５００nm，
キャリア濃度２×１０16cm-3のｎ- 型ＧａＡｓコレクタ
層３と、厚さ１００nm，キャリア濃度が４×１０19cm-3
のｐ+ 型ＧａＡｓベース層４とが、下から順に積層さ
れ、そのベース層４の上には、エミッタ層５として、Ｓ
ｉドープによるキャリア濃度５×１０17cm-3、厚さ１２
０nmのｎ型Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ層５ａと、この層５ａ
の上にＡｌＡｓ混晶比ｘを０．２５から０まで徐々に減
少させて成長した、厚さ約３０nm、Ｓｉドープによるキ
ャリア濃度５×１０18cm-3から５×１０17cm-3のｎ+ 型
Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓグレーデッド層５ｂとが積層され
る。
【００３０】更に、このエミッタ層５の上にはＳｅをド
ープした厚さ１００nm、キャリア濃度１．６×１０19cm
-3のｎ+ 型ＧａＡｓエミッタコンタクト層１６が形成さ
れる。従って、従来のエミッタコンタクト層６において
必要とされていた、ｎ+ 型ＧａＡｓ層６ａの上に形成さ
れていたｎ+ 型Ｉｎy Ｇａ1-y Ａｓグレーデッド層６ｂ
と、その上に形成されていたｎ+ 型Ｉｎ0.5 Ｇａ0.5 Ａ
ｓ層６ｃとが省略された形態になっている。
ープした厚さ１００nm、キャリア濃度１．６×１０19cm
-3のｎ+ 型ＧａＡｓエミッタコンタクト層１６が形成さ
れる。従って、従来のエミッタコンタクト層６において
必要とされていた、ｎ+ 型ＧａＡｓ層６ａの上に形成さ
れていたｎ+ 型Ｉｎy Ｇａ1-y Ａｓグレーデッド層６ｂ
と、その上に形成されていたｎ+ 型Ｉｎ0.5 Ｇａ0.5 Ａ
ｓ層６ｃとが省略された形態になっている。
【００３１】次に、以上のようなＨＢＴ用エピタキシャ
ルウェハの製造方法について説明する。
ルウェハの製造方法について説明する。
【００３２】有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ：Metal Or
ganic Vaper Phase Epitaxy ）法により、図１に示すウ
ェハ構造をエピタキシャル成長させる。成長原料には、
Ｇａの原料としてトリエチルガリウム（ＴＥＧａ）、Ａ
ｌ原料としてＴＥＡｌ（トリエチルアルミニウム）、Ａ
ｓ原料としてＡｓＨ3 （アルシン）を用いる。さらに、
ｎ形のドーパント原料としてジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6 ）、
セレン化水素（Ｈ2 Ｓｅ）を、ｐ形のドーパント原料と
して炭素（Ｃ）のハロゲン化物（ＣＢｒ4 、ＣＣｌ
4 等）を用いる。なお、エミッタ層５に、ＡｌＧａＡｓ
（アルミニウムガリウム砒素）の代わりにＩｎＧａＰ
（インジウムガリウムリン）を用いる場合は、Ｉｎの原
料にＴＥＩ（トリエチルインジウム）を、Ｐの原料にＰ
Ｈ3 （ホスフィン）を用いる。
ganic Vaper Phase Epitaxy ）法により、図１に示すウ
ェハ構造をエピタキシャル成長させる。成長原料には、
Ｇａの原料としてトリエチルガリウム（ＴＥＧａ）、Ａ
ｌ原料としてＴＥＡｌ（トリエチルアルミニウム）、Ａ
ｓ原料としてＡｓＨ3 （アルシン）を用いる。さらに、
ｎ形のドーパント原料としてジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6 ）、
セレン化水素（Ｈ2 Ｓｅ）を、ｐ形のドーパント原料と
して炭素（Ｃ）のハロゲン化物（ＣＢｒ4 、ＣＣｌ
4 等）を用いる。なお、エミッタ層５に、ＡｌＧａＡｓ
（アルミニウムガリウム砒素）の代わりにＩｎＧａＰ
（インジウムガリウムリン）を用いる場合は、Ｉｎの原
料にＴＥＩ（トリエチルインジウム）を、Ｐの原料にＰ
Ｈ3 （ホスフィン）を用いる。
【００３３】図示してない反応管内のサセプタに半絶縁
性ＧａＡｓ基板１を配置し、高周波コイルによりサセプ
タを加熱して、ＧａＡｓ基板１を暖める。
性ＧａＡｓ基板１を配置し、高周波コイルによりサセプ
タを加熱して、ＧａＡｓ基板１を暖める。
【００３４】ＧａＡｓ層２，３，４，１６を成長する場
合、ＴＥＧａ（トリエチルガリウム）とＡｓＨ3 （アル
シン）を反応管へ送り込み、ＧａＡｓ基板１上でＴＥＧ
ａとＡｓＨ3 の熱分解を生じさせ、ＧａＡｓ結晶を成長
させる。また、ＡｌＧａＡｓ層５ａ，５ｂの結晶の場合
には、ＴＥＧａとＴＥＡｌ（トリエチルアルミニウム）
とＡｓＨ3 を同時に流し、同一反応管中で連続的に成長
する。
合、ＴＥＧａ（トリエチルガリウム）とＡｓＨ3 （アル
シン）を反応管へ送り込み、ＧａＡｓ基板１上でＴＥＧ
ａとＡｓＨ3 の熱分解を生じさせ、ＧａＡｓ結晶を成長
させる。また、ＡｌＧａＡｓ層５ａ，５ｂの結晶の場合
には、ＴＥＧａとＴＥＡｌ（トリエチルアルミニウム）
とＡｓＨ3 を同時に流し、同一反応管中で連続的に成長
する。
【００３５】これらコレクタコンタクト層２、コレクタ
層３、エミッタ層５及びエミッタコンタクト層１６の化
合物半導体を成長させる際には、成長温度を４５０℃〜
５５０℃の範囲内の一定温度に保って成長させる。ま
た、ベース層の化合物半導体を成長させる際には、成長
温度をより高温の例えば６５０℃に保って成長させる。
層３、エミッタ層５及びエミッタコンタクト層１６の化
合物半導体を成長させる際には、成長温度を４５０℃〜
５５０℃の範囲内の一定温度に保って成長させる。ま
た、ベース層の化合物半導体を成長させる際には、成長
温度をより高温の例えば６５０℃に保って成長させる。
【００３６】ドーピング材料は、コレクタコンタクト層
２及びコレクタ層３についてはドーパント原料としてジ
シランＳｉ2 Ｈ6 を用いてＳｉをドープする。ベース層
４のドーピング材料にはここではＣのハロゲン化物とし
てＣＢｒ4 を用いる。また、エミッタ層５のｎ型Ａｌ
0.25Ｇａ0.75Ａｓ層５ａについてもＳｉ2 Ｈ6 を用いて
Ｓｉをドープする。そして、ｎ+ 型ＧａＡｓエミッタコ
ンタクト層１６については、セレン化水素（Ｈ2 Ｓｅ）
を用いてＳｅをドープする。
２及びコレクタ層３についてはドーパント原料としてジ
シランＳｉ2 Ｈ6 を用いてＳｉをドープする。ベース層
４のドーピング材料にはここではＣのハロゲン化物とし
てＣＢｒ4 を用いる。また、エミッタ層５のｎ型Ａｌ
0.25Ｇａ0.75Ａｓ層５ａについてもＳｉ2 Ｈ6 を用いて
Ｓｉをドープする。そして、ｎ+ 型ＧａＡｓエミッタコ
ンタクト層１６については、セレン化水素（Ｈ2 Ｓｅ）
を用いてＳｅをドープする。
【００３７】まず、半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に、コレ
クタコンタクト層２としてｎ+ 型ＧａＡｓ結晶を成長す
る場合には、ＴＥＧａ及びＡｓＨ3 ガス中にドーパント
ガスのＳｉ2 Ｈ6 （ジシラン）を同時に流し、大量のＳ
ｉをガス中にドーピングしながらＧａＡｓ結晶を成長す
る。その上にコレクタ層３としてｎ- 型ＧａＡｓ結晶を
成長する場合には、ＴＭＧ及びＡｓＨ3 ガス中にＳｉ2
Ｈ6 を同時に流し、少量のＳｉをドーピングしながらｎ
- 型ＧａＡｓ結晶を成長させる。
クタコンタクト層２としてｎ+ 型ＧａＡｓ結晶を成長す
る場合には、ＴＥＧａ及びＡｓＨ3 ガス中にドーパント
ガスのＳｉ2 Ｈ6 （ジシラン）を同時に流し、大量のＳ
ｉをガス中にドーピングしながらＧａＡｓ結晶を成長す
る。その上にコレクタ層３としてｎ- 型ＧａＡｓ結晶を
成長する場合には、ＴＭＧ及びＡｓＨ3 ガス中にＳｉ2
Ｈ6 を同時に流し、少量のＳｉをドーピングしながらｎ
- 型ＧａＡｓ結晶を成長させる。
【００３８】ベース層４については、ドーピング材料に
Ｃのハロゲン化物ＣＢｒ4 を用いて、キャリア濃度４×
１０19cm-3、厚さ約１００nmのｐ型ＧａＡｓを成長させ
る。この場合、Ｃのハロゲン化物の供給量を一定とし、
Ｖ族原料の供給量を変化させてＣ濃度を制御することに
より、高温でも、ｐ型ＧａＡｓからなるベース層４のキ
ャリア濃度及び膜厚を制御することができる。ここで
は、成長温度を６５０℃、ＣＢｒ4 流量を４．９×１０
-2cc／分、ＴＥＧａ流量を２．０cc／分とした。このよ
うな条件で、ＡｓＨ3 流量を１３〜９８cc／分に変える
と、キャリア濃度は、０．６〜３．３×１０19cm-3に変
化した。一方、成長速度は、ＡｓＨ3 流量を変えても一
定である。なお、ベース層４のＧａＡｓのｐ型ドーパン
トとして炭素（Ｃ）を採用したのは、Ｃは拡散定数が小
さいためＨＢＴ素子の寿命が長く信頼性も高いためであ
る。
Ｃのハロゲン化物ＣＢｒ4 を用いて、キャリア濃度４×
１０19cm-3、厚さ約１００nmのｐ型ＧａＡｓを成長させ
る。この場合、Ｃのハロゲン化物の供給量を一定とし、
Ｖ族原料の供給量を変化させてＣ濃度を制御することに
より、高温でも、ｐ型ＧａＡｓからなるベース層４のキ
ャリア濃度及び膜厚を制御することができる。ここで
は、成長温度を６５０℃、ＣＢｒ4 流量を４．９×１０
-2cc／分、ＴＥＧａ流量を２．０cc／分とした。このよ
うな条件で、ＡｓＨ3 流量を１３〜９８cc／分に変える
と、キャリア濃度は、０．６〜３．３×１０19cm-3に変
化した。一方、成長速度は、ＡｓＨ3 流量を変えても一
定である。なお、ベース層４のＧａＡｓのｐ型ドーパン
トとして炭素（Ｃ）を採用したのは、Ｃは拡散定数が小
さいためＨＢＴ素子の寿命が長く信頼性も高いためであ
る。
【００３９】エミッタ層５としてｎ型ＡｌＧａＡｓ層５
ａ、５ｂの結晶を成長させる場合には、ＴＥＧａ、ＴＥ
Ａｌ及びＡｓＨ3 のガス中にドーパントガスのＳｉ2 Ｈ
6 （ジシラン）を同時に流し、Ｓｉをガス中にドーピン
グしながらＡｌＧａＡｓ結晶を成長する。
ａ、５ｂの結晶を成長させる場合には、ＴＥＧａ、ＴＥ
Ａｌ及びＡｓＨ3 のガス中にドーパントガスのＳｉ2 Ｈ
6 （ジシラン）を同時に流し、Ｓｉをガス中にドーピン
グしながらＡｌＧａＡｓ結晶を成長する。
【００４０】エミッタコンタクト層１６としてｎ+ 型Ｇ
ａＡｓ層の結晶を成長する場合には、ＴＥＧａとＡｓＨ
3 のガス中に、ドーパントガスとしてセレン化水素（Ｈ
2 Ｓｅ）を同時に流し、Ｓｅをガス中に多量にドーピン
グしながらｎ+ 型ＧａＡｓ結晶を成長する。エミッタコ
ンタクト層１６は厚さ１００nmでキャリア濃度１．６×
１０19cm-3のｎ+ 型ＧａＡｓ結晶に成長させる。
ａＡｓ層の結晶を成長する場合には、ＴＥＧａとＡｓＨ
3 のガス中に、ドーパントガスとしてセレン化水素（Ｈ
2 Ｓｅ）を同時に流し、Ｓｅをガス中に多量にドーピン
グしながらｎ+ 型ＧａＡｓ結晶を成長する。エミッタコ
ンタクト層１６は厚さ１００nmでキャリア濃度１．６×
１０19cm-3のｎ+ 型ＧａＡｓ結晶に成長させる。
【００４１】このときのエミッタコンタクト層１６の成
長温度は４５０℃〜５５０℃に設定した。その理由は、
成長温度について次のような制約を受けるためである。
長温度は４５０℃〜５５０℃に設定した。その理由は、
成長温度について次のような制約を受けるためである。
【００４２】（１）ＴＥＧａを用いたＧａＡｓが輸送律
速で成長する温度範囲は４５０℃〜５７０℃である。４
５０℃以上とする理由は、４５０℃未満であると３次元
核成長により表面に凹凸が発生し、また５７０℃以上の
温度の場合には、ＴＥＧａが気相中で分解し始め、膜厚
均一性が悪化するためである。
速で成長する温度範囲は４５０℃〜５７０℃である。４
５０℃以上とする理由は、４５０℃未満であると３次元
核成長により表面に凹凸が発生し、また５７０℃以上の
温度の場合には、ＴＥＧａが気相中で分解し始め、膜厚
均一性が悪化するためである。
【００４３】（２）一方、ＧａＡｓに１０19cm-3以上に
Ｓｅ（Ｈ2 Ｓｅ）をドーピングできる温度範囲は、４０
０℃〜５５０℃である。
Ｓｅ（Ｈ2 Ｓｅ）をドーピングできる温度範囲は、４０
０℃〜５５０℃である。
【００４４】以上両面からの制約により、エミッタコン
タクト層１６の最適成長温度は４５０℃以上かつ５５０
℃未満の範囲となる。
タクト層１６の最適成長温度は４５０℃以上かつ５５０
℃未満の範囲となる。
【００４５】この成長条件の最適化により、エミッタコ
ンタクト層１６は概略２×１０19cm-3のキャリア濃度と
なり、コンタクト抵抗１０-7Ωcm2 台が得られている。
ンタクト層１６は概略２×１０19cm-3のキャリア濃度と
なり、コンタクト抵抗１０-7Ωcm2 台が得られている。
【００４６】本発明のＨＢＴ用エピタキシャルウェハ
は、ＳｅをドープしたＧａＡｓ層を、エミッタコンタク
ト層６に用いた構造であるので、表面の凹凸が小さく十
分にコンタクト抵抗の小さいエミッタコンタクト層を有
するＨＢＴ用エピタキシャルウェハが提供される。従っ
て、微細化における問題やプロセスを難しくしていた問
題を解決した高性能なＨＢＴおよびＨＢＴ用エピタキシ
ャルウェハを提供することが可能になる。
は、ＳｅをドープしたＧａＡｓ層を、エミッタコンタク
ト層６に用いた構造であるので、表面の凹凸が小さく十
分にコンタクト抵抗の小さいエミッタコンタクト層を有
するＨＢＴ用エピタキシャルウェハが提供される。従っ
て、微細化における問題やプロセスを難しくしていた問
題を解決した高性能なＨＢＴおよびＨＢＴ用エピタキシ
ャルウェハを提供することが可能になる。
【００４７】また、図２に示した従来のＨＢＴ用エピタ
キシャルウェハに比べ、図２中のＩｎＧａＡｓ層６ｃ
や、ヘテロ接合に起因するバンド不連続を解消するため
のＩｎＧａＡｓグレーデット層６ｂを省略することがで
きるため、エピタキシャルウェハ構造を簡略化できる。
キシャルウェハに比べ、図２中のＩｎＧａＡｓ層６ｃ
や、ヘテロ接合に起因するバンド不連続を解消するため
のＩｎＧａＡｓグレーデット層６ｂを省略することがで
きるため、エピタキシャルウェハ構造を簡略化できる。
【００４８】さらに、本発明のＨＢＴ用エピタキシャル
ウェハでは、表面に凹凸が殆ど無いため、ベース電極形
成のためのベース層出しのエッチングにおいて、その表
面を確実に容易に出すことができ、均ーなコンタクトの
形成が可能になる。
ウェハでは、表面に凹凸が殆ど無いため、ベース電極形
成のためのベース層出しのエッチングにおいて、その表
面を確実に容易に出すことができ、均ーなコンタクトの
形成が可能になる。
【００４９】また、ウェハ表面からベース層までの距離
を短くすることが可能になり、ＨＢＴのベース層出しエ
ッチングを精度を上げることができる。
を短くすることが可能になり、ＨＢＴのベース層出しエ
ッチングを精度を上げることができる。
【００５０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、次
のような優れた効果が得られる。
のような優れた効果が得られる。
【００５１】（１）請求項１に記載の半導体ウェハによ
れば、ＧａＡｓをエミッタコンタクト層に用いているの
で表面の凹凸が極めて小さく、しかも、Ｓｅをドープす
ることによりｎ型で１０19cm-3台の高キャリア濃度とし
ているので、コンタクト抵抗を十分に低くすることがで
きる。従って、微細化における問題やプロセスを難しく
していた問題を解決し、高性能なＨＢＴおよびＨＢＴ用
エピタキシャルウェハを提供することが可能になる。
れば、ＧａＡｓをエミッタコンタクト層に用いているの
で表面の凹凸が極めて小さく、しかも、Ｓｅをドープす
ることによりｎ型で１０19cm-3台の高キャリア濃度とし
ているので、コンタクト抵抗を十分に低くすることがで
きる。従って、微細化における問題やプロセスを難しく
していた問題を解決し、高性能なＨＢＴおよびＨＢＴ用
エピタキシャルウェハを提供することが可能になる。
【００５２】また、従来のＨＢＴ用エピタキシャルウェ
ハにおいては、エミッタコンタクト層を構成するのに、
ＧａＡｓ層の他にＩｎＧａＡｓ層や、ＩｎＧａＡｓグレ
ーデット層を設けているが、これらのＩｎＧａＡｓ層や
ＩｎＧａＡｓグレーデット層を省略することができるた
め、エピタキシャルウェハ構造を簡略化することができ
る。
ハにおいては、エミッタコンタクト層を構成するのに、
ＧａＡｓ層の他にＩｎＧａＡｓ層や、ＩｎＧａＡｓグレ
ーデット層を設けているが、これらのＩｎＧａＡｓ層や
ＩｎＧａＡｓグレーデット層を省略することができるた
め、エピタキシャルウェハ構造を簡略化することができ
る。
【００５３】さらに、本発明の半導体ウェハによれば、
表面に凹凸が殆ど無いため、ＨＢＴのベース電極形成の
ためのベース層出しのエッチングにおいて、その表面を
確実に容易に出すことができ、均ーなコンタクトの形成
が可能になる。
表面に凹凸が殆ど無いため、ＨＢＴのベース電極形成の
ためのベース層出しのエッチングにおいて、その表面を
確実に容易に出すことができ、均ーなコンタクトの形成
が可能になる。
【００５４】また、ウェハ表面からベース層までの距離
を短くすることが可能になり、ＨＢＴのベース層出しエ
ッチングを精度を上げることができる。
を短くすることが可能になり、ＨＢＴのベース層出しエ
ッチングを精度を上げることができる。
【００５５】（２）請求項２、３の製造方法によれば、
エミッタコンタクト層の成長に際し、そのＧａ源にＴＥ
Ｇａ、そのｎ型のドーパントとしてＳｅＨ2 を用い、そ
の成長温度を４５０〜５５０℃に設定しているので、従
来では不可能であった１０19cm-3台の高濃度にドーピン
グしたｎ型のＧａＡｓエミッタコンタクト層を実現する
ことができる。
エミッタコンタクト層の成長に際し、そのＧａ源にＴＥ
Ｇａ、そのｎ型のドーパントとしてＳｅＨ2 を用い、そ
の成長温度を４５０〜５５０℃に設定しているので、従
来では不可能であった１０19cm-3台の高濃度にドーピン
グしたｎ型のＧａＡｓエミッタコンタクト層を実現する
ことができる。
【図１】本発明のＨＢＴ用エピタキシャルウェハの構造
例を示す図である。
例を示す図である。
【図２】従来のＨＢＴ用エピタキシャルウェハの構造を
示す図である。
示す図である。
１ 半絶縁性ＧａＡｓ基板 ２ コレクタコンタクト層 ３ コレクタ層 ４ ベース層 ５ エミッタ層 ６ エミッタコンタクト層 １６ エミッタコンタクト層
Claims (2)
- 【請求項１】ｎ型の伝導を示すコレクタコンタクト層
と、ｎ型の伝導を示すコレクタ層と、ｐ型の伝導を示す
ベース層と、前記ベース層に対してヘテロ接合を形成す
るｎ型の伝導を示すＡｌＧａＡｓまたはＩｎＧａＰ結晶
からなるエミッタ層と、ｎ型の伝導を示すエミッタコン
タクト層とを順次積層した半導体ウェハにおいて、前記
エミッタコンタクト層にＳｅをドープしたｎ型のＧａＡ
ｓを用い、そのキャリア濃度を１０19cm-3台の高濃度と
したことを特徴とする半導体ウェハ。 - 【請求項２】ｎ型の伝導を示すコレクタコンタクト層
と、ｎ型の伝導を示すコレクタ層と、ｐ型の伝導を示す
ベース層と、前記ベース層に対してヘテロ接合を形成す
るｎ型の伝導を示すＡｌＧａＡｓまたはＩｎＧａＰ結晶
からなるエミッタ層と、Ｓｅをドープしたｎ型の伝導を
示すＧａＡｓ結晶からなるエミッタコンタクト層とを順
次有機金属気相成長法により成長させた半導体ウェハの
製造方法において、前記エミッタコンタクト層のｎ型の
ＧａＡｓ結晶を、Ｇａ源にトリエチルガリウムを、Ａｓ
源に水素化砒素などの水素化合物を、またｎ型のドーパ
ントにセレン化水素を用い、４５０℃〜５５０℃の成長
温度で成長させ、かつそのキャリア濃度を１０19cm-3台
の高キャリア濃度とすることを特徴とする半導体ウェハ
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5305098A JPH11251329A (ja) | 1998-03-05 | 1998-03-05 | 半導体ウェハ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5305098A JPH11251329A (ja) | 1998-03-05 | 1998-03-05 | 半導体ウェハ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11251329A true JPH11251329A (ja) | 1999-09-17 |
Family
ID=12932047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5305098A Pending JPH11251329A (ja) | 1998-03-05 | 1998-03-05 | 半導体ウェハ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11251329A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002164533A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-06-07 | Showa Denko Kk | 化合物半導体積層構造体及びそれを用いたバイポーラトランジスタ |
| WO2009014011A1 (ja) * | 2007-07-26 | 2009-01-29 | Sumitomo Chemical Company, Limited | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
-
1998
- 1998-03-05 JP JP5305098A patent/JPH11251329A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002164533A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-06-07 | Showa Denko Kk | 化合物半導体積層構造体及びそれを用いたバイポーラトランジスタ |
| WO2009014011A1 (ja) * | 2007-07-26 | 2009-01-29 | Sumitomo Chemical Company, Limited | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
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|---|---|---|---|
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