JP3277809B2 - 化合物半導体結晶成長方法及びヘテロ接合バイポーラトランジスタ - Google Patents
化合物半導体結晶成長方法及びヘテロ接合バイポーラトランジスタInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の化合物半導
体層を成長させて積層する化合物半導体結晶成長方法及
びヘテロ接合バイポーラトランジスタに係り、特にベー
ス層とエミッタ層との界面付近の結晶性を良くして成長
させることができる化合物半導体結晶成長方法及びその
方法で作製したヘテロ接合バイポーラトランジスタに関
するものである。
体層を成長させて積層する化合物半導体結晶成長方法及
びヘテロ接合バイポーラトランジスタに係り、特にベー
ス層とエミッタ層との界面付近の結晶性を良くして成長
させることができる化合物半導体結晶成長方法及びその
方法で作製したヘテロ接合バイポーラトランジスタに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】化合物半導体のヘテロ接合を有するトラ
ンジスタには、レーザ及び高電子移動度トランジスタ
（ＨＥＭＴ）や、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
（ＨＢＴ）がある。これらトランジスタの結晶領域に
は、ＧａＡｓに代表される高移動度化合物半導体が利用
されており、最近、ＨＢＴのエミッタ層に従来のｎ−Ａ
ｌＧａＡｓに変えてｎ−ＩｎＧａＰを用いることでデバ
イスの信頼性が高くなることが報告された。
ンジスタには、レーザ及び高電子移動度トランジスタ
（ＨＥＭＴ）や、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
（ＨＢＴ）がある。これらトランジスタの結晶領域に
は、ＧａＡｓに代表される高移動度化合物半導体が利用
されており、最近、ＨＢＴのエミッタ層に従来のｎ−Ａ
ｌＧａＡｓに変えてｎ−ＩｎＧａＰを用いることでデバ
イスの信頼性が高くなることが報告された。
【０００３】このＩｎＧａＰ／ＧａＡｓＨＢＴを構成す
る化合物半導体層は、主としてエピタキシャル成長法に
より結晶成長されている。そして、このＩｎＧａＰ等の
高移動度化合物半導体のエピタキシャル成長法として
は、現在、有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）法が一般的
に用いられている。
る化合物半導体層は、主としてエピタキシャル成長法に
より結晶成長されている。そして、このＩｎＧａＰ等の
高移動度化合物半導体のエピタキシャル成長法として
は、現在、有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）法が一般的
に用いられている。
【０００４】ＩｎＧａＰやＧａＡｓ等を有機金属気相成
長させる際には、Ｉｎの原料としてトリメチルインジウ
ム（ＴＭＩ）、Ｇａの原料としてトリメチルガリウム
（ＴＭＧ）及びトリエチルガリウム（ＴＥＧ）の有機金
属化合物を用い、また、Ｐの原料にはホスフィン（ＰＨ
3 ）、Ａｓの原料には水素化ヒ素（ＡｓＨ3 ）を用いて
成長温度を６００℃〜７００℃にして成長させている。
長させる際には、Ｉｎの原料としてトリメチルインジウ
ム（ＴＭＩ）、Ｇａの原料としてトリメチルガリウム
（ＴＭＧ）及びトリエチルガリウム（ＴＥＧ）の有機金
属化合物を用い、また、Ｐの原料にはホスフィン（ＰＨ
3 ）、Ａｓの原料には水素化ヒ素（ＡｓＨ3 ）を用いて
成長温度を６００℃〜７００℃にして成長させている。
【０００５】ところで、ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓＨＢＴを
有機金属気相成長させて作製するに際しては、ベース層
のｐ+ −ＧａＡｓにドーピングされるｐ型不純物ドーパ
ントとしてのカーボン（Ｃ）のドーピング効率を上げる
ために、ベース層は５００℃程度の低温で成長させてい
る。従って、エミッタ層となるｎ−ＩｎＧａＰの成長温
度は６００℃〜７００℃であるため、ベース層の成長
後、エミッタ層を成長する際に成長中断を設け、半導体
成長装置を昇温してからエミッタ層が成長されている。
有機金属気相成長させて作製するに際しては、ベース層
のｐ+ −ＧａＡｓにドーピングされるｐ型不純物ドーパ
ントとしてのカーボン（Ｃ）のドーピング効率を上げる
ために、ベース層は５００℃程度の低温で成長させてい
る。従って、エミッタ層となるｎ−ＩｎＧａＰの成長温
度は６００℃〜７００℃であるため、ベース層の成長
後、エミッタ層を成長する際に成長中断を設け、半導体
成長装置を昇温してからエミッタ層が成長されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この成
長中断の昇温過程は、ｐ+ −ＧａＡｓベース層の結晶欠
陥の原因となり、ＨＢＴ素子の特性を悪くしてしまう。
すなわち、ＩｎＧａＰはＩｎＰとＧａＰの混晶であり、
それらＩｎＰとＧａＰの二元結晶はそれぞれの結合力が
弱く、６００℃〜７００℃の高温下ではその結合が切れ
やすい。特にＩｎＰは、ＧａＰよりも結合力が弱く（Ｉ
ｎＰ＝２１．２（kcal/mol）＜ＧａＰ＝２４．４（kcal
/mol）、このＩｎＰの結合が切れてしまうと、結晶内に
Ｉｎによるクラスターが生成され結晶欠陥の原因とな
る。そのため、ＩｎＧａＰはなるべく低温での成長が望
ましい。
長中断の昇温過程は、ｐ+ −ＧａＡｓベース層の結晶欠
陥の原因となり、ＨＢＴ素子の特性を悪くしてしまう。
すなわち、ＩｎＧａＰはＩｎＰとＧａＰの混晶であり、
それらＩｎＰとＧａＰの二元結晶はそれぞれの結合力が
弱く、６００℃〜７００℃の高温下ではその結合が切れ
やすい。特にＩｎＰは、ＧａＰよりも結合力が弱く（Ｉ
ｎＰ＝２１．２（kcal/mol）＜ＧａＰ＝２４．４（kcal
/mol）、このＩｎＰの結合が切れてしまうと、結晶内に
Ｉｎによるクラスターが生成され結晶欠陥の原因とな
る。そのため、ＩｎＧａＰはなるべく低温での成長が望
ましい。
【０００７】以上のことから、エミッタ層の成長温度を
ベース層の成長温度に合わせて５００℃付近で成長させ
ることが求められているが、ｎ−ＩｎＧａＰを、ベース
層の成長温度である５００℃付近で成長させようとする
と、りん（Ｐ）の原料であるＰＨ3 は分解効率が悪くな
るという問題がある。
ベース層の成長温度に合わせて５００℃付近で成長させ
ることが求められているが、ｎ−ＩｎＧａＰを、ベース
層の成長温度である５００℃付近で成長させようとする
と、りん（Ｐ）の原料であるＰＨ3 は分解効率が悪くな
るという問題がある。
【０００８】そこで本発明の目的は、成長中断を設けず
に５００℃付近の一定温度で結晶成長を行い、結晶性の
良いＩｎＧａＰ／ＧａＡｓＨＢＴのエピタキシャル成長
法を提供することにある。
に５００℃付近の一定温度で結晶成長を行い、結晶性の
良いＩｎＧａＰ／ＧａＡｓＨＢＴのエピタキシャル成長
法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に請求項１の発明は、ＧａＡｓ基板上に、ＧａＡｓコレ
クタバッファ層、ＧａＡｓコレクタ層、ＧａＡｓベース
層、ＩｎＧａＰエミッタ層、及びＧａＡｓエミッタコン
タクト層を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタに
おいて、上記ＩｎＧａＰ層エミッタ層を、そのＰの原料
に４５０℃〜５５０℃で５０％以上分解する原料を用い
て４５０℃〜５５０℃で成長させると共に、上記各層を
４５０℃〜５５０℃の範囲内の全層一定温度で成長させ
るものである。
に請求項１の発明は、ＧａＡｓ基板上に、ＧａＡｓコレ
クタバッファ層、ＧａＡｓコレクタ層、ＧａＡｓベース
層、ＩｎＧａＰエミッタ層、及びＧａＡｓエミッタコン
タクト層を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタに
おいて、上記ＩｎＧａＰ層エミッタ層を、そのＰの原料
に４５０℃〜５５０℃で５０％以上分解する原料を用い
て４５０℃〜５５０℃で成長させると共に、上記各層を
４５０℃〜５５０℃の範囲内の全層一定温度で成長させ
るものである。
【００１０】
【００１１】
【００１２】
【００１３】
【００１４】本発明はこのように構成することで、Ｉｎ
ＧａＰ層を成長させる際に、その層中のＩｎＰが熱分解
しないので、結晶欠陥が生じない。また、Ｐの原料にタ
ーシャリーブチルホスフィン（ＴＢＰ）を用いること
で、４５０℃〜５５０℃でも効率良くＩｎＧａＰ層を成
長させることができる。
ＧａＰ層を成長させる際に、その層中のＩｎＰが熱分解
しないので、結晶欠陥が生じない。また、Ｐの原料にタ
ーシャリーブチルホスフィン（ＴＢＰ）を用いること
で、４５０℃〜５５０℃でも効率良くＩｎＧａＰ層を成
長させることができる。
【００１５】すなわち、本発明の要点は、ＨＢＴのエミ
ッタ層にｎ−ＩｎＧａＰを用いて成長する場合に、ｎ−
ＩｎＧａＰエミッタ層の成長温度をｐ+ −ＧａＡｓベー
ス層の成長温度に合わせて、かつ連続して成長させるこ
とにある。
ッタ層にｎ−ＩｎＧａＰを用いて成長する場合に、ｎ−
ＩｎＧａＰエミッタ層の成長温度をｐ+ −ＧａＡｓベー
ス層の成長温度に合わせて、かつ連続して成長させるこ
とにある。
【００１６】そのためにエミッタ層の成長は、成長温度
をベース層の５００℃付近にして、低温での分解効率が
良いＴＢＰを用いることにより、ｎ−ＩｎＧａＰエミッ
タ層にＩｎのクラスターが無く、ｐ+ −ＧａＡｓベース
層との界面付近に結晶欠陥がない、特性の優れたＨＢＴ
を提供することができる。
をベース層の５００℃付近にして、低温での分解効率が
良いＴＢＰを用いることにより、ｎ−ＩｎＧａＰエミッ
タ層にＩｎのクラスターが無く、ｐ+ −ＧａＡｓベース
層との界面付近に結晶欠陥がない、特性の優れたＨＢＴ
を提供することができる。
【００１７】本発明にあっては、ＩｎＧａＰを低温成長
させるために、低温で分解効率が悪いＰＨ3 に代えてＴ
ＢＰを用いた。ＴＢＰは５０％分解する温度が４５０℃
であり、５００℃付近でのＴＢＰの使用量は、ＰＨ3 の
１０分の１である。
させるために、低温で分解効率が悪いＰＨ3 に代えてＴ
ＢＰを用いた。ＴＢＰは５０％分解する温度が４５０℃
であり、５００℃付近でのＴＢＰの使用量は、ＰＨ3 の
１０分の１である。
【００１８】尚、低温での成長ではメチル系の有機金属
によりエチル系の有機金属を用いた方がアクセプター不
純物であるカーボンが入りにくい。そこで、ｎ−ＩｎＧ
ａＰエミッタ層の低温成長には、Ｉｎの原料にトリエチ
ルインジウム（ＴＥＩ）、Ｇａの原料にトリエチルガリ
ウム（ＴＥＧ）を用い、高純度化を図ることが望まし
い。
によりエチル系の有機金属を用いた方がアクセプター不
純物であるカーボンが入りにくい。そこで、ｎ−ＩｎＧ
ａＰエミッタ層の低温成長には、Ｉｎの原料にトリエチ
ルインジウム（ＴＥＩ）、Ｇａの原料にトリエチルガリ
ウム（ＴＥＧ）を用い、高純度化を図ることが望まし
い。
【００１９】
【発明の実施の形態】次に、本発明の好適実施の形態を
添付図面を用いて詳述する。
添付図面を用いて詳述する。
【００２０】尚、結晶成長にはＭＯＶＰＥ法を利用した
半導体製造装置を使用した。
半導体製造装置を使用した。
【００２１】図１に本発明の化合物半導体エピタキシャ
ルウェハの構造図を示す。
ルウェハの構造図を示す。
【００２２】図示するように、化合物半導体エピタキシ
ャルウェハ１０は、半絶縁性ＧａＡｓ基板１１上に、コ
レクタバッファ層となるｎ+ −ＧａＡｓ１２、コレクタ
層となるｎ−ＧａＡｓ１３、ベース層となるｐ+ −Ｇａ
Ａｓ１４、エミッタ層となるｎ−ＩｎＧａＰ１５、エミ
ッタコンタクト層となるｎ+ −ＧａＡｓ１６、及び一般
にノンアロイオーミックコンタクト層と呼ばれるｎ+ −
ＩｎＧａＡｓ１７の化合物半導体層が連続的かつ同一の
成長温度で成長され、順に積層されている。
ャルウェハ１０は、半絶縁性ＧａＡｓ基板１１上に、コ
レクタバッファ層となるｎ+ −ＧａＡｓ１２、コレクタ
層となるｎ−ＧａＡｓ１３、ベース層となるｐ+ −Ｇａ
Ａｓ１４、エミッタ層となるｎ−ＩｎＧａＰ１５、エミ
ッタコンタクト層となるｎ+ −ＧａＡｓ１６、及び一般
にノンアロイオーミックコンタクト層と呼ばれるｎ+ −
ＩｎＧａＡｓ１７の化合物半導体層が連続的かつ同一の
成長温度で成長され、順に積層されている。
【００２３】次に、各化合物半導体層の成長方法につい
て説明する。
て説明する。
【００２４】これら化合物半導体層１２，１３，１４，
１５，１６，１７を成長させる際には、成長温度を４５
０℃〜５５０℃の範囲内の一定温度に保って成長させ
る。
１５，１６，１７を成長させる際には、成長温度を４５
０℃〜５５０℃の範囲内の一定温度に保って成長させ
る。
【００２５】半絶縁性ＧａＡｓ基板１１上にｎ+ −Ｇａ
Ａｓ１２を成長させるには、ＴＭＧ及びＡｓＨ3 ガス中
に大量のＳｉをドーピングしながら成長させ、ｎ−Ｇａ
Ａｓ１３を成長させるには、ＴＭＧ及びＡｓＨ3 と共に
少量のＳｉをドーピングしながら成長させる。また、ｐ
+ −ＧａＡｓ１４を成長させるには、ＴＭＧ及びＡｓＨ
3 ガス中で成長させる。
Ａｓ１２を成長させるには、ＴＭＧ及びＡｓＨ3 ガス中
に大量のＳｉをドーピングしながら成長させ、ｎ−Ｇａ
Ａｓ１３を成長させるには、ＴＭＧ及びＡｓＨ3 と共に
少量のＳｉをドーピングしながら成長させる。また、ｐ
+ −ＧａＡｓ１４を成長させるには、ＴＭＧ及びＡｓＨ
3 ガス中で成長させる。
【００２６】ｎ−ＩｎＧａＰ１５を成長させる際には、
ＴＥＧ及びＴＥＩ及びＴＢＰガス中に少量のＳｉをドー
ピングしながら成長させる。この時、成長温度が４５０
℃〜５５０℃の範囲内なので、ｎ−ＩｎＧａＰ１５層中
のＩｎＰは熱分解せず、ｎ−ＩｎＧａＰ１５とｐ+ −Ｇ
ａＡｓ１４との界面付近に結晶欠陥が生じない。また、
Ｐの原料にＴＢＰを用いることで、４５０℃〜５５０℃
でもその５０％以上が分解するので、ＩｎＧａＰ層を効
率良く成長させることができる。従って、ｐ+−ＧａＡ
ｓ１４層とｎ−ＩｎＧａＰ１５層との界面付近の結晶性
を良くして成長させることができる。
ＴＥＧ及びＴＥＩ及びＴＢＰガス中に少量のＳｉをドー
ピングしながら成長させる。この時、成長温度が４５０
℃〜５５０℃の範囲内なので、ｎ−ＩｎＧａＰ１５層中
のＩｎＰは熱分解せず、ｎ−ＩｎＧａＰ１５とｐ+ −Ｇ
ａＡｓ１４との界面付近に結晶欠陥が生じない。また、
Ｐの原料にＴＢＰを用いることで、４５０℃〜５５０℃
でもその５０％以上が分解するので、ＩｎＧａＰ層を効
率良く成長させることができる。従って、ｐ+−ＧａＡ
ｓ１４層とｎ−ＩｎＧａＰ１５層との界面付近の結晶性
を良くして成長させることができる。
【００２７】更に、ｎ+ −ＧａＡｓ１６を成長させるに
は、ＴＭＧ及びＡｓＨ3 ガス中に大量のＳｉをドーピン
グしながら成長させ、ｎ+ −ＩｎＧａＡｓ１７を成長さ
せるには、ＴＭＧ及びＡｓＨ3 及びＴＭＩガス中に大量
のＳｉをドーピングしながら成長させる。
は、ＴＭＧ及びＡｓＨ3 ガス中に大量のＳｉをドーピン
グしながら成長させ、ｎ+ −ＩｎＧａＡｓ１７を成長さ
せるには、ＴＭＧ及びＡｓＨ3 及びＴＭＩガス中に大量
のＳｉをドーピングしながら成長させる。
【００２８】これら化合物半導体層のドーパントの種類
及びそのドーピング量を表１に示す。
及びそのドーピング量を表１に示す。
【００２９】
【表１】
【００３０】このように各層は、従来技術と同様に、そ
の成長過程においてドーパントの種類及びそのドーピン
グ量を変えて成長させる。
の成長過程においてドーパントの種類及びそのドーピン
グ量を変えて成長させる。
【００３１】次に、本発明法により作製した化合物半導
体エピタキシャルウェハを有するＨＢＴの、成長温度
（Ｔｇ）と電流利得（ｈfe）との関係を図２に示す。
体エピタキシャルウェハを有するＨＢＴの、成長温度
（Ｔｇ）と電流利得（ｈfe）との関係を図２に示す。
【００３２】図示するように、Ｔｇが５００℃±５０℃
の範囲内にあっては、本発明の化合物半導体エピタキシ
ャルウェハは高い電流利得を示した。このことは、今回
の低温成長により、ＨＢＴ素子としての特性が良くなっ
たことを示している。
の範囲内にあっては、本発明の化合物半導体エピタキシ
ャルウェハは高い電流利得を示した。このことは、今回
の低温成長により、ＨＢＴ素子としての特性が良くなっ
たことを示している。
【００３３】次に、ｎ−ＩｎＧａＰのみ成長温度を変化
させて（下層のｐ+ −ＧａＡｓの成長温度は５００
℃）、成長中断を設けた場合のＴｇとｈfeとの関係を図
３に示す。
させて（下層のｐ+ −ＧａＡｓの成長温度は５００
℃）、成長中断を設けた場合のＴｇとｈfeとの関係を図
３に示す。
【００３４】図示するように、この場合、化合物半導体
エピタキシャルウェハが高い電流利得を示したのは、Ｔ
ｇが５００℃±２０℃の範囲内であり、このことは、成
長中断や昇温過程等が悪影響を導いていると考えられ
る。
エピタキシャルウェハが高い電流利得を示したのは、Ｔ
ｇが５００℃±２０℃の範囲内であり、このことは、成
長中断や昇温過程等が悪影響を導いていると考えられ
る。
【００３５】すなわち、半導体化合物エピタキシャルウ
ェハを成長させるに、各層の結晶成長を連続的に行い、
かつＴｇを５００℃±５０℃の範囲内で成長させれば、
結晶欠陥がない半導体化合物エピタキシャルウェハを提
供できる。
ェハを成長させるに、各層の結晶成長を連続的に行い、
かつＴｇを５００℃±５０℃の範囲内で成長させれば、
結晶欠陥がない半導体化合物エピタキシャルウェハを提
供できる。
【００３６】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、結晶性の
優れたＨＢＴエピタキシャルウェハが得られるので、特
性が優れたヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供で
きる。
優れたＨＢＴエピタキシャルウェハが得られるので、特
性が優れたヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供で
きる。
【図１】本発明のＨＢＴエピタキシャルウェハの構造を
示す図である。
示す図である。
【図２】本発明のＨＢＴエピタキシャルウェハの成長温
度（Ｔｇ）と電流利得（ｈfe）との関係を示す図であ
る。
度（Ｔｇ）と電流利得（ｈfe）との関係を示す図であ
る。
【図３】本発明のＨＢＴエピタキシャルウェハのｎ−Ｉ
ｎＧａＰのみ成長温度を変えたものの成長温度（Ｔｇ）
と電流利得（ｈfe）との関係を示す図である。
ｎＧａＰのみ成長温度を変えたものの成長温度（Ｔｇ）
と電流利得（ｈfe）との関係を示す図である。
１０ ＨＢＴエピタキシャルウェハ １１ 半絶縁性ＧａＡｓ基板 １２ コレクタバッファ層（ｎ+ −ＧａＡｓ） １３ コレクタ層（ｎ−ＧａＡｓ） １４ ベース層（ｐ+ −ＧａＡｓ） １５ エミッタ層（ｎ−ＩｎＧａＰ） １６ エミッタコンタクト層（ｎ+ −ＧａＡｓ） １７ ノンアロイオーミックコンタクト層（ｎ+ −Ｉｎ
ＧａＡｓ）
ＧａＡｓ）
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−20964（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−97076（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−50963（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−321041（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−136616（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−268114（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−64613（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−190467（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 21/331 H01L 29/205 H01L 29/73
Claims (1)
- 【請求項１】 ＧａＡｓ基板上に、ＧａＡｓコレクタバ
ッファ層、ＧａＡｓコレクタ層、ＧａＡｓベース層、Ｉ
ｎＧａＰエミッタ層、及びＧａＡｓエミッタコンタクト
層を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタにおい
て、上記ＩｎＧａＰ層エミッタ層を、そのＰの原料に４
５０℃〜５５０℃で５０％以上分解する原料を用いて４
５０℃〜５５０℃で成長させると共に、上記各層を４５
０℃〜５５０℃の範囲内の全層一定温度で成長させるこ
とを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11275196A JP3277809B2 (ja) | 1996-05-07 | 1996-05-07 | 化合物半導体結晶成長方法及びヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11275196A JP3277809B2 (ja) | 1996-05-07 | 1996-05-07 | 化合物半導体結晶成長方法及びヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09298160A JPH09298160A (ja) | 1997-11-18 |
| JP3277809B2 true JP3277809B2 (ja) | 2002-04-22 |
Family
ID=14594649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11275196A Expired - Fee Related JP3277809B2 (ja) | 1996-05-07 | 1996-05-07 | 化合物半導体結晶成長方法及びヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3277809B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102006024376B4 (de) * | 2006-05-24 | 2016-03-24 | Schaeffler Technologies AG & Co. KG | Wälzlager mit unterschiedlichen Führungstaschen |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5543302B2 (ja) * | 2010-09-02 | 2014-07-09 | 住友化学株式会社 | 化合物半導体ウェーハの製造方法及び化合物半導体素子 |
| JP5919161B2 (ja) * | 2012-10-10 | 2016-05-18 | 住友化学株式会社 | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体エピタキシャルウェハ及びその製造方法 |
-
1996
- 1996-05-07 JP JP11275196A patent/JP3277809B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102006024376B4 (de) * | 2006-05-24 | 2016-03-24 | Schaeffler Technologies AG & Co. KG | Wälzlager mit unterschiedlichen Führungstaschen |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09298160A (ja) | 1997-11-18 |
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