JPH03283427A - 高電子移動度トランジスター用エピタキシャル基板の製造方法 - Google Patents
高電子移動度トランジスター用エピタキシャル基板の製造方法Info
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- JPH03283427A JPH03283427A JP8452790A JP8452790A JPH03283427A JP H03283427 A JPH03283427 A JP H03283427A JP 8452790 A JP8452790 A JP 8452790A JP 8452790 A JP8452790 A JP 8452790A JP H03283427 A JPH03283427 A JP H03283427A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明はＧａＡｓ化合物半導体よりなる高電子移動度ト
ランジスター用エピタキシャル基板の製造方法に関する
。
ランジスター用エピタキシャル基板の製造方法に関する
。
〈従来の技術〉
ＧａＡｓ化合物半導体よりなる電界効果型トランジスタ
ー（ＦＥＴ）は従来のＳｉを素材とするＦＥＴに較べて
優れた高周波特性を有している。特にヘテロ接合界面に
生ずる２次元電子層を動作層とする高電子移動度トラン
ジスター（以下ＨＥＭＴと略称する。）は、従来のＦＥ
Ｔに較べさらに高速動作が可能であるため、高周波およ
び高速論理素子用のデバイスとして広く研究が行われて
いる。
ー（ＦＥＴ）は従来のＳｉを素材とするＦＥＴに較べて
優れた高周波特性を有している。特にヘテロ接合界面に
生ずる２次元電子層を動作層とする高電子移動度トラン
ジスター（以下ＨＥＭＴと略称する。）は、従来のＦＥ
Ｔに較べさらに高速動作が可能であるため、高周波およ
び高速論理素子用のデバイスとして広く研究が行われて
いる。
このＨＥＭＴは、従来、主として分子線エピタキシー法
により作製されてきたが、近年の開発の進展に伴い、結
晶表面状態に優れ、より生産性のよい有機金属分解熱法
によっても作製されるようになってきた。
により作製されてきたが、近年の開発の進展に伴い、結
晶表面状態に優れ、より生産性のよい有機金属分解熱法
によっても作製されるようになってきた。
例えば最も実用化の進んでいるＧａＡｓ／ ＡｌＧａＡ
ｓ系のＨＥＭＴを例にとると、通常、半絶縁性の（１０
０）面基板上にノンドープＧａＡｓバッファー層を成長
後、ノンドープＡｌＧａＡｓスペーサー層、ｎ −ＡＩ
ＧａＡｓ電子供給層およびｎ−ＧａＡｓコンタクト層を
順次積層し、スペーサー層とバッファー層界面に発生す
る二次元電子層がチャネル層となる。
ｓ系のＨＥＭＴを例にとると、通常、半絶縁性の（１０
０）面基板上にノンドープＧａＡｓバッファー層を成長
後、ノンドープＡｌＧａＡｓスペーサー層、ｎ −ＡＩ
ＧａＡｓ電子供給層およびｎ−ＧａＡｓコンタクト層を
順次積層し、スペーサー層とバッファー層界面に発生す
る二次元電子層がチャネル層となる。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかし、例えば有機金属熱分解法による結晶のＨＥＭＴ
への利用に際しては次の問題があった。すなわち、−船
釣な傾向としてＡｌＧａＡｓは低温で成長した場合、結
晶性の低下が生じ、このようなＡｌＧａＡｓを用いた場
合、二次元電子特性の低下を始め、電子濃度の変動等を
生じるため結晶成長温度は高くする必要がある。
への利用に際しては次の問題があった。すなわち、−船
釣な傾向としてＡｌＧａＡｓは低温で成長した場合、結
晶性の低下が生じ、このようなＡｌＧａＡｓを用いた場
合、二次元電子特性の低下を始め、電子濃度の変動等を
生じるため結晶成長温度は高くする必要がある。
一方、ＧａＡｓでは高温はど原料および雰囲気中にある
残留不純物の影響が顕著になり、結晶純度は低下する。
残留不純物の影響が顕著になり、結晶純度は低下する。
このような層をバッファー層およびチャネル層に用いた
場合、二次元電子特性の低下の他、バッファー層への電
流リークを生じ、ＦＥＴのピンチオフ特性の低下を招い
ていた。
場合、二次元電子特性の低下の他、バッファー層への電
流リークを生じ、ＦＥＴのピンチオフ特性の低下を招い
ていた。
このような純度の低下となる不純物を除去することは望
ましい解決法であるが、原因とみられる残留不純物は通
常極めて微量であり、その除去のみならず起源の解明も
困難なのが実情である。そこでこういった不純物や欠陥
のとりこまれにくい結晶成長条件を選ぶ必要があるが、
ＧａＡｓ結晶とＡｌＧａＡｓ結晶では適当な温度範囲が
異なるため、従来は両結晶の成長の際に温度を変えたり
、適当な成長温度で妥協をはかるといった対策が採られ
てきたが生産効率の低下や結晶品質が不十分であるとい
う問題がある。
ましい解決法であるが、原因とみられる残留不純物は通
常極めて微量であり、その除去のみならず起源の解明も
困難なのが実情である。そこでこういった不純物や欠陥
のとりこまれにくい結晶成長条件を選ぶ必要があるが、
ＧａＡｓ結晶とＡｌＧａＡｓ結晶では適当な温度範囲が
異なるため、従来は両結晶の成長の際に温度を変えたり
、適当な成長温度で妥協をはかるといった対策が採られ
てきたが生産効率の低下や結晶品質が不十分であるとい
う問題がある。
また、基板となる半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の面方位は有
機金属熱分解法においては主に表面状態の改善の観点か
ら通常（１００）面から２°程度傾けた面が用いられて
いる。
機金属熱分解法においては主に表面状態の改善の観点か
ら通常（１００）面から２°程度傾けた面が用いられて
いる。
しかしながら、本発明者らの検討では、結晶純度の観点
からみた場合、その向上の程度は必ずも満足すべきもの
ではなかった。
からみた場合、その向上の程度は必ずも満足すべきもの
ではなかった。
〈課題を解決するための手段〉
本発明者らは上記の問題に鑑み、基板となる半絶縁性Ｇ
ａＡｓ単結晶の面方位と有機金属熱分解法において得ら
れるＨＥＭＴ用結晶の結晶性や純度との関係について詳
細に検討した結果、面方位を（１００）面から３°以上
傾けた場合、ＧａＡｓ中の残留不純物濃度が顕著に低減
されること、およびＡｌＧａＡｓの結晶性も改善される
ことを見出した。
ａＡｓ単結晶の面方位と有機金属熱分解法において得ら
れるＨＥＭＴ用結晶の結晶性や純度との関係について詳
細に検討した結果、面方位を（１００）面から３°以上
傾けた場合、ＧａＡｓ中の残留不純物濃度が顕著に低減
されること、およびＡｌＧａＡｓの結晶性も改善される
ことを見出した。
さらにこのような基板をＨＥＭＴ用のエピタキシャル基
板の作製に適用したところ、二次元電子移動度が向上す
ることを見出した。さらにこのような傾向は（１００）
面からずれが大きい程、また結晶成長温度が低い程顕著
であることを見出した。
板の作製に適用したところ、二次元電子移動度が向上す
ることを見出した。さらにこのような傾向は（１００）
面からずれが大きい程、また結晶成長温度が低い程顕著
であることを見出した。
すなわち、本発明は半絶縁性ＧａＡｓ基板上に有機金属
熱分解法によりＧａＡｓを成長させてエピタキシャル基
板を製造する方法において、（１００）面から３〜９°
傾けた面を有するＧａＡｓ基板を用いることを特徴とす
る高電子移動度トランジスター用エピタキシャル基板の
製造方法を提供するものである。
熱分解法によりＧａＡｓを成長させてエピタキシャル基
板を製造する方法において、（１００）面から３〜９°
傾けた面を有するＧａＡｓ基板を用いることを特徴とす
る高電子移動度トランジスター用エピタキシャル基板の
製造方法を提供するものである。
本発明によれば二次元電子特性の向上が可能であり、高
品質のＨＢＭＴ用エピタキシャル基板を得ることができ
る。
品質のＨＢＭＴ用エピタキシャル基板を得ることができ
る。
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明においては半絶縁性ＧａＡｓ基板として面方位を
（１００）面から３〜９°傾けた面を有するＧａＡｓ基
板を用いることにより、高純度で電子移動度の大きいＩ
（ＥＭＴ用エピタキシャル基板を得ることができる。面
方位の傾きが３°未満であると効果が顕著でなく、一方
、９°を超えると効果がそれ以上向上せず、また実用上
のデバイスチップの襞間性をも考慮すれば９°以下が好
ましく、より好ましくは３〜８°、さらに面方位のばら
つきを考慮すれば、面方位の傾きによる結晶純度変化率
の小さくなる５〜７°が最も好ましい。
（１００）面から３〜９°傾けた面を有するＧａＡｓ基
板を用いることにより、高純度で電子移動度の大きいＩ
（ＥＭＴ用エピタキシャル基板を得ることができる。面
方位の傾きが３°未満であると効果が顕著でなく、一方
、９°を超えると効果がそれ以上向上せず、また実用上
のデバイスチップの襞間性をも考慮すれば９°以下が好
ましく、より好ましくは３〜８°、さらに面方位のばら
つきを考慮すれば、面方位の傾きによる結晶純度変化率
の小さくなる５〜７°が最も好ましい。
本発明においてはこのようなＧａＡｓ基板上に有機金属
分解法により気相成長を行い、ＨＥＭＴ用のエピタキシ
ャル結晶を作製するが、その条件は特に限定されず、公
知の条件が採用でき、例えば半絶縁性の（１００）面基
板上にバッファー層として膜厚が３０００〜１００００
人のノンドープＧａＡｓ層を成長後、スペーサー層とし
て１０〜５０人のノンドープＡｌ（、ａＡｓ、電子供給
層として３００〜５００人のｎ −ＡｌＧａＡｓ層およ
びコンタクト層として１００〜１５００人のｎ −Ｇａ
Ａｓ層を順次積層することにより作製することができる
。
分解法により気相成長を行い、ＨＥＭＴ用のエピタキシ
ャル結晶を作製するが、その条件は特に限定されず、公
知の条件が採用でき、例えば半絶縁性の（１００）面基
板上にバッファー層として膜厚が３０００〜１００００
人のノンドープＧａＡｓ層を成長後、スペーサー層とし
て１０〜５０人のノンドープＡｌ（、ａＡｓ、電子供給
層として３００〜５００人のｎ −ＡｌＧａＡｓ層およ
びコンタクト層として１００〜１５００人のｎ −Ｇａ
Ａｓ層を順次積層することにより作製することができる
。
原料としては、Ｇａ源としてはトリメチルガリウム、ト
リエチルガリウム等のアルキルガリウム、Ａｓ源として
はアルシンが使用され、ＡＩ源としてはトリメチルアル
ミニウム、トリエチルアルミニウム等のトリアルキルア
ルミニウムが使用される。
リエチルガリウム等のアルキルガリウム、Ａｓ源として
はアルシンが使用され、ＡＩ源としてはトリメチルアル
ミニウム、トリエチルアルミニウム等のトリアルキルア
ルミニウムが使用される。
また、ドーパントとしてはシラン、ジシラン等ｎ−ドー
パント類が使用できる。また、反応のキャリアガスとし
ては一般に水素が使用される。
パント類が使用できる。また、反応のキャリアガスとし
ては一般に水素が使用される。
また、成長温度は６００〜７００℃の範囲が好ましい。
６００℃未満では表面に荒れが発生する傾向があり、ま
た、７００℃を超えると面方位の傾きによる結晶純度の
向上効果は小さいので好ましくない。
た、７００℃を超えると面方位の傾きによる結晶純度の
向上効果は小さいので好ましくない。
本発明においては結晶純度の向上した、すなわち、電子
移動度の大きいＨＢＭＴ用エピタキシャル基板を得るこ
とができる。
移動度の大きいＨＢＭＴ用エピタキシャル基板を得るこ
とができる。
この理由としては明確ではないが、結晶純度の向上につ
いては概略以下のような機構により生じるものと考えら
れる。すなわち、結晶の成長を微視的にみた場合、結晶
表面に存在する原子ステップの前進により結晶成長は進
行すると一般に考えられている。（１００）面において
面方位の僅かなゆらぎ、あるいは自然発生核がこのよう
な原子ステップの供給源となっているが、面方位を僅か
に傾けることにより、一定の密度の原子ステップが導入
され、そのステップ密度は傾きの増大とともに増加する
。通常有機金属熱分解法では結晶成長は原料供給律速で
行われ、結晶の成長速度は一定であることから、ステッ
プ密度の高い面では密度の低い面に較べて１ステツプ当
たりの原子供給量は減少し、ステップ前進速度は低下す
る。このことは結晶固化速度の低下に相当し、結晶成長
に際して不純物元素の偏析が生じる。通常の不純物は偏
析係数は１より小さいためステップ密度の高い面、すな
わち、（１００）面から傾きの大きな面はど不純物の取
込み効率は低下し、結果的に高純度結晶が得られるもの
と推察される。
いては概略以下のような機構により生じるものと考えら
れる。すなわち、結晶の成長を微視的にみた場合、結晶
表面に存在する原子ステップの前進により結晶成長は進
行すると一般に考えられている。（１００）面において
面方位の僅かなゆらぎ、あるいは自然発生核がこのよう
な原子ステップの供給源となっているが、面方位を僅か
に傾けることにより、一定の密度の原子ステップが導入
され、そのステップ密度は傾きの増大とともに増加する
。通常有機金属熱分解法では結晶成長は原料供給律速で
行われ、結晶の成長速度は一定であることから、ステッ
プ密度の高い面では密度の低い面に較べて１ステツプ当
たりの原子供給量は減少し、ステップ前進速度は低下す
る。このことは結晶固化速度の低下に相当し、結晶成長
に際して不純物元素の偏析が生じる。通常の不純物は偏
析係数は１より小さいためステップ密度の高い面、すな
わち、（１００）面から傾きの大きな面はど不純物の取
込み効率は低下し、結果的に高純度結晶が得られるもの
と推察される。
ＨＥＭＴ用のエピタキシャル結晶における二次元電子移
動度の向上はこのような純度向上効果が寄与しているも
のと考えられるが、その他にも二次元電子通路であるＧ
ａＡｓとＡｌＧａＡｓの界面の平坦性を始めとするその
他の品質の変化も寄与していると考えられ、（１００）
面からの傾きのある面を使用することによるＨＥＭＴ用
結晶の品質向上のメカニズムの詳細は必ずしも明確では
ない。
動度の向上はこのような純度向上効果が寄与しているも
のと考えられるが、その他にも二次元電子通路であるＧ
ａＡｓとＡｌＧａＡｓの界面の平坦性を始めとするその
他の品質の変化も寄与していると考えられ、（１００）
面からの傾きのある面を使用することによるＨＥＭＴ用
結晶の品質向上のメカニズムの詳細は必ずしも明確では
ない。
以上のことから面方位を（１００）面から傾けた基板を
用いて従来よりも低温で成長を行うことにより高品質な
結晶の成長が可能となり、さらに優れた二次元電子特性
を有するＨＥＭＴ用エピタキシャル基板の作製が従来と
同様な原料ガスの使用により可能となった。
用いて従来よりも低温で成長を行うことにより高品質な
結晶の成長が可能となり、さらに優れた二次元電子特性
を有するＨＥＭＴ用エピタキシャル基板の作製が従来と
同様な原料ガスの使用により可能となった。
〈発明の効果〉
以上説明したように、本発明によれば、面方位が（１０
０）面から傾いた面を有する基板を用いることにより、
ＨＥＭＴ用として優れた二次元電子特性を宵するエピタ
キシャル基板を得ることができ、その工業的意義は大き
い。
０）面から傾いた面を有する基板を用いることにより、
ＨＥＭＴ用として優れた二次元電子特性を宵するエピタ
キシャル基板を得ることができ、その工業的意義は大き
い。
〈実施例〉
以下、実施例と比較例により、本発明をより詳細に説明
する。
する。
実施例１
結晶成長はバレル型反応器を用いて、有機金属熱分解法
により行った。
により行った。
原料としてはトリメチルガリウムを６．７ Ｘｌ０−’
ｍｏｌ／分、アルシンを３．３５Ｘ １０−３ｍｏｌ／
分の条件で供給し、９１Ｘ分のパラジウム膜を透過させ
精製した水素をキャリアガスとして供給しくアルシン、
水素は以下の全工程同じ量供給） 、０．１ａｔｍ、６
５００Ｃに加熱された半絶縁性の（、ａＡｓ基板上で熱
分解を行い、成長速度３μｍ／時間で膜厚５０００人の
ＧａＡｓのバッファー層を作製後、トリメチルガリウム
を２，５ｘ １０−５ｍａｔ／分、トリメチルアルミニ
ウムを８．４×１０−’ｍｏｌ／分供給し、膜厚２０人
のＡｌＧａＡｓのスペーサー層、次いでジシランを７．
４ Ｘ １０ ”ｍｏｌ／分を新たに供給して膜厚３５
０人のｎ−ドープＡ ｌｏ、 ２ｓＧａｏ、 ７５Ａｓ
の電子供給層、その後、トリメチルガリウムを２、５
Ｘ １０−５ｍｏｌ／分、ジシランを７．４ｘ １０−
９ｍｏｌ／分の供給して膜厚１００人のｎ−ドープＧａ
Ａｓのコンタクト層を順次設け、ＨＥＭＴ用エピタキシ
ャル結晶を作製した。このとき用いた基板は面方位を（
１００）面から［１１０］方向へ３°傾けたものを用い
た。
ｍｏｌ／分、アルシンを３．３５Ｘ １０−３ｍｏｌ／
分の条件で供給し、９１Ｘ分のパラジウム膜を透過させ
精製した水素をキャリアガスとして供給しくアルシン、
水素は以下の全工程同じ量供給） 、０．１ａｔｍ、６
５００Ｃに加熱された半絶縁性の（、ａＡｓ基板上で熱
分解を行い、成長速度３μｍ／時間で膜厚５０００人の
ＧａＡｓのバッファー層を作製後、トリメチルガリウム
を２，５ｘ １０−５ｍａｔ／分、トリメチルアルミニ
ウムを８．４×１０−’ｍｏｌ／分供給し、膜厚２０人
のＡｌＧａＡｓのスペーサー層、次いでジシランを７．
４ Ｘ １０ ”ｍｏｌ／分を新たに供給して膜厚３５
０人のｎ−ドープＡ ｌｏ、 ２ｓＧａｏ、 ７５Ａｓ
の電子供給層、その後、トリメチルガリウムを２、５
Ｘ １０−５ｍｏｌ／分、ジシランを７．４ｘ １０−
９ｍｏｌ／分の供給して膜厚１００人のｎ−ドープＧａ
Ａｓのコンタクト層を順次設け、ＨＥＭＴ用エピタキシ
ャル結晶を作製した。このとき用いた基板は面方位を（
１００）面から［１１０］方向へ３°傾けたものを用い
た。
作製したＨＥＭＴ用エピタキシャル結晶のＧａＡｓコン
タクト層をエツチング除去後、Ｖａｎ Ｄｅｒ Ｐａｕ
ｗ法による７７にでのホール測定により電子移動度を求
めたところ、４６．０００ｃｍ”／Ｖ−ｓｅｃであった
。
タクト層をエツチング除去後、Ｖａｎ Ｄｅｒ Ｐａｕ
ｗ法による７７にでのホール測定により電子移動度を求
めたところ、４６．０００ｃｍ”／Ｖ−ｓｅｃであった
。
実施例２
基板として（１００）面から［１１０］方向へ５°傾け
たものを用いた以外は実施例１と同様にして結晶成長と
評価を行ったところ、電子移動度は５０．０００ｃｍ’
／Ｖ・ｓｅｃであった。
たものを用いた以外は実施例１と同様にして結晶成長と
評価を行ったところ、電子移動度は５０．０００ｃｍ’
／Ｖ・ｓｅｃであった。
実施例３
基板として（１００）面から［１１０１方向へ７°傾け
たものを用いた以外は実施例１と同様にして結晶成長と
評価を行ったところ、電子移動度は５２．０ＯＯｃｍ！
／ｖＩＩＳｅＣであった。
たものを用いた以外は実施例１と同様にして結晶成長と
評価を行ったところ、電子移動度は５２．０ＯＯｃｍ！
／ｖＩＩＳｅＣであった。
比較例１
基板として面方位が（１００）のものを用いた以外は実
施例１と同様にして結晶成長と評価を行ったところ、電
子移動度は２４．０ＯＯｃが／■・ｓｅｃであった。
施例１と同様にして結晶成長と評価を行ったところ、電
子移動度は２４．０ＯＯｃが／■・ｓｅｃであった。
実施例４
成長温度を７００℃とし、基板として（１００）面から
［１１０１方向へ５°傾けたものを用いた以外は実施例
１と同様にして結晶成長と評価を行ったところ、電子移
動度は３４．０００ｃｍ”／Ｖ−ｓｅｃであった。
［１１０１方向へ５°傾けたものを用いた以外は実施例
１と同様にして結晶成長と評価を行ったところ、電子移
動度は３４．０００ｃｍ”／Ｖ−ｓｅｃであった。
比較例２
基板として面方位が（１００）のものを用いた以外は実
施例４と同様にして結晶成長と評価を行ったトコろ、電
子移動度は２９．０００ｃｍ２／Ｖ−ｓｅｃであツｔコ
。
施例４と同様にして結晶成長と評価を行ったトコろ、電
子移動度は２９．０００ｃｍ２／Ｖ−ｓｅｃであツｔコ
。
実施例５
成長温度を６００°Ｃとし、基板として（１００）面か
ら［１１０］方向へ５°傾けたものを用（Ａた以外（ま
実施例１と同様にして結晶成長と評価を行ったところ、
表面状態はやや悪化したが、電子移動度（マ５４、 Ｏ
ＯＯｃｍｔ／■・ｓｅｃであった。
ら［１１０］方向へ５°傾けたものを用（Ａた以外（ま
実施例１と同様にして結晶成長と評価を行ったところ、
表面状態はやや悪化したが、電子移動度（マ５４、 Ｏ
ＯＯｃｍｔ／■・ｓｅｃであった。
比較例２
基板として面方位が（１００）のものを用いた以外は実
施例５と同様にして結晶成長と評価を行ったところ、電
子移動度は１１．０００ｃｍ”／Ｖ−ｓｅｃであった。
施例５と同様にして結晶成長と評価を行ったところ、電
子移動度は１１．０００ｃｍ”／Ｖ−ｓｅｃであった。
Claims (1)
- 半絶縁性ＧａＡｓ基板上に有機金属熱分解法によりＧ
ａＡｓおよびＡｌＧａＡｓを成長させて高電子移動度ト
ランジスター用エピタキシャル基板を製造する方法にお
いて、面方位を（１００）面から３〜９゜傾けた面を有
する半絶縁性ＧａＡｓ基板を用いることを特徴とする高
電子移動度トランジスター用エピタキシャル基板の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8452790A JPH03283427A (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 高電子移動度トランジスター用エピタキシャル基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8452790A JPH03283427A (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 高電子移動度トランジスター用エピタキシャル基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03283427A true JPH03283427A (ja) | 1991-12-13 |
Family
ID=13833113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8452790A Pending JPH03283427A (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 高電子移動度トランジスター用エピタキシャル基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03283427A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5569954A (en) * | 1993-01-13 | 1996-10-29 | Sumitomo Chemical Company Limited | Epitaxial Inx Ga.sub.(1-x) As having a slanted crystallographic plane azimuth |
| US20110315998A1 (en) * | 2009-02-09 | 2011-12-29 | Koha Co., Ltd. | Epitaxial wafer, method for manufacturing gallium nitride semiconductor device, gallium nitride semiconductor device and gallium oxide wafer |
-
1990
- 1990-03-29 JP JP8452790A patent/JPH03283427A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5569954A (en) * | 1993-01-13 | 1996-10-29 | Sumitomo Chemical Company Limited | Epitaxial Inx Ga.sub.(1-x) As having a slanted crystallographic plane azimuth |
| US20110315998A1 (en) * | 2009-02-09 | 2011-12-29 | Koha Co., Ltd. | Epitaxial wafer, method for manufacturing gallium nitride semiconductor device, gallium nitride semiconductor device and gallium oxide wafer |
| US8592289B2 (en) * | 2009-02-09 | 2013-11-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Epitaxial wafer, method for manufacturing gallium nitride semiconductor device, gallium nitride semiconductor device and gallium oxide wafer |
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