JP3098206B2 - 集積回路製造のためのエアブリッジ型金属化層の形成方法 - Google Patents
集積回路製造のためのエアブリッジ型金属化層の形成方法Info
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Description
回路(IC)に係り、より詳細には、空気で分離されて
IC上の他の金属接触部にクロスオーバーするカーブし
たエアブリッジであって強度を高めるためにその巾及び
長さに沿って曲率をもって形成されたエアブリッジによ
り集積回路上の複数の金属接触部を相互接続する方法に
係る。
ための種々の技術が知られている。このような技術の例
が、米国特許第3,932,226号、第3,693,
251号、第4,118,595号、第4,289,8
46号、第4,436,766号、第4,601,91
5号、第5,162,258号,第5,198,385
号、第5,219,713号及び第5,408,742
号に開示されている。
回路上の離間された金属接触部をクロスオーバーブリッ
ジにより相互接続する方法を開示している。該特許に開
示されたクロスオーバーブリッジは、集積回路上の他の
接触部から誘電体により分離される。より詳細には、集
積回路上のクロスオーバーされるべき幾つかの金属接触
部の上に誘電体絶縁層が形成される。絶縁層の上に銅が
直接メッキされ、クロスオーバーされるべき接触部に隣
接して配置された接触部を相互接続する。不都合なこと
に、このような構成は、クロスする金属線間に比較的大
きな寄生キャパシタンスを生じる。
に、エアブリッジ型の金属線を用いて接触部を相互接続
することが知られている。このようなエアブリッジ型の
金属線においては、金属導体が空気で分離される。いわ
ゆるエアブリッジを形成するための技術の例が、米国特
許第3,693,251号、第3,932,226号、
第4,289,846号、第4,436,766号,第
4,601,915号、第5,162,258号、第
5,198,385号,第5,219,713号、及び
第5,408,742号に開示されている。
することにより集積回路上に形成されることが知られて
いる。一般に、そのプロセスは、エアブリッジのレジス
トを形成し、メッキ媒体をスパッタリングし、エアブリ
ッジ金属をパターン化及びメッキし、エアブリッジ金属
レジストを剥離し、残りのメッキ媒体を剥離し、そして
最後に、エアブリッジレジストを剥離することより成
る。メッキにより形成されるエアブリッジの例が、米国
特許第4,436,766号及び第5,198,385
号に開示されている。
成されるエアブリッジは、後で除去しなければならない
多数のホトレジストの付着及びメッキ媒体の金属化をし
ばしば必要とする。不都合なことに、このような方法
は、比較的複雑であり、従って、比較的時間がかかる。
又、このような方法は、集積回路を比較的過酷な化学的
メッキ及びエッチング環境に曝すことを必要とし、集積
回路にダメージを生じることがある。更に、このような
技術は、金属線の最小許容巾及び間隔にも影響を与え
る。
る場合の制約を回避するために、米国特許第4,43
6,766号、第5,219,713号、及び第5,4
08,742号に開示されたような種々の技術が開発さ
れている。このような技術は、複雑である上に、相当の
数の処理段階を含むことが知られている。
別の問題は、ブリッジの幾何学的な形状である。特に、
米国特許第5,408,742号及び第5,219,7
13号に開示されたように、エアブリッジの曲率は、一
般に、1つの方向のみに延びる。換言すれば、ブリッジ
は、一般に、その巾に沿って平坦でそしてその長さに沿
ってカーブした細長いストリップとして形成される。こ
のような形状の機械的な強度は、比較的限定される。
路上の金属接触部を相互接続するエアブリッジを形成す
る方法であって、公知技術の問題を解消する方法を提供
することである。
する方法であって、メッキの必要性を排除した方法を提
供することである。
形成する方法であって、比較的少数の段階しか含まない
方法を提供することである。
形成する方法であって、公知の方法に比して機械的な強
度を増大する方法を提供することである。
ッジ型金属線を同時に形成する方法を提供することであ
る。
頂部において金属接触部に接続されるエアブリッジを形
成する方法を提供することである。
金属接触部を相互接続するエアブリッジを形成する方法
に係る。エアブリッジは、クロスされるべき金属線の上
において、相互接続されるべき金属接触部間に支持ホト
レジストを最初にパターン化することにより形成され
る。このパターンの支持ホトレジストは、UV光線で溢
れ露光した後に、比較的高温で焼成し、支持ホトレジス
トが一般的に球形状へと流れるようにする。エアブリッ
ジ型金属線は、球形状の支持ホトレジスト上でパターン
化される。過剰な金属化部分が支持ホトレジストからリ
フトオフされ、そしてエアブリッジをパターン化するの
に使用されたホトレジストが除去されて、その巾及び長
さの両方に沿って曲率をもつエアブリッジが形成され
る。
添付図面を参照した以下の詳細な説明より明らかとなろ
う。
属線を製造する方法が、従来のリフトオフ金属化プロセ
スに対して少数の余計な処理段階しか必要としないこと
である。より詳細には、図1ないし4を参照すれば、参
照番号20で一般的に示された集積回路基体は、本発明
の部分を形成しない公知の技術により形成される。本発
明の方法を説明するために、細長い金属線22が基体上
に形成されて示されている。金属線22は、参照番号2
4及び26で示された一対の離間された接触部間に配置
されて示されている。接触部24及び26は、接続され
る必要があるが金属線22で表されたような1つ以上の
線で分離された集積回路上の2つの接触領域を表してい
る。以下に述べるように、本発明の方法は、接触部24
及び26を金属線22上のエアブリッジにより相互接続
するのに使用される。しかしながら、本発明の重要な特
徴は、デバイスメサの頂部に位置する接触部又は接触領
域を接続するのにもこの方法を使用できることである。
このような用途では、接触部24及び26は、基体20
の平面上のメサに形成される。
形成するために、金属線22の上に支持体28が形成さ
れる。この支持体28は、所望のエアブリッジ型金属線
の高さよりも若干低い高さまでポジティブホトレジスト
で形成される。ポジティブホトレジスト28は、基体2
0の表面上及び金属線22の上にスピン処理される。支
持ホトレジストの形状は、既知のフォトリソグラフィー
技術を用いてパターン化される。特に、ホトレジスト2
8のサイズがエアブリッジ型金属線の所望の巾より若干
広くなるように、例えば、エアブリッジ型金属線の所望
の巾より2ないし10μm広くなるように、ホトマスク
(図示せず)がパターン化される。又、ホトレジスト2
8は、クロスされる金属線22の巾より約2ないし10
μm長くなるようにパターン化される。
m長さのホトレジストパターンに対し、ピークホトレジ
スト高さとエアブリッジ型金属線の巾との関係を示す。
図7のデータは、約40mJ/cm2 の溢れ露光及び1
90℃の焼成温度を仮定している。図7に示すように、
ホトレジスト28の高さは、約10μmの巾まではホト
レジスト28の巾に直線的に関係しており、そして15
μmないし40μmの範囲のホトレジスト巾に対して約
3μmの最大高さを有する。
て配置され、UV光線で露光され、そして従来の方法で
現像されて、図1に一般的に示すホトレジスト28の形
状が生じる。
ト28は、上記のようにホトレジスト28をパターン化
するのに用いた同様の波長の光線を使用し、典型的に1
0mJ/cm2 ないし200mJ/cm2 の範囲の露光
レベルでUV光線により溢れ露光される。次いで、ホト
レジスト28は、約150℃ないし200℃の温度で焼
成される。この焼成段階により、ホトレジスト28は、
図2に一般的に示すように、一般的に球形状へと流れ
る。又、焼成は、金属線のためのホトレジストが付着さ
れるときにホトレジスト28が溶解するのを防止する。
露光時間及び焼成温度は、形成されるホトレジストパタ
ーンのサイズの範囲で使用されるホトレジスト28の厚
みに対し所望のホトレジスト28のプロファイルを形成
するように選択される。一般に、溢れ露光が長く且つ焼
成温度が高いほど、パターン化されたホトレジスト28
が多く流れ、これは、より大きなテーパの付いた、より
高いピークのレジストパターンを形成する。所与の用途
に対するホトレジスト28の所望のプロファイルに基づ
いて、溢れ露光を必要としないこともある。図8及び9
は、図1ないし4に示す金属線交差に対し、デバイスメ
サ上の接触部を接続するのに一般に使用される比較的狭
いホトレジスト(即ち2ないし4μm)の場合のホトレ
ジスト28の相対的な流れを、図9に示す比較的巾の広
い線(即ち、>10μm)の場合と比較して示してい
る。
球形状に形成された後に、一般的に球形状のホトレジス
ト28を含む基体20全体に第2のホトレジスト30が
付着される。このホトレジスト30は、多数の従来の技
術の1つによりパターン化され、一般的に球形状のホト
レジスト28に対して直径方向に配置されたレジスト領
域32及び34の縁に再入(re-entrant)リフトオフプロ
ファイルを形成する。参照番号36、38及び40で一
般的に示された金属化層は、蒸着のような従来の技術に
より、ホトレジスト28の上部に金属層を残すように基
体20の上部に付着される。特に、金属層38及び40
は、ホトレジスト30に形成されたレジスト領域32及
び34の上部に形成される。更に、金属層36は、一般
的に球形状のホトレジスト28の上部に形成される。金
属層36は、エアブリッジ型金属線を形成し、これは、
ホトレジスト28の一般的に球形状に合致し、金属層3
6は、図3に一般的に示すようにその長さに沿って曲率
を有し、そして図5に示すようにその巾に対しても曲率
を有する。過剰な金属化層38及び40と、ホトレジス
ト30により形成された手段32及び34は、従来の技
術によりリフトオフされ、図4及び5に示すエアブリッ
ジ型金属線36が残され、これは、ホトレジスト28に
より形成された一般的に球状の支持体の形状に合致す
る。従って、エアブリッジ型の金属線36は、図4に示
すようにその長さに沿って曲率を有するだけでなく、図
5に示すようにその巾に沿っても曲率を有する。従っ
て、エアブリッジ型の金属線36は、エアブリッジ型の
金属線が二次元に曲率をもつように構成されない他の技
術で形成されたエアブリッジ型の金属線に対して高い強
度を有する。
金属線(1つ又は複数)の上に多数のエアブリッジ型金
属線を同時に形成するのにも使用できる。更に、図6に
示すように、多数の、例えば、3つのエアブリッジ型金
属線42、44及び46が、基体50に配置された金属
接触部又は金属線48にクロスオーバーして形成され
る。これらの多数のエアブリッジ型金属線42、44及
び46は、リフトオフホトレジスト技術の制約のみによ
り制限される間隔で、上記の単一のエアブリッジ支持体
52によって形成される。多数のエアブリッジ型金属線
42、44及び46は、単一の支持体52に形成される
ので、多数の線の全巾は、それら自身のエアブリッジ支
持領域に各々ある同じ数の単一の線の全巾よりも実質的
に小さい。このような小さな巾では、エアブリッジ型金
属線42、44及び46は、それらの巾にわたって本質
的に直線的である一方、図4に一般的に示すように長に
沿って曲率を有する。このようなエアブリッジ型金属線
42、44及び46は、その巾及び長さの両方に沿って
曲率をもつように形成されたエアブリッジ型金属線36
ほどは一般に強度がないが、これらエアブリッジ型金属
線42、44及び46は、短いエアブリッジスパンに適
している。多数のエアブリッジ型金属線42、44及び
46は、上記した単一のエアブリッジ型金属線36と同
様に形成されるが、金属化層は、上記のように単一のエ
アブリッジ型金属線ではなくて、多数のエアブリッジ型
金属線を形成するようにパターン化される。
や修正がなされ得ることが明らかである。従って、本発
明は、特許請求の範囲内で、上記とは異なる仕方で実施
できることを理解されたい。
上に支持ホトレジストを形成する最初の段階を示す集積
回路基体の部分断面図である。
び焼成の後の支持ホトレジストの形状を示す図である。
パターン化及び上部金属の付着を示す図である。
部分がリフトオフされそしてエアブリッジ支持体が除去
された後の本発明の方法により形成されたエアブリッジ
を示す図である。
のエアブリッジ型金属線を示す本発明の別の実施形態を
示す図である。
持ホトレジストパターンに対して、エアブリッジ型支持
ホトレジストの高さをホトレジストの巾の関数として示
すグラフである。
トプロファイルに対し、最初の支持ホトレジストプロフ
ァイルを最終的なレジストプロファイルと比較して示し
た図である。
トに対する図8と同様の図である。
Claims (12)
- 【請求項1】 基体上の1つ以上の対象物にクロスオー
バーして、第1接触部と、離間された第2接触部とを電
気的に相互接続するために、基体上にエアブリッジ型金
属線を形成する方法において、 (a)上記第1接触部と第2接触部との間で上記基体上
の1つ以上の対象物の上に第1のホトレジストをパター
ン化し; (b)上記第1のホトレジストを紫外線で溢れ露光し; (c)所定の長さ及び幅を有する支持体を形成するよう
に所定の温度で上記第1のホトレジストを焼成し、上記
第1のホトレジストが長さ及び幅の両方に沿って曲率を
有する一般的に球形状へと流れるまで上記焼成を続行し
て一般的に球状の支持体を形成し; (d)上記基体の上に第2のホトレジストをパターン化
し; (e)上記球状の支持体、上記基体上の上記第2のホト
レジスト、上記第1接触部及び第2接触部の上に金属化
層を付着して、上記第1接触部と第2接触部とを相互接
続する一般的に球形状のエアブリッジ型金属線を形成
し;そして (f)上記第2のホトレジストを除去することにより過
剰な金属化部分をリフトオフし、そして上記第1のホト
レジストを除去し、上記エアブリッジ型金属線が上記1
つ以上の対象物から空気によって分離されるようにす
る、という段階を備えたことを特徴とする方法。 - 【請求項2】 上記第1のホトレジストは、上記エアブ
リッジ型金属線の所望の巾よりも約2ないし10μm広
い範囲にパターン化される請求項1に記載の方法。 - 【請求項3】 上記第1のホトレジストは、クロスオー
バーされる上記1つ以上の対象物よりも約2ないし10
μm長い範囲にパターン化される請求項1に記載の方
法。 - 【請求項4】 紫外線での上記第1のホトレジストの上
記溢れ露光は、約10mJ/cm2 ないし200mJ/
cm2 の範囲である請求項1に記載の方法。 - 【請求項5】 上記焼成は、約150℃ないし200℃
の範囲の温度で行われる請求項1に記載の方法。 - 【請求項6】 基体上の1つ以上の対象物にクロスオー
バーして、第1接触部と、離間された第2接触部とを電
気的に相互接続するために、基体上にエアブリッジ型金
属線を形成する方法において、 (a)上記第1接触部と第2接触部との間で上記基体上
の1つ以上の対象物の上に第1のホトレジストをパター
ン化し; (b)上記第1のホトレジストを上記基体上の1つ以上
の対象物の上で長さ及び幅に沿って曲率を有する一般的
に球形状へと成形して、一般的に球状の支持体を形成
し; (c)上記基体の上に第2のホトレジストをパターン化
し; (d)上記球状支持体の上に金属化層を付着して、上記
第1接触部と第2接触部とを相互接続し;そして (e)上記第2のホトレジストを除去することにより過
剰な金属化部分をリフトオフし、そして上記第1のホト
レジストを除去するという段階を備えたことを特徴とす
る方法。 - 【請求項7】 上記段階(b)は、上記第1のホトレジ
ストを紫外線に露出する段階を含む請求項6に記載の方
法。 - 【請求項8】 上記段階(b)は、上記第1のホトレジ
ストを所定の温度で焼成する段階を含む請求項7に記載
の方法。 - 【請求項9】 基体上の1つ以上の対象物にクロスオー
バーして、第1接触部と、離間された第2接触部とを電
気的に相互接続するために、基体上にエアブリッジ型金
属線を形成する方法において、 (a)上記第1接触部と第2接触部との間で上記基体上
の1つ以上の対象物の上に第1のホトレジストをパター
ン化し; (b)上記第1のホトレジストを上記基体上の1つ以上
の対象物の上で長さ及び幅に沿って曲率を有する一般的
に球形状へと成形して、一般的に球状の支持体を形成
し; (c)上記基体上の上記球状支持体に対して直径方向に
配置された再入(re-entrant)リフトオフプロファイルを
もつ第2のホトレジストをパターン化し; (d)上記球状支持体の上に金属化層を付着して、多数
のエアブリッジ型金属線を形成し;そして (e)上記第2のホトレジストを除去することにより過
剰な金属化部分をリフトオフし、そして上記第1のホト
レジストを除去するという段階を備えたことを特徴とす
る方法。 - 【請求項10】 上記段階(b)は、上記第1のホトレ
ジストを紫外線に露出する段階を含む請求項9に記載の
方法。 - 【請求項11】 上記段階(b)は、上記第1のホトレ
ジストを所定の温度で焼成する段階を含む請求項9に記
載の方法。 - 【請求項12】 基体と; 上記基体上に形成された第1接触部、及びこの第1接触
部から離間された第2接触部と; 上記第1接触部と第2接触部との間で上記基体に形成さ
れた対象物と; 上記対象物から空気で分離されて上記対象物上で上記第
1接触部と第2接触部とを電気的に相互接続するエアブ
リッジ型金属線であって、上記エアブリッジ型金属線の
底面が球面状となるように長さ方向及び幅方向に曲率を
有するエアブリッジ型金属線とを備えたことを特徴とす
る集積回路。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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US08/679637 | 1996-07-10 | ||
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