JP3065106B2 - ウェハースクラビング装置 - Google Patents

ウェハースクラビング装置

Info

Publication number
JP3065106B2
JP3065106B2 JP10501569A JP50156998A JP3065106B2 JP 3065106 B2 JP3065106 B2 JP 3065106B2 JP 10501569 A JP10501569 A JP 10501569A JP 50156998 A JP50156998 A JP 50156998A JP 3065106 B2 JP3065106 B2 JP 3065106B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
brush
disk
scrubbing
rotating
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP10501569A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH10510473A (ja
Inventor
イーツコウイツ,ハーマン
Original Assignee
ソリッド ステイト イクウィップメント コーポレイション
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ソリッド ステイト イクウィップメント コーポレイション filed Critical ソリッド ステイト イクウィップメント コーポレイション
Publication of JPH10510473A publication Critical patent/JPH10510473A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3065106B2 publication Critical patent/JP3065106B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00Cleaning by methods involving the use of tools
    • B08B1/30Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface
    • B08B1/32Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface using rotary cleaning members
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B11/00Cleaning flexible or delicate articles by methods or apparatus specially adapted thereto
    • B08B11/02Devices for holding articles during cleaning
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B23/00Record carriers not specific to the method of recording or reproducing; Accessories, e.g. containers, specially adapted for co-operation with the recording or reproducing apparatus ; Intermediate mediums; Apparatus or processes specially adapted for their manufacture
    • G11B23/50Reconditioning of record carriers; Cleaning of record carriers ; Carrying-off electrostatic charges
    • G11B23/505Reconditioning of record carriers; Cleaning of record carriers ; Carrying-off electrostatic charges of disk carriers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Polarising Elements (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は、一般に、半導体ウェハー、ガラス基板、フ
ォトマスク、コンパクトディスクその他のような薄いデ
ィスクを洗浄するための装置に関し、詳しくは本発明
は、二重のブラシ配列を用いるスクラビング装置にし
て、ブラシの回転によって被洗浄ディスクの回転が誘起
され、回転するブラシと回転するディスクとの間の、デ
ィスク上での各ブラシの相対位置に基いて生じる速度差
により、ディスクの両面及びエッジ部が共にスクラビン
グされるスクラビング装置に関する。
〔従来の技術〕
半導体要素のための基板としてのウェハーは、代表的
にはゲルマニウム或はガリウムアルセニドである細長い
結晶(ビレット)材料からスライスされる。ウェハー
は、結晶を非常に薄い(約0.5mm厚)スライス体に切断
することにより得られる。次いでこれらのスライス体は
ラッピングされ、研磨される。
切断中に使用した潤滑剤の残留薄膜のみならず、空気
伴流粒子や、ラッピング及び研磨により除去された半導
体材料の粒子はウェハー表面に付着しがちである。これ
らの付着物はウェハーのそれ以降のプロセス処理(例え
ばマスキング及びエッチング)に先立って除去し、そう
したそれ以降のプロセス処理のために必要なウルトラク
リーン条件を維持しなければならない。
従って、半導体製造分野においては、半導体ウェハー
の両面を完全に洗浄することのできる装置を提供するこ
とに対してかなりの注意が向けられて来ている。
〔解決しようとする課題〕
半導体ウェハーの両面を完全に洗浄することのできる
装置を提供することである。
〔課題を解決するための手段〕
本発明によれば、長手方向に伸延する、一対の、交換
自在のブラシを含むブラシ機構を含むウェハースクラビ
ング装置が提供される。各ブラシは各一本の回転軸に取
り付けられ、相互に相対して位置決めされる。各ブラシ
の各回転軸には単一の駆動機構が取り付けられ、この駆
動機構が各ブラシを相互に反対方向に回転させる。ブラ
シ機構には、各ブラシをクランプ及びアンクランプして
これら各ブラシ間のギャップを開閉するための開閉手段
も含まれる。ブラシ機構には更に、各ブラシを、静止状
態の旋回チャック上に支持したウェハーの両面上に伸延
させるための伸延手段も含まれる。ウェハーは、スピン
チャックの旋回プレートの周囲に沿って設けられた支持
体上に配置した真空/加圧パッドの頂部に載置される。
これらのパッドは圧縮空気の流れを放出し、ウェハーを
その上方に浮揚させる空気のクッションを創り出すよう
になっている。支持体の、これらの真空/加圧パッドに
隣り合う部分には、ウェハーの所望されざる横方向移動
を防止するためのローラーが取り付けられる。
作動に際しブラシ機構は、被洗浄ウェハーが、離れて
回転する各ブラシ間に位置決めされるようにして、ウェ
ハーに関する半径方向に伸延される。回転する各ブラシ
がウェハーと接触される。各ブラシが回転することによ
りウェハーが、真空/加圧パッドの提供する空気クッシ
ョン上で旋回する。更に、各ブラシはウェハー表面を横
断して半径方向に軸線方向において前後に移動せしめら
れるが必ずしもそうでなくとも良い。各ブラシは低速で
回転され、一方、ウェハーの回転速度はウェハーの中心
に関する各ブラシの半径方向位置に従い変化する。各ブ
ラシとウェハーとの間のこの速度差により、所望のスク
ラビング作動が生じる。
本発明の別態様では、第2のブラシ機構が設けられ
る。この場合、第1のブラシ機構は予備洗浄スクラビン
グを実施し、この第2のブラシ機構は最終洗浄スクラビ
ングを実施する。この配列構成により、第1及び第2の
各ブラシ機構で使用する各ブラシの使用寿命は延長され
る。
ウェハースクラビング装置の全ての機能的要素はコン
ピューター制御されるようになっている。
〔図面の簡単な説明〕 図1は本発明に従うウェハースクラビング装置の側面
図である。
図2はウェハーをその上部に配置してなる旋回チャッ
クの側面図である。
図3はウェハー(仮想線で示す)をその上部に配置し
てなる旋回チャックの平面図である。
図4は本発明に従うウェハースクラビング装置の部分
側面図である。
図5は本発明に従うウェハースクラビング装置の部分
平面図である。
図6はウェハー回転速度及びブラシ位置間の相対関係
を表すグラフである。
図7は2つのブラシ機構を組み込んだ、本発明の別態
様の平面図である。
〔発明の実施の形態〕
同じ参照番号が同じ要素を示す図面を参照するに、図
1には本発明に従うウェハースクラビング装置10が示さ
れている。ウェハースクラビング装置10は単一のエンク
ロージャー12の内部に収納されるのが好ましい。ウェハ
ースクラビング装置10は、被洗浄ウェハーWを支持する
ための旋回チャック14を含み、また、ウェハーWをスク
ラビングするための一対のブラシを含むブラシ機構16を
も含む。このブラシ機構16は、ブラシを回転させるため
の駆動機構20を含み、更にブラシをクランプ及びアンク
ランプするためのクランプ機構22とを含み、また各ブラ
シをウェハーWの表面を半径方向に横断させるためのモ
ーター24を含んでいる。
再度図1を参照するに、旋回チャック14は、旋回チャ
ック軸28に取り付けられた相互交換自在の旋回プレート
26(図3にも示される)を有している。旋回チャック軸
28と旋回プレート26とは、旋回モーター(図示せず)に
より回転されるようになっている。図2に最も良く示さ
れるように、半径方向支持アーム30の各端部から支持部
材32が伸延され、この支持部材32の各端部には真空/加
圧パッド34が設けられる。各真空/加圧パッド34は旋回
チャック14上でウェハーWを支持する。この各真空/加
圧パッド34が、旋回チャックとウェハーとの間の唯一の
接触点である。各真空/加圧パッド34は、旋回チャック
14が旋回中(即ち、ブラシスクラビング以外のウェハー
プロセス処理ステップ中)に、真空吸引により、ウェハ
ーWを然るべき位置にしっかりと保持することができ
る。更には、各真空/加圧パッド34は、ウェハーWをそ
の上に浮揚させることのできる空気クッションを創出す
るための圧縮空気の流れを放出するようになっている。
各真空/加圧パッド34に隣り合ってローラー36が配置さ
れる。これらのローラー36は支持部材32の端部に取り付
けられこの端部から外側に伸延されたプラットフォーム
38上に位置付けられる。こうした配列構成により各ロー
ル36は、ウェハーWのリムに沿って位置決めされるの
で、ウェハーの横方向移動が防止され、一方、ウェハー
はスクラビングプロセス中で、その場で自由に回転する
ことが可能となる。旋回プレートが相互交換自在である
ことから、旋回チャックを、適切な各寸法形状を有する
旋回プレート(色々の比率の一組の相互交換自在の旋回
プレートから選択した)を提供することのみにより、色
々の直径のウェハーのみならずへん平なウェハーを収受
するような構成のものとすることができることを銘記さ
れたい。
図1、4及び5に示されるように、ブラシ機構16は長
手方向に伸延する一対のブラシ18を含んでいる。ブラシ
18は円筒形状を有するものとして例示されるが、切頭円
錐形状その他の形状を有するものとすることもできる。
更には、各ブラシ18は、色々のサイズのウェハーを収受
するための異なる寸法において提供され得る。各ブラシ
18は、交換が容易でありしかもポリビニルアセテート
(PVA)その他の多孔質或はスポンジ状の材料から形成
されるのが望ましい。しかしながら、各ブラシをナイロ
ン製の針毛から形成することもできる。
各ブラシ18は、回転軸40上で、ウェハーWの各側で相
対するように位置決めされる。回転軸40は、好ましくは
1つの駆動機構20により、反対方向に一定速度で旋回
(夫々の中心軸線を中心として)することが出来る。駆
動機構20は、ギヤ及びベルトカップリング(図示せず)
と協働するステップモーター或はサーボモーターを含み
得る。
ブラシ機構16は各ブラシ18をクランプ及びアンクラン
プしてこれら各ブラシ間のギャップを開閉するためのク
ランプ機構22を含む。クランプ機構22(図5参照)は好
ましくはクランプシリンダー42を含み、このクランプシ
リンダー42が既知のリンク機構を介して回転軸40と協働
して、各ブラシ18をシリンダー内の空気圧操作に応答し
て相互に前進及び後退させる。
ブラシ機構16は更に、ベルト駆動、進みねじ、チェー
ン駆動その他により各ブラシ18を長手方向に移動(即
ち、回転軸40の軸線に沿って移動)させるためのモータ
ー24を含む。
ブラシ機構16と旋回チャック14とは、コントローラー
(図示せず)の出力側に結合するのが好ましい。コント
ローラーは望ましくはCPU,ROM,RAMを含み、ウェハース
クラビング装置10の運転上の全様相、特に、ブラシ18の
回転、クランピング、そして位置決めを制御するための
指令信号を、予め決定されたプログラムに従い送出す
る。コントローラーの構造と、ウェハースクラビング装
置10に関する要求機能を実施するためのコントローラー
の適用とは、当業者には周知の範囲内のものである。
本発明のウェハースクラビング装置10の運転に際して
は、ウェハーWを、手で或は好ましくは自動ウェハー取
り扱い機、例えばロボットアーム(図示せず)を使用し
て、静止状態の旋回チャック12の真空/加圧パッド34上
に配置する。クランプ機構22が各ブラシ18間のギャップ
を開放し、各ブラシが、被洗浄ウェハーWをその間部分
に(支持部材32を回避して)位置決めするように半径方
向に伸延される。図6に関して以下に議論する理由か
ら、各ブラシ18の遠方端19がウェハーWの直径の約3/4
を越えて延伸しないようにするのが望ましい。次いで各
ブラシ18は、駆動機構20により反対方向に定速回転され
る。クランプ機構22が各ブラシ18をウェハーWの表面に
接近させると、ウェハーが、静止状態の旋回チャック14
に配置した真空/加圧パッド34の導入する空気クッショ
ン上で旋回する。各ブラシ18がウェハー表面に均一且つ
等しい加圧を加えるのが望ましい。従って、各ブラシ18
によりウェハー表面に行使される加圧量はコントローラ
ーによる制御を受ける(この目的のためのコントローラ
ーの適用は当業者に良く知られる範囲内のものである)
のが好ましい。各ブラシ18は、モーター24によってウェ
ハー表面を横断する方向に軸線方向において前後移動さ
れ、各ブラシはウェハーの両面及びエッジの全表面を覆
う範囲で作用する。
各ブラシ18の、一定に保持された回転速度と、ウェハ
ー表面の、このウェハーWの中心から各ブラシの遠方端
19までの半径方向距離に従って変化する回転速度との間
の速度差によりスクラビング作用が生じる。図6にはブ
ラシ位置とウェハー回転速度との関係がグラフで示され
る。図6によれば、ブラシが直径200mmの代表的なウェ
ハーを完全に横断して伸延し、60rpmの一定速度で回転
する時(位置“−100mm")は各ブラシによるウェハー回
転が誘起されず、従ってウェハー両面全体の摩擦的なス
クラビング作用は生じない。しかしながら、各ブラシの
遠方端がウェハーの中心にまで延伸する時(位置“0")
には、各ブラシはウェハー表面の最大の回転を誘起し、
各ブラシはウェハーの両面及びエッジの全表面を覆う範
囲でスクラビング作用を生じる。
図4では各ブラシ18は、代表的な摩擦スクラビングを
提供するための位置に位置決めされている。図4で“X"
は、ウェハーWの中心と、ウェハー直径の約1/4の点位
置との間の半径方向距離を表す。この距離“X"が、ウェ
ハー表面に関する、各ブラシ18の(遠方端19から計って
の)好ましい移動範囲を画定する。最適な結果を創出す
るためにはこの距離“X"を幾分変化させるのが望まし
い。
スクラビングプロセス中は、旋回するウェハーの両面
位置に水或は洗浄液の流れを差し向け、粒子を洗い流す
のが望ましい。図1及び図2に示されるように、この洗
浄はウェハーWの上下に位置決めしたスプレーノズル44
を提供することにより実現される。スプレーノズル44
は、供給パイプ46を通して純水或は洗浄液に接続される
のが好ましい。水或は洗浄液の流量は、ポンプ及び弁配
列構成(図示せず)により制御され得る。またポンプ及
び弁配列構成は、結局、コントローラーにより制御され
る(この目的のためのコントローラーの適用は当業者に
は周知の範囲内のものである)。
スクラビングプロセスの完了後、スプレーノズル44か
らの水或は洗浄液の放出を止め、余剰の水或は洗浄液を
従来手段により排出する。ブラシ18の回転を止めてクラ
ンプ手段をアンクランプし、ブラシ18を引き込める。真
空/加圧パッド34からの圧縮空気の放出を止め、代わり
に真空吸引を導入してウェハーWを旋回チャック14上の
然るべき位置に保持し、ウェハーの随意的な第2の洗浄
と、ウェハーの旋回乾燥とに備える。ウェハーの旋回乾
燥には、ウェハー表面を乾燥させるのに十分な時間、ウ
ェハーWを然るべく保持したままで旋回チャック14を高
速回転させることが含まれる。スプレーノズルを旋回乾
燥の様相が開始されるまで連続的に運転すれば、随意的
な第2の洗浄は実施するまでもなくなることは明らかで
ある。
図7に示す本発明の別態様の実施例では、ブラシ機構
16と夫々が同じである2つのブラシ機構48及び50が組み
込まれている。ブラシ機構48及び50は図7では約90度離
れているが、ブラシ機構を幾つかその他の角度位置(例
えば180度離れた位置)に配置することもできる。2つ
のブラシ機構48及び50を設けたことにより、この別態様
のウェハースクラビング装置によれば予備洗浄スクラビ
ングと、最終洗浄スクラビングとを提供することが可能
となりこれにより、各ブラシ機構48及び50で使用するブ
ラシの有効寿命が延長される。
以上本発明を具体例を参照して説明したが、本発明の
内で多くの変更を成し得ることを理解されたい。
〔発明の効果〕
半導体ウェハーの両面を完全に洗浄することのできる
装置が提供される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平9−223681(JP,A) 特開 平6−267918(JP,A) 特開 平7−130009(JP,A) 特開 平3−88330(JP,A) 実開 昭51−84371(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B08B 1/04 - 3/04 H01L 21/304 341

Claims (28)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】薄いディスクを洗浄するためのスクラビン
    グ装置であって、 ディスクホルダーと、 ブラシ機構にして、一対のブラシと、各ブラシを各ブラ
    シの軸方向を中心として反対方向に定速回転させるため
    の回転手段と、各ブラシ間にディスクを位置決めした状
    態で各ブラシを相互にクランピング及びアンクランピン
    グするためのクランプ手段と、各ブラシの軸方向におい
    て各ブラシをディスク表面を該ディスクの半径方向に横
    断させる状態下に各ブラシを各ブラシの軸方向の前後に
    伸長させるための伸長手段とを含み、各ブラシが、ディ
    スクの直径の約3/4を越えない軸方向長さを有し、各ブ
    ラシの、各ブラシの軸方向を中心としての反対方向への
    回転がディスクの可変速回転を誘起し、各ブラシの、前
    記ディスクの表面を該ディスクの半径方向に横断する状
    態下での各ブラシの軸方向の前後への伸長が、定速回転
    する各ブラシと、可変速回転するディスクとの間に、デ
    ィスクと、該ディスク上での各ブラシとの相対位置に基
    く速度差を生じさせ、該速度差が、ディスクの表面及び
    エッジの摩擦スクラビングを生ぜしめる複数のブラシ機
    構と、 を含むスクラビング装置。
  2. 【請求項2】ディスクホルダーが旋回チャックである請
    求の範囲1のスクラビング装置。
  3. 【請求項3】旋回チャックが真空/加圧パッドを含み、
    該真空/加圧パッドが、ディスクがその上で浮揚するこ
    とのできる空気のクッションを創出するための圧縮空気
    の流れを放出すると共に、真空吸引によりディスクを静
    止位置に抑え付けるようになっている請求の範囲2のス
    クラビング装置。
  4. 【請求項4】回転手段が、ブラシを取り付ける回転軸
    と、該回転軸を駆動するためのステップモーターとを含
    んでいる請求の範囲1のスクラビング装置。
  5. 【請求項5】回転手段の、ブラシを取り付ける回転軸を
    駆動するためのサーボモーターを含んでいる請求の範囲
    1のスクラビング装置。
  6. 【請求項6】ディスクの表面位置に流体の流れを配向す
    るためのスプレーノズルを更に含んでいる請求の範囲1
    のスクラビング装置。
  7. 【請求項7】ディスクホルダー、回転手段、クランプ手
    段、伸長手段、の作動を制御するためのコントローラー
    を更に含んでいる請求の範囲1のスクラビング装置。
  8. 【請求項8】薄いディスクを洗浄するためのスクラビン
    グ装置であって、 ディスクホルダーと、 複数のブラシ機構にして、各ブラシ機構が、一対のブラ
    シと、各ブラシを各ブラシの軸方向を中心として反対方
    向に定速回転させるための回転手段と、各ブラシ間にデ
    ィスクを位置決めした状態で各ブラシを相互にクランピ
    ング及びアンクランピングするためのクランプ手段と、
    各ブラシの軸方向において各ブラシをディスク表面を該
    ディスクの半径方向に横断させる状態下に各ブラシを各
    ブラシの軸方向の前後に伸長させるための伸長手段とを
    含み、各ブラシが、ディスクの直径の約3/4を越えない
    軸方向長さを有し、各ブラシの、各ブラシの軸方向を中
    心としての反対方向への回転がディスクの可変速回転を
    誘起し、各ブラシの、前記ディスクの表面を該ディスク
    の半径方向に横断する状態下での各ブラシの軸方向の前
    後への伸長が、定速回転する各ブラシと、可変速回転す
    るディスクとの間に、ディスクと、該ディスク上での各
    ブラシとの相対位置に基く速度差を生じさせ、該速度差
    が、ディスクの表面及びエッジの摩擦スクラビングを生
    ぜしめる複数のブラシ機構と、 を含むスクラビング装置。
  9. 【請求項9】ディスクホルダーが旋回チャックである請
    求の範囲8のスクラビング装置。
  10. 【請求項10】旋回チャックが真空/加圧パッドを含
    み、該真空/加圧パッドが、ディスクがその上で浮揚す
    ることのできる空気のクッションを創出するための圧縮
    空気の流れを放出すると共に、真空吸引によりディスク
    を静止位置に抑え付けるようになっている請求の範囲9
    のスクラビング装置。
  11. 【請求項11】回転手段の、ブラシを取り付ける回転軸
    を駆動するためのモーターを含んでいる請求の範囲8の
    スクラビング装置。
  12. 【請求項12】ディスクホルダー、回転手段、クランプ
    手段、伸長手段、の作動を制御するためのコントローラ
    ーを更に含んでいる請求の範囲8のスクラビング装置。
  13. 【請求項13】薄いディスクを洗浄するためのスクラビ
    ング装置であって、 ディスクホルダと、 ブラシ機構にして、ディスクの表面と接触するべく位置
    決めした一対のブラシにして、各ブラシが、ディスクの
    直径の約3/4を越えない軸方向長さを有する一対のブラ
    シと、各ブラシを、各ブラシの軸方向を中心として反対
    方向に回転させるための手段と、を含むブラシ機構とを
    含み、 各ブラシの、前記各ブラシの軸方向を中心としての反対
    方向への回転がディスクの回転を誘起し、各ブラシの、
    ディスクの表面上を該ディスクの半径方向に横断する状
    態での軸線方向位置が、各ブラシの回転速度とディスク
    の回転速度との間に、ディスク上での該ディスクと各ブ
    ラシとの相対位置に基づく速度差を生じさせ、該速度差
    が、ディスクの表面及び縁部の摩擦スクラビングを生ぜ
    しめるスクラビング装置。
  14. 【請求項14】各ブラシが交換自在である請求の範囲13
    のスクラビング装置。
  15. 【請求項15】ディスクホルダーが旋回チャックである
    請求の範囲13のスクラビング装置。
  16. 【請求項16】旋回チャックが、相互交換自在の旋回プ
    レートを含んでいる請求の範囲15のスクラビング装置。
  17. 【請求項17】旋回チャックが真空/加圧パッドを含
    み、該真空/加圧パッドが、ディスクがその上で浮揚す
    ることのできる空気のクッションを創出するための圧縮
    空気の流れを放出すると共に、真空吸引によりディスク
    を静止位置に抑え付けるようになっている請求の範囲15
    のスクラビング装置。
  18. 【請求項18】回転手段が、ブラシを取り付ける回転軸
    と、該回転軸を駆動するためのステップモーターとを含
    んでいる請求の範囲13のスクラビング装置。
  19. 【請求項19】回転手段の、ブラシを取り付ける回転軸
    を駆動するためのサーボモーターを含んでいる請求の範
    囲13のスクラビング装置。
  20. 【請求項20】ディスクの表面位置に流体の流れを配向
    するためのスプレーノズルを更に含んでいる請求の範囲
    13のスクラビング装置。
  21. 【請求項21】ブラシ機構が、各ブラシをディスク上で
    位置決めするための位置決め手段を更に含み、スクラビ
    ング装置が、ディスクホルダー、回転手段、位置決め手
    段、の作動を制御するためのコントローラーを更に含ん
    でいる請求の範囲13のスクラビング装置。
  22. 【請求項22】薄いディスクを洗浄するためのスクラビ
    ング装置であって、 ディスクホルダーと、 複数のブラシ機構にして、ディスクの表面と接触するべ
    く位置決めした一対のブラシにして、各ブラシが、ディ
    スクの直径の約3/4を越えない軸方向長さを有する一対
    のブラシと、各ブラシを、各ブラシの軸方向を中心とし
    て反対方向に回転させるための手段と、を各々含む複数
    のブラシ機構とを含み、 各ブラシの、前記各ブラシの軸方向を中心としての反対
    方向への回転がディスクの回転を誘起し、各ブラシの、
    ディスクの表面上を該ディスクの半径方向に横断する状
    態での軸線方向位置が、各ブラシの回転速度とディスク
    の回転速度との間に、ディスク上での該ディスクと各ブ
    ラシとの相対位置に基づく速度差を生じさせ、該速度差
    が、ディスクの表面及び縁部の摩擦スクラビングを生ぜ
    しめるスクラビング装置。
  23. 【請求項23】各ブラシが交換自在である請求の範囲22
    のスクラビング装置。
  24. 【請求項24】ディスクホルダーが旋回チャックである
    請求の範囲22のスクラビング装置。
  25. 【請求項25】旋回チャックが、相互交換自在の旋回プ
    レートを含んでいる請求の範囲24のスクラビング装置。
  26. 【請求項26】旋回チャックが真空/加圧パッドを含
    み、該真空/加圧パッドが、ディスクがその上で浮揚す
    ることのできる空気のクッションを創出するための圧縮
    空気の流れを放出すると共に、真空吸引によりディスク
    を静止位置に抑え付けるようになっている請求の範囲24
    のスクラビング装置。
  27. 【請求項27】回転手段が、ブラシを取り付ける回転軸
    と、該回転軸を駆動するためのモーターとを含んでいる
    請求の範囲22のスクラビング装置。
  28. 【請求項28】各ブラシ機構が、各ブラシをディスク上
    で位置決めするための位置決め手段を更に含み、スクラ
    ビング装置が、ディスクホルダー、回転手段、位置決め
    手段、の作動を制御するためのコントローラーを更に含
    んでいる請求の範囲22のスクラビング装置。
JP10501569A 1996-06-14 1997-02-28 ウェハースクラビング装置 Expired - Fee Related JP3065106B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US665,157 1996-06-14
US08/665,157 US5675856A (en) 1996-06-14 1996-06-14 Wafer scrubbing device
US08/665,157 1996-06-14
PCT/US1997/003215 WO1997047406A1 (en) 1996-06-14 1997-02-28 Wafer scrubbing device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10510473A JPH10510473A (ja) 1998-10-13
JP3065106B2 true JP3065106B2 (ja) 2000-07-12

Family

ID=24668964

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10501569A Expired - Fee Related JP3065106B2 (ja) 1996-06-14 1997-02-28 ウェハースクラビング装置

Country Status (9)

Country Link
US (2) US5675856A (ja)
EP (1) EP0847311B1 (ja)
JP (1) JP3065106B2 (ja)
KR (1) KR100278425B1 (ja)
AT (1) ATE246969T1 (ja)
AU (1) AU1982397A (ja)
CA (1) CA2223488A1 (ja)
DE (2) DE69724083T2 (ja)
WO (1) WO1997047406A1 (ja)

Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09320999A (ja) * 1996-05-31 1997-12-12 Komatsu Electron Metals Co Ltd 半導体ウェハ貼付プレートの付着物除去装置
US6230753B1 (en) 1996-07-15 2001-05-15 Lam Research Corporation Wafer cleaning apparatus
US5875507A (en) * 1996-07-15 1999-03-02 Oliver Design, Inc. Wafer cleaning apparatus
EP0837493B8 (en) * 1996-10-21 2007-11-07 Ebara Corporation Cleaning apparatus
JP3540524B2 (ja) * 1996-10-28 2004-07-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP3403108B2 (ja) * 1999-02-26 2003-05-06 アイオン株式会社 洗浄用スポンジローラ
US6502273B1 (en) 1996-11-08 2003-01-07 Kanebo, Ltd. Cleaning sponge roller
US6136510A (en) * 1997-02-13 2000-10-24 Advanced Micro Devices, Inc. Doubled-sided wafer scrubbing for improved photolithography
JP3290910B2 (ja) * 1997-02-19 2002-06-10 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置
US6079073A (en) * 1997-04-01 2000-06-27 Ebara Corporation Washing installation including plural washers
JPH10314684A (ja) * 1997-05-21 1998-12-02 Speedfam Co Ltd ディスク形ワークの洗浄方法及び装置
US6059888A (en) * 1997-11-14 2000-05-09 Creative Design Corporation Wafer cleaning system
US6076217A (en) 1998-04-06 2000-06-20 Micron Technology, Inc. Brush alignment platform
TW412817B (en) 1998-06-19 2000-11-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd A bump bonding apparatus and method
US6247197B1 (en) 1998-07-09 2001-06-19 Lam Research Corporation Brush interflow distributor
US6299698B1 (en) 1998-07-10 2001-10-09 Applied Materials, Inc. Wafer edge scrubber and method
US6277203B1 (en) 1998-09-29 2001-08-21 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning low K dielectric and metal wafer surfaces
US6202658B1 (en) 1998-11-11 2001-03-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cleaning the edge of a thin disc
US6368183B1 (en) 1999-02-03 2002-04-09 Speedfam-Ipec Corporation Wafer cleaning apparatus and associated wafer processing methods
US6290780B1 (en) * 1999-03-19 2001-09-18 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing a wafer
US6352595B1 (en) 1999-05-28 2002-03-05 Lam Research Corporation Method and system for cleaning a chemical mechanical polishing pad
KR100749709B1 (ko) * 1999-06-10 2007-08-16 램 리써치 코포레이션 반도체 웨이퍼를 세정하기 위한 방법 및 시스템
US6711775B2 (en) * 1999-06-10 2004-03-30 Lam Research Corporation System for cleaning a semiconductor wafer
US6405399B1 (en) 1999-06-25 2002-06-18 Lam Research Corporation Method and system of cleaning a wafer after chemical mechanical polishing or plasma processing
US6718363B1 (en) * 1999-07-30 2004-04-06 Verizon Laboratories, Inc. Page aggregation for web sites
KR20010021299A (ko) * 1999-08-14 2001-03-15 조셉 제이. 스위니 스크루버에서의 후면부 에칭
JP2001212533A (ja) * 2000-02-03 2001-08-07 Dainippon Printing Co Ltd 基板端面の洗浄装置
US6438781B1 (en) 2000-04-21 2002-08-27 Toda Citron Technologies, Inc. Washer for cleaning substrates
US6800020B1 (en) 2000-10-02 2004-10-05 Lam Research Corporation Web-style pad conditioning system and methods for implementing the same
US6818604B2 (en) 2001-10-04 2004-11-16 Speedfam-Ipec Corporation System and method for cleaning workpieces
US6951044B2 (en) 2002-02-09 2005-10-04 Kaim Wayne K Paper cleaning buff
US20050056303A1 (en) * 2003-09-16 2005-03-17 Wei-Ming Lee Oblique burnish/wipe mechanism for hard drive disk like media
US7231682B1 (en) * 2003-08-28 2007-06-19 Lam Research Corporation Method and apparatus for simultaneously cleaning the front side and back side of a wafer
US20050109371A1 (en) * 2003-10-27 2005-05-26 Applied Materials, Inc. Post CMP scrubbing of substrates
US20050252547A1 (en) * 2004-05-11 2005-11-17 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for liquid chemical delivery
WO2009014587A1 (en) * 2004-12-03 2009-01-29 Solid State Equiptment Corp. Wet etching of the edge and bevel of a silicon wafer
US8795769B2 (en) * 2005-08-02 2014-08-05 New Way Machine Components, Inc. Method and a device for depositing a film of material or otherwise processing or inspecting, a substrate as it passes through a vacuum environment guided by a plurality of opposing and balanced air bearing lands and sealed by differentially pumped groves and sealing lands in a non-contact manner
DE102005041643A1 (de) * 2005-08-29 2007-03-01 Forschungsverbund Berlin E.V. Halbleitersubstrat sowie Verfahren und Maskenschicht zur Herstellung eines freistehenden Halbleitersubstrats mittels der Hydrid-Gasphasenepitaxie
US20070095367A1 (en) * 2005-10-28 2007-05-03 Yaxin Wang Apparatus and method for atomic layer cleaning and polishing
DE102006031628A1 (de) * 2006-07-06 2008-01-10 Clearaudio Electronic Gmbh Reinigungsvorrichtung zum Reinigen plattenartiger Informations- oder Datenträger
US20080156360A1 (en) * 2006-12-26 2008-07-03 Applied Materials, Inc. Horizontal megasonic module for cleaning substrates
MY150875A (en) * 2007-04-20 2014-03-14 Invenpro M Sdn Bhd Apparatus and method for cleaning substrates/media disks
KR100901239B1 (ko) * 2008-03-31 2009-06-08 신진유지보수 주식회사 상수관 터널 갱생 자동화장치용 고정장치
TWI426579B (zh) * 2010-02-01 2014-02-11 Hermes Epitek Corp 半導體設備及其清潔方法
JP5775383B2 (ja) * 2011-06-30 2015-09-09 株式会社荏原製作所 基板洗浄方法
US9190881B1 (en) 2011-08-02 2015-11-17 Tooltek Engineering Corporation Rotary-powered mechanical oscillator
KR101909476B1 (ko) * 2011-08-17 2018-10-18 세메스 주식회사 브러시 유닛 및 이를 가지는 기판처리장치.
US8778087B2 (en) * 2012-04-03 2014-07-15 Illinois Tool Works Inc. Conical sponge brush for cleaning semiconductor wafers
DE202012012796U1 (de) * 2012-09-04 2013-12-11 Reitel Feinwerktechnik Gmbh Reinigungsvorrichtung
US20150087208A1 (en) * 2013-09-26 2015-03-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor wafer
USD800401S1 (en) * 2015-09-24 2017-10-17 Ebara Corporation Roller for substrate cleaning
JP1556809S (ja) * 2015-09-24 2016-08-22
US10269555B2 (en) * 2015-09-30 2019-04-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Post-CMP cleaning and apparatus
CN105327924A (zh) * 2015-12-16 2016-02-17 广西玉柴机器股份有限公司 清洗海德汉lc181光栅尺专用工具
JP7232615B2 (ja) * 2017-12-13 2023-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US11139182B2 (en) * 2017-12-13 2021-10-05 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR102573572B1 (ko) * 2017-12-20 2023-09-01 삼성전자주식회사 웨이퍼 세정 장치
CN111632168B (zh) * 2020-06-10 2021-01-05 青岛市黄岛区中心医院 一种用于医疗手术钳的旋转循环式消毒机

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3809105A (en) * 1972-01-05 1974-05-07 Hoechst Co American Apparatus for processing two sides of a printing plate
US3939514A (en) * 1974-11-11 1976-02-24 Kayex Corporation Apparatus for cleaning thin, fragile wafers of a material
US3970471A (en) * 1975-04-23 1976-07-20 Western Electric Co., Inc. Methods and apparatus for treating wafer-like articles
US4101999A (en) * 1977-01-12 1978-07-25 Doyel John S Battery operated device for cleaning phonograph records and the like
US4208760A (en) * 1977-12-19 1980-06-24 Huestis Machine Corp. Apparatus and method for cleaning wafers
US4520470A (en) * 1982-11-29 1985-05-28 Staar S. A. Cleaning device for discs
JPS59121939A (ja) * 1982-12-28 1984-07-14 Fujitsu Ltd ウエ−ハのブラツシング方法
US4715392A (en) * 1983-11-10 1987-12-29 Nippon Kogaku K. K. Automatic photomask or reticle washing and cleaning system
JPS60143634A (ja) * 1983-12-29 1985-07-29 Fujitsu Ltd ウエ−ハ処理方法及び装置
US4556433A (en) * 1984-04-16 1985-12-03 Allsop, Inc. Apparatus and method for cleaning digital audio discs
US4783870A (en) * 1985-06-17 1988-11-15 Recoton Corporation Compact disk cleaner
US4654917A (en) * 1985-06-17 1987-04-07 Recoton Corporation Compact disc cleaner
US4631773A (en) * 1985-10-21 1986-12-30 Essex Group, Inc. Apparatus for removing fines from copper wires
JPH0695508B2 (ja) * 1986-11-28 1994-11-24 大日本スクリ−ン製造株式会社 基板の両面洗浄装置
JPS63239953A (ja) * 1987-03-27 1988-10-05 Nec Corp 半導体ウエハ−の洗浄装置
US5357645A (en) * 1989-04-09 1994-10-25 System Seiko Co., Ltd. Apparatus for cleaning and drying hard disk substrates
JPH0388330A (ja) * 1989-08-30 1991-04-12 Nec Yamagata Ltd ブラシスクラバー
US5146382A (en) * 1991-01-03 1992-09-08 Yao Ko Chen Floppy disk cleaning machine
US5144711A (en) * 1991-03-25 1992-09-08 Westech Systems, Inc. Cleaning brush for semiconductor wafer
JPH04363022A (ja) * 1991-06-06 1992-12-15 Enya Syst:Kk 貼付板洗浄装置
US5317778A (en) * 1991-07-31 1994-06-07 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Automatic cleaning apparatus for wafers
JP2571487B2 (ja) * 1991-12-27 1997-01-16 信越半導体株式会社 薄円板状ワークのスクラバー洗浄装置
US5375291A (en) * 1992-05-18 1994-12-27 Tokyo Electron Limited Device having brush for scrubbing substrate
EP0640969B1 (en) * 1993-08-31 1999-10-27 Kabushiki Kaisha Shoyo Seiki Cleaning apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
DE69724083T2 (de) 2004-06-17
EP0847311B1 (en) 2003-08-13
EP0847311A4 (en) 2000-09-13
WO1997047406A1 (en) 1997-12-18
ATE246969T1 (de) 2003-08-15
USRE36767E (en) 2000-07-11
AU1982397A (en) 1998-01-07
DE69724083D1 (de) 2003-09-18
JPH10510473A (ja) 1998-10-13
KR100278425B1 (ko) 2001-01-15
KR19990036434A (ko) 1999-05-25
CA2223488A1 (en) 1997-12-18
US5675856A (en) 1997-10-14
EP0847311A1 (en) 1998-06-17
DE847311T1 (de) 1999-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3065106B2 (ja) ウェハースクラビング装置
US5944582A (en) Chemical mechanical polishing with a small polishing pad
US5665656A (en) Method and apparatus for polishing a semiconductor substrate wafer
KR100277388B1 (ko) 연마 장치
JP3778594B2 (ja) ドレッシング方法
KR102142893B1 (ko) 기판 이면의 연마 방법 및 기판 처리 장치
JP3328426B2 (ja) 洗浄装置
US3857123A (en) Apparatus for waxless polishing of thin wafers
KR20010071804A (ko) 웨이퍼 세정장치
US20080293335A1 (en) Methods and apparatus for substrate edge polishing using a polishing arm
US6595220B2 (en) Apparatus for conveying a workpiece
JPH11625A (ja) ウェーハの洗浄装置
TW201921517A (zh) 基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體
JPH08148541A (ja) ウエハ搬送装置
TW201922413A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
US20220013352A1 (en) Cleaning module, substrate processing apparatus including cleaning module, and cleaning method
JP2003188125A (ja) ポリッシング装置
JP6418790B2 (ja) 洗浄装置
JP2000127025A (ja) ポリッシング装置及び研磨加工方法
JP3106109B2 (ja) ウェーハの枚葉加工装置
JPH11238714A (ja) 洗浄方法
JP3086437B2 (ja) 化学的機械研磨装置及び化学的機械研磨方法
JP4773650B2 (ja) ウエハのスピン洗浄・乾燥方法および洗浄・乾燥装置
JP4755348B2 (ja) 基板のスピン洗浄・乾燥装置および洗浄・乾燥方法
JPH11156712A (ja) 研磨装置

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090512

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100512

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110512

Year of fee payment: 11

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees