JPH0388330A - ブラシスクラバー - Google Patents
ブラシスクラバーInfo
- Publication number
- JPH0388330A JPH0388330A JP1226126A JP22612689A JPH0388330A JP H0388330 A JPH0388330 A JP H0388330A JP 1226126 A JP1226126 A JP 1226126A JP 22612689 A JP22612689 A JP 22612689A JP H0388330 A JPH0388330 A JP H0388330A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- brush
- central part
- parallel
- decrease
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 27
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
・本発明は半導体ウェーハのごみ除去に用いられるブラ
シスクラバーに関する。
シスクラバーに関する。
従来、この種のブラシスクラバーでは、ウェーハがウェ
ーハの中心を軸に回転運動する機構と、ウェーハ上に平
行に位置する円筒型のブラシが円筒の軸を中心に回転運
動する機構とを有し、同ウェーへの回転運動と同ブラシ
の回転運動によるブラシの毛とウェーハの接触により、
接触部に水を供給しながらごみを除去していた。
ーハの中心を軸に回転運動する機構と、ウェーハ上に平
行に位置する円筒型のブラシが円筒の軸を中心に回転運
動する機構とを有し、同ウェーへの回転運動と同ブラシ
の回転運動によるブラシの毛とウェーハの接触により、
接触部に水を供給しながらごみを除去していた。
しかしながら上述した従来のブラシスクラバーでは、ウ
ェーハ上に位置する円筒形のブラシの毛の内、ウェーハ
の中心部に接する領域のブラシの毛先が乱れる為、ウェ
ーハ上のごみ除去能力が低下する。これは、ウェーハ中
心を境にブラシの両側の毛の向きが逆方向になる為に、
ウェーハ中心部の毛が乱れることに起因する。
ェーハ上に位置する円筒形のブラシの毛の内、ウェーハ
の中心部に接する領域のブラシの毛先が乱れる為、ウェ
ーハ上のごみ除去能力が低下する。これは、ウェーハ中
心を境にブラシの両側の毛の向きが逆方向になる為に、
ウェーハ中心部の毛が乱れることに起因する。
この為、ウェーハ中心部に残ったごみにより、フォトレ
ジスト工程でのパターンニングが部分的に異常となった
り、或はイオン注入技術を用いた不純物導入工程で、不
純物が導入されない領域が発生する等、ウェーハ中央部
のP/W歩留りが低下するという欠点がある。
ジスト工程でのパターンニングが部分的に異常となった
り、或はイオン注入技術を用いた不純物導入工程で、不
純物が導入されない領域が発生する等、ウェーハ中央部
のP/W歩留りが低下するという欠点がある。
上述した従来のブラシスクラバーのブラシが回転運動を
行なう機構のみを有するのに対し、本発明のブラシスク
ラバーでは、ブラシの回転運動を行なう機構に加え、ブ
ラシがウェーハ面に平行に移動する機構を有するという
相違点がある。
行なう機構のみを有するのに対し、本発明のブラシスク
ラバーでは、ブラシの回転運動を行なう機構に加え、ブ
ラシがウェーハ面に平行に移動する機構を有するという
相違点がある。
本発明は、ウェーハがウェーハの中心を軸に回転運動す
る機構と、ウェーハ上にウェーハ面と平行に位置する円
筒型のブラシが円筒の軸を中心に回転運動する機構とを
有するブラシスクラバーにおいて、前記ブラシがウェー
ハ面に平行に移動する機構を有するブラシスクラバーで
ある。
る機構と、ウェーハ上にウェーハ面と平行に位置する円
筒型のブラシが円筒の軸を中心に回転運動する機構とを
有するブラシスクラバーにおいて、前記ブラシがウェー
ハ面に平行に移動する機構を有するブラシスクラバーで
ある。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の第1の実施例の平面図である。
第1図は、ブラシ1の運動方向がy軸を往復運動する場
合を示している。ブラシ1の往復運動は、l往復あたり
3秒程度で行なう、又、ウェーハ2の回転数は3600
rpm程度にする。
合を示している。ブラシ1の往復運動は、l往復あたり
3秒程度で行なう、又、ウェーハ2の回転数は3600
rpm程度にする。
第2図は本発明の第2の実施例の平面図である。同図に
おいて、ブラシ1はX軸、y軸に対し約45°の方向で
往復運動する場合を示したものである。ウェーハ2の回
転数は約3600rpmである。
おいて、ブラシ1はX軸、y軸に対し約45°の方向で
往復運動する場合を示したものである。ウェーハ2の回
転数は約3600rpmである。
以上説明した様に、従来はブラシの回転軸が移動しなか
ったのに対し、本発明はブラシの回転軸がウェーハ面に
平行な面を往復運動することにより、ブラシの毛が均等
にウェーハに当たり、ウェーハ中央部近辺に接するブラ
シの毛の乱れが無くなり、ウェーハ中央部のごみの除去
ができる効果がある。この為、ウェーハ中央部で発生す
るブラシスクラバーのごみ除去能力の低下に起因するP
/W歩留りの低下をほぼ完全に無くす事が出来る。
ったのに対し、本発明はブラシの回転軸がウェーハ面に
平行な面を往復運動することにより、ブラシの毛が均等
にウェーハに当たり、ウェーハ中央部近辺に接するブラ
シの毛の乱れが無くなり、ウェーハ中央部のごみの除去
ができる効果がある。この為、ウェーハ中央部で発生す
るブラシスクラバーのごみ除去能力の低下に起因するP
/W歩留りの低下をほぼ完全に無くす事が出来る。
第1図は本発明の第1の実施例の平面図、図は本発明の
第2の実施例の平面図である。 1・・・ブラシ、2・・・ウェーハ。
第2の実施例の平面図である。 1・・・ブラシ、2・・・ウェーハ。
Claims (1)
- ウェーハがウェーハの中心を軸に回転運動する機構と、
ウェーハ上にウェーハ面と平行に位置する円筒型のブラ
シが円筒の軸を中心に回転運動する機構とを有するブラ
シスクラバーにおいて、前記ブラシがウェーハ面に平行
に移動する機構を有することを特徴とするブラシスクラ
バー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1226126A JPH0388330A (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | ブラシスクラバー |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1226126A JPH0388330A (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | ブラシスクラバー |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0388330A true JPH0388330A (ja) | 1991-04-12 |
Family
ID=16840251
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1226126A Pending JPH0388330A (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | ブラシスクラバー |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0388330A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5675856A (en) * | 1996-06-14 | 1997-10-14 | Solid State Equipment Corp. | Wafer scrubbing device |
US8752228B2 (en) | 2005-04-20 | 2014-06-17 | Freescale Semiconductor, Inc. | Apparatus for cleaning of circuit substrates |
-
1989
- 1989-08-30 JP JP1226126A patent/JPH0388330A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5675856A (en) * | 1996-06-14 | 1997-10-14 | Solid State Equipment Corp. | Wafer scrubbing device |
WO1997047406A1 (en) * | 1996-06-14 | 1997-12-18 | Solid State Equipment Corp. | Wafer scrubbing device |
USRE36767E (en) * | 1996-06-14 | 2000-07-11 | Solid State Equipment Corporation | Wafer scrubbing device |
US8752228B2 (en) | 2005-04-20 | 2014-06-17 | Freescale Semiconductor, Inc. | Apparatus for cleaning of circuit substrates |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0549377A3 (en) | A scrubber apparatus for cleaning a thin disk work | |
JP2007157930A (ja) | ウェーハ洗浄装置 | |
KR20090024602A (ko) | 연삭가공 방법 및 연삭가공 장치 | |
JP2006310395A (ja) | ダイシング装置のウェーハ洗浄方法 | |
JPH0388330A (ja) | ブラシスクラバー | |
JP2000108024A (ja) | Cmp研磨装置 | |
JPH10261605A (ja) | 半導体処理装置 | |
JPH06190714A (ja) | ポリッシング装置 | |
JP7104580B2 (ja) | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 | |
JP4070686B2 (ja) | 基板回転保持装置および回転式基板処理装置 | |
JPS58122732A (ja) | ウエハの洗浄方法 | |
JP3534219B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JPH01268032A (ja) | ウエハ研磨方法および装置 | |
JPH10223581A (ja) | スクラブ洗浄部材およびそれを用いた基板処理装置 | |
JPH04150051A (ja) | ウエハ把持装置 | |
JP2002110593A (ja) | ウエハエッジ部の残膜除去方法及び除去装置 | |
US6334230B1 (en) | Wafer cleaning apparatus | |
JPH07164291A (ja) | ウェーハ外周部の研磨装置 | |
JPH04206945A (ja) | 真空チャック洗浄方法 | |
JPH0469161A (ja) | 研磨装置 | |
KR100811457B1 (ko) | 씨엠피 장비의 웨이퍼 세정기 | |
JP2000216226A (ja) | 板材クランプ装置 | |
KR200325127Y1 (ko) | 반도체웨이퍼용제트스크러빙장치 | |
KR920010428B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼의 자동 세척 건조장치 | |
JPS61131460A (ja) | ウエハ洗浄装置 |