KR920010428B1 - 실리콘 웨이퍼의 자동 세척 건조장치 - Google Patents
실리콘 웨이퍼의 자동 세척 건조장치 Download PDFInfo
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- 238000001035 drying Methods 0.000 title claims description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 claims description 22
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 21
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 16
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 16
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 8
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 abstract description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 abstract 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 abstract 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000010981 drying operation Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
내용 없음.
Description
제1도는 본 발명의 요부인 로우더의 사시도.
제2도는 본 발명의 요부인 분사봉의 사시도.
제3도 및 제4도는 본 발명의 작동상태도.
제5도는 종래 장치의 작동상태도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 웨이퍼 2 : 운반구
3 : 회전로우더 4 : 초순수분사공
5 : 질소가스공 6 : 분사봉
본 발명은 반도체 제조용 실리콘 웨이퍼의 자동세척 건조장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조공정중에는 실리콘 웨이퍼를 화공약품으로 세척하고, 다시 추순수로서 이를 세척하여 건조시켜주는 작업 공정이 필요하다.
따라서 상기와 같은 작업을 실시해주기 위하여 종래에는 제5도에 도시된 바와 같은 장치로서 이를 실현해 주도록 하였는바, 종래 기술에 대하여 간략하게 설명하면 다음과 같다.
대략 25장의 웨이퍼(1)들을 평행하게 저장시켜 주는 운반구(2)를 회전로우더홀더(10)에 고정시켜주고, 회전로우더홀더(10)를 모터(11)로서 회전시켜주면서 1단계로 측면에 설치된 노즐(12)을 통하여 초순수를 분사시켜 회전되는 운반구(2)내의 웨이퍼(1)를 세척하고, 2단계로는 모터(11)의 회전속도를 대략 약3000rpm정도로 상승시키면서 다른 노즐(13)을 통하여 가열된 질소가스를 분사시켜 웨이퍼(1)를 건조시켜 주도록 하였다. 그러나 이와 같은 종래 장치는 여러 가지의 문제점들을 내포하고 있었다.
(1) 하나의 운반구를 회전로우더에 홀딩 하여 세척, 건조작업을 실시하기 때문에 1사이클 공정작업마다 운반구내의 대략 25장 정도밖에 작업을 실시하지 못하였다. 따라서 작업생산성이 좋지 못하였다.
(2) 세척을 실시하는 초순수의 공급압력이 낮은 공장설비내에서는 세척효과가 불량해지는 원인이 되었다.
(3) 건조작업시 모터의 고속회전으로 인한 진동에 의하여 웨이터가 손상될 염려가 많았다.
(4) 먼지 제거능력이 탁월하지 못하였다. 본 발명은 상기와 같은 종래의 여러 가지 문제점들을 개선하기 위한 것으로서, 1사이클의 작업시마다 다량의 웨이퍼 세척 및 건조작업을 실시할 수 있도록 함과 함께 세척 효과를 더욱 향상시켜 주도록 한 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의하면, 대략 25매의 웨이퍼(1)가 저장되는 운반구(2)를 90도 각도로서 4개를 배치 고정하는 원통형 회전로우더(3)와, 상기 회전로우더(3)를 회전 시켜 주는 회전수단과, 상기 회전로우더(3)의 중앙부로 배치되어 초순수 분사공(4)과 질소가스공(5)이 형성된 장봉 형상의 분사봉(6)으로 구성하여서 된 것이다.
상기와 같이 구성된 본 발명을 첨부도면과 함께 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.
제1도는 회전로우더(3)의 사시도로서, 원통형의 회전로우더(3)의 내축면으로는 도시가 생략돼 고정수단을 통하여 웨이퍼(1)가 저장된 4개의 원반구(2)들이 상호 대향라면서 배치 고정된다.
또한 회전로우더(3)의 하방으로는 회전로우더(3)를 회전시켜주기 위한 회전수단들, 즉 모우터나 그 밖의 다른 구동원으로 부터의 동력전달수단이 설치되어 회전로우더(3)를 회전시켜 주게 된다.
제2도는 초순수나 가스가 분사되는 분사봉(6)으로서, 분사봉(6)에 연결되어진 초순수 공급관과 가스공급관을 통하여 이들 초순수와 가스를 웨이퍼 측으로 분사시켜 주게된다.
이때, 초순수분사공(4)이나 질소가스공(5)은 제2도의 사시도 형태와 같이 분사봉(6)의 일부를 쐐기형상으로 절결홈(7)을 형성하여 절결홈(7)의 양면 상에 이들 분사공을 형성하여 줌에 따라 초순수와 가스가 혼합된 상태로 분사되도록 하거나, 또는 분사봉(6)의 외주면 에 이들 분사공을 분리 형성시켜주는 것도 가능하다.
상기와 같이 구성된 회전로우더와 분사봉을 통한 웨이퍼의 세척 및 건조작업과정을 순차적으로 설명하면 다음과 같다.
(1) 웨이퍼가 적치된 운반구를 회전로우더의 정해진 위치에 고정시켜준다.
(2) 회전로우더를 대략 분당 20회 정도의 회전 속도록 회전시키면서 분사봉(6)의 초순수분사공(4)을 통하여 초순수를 웨이퍼측으로 분사시켜 준다. 이때 초순수가 분사되는 동안에 질소가승공(5)을 통하여 질소가스를 함께 분사시키면서 가스압력으로 초순수를 분무 화시켜 웨이퍼의 세척작업을 실시힌다.
(3) 어느 일정 시간동안 계속되는 세척작업에 의하여 초순수가 원통형 회전로우더를 넘치는 정도까지 작업을 실시한 후, 이를 배수시켜준다.
(4) 초순수를 완전히 배수시킨 뒤 상기(2)와 같은 작업상태를 대략 1분 정도 반복 실시한다.
(5) 초순수의 공급을 중단하고 초순수의 공급관에 질소가스를 공급하여 초순수 공급 통로상의 잔존 초순수를 모두 배출시켜 준다.
(6) 가스공급관을 통하여 질소가스를 공급함과 동시에 회전로우더의 회전속도를 상승시키면서 웨이퍼의 건조작업을 실시한다. 상기와 같은 작업과정을 통하여 한번에 대략 100여매의 웨이퍼 세척 및 건조작업을 실시해주게 되는 것이다. 이와 같이 본 발명은 일시에 다량의 웨이퍼를 세척하고 건조시켜 주게 되므로 작업생산성이 향산되고, 초순수와 함께 질소가스를 동시에 혼합 분사시켜 줄수 있어 웨이퍼의 세척효과를 향상시키게 되는 것이다.
Claims (2)
- 대략 25매의 웨이퍼(1)가 저장되는 운반구(2)를 90도 각도로서 4개를 배치 고정하는 원통형 회전로우더(3)와, 상기 회전로우더(3)를 회전시켜주는 회전수단과, 상기 회전로우더(3)의 중앙부로 배치되어 초순수분사공(4)과 질소가스공(5)이 형성된 장봉형상의 분사봉(6)으로 구성하여서 됨을 특징으로 하는 실리콘웨이퍼의 자동세척 건조장치.
- 제1항에 있어서, 분사봉(6)에 쐐기형의 절결홈(7)을 형성하고 절결홈(7)의 양면 상에 초순수 분사공(4)과 질소가스공(5)을 대향 형성하여서 됨을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 자동 세척 건조장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900010513A KR920010428B1 (ko) | 1990-07-11 | 1990-07-11 | 실리콘 웨이퍼의 자동 세척 건조장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900010513A KR920010428B1 (ko) | 1990-07-11 | 1990-07-11 | 실리콘 웨이퍼의 자동 세척 건조장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920003429A KR920003429A (ko) | 1992-02-29 |
| KR920010428B1 true KR920010428B1 (ko) | 1992-11-27 |
Family
ID=19301149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900010513A KR920010428B1 (ko) | 1990-07-11 | 1990-07-11 | 실리콘 웨이퍼의 자동 세척 건조장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920010428B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100360402B1 (ko) * | 2000-03-22 | 2002-11-13 | 삼성전자 주식회사 | 회전성 분사노즐을 구비하는 웨이퍼 건조 장치 및 이를이용한 웨이퍼 건조 방법 |
-
1990
- 1990-07-11 KR KR1019900010513A patent/KR920010428B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR920003429A (ko) | 1992-02-29 |
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