JP2998988B2 - 微小探針を有する回路基板およびその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、プローブカード に代表される微小探針を
有する回路基板（以下、プローブアッセンブリーという
ことがある）、およびその製造方法に関する。

［従来の技術］ 特開昭57−201039号公報に開示されているようなプロ
ーブアッセンブリーに代表される微小探針を有する回路
基板は、従来より、導電部を設けた絶縁性基体または半
導体基体と微小探針となる複数の導電性金属とを別々の
部材として作製した後、微小探針が所定の配置となるよ
うに、手作業により上記導電性金属を前記基体上の所定
の位置に固定するとともに、導電性金属と導電部とを電
気的に導通させることにより製造されている。

例えばICチップ等の検査に用いられるプローブアッセ
ンブリーを製造する方法としては、まず、所望の位置に
開口部を設けた絶縁性基体に所定の導電部を設け、これ
とは別に、尖端部を屈曲させて微小探針とした針状の導
電性金属を複数本作製し、第26a図および第26b図に示す
ように、導電性金属90の一端90aと、絶縁性基体91上に
設けられた導電部92の作業用の開口部93側の一端とが接
するように、導電性金属90を接着剤94により絶縁性基体
91上に固定し、さらに導電性金属90の一端90aと導電部9
2の開口部93側の一端とをハンダ95でハンダ付けするこ
とより電気的に導通させる方法等がとられている。この
ときの導電性金属90の固定およびハンダ付けは、導電性
金属90の屈曲させた尖端部（微小探針）90bの配置が、
検査対象となるICチップのボンディングパッドの配置と
一致するように、一本一本、手作業により行われる。

ここで、このようなプローブアッセンブリーにおける
各微小探針は、ICチップ等の被検査基板の検査時におい
て被検査基板とプローブアッセンブリー基板との間に所
定の空隙を形成して、被検査基板とプローブアッセンブ
リー基板との間に異物が混入した場合でも微小探針と被
検査基板との接触不良が生じるのをできるだけ防止でき
るよう、基体表面から所定の長さだけ突出させて設けら
れる。また、上記プローブアッセンブリーの使用時に
は、微小探針と被検査基板との間で接触不良が生じない
ように、微小探針１本当たり例えば700g程度の負荷をか
けている。

このため、第26a図および第26b図に示した導電性金属
90を固定および半田付けするにあたっては、各微小探針
90bの水平方向および垂直方向の位置等に高い精度が要
求される。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、微小探針となる導電性金属の基体上へ
の固定および半田付けを手作業により行う従来法では、
各微小探針を高い位置精度の下に配置することが困難で
あった。特に、ICチップ等の検査に用いられるプローブ
アッセンブリーでは、検査対象となるICチップ等の高集
積化および多様化にともない、微小探針の微細化と各微
小探針の位置合せの高精度化、および各微小探針の配置
の多様化が求められており、このような微小探針を有す
る回路基板を従来法により製造するにあたっては、高度
な熟練技術と膨大な時間を要するという問題点があっ
た。

したがって本発明の目的は、ICチップ等の検査に用い
られるプローブアッセンブリーとしても利用可能な微小
探針を有する回路基板であって、手作業によらずとも微
小探針を絶縁性基体または半導体基体の所望の位置に高
精度に配置して製造することができる微小探針を有する
回路基板、およびその製造方法を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 本発明は上記目的を達成するためになされたものであ
り、本発明の微小探針を有する回路基板は、複数の微細
貫通孔を有する感光性ガラス製基体と、前記複数の微細
貫通孔のそれぞれに設けられた柱状の導電体からなる微
小探針と、該微小探針に電気的に接続する複数の導電部
と、を少なくとも備え、前記の微小探針のそれぞれは、
前記の感光性ガラス製基体の一表面よりも一端を突出さ
せた状態で設けられており、前記複数の導電部それぞれ
の一端は、前記の微小探針のいずれかに接続されてお
り、かつ、該複数の導電部の各々が前記微小探針の一端
が突出している側とは反対側の感光性ガラス製基体表面
に設けられている、ことを特徴とするものである（以
下、回路基板Ａという）。

回路基板Ａは、例えば、感光性ガラス製基体に複数の
微細貫通孔を設ける第１の工程と、前記複数の微細貫通
孔それぞれの内部に柱状の導電体を設ける第２の工程
と、該柱状の導電体を設けた後の前記感光性ガラス製基
体の表面部をエッチング除去することにより、前記柱状
の導電体それぞれの一端を前記の感光性ガラス製基体の
一表面よりも突出させて微小探針とする第３の工程と、
を含み、更に、前記第２の工程と前記第３の工程との間
に行われる工程として、または、前記第３の工程の後に
行われる工程として、前記柱状の導電体それぞれの一端
を突出させようとする側は反対側の感光性ガラス製基体
表面に、または、前記柱状の導電体それぞれの一端を突
出させた側とは反対側の感光性ガラス製基体表面に、前
記柱状の導電体と電気的に接続する複数の導電部を該複
数の導電部それぞれの一端が前記柱状の導電体のいずれ
かに接続するようにして設ける第４の工程を含むことを
特徴とする本発明の微小探針を有する回路基板の製造方
法（以下、方法Ｉという）により得ることができる。

この方法Ｉにおいては、上述のように、感光性ガラス
製基体に微細貫通孔を設け、この微細貫通孔内に設けた
柱状の導電体の一端を、前記の感光性ガラス製基体の表
面部をエッチング除去することにより当該感光性ガラス
製基体の一表面よりも突出させて微小探針とする。

ここで、方法Ｉにより例えば探針径が300μｍ以下の
ような微細な微小探針が高い位置精度の下に多数配置さ
れた回路基板を得るにあたっては、感光性ガラス製基体
として薄肉のものを用い、フォトリソグラフィー法によ
り当該感光性感光性ガラス製基体に微細貫通孔を設ける
ことが好ましく、微細貫通孔内に柱状の導電体を設ける
方法としては無電解メッキ法が好ましい。さらに、無電
解メッキ法により析出する導電体と感光性ガラス製基体
との付着性を向上させるうえからは、微細貫通孔の内壁
に予め樹脂層等を設けておくことが好ましい。

しかしながら、柱状の導電体の外周に例えば樹脂層が
あった場合には、感光性ガラス製基体の表面部をエッチ
ング除去する際に樹脂層と感光性ガラス製基体との間に
エッチング液が浸透して、第25図に示すように、柱状の
導電体からなる微小探針80の外周に設けた樹脂層81と感
光性ガラス製基体82との間に断面がＶ字状の溝83が生じ
る。また、柱状の導電体の外周に樹脂層を設けなくと
も、柱状の導電体と感光性ガラス製基体との間にエッチ
ング液が浸透した場合には、上述のようなＶ字状の溝が
生じる。

このため、方法Ｉにより製造した回路基板Ａにおいて
は、例えばICチップ等の検査に用いられるプローブアッ
センブリーのような使用時に負荷をかける用途の回路基
板としては、微小探針の支持が不確かであるといった問
題や、微小探針の強度が不十分であるといった問題が生
じるおそれがある。

したがって、薄肉の感光性ガラス製基体を用いても微
小探針の支持が確実でその強度も向上した微小探針を有
する回路基板を得るにあたっては、方法Ｉにおける微小
探針の形成工程、すなわち、柱状の導電体を設けた後の
前記の感光性ガラス製基体の表面部をエッチング除去す
ることにより、前記柱状の導電体それぞれの一端を前記
の感光性ガラス製基体の一表面よりも突出させて微小探
針とする第３の工程よりも前に行われる工程として、前
記柱状の導電体それぞれの一端を突出させようとする側
の前記感光性ガラス製基体表面について、前記複数の微
細貫通孔それぞれの周辺の当該感光性ガラス製基体表
面、または、前記柱状の導電体それぞれの周辺の当該感
光性ガラス製基体表面を突起させる工程を含む本発明の
製造方法（以下、方法IIという）により、微小探針の一
端が突出している側の感光性ガラス製基体表面のうち、
前記の微小探針各々の周辺の当該感光性ガラス製基体表
面が突起している、微小探針を有する回路基板（以下、
回路基板Ｂという）を得ることがより好ましい。

微小探針の形成工程（第３の工程）よりも前に行う上
記の工程によって、微細貫通孔それぞれの周辺の感光性
ガラス製基体表面または柱状の導電体それぞれの周辺の
感光性ガラス製基体表面を突起させ、その後に微小探針
の形成工程（第３の工程）を行うことにより、微小探針
自体の突出長をそれ程長くしなくとも、例えばICチップ
等の検査に使用するプローブアッセンブリーとして使用
する際に被検査基体と回路基板との間に要求される所定
の空隙を確保し得る、微小探針を有する回路基板を製造
することができる。このとき、柱状の導電体を突出させ
るためのエッチング時間は方法Ｉの場合に比べて短くて
よいため、柱状の導電体の外周に設けた樹脂層等と感光
性ガラス製基体との間あるいは柱状の導電体と感光性ガ
ラス製基体との間に生じる断面がＶ字状の溝も浅いもの
となる。

したがって方法IIによれば、薄肉の感光性ガラス製基
体を用いても、柱状の導電体または柱状の導電体の外周
に設けられた樹脂層等と感光性ガラス製基体との間で微
小探針を確実に支持するに十分な接触面積を確保するこ
とができるため、方法Ｉによる回路基板Ａよりも微小探
針の支持が確実な回路基板Ｂを得ることができる。ま
た、微小探針の突出長はそれ度長くしなくてもよいため
に強度的に向上した微小探針を形成することができ、方
法Ｉによる回路基板Ａよりも微小探針の強度が向上した
回路基板Ｂを得ることができる。

感光性ガラス製基体が薄肉であっても微小探針の支持
が確実である回路基板は、上述した方法II以外に、感光
性ガラス製基体と該感光性ガラス製基体の一表面に設け
られた１層または複層構造の探針形成用補助層とを有す
る基材に、前記の感光性ガラス製基体から前記の探針形
成用補助層に亘る柱状の微細導電体を複数本設ける第ｉ
の工程と、前記柱状の微細導電体を複数本設けた後の前
記の基材から前記の探針形成用補助層の一部または全部
を除去することにより、前記柱状の微細導電体それぞれ
の一端を前記探針形成用補助層の一部を除去した後の前
記の基材の一表面または前記感光性ガラス製基体の一表
面よりも突出させて微小探針とする第iiの工程と、を含
み、更に、前記第ｉの工程と前記第iiの工程との間に行
われる工程として、または、前記第iiの工程の後に行わ
れる工程として、前記の探針形成用補助層が形成されて
いる側とは反対側の感光性ガラス製基体表面に、また
は、前記の探針形成用補助層が形成されていた側とは反
対側の感光性ガラス製基体表面に、前記柱状の微細導電
体と電気的に接続する複数の導電部を該複数の導電部そ
れぞれの一端が前記柱状の導電体のいずれかに接続する
ようにして設ける第iiiの工程を含むことを特徴とする
本発明の微小探針を有する回路基板の製造方法（以下、
方法IIIという）によっても得ることができる。

この方法IIIによれば、感光性ガラス製基体の表面部
をエッチング除去することなく柱状の微細導電体の一端
を上記の一基材の表面または前記の感光性ガラス製基体
の一表面より突出させて微小探針とすることができるた
め、柱状の微細導電体の外周に設けた樹脂層等と感光性
ガラス製基体との間あるいは柱状の微細導電体と感光性
ガラス製基体との間にＶ字状の溝が生じることを防止す
ることができる。したがって薄肉の感光性ガラス製基体
を用いた場合でも、柱状の微細導電体または柱状の微細
導電体の外周に設けられた樹脂層と感光性ガラス製基体
との間で、柱状の微細導電体すなわち微小探針を確実に
支持するに十分な接触面積を確保しつつ、この微小探針
を形成することができ、これにより、微小探針が感光性
ガラス製基体により堅固に保持された、微小探針を有す
る回路基板を得ることが可能となる。

ここで、上記第ｉの工程は、感光性ガラス製基体に複
数の微細貫通孔を設ける工程と、前記複数の微細貫通孔
それぞれの内部に第１の柱状の微細導電体を設ける工程
と、前記の感光性ガラス製基体の一表面に、前記第１の
柱状の微細導電体それぞれの一端面を露出させるための
複数の微細貫通孔を有する１層または複層構造の探針形
成用補助層を設ける工程と、前記の探針形成用補助層に
設けられた前記複数の微細貫通孔それぞれの内部に、前
記第１の柱状の微細導電体と一体化した第２の柱状の微
細導電体を設ける工程とを含むことが好ましい（以下、
この製造方法を方法III aという）。また、このときの
探針形成用補助層の材料としては、フォトレジストや電
子線レジスト等の、光または電子線に感応する樹脂を少
なくとも使用することが特に好ましい。

あるいはまた、前記第ｉの工程は、感光性ガラス製基
体に複数の微細貫通孔を設ける工程と、前記の感光性ガ
ラス製基体の一表面に、複数の微細貫通孔を有する１層
または複層構造の探針形成用補助層であって、当該探針
形成用補助層に設けられている前記複数の微細貫通孔の
各々がそれぞれ別個に前記の感光性ガラス製基体に設け
られている前記複数の微細貫通孔のいずれかと連通して
いる探針形成用補助層を設ける工程と、前記の感光性ガ
ラス製基体の一表面に前記の探針形成用補助層を設ける
ことによって前記の感光性ガラス製基体から前記の探針
形成用補助層に亘って形成された複数の微細貫通孔それ
ぞれの内部に、前記の感光性ガラス製基体から前記の探
針形成用補助層に亘る柱状の微細導電体を設ける工程と
含むことが好ましい（以下、この製造方法を方法III b
という）。

感光性ガラス製基体が薄肉であっても微小探針の支持
が確実である回路基板は、前述した方法IIおよび上述し
た方法III以外に、感光性ガラス製基体に複数の微細貫
通孔を設ける第Ｉの工程と、前記複数の微細貫通孔それ
ぞれの内部に、少なくとも一端が前記の感光性ガラス製
基体の一表面と実質的に同一平面上にある柱状の導電体
を設ける第IIの工程と、前記柱状の導電体それぞれにお
ける前記の一端上にメッキ処理によって導電体を堆積さ
せることにより、該一端側を前記感光性ガラス製基体の
一表面よりも突出させて微小探針とする第IIIの工程
と、を含み、更に、前記第IIの工程と前記第IIIの工程
との間に行われる工程として、または、前記第IIIの工
程の後に行われる工程として、前記柱状の導電体それぞ
れの一端側を前記のメッキ処理によって突出させようと
する側とは反対側の感光性ガラス製基体表面に、また
は、前記柱状の導電体それぞれの一端側を前記のメッキ
処理によって突出させた側とは反対側の感光性ガラス製
基体表面に、前記柱状の導電体と電気的に接続する複数
の導電部を該複数の導電部それぞれの一端が前記柱状の
導電体のいずれかに接続するようにして設ける第IVの工
程を含む、ことを特徴とする本発明の微小探針を有する
回路基板の製造方法（以下、方法IVという）によっても
得ることができる。

この方法IVにおいても、感光性ガラス製基体の表面部
をエッチング除去することなく柱状の導電体の一端を前
記の感光性ガラス製基体の表面よりも突出させて微小探
針とすることができるため、薄肉の感光性ガラス製基体
を用いた場合でも、柱状の導電体または柱状の導電体の
外周に設けられた樹脂層と感光性ガラス製基体との間
で、柱状の導電体すなわち微小探針を確実に支持するに
十分な接触面積を確保しつつ、この微小探針を形成する
ことができ、これにより、微小探針が感光性ガラス製基
体により堅固に保持された、微小探針を有する回路基板
を得ることが可能となる。

なお、前述した方法III aにおいて、１層または複層
構造の探針形成用補助層を設ける工程の前に、前記の探
針形成用補助層を設けようとする側の感光性ガラス製基
体表面について、前記複数の微細貫通孔それぞれの周辺
の当該感光性ガラス製基体表面、または、前記第１の柱
状の微細導電体それぞれの周辺の当該感光性ガラス製基
体表面を突起させる工程を行うことにより、前述した方
法IIと同様に、微小探針の支持が確実でその強度も向上
した回路基板である回路基板Ｂを方法IIIにより得るこ
とができる。

また、前述した方法III bにおいて、１層または複層
構造の探針形成用補助層を設ける工程の前に、前記の探
針形成用補助層を設けようとする側の感光性ガラス製基
体表面について、前記複数の微細貫通孔それぞれの周辺
の当該感光性ガラス製基体表面を突起させる工程を行う
ことによっても、前述した方法IIと同様に、微小探針の
支持が確実でその強度も向上した回路基板である回路基
板Ｂを方法IIIにより得ることができる。

さらに、前述した方法IVにおいて、柱状の導電体それ
ぞれの一端側を感光性ガラス製基体の一表面よりも突出
させて微小探針とする第IIIの工程の前に、前記柱状の
導電体それぞれの一端側を突出させようとする側の感光
性ガラス製基体表面について、前記複数の微細貫通孔そ
れぞれの周辺の当該感光性ガラス製基体表面、または、
前記柱状の微細導電体それぞれの周辺の当該感光性ガラ
ス製基体表面を突起させる工程を行うことにより、前述
した方法IIと同様に、微小探針の支持が確実でその強度
も向上した回路基板である回路基板Ｂを方法IVにより得
ることができる。

なお、方法II、方法III a、方法III b、および方法IV
のいずれにおいても、例えば探針径が300μｍ以下のよ
うな微細な微小探針が高い位置精度の下に多数配置され
た回路基板を得るにあたっては、前述した方法Ｉと同様
に、感光性ガラス製基体として薄肉のものを用い、フォ
トリソグラフィー法により当該感光性感光性ガラス製基
体に微細貫通孔を設けることが特に好ましい。また、微
細貫通孔内に柱状の導電体を設ける方法も、前述した方
法Ｉと同様に、無電解メッキ法が好ましい。

以上説明した方法Ｉないし方法IVにより得られる回路
基板Ａまたは回路基板Ｂにおいて、感光性ガラス製基体
が薄肉で機械的強度が比較的低いものである場合には、
例えばICチップ等の検査に使用するプローブアッセンブ
リーのような使用時に負荷をかける用途の回路基板とし
て使用した場合に、負荷に耐えかねて感光性ガラス製基
体が破損するおそれがある。このため、回路基板Ａおよ
び回路基板Ｂの耐久性、ひいては信頼性を向上させるう
えから、これらの回路基板Ａおよび回路基板Ｂは、前述
した複数の導電部を設けた側の感光性ガラス製基体表面
に半導体または絶縁性物質からなる補強用基板が固着さ
れていることが好ましい。

これに伴い、方法Ｉないし方法IVはそれぞれ、縁性物
質または半導体からなる補強用基板を、前述した複数の
導電部を設けた側の感光性ガラス製基体表面に設ける工
程を含んでいることことが好ましい。

また、回路基板Ａまたは回路基板Ｂと外部装置（例え
ばICチップ等の被検査回路パターンに検査のための信号
電流を供給する検査装置）との電気的な接続は、感光性
ガラス製基体の表面に設けられた複数の導電部それぞれ
に接続端子を接続することによってなされるため、これ
らの回路基板Ａおよび回路基板Ｂは、このような接続端
子を最初から備えたものであってもよい。

これに伴い、方法Ｉないし方法IVはそれぞれ、感光性
ガラス製基体の表面に設けられた複数の導電部のそれぞ
れに、当該導電部と検査対象の被検査回路パターンに対
して信号電流を供給する検査装置とを電気的に接続する
ための接続端子を設ける工程を含んでいてもよい。

本発明の回路基板Ａおよび回路基板Ｂにおいては、感
光性ガラス製基体を使用しているため、この感光性ガラ
ス製基体に設けられている微小探針の位置精度は、感光
性ガラス製基体の熱膨張率が比較的小さいことから、外
部環境の熱的変動に対しても比較的安定している。

［実施例］ 以下、本発明の実施例について図面を用いて説明す
る。

実施例１（方法Ｉによる回路基板Ａの製造） まず、感光性ガラス製基体として、100×100×0.5mm
のLi₂O−Al₂O₃−SiO₂（Au,Ce）系の化学切削性感光性ガ
ラス（商品名:PEG3、HOYA（株）製）を用い、この化学
切削性感光性ガラス（以下、感光性ガラス基体という）
に複数の微細貫通孔を設ける第１の工程として、所定の
マスクを用いた露光処理（He−Xeランプを使用）、約50
0℃で１時間の現像処理（熱処理）、５％フッ化水素酸
でのエッチング処理（酸処理）および純水でのリンス処
理を施して、第1a図に模式的に示すように、開口径80μ
ｍの微細貫通孔１を感光性ガラス基体２の中央部付近に
20μｍ間隔で正方形状（一辺の長さは約9mm）に計420個
設けた。

次に、複数の微細貫通孔１それぞれの内部に柱状の導
電体を設ける第２の工程として、まず、感光性ガラス基
体２に設けた各微細貫通孔１の内壁を、エポキシ樹脂系
接着剤をアセトンに溶解させて得た溶液（容量比で、エ
ポキシ樹脂系接着剤／アセトン＝1/30）でぬらした後、
乾燥させて、第1b図に示すように、各微細貫通孔１の内
壁にエポキシ樹脂層４を設けた。このエポキシ樹脂層４
は、後述する無電解メッキにより析出する金属の感光性
ガラス基体２上への付着性を向上させるためのものであ
る。

次いで、エポキシ樹脂層４を設けた感光性ガラス基体
２に無電解Ni−Ｐメッキ（部分メッキ）処理を施して、
第1c図に示すように、各微細貫通孔１内のエポキシ樹脂
層４上および各微細貫通孔１の開口部近傍の感光性ガラ
ス基体２表面にNi−Ｐ層5aを形成し、各微細貫通孔１を
Ni−Ｐ層5aによりそれぞれ閉塞した。このときの無電解
Ni−Ｐメッキ処理は、活性化、触媒付与、触媒活
性化、無電解メッキの順で、それぞれ以下の要領で行
った。

活性化 活性化剤として、ITOリダクター（商品名、奥野製薬
工業（株）製）に塩酸を加えてpHを8.8とした溶液を、
その濃度が200ミリリットル／リットルとなるように純
水で希釈して得た液温45℃の水溶液中に２分間浸漬した
後、純水で洗浄した。

触媒付与 塩化バナジウムおよび塩化スズの塩酸溶液（商品名:I
TOキャタリスト、奥野製薬工業（株）製）と、バッファ
（商品名:ITO−SAL、奥野製薬工業（株）製）と、35％
塩酸とを、それぞれ60ミリリットル／リットル、50g/リ
ットル、150ミリリットル／リットルの割合で純水に添
加して得た液温35℃の水溶液中に６分間浸漬した後、純
水で洗浄した。

触媒活性化 触媒活性化剤であるITOアクセレーター（商品名、奥
野製薬工業（株）製）を200ミリリットル／リットルと
なるように純水で希釈して得た液温25℃の水溶液中に２
分間浸漬した後、純水で洗浄した。

無電解メッキ 還元剤としてITO−90−Ｍ（商品名、奥野製薬工業
（株）製）を、Ni²⁺イオンとピロリン酸イオン（還元
剤）とを含むニッケル塩水溶液としてITO−90−１（商
品名、奥野製薬工業（株）製）を用い、これらを100ミ
リリットル／リットルおよび50ミリリットル／リットル
の割合で純水に添加して得た液温80℃の水溶液中に約10
時間浸漬した後、純水で洗浄した。なお、析出速度は約
１μm/10分である。

この後、各微細貫通孔１の開口部近傍の感光性ガラス
基体２表面に付着したNi−Ｐを、酸化セリウムからなる
研摩剤を用いて研摩除去し、洗浄を行って、第1d図に示
すように、各微細貫通孔１それぞれの内部に、感光性ガ
ラス基体２の厚さ方向の上面と実質的に同一の平面上に
一方の端面を有し、前記基体２の厚さ方向の下面と実質
的に同一の平面上にもう一方の端面を有するNi−Ｐ柱状
体5cを設けた。

次に、Ni−Ｐ柱状体5cを設けた後の感光性ガラス基体
２の表面部をエッチング除去することにより、Ni−Ｐ柱
状体5cそれぞれの一端を感光性ガラス基体２の一表面よ
り突出させて微小探針とする第３の工程として、まず、
第1e図に示すように、Ni−Ｐ柱状体5cを設けた感光性ガ
ラス基体２の片面に保護層としてビニールテープ6aを貼
り付けた後、この感光性ガラス基体２を50％フッ化水素
酸（液温20℃）に３分間浸漬することによりエッチング
処理を施した。このエッチング処理により、感光性ガラ
ス基体２のビニールテープ6aを貼り付けなかった表面は
厚さ30μｍに亘ってエッチング除去され、第1f図に示す
ように、ビニールテープ6aを貼り付けなかった表面側で
は、新たに形成された感光性ガラス基体２表面から30μ
ｍだけNi−Ｐ柱状体5cが突出した。この一端が突出した
Ni−Ｐ柱状体5cが、微小探針に相当する（以下、微小探
針20aという）。

この後、ビニールテープ6aを剥離し、感光性ガラス基
体２を純水やイソプロピルアルコールで洗浄して、第1g
図に示すように、各微細貫通孔１内に設けられたNi−Ｐ
柱状体5cの一部が突出してなる微小探針20aを有する感
光性ガラス基体２を得た。

次に、Ni−Ｐ柱状体5cそれぞれの一端を突出させた側
とは反対側の感光性ガラス基体２の表面に、各Ni−Ｐ柱
状体5c（各微小探針20a）と電気的に接続する複数の導
電部を当該複数の導電部それぞれの一端が前記のNi−Ｐ
柱状体5c（微小探針20a）のいずれかに接続するように
して設ける第４の工程として、まず、DCマグネトロンス
パッタ法により、第1h図に示すように、エッチング除去
した側とは反対側の感光性ガラス基体２の表面に、厚さ
1000オングストロームのITO（酸化インジウム・スズ）
膜21aを成膜した。

ITO膜21aを成膜した後、スピンナーを用いて、第1i図
に示すように、ITO膜21a上にフォトッレジスト層22aを
設け、１時間ベークした。

次いで、所定のパターンが付いたフォトマスクを用い
てのコンタクト露光処理および現像処理を行って、第1j
図に示ように、ITO膜21a上にリジストパターン22bを形
成した。

レジストパターン22bを形成した感光性ガラス基体２
を、40ボーメ度FeCl₃水溶液と35％HCl水溶液との1:1混
液中に12時間浸漬することにより、レジストパターン22
bをマスクとしたITO膜21aのエッチング除去を行って、
第1k図に示すように、レジストパターン22bに対応するI
TO膜パターン21bを形成した。

この後、レジストパターン22bを剥離して、第1l図に
示すように、線幅が85μｍで微小探針20aの一端面上に
端部を有するITO膜パターン21bからなる１層構造の導電
部（以下、導電部25aという）を複数個、感光性ガラス
基体２表面に形成して、方法Ｉによる回路基板Ａに相当
する回路基板29aを得た。

このようにしてなる回路基板29aの中央部（微細貫通
孔１を設けた部分）を、導電部25aを設けた側から見た
上面を模式的に示す図を第２図に示す。なお、第1a図な
いし第1l図は第２図に示すII−II線の端面の一部分を模
式的に示す端面図であり、第２図において第1l図と共通
する部材については、第1l図と同じ符号を付してその説
明を省略する。

このようにして得られた回路基板29aにおいて、ITO膜
パターン21bからなる導電部25aの端部と微小探針20aと
の間が電気的に導通するか否かをテスターを用いて確認
したところ、電気抵抗40Ωで完全に導通していることが
確認された。

また、導電部25aの端部と微小探針20aとの間の電気抵
抗は、導電部の構造を、第３図に示すように、ITO膜パ
ターン21bの外周にNi−Ｐ層24を設けた２層構造（以
下、導電部25bという）とすることにより、より小さく
することができる。このときのNi−Ｐ層24の形成は、上
述した微小探針を有する回路基板の製造方法における無
電解Ni−Ｐメッキ（部分メッキ）処理と同様の方法によ
り行うことができる。なお、第３図においては、導電部
25bとNi−Ｐ層24とを除く各部については第1l図と同じ
符号を付してある。

実施例２（方法Ｉによる回路基板Ａの製造） まず、感光性ガラス製基体として実施例１と同質、同
一形状の化学切削性感光性ガラスを用い、この化学切削
性感光性ガラス（以下、感光性ガラス基体という）に複
数の微細貫通孔を設ける第１の工程として、所定のマス
クを用いた露光処理（He−Xeランプを使用）、約500℃
で１時間の現像処理（熱処理）、５％フッ化水素酸での
エッチング処理（酸処理）および純水でのリンス処理を
施して、第4a図に模式的に示すように、開口径50μｍの
微細貫通孔１（本明細書においては、機能的あるいは用
途的に同一のものについては形状や大きさ等が異なって
いても同じ数値の符号を付すものとする。以下同じ。）
を感光性ガラス基体２の中央部付近に80μｍ間隔で正方
形状（一辺の長さは約9mm）に設けた。また同時に、感
光性ガラス基体２の縁部から5mmのところに、開口径420
μｍの端子形成用貫通孔３を一定間隔で複数個設けた。
これらの端子形成用貫通孔３は、各微細貫通孔１とそれ
ぞれ一対一に対応している。

次に、各微細貫通孔１それぞれの内部に柱状の導電体
を設ける第２の工程として、まず、実施例１と同様にし
て、第4b図に示すように、各微細貫通孔１の内壁にエポ
キシ樹脂層４を設けた。また同時に、各端子形成用貫通
孔３の内壁にも同様にしてエポキシ樹脂層４を設けた。
これらのエポキシ樹脂層４は、後述する無電解メッキに
より析出する金属の感光性ガラス基体２上への付着性を
向上させるためのものである。

次いで、エポキシ樹脂層４を設けた感光性ガラス基体
２に、無電解メッキの処理時間を約10時間から約６時間
に変更した以外は実施例１と同様にして無電解Ni−Ｐメ
ッキ（部分メッキ）処理を施して、第4c図に示すよう
に、各微細貫通孔１内のエポキシ樹脂層４上および各微
細貫通孔１の開口部近傍の感光性ガラス基体２表面にNi
−Ｐ層5aを形成し、各微細貫通孔１をNi−Ｐ層5aにより
閉塞した。また同時に、各端子形成用貫通孔３内のエポ
キシ樹脂層４上および各端子形成用貫通孔３の開口部近
傍の感光性ガラス基体２表面に、各端子形成用貫通孔３
を閉塞させることなく、Ni−Ｐ層5bを析出させた。

この後、各微細貫通孔１の開口部近傍の感光性ガラス
基体２表面に付着したNi−Ｐを、酸化セリウムからなる
研摩剤を用いて研摩除去し、洗浄を行って、第4d図に示
すように、各微細貫通孔１それぞれの内部に、感光性ガ
ラス基体２の厚さ方向の上面と実質的に同一の平面上に
一方の端面を有し前記基体２の厚さ方向の下面と実質的
に同一の平面上にもう一方の端面を有するNi−Ｐ柱状体
5cを設けた。また同様に、各端子形成用貫通孔３の開口
部近傍の感光性ガラス基体２表面に付着したNi−Ｐを研
摩除去し、洗浄を行って、第4d図に示すように、各端子
形成用貫通孔３内に、感光性ガラス基体２の厚さ方向の
上面と実質的に同一の平面上に一方の端面を有し前記基
体２の厚さ方向の下面と実質的に同一の平面上にもう一
方の端面を有するNi−Ｐ中空円柱状体5dを設けた。

次に、Ni−Ｐ柱状体5cを設けた後の感光性ガラス基体
２の表面部をエッチング除去することにより、Ni−Ｐ柱
状体5cそれぞれの一端を感光性ガラス基体２の一表面よ
りも突出させて微小探針とする第３の工程として、ま
ず、第4e図に示すように、Ni−Ｐ柱状体5cを設けた感光
性ガラス基体２の片面に、保護層として、ガラスに対す
る付着強度の高いレジスト（商品名：富士バンクスドラ
イフィルム・フォトレジストＡ−425、富士ハント電子
工業（株）製）6bを貼り付けた。

次いで、レジスト6bを片面に貼り付けた感光性ガラス
基体２を50％フッ化水素酸に３分間浸漬することによ
り、エッチング処理を施した。このエッチング処理によ
り、感光性ガラス基体２のレジスト6bを貼り付けなかっ
た表面は厚さ15μｍに亘ってエッチング除去され、第4f
図に示すように、レジスト6bを貼り付けなかった表面側
では、新たに形成された感光性ガラス基体２表面から15
μｍだけNi−Ｐ柱状体5cが突出した。この一端が突出し
たNi−Ｐ柱状体5cが、微小探針に相当する（以下、微小
探針20aという）。

エッチング処理後、レジスト6bを剥離し、感光性ガラ
ス基体２をアセトン、イソプロピルアルコール、フレオ
ンベーパーにより順次洗浄して、第4g図に示すように、
微小探針20aを設けた感光性ガラス基体２を得た。

次に、Ni−Ｐ柱状体5cそれぞれの一端を突出させた側
とは反対側の感光性ガラス基体２の表面に、各Ni−Ｐ柱
状体5c（各微小探針20a）と電気的に接続する複数の導
電部を当該複数の導電部それぞれの一端が前記のNi−Ｐ
柱状体5c（微小探針20a）のいずれかに接続するように
して設ける第４の工程として、まず、感光性ガラス基体
２表面をエッチング除去したことによりこの感光性ガラ
ス基体２表面より突出した、各端子形成用貫通孔３内に
設けたNi−Ｐ中空円柱状体5dの突出部を、酸化セリウム
からなる研摩剤を用いて研摩除去し、洗浄を行って、第
4h図に示すように、各Ni−Ｐ中空円柱状体5dの端面を、
エッチングにより新たに形成された感光性ガラス基体２
表面と実質的に同一の平面上に形成した。

次いで、実施例１と同様にしてITO膜を成膜して、第4
h図に示すように、感光性ガラス基体２のエッチング除
去した側とは反対側の表面に、厚さ約1000オングストロ
ームのITO（酸化インジウム・スズ）膜21a（シート抵抗
30〜40Ω／□）が成膜された感光性ガラス基体２を得
た。このとき、各端子形成用貫通孔３内に設けたNi−Ｐ
中空円柱状体5dの開口部上には、ITO膜21aは成膜されな
かった。

ITO膜21aを成膜した後、第4i図に示すように、このIT
O膜21a上にフォトレジスト（商品名：ヘキストAZ1350、
ヘキスト・ジャパン（株）製）を約10000オングストロ
ームの厚さにスピン・コートしてフォトレジスト層22a
を設け、90℃で30分間ベークした。

次いで、所定のパターンが付いたフォトマスクを用い
てのコンタクト露光処理および現像処理を行って、第4j
図に示すように、ITO膜21a上にレジストパターン22bを
形成し、このレジストパターン22bを220℃で30分間ポス
トベークした。

ポストベーク後、レジストパターン22bを形成した感
光性ガラス基体２を、40ボーメ度FeCl₃水溶液と36％HCl
水溶液との1:1混液（液温50℃）中に約１分間浸漬する
ことにより、レジストパターン22bをマスクとしたITO膜
21aのエッチング除去を行って、第4k図に示すように、
レジストパターン22bに対応するITO膜パターン21bを形
成した。

次いで、純水を用いてリンス処理を施した後に、有機
溶剤（イソプロピルアルコール）を用いてレジストパタ
ーン22bを剥離して、第4l図に示すように、微小探針20a
の一端と電気的に接続するITO膜パターン21bを複数個、
感光性ガラス基体２表面に形成した。なお、各ITO膜パ
ターン21bは、微小探針20aの一端と電気的に接続すると
ともに、この微小探針20aと一対一に対応する、端子形
成用貫通孔３内に設けたNi−Ｐ中空円柱状体5dとも電気
的に接続している。

この後、ITO膜パターン21bと微小探針20aとの間の電
気抵抗を低減させることを目的として、以下の要領で、
各ITO膜パターン21b上にNi−Ｐ層を設けた。

まず、微小探針20aの一端が突出している側の感光性
ガラス基体２表面上に、第4m図に示すように、保護用の
透明粘着テープ23を貼り付けた。

次いで、前述したNi−Ｐ層5a、5bを形成する場合と同
様にして、第4n図に示すように、各ITO膜パターン21b上
に厚さ２μｍのNi−Ｐ層24を析出させた。このときの無
電解メッキの処理時間は、20分とした。なお、このとき
端子形成用貫通孔３の内壁側のITO膜パターン21bの側面
にもNi−Ｐが析出したが、この部分に析出したNi−Ｐに
ついては図示を省略する（以下、同じ）。

Ni−Ｐ層24を析出させた後、透明粘着テープ23を剥離
して、第4o図に示すように、微小探針20aの一端と電気
的に接続する導電部として、ITO膜パターン21bの外周に
Ni−Ｐ層24を設けてなる２層構造の導電部25bを複数
個、感光性ガラス基体２に形成して、方法Ｉによる回路
基板Ａに相当する回路基板29bを得た。

このようにしてなる回路基板29bの導電部25b側の上面
の模式図を第5a図に示す。また、第5a図における中央部
（微細貫通孔１を設けた部分）の拡大図を第5b図に示
す。なお、第4a図ないし第4o図は第5a図に示すＶ−Ｖ線
の端面の一部分を模式的に示す端面図であり、第5a図お
よび第5b図において第4o図と共通する部材については、
第4o図と同じ符号を付してその説明を省略する。

次に、感光性ガラス基体２表面に半導体または絶縁性
物質からなる補強用基板を設ける工程を、以下の要領で
行った。

まず、補強用基板の材料として100×100×2mmのLi₂O
−Al₂O₃−SiO₂（Au,Ce）系化学切削性感光性ガラス（商
品名:PEG3、HOYA（株）製）板を用い、この化学切削性
感光性ガラス板（以下、感光性ガラス板という）に、前
述した感光性ガラス基体２に複数の微細貫通孔１を設け
る第１の工程と同様に、所定のマスクを使用しての露光
処理、現像処理（熱処理）、エッチング処理（酸処理）
およびリンス処理を施して、第6a図に示すように、感光
性ガラス板30の縁部から5mmのところに、開口径420μｍ
の貫通孔31を一定間隔で複数個設けた。これらの貫通孔
31は、回路基板29bを構成する感光性ガラス基体２に設
けた各端子形成用貫通孔３とそれぞれ一対一に対応して
いる。

感光性ガラス板30に貫通孔31を設けた後、前述した複
数の微細貫通孔１それぞれの内部に柱状の導電体5cを設
ける第２の工程と同様にして、まず、第6b図に示すよう
に、感光性ガラス板30に設けた各貫通孔31の内壁にエポ
キシ樹脂層32を設け、さらに、このエポキシ樹脂層32を
設けた感光性ガラス板30に無電解Ni−Ｐメッキ（部分メ
ッキ）処理を施して、第6c図に示すように、各貫通孔31
内のエポキシ樹脂層32上および各貫通孔31の開口部近傍
の感光性ガラス板30表面に、各貫通孔31を閉塞させるこ
となく、Ni−Ｐ層33aを形成した。

この後、各貫通孔31の開口部近傍の感光性ガラス板30
表面に付着したNi−Ｐを、酸化セリウムからなる研摩剤
を用いて研摩除去し、洗浄を行って、第6d図に示すよう
に、各貫通孔31内に、感光性ガラス板30の厚さ方向の上
面と実質的に同一の平面上に一方の端面を有し前記ガラ
ス板30の厚さ方向の下面と実質的に同一の平面上にもう
一方の端面を有するNi−Ｐ中空円柱状体33bを設けて、
補強用基板34aを得た。

次いで、補強用基板34aと回路基板29bとを、第6e図に
示すように、ホットメルト型シート状接着剤35を介して
積層して固定した。このときの積層および固定は、回路
基板29bを構成する感光性ガラス基体２に設けた複数の
導電部25bが積層物の内側に位置するように行うととも
に、感光性ガラス板30に設けた各貫通孔31と感光性ガラ
ス基体２に設けた各端子形成用貫通孔３との位置が合う
ように行った。

固定後、この積層物に上方から約400gの荷重をかけ真
空オーブン中で120〜140℃に加熱した後、冷却して、第
6f図に示すように、ホットメルト型シート状接着剤35に
より補強用基板34aと回路基板29bとを固着させた。

固着後、感光性ガラス板30に設けた各貫通孔31に鋭利
な先端を有する針金を差し込むことにより、感光性ガラ
ス板30に設けた各貫通孔31と感光性ガラス基体２に設け
た各端子形成用貫通孔３との間に介在しているホットメ
ルト型シート状接着剤35に穿孔を施して、第6g図に示す
ように、複数の導電部25bを設けた側の感光性ガラス基
体２表面に補強用基板34aが固着された、方法Ｉによる
回路基板Ａに相当する回路基板37aを得た。

次に、感光性ガラス基体２表面に設けられた複数の導
電部25bのそれぞれに、これらの導電部25bと検査対象の
被検査回路パターンに対して信号電流を供給する検査装
置とを電気的に接続するための接続端子を設ける工程
を、以下の要領で行った。

まず、接続端子の材料として直径300μｍのステンレ
ス製針金を複数本用いて、第7a図に示すように、これら
のステンレス製針金40を感光性ガラス板30に設けた各貫
通孔31にそれぞれ差し込み、先端が感光性ガラス基体２
に設けた各端子形成用貫通孔３に達し、かつこの端子形
成用貫通孔３から突出しない状態で各ステンレス製針金
40を保持した。

そして、ステンレス製針金40を差し込んだ貫通孔内に
溶融ハンダを流し込んだ後、硬化させて、第7b図に示す
ように、ステンレス製針金40をハンダ41により回路基板
37aに固定し、これにより補強用基板34aとハンダ41によ
り固定されたステンレス製針金40からなる接続端子とが
設けられた、方法Ｉによる回路基板Ａに相当する回路基
板42aを得た。

実施例３（方法IIによる回路基板Ｂの製造） まず、感光性ガラス製基体として実施例２と同質、同
一形状の化学切削性感光性ガラスを用い、この化学切削
性感光性ガラス（以下、感光性ガラス基体という）に複
数の微細貫通孔を設ける第１の工程として実施例２と同
様の露光処理、現像処理（熱処理）、エッチング処理
（酸処理）およびリンス処理を施して、第8a図に模式的
に示すように、開口径50μｍの微細貫通孔１を感光性ガ
ラス基体２の中央部付近に80μｍ間隔で正方形状（一辺
の長さは約9mm）に設けた。また同時に、感光性ガラス
基体２の縁部から5mmのところに、開口径420μｍの端子
形成用貫通孔３を一定間隔で複数個設けた。これらの端
子形成用貫通孔３は、各微細貫通孔１とそれぞれ一対一
に対応している。

次に、各微細貫通孔１それぞれの内部に柱状の導電体
を設ける第２の工程として、実施例２と同様にエポキシ
樹脂層の形成、無電解Ni−Ｐメッキ処理および研摩処理
を施して、第8b図に示すように、各微細貫通孔１それぞ
れの内部に、感光性ガラス基体２の厚さ方向の上面と実
質的に同一の平面上に一方の端面を有し前記基体２の厚
さ方向の下面と実質的に同一の平面上にもう一方の端面
を有するNi−Ｐ柱状体5cを設けた。また同様に、第8b図
に示すように、各端子形成用貫通孔３内に、感光性ガラ
ス基体２の厚さ方向の上面と実質的に同一の平面上に一
方の端面を有し前記基体２の厚さ方向の下面と実質的に
同一の平面上にもう一方の端面を有するNi−Ｐ中空円柱
状体5dを設けた。

次に、Ni−Ｐ柱状体5cそれぞれの一端を突出させよう
とする側とは反対側の感光性ガラス基体２の表面に、各
Ni−Ｐ柱状体5cと電気的に接続する複数の導電部を、当
該複数の導電部それぞれの一端が前記のNi−Ｐ柱状体5c
のいずれかに接続するようにして設ける第４の工程とし
て、実施例２における第４の工程と同様にして、感光性
ガラス基体２の一主表面へのITO膜の成膜、ITO膜上への
フォトレジスト層の形成、ITO膜上へのレジストパター
ンの形成、およびITO膜パターンの形成を行って、第8c
図に示すように、Ni−Ｐ柱状体5cの一端と電気的に接続
するとともに、端子形成用貫通孔３内に設けたNi−Ｐ中
空円柱状体5dとも電気的に接続しているITO膜パターン2
1bを複数個、感光性ガラス基体２の一表面に設けた。

これらのITO膜パターン21bが導電部に相当する。すな
わち本実施例３においては、複数の導電部として、ITO
膜パターン21bからなる１層構造の導電部（以下、導電
部25aという）を複数個、感光性ガラス基体２の一表面
に設けた。

次に、感光性ガラス基体２表面に半導体または絶縁性
物質からなる補強用基板を設ける工程を、以下の要領で
行った。

まず、補強用基板の材料として実施例２と同質、同一
形状の化学切削性感光性ガラス板を用い、この化学切削
性感光性ガラス板（以下、感光性ガラス板という）に実
施例２と同様の露光処理、現像処理（熱処理）、エッチ
ング処理（酸処理）およびリンス処理を施して、第9a図
に示すように、感光性ガラス板30の縁部から5mmのとこ
ろに、開口径420μｍの貫通孔31を一定間隔で複数個設
けた。これらの貫通孔31は、第8a図に示した感光性ガラ
ス基体２に設けた各端子形成用貫通孔３とそれぞれ一対
一に対応している。

次いで、実施例２と同様にしてエポキシ樹脂層の形
成、無電解Ni−Ｐメッキ処理、および研摩処理を行っ
て、第9b図に示すように、各貫通孔31内に、感光性ガラ
ス板30の厚さ方向の上面と実質的に同一の平面上に一方
の端面を有し前記ガラス板30の厚さ方向の下面と実質的
に同一の平面上にもう一方の端面を有するNi−Ｐ中空円
柱状体33bを設けて、補強用基板34aを得た。

この後、実施例２と同様にして、補強用基板34aと複
数の導電部25aを設けた感光性ガラス基体２とのホット
メルト型シート状接着剤を介しての積層および固定、積
層物の熱処理および冷却、ならびにホットメルト型シー
ト状接着剤に対する穿孔処理を行って、第9c図に示すよ
うに、複数の導電部25aを設けた側の感光性ガラス基体
２表面に、ホットメルト型シート状接着剤35により補強
用基板34aを固着させた。

次に、Ni−Ｐ柱状体5cそれぞれの一端を突出させよう
とする側の感光性ガラス基体２表面について、前記のNi
−Ｐ柱状体5cそれぞれの周辺の当該感光性ガラス基体２
表面を突起させる工程として、まず、上述の補強用基板
34aが固着した感光性ガラス基体２において各Ni−Ｐ柱
状体5cの端面周辺を突起させようとする側の感光性ガラ
ス基体２表面に、第10a図に示すように、ガラスに対す
る付着強度の高いレジスト（商品名：富士バンクスドラ
イフィルム・フォトレジストＡ−425、富士ハント電子
工業（株）製）36aを貼り付けた。

次いで、所定のパターンが付いたフォトマスクを用い
てのコンタクト露光処理および現像処理を行って、第10
b図に示すように、各Ni−Ｐ柱状体5cの端面とその周辺
を覆う径80μｍのレジストパターン36bを形成した。

この後、レジストパターン36bをマスクとして、この
レジストパターン36bを形成した側の感光性ガラス基体
２表面を15μｍ程エッチング除去した。このエッチング
により、各Ni−Ｐ柱状体5cの一方の端面の周辺の感光性
ガラス基体２表面は、第10c図に示すように、エッチン
グにより新たに形成された感光性ガラス基体２表面にお
ける平坦部よりも15μｍ程突起した。なお、このときの
エッチング液としては、５％フッ化水素酸を用いた。

次に、感光性ガラス基体２表面を上述のようにして突
起させた側における柱状の導電体5c（Ni−Ｐ柱状体5c）
の端面を、感光性ガラス基体２の表面部をエッチング除
去することにより当該感光性ガラス基体２表面よりも突
出させて微小探針とする第３の工程として、まず、レジ
ストパターン36bを有機溶剤を用いて剥離して、第10d図
に示すように、各Ni−Ｐ柱状体5cの端面を露出させた。

次いで、各Ni−Ｐ柱状体5cそれぞれにおける一方の端
面の周辺を突起させた側の感光性ガラス基体２表面をさ
らに15μｍ程エッチング除去した。このエッチングによ
り、各Ni−Ｐ柱状体5cの前記の端面は、第10e図に示す
ように、２回めのエッチングにより新たに形成された感
光性ガラス基体２表面における突起部先端から15μｍ
程、また２回めのエッチングにより新たに形成された感
光性ガラス基体２表面における平坦部からは30μｍ程突
出した。この一端が突出したNi−Ｐ柱状体5cが、微小探
針に相当する（以下、微小探針20bという）。なお、こ
のときのエッチング液としては、50％フッ化水素酸を用
いた。

微小探針20bを形成した後、感光性ガラス基体２表面
をエッチング除去したことによってこの感光性ガラス基
体２表面より突出した、各端子形成用貫通孔３内に設け
たNi−Ｐ中空円柱状体5dの突出部を、酸化セリウムから
なる研摩剤を用いて研摩除去し、洗浄を行って、第10f
図に示すように、エッチングにより新たに形成された感
光性ガラス基体２表面における平坦部と実質的に同一の
平面上に各Ni−Ｐ中空円柱状体5dの端面を形成して、複
数の導電部25aを設けた側の感光性ガラス基体２表面に
補強用基板34aが固着された、方法IIによる回路基板Ｂ
に相当する回路基板37bを得た。

次に、感光性ガラス基体２表面に設けられた複数の導
電部25aのそれぞれに、当該導電部25aと検査対象の被検
査回路パターンに対して信号電流を供給する検査装置と
を電気的に接続するための接続端子を設ける工程を実施
例２と同様にして行って、第11図に示すように、補強用
基板34aとハンダ41により固定されたステンレス製針金4
0からなる接続端子とが設けられた、方法IIによる回路
基板Ｂに相当する回路基板42bを得た。

実施例４（方法III aによる回路基板Ａの製造） （１）第ｉの工程 基材を構成する感光性ガラス製基体として、実施例１
と同質、同一形状の化学切削性感光性ガラスを用い、前
記の基材を構成する探針形成用補助層の材料として、膜
厚が30μｍのシート状のネガ型フォトレジスト（商品
名：富士バンクスドライフィルムフォトレジストＡ−42
5、富士ハント電子工業（株）製）を用いて、以下の要
領で、化学切削性感光性ガラスから当該化学切削性感光
性ガラスの一表面上にネガ型フォトレジストによって形
成された探針形成用補助層に亘る柱状の微細導電体を複
数本、基材に設けた。

まず、感光性ガラス製基体である化学切削性感光性ガ
ラス（以下、感光性ガラス基体という）に複数の微細貫
通孔を設ける工程として、この感光性ガラス基体に、所
定のマスクを用いた露光処理（Hg−Xeランプを使用）、
約520℃で１時間の現像処理（熱処理）、５％フッ化水
素酸でのエッチング処理（酸処理）および純水でのリン
ス処理を施して、第12a図に示すように、開口径50μｍ
の微細貫通孔１を、感光性ガラス基体２の中央部付近に
80μｍ間隔で正方形状（一辺の長さは約9mm）に設け
た。また同時に、感光性ガラス基体２の縁部から5mmの
ところに、開口径500μｍの端子形成用貫通孔３を一定
間隔で複数個設けた。これらの端子形成用貫通孔３は、
各微細貫通孔１とそれぞれ一対一に対応している。

次に、各微細貫通孔１それぞれの内部に第１の柱状の
微細導電体を設ける工程として、まず、感光性ガラス基
体２に設けた各微細貫通孔１の内壁を、エポキシ樹脂系
接着剤をIPA（イソプロピルアルコール）に溶解させて
得た溶液（容量比で、エポキシ樹脂系接着剤/IPA＝1/3
0）でぬらした後、乾燥固化させて、第12b図に示すよう
に、各微細貫通孔１の内壁にエポキシ樹脂層４を設け
た。また同時に、各端子形成用貫通孔３の内壁にも同様
にしてエポキシ樹脂層４を設けた。このエポキシ樹脂層
４は、後述する無電解メッキにより析出する金属の感光
性ガラス基体２上への付着性を向上させるためのもので
ある。また、このエポキシ樹脂層４は、紫外線の透過性
に優れている。

次いで、エポキシ樹脂層４を設けた感光性ガラス基体
２に実施例２と同様の無電解Ni−Ｐメッキ（部分メッ
キ）処理を施して、第12c図に示すように、各微細貫通
孔１内のエポキシ樹脂層４上および各微細貫通孔１の開
口部近傍の感光性ガラス基体２表面にNi−Ｐ層5aを形成
して、各微細貫通孔１をNi−Ｐ層5aにより閉塞した。ま
た同時に、各端子形成用貫通孔３内のエポキシ樹脂層４
上および各端子形成用貫通孔３の開口部近傍の感光性ガ
ラス基体２表面に、各端子形成用貫通孔３を閉塞させる
ことなく、Ni−Ｐ層5bを形成した。

この後、各微細貫通孔１の開口部近傍の感光性ガラス
基体２表面に付着したNi−Ｐを、酸化セリウムからなる
研摩剤を用いて研摩除去し、洗浄を行って、第12d図に
示すように、各微細貫通孔１それぞれの内部に、感光性
ガラス基体２の厚さ方向の上面と実質的に同一の平面上
に一方の端面を有し前記基体２の厚さ方向の下面と実質
的に同一の平面上にもう一方の端面を有するNi−Ｐ柱状
体5c（第１の柱状の微細導電体）を設けた。また同様
に、第12d図に示すように、各端子形成用貫通孔３内
に、感光性ガラス基体２の厚さ方向の上面と実質的に同
一の平面上に一方の端面を有し前記基体２の厚さ方向の
下面と実質的に同一の平面上にもう一方の端面を有する
Ni−Ｐ中空円柱状体5dを設けた。

次に、感光性ガラス基体２の一表面に、前記第１の柱
状の微細導電体それぞれの一端面を露出させるための複
数の微細貫通孔を有する探針形成用補助層を設ける工程
として、まず、第12e図に示すように、感光性ガラス基
体２の一表面に、前述したシート状のネガ型フォトレジ
スト９を貼り付けた。

次いで、第12f図に示すように、ネガ型フォトレジス
ト９を貼り付けた感光性ガラス基体２の背面（ネガ型フ
ォトレジスト９を貼り付けた面の反対側の面）側より紫
外線Ｌを照射して、第１の柱状の微細導電体であるNi−
Ｐ柱状体5c、およびNi−Ｐ中空円柱状体5dをマスクとす
る露光処理を行い、ネガ型フォトレジスト９に露光部9a
および非露光部9bを形成した。

この後、露光部9aおよび非露光部9bが形成されたネガ
型フォトレジスト９をアルカリ系現像液により現像して
非露光部9bを除去し、第12g図に示すように、ネガ型フ
ォトレジスト９（露光部9a）に、第１の柱状の微細導電
体であるNi−Ｐ柱状体5cの一端面を露出させる微細貫通
孔11aを設けた。また同時に、ネガ型フォトレジスト９
（露光部9a）に、Ni−Ｐ中空円柱状体5dの一端面を露出
させる貫通孔11bを設けた。

本実施例４においては、微細貫通孔11aおよび貫通孔1
1bが設けられたネガ型フォトレジスト９（露光部9a）が
探針形成用補助層に相当し（以下、探針形成用補助層12
aという）、この探針形成用補助層12aと、エポキシ樹脂
層４およびNi−Ｐ柱状体5cならびにNi−Ｐ中空円柱状体
5dが設けられた感光性ガラス基体２とで基材13aを構成
している。

次に、探針形成用補助層12aの微細貫通孔11aそれぞれ
の内部に、第１の柱状の微細導電体であるNi−Ｐ柱状体
5cと一体化した第２の柱状の微細導電体を設ける工程と
して、まず、基材13aを120℃で30分間ベークした。

次いで、この基材13aに前述した無電解Ni−Ｐメッキ
処理と同様のメッキ処理を施して、探針形成用補助層12
aに設けられた微細貫通孔11a中に、第12h図に示すよう
に、Ni−Ｐ柱状体5cと一体化した第２の柱状の微細導電
体であるNi−Ｐ柱状体14aを析出させて、微細貫通孔11a
を閉塞した（以下、Ni−Ｐ柱状体5cとNi−Ｐ柱状体14a
との一体化物を、Ni−Ｐ柱状体15aという）。このと
き、Ni−Ｐ柱状体5cにおいてNi−Ｐ柱状体14aが設けら
れた側の端面に対向する端面には、このNi−Ｐ柱状体5c
と一体化したNi−Ｐ層14bが形成された。また同様に、N
i−Ｐ中空円柱状体5dの外周には、このNi−Ｐ中空円柱
状体5dと一体化したNi−Ｐ層14cが析出した（以下、Ni
−Ｐ中空円柱状体5dとNi−Ｐ層14bとの一体化物を、Ni
−Ｐ中空円柱状体15bという）。

なお、このときの無電解Ni−Ｐメッキ処理は、Ni−Ｐ
柱状体5cおよびNi−Ｐ中空円柱状体5dが自己触媒効果を
有していること、および探針形成用補助層12aであるネ
ガ型フォトレジスト９（露光部9a）へのNi−Ｐの析出を
防止する必要があることから、触媒付与は行わずに、活
性化、触媒活性化、無電解メッキの順で、無電解メッキ
における浸漬時間を約５時間とした以外は前述した無電
解メッキ処理と同じ条件で行った。無電解Ni−Ｐメッキ
処理は、微細貫通孔11aがNi−Ｐ柱状体14aにより閉塞さ
れていることが顕微鏡観察により確認された時点で終了
させた。

この無電解Ni−Ｐメッキ処理によってNi−Ｐ柱状体15
aを設けたことで、感光性ガラス基体２から探針形成用
補助層12aに亘る柱状の微細導電体が複数本、基材13aに
設けられたことになる。

この後、微細貫通孔11aがNi−Ｐ柱状体14aにより閉塞
された探針形成用補助層12aの表面を、酸化セリウムか
らなる研摩剤を用いて平らに研摩した。

（２）第iiの工程 次に、探針形成用補助層12aの一部または全部を除去
することにより、Ni−Ｐ柱状体15aそれぞれの一端を感
光性ガラス基体２の一表面よりも突出させて微小探針と
する第iiの工程として、感光性ガラス基体２から探針形
成用補助層12aに亘る柱状の微細導電体15aを複数本設け
た後の基材13aを10％苛性ソーダ溶液中に浸漬した。

これにより、探針形成用補助層12aであるネガ型フォ
トレジスト９（露光部9a）は全て剥離、除去された。

探針形成用補助層12aが剥離、除去された後の基材13a
の端面図を、第12i図に示す。

第12i図に示すように、探針形成用補助層12aが剥離、
除去されたことにより、Ni−Ｐ柱状体15aの一端は感光
性ガラス基体２の表面より30μｍ突出した。この、一端
が突出したNi−Ｐ柱状体15aが微小探針に相当する（以
下、微小探針20cという）。

この後、探針形成用補助層12aが剥離、除去された後
の基材13aを純水によりリンス処理し、さらに、第２の
柱状の微細導電体であるNi−Ｐ柱状体14aを設けた側の
感光性ガラス基体２表面より突出しているNi−Ｐ中空円
柱状体15bの突出部分を、酸化セリウムからなる研摩剤
を用いて研摩除去した。

（３）第iiiの工程 次に、前記の探針形成用補助層を形成した側とは反対
側の感光性ガラス基体２表面に、柱状の微細導電体（微
小探針20c）と電気的に接続する複数の導電部を当該複
数の導電部それぞれの一端が前記柱状の微細導電体（微
小探針20c）のいずれかと接続するようにして設ける第i
iiの工程として、まず、感光性ガラス基体２の表面より
突出しているNi−Ｐ層14b、およびNi−Ｐ中空円柱状体1
5bの突出部分を、酸化セリウムからなる研摩剤を用いて
研摩除去した。なお、突出部分を研磨除去した後のNi−
Ｐ中空円柱状体15bを、以下、Ni−Ｐ中空円柱状体15cと
いう。

次いで、実施例２と同様にして、Ni−Ｐ層14bを研磨
除去した側の感光性ガラス基体２表面上へのITO膜の成
膜、ITO膜上へのフォトレジスト層の形成、ITO膜上への
レジストパターンの形成、およびITO膜パターンの形成
を行って、第12j図に示すように、微小探針20cの一端と
電気的に接続するITO膜パターン21bを複数個、感光性ガ
ラス基体２表面に形成した。なお、各ITO膜パターン21b
は、微小探針20cの一端と電気的に接続するとともに、
この微小探針20cと一対一に対応している、端子形成用
貫通孔３内に設けたNi−Ｐ中空円柱状体15cとも電気的
に接続している。

この後、ITO膜パターン21bと微小探針20cとの間の電
気抵抗を低減させることを目的として、実施例２と同様
の無電解Ni−Ｐメッキ処理を行って、第12k図に示すよ
うに、ITO膜パターン21bの外周に厚さ２μｍのNi−Ｐ層
24を設けてなる２層構造の導電部25bを複数個、Ni−Ｐ
層14bを研磨除去した側の感光性ガラス基体２表面に設
けて、方法III aによる回路基板Ａに相当する回路基板2
9cを得た。

次に、感光性ガラス基体２表面上に半導体または絶縁
性物質からなる補強用基板を設ける工程を、以下の要領
で行った。

まず、補強用基板の材料として実施例２と同質、同一
形状の化学切削性感光性ガラス板を用い、この化学切削
性感光性ガラス板（以下、感光性ガラス板という）に、
第ｉの工程と同様にして、所定のマスクを使用しての露
光処理、現像処理（熱処理）、エッチング処理（酸処
理）およびリンス処理を施して、第13a図に示すよう
に、感光性ガラス板30の縁部から5mmのところに、開口
径500μｍの貫通孔31を一定間隔で複数個設けた。これ
らの貫通孔31は、第12a図に示した感光性ガラス基体２
に設けた各端子形成用貫通孔３とそれぞれ一対一に対応
している。

次いで、実施例２と同様にしてエポキシ樹脂層の形
成、無電解Ni−Ｐメッキ処理、および研摩処理を行っ
て、第13b図に示すように、各貫通孔31内に、感光性ガ
ラス板30の厚さ方向の上面と実質的に同一の平面上に一
方の端面を有し前記ガラス板30の厚さ方向の下面と実質
的に同一の平面上にもう一方の端面を有するNi−Ｐ中空
円柱状体33bを設けて、補強用基板34bを得た。

この後、実施例２と同様にして、補強用基板34bと回
路基板29cとのホットメルト型シート状接着剤を介して
の積層および固定、積層物の熱処理および冷却、ならび
にホットメルト型シート状接着剤に対する穿孔処理を行
って、第13c図に示すように、回路基板29cにおいて複数
の導電部25bを設けた側の感光性ガラス基体２表面に補
強用基板34bが固着された、方法III aによる回路基板Ａ
に相当する回路基板37cを得た。

次に、回路基板29cに設けられた複数の導電部25bのそ
れぞれに、当該導電部25bと検査対象の被検査回路パタ
ーンに対して信号電流を供給する検査装置とを電気的に
接続するための接続端子を設ける工程を実施例２と同様
にして行って、第14図に示すように、補強用基板34bと
ハンダ41により固定されたステンレス製針金40からなる
接続端子とが設けられた、方法III aによる回路基板Ａ
に相当する回路基板42cを得た。

実施例５（方法III bによる回路基板Ａの製造） （１）第ｉの工程 感光性ガラス製基体として、実施例４と同質、同一形
状の化学切削性感光性ガラスを用い、基材を構成する探
針形成用補助層の材料として、クロム（Cr）および液状
のポジ型フォトレジスト（紫外線硬化型、商品名：フォ
トマールEP、奥野製薬工業（株）製）を用いて、以下の
要領で、化学切削性感光性ガラスから当該化学切削性感
光性ガラスの一表面上にCrおよびポジ型フォトレジスト
によって形成された探針形成用補助層に亘る柱状の微細
導電体を複数本、基材に設けた。

まず、感光性ガラス製基体である化学切削性感光性ガ
ラス（以下、感光性ガラス基体という）に複数の微細貫
通孔を設ける工程として、この感光性ガラス基体に、実
施例４と同様の露光処理、現像処理（熱処理）、エッチ
ング処理（酸処理）およびリンス処理を施して、感光性
ガラス基体の中央部付近に、開口径50μｍの微細貫通孔
を80μｍ間隔で正方形状（一辺の長さは約9mm）に設け
た。また同時に、感光性ガラス基体の縁部から5mmのと
ころに、開口径500μｍの端子形成用貫通孔を一定間隔
で複数個設けた。

この後、実施例４と同様にして、感光性ガラス基体に
設けた各微細貫通孔の内壁にエポキシ樹脂層を設けた。
また同時に、各端子形成用貫通孔の内壁にも同様にして
エポキシ樹脂層を設けた。さらに、エポキシ樹脂層を設
けた感光性ガラス基体に、無電解メッキの浸漬時間を10
0分とした以外は実施例４と同様の無電解Ni−Ｐメッキ
（部分メッキ）処理を施して、各微細貫通孔内のエポキ
シ樹脂層上および各微細貫通孔の開口部近傍の感光性ガ
ラス基体表面に、各微細貫通孔を閉塞させることなく、
Ni−Ｐ層を形成した。また同時に、各端子形成用貫通孔
内のエポキシ樹脂層上および各端子形成用貫通孔の開口
部近傍の感光性ガラス基体表面に、各端子形成用貫通孔
を閉塞させることなく、Ni−Ｐ層を形成した。

そして、各微細貫通孔の開口部近傍の感光性ガラス基
体表面に付着したNi−Ｐを、酸化セリウムからなる研摩
剤を用いて研摩除去し、洗浄を行って、各微細貫通孔そ
れぞれの内部に、感光性ガラス基体の厚さ方向の上面と
実質的に同一の平面上に一方の端面を有し前記基体の厚
さ方向の下面と実質的に同一の平面上にもう一方の端面
を有するNi−Ｐ中空柱状層を設けた。また同様に、各端
子形成用貫通孔の開口部近傍の感光性ガラス基体表面に
付着したNi−Ｐを研摩除去し、洗浄を行って、各端子形
成用貫通孔内に、感光性ガラス基体の厚さ方向の上面と
実質的に同一の平面上に一方の端面を有し前記基体の厚
さ方向の下面と実質的に同一の平面上にもう一方の端面
を有するNi−Ｐ中空円柱状層を設けた。

次に、感光性ガラス基体の一表面に、複数の微細貫通
孔を有する１層または複数構造の探針形成用補助層であ
って、当該探針形成用補助層に設けられている前記複数
の微細貫通孔の各々がそれぞれ別個に前記の感光性ガラ
ス基体に設けられている前記複数の微細貫通孔のいずれ
かと連通している探針形成用補助層を設ける工程とし
て、まず、上記の感光性ガラス基体の一表面に、スパッ
タ法により膜厚0.1μｍのCr膜をした。Cr膜が成膜され
た感光性ガラス基体の端面図を第15a図に示す。

第15a図に示すように、複数の微細貫通孔１が設けら
れた感光性ガラス基体２の各微細貫通孔１内、および各
微細貫通孔１とそれぞれ一対一に対応して当該感光性ガ
ラス基体２に設けられた各端子形成用貫通孔３内には、
エポキシ樹脂層４が設けられている。各微細貫通孔１内
に設けられたエポキシ樹脂層４上には、Ni−Ｐ中空円柱
状層５が設けられている。また、各端子形成用貫通孔３
内に設けられたエポキシ樹脂層４上にも、Ni−Ｐ中空円
柱状層５が設けられている。そして、これらのエポキシ
樹脂層４およびNi−Ｐ中空円柱状層５が設けられた感光
性ガラス基体２の厚さ方向の一表面に、Cr膜８が成膜さ
れている。なお、エポキシ樹脂層４およびNi−Ｐ中空円
柱状層５が設けられた各微細貫通孔１の内壁、および各
端子形成用貫通孔３の内壁にCr粒子が付着することはな
い。

次いで、Cr膜８上に、前述した液状のポジ型フォトレ
ジストをロール・コート法により塗布した。このとき、
第15b図に示すように、各微細貫通孔１および各端子形
成用貫通孔３の内部にも、このポジ型フォトレジスト10
を充填した。

次いで、第15c図に示すように、ポジ型フォトレジス
ト10を塗布した感光性ガラス基体２の背面（ポジ型フォ
トレジスト10を塗布した面の反対側の面）側より紫外線
Ｌを照射して、Cr膜８をマスクとする露光処理を行い、
ポジ型フォトレジスト10に非露光部10aおよび露光部10b
を形成した。

この後、非露光部10aおよび露光部10bが形成されたポ
ジ型フォトレジスト10をアルカリ系現像液により現像し
て露光部10bを除去し、第15d図に示すように、微細貫通
孔１と連通する微細貫通孔11a、および端子形成用貫通
孔３と連通する貫通孔11bを設けた。

本実施例５においては、Cr膜８とポジ型フォトレジス
ト10の非露光部10aとが探針形成用補助層に相当し（以
下、探針形成用補助層12bという）、この探針形成用補
助層12bと、エポキシ樹脂層４およびNi−Ｐ中空円柱状
層５が設けられた感光性ガラス基体２とで基材13bを構
成している。なお、ポジ型フォトレジスト10（非露光部
10a）の膜厚は、30μｍである。

次に、感光性ガラス基体２の一表面に探針形成用補助
層12bを設けることによって当該感光性ガラス基体２か
ら前記の探針形成用補助層12bに亘って形成された複数
の微細貫通孔それぞれの内部に、感光性ガラス基体２か
ら探針形成用補助層12bに亘る柱状の微細導電体を設け
る工程として、この探針形成用補助層12bを設けた感光
性ガラス基体２に無電解Ni−Ｐメッキ処理（部分メッ
キ）を施した。このときの無電解Ni−Ｐメッキ処理は、
Ni−Ｐ中空円柱状層５が自己触媒効果を有しているこ
と、および探針形成用補助層12bを構成するポジ型フォ
トレジスト10の非露光部10aへのNi−Ｐの析出を防止す
る必要があることから、触媒付与は行わずに、活性化、
触媒活性化、無電解メッキの順で、無電解メッキにおけ
る浸漬時間を約3.5時間とした以外は実施例４における
無電解Ni−Ｐメッキ処理と同じ条件で行った。

この無電解Ni−Ｐメッキ処理により、第15e図に示す
ように、Ni−Ｐ中空円柱状層５を設けた後の微細貫通孔
１と探針形成用補助層12bに設けられた微細貫通孔11aと
からなる各微細貫通孔は、Ni−Ｐ中空円柱状層５と新た
に析出したNi−Ｐとが一体化してなるNi−Ｐ柱状体15d
により閉塞された。すなわち、感光性ガラス基体２から
探針形成用補助層12bに亘る柱状の微細導電体が複数
本、基材13b設けられた。このとき、Ni−Ｐ中空円柱状
層５が設けられた後の端子形成用貫通孔３と探針形成用
補助層12bに設けられた貫通孔11bとからなる各貫通孔内
には、Ni−Ｐ中空円柱状層５と新たに析出したNi−Ｐと
が一体化してなるNi−Ｐ中空円柱状体15eが形成され
た。

この後、Ni−Ｐ柱状体15dを設けた後の基材13b表面よ
り突出しているNi−Ｐを、酸化セリウムからなる研摩剤
を用いて研摩除去し、洗浄を行って、第15f図に示すよ
うに、Ni−Ｐ柱状体15dの両端面を、基材13bの表面と実
質的に同一の平面上にそれぞれ新たに形成した。このNi
−Ｐ柱状体を、Ni−Ｐ柱状体15fという。また、Ni−Ｐ
中空円柱状体15eの両端面も、同様にして、基材13bの表
面と実質的に同一の平面上にそれぞれ新たに形成した。
このNi−Ｐ中空円柱状体を、Ni−Ｐ中空円柱状体15gと
いう。

（２）第iiの工程 次に、探針形成用補助層12bの一部または全部を除去
することにより、Ni−Ｐ柱状体15fそれぞれの一端を感
光性ガラス基体２の一表面よりも突出させて微小探針と
する第iiの工程として、まず、Ni−Ｐ柱状体15fおよびN
i−Ｐ中空円柱状体15gを設けた後の基材13bを10％苛性
ソーダ溶液中に浸漬した。これにより、探針形成用補助
層12bを構成していたポジ型フォトレジスト10（非露光
部10a）は全て剥離、除去された。

次いで、ポジ型フォトレジスト10（非露光部10a）が
剥離、除去された後の基材13bを、硝酸第２セリウムア
ンモンと過塩素酸と水との4:1:19混液に浸漬した。これ
により、Cr膜８も全て剥離、除去された。

ポジ型フォトレジスト10（非露光部10a）およびCr膜
８が剥離、除去された、すなわち探針形成用補助層12b
が剥離、除去された後の基材13bの端面図を、第15g図に
示す。

第15g図に示すように、探針形成用補助層12bを構成し
ていたポジ型フォトレジスト10（非露光部10a）およびC
r膜８が剥離、除去されたことにより、Ni−Ｐ柱状体15f
の一端は感光性ガラス基体２の表面よりも約30μｍ突出
した。この、一端が突出したNi−Ｐ柱状体15fが、微小
探針に相当する（以下、微小探針20dという）。

（３）第iiiの工程 次に、探針形成用補助層12bが形成されていた側とは
反対側の感光性ガラス基体２の表面に、Ni−Ｐ柱状体15
f（微小探針20d）と電気的に接続する複数の導電部を当
該複数の導電部それぞれの一端が前記のNi−Ｐ柱状体15
f（微小探針20d）のいずれかに接続するようにして設け
る第iiiの工程として、ITO膜パターンの外周にNi−Ｐ層
を設けてなる２層構造の導電部を複数個、感光性ガラス
基体２表面に実施例４と同様にして設けて、方法III b
による回路基板Ａに相当する回路基板を得た。

実施例６（方法III bによる回路基板Ａの製造） （１）第ｉの工程 基材を構成する感光性ガラス製基体として、実施例４
と同質、同一形状の化学切削性感光性ガラスを用い、基
材を構成する探針形成用補助層の材料として、20mm×20
mm×30μｍのエポキシ樹脂薄板を用いて、以下の要領
で、化学切削性感光性ガラスから当該化学切削性感光性
ガラスの一表面上に前記のエポキシ樹脂薄板によって形
成された探針形成用補助層に亘る柱状の微細導電体を複
数本、基材に設けた。

まず、感光性ガラス製基体である化学切削性感光性ガ
ラス（以下、感光性ガラス基体という）に複数の微細貫
通孔を設ける工程として、実施例４と同様の露光処理、
現像処理（熱処理）、エッチング処理（酸処理）および
リンス処理を感光性ガラス基体に施して、第16a図に示
すように、開口径50μｍの微細貫通孔１を、感光性ガラ
ス基体２の中央部付近に80μｍ間隔で正方形状（一辺の
長さは約9mm）に設けた。また同時に、感光性ガラス基
体２の縁部から5mmのところに、開口径500μｍの端子形
成用貫通孔３を一定間隔で複数個設けた。これらの端子
形成用貫通孔３は、各微細貫通孔１とそれぞれ一対一に
対応している。

次に、感光性ガラス基体２の一表面に、複数の微細貫
通孔を有する１層または複層構造の探針形成用補助層で
あって、当該探針形成用補助層に設けられている前記複
数の微細貫通孔の各々がそれぞれ別個に前記の感光性ガ
ラス基体２に設けられている前記複数の微細貫通孔１の
いずれかと連通している探針形成用補助層を設ける工程
として、まず、前述したエポキシ樹脂薄板の中央部付近
に、開口径50μｍの微細貫通孔を、感光性ガラス基体２
における微細貫通孔１の配置と同一の配置で設けた。な
お、これらの微細貫通孔の穿孔は、レーザー光を用いて
行った。

次いで、第16b図に示すように、微細貫通孔11aが設け
られたエポキシ樹脂薄板（以下、探針形成用補助層12c
という）を、この探針形成用補助層12cに設けられた各
微細貫通孔11aが感光性ガラス基体２に設けられた各微
細貫通孔１とそれぞれ一対一で連通するように、エポキ
シ樹脂系接着剤（図示せず）を用いて感光性ガラス基体
２の一表面に固着させた。このときの微細貫通孔11aと
微細貫通孔１との位置合わせは、探針形成用補助層12c
と感光性ガラス基体２それぞれの所定の位置に予め付し
ておいたマーク（図示せず）同士を一致させることで行
った。

本実施例６においては、複数の微細貫通11aが設けら
れた探針形成用補助層12cと複数の微細貫通１が設けら
れた感光性ガラス基体２とで基材13cを構成している。

次に、感光性ガラス基体２の一表面に探針形成用補助
層12cを設けることによって当該感光性ガラス基体２か
ら前記の探針形成用補助層12cに亘って形成された複数
の微細貫通孔それぞれの内部に、感光性ガラス基体２か
ら探針形成用補助層12cに亘る柱状の微細導電体を設け
る工程として、まず、実施例４と同様にして、第16c図
に示すように、感光性ガラス基体２に設けた各微細貫通
孔１およびこれらの微細貫通孔１とそれぞれ連通する各
微細貫通孔11aの内壁に、エポキシ樹脂層４を設けた。
また同時に、感光性ガラス基体２に設けた各端子形成用
貫通孔３の内壁にも、同様にしてエポキシ樹脂層４を設
けた。

次いで、エポキシ樹脂層４を設けた基材13cに、実施
例４と同条件の無電解Ni−Ｐメッキ（部分メッキ）処理
を施して、第16d図に示すように、各微細貫通孔１およ
びこれらの微細貫通孔１とそれぞれ連通する各微細貫通
孔11aを閉塞するNi−Ｐ柱状体15dを設けた。また同時
に、各端子形成用貫通孔３を閉塞させることなく、Ni−
Ｐ中空円柱状体15eを設けた。

各微細貫通孔１およびこれらの微細貫通孔１とそれぞ
れ連通する各微細貫通孔11aを閉塞するNi−Ｐ柱状体15d
を設けたことで、感光性ガラス基体２から探針形成用補
助層12cに亘る柱状の微細導電体が複数本、基材13cに設
けられたことになる。

この後、Ni−Ｐ柱状体15dを設けた後の基材13c表面よ
り突出しているNi−Ｐを、酸化セリウムからなる研摩剤
を用いて研摩除去し、洗浄を行って、第16e図に示すよ
うに、Ni−Ｐ柱状体15dの両端面を、このNi−Ｐ柱状体1
5d周辺の基材13c表面と実質的に同一の平面上にそれぞ
れ新たに形成した。新たに両端面を形成したNi−Ｐ柱状
体を、Ni−Ｐ柱状体15fという。また、Ni−Ｐ中空円柱
状体15eの両端面も、同様にして、このNi−Ｐ中空円柱
状体15e周辺の基材13c表面と実質的に同一の平面上にそ
れぞれ新たに形成した。新たに両端面を形成したNi−Ｐ
中空円柱状体を、Ni−Ｐ中空円柱状体15gという。

（２）第iiの工程 次に、探針形成用補助層12cであるエポキシ樹脂薄板
の一部または全部を除去することにより、Ni−Ｐ柱状体
15fそれぞれの一端を感光性ガラス基体２の一表面より
も突出させて微小探針とする第iiの工程として、Ni−Ｐ
柱状体15fおよびNi−Ｐ中空円柱状体15gを設けた後の基
材13cをアセトンに浸漬した。

これにより、探針形成用補助層12cであるエポキシ樹
脂薄板は全て溶解、除去された。また同時に、微細貫通
孔11a内のエポキシ樹脂層（エポキシ樹脂層４の一
部）、および探針形成用補助層12cを固着するために用
いたエポキシ樹脂系接着剤も溶解、除去された。

探針形成用補助層12cが溶解、除去された後の基材13c
の端面図を、第16f図に示す。

第16f図に示すように、探針形成用補助層12cであるエ
ポキシ樹脂薄板が溶解、除去されたことにより、Ni−Ｐ
柱状体15fの一端は感光性ガラス基体２の表面より約30
μｍ突出した。この、一端が突出したNi−Ｐ柱状体15f
が、微小探針に相当する（以下、微小探針20dとい
う）。

（３）第iiiの工程 次に、探針形成用補助層12cが形成されていた側とは
反対側の感光性ガラス基体２の表面に、Ni−Ｐ柱状体15
f（微小探針20d）と電気的に接続する複数の導電部を当
該複数の導電部それぞれの一端が前記のNi−Ｐ柱状体15
f（微小探針20d）のいずれかに接続するようにして設け
る第iiiの工程として、ITO膜パターンの外周にNi−Ｐ層
を設けてなる２層構造の導電部を複数個、感光性ガラス
基体２表面に実施例４と同様にして設けて、方法III b
による回路基板Ａに相当する回路基板を得た。

実施例７（方法IVによる回路基板Ａの製造） まず、感光性ガラス製基体として実施例２と同質、同
一形状の化学切削性感光性ガラスを用い、この化学切削
性感光性ガラス（以下、感光性ガラス基体という）に複
数の微細貫通孔を設ける第Ｉの工程として実施例２と同
様の露光処理、現像処理（熱処理）、エッチング処理
（酸処理）およびリンス処理を施して、第17a図に模式
的に示すように、開口径50μｍの微細貫通孔１を感光性
ガラス基体２の中央部付近に80μｍ間隔で正方形状（一
辺の長さは約9mm）に設けた。また同時に、感光性ガラ
ス基体２の縁部から5mmのところに、開口径420μｍの端
子形成用貫通孔３を一定間隔で複数個設けた。これらの
端子形成用貫通孔３は、各微細貫通孔１とそれぞれ一対
一に対応している。

次に、各微細貫通孔１それぞれの内部に、少なくとも
一方の端面が感光性ガラス基体２の一表面と実質的に同
一平面上にある柱状の導電体をそれぞれ設ける第IIの工
程として、実施例２と同様にエポキシ樹脂層の形成、無
電解Ni−Ｐメッキ処理および研摩処理を施して、第17b
図に示すように、各微細貫通孔１それぞれの内部に、感
光性ガラス基体２の厚さ方向の上面と実質的に同一の平
面上に一方の端面を有し前記基体２の厚さ方向の下面と
実質的に同一の平面上にもう一方の端面を有するNi−Ｐ
柱状体5cを設けた。また同様に、第17b図に示すよう
に、各端子形成用貫通孔３内に、感光性ガラス基体２の
厚さ方向の上面と実質的に同一の平面上に一方の端面を
有し前記基体２の厚さ方向の下面と実質的に同一の平面
上にもう一方の端面を有するNi−Ｐ中空円柱状体5dを設
けた。なお、第17b図において第4d図と共通する部分に
は第4d図と同じ符号を付して、その説明を省略する。

次に、柱状の導電体（Ni−Ｐ柱状体5c）それぞれの一
端上にメッキ処理によって導電体を堆積させることによ
り、柱状の導電体の当該一端側を感光性ガラス基体２の
一表面よりも突出させて微小探針とする第IIIの工程と
して、まず、第17c図に示すように、Ni−Ｐ柱状体5cを
設けた感光性ガラス基体２の片面に、保護層として、ガ
ラスに対する付着強度の高いレジスト（商品名：富士バ
ンクスドライフィルム・フォトレジストＡ−425、富士
ハント電子工業（株）製）6bを貼り付けた。さらにこの
レジスト6bを貼り付けた面に対向する面側にあるNi−Ｐ
中空円柱状体5dの一端面上にも、第17c図に示すよう
に、この一端面を覆うようにレジスト6bと同質のレジス
ト6cを貼り付けた。

次いで、レジスト6bおよびレジルト6cを貼り付けた感
光性ガラス基体２に、実施例２と同様の触媒活性化と無
電解メッキとからなる無電解メッキ処理を約100分間施
して、Ni−Ｐ柱状体5cの露出していた一端面上およびそ
の周辺の感光性ガラス基体２表面上にNi−Ｐを堆積さ
せ、厚さ13μｍ、径77μｍのバンプ16を形成した。この
バンプ16は、Ni−Ｐ柱状体5cと一体化しており、一体化
したNi−Ｐ柱状体5cとバンプ16とで微小探針を形成して
いる（以下、微小探針20eという）。

次に、Ni−Ｐ柱状体5cそれぞれの一端側を上記のメッ
キ処理によって突出させた側とは反対側の感光性ガラス
基体２表面に、Ni−Ｐ柱状体5c（微小探針20e）と電気
的に接続する複数の導電部を当該複数の導電部それぞれ
の一端が前記Ni−Ｐ柱状体5c（微小探針20e）のいずれ
かと接続するようにして設ける第IVの工程として、ま
ず、レジスト6bおよび6cを剥離した。

次いで、実施例２における第４の工程と同様にして、
感光性ガラス基体２の一主表面へのITO膜の成膜、ITO膜
上へのフォトレジスト層の形成、ITO膜上へのレジスト
パターンの形成、およびITO膜パターンの形成を行っ
て、第17e図に示すように、微小探針20eの一端と電気的
に接続するとともに、端子形成用貫通孔３内に設けたNi
−Ｐ中空円柱状体5dとも電気的に接続しているITO膜パ
ターン21bを複数個、感光性ガラス基体２の一表面に設
けた。

これらのITO膜パターン21bが導電部に相当する。すな
わち本実施例７においては、複数の導電部として、ITO
膜パターン21bからなる１層構造の導電部を複数個、感
光性ガラス基体２の一表面に設けて、方法IVによる回路
基板Ａに相当する回路基板29dを得た。

実施例８（方法Ｉによる回路基板Ａの製造） まず、感光性ガラス製基体として実施例１と同質、同
一形状の化学切削性感光性ガラスを用い、この化学切削
性感光性ガラス（以下、感光性ガラス基体という）に複
数の微細貫通孔を設ける第１の工程として実施例１と同
様の露光処理、現像処理（熱処理）、エッチング処理
（酸処理）およびリンス処理を感光性ガラス基体に施し
て、第18a図に示すように、開口径80μｍの微細貫通孔
１を、感光性ガラス基体２の中央部付近に20μｍ間隔で
正方形状（一辺の長さは約9mm）に設けた。

次に、各微細貫通孔１それぞれの内部に柱状の導電体
を設ける第２の工程として、実施例１と同様にしてエポ
キシ樹脂層を形成した後、無電解メッキの析出時間を６
時間から２時間に変更した以外は実施例１と同様にして
無電解Ni−Ｐメッキ処理を施し、さらに実施例１と同様
の研摩処理を施して、第18b図に示すように、各微細貫
通孔１それぞれの内部に、感光性ガラス基体２の厚さ方
向の上面と実質的に同一の平面上に一方の端面を有し前
記基体２の厚さ方向の下面と実質的に同一の平面上にも
う一方の端面を有するNi−Ｐ中空円柱状体5hを設けた。

次に、Ni−Ｐ中空円柱状体5hを設けた後の感光性ガラ
ス基体２の表面部をエッチング除去することにより、Ni
−Ｐ中空円柱状体5hそれぞれの一端を感光性ガラス基体
２の一表面より突出させて微小探針とする第３の工程と
して、実施例１と同様にしてのビニールテープの貼付、
エッチング処理、ビニールテープの剥離、および感光性
ガラス基体２の洗浄を行って、第18c図に示すように、
微細貫通孔１内に設けられたNi−Ｐ中空円柱状体5hそれ
ぞれの一端を感光性ガラス基体２の一表面よりも突出さ
せた。この、一端が突出したNi−Ｐ中空円柱状体5hが、
微小探針に相当する（以下、微小探針20fという）。

次に、Ni−Ｐ中空円柱状体5hそれぞれの一端を突出さ
せた側とは反対側の感光性ガラス基体２の表面に、Ni−
Ｐ中空円柱状体5h（微小探針20f）と電気的に接続する
複数の導電部を当該複数の導電部それぞれの一端が前記
のNi−Ｐ中空円柱状体5h（微小探針20f）のいずれかに
接続するようにして設ける第４の工程として、実施例１
と同様にしてのITO膜の成膜、ITO膜上へのフォトレジス
ト層の形成、ITO膜上へのレジストパターンの形成、お
よびITO膜パターンの形成を行って、第18d図に示すよう
に、線幅が85μｍで微小探針20fの一端面上に端部を有
するITO膜パターン21cからなる１層構造の導電部を複数
個、感光性ガラス基体２の一表面に設けて、方法Ｉによ
る回路基板Ａに相当する回路基板29eを得た。

このとき、Ni−Ｐ中空円柱状体5hにおける開口面上に
は、ITO膜は成膜されていない。

このようにして得られた回路基板29eにおいて、ITO膜
パターン21cからなる導電部の端部と微小探針20fとの間
が電気的に導通しているか否かをテスターを用いて確認
したところ、電気抵抗23Ωで完全に導通していることが
確認された。

使用例 例えば実施例４で最終的に得られた回路基板42cをIC
チップ等の検査に使用するプローブアッセンブリーとし
て使用する場合、この回路基板42cは、例えば第19図に
模式的に示すように、まず、この回路基板42cを支持す
るための支持部材50に設けられた複数の貫通孔内に接続
端子であるステンレス製針金40の一端をそれぞれ挿入し
た状態で、溶融ハンダ51によりこの支持部材50に固定さ
れる。

支持部材50は回路基板42cよりも大形のガラス・エポ
キシ板からなり、ステンレス製針金40が挿入される各貫
通孔は、回路基板42cに設けられたステンレス製針金40
にそれぞれ一対一に対応して所定の位置に設けられてい
る。また各貫通孔の内壁には、これらの貫通孔と一対一
に対応して支持部材50の縁部に設けられた接続端子52と
電気的に導通する回路パターン53の一端が配設されてい
る。なお各接続端子52は、プローブアッセンブリー・テ
スターヘッド54に設けられた複数の接続端子55とそれぞ
れ一対一に対応して所定の位置に設けられている。ま
た、支持部材50の中央部には開口部56が設けられてい
る。

この後、支持部材50に固定された回路基板42cは、第1
9図に模式的に示したように、支持部材50に設けられた
各接続端子52がプローブアッセンブリー・テスターヘッ
ド54に設けられた各接続端子55とそれぞれ電気的に接続
し、かつ回路基板42cに設けた各微小探針20cの先端が被
検査基板57上の検査回路58にそれぞれ接触するように配
置されて使用される。ここで、回路基板42cを構成する
ステンレス製針金40、ハンダ41、導電部25b、および微
小探針20cは、支持部材50に設けられた接続端子52、回
路パターン53、および溶融ハンダ51とともに、プローブ
アッセンブリー・テスターヘッド54（接続端子55）と被
検査基板57上に設けられた検査回路58との間で、検査用
の信号電流が流れる回路の一部として機能する。

本発明は、以上説明した実施例１〜実施例８に限定さ
れるものではなく、下記の変形例や応用例を含むもので
ある。

まず、本発明で用いる感光性ガラス製基体の形状は特
に限定されるものではなく、円板状等、適宜変形可能で
ある。

なお、感光性ガラス製基体以外に、アルミノボロシリ
ケートガラスや石英ガラス等の各種のガラスや、無機絶
縁体あるいは無機半導体、すなわち、アルミナ焼結体、
PLZT、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸タンタル、水晶、リ
ン酸アルミニウム、シリコン等の多結晶体、単結晶体ま
たは非晶質体等からなる基体や、有機半導体からなる基
体を用いることもできる。

感光性ガラス製基体に微細貫通孔を設ける方法として
は、実施例１〜実施例８で説明したフォトリソグラフィ
ー法の他に、他の手法によるフォトリソグラフィー法、
放電加工、印刷法、切削加工法等を適用することができ
る。基体としてセラミックスを用いる場合は、グリーン
シートの段階で複数の微細貫通孔を設けてから焼結する
方法を適用することもできる。

感光性ガラス製基体の材質や形状、およびこの感光性
ガラス製基体に微細貫通孔を設ける方法は、目的とする
微小探針を有する回路基板に要求される微小探針の大き
さおよび数、微小探針の配置精度、回路基板の用途およ
びその使用環境等に応じて、適宜選択される。微細な微
小探針（例えば探針径が300μｍ以下の微小探針）を高
い精度の下に多数配置する場合には、実施例で説明した
ように、フォトリソグラフィー法により微細貫通孔を形
成することが特に好ましい。

感光性ガラス製基体に設けた微細貫通孔内に柱状の導
電体を設けるにあたっては、実施例１〜実施例８で用い
た無電解Ni−Ｐメッキの他、Co,Ni,Cu,Pd,Ag,Pt,Au等の
導電性金属を無電解メッキ処理してもよく、またこれら
の金属とB,N,P,V,Mn,Fe,Zn,Mo,Sn,W,Re,Tl等とを含有す
るものを無電解メッキ処理してもよい。また、上述した
ものを途中まで無電解メッキ処理した後に適当なリード
線を形成して、電解メッキ処理にてAu,Ag,Pt,Cr,Cu,Ni,
Co等を析出させてもよい。

さらに、感光性ガラス製基体に設けた微細貫通孔に溶
融ハンダを流し込む方法や、導電性樹脂（導電性接着
剤）を流し込む方法等を適用することもできる。溶融ハ
ンダあるいは導電性樹脂を流し込む方法によれば、感光
性ガラス製基体に設けた微細貫通孔内に容易に柱状の導
電体を設けることができる。

このとき、前述した複数の導電部を設ける側の感光性
ガラス製基体表面に予めテープ等を貼り付けておくこと
により、研摩処理を施さなくとも、感光性ガラス製基体
の一表面と実質的に同一の平面上に一端を有する柱状の
導電体を形成することができる。

なお、実施例１〜実施例８では、前述した複数の導電
部のいずれかと電気的に接続する側の微小探針の一端面
または柱状の導電体の一端面を、感光性ガラス製基体の
一表面と実質的に同一の平面上に設けたが、これらの端
面は必ずしも感光性ガラス製基体表面と実質的に同一の
平面上に設けなくてもよく、実質的に同一の平面より突
出していてもよい。すなわち、微小探針または柱状の導
電体において前記の導電部と接続する一端面は、前記の
導電部が形成できる程度であれば、感光性ガラス製基体
表面から突出していてもよい。

また実施例１〜実施例８では、無電解メッキにより析
出する金属の感光性ガラス基体上への付着性を向上させ
るために、前記の感光性ガラス基体に設けた各微細貫通
孔の内壁にエポキシ樹脂層を設けたが、エポキシ樹脂に
代えてフォトレジストまたはアルコキシド等の、感光性
ガラス製基体との密着性のよい材料や、これらの材料に
Pd,Au,Pt等の触媒金属粉末を分散含有させたものを用い
ても同様の効果が得られる。無電解メッキ処理の方法や
感光性ガラス製基体の材質によっては、樹脂層等を設け
なくとも、感光性ガラス製基体に設けた微細貫通孔内に
柱状の導電体を設けることができる。

感光性ガラス製基体に設けた柱状の導電体の一端を、
この感光性ガラス製基体の表面部をエッチング除去する
ことにより当該感光性ガラス製基体の一表面よりも突出
させて微小探針とするにあたっては、実施例１〜実施例
３では柱状のNi−Ｐを設けた後の感光性ガラス製基体を
フッ化水素酸に浸漬することにより当該感光性ガラス製
基体の表面部をエッチング除去したが、浸漬法の他に、
スプレー法、RIE（反応性エッチング）やプラズマエッ
チング等のドライエッチング等によっても感光性ガラス
製基体の表面部をエッチング除去することができる。こ
のときのエッチング液は、感光性ガラス製基体の材質等
に応じて適宜選択される。

ここで、方法IIに基づいて微小探針を形成するにあた
っては、第20図に示すように、微小探針20bの径をｄ、
微小探針20bの突出長をＬ、感光性ガラス基体２表面に
おける突起部の差渡し径をαとしたときに、Ｌ≦（α−
ｄ）/2とすることが好ましい。なお、第20図において第
11図と共通する部分には第11図と同じ符号を付して、そ
の説明を省略する。

また、方法IIIにおいては、感光性ガラス製基体の表
面部をエッチング除去することなく微小探針を形成する
ために探針形成用補助層を用いるが、この探針形成用補
助層の材質は、感光性ガラス製基体からこの探針形成用
補助層に亘る柱状の微細導電体を設けるための微細貫通
孔を設けることができ、かつ、前記柱状の微細導電体を
設けた後に、この柱状の微細導電体の支持を不確かとす
ることなく、その一部または全部を除去することができ
るものであればよい。具体的には、実施例４〜実施例６
で用いたネガ型フォトレジスト、ポジ型フォトレジス
ト、およびエポキシ樹脂薄板の他、電子線レジスト、ポ
リイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂等の各
種樹脂の薄板や、感光性ガラス、セラミックス等を用い
ることができる。

探針形成用補助層に微細貫通孔を設ける方法として
は、実施例４および実施例５で適用したフォトリソグラ
フィー法、実施例６で適用したレーザー光を用いた方法
の他に、感光性ガラス製基体に微細貫通孔を設ける方法
と同様の方法等を適用することができる。

なお、探針形成用補助層の材料としてフォトレジスト
を用いた実施例４および実例例５では、フォトレジスト
を露光するための紫外線を感光性ガラス基体２の背面か
ら照射したが、例えば第21図に示すように、感光性ガラ
ス基体２の一表面に設けたネガ型フォトレジストの上方
に、Ni−Ｐ柱状体5cの端面に対応する部位にCr膜59を設
けた透光性基板60を配置し、この透光性基板60をマスク
として感光性ガラス基体２の正面（フォトレジストを設
けた側）から紫外線Ｌを照射することにより、ネガ型フ
ォトレジストに露光部9aと非露光部9bとを形成してもよ
い。また、Ni−Ｐ柱状体5cの端面に対応する部位以外の
部位にCr膜を設けた透光性基板をマスクとして使用する
ことにより、ポジ型フォトレジストを用いて正面から露
光することもできる。ここで、遮光膜として従来より使
用されているMoSi₂、Ta、Ti、Si等の薄膜を、Cr膜に代
えて用いてもよい。なお、第21図において第12f図と共
通する部分には第12f図と同じ符号を付してその説明を
省略する。

探針形成用補助層の材料およびこの探針形成用補助層
に微細貫通孔を形成する方法は、目的とする微小探針を
有する回路基板に要求される微小探針の大きさおよび
数、微小探針の配置精度等に応じて、適宜選択される。

なお、探針形成用補助層として機械的強度に比較的優
れた材料を用いた場合は、感光性ガラス製基体と探針形
成用補助層とを機械的に密着させることにより、感光性
ガラス製基体に探針形成用補助層を設けてもよい。

探針形成用補助層の厚さは、第iiの工程においてその
全てを除去することを前提とする場合は、微小探針の感
光性ガラス製基体からの突出長に応じて適宜選択され
る。実施例４〜実施例６においては、感光性ガラス製基
体から探針形成用補助層に亘る柱状の微細導電体の一端
面を、探針形成用補助層の表面とほぼ同一の平面上に形
成したが、探針形成用補助層の表面より突出していて
も、あるいは探針形成用補助層の表面より窪んでいても
よい。

また、第iiの工程においてその一部を除去することを
前提とする場合は、微小探針の基材からの突出長よりも
厚くする。

探針形成用補助層の一部を除去することにより、感光
性ガラス製基体から探針形成用補助層に亘って設けた柱
状の微細導電体の一端を感光性ガラス製基体の一表面よ
り突出させる方法としては、例えば、微細貫通孔および
端子形成用貫通孔も含めて、実施例４において用いた感
光性ガラス基体２と全く同じ形状の感光性ガラスを探針
形成用補助層とし、この探針形成用補助層と感光性ガラ
ス基体２とを、それぞれに設けた微細貫通孔同士を連通
させて固着させ、実施例６と同様にして感光性ガラス製
基体から探針形成用補助層に亘る柱状の微細導電体を設
けた後に、探針形成用補助層である感光性ガラスの表面
部を所望の厚さだけエッチング除去する方法が挙げられ
る。この場合、無電解メッキ処理の処理時間が実施例４
あるいは実施例６と同じで、微小探針の支持は実施例４
あるいは実施例６のそれよりも確実なものとなる。

なお、探針形成用補助層に設ける微細貫通孔の口径
は、実施例５からも明らかなように、感光性ガラス製基
体に設けられる柱状の微細導電体の径より小さくてもよ
い。探針形成用補助層に設ける微細貫通孔の口径が大き
すぎると、最終的に得られる複数の微小探針において、
隣り合う微小探針の先端部同士が接触するおそれが生じ
る。

また、実施例４〜実施例６では、第ｉの工程を経た基
材を所定の液に浸漬することにより探針形成用補助層を
除去したが、浸漬法の他に、スプレー法、RIE（反応性
エッチング）やプラズマエッチング等のドライエッチン
グ等によっても、探針形成用補助層を除去することがで
きる。

また、方法IVにおいては、感光性ガラス製基体の表面
部をエッチング除去することなく微小探針を形成するた
めに、感光性ガラス製基体の一表面と実質的に同一平面
上に一端を形成した柱状の導電体の該一端上にメッキ処
理により導電体を堆積させて微小探針とするが、このと
きのメッキ処理としては、微細貫通孔内に柱状の導電体
を無電解メッキおよび／または電解メッキにより設ける
場合と同様の処理を適用することができる。ここで、柱
状の導電体の材質とこの柱状の導電体の一端上に堆積さ
せる導電体の材質とは、同じであってもよいし、異なっ
ていてもよい。

このようにしてなる微小探針と電気的に接続する導電
部の材料は、実施例１〜実施例８で用いたITOおよびNi
−Ｐに限定されるものではなく、Cr、Au、Ag、Cu、Ni等
の導電性物質から適宜選択することができる。

前述した導電部と当該導電部に電気的に接続されてい
る微小探針または柱状の導電体との間の電気抵抗は、実
施例２や実施例４のように、ITO膜パターンの外周に厚
さ１〜５μｍのNi−Ｐ層を設けることにより、より小さ
くすることができる。さらに、このNi−Ｐ層を酸化から
保護するために、Ni−Ｐ層を金により被覆してもよく、
金による被覆は、無電解メッキ法あるいは電解メッキ法
を用いて常法により行うことができる。したがって前記
の導電部の構造も、１層構造、２層構造および３層構造
の中から適宜選択することができ、さらには４層以上の
多層構造としてもよい。

このような導電部は、フォトリソグラフィー法、無電
解メッキ法、および電解メッキ法の他に、スクリーン印
刷法やオフセット印刷法等の方法により形成してもよ
い。

なお、実施例３からの明らかなように、前述した複数
の導電部は、必ずしも微小探針を形成した後に形成しな
ければならないものではなく、微小探針となる前の柱状
の導電体を得た後に電気回路パターン（前記複数の導電
部）を形成し、この後、柱状の導電体の一端を基体表面
よりも突出させて微小探針としてもよい。

回路基板Ａおよび回路基板Ｂにおいて補強用基板は必
ずしも必要な部材ではないが、補強用基板を設ける場合
には、方法Ｉ〜方法IVにおいて補強用基板を設ける工程
が追加される。

補強用基板の材料としては、所望の機械的強度を有す
る半導体または絶縁性物質であれば特に限定されず、無
機物であっても有機物であってもよい。このとき、補強
用基板の材質は感光性ガラス製基体の材質と異なってい
てもよい。補強用基板の形状は特に限定されるものでは
なく、回路基板としての機械的強度を向上させることが
でき、かつ基板に生じる歪みを抑制することができる形
状であれば、例えば十字状等、種々の形状にすることが
できる。

感光性ガラス製基体と補強用基板とを固着させるにあ
たっては、実施例２〜実施例４で用いたホットメルト型
シート状接着剤の他に、各種絶縁性接着剤、半田ガラ
ス、両面テープ等を用いることができ、その他、熱融
着、ボルト締め等によっても固着させることができる。

また、回路基板Ａおよび回路基板Ｂにおいて接続端子
は必ずしも最初から設けておく必要はないが、接続端子
を設ける場合には、方法Ｉ〜方法IVにおいて接続端子を
設ける工程が追加される。

接続端子を付設する場合、接続端子の構造は特に限定
されるものではなく、微小探針を有する回路基板に設け
た前記複数の導電部と外部装置とを電気的に接続するこ
とができさえすれば、いかなる構造の接続端子であって
もよく、その形成方法も適宜選択することができる。

例えば第22図に示すように、補強用基板として、感光
性ガラス基体２よりも小さく、かつ接続端子挿入用の複
数の穴を有する補強用基板30aを用い、この補強用基板3
0aに設けた接続端子挿入用の各穴に接続端子としてピン
61の一端を挿入して、ピン61に設けたストッパー62を補
強用基板30a上に接着剤63により固着させ、固着された
ピン61と基体２の表面に設けた電気回路パターン25aと
を、ワイヤ64を介して電気的に接続することにより、接
続端子を付設してもよい。このときの導電部25aとピン6
1とのワイヤ64を介しての電気的な接続は、ワイヤ64の
一方の端部を導電部25a上にハンダ65aにより固定し、ワ
イヤ64の他方の端部をストッパー62上にハンダ65bによ
り固定することにより行うことができる。

この場合には、感光性ガラス基体２に端子形成用貫通
孔を設ける必要はない。なお、第22図において第11図と
共通する部分には第11図と同じ符号を付してその説明を
省略する。

あるいはまた、第23図に示すように、実施例２〜実施
例４で用いたステンレス製針金40に代えてポゴピン70を
用いてもよい。

このポゴピン70は、開口部が設けられた底部を有する
中空円柱状の導電性金属製ピン71と、一端をピン71の内
壁に接触させた状態でこのピン71の底部に設けられた開
口部を遊嵌する垂直断面がＩ字状ないしＨ字状の導電性
金属製端子72と、この導電性金属製端子72のピン71内の
端面とピン71の内壁の所定の位置に設けられたストッパ
ー73との間に配されたバネ74とを備え、導電部25bとフ
レキシブルに接するものである。

この場合にも、感光性ガラス基体２に端子形成用貫通
孔を設ける必要はない。なお、第23図において第7b図と
共通する部分には第7b図と同じ符号を付してその説明を
省略する。

なお、本発明の回路基板Ａおよび／または回路基板Ｂ
を、ICチップ等の検査に使用するプローブアッセンブリ
ーのように作業用の開口部が求められる用途に使用する
場合には、第24a図および第24b図に示すように、予め作
業用の開口部77を設けておいてもよい。この場合の作業
用の開口部は、この開口部内に管等を挿入し、この管等
に供給されたインク等により、検査の結果不良品と判断
された被検査基板に印を付けるために使用される。な
お、第24a図において第7b図と共通する部分には第7b図
と同じ符号を付して、その説明を省略する。また、第24
b図において第22図と共通する部分には第22図と同じ符
号を付して、その説明を省略する。

作業用の開口部を有する回路基板Ａまたは回路基板Ｂ
は、感光性ガラス製基体として作業用の開口部が設けら
れたものを用いる他に、工程として、感光性ガラス製基
体、基材、あるいは得られた微小探針を有する回路基板
中に作業用の開口部を設ける工程が加えられた方法Ｉ〜
方法IVにより得ることができる。補強用基板を付設する
場合には、補強用基板として作業用の開口部を設けた絶
縁性物質または半導体を用いる他に、補強用基板に作業
用の開口部を設ける工程を方法Ｉ〜方法IVに加えて得も
よい。

感光性ガラス製基体、補強用基板、基材、あるいは補
強用基板を設けた回路基板に作業用の開口部を設けるに
あたっては、エッチング、レーザー加工、ケミカルドリ
ル等の公知の手段を適用することができる。

本発明の回路基板Ａおよび／または回路基板Ｂが得ら
れる本発明の方法Ｉ〜方法IVにおける工程順は、最終的
に回路基板Ａおよび／または回路基板Ｂが得られさえす
れば、実施例１〜実施例８で示した工程順に限定される
ものではない。

例えば前述した複数の導電部の形成は、柱状の導電体
または柱状の微細導電体を微小探針とする前であっても
後であってもよい。また、柱状の導電体または柱状の微
細導電体を微小探針とする工程は、補強用基板を設ける
工程の後であってもよく、さらには接続端子を形成する
工程の後であってもよい。回路基板Ｂを製造するにあた
って行う、感光性ガラス製基体表面の所定箇所を突起さ
せる工程は、感光性ガラス製基体に微細貫通孔を設けた
直後に行ってもよいし、この微細貫通孔内に柱状の導電
体を形成した後に行ってもよい。

なお、微細貫通孔に代えて微細溝を基体端面に設け、
この微細溝内に柱状の導電体を設けた後に、柱状の導電
体の一端を感光性ガラス製基体表面より突出させて微小
探針とすることもできる。このときの感光性ガラス製基
体端面とは、感光性ガラス製基体が開口部を有する場合
には、この開口部の内壁をも含む。このような微細溝
は、微細貫通孔と同様の方法により設けることができ
る。また、微細溝内への柱状の導電体の形成も、微細貫
通孔内への柱状の導電体の形成と同様の方法により行う
ことができる。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の微小探針を有する回路
基板は、感光性ガラス製基体を使用しているため、この
感光性ガラス製基体に設けられている微小探針の位置精
度は、感光性ガラス製基体の熱膨張率が比較的小さいこ
とから、外部環境の熱的変動に対しても比較的安定して
いる。すなわち、微小探針の位置精度の信頼性が高い。

また、本発明の微小探針を有する回路基板は、本発明
の微小探針を有する回路基板の製造方法により、微小探
針となる部材を手作業により感光性ガラス製基体上の所
定の位置に固定させる工程を経ることなく得ることがで
きる。

したがって本発明を実施することにより、プローブカ
ードとしても利用可能な微小探針を有する回路基板であ
って、微小探針の位置精度の信頼性が高く、被検査基板
の高密度化（高集積化）に対しても容易に対応すること
が可能な微小探針を有する回路基板を提供することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第1a図〜第1l図は方法Ｉに基づいて回路基板Ａを製造す
る際の各工程の一例を模式的に示す端面図、第２図は第
1l図に示した回路基板Ａの中央部付近の上面を模式的に
示す拡大図、第３図は回路基板Ａの微小探針および導電
部の一例を模式的に示す端面図、第4a図〜第4o図は方法
Ｉに基づいて回路基板Ａを製造する際の各工程の他の一
例を模式的に示す端面図、第5a図は実施例２で得られた
回路基板Ａを模式的に示す上面図、第5b図は第5a図に示
した回路基板Ａの中央部付近の上面を模式的に示す拡大
図、第6a図〜第6g図は第4o図に示した回路基板Ａに補強
用基板を設ける際の各工程の一例を模式的に示す端面
図、第7a図〜第7b図は第6g図に示した回路基板Ａに接続
端子を設ける際の各工程の一例を模式的に示す端面図、
第8a図〜第8c図は方法IIにより回路基板Ｂを得る際の導
電部形成までの各工程の一例を模式的に示す端面図、第
9a図〜第9c図は第8c図に示した感光性ガラス製基体に補
強用基板を設ける際の各工程の一例を模式的に示す端面
図、第10a図〜第10f図は方法IIに基づいて微小探針を形
成する各工程の一例を模式的に示す端面図、第11図は第
10f図に示した回路基板に接続端子を設けてなる回路基
板Ｂの一例を模式的に示す端面図、第12a図〜第12k図は
方法III aに基づいて回路基板Ａを得る際の各工程の一
例を模式的に示す端面図、第13a図〜第13c図は第12k図
に示した回路基板Ａに補強用基板を設ける際の各工程の
一例を模式的に示す端面図、第14図は第13c図に示した
回路基板に接続端子を設けてなる回路基板Ａの一例を模
式的に示す端面図、第15a図〜第15g図は方法III bに基
づいて回路基板Ａを得る際の微小探針形成までの各工程
の一例を模式的に示す端面図、第16a図〜第16f図は方法
III bに基づいて回路基板Ａを得る際の微小探針形成ま
での各工程の他の一例を模式的に示す端面図、第17a図
〜第17e図は方法IVに基づいて回路基板Ａを得る際の各
工程の一例を模式的に示す端面図、第18a図〜第18d図は
方法Ｉに基づいて回路基板Ａを得る際の各工程の他の一
例を模式的に示す端面図、第19図は回路基板ＡをICチッ
プ等の検査に使用するプローブアッセンブリーとして使
用する際の一例を模式的に示す端面図、第20図は方法II
に基づいて形成した微小探針を模式的に示す拡大図、第
21図は方法III aに基づいて回路基板Ａを得る際の探針
形成用補助層に微細貫通子を設ける他の一法を模式的に
示す端面図、第22図は補強用基板および接続端子を設け
た回路基板Ｂの他の一例を模式的に示す端面図、第23図
は接続端子としてポゴピンを設けた回路基板Ａの一例を
模式的に示す端面図、第24a図は作業用の開口部を設け
た回路基板Ａの一例を模式的に示す端面図、第24b図は
作業用の開口部を設けた回路基板Ｂの一例を模式的に示
す端面図、第25図は方法Ｉに基づいて形成された微小探
針の端面の一例を模式的に示す拡大図、第26a図は従来
のプローブカードの微小探針部分の一例を模式的に示す
端面図、第26b図は第26a図に示したプローブカードの中
央部付近を模式的に示す上面図である。 １……微小貫通孔、２……感光性ガラス基体、5c……柱
状の導電体、12a……方法III aに基づく探針形成用補助
層、12b、12c……方法III bに基づく探針形成用補助
層、13a……方法III aに基づく基材、13b、13c……方法
III bに基づく基材、15a……方法III aに基づく柱状の
微細導電体、15d……方法III bに基づく柱状の微細導電
体、16……バンプ、20a……方法Ｉに基づく微小探針、2
0b……方法IIに基づく微小探針、20c……方法III aに基
づく微小探針、20d……方法III bに基づく微小探針、20
e……方法IVに基づく微小探針、25a……１層構造の導電
部、25b……２層構造の導電部、29a、29b、29e……方法
Ｉによる回路基板Ａ、29c……方法III aによる回路基板
Ａ、29d……方法IVによる回路基板Ａ、34a、34b……補
強用基板、37a……補強用基板を設けた方法Ｉによる回
路基板Ａ、37b……補強用基板を設けた方法IIによる回
路基板Ｂ、37c……補強用基板を設けた方法III aによる
回路基板Ａ、40……ステンレス製針金（接続端子）、42
a……補強用基板および接続端子を設けた方法Ｉによる
回路基板Ａ、42b……補強用基板および接続端子を設け
た方法IIによる回路基板Ｂ、42c……補強用基板および
接続端子を設けた方法III aによる回路基板Ａ、61、70
……接続端子、

フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願平2−231697 (32)優先日 平成２年８月31日(1990．8．31) (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (56)参考文献 特開 昭49−91582（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−189949（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−7632（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−127633（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−207730（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−4042（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−141681（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−296535（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−224555（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−234853（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−35259（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−208237（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−293566（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−51535（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−210846（ＪＰ，Ａ) 実開 昭54−59267（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭61−179747（ＪＰ，Ｕ) 実公 昭50−1314（ＪＰ，Ｙ１) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/66 G01R 31/26 G01R 1/073

Claims (14)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】複数の微細貫通孔を有する感光性ガラス製
   基体と、前記複数の微細貫通孔のそれぞれに設けられた
   柱状の導電体からなる微小探針と、該微小探針に電気的
   に接続する複数の導電部と、を少なくとも備え、 前記の微小探針のそれぞれは、前記の感光性ガラス製基
   体の一表面よりも一端を突出させた状態で設けられてお
   り、 前記微小探針の一端が突出している側の前記感光性ガラ
   ス製基体表面のうち、前記の微小探針それぞれの周辺の
   該感光性ガラス製基体表面が突起しており、 前記複数の導電部それぞれの一端は、前記の微小探針の
   いずれかに接続されており、かつ、該複数の導電部の各
   々が前記微小探針の一端が突出している側とは反対側の
   感光性ガラス製基体表面に設けられている、 ことを特徴とする、微小探針を有する回路基板。
2. 【請求項２】前記複数の導電部が設けられている側の前
   記感光性ガラス製基体表面に、半導体または絶縁性物質
   からなる補強用基板が固着されている、請求項（１）記
   載の微小探針を有する回路基板。
3. 【請求項３】前記複数の導電部のそれぞれに、該導電部
   と検査対象の被検査回路パターンに対して信号電流を供
   給する検査装置とを電気的に接続するための接続端子が
   接続されている、請求項（１）または（２）記載の微小
   探針を有する回路基板。
4. 【請求項４】感光性ガラス製基体に複数の微細貫通孔を
   設ける第１の工程と、 前記複数の微細貫通孔それぞれの内部に柱状の導電体を
   設ける第２の工程と、 該柱状の導電体を設けた後の前記感光性ガラス製基体の
   表面部をエッチング除去することにより、前記柱状の導
   電体それぞれの一端を前記の感光性ガラス製基体の一表
   面よりも突出させて微小探針とする第３の工程と、 を含み、更に、前記第２の工程と前記第３の工程との間
   に行われる工程として、または、前記第３の工程の後に
   行われる工程として、 前記柱状の導電体それぞれの一端を突出させようとする
   側は反対側の感光性ガラス製基体表面に、または、前記
   柱状の導電体それぞれの一端を突出させた側とは反対側
   の感光性ガラス製基体表面に、前記柱状の導電体と電気
   的に接続する複数の導電部を該複数の導電部それぞれの
   一端が前記柱状の導電体のいずれかに接続するようにし
   て設ける第４の工程 を含むことを特徴とする、微小探針を有する回路基板の
   製造方法。
5. 【請求項５】前記第３の工程の前に行われる工程とし
   て、 前記柱状の導電体それぞれの一端を突出させようとする
   側の前記感光性ガラス製基体表面について、前記複数の
   微細貫通孔それぞれの周辺の該感光性ガラス製基体表
   面、または、前記柱状の導電体それぞれの周辺の該感光
   性ガラス製基体表面を突起させる工程 を含む、請求項（４）記載の微小探針を有する回路基板
   の製造方法。
6. 【請求項６】感光性ガラス製基体と該感光性ガラス製基
   体の一表面に設けられた１層または複層構造の探針形成
   用補助層とを有する基材に、前記の感光性ガラス製基体
   から前記の探針形成用補助層に亘る柱状の微細導電体を
   複数本設ける第ｉの工程と、 前記柱状の微細導電体を複数本設けた後の前記の基材か
   ら前記の探針形成用補助層の一部または全部を除去する
   ことにより、前記柱状の微細導電体それぞれの一端を前
   記探針形成用補助層の一部を除去した後の前記の基材の
   一表面または前記感光性ガラス製基体の一表面よりも突
   出させて微小探針とする第iiの工程と、を含み、更に、
   前記第ｉの工程と前記第iiの工程との間に行われる工程
   として、または、前記第iiの工程の後に行われる工程と
   して、 前記の探針形成用補助層が形成されている側とは反対側
   の感光性ガラス製基体表面に、または、前記の探針形成
   用補助層が形成されていた側とは反対側の感光性ガラス
   製基体表面に、前記柱状の微細導電体と電気的に接続す
   る複数の導電部を該複数の導電部それぞれの一端が前記
   柱状の導電体のいずれかに接続するようにして設ける第
   iiiの工程 を含むことを特徴とする、微小探針を有する回路基板の
   製造方法。
7. 【請求項７】前記第ｉの工程が、 感光性ガラス製基体に複数の微細貫通孔を設ける工程
   と、 前記複数の微細貫通孔それぞれの内部に第１の柱状の微
   細導電体を設ける工程と、 前記の感光性ガラス製基体の一表面に、前記第１の柱状
   の微細導電体それぞれの一端面を露出させるための複数
   の微細貫通孔を有する１層または複層構造の探針形成用
   補助層を設ける工程と、 前記の探針形成用補助層に設けられた前記複数の微細貫
   通孔それぞれの内部に、前記第１の柱状の微細導電体と
   一体化した第２の柱状の微細導電体を設ける工程と、 を含む、請求項（６）記載の微小探針を有する回路基板
   の製造方法。
8. 【請求項８】前記の探針形成用補助層の材料として光ま
   たは電子線に感応する樹脂を使用する、請求項（６）ま
   たは（７）のいずれか１項記載の微小探針を有する回路
   基板の製造方法。
9. 【請求項９】前記第ｉの工程が、 感光性ガラス製基体に複数の微細貫通孔を設ける工程
   と、 前記の感光性ガラス製基体の一表面に、複数の微細貫通
   孔を有する１層または複層構造の探針形成用補助層であ
   って、該探針形成用補助層に設けられている前記複数の
   微細貫通孔の各々がそれぞれ別個に前記の感光性ガラス
   製基体に設けられている前記複数の微細貫通孔のいずれ
   かと連通している探針形成用補助層を設ける工程と、 前記の感光性ガラス製基体の一表面に前記の探針形成用
   補助層を設けることによって前記の感光性ガラス製基体
   から前記の探針形成用補助層に亘って形成された複数の
   微細貫通孔それぞれの内部に、前記の感光性ガラス製基
   体から前記の探針形成用補助層に亘る柱状の微細導電体
   を設ける工程と、 を含む、請求項（６）記載の微小探針を有する回路基板
   の製造方法。
10. 【請求項１０】感光性ガラス製基体に複数の微細貫通孔
    を設ける第Ｉの工程と、 前記複数の微細貫通孔それぞれの内部に、少なくとも一
    端が前記の感光性ガラス製基体の一表面と実質的に同一
    平面上にある柱状の導電体を設ける第IIの工程と、 前記柱状の導電体それぞれにおける前記の一端上にメッ
    キ処理によって導電体を堆積させることにより、該一端
    側を前記感光性ガラス製基体の一表面よりも突出させて
    微小探針とする第IIIの工程と、 を含み、更に、前記第IIの工程と前記第IIIの工程との
    間に行われる工程として、または、前記第IIIの工程の
    後に行われる工程として、 前記柱状の導電体それぞれの一端側を前記のメッキ処理
    によって突出させようとする側とは反対側の感光性ガラ
    ス製基体表面に、または、前記柱状の導電体それぞれの
    一端側を前記のメッキ処理によって突出させた側とは反
    対側の感光性ガラス製基体表面に、前記柱状の導電体と
    電気的に接続する複数の導電部を該複数の導電部それぞ
    れの一端が前記柱状の導電体のいずれかに接続するよう
    にして設ける第IVの工程 を含むことを特徴とする、微小探針を有する回路基板の
    製造方法。
11. 【請求項１１】前記の感光性ガラス製基体に複数の微細
    貫通孔を設ける工程を、前記の感光性ガラス製基体とし
    て感光性感光性ガラス製基体を用いたフォトリソグラフ
    ィー法により行う、請求項（４）、（７）、（９）また
    は（10）のいずれか１項記載の微小探針を有する回路基
    板の製造方法。
12. 【請求項１２】前記柱状の導電体または前記柱状の微細
    導電体を無電解メッキ法により設ける、請求項（４）、
    （５）、（６）、（７）、（８）、（９）または（10）
    のいずれか１項記載の微小探針を有する回路基板の製造
    方法。
13. 【請求項１３】前記複数の導電部を設けた側の前記感光
    性ガラス製基体表面に、半導体または縁性物質からなる
    補強用基板を設ける工程を含む、請求項（４）、（６）
    または（10）のいずれか１項記載の微小探針を有する回
    路基板の製造方法。
14. 【請求項１４】前記複数の導電部のそれぞれに、該導電
    部と検査対象の被検査回路パターンに対して信号電流を
    供給する検査装置とを電気的に接続するための接続端子
    を設ける工程を含む、請求項（４）、（６）または（1
    0）のいずれか１項記載の微小探針を有する回路基板の
    製造方法。