JP2996681B2 - 光磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体およびその製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、磁気異方性を持つ無定形希土類／遷移金属
合金から成り、その磁化容易軸がその表面に対して直角
である光磁気層に関する。
合金から成り、その磁化容易軸がその表面に対して直角
である光磁気層に関する。
上記の様な一軸直角異方性を持つ無定形の光磁気材料
は公知である。最も一般的なものは、ガドリニウム、テ
ルビウム、ジスプロシウムなどの希土類金属と鉄、コバ
ルトなどの遷移金属との合金で、これにさらに他の成分
を加えることがある。これらの合金の磁気特性は、その
成分に非常に大きく左右される。
は公知である。最も一般的なものは、ガドリニウム、テ
ルビウム、ジスプロシウムなどの希土類金属と鉄、コバ
ルトなどの遷移金属との合金で、これにさらに他の成分
を加えることがある。これらの合金の磁気特性は、その
成分に非常に大きく左右される。
ドイツ公報第3,309,483号には、テルビウム、鉄、コ
バルトから成る無定形の三元合金から調製した光磁気記
録材料が記載されているが、これはコバルト含有量40％
未満で、カー回転、キュリー温度、および合金のコバル
ト含有量との間にほぼ直線関係を示す。同じものがドイ
ツ公報第3,536,210号および雑誌「ジャーナルオブザア
プライドフィジックス」,64（1988）,262頁に記載され
ている光磁気記録媒体にも当てはまる。それゆえ、希土
類／遷移金属から成り、補償温度が50〜200℃または補
償温度が０℃以下である無定形フィルムからできた光磁
気記録媒体がドイツ公報第3,536,210号から公知であ
る。Tb−Fe−Co系の無定形フィルムを使用する場合、24
〜30原子％のテルビウム、７〜20原子％のコバルト、残
りが鉄である組成により50〜200℃の補償温度が得ら
れ、一方、18〜21.5原子％のテルビウム、８〜10原子％
のコバルトおよび残りが鉄である組成により０℃以下の
補償温度が得られる。これらの関係はドイツ公報第3,53
6,210号に詳細に説明されている。
バルトから成る無定形の三元合金から調製した光磁気記
録材料が記載されているが、これはコバルト含有量40％
未満で、カー回転、キュリー温度、および合金のコバル
ト含有量との間にほぼ直線関係を示す。同じものがドイ
ツ公報第3,536,210号および雑誌「ジャーナルオブザア
プライドフィジックス」,64（1988）,262頁に記載され
ている光磁気記録媒体にも当てはまる。それゆえ、希土
類／遷移金属から成り、補償温度が50〜200℃または補
償温度が０℃以下である無定形フィルムからできた光磁
気記録媒体がドイツ公報第3,536,210号から公知であ
る。Tb−Fe−Co系の無定形フィルムを使用する場合、24
〜30原子％のテルビウム、７〜20原子％のコバルト、残
りが鉄である組成により50〜200℃の補償温度が得ら
れ、一方、18〜21.5原子％のテルビウム、８〜10原子％
のコバルトおよび残りが鉄である組成により０℃以下の
補償温度が得られる。これらの関係はドイツ公報第3,53
6,210号に詳細に説明されている。
雑誌「ジャーナルオブザアプライドフィジックス」,6
1（1987）の2610頁および雑誌「J.Vac.Sci.Technol.」A
5（1987）の1949頁から始まる記事で、例えばテルビウ
ム含有量を１原子％増加させることにより補償温度を40
℃まで移行させることができると指摘している。
1（1987）の2610頁および雑誌「J.Vac.Sci.Technol.」A
5（1987）の1949頁から始まる記事で、例えばテルビウ
ム含有量を１原子％増加させることにより補償温度を40
℃まで移行させることができると指摘している。
従って、雑誌「ソリッドステート テクノロジー」,1
988年３月,107頁から分かるように、層の成分を管理す
ることは、スパッターリング工程および相当する製造プ
ラントの設計にとって非常に重要である。
988年３月,107頁から分かるように、層の成分を管理す
ることは、スパッターリング工程および相当する製造プ
ラントの設計にとって非常に重要である。
一般に、その層体積中の平均濃度からのTb濃度の偏差
は0.5％未満であることが示されている。
は0.5％未満であることが示されている。
光磁気記録層の深さプロファイルにおいて合金成分の
組成を一様に保つ事は、被覆の幅および長さ全体にわた
って合金組成を一定に保つ事と共に、高度の努力を必要
とし、例えば、被覆するディスクはその被覆工程中、そ
の独自の回転軸の回りに回転させると同時に、かなりの
周回路を移動させる。
組成を一様に保つ事は、被覆の幅および長さ全体にわた
って合金組成を一定に保つ事と共に、高度の努力を必要
とし、例えば、被覆するディスクはその被覆工程中、そ
の独自の回転軸の回りに回転させると同時に、かなりの
周回路を移動させる。
公知の光磁気記録材料の、もう一つの欠点は、その腐
食性が高い事である。
食性が高い事である。
この欠点を避ける、または防ぐために、光磁気合金に
各種の耐腐食性元素を添加する方法が推奨されている
（英国特許第GB−Ａ−2,175,160号およびヨーロッパ特
許第EP−A1−0,229,292号）。光磁気記録層の全体積に
そのような元素を添加すると、耐腐食性は向上するが、
他の望ましい特性、例えばできるだけ大きなカー角度、
高い保磁場強度、高い書き込み感度、高い信号−ノイズ
比、等を犠牲にする。ヨーロッパ特許第EP−A1−0,229,
292号による光磁気記録材料では、記録材料の表面に耐
腐食性元素を多くするために、最初の元素にさらに別の
耐腐食性元素を加えている。
各種の耐腐食性元素を添加する方法が推奨されている
（英国特許第GB−Ａ−2,175,160号およびヨーロッパ特
許第EP−A1−0,229,292号）。光磁気記録層の全体積に
そのような元素を添加すると、耐腐食性は向上するが、
他の望ましい特性、例えばできるだけ大きなカー角度、
高い保磁場強度、高い書き込み感度、高い信号−ノイズ
比、等を犠牲にする。ヨーロッパ特許第EP−A1−0,229,
292号による光磁気記録材料では、記録材料の表面に耐
腐食性元素を多くするために、最初の元素にさらに別の
耐腐食性元素を加えている。
この方法では、別の元素の添加によって、望ましい光
磁気特性がさらに強く損なわれる事が欠点である。
磁気特性がさらに強く損なわれる事が欠点である。
耐腐蝕性元素から成る薄い防御層が米国特許第4,740,
430号に記載されている。ここでは、光磁気記録媒体の
不連続多層構造になっている。
430号に記載されている。ここでは、光磁気記録媒体の
不連続多層構造になっている。
光磁気記録材料の記憶密度を高くするには、できるだ
け小さな、安定した磁区を光磁気記録層中に形成できる
事が必要である。このための前提条件は、飽和磁化MSと
保磁力（保磁場強度）HCとの積ができるだけ大きい事で
ある（Kryderら,SPIE Proc.,Vol.420,236頁（1983）。
公知の光磁気記録材料に関して、できるだけ大きな飽和
磁化と保磁力との積は、補償温度Tcompの辺りの狭い温
度範囲内でのみ達成できる。
け小さな、安定した磁区を光磁気記録層中に形成できる
事が必要である。このための前提条件は、飽和磁化MSと
保磁力（保磁場強度）HCとの積ができるだけ大きい事で
ある（Kryderら,SPIE Proc.,Vol.420,236頁（1983）。
公知の光磁気記録材料に関して、できるだけ大きな飽和
磁化と保磁力との積は、補償温度Tcompの辺りの狭い温
度範囲内でのみ達成できる。
さらに最近では、情報の直接上書きに適した光磁気記
録材料が記載されている（米国特許第4,694,358号、米
国特許第4,649,519号、ヨーロッパ特許第EP−A2−0,22
5,141号、第EP−A2−0,227,480号および第EP−A2−0,21
7,096号）。いずれの場合も、異なった磁気特性を持
つ、二つの別個の層を重ねた光磁気記録材料構造を使用
している。
録材料が記載されている（米国特許第4,694,358号、米
国特許第4,649,519号、ヨーロッパ特許第EP−A2−0,22
5,141号、第EP−A2−0,227,480号および第EP−A2−0,21
7,096号）。いずれの場合も、異なった磁気特性を持
つ、二つの別個の層を重ねた光磁気記録材料構造を使用
している。
ヨーロッバ特許第EP−A2−0,217,096号およびEP−A2
−0,227,480号は、光磁気記録層と分極場を発生する磁
気層との間の構造中に断熱性の中間層が存在する光磁気
記録媒体を記載している。上記の文献中では、間に何も
無いと、合金成分が磁気層に拡散することがあるので、
そのような中間層を推奨している。無論、そのような合
金成分の拡散は、光磁気記録材料の特性を変化させる。
−0,227,480号は、光磁気記録層と分極場を発生する磁
気層との間の構造中に断熱性の中間層が存在する光磁気
記録媒体を記載している。上記の文献中では、間に何も
無いと、合金成分が磁気層に拡散することがあるので、
そのような中間層を推奨している。無論、そのような合
金成分の拡散は、光磁気記録材料の特性を変化させる。
光磁気記憶の長期安定性を増すためのもう一つの方法
がドイツ公報第3,642,161号に記載されているが、そこ
では、絶縁層、光磁気層およびカバー層を順次堆積させ
る間および／または堆積させた後、事実上乾燥雰囲気中
で、室温から光磁気層の結晶化温度の直下までの温度範
囲内で熱処理を行なっている。
がドイツ公報第3,642,161号に記載されているが、そこ
では、絶縁層、光磁気層およびカバー層を順次堆積させ
る間および／または堆積させた後、事実上乾燥雰囲気中
で、室温から光磁気層の結晶化温度の直下までの温度範
囲内で熱処理を行なっている。
日本で公開された明細書第188,843/88号から、希土類
金属および遷移金属からできた三つのターゲットを、基
板が通過するようにして光磁気記録層をスパッターリン
グにより堆積させる光磁気ディスクを製造する方法が公
知である。中央のターゲットは基板の移動路と平行に配
置し、基板が移動する方向で、一つのターゲットを中央
ターゲットの手前に、もう一つを中央ターゲットの後ろ
に、中央ターゲットに対して予め決定した角度で取り付
ける。このようにして基板上に得られた光磁気記録層の
組成は均質である。
金属および遷移金属からできた三つのターゲットを、基
板が通過するようにして光磁気記録層をスパッターリン
グにより堆積させる光磁気ディスクを製造する方法が公
知である。中央のターゲットは基板の移動路と平行に配
置し、基板が移動する方向で、一つのターゲットを中央
ターゲットの手前に、もう一つを中央ターゲットの後ろ
に、中央ターゲットに対して予め決定した角度で取り付
ける。このようにして基板上に得られた光磁気記録層の
組成は均質である。
本発明の目的は、簡単に、再現性良く製作でき、湿気
および／または酸素に対して耐腐食性が高く、記憶密度
を高くすることができ、直接上書きに適した、冒頭に記
載した種類の光磁気層を提供することである。この目的
の枠内で、そのような光磁気層を製作するための方法も
提供する。
および／または酸素に対して耐腐食性が高く、記憶密度
を高くすることができ、直接上書きに適した、冒頭に記
載した種類の光磁気層を提供することである。この目的
の枠内で、そのような光磁気層を製作するための方法も
提供する。
この目的は、本発明により、光磁気層が深さにより組
成の濃度に勾配に示し、補償温度Tcompの上下ΔＴ＝100
℃の温度範囲で8kOeを越える保磁力を有することにより
達成される。
成の濃度に勾配に示し、補償温度Tcompの上下ΔＴ＝100
℃の温度範囲で8kOeを越える保磁力を有することにより
達成される。
本発明の一実施形態では、合金はテルビウム、カドリ
ニウム、ジスプロシウム、鉄およびコバルト、またはテ
ルビウム、ジスプロシウム、鉄およびコバルトから成
る。さらに、合金はテルビウム、ガドリニウム、ジスプ
ロシウムおよびコバルト、またはテルビウム、ジスプロ
シウムおよびコバルトだけから成っていても良い。光磁
気層の合金の一つは、式 （TbxDy1-x）ｙ（FezCo1-z）1-y で表わされ、 ０≦ｘ≦１、 0.15≦ｙ≦0.30 および0.60≦ｚ≦１である組成を持つ。
ニウム、ジスプロシウム、鉄およびコバルト、またはテ
ルビウム、ジスプロシウム、鉄およびコバルトから成
る。さらに、合金はテルビウム、ガドリニウム、ジスプ
ロシウムおよびコバルト、またはテルビウム、ジスプロ
シウムおよびコバルトだけから成っていても良い。光磁
気層の合金の一つは、式 （TbxDy1-x）ｙ（FezCo1-z）1-y で表わされ、 ０≦ｘ≦１、 0.15≦ｙ≦0.30 および0.60≦ｚ≦１である組成を持つ。
さらに本発明では、光磁気層の片側、または両側表面
において、組成の平均濃度に比べて希土類金属の濃度が
高くなっている。
において、組成の平均濃度に比べて希土類金属の濃度が
高くなっている。
同様に、光磁気層の片側、または両側表面において、
平均濃度に比べて遷移金属の濃度を高くすることも可能
である。
平均濃度に比べて遷移金属の濃度を高くすることも可能
である。
光磁気層の別の実施態様は、請求項９〜12に記載され
た特徴を有している。
た特徴を有している。
本発明に関わる光磁気層は、湿気および／または酸素
から保護するための、SiN,SiON,SiAlON、AlN,AlON,TaOx
またはNbOxから成る二つの保護層の間に、磁気層を配置
した光磁気記録媒体の構成要素である。一方の保護層
は、その片側を基板で覆ってあり、もう一方は金属ミラ
ー、ラッカーまたは接着剤の層および第二の基板で覆っ
てある。光磁気層の製作方法は、共通面内に配置した一
つ以上のスパッターリングターゲットに対して、被覆す
べき基板を移動させ、希土類／遷移金属合金を動的にス
パッターリング堆積させることにより区別される。
から保護するための、SiN,SiON,SiAlON、AlN,AlON,TaOx
またはNbOxから成る二つの保護層の間に、磁気層を配置
した光磁気記録媒体の構成要素である。一方の保護層
は、その片側を基板で覆ってあり、もう一方は金属ミラ
ー、ラッカーまたは接着剤の層および第二の基板で覆っ
てある。光磁気層の製作方法は、共通面内に配置した一
つ以上のスパッターリングターゲットに対して、被覆す
べき基板を移動させ、希土類／遷移金属合金を動的にス
パッターリング堆積させることにより区別される。
光磁気層を製作するための他の方法は、請求項17〜35
に記載された特徴を有している。
に記載された特徴を有している。
本発明に係わる光磁気層は、直接上書きできる光磁気
記録媒体、および情報書き込み中に磁場の変調またはレ
ーザーエネルギーの変調が起こる系に使用される。
記録媒体、および情報書き込み中に磁場の変調またはレ
ーザーエネルギーの変調が起こる系に使用される。
以下、添付の図面を参照しながら、本発明をさらに詳
細に説明する。
細に説明する。
第１図に、ターゲット１の形のスパッター陰極を矢印
Ａの方向に通過する基板3,4および５上に、光磁気層を
製作するための配置を図式的に示す。ターゲット１と基
板3,4,5の移動路面との間には、開口部６を持つマスク
２があり、この開口部は、以下にさらに詳細に説明する
ように、スパッター陰極つまりターゲット１の中心に対
して非対称的な形にすることができる。
Ａの方向に通過する基板3,4および５上に、光磁気層を
製作するための配置を図式的に示す。ターゲット１と基
板3,4,5の移動路面との間には、開口部６を持つマスク
２があり、この開口部は、以下にさらに詳細に説明する
ように、スパッター陰極つまりターゲット１の中心に対
して非対称的な形にすることができる。
ターゲット１は、希土類金属REの少なくとも一つの元
素および少なくとも一つの遷移金属TMの成分を持つ。希
土類金属は、一般にテルビウム、ガドリニウムおよびジ
スプロシウムであり、遷移金属は先ず第一に鉄およびコ
バルトである。ターゲット合金は、とりわけ、テルビウ
ム、ガドリニウム、ジスプロシウム、鉄およびコバルト
で構成することができる。さらに、テルビウム、ジスプ
ロシウム、鉄およびコバルト、あるいはテルビウム、ガ
ドリニウム、ジスプロシウムおよびコバルトから成る合
金を使用することもできる。また、テルビウム、ジスプ
ロシウムおよびコバルトの組成もターゲット１用の三元
合金として適している。
素および少なくとも一つの遷移金属TMの成分を持つ。希
土類金属は、一般にテルビウム、ガドリニウムおよびジ
スプロシウムであり、遷移金属は先ず第一に鉄およびコ
バルトである。ターゲット合金は、とりわけ、テルビウ
ム、ガドリニウム、ジスプロシウム、鉄およびコバルト
で構成することができる。さらに、テルビウム、ジスプ
ロシウム、鉄およびコバルト、あるいはテルビウム、ガ
ドリニウム、ジスプロシウムおよびコバルトから成る合
金を使用することもできる。また、テルビウム、ジスプ
ロシウムおよびコバルトの組成もターゲット１用の三元
合金として適している。
例として、ターゲット合金の量的組成は、式 （TbxDy1-x）ｙ（FezCo1-z）1-y で表わされ、０≦ｘ≦１、 0.15≦ｙ≦0.30 および0.60≦ｚ≦１である。
とりわけ、唯一の希土類金属元素としてテルビウムを
含む三元合金に関しては、Tb0.22−0.28Fe0.70−0.64Co
0.08のような組成を持つスパッターターゲットが好まし
い。
含む三元合金に関しては、Tb0.22−0.28Fe0.70−0.64Co
0.08のような組成を持つスパッターターゲットが好まし
い。
ターゲット１は、例えば、それ自体公知のマグネトロ
ンスパッターリング法を使用して、マグネトロンスパッ
ター陰極として作用させる。マグネトロンスパッター陰
極の心臓部は、軟鉄ディスク上に交番極磁石を配置した
磁石機構である。そのような平らなマグネトロンMDCの
断面を第１および２図に示す。マグネトロンは陰極とし
て、基板ホルダーは陽極として、または浮動電位に電気
的に接続する。電極間には、特定の圧力、好ましくは3.
10-3mbar〜2.10-2mbarのイオン化したガス、例えばアル
ゴンがある。ターゲットの後ろに配置した磁石により、
ターゲット１の下に不均一な磁界が生じ、電界との組み
合わせにより、第１図に示すスパッター溝9,10でターゲ
ットを効果的に侵食する。その上、RE金属およびTM金属
は、第１図に希土類金属および遷移金属に対して示す、
異なった空間分布k1,k2,k3,k4になるように、異なった
侵食の仕方をする。希土類金属および遷移金属の、スパ
ッターローブとも呼ばれる、これらの異なった空間分布
を、ただ一つの陰極つまりただ一つのターゲットによる
動的マグネトロンスパッターリングで順次使用し、光磁
気層の深さ全体にわたって、希土類金属の特定の濃度プ
ロファイルを得る。これらの希土類金属REおよび遷移金
属TMの深さプロファイルを第３図に示すが、そこでは、
光磁気層の深さｔを横軸に取り、合金成分の原子％を縦
軸に取っている。例えば、第１図のターゲット１がテル
ビウム−鉄−コバルト合金でできていれば、テルビウム
は、第１図のスパッターロープk1およびk2により、遷移
金属の鉄およびコバルトは、中央のスパッターロープk2
およびk3により分布する。このようにして、第３図の希
土類金属プロファイルREに見られるような、二つの頂点
を持つＭ字形のテルビウム濃度プロファイルを含み、一
方遷移金属プロファイルTMはテルビウム濃度プロファイ
ルの二つの頂点よりも高い単一の頂点を示す光磁気層が
得られる。
ンスパッターリング法を使用して、マグネトロンスパッ
ター陰極として作用させる。マグネトロンスパッター陰
極の心臓部は、軟鉄ディスク上に交番極磁石を配置した
磁石機構である。そのような平らなマグネトロンMDCの
断面を第１および２図に示す。マグネトロンは陰極とし
て、基板ホルダーは陽極として、または浮動電位に電気
的に接続する。電極間には、特定の圧力、好ましくは3.
10-3mbar〜2.10-2mbarのイオン化したガス、例えばアル
ゴンがある。ターゲットの後ろに配置した磁石により、
ターゲット１の下に不均一な磁界が生じ、電界との組み
合わせにより、第１図に示すスパッター溝9,10でターゲ
ットを効果的に侵食する。その上、RE金属およびTM金属
は、第１図に希土類金属および遷移金属に対して示す、
異なった空間分布k1,k2,k3,k4になるように、異なった
侵食の仕方をする。希土類金属および遷移金属の、スパ
ッターローブとも呼ばれる、これらの異なった空間分布
を、ただ一つの陰極つまりただ一つのターゲットによる
動的マグネトロンスパッターリングで順次使用し、光磁
気層の深さ全体にわたって、希土類金属の特定の濃度プ
ロファイルを得る。これらの希土類金属REおよび遷移金
属TMの深さプロファイルを第３図に示すが、そこでは、
光磁気層の深さｔを横軸に取り、合金成分の原子％を縦
軸に取っている。例えば、第１図のターゲット１がテル
ビウム−鉄−コバルト合金でできていれば、テルビウム
は、第１図のスパッターロープk1およびk2により、遷移
金属の鉄およびコバルトは、中央のスパッターロープk2
およびk3により分布する。このようにして、第３図の希
土類金属プロファイルREに見られるような、二つの頂点
を持つＭ字形のテルビウム濃度プロファイルを含み、一
方遷移金属プロファイルTMはテルビウム濃度プロファイ
ルの二つの頂点よりも高い単一の頂点を示す光磁気層が
得られる。
無論、光磁気層は、二極管または三極管スパッターリ
ング設備で、直流放電により製作することもできる。そ
のような二極管スパッターリング設備では、被覆すべき
基板は例えば陽極として接続し、ターゲットはこれに対
するスパッターリング陰極を形成する。電圧をかける
と、特定の圧力下にあるキャリヤーガス中で、二つの電
極間でプラズマが得られる。電界中で加速されるキャリ
ヤーガスのイオンが、陰極を形成するターゲットからの
分子または原子に衝突し、これらが基板上に堆積する。
一般に、マグネトロンパッターリング法は、二極管スパ
ッターリングに比べて、低電圧でスパッター率がより高
く、基板の温度上昇がはるかに少なく、また、電子がマ
グネトロン陰極の磁界によりそらされるために、僅かな
電子しか基板に衝突しないので、マグネトロンスパッタ
ーリング法の方が二極管スパッターリングよりも好まし
い。
ング設備で、直流放電により製作することもできる。そ
のような二極管スパッターリング設備では、被覆すべき
基板は例えば陽極として接続し、ターゲットはこれに対
するスパッターリング陰極を形成する。電圧をかける
と、特定の圧力下にあるキャリヤーガス中で、二つの電
極間でプラズマが得られる。電界中で加速されるキャリ
ヤーガスのイオンが、陰極を形成するターゲットからの
分子または原子に衝突し、これらが基板上に堆積する。
一般に、マグネトロンパッターリング法は、二極管スパ
ッターリングに比べて、低電圧でスパッター率がより高
く、基板の温度上昇がはるかに少なく、また、電子がマ
グネトロン陰極の磁界によりそらされるために、僅かな
電子しか基板に衝突しないので、マグネトロンスパッタ
ーリング法の方が二極管スパッターリングよりも好まし
い。
希土類金属と遷移金属に対するスパッターリングロー
ブが異なるため、光磁気層の中央で、遷移金属の濃度が
平均濃度よりも高くなる。さらに、光磁気層の片側また
は両側表面の縁部で希土類金属濃度が平均濃度よりも高
くなる。第３図から、陰極と基板との間に取り付けるマ
スクを、第5A〜5D図に例として示す様に適切に設計する
ことにより、RE濃度のＭ字形プロファイルが生じ、RE濃
度の∧形およびＶ字形プロファイルが生じ得る。同様
に、被覆箇所を適当に連結し、スパッターローブを重ね
合わせることにより、深さにおける濃度分布を事実上ど
のような種類にも調節することができる。
ブが異なるため、光磁気層の中央で、遷移金属の濃度が
平均濃度よりも高くなる。さらに、光磁気層の片側また
は両側表面の縁部で希土類金属濃度が平均濃度よりも高
くなる。第３図から、陰極と基板との間に取り付けるマ
スクを、第5A〜5D図に例として示す様に適切に設計する
ことにより、RE濃度のＭ字形プロファイルが生じ、RE濃
度の∧形およびＶ字形プロファイルが生じ得る。同様
に、被覆箇所を適当に連結し、スパッターローブを重ね
合わせることにより、深さにおける濃度分布を事実上ど
のような種類にも調節することができる。
第２図に示すスパッターリング設備の実施形態では、
スパッター陰極をスパッターリング室中で、被覆すべき
基板3,4,5の移動方向Ａと平行な平面内に連続して配置
し、そのスパッター陰極は、希土類金属／遷移金属から
成る異なった合金組成を持つターゲット7,1,8で構成さ
れる。例えば、ターゲット７および８は二極管スパッタ
ーリング法を使って、ターゲット１はマグネトロンスパ
ッターリング法を使って操作する。同様に、三つのター
ゲットすべてを二極管スパッターリング法を使って操作
することも可能である。マグネトロンスパッターリング
法の場合、ガスの流れおよび個々の陰極のスパッタリン
グ電力を変えることによって、層の厚さプロファイル、
即ち合金成分の分布を調整することも可能である。スパ
ッター陰極が空間的に近接していると、合金成分の濃度
が連続的に推移する様になる。これにより、不連続被覆
構造と比較して、濃度の不連続性が避けられるので、光
磁気層の書き込みおよび消去を繰り返した場合に起こり
得る拡散効果、およびそれに伴う書き込み／読み取り特
性の変化のが少なくなる。
スパッター陰極をスパッターリング室中で、被覆すべき
基板3,4,5の移動方向Ａと平行な平面内に連続して配置
し、そのスパッター陰極は、希土類金属／遷移金属から
成る異なった合金組成を持つターゲット7,1,8で構成さ
れる。例えば、ターゲット７および８は二極管スパッタ
ーリング法を使って、ターゲット１はマグネトロンスパ
ッターリング法を使って操作する。同様に、三つのター
ゲットすべてを二極管スパッターリング法を使って操作
することも可能である。マグネトロンスパッターリング
法の場合、ガスの流れおよび個々の陰極のスパッタリン
グ電力を変えることによって、層の厚さプロファイル、
即ち合金成分の分布を調整することも可能である。スパ
ッター陰極が空間的に近接していると、合金成分の濃度
が連続的に推移する様になる。これにより、不連続被覆
構造と比較して、濃度の不連続性が避けられるので、光
磁気層の書き込みおよび消去を繰り返した場合に起こり
得る拡散効果、およびそれに伴う書き込み／読み取り特
性の変化のが少なくなる。
例えば、光磁気層の少なくとも片側を絶縁層で覆う場
合、４個以上のスパッター陰極を使用することもでき
る。とりわけ、絶縁層として適しているのは、上記の湿
気および／または酸素に対する保護層である。この絶縁
層の厚さは、基板の方を向いた側で、約λ/4.nに選ぶ
が、λは書き込みレーザーの波長であり、ｎは絶縁層の
屈折率である。
合、４個以上のスパッター陰極を使用することもでき
る。とりわけ、絶縁層として適しているのは、上記の湿
気および／または酸素に対する保護層である。この絶縁
層の厚さは、基板の方を向いた側で、約λ/4.nに選ぶ
が、λは書き込みレーザーの波長であり、ｎは絶縁層の
屈折率である。
基板の移動方向における最初のターゲットは、例え
ば、移動方向に見られる第二のターゲット７よりも、遷
移金属含有量、特にコバルト含有量が高い。
ば、移動方向に見られる第二のターゲット７よりも、遷
移金属含有量、特にコバルト含有量が高い。
光磁気層の基板の方を向いた側では、例えば遷移金
属、特にコバルト濃度が高く、光磁気層の基板から離れ
た方の側では、希土類金属濃度が高い。
属、特にコバルト濃度が高く、光磁気層の基板から離れ
た方の側では、希土類金属濃度が高い。
スパッターリング後、光磁気層の基板の方を向いた側
に、保護層または反射防止層として、SiN,SiON,SiAlON,
AlN,AlON,TaOxまたはNbOxでできた層が生じるが、その
厚さは約λ/5nで、ｎはその層の屈折率である。光磁気
層の基板から離れた方の側では、保護層の厚さは、基板
の方を向いた保護層の厚さよりも小さいか、またはそれ
と等しい。光磁気層の厚さは、15〜100nmである。代表
的な層構造は、基板/70nm±5nm（Si,N）/80nm±5nmTbFe
Co/50nm±5nm（Si,N）で、第一の（Si,N）層の窒化ケイ
素の屈折率ｎは2.20±0.1で、第二の（Si,N）層のそれ
は2.05±0.1である。
に、保護層または反射防止層として、SiN,SiON,SiAlON,
AlN,AlON,TaOxまたはNbOxでできた層が生じるが、その
厚さは約λ/5nで、ｎはその層の屈折率である。光磁気
層の基板から離れた方の側では、保護層の厚さは、基板
の方を向いた保護層の厚さよりも小さいか、またはそれ
と等しい。光磁気層の厚さは、15〜100nmである。代表
的な層構造は、基板/70nm±5nm（Si,N）/80nm±5nmTbFe
Co/50nm±5nm（Si,N）で、第一の（Si,N）層の窒化ケイ
素の屈折率ｎは2.20±0.1で、第二の（Si,N）層のそれ
は2.05±0.1である。
光磁気層の基板から離れた方の側にある保護層は、例
えばAl,Ag,Cu,Au,TiNまたはZrNでできた反射層である。
そのような三層構造の例は、基板/70nm±5nm（Si,N）/2
5nm±5nmTbFeCo/50nm±5nm反射層である。これらの三層
構造とは別に、基板から離れた方の保護層に反射層を付
けた四層構造も可能である。
えばAl,Ag,Cu,Au,TiNまたはZrNでできた反射層である。
そのような三層構造の例は、基板/70nm±5nm（Si,N）/2
5nm±5nmTbFeCo/50nm±5nm反射層である。これらの三層
構造とは別に、基板から離れた方の保護層に反射層を付
けた四層構造も可能である。
光磁気記録媒体の両側に保護層を付ける場合には、第
２図のターゲット７の前、およびターゲット８の後ろに
位置するターゲットからスパッターリングを行なう。こ
の方法では、ターゲット７の前に位置するターゲット
（図には示していない）は、例えばケイ素、ケイ素−ア
ルミニウム、アルミニウム、タンタルまたはニオブから
成る。二極管法、または好ましくはマグネトロンスパッ
ターリング法を、アルゴンおよび酸素および／または窒
素雰囲気中で適用する。湿気および／または酸素に対す
る保護層として、先ずSiN,SiON,SiAlON,AlN,AlON,TaOx
またはNbOxの層を基板３上に形成する。
２図のターゲット７の前、およびターゲット８の後ろに
位置するターゲットからスパッターリングを行なう。こ
の方法では、ターゲット７の前に位置するターゲット
（図には示していない）は、例えばケイ素、ケイ素−ア
ルミニウム、アルミニウム、タンタルまたはニオブから
成る。二極管法、または好ましくはマグネトロンスパッ
ターリング法を、アルゴンおよび酸素および／または窒
素雰囲気中で適用する。湿気および／または酸素に対す
る保護層として、先ずSiN,SiON,SiAlON,AlN,AlON,TaOx
またはNbOxの層を基板３上に形成する。
次の工程では、光磁気記録媒体の耐腐食性を基板３上
で高めるが、これは移動方向、つまり基板の移動路Ａの
方向で、マグネトロンスパッター陰極の前に位置する陰
極、正確にはターゲット７からかなりの量で耐腐蝕性元
素をスパッターリング堆積させることにより、そのよう
な保護層を施す。例えば、ターゲット７は、耐腐蝕性の
元素だけでできていても良く、その元素は、チタン、ク
ロム、アルミニウム、白金、ジルコニウム、バナジウ
ム、タンタル、モリブデン、タングステン、銅、ルテニ
ウム、レニウム、パラジウム、ケイ素、ニオブ、イリジ
ウムおよび／またはハフニウムで良い。また、ターゲッ
ト７は、これらの元素の２種類以上を高い濃度で含んで
いても良く、あるいはこれらの元素の２種類以上だけか
らできていても良い。これに続いて、第１図に説明する
様に、光磁気層をスパッターリング堆積させる。最終工
程では、ターゲット７と同じ組成を持つターゲット８か
ら耐腐蝕性元素をスパッターリングにより堆積させる。
光磁気層の片側または両側表面で、耐腐蝕性元素は、ス
パッターリング後、元素の平均濃度に比べて、より高い
濃度を示す。
で高めるが、これは移動方向、つまり基板の移動路Ａの
方向で、マグネトロンスパッター陰極の前に位置する陰
極、正確にはターゲット７からかなりの量で耐腐蝕性元
素をスパッターリング堆積させることにより、そのよう
な保護層を施す。例えば、ターゲット７は、耐腐蝕性の
元素だけでできていても良く、その元素は、チタン、ク
ロム、アルミニウム、白金、ジルコニウム、バナジウ
ム、タンタル、モリブデン、タングステン、銅、ルテニ
ウム、レニウム、パラジウム、ケイ素、ニオブ、イリジ
ウムおよび／またはハフニウムで良い。また、ターゲッ
ト７は、これらの元素の２種類以上を高い濃度で含んで
いても良く、あるいはこれらの元素の２種類以上だけか
らできていても良い。これに続いて、第１図に説明する
様に、光磁気層をスパッターリング堆積させる。最終工
程では、ターゲット７と同じ組成を持つターゲット８か
ら耐腐蝕性元素をスパッターリングにより堆積させる。
光磁気層の片側または両側表面で、耐腐蝕性元素は、ス
パッターリング後、元素の平均濃度に比べて、より高い
濃度を示す。
第２図におけるターゲット7,1,8は、ターゲットから
被覆すべき基板までの間隔に相当する相互間隔を持つ。
これによって、スパッターローブが重なり、層の厚さに
おけるどのような望ましい濃度分布を持った層でも製作
することができる。
被覆すべき基板までの間隔に相当する相互間隔を持つ。
これによって、スパッターローブが重なり、層の厚さに
おけるどのような望ましい濃度分布を持った層でも製作
することができる。
光磁気層で、深さ全体にわたって、非対称濃度勾配を
持つ、希土類金属および遷移金属の深さプロファイルを
得るためには、基板の平面とターゲットとの間に、第5A
または5B図に図式的に示す、スパッターターゲットつま
りスパッター陰極の中央に関して非対称に形成した、開
口部6Aまたは6Bを持つマスクを配置することができる。
持つ、希土類金属および遷移金属の深さプロファイルを
得るためには、基板の平面とターゲットとの間に、第5A
または5B図に図式的に示す、スパッターターゲットつま
りスパッター陰極の中央に関して非対称に形成した、開
口部6Aまたは6Bを持つマスクを配置することができる。
第5A〜5D図は、そのようなマスク２の異なった実施形
態を示し、第5Cおよび5D図では、マスクは、中央の線に
対称的に延びているマスク開口部6Cまたは6Dを持つ。
態を示し、第5Cおよび5D図では、マスクは、中央の線に
対称的に延びているマスク開口部6Cまたは6Dを持つ。
第４図における基準線ｇ上の曲線Ｓは、マスクを挿入
せずに基板に付ける元素、例えば希土類金属REに対する
スパッター率を示す。r1およびr2の値は、個々の局所的
スパッター率の代表値として示してある。曲線Ｃによる
スパッター率は、遷移金属TMについて得られ、その形状
は希土類金属REに対する形状と比較して変えてある。ス
パッターリングを行なうターゲット１は、基板の移動方
向Ａに対して直角に幅ｂおよび移動方向Ａに長さ１を持
つ。
せずに基板に付ける元素、例えば希土類金属REに対する
スパッター率を示す。r1およびr2の値は、個々の局所的
スパッター率の代表値として示してある。曲線Ｃによる
スパッター率は、遷移金属TMについて得られ、その形状
は希土類金属REに対する形状と比較して変えてある。ス
パッターリングを行なうターゲット１は、基板の移動方
向Ａに対して直角に幅ｂおよび移動方向Ａに長さ１を持
つ。
第3A〜6D図の曲線は、光磁気層の層圧全体に渡る遷移
金属TMおよび希土類金属REの原子％濃度を表わしてい
る。基板表面は、第6A〜6D図のすべてにおいて、ｔ−軸
上に記してある。
金属TMおよび希土類金属REの原子％濃度を表わしてい
る。基板表面は、第6A〜6D図のすべてにおいて、ｔ−軸
上に記してある。
これらの曲線は、スパッターターゲットと基板との間
に、第5A〜5D図に示すマスクを挿入することにより得ら
れ、第6A〜6Dのそれぞれの曲線は第5A〜5D図に示す各マ
スクに対応する、即ち、第6A図の２本の曲線は第5A図の
マスク２に対応し、第6B図の２本の曲線は第5B図のマス
ク２を使用して得られ、以下同様である。第6A図におい
て、希土類金属REの濃度は基板の表面で最も高く、層の
厚さが増すと共に低下するのに対し、遷移金属TMの濃度
は特定の層厚から次第に増加している。第6B図における
希土類金属REおよび遷移金属TMに対する曲線は、第6A図
の曲線に対して鏡像の様に推移し、第5B図のマスクも同
様に第5A図のマスクの鏡像の様に形成してある。第6C図
では、希土類金属と遷移金属の両方が、層の厚さ全体に
わたってほとんど同じ、一定の濃度を示しているのに対
し、第6D図の曲線の形は第３図の曲線の形に非常に良く
似ている。
に、第5A〜5D図に示すマスクを挿入することにより得ら
れ、第6A〜6Dのそれぞれの曲線は第5A〜5D図に示す各マ
スクに対応する、即ち、第6A図の２本の曲線は第5A図の
マスク２に対応し、第6B図の２本の曲線は第5B図のマス
ク２を使用して得られ、以下同様である。第6A図におい
て、希土類金属REの濃度は基板の表面で最も高く、層の
厚さが増すと共に低下するのに対し、遷移金属TMの濃度
は特定の層厚から次第に増加している。第6B図における
希土類金属REおよび遷移金属TMに対する曲線は、第6A図
の曲線に対して鏡像の様に推移し、第5B図のマスクも同
様に第5A図のマスクの鏡像の様に形成してある。第6C図
では、希土類金属と遷移金属の両方が、層の厚さ全体に
わたってほとんど同じ、一定の濃度を示しているのに対
し、第6D図の曲線の形は第３図の曲線の形に非常に良く
似ている。
第７図には、公知の光磁気層および本発明に関わる層
に対する温度Ｔの関数として、保磁力Hcと補償温度T
compを図式的に示してある。補償温度Tcompにおいて、
保磁力Hcは非常に明瞭な最大値を有する。一般に、光磁
気層または合金の補償温度Tcompは、最大保磁力の縦座
標の両側における曲線Hc（Ｔ）から求められる２本の直
線1/Hcの交点から求められる。
に対する温度Ｔの関数として、保磁力Hcと補償温度T
compを図式的に示してある。補償温度Tcompにおいて、
保磁力Hcは非常に明瞭な最大値を有する。一般に、光磁
気層または合金の補償温度Tcompは、最大保磁力の縦座
標の両側における曲線Hc（Ｔ）から求められる２本の直
線1/Hcの交点から求められる。
本発明に関わる層の保磁力はHc inhで表わしてあり、
公知の光磁気層の保磁力はHc hである。肩に付けた指標
「ｈ」および「inh」は、それぞれの合金の均質および
不均質組成を表わしているが、ここで注意すべきは、本
発明に関わる不均質光磁気層は、公知の均質光磁気層と
平均で同じ組成を持っていることである。8kOe以上の保
磁力Hcから出発し、続いて第８図で説明するように、不
均質層組成に対して、補償温度の温度間隔ΔＴ＝T8kOe2
−T8kOe1＞100℃が得られる。
公知の光磁気層の保磁力はHc hである。肩に付けた指標
「ｈ」および「inh」は、それぞれの合金の均質および
不均質組成を表わしているが、ここで注意すべきは、本
発明に関わる不均質光磁気層は、公知の均質光磁気層と
平均で同じ組成を持っていることである。8kOe以上の保
磁力Hcから出発し、続いて第８図で説明するように、不
均質層組成に対して、補償温度の温度間隔ΔＴ＝T8kOe2
−T8kOe1＞100℃が得られる。
第８図から、本発明に関わる材料は、公知の材料の半
直線1/Hc h（Ｔ）に比べて著しく緩い勾配を持つ２本の
反直線を形の依存性1/Hc inh（Ｔ）を示すことが明らか
である。1/H▲inh c▼（Ｔ）を高温から1/Hc inh＝０〔1/
kOe〕に向かって外挿すると、その結果は補償温度T
comp2であり、一方低温からの外挿は補償温度Tcomp1を
与える。公知の光磁気材料の場合は、どちらの外挿につ
いても同じ補償温度Tcopmが得られる。
直線1/Hc h（Ｔ）に比べて著しく緩い勾配を持つ２本の
反直線を形の依存性1/Hc inh（Ｔ）を示すことが明らか
である。1/H▲inh c▼（Ｔ）を高温から1/Hc inh＝０〔1/
kOe〕に向かって外挿すると、その結果は補償温度T
comp2であり、一方低温からの外挿は補償温度Tcomp1を
与える。公知の光磁気材料の場合は、どちらの外挿につ
いても同じ補償温度Tcopmが得られる。
本発明に関わる材料の場合は、差ΔＴ＝T8kOe2−T
8kOe1が100℃以上であり、これはつまり、この材料の特
性が、材料組成の変動に関して、均質な材料のそれより
も敏感でないということである。
8kOe1が100℃以上であり、これはつまり、この材料の特
性が、材料組成の変動に関して、均質な材料のそれより
も敏感でないということである。
本発明に関わる光磁気層の場合、例えばヨーロッパ特
許EP−A2−0,225,141号の第３図に参考として説明する
ような、二重層とは、磁気特性が著しく異なっている。
磁化させた場合、本発明に関わる光磁気層は単一のヒス
テリシスループしか示さないのに対し、先行技術の二重
層は、二つの互いに離れたヒステリシスループを示し、
同時に、本発明に関わる光磁気層の磁気特性は、その合
金組成に対する依存性がはるかに小さい。テレビウムの
平均濃度をＸ線蛍光分析で求め、書き込み／読み取り特
性と比較すると、20原子％テルビウムの層が、測定精度
の限界内で、24原子％テルビウムの層と同じ信号対ノイ
ズ比および同じ感度値を示す。先行技術では、磁気特性
を著しく変化させずに、合金中の希土類金属の比率をそ
のような広い範囲内で変動させることができることは記
載されていない。
許EP−A2−0,225,141号の第３図に参考として説明する
ような、二重層とは、磁気特性が著しく異なっている。
磁化させた場合、本発明に関わる光磁気層は単一のヒス
テリシスループしか示さないのに対し、先行技術の二重
層は、二つの互いに離れたヒステリシスループを示し、
同時に、本発明に関わる光磁気層の磁気特性は、その合
金組成に対する依存性がはるかに小さい。テレビウムの
平均濃度をＸ線蛍光分析で求め、書き込み／読み取り特
性と比較すると、20原子％テルビウムの層が、測定精度
の限界内で、24原子％テルビウムの層と同じ信号対ノイ
ズ比および同じ感度値を示す。先行技術では、磁気特性
を著しく変化させずに、合金中の希土類金属の比率をそ
のような広い範囲内で変動させることができることは記
載されていない。
第１図は、被覆すべき基板の移動路と平行な面内のター
ゲットの配置図、 第２図は、被覆すべき基板の移動路と平行な共通面内
の、複数のターゲットの配置図、 第３図は、深さ全体にわたる、希土類金属REおよび遷移
金属TMから成る光磁気層の組成を図式的に示す図、 第４図は、ターゲットと基板との間に挿入したマスクの
マスク特性、および光磁気層の深さ全体にわたるスパッ
ター率の図、 第5A〜5D図は、ターゲットと基板との間に配置する、異
なったマスク開口部を持つ各種のマスクの平面図、 第6A〜6D図は、第5A〜5D図によるマスクで得られる、光
磁気層の、層の厚さ全体にわたる組成を示す図、 第７図は、各種の光磁気層の保磁力Hcおよび温度Ｔの関
係を示すグラフ、 第８図は、第７図による光磁気層の、保磁力の逆数1/Hc
と温度Ｔとの関係グラフである。 １……ターゲット、２……マスク、3,4,5……基板。
ゲットの配置図、 第２図は、被覆すべき基板の移動路と平行な共通面内
の、複数のターゲットの配置図、 第３図は、深さ全体にわたる、希土類金属REおよび遷移
金属TMから成る光磁気層の組成を図式的に示す図、 第４図は、ターゲットと基板との間に挿入したマスクの
マスク特性、および光磁気層の深さ全体にわたるスパッ
ター率の図、 第5A〜5D図は、ターゲットと基板との間に配置する、異
なったマスク開口部を持つ各種のマスクの平面図、 第6A〜6D図は、第5A〜5D図によるマスクで得られる、光
磁気層の、層の厚さ全体にわたる組成を示す図、 第７図は、各種の光磁気層の保磁力Hcおよび温度Ｔの関
係を示すグラフ、 第８図は、第７図による光磁気層の、保磁力の逆数1/Hc
と温度Ｔとの関係グラフである。 １……ターゲット、２……マスク、3,4,5……基板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 エルンスト‐ギュンター、シュロッサー ドイツ連邦共和国ケルクハイム、２、ア ンドレアス‐ファウスト‐シュトラー セ、13 (72)発明者 ギュンター、シュミット ドイツ連邦共和国ニーデルンハウゼン、 ゲルマーネンウェーク、13 (56)参考文献 特開 昭54−121719（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−222351（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 11/10
Claims (38)
- 【請求項１】磁気異方性を有する無定形の３元系または
４元系希土類／遷移金属合金からなり、その磁化容易軸
がその表面に対して直角である光磁気層からなる光磁気
記録媒体であって、 前記光磁気層が、不均質になるように、前記希土類およ
び遷移金属の少なくとも一つが厚さ方向において組成濃
度が変化する勾配を有し、前記不均質な層が、該層の温
度Ｔに依存する保磁力Hc inhを有し、 ここで、1/Hc inh＝1/8［1/kOe］となる温度よりも高い
温度から 1/Hc inh＝1/8［1/kOe］となる温度に向かって外挿され
た 1/Hc inh（Ｔ）の直線が温度軸と交わる点によって補償
温度T8kOe2（すなわちTcomp2）が規定され、そして 1/Hc inh＝1/8［1/kOe］となる温度よりも低い温度から1
/Hc inh＝1/8［1/kOe］となる温度に向かって外挿された
1/Hc inh（Ｔ）の直線が温度軸と交わる点によって補償
温度T8kOe1（すなわちTcomp1）が規定され、 前記補償温度の温度差Tcomp2−Tcomp1が100℃以上であ
り、その温度範囲内において、保磁力Hcが８［kOe］以
上であることを特徴とする、光磁気記録媒体。 - 【請求項２】希土類金属が、テルビウム、ガドリニウム
およびジスプロシウムからなる群から選ばれる少なくと
も１種からなり、遷移金属が、鉄およびコバルトからな
る群から選ばれる少なくとも１種からなる、請求項１に
記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】合金が、テルビウム、ジスプロシウム、鉄
およびコバルトからなる、請求項１に記載の光磁気記録
媒体。 - 【請求項４】合金がテルビウム、ガドリニウム、ジスプ
ロシウム、およびコバルトからなる、請求項１に記載の
光磁気記録媒体。 - 【請求項５】合金がテルビウム、ジスプロシウムおよび
コバルトからなる、請求項１に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項６】合金が式 （TbxDy1-x）ｙ（FezCo1-z）1-y で表わされ、 ０≦ｘ≦１ 0.15≦ｙ≦0.30 0.60≦ｚ≦１ である組成を有する、請求項１に記載の光磁気記録媒
体。 - 【請求項７】光磁気層の片側、または両側表面におい
て、平均濃度に比べて希土類金属の濃度が高くなってい
る、請求項１に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項８】光磁気層が、さらに耐腐食性元素の少なく
とも１種を含有している、請求項１に記載の光磁気記録
媒体。 - 【請求項９】光磁気層の少なくとも片側が、絶縁性の層
で覆われている、請求項１に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項１０】SiN,SiON,SiAlON、AlN,AlON,TaOxまたは
NbOxからなる群から選ばれた少なくとも１種からなる二
つの保護層の間に、光磁気層を配置してなる、請求項１
に記載の光磁気層を持つ光磁気記録媒体。 - 【請求項１１】さらに２つの保護層を含んでなり、基板
に面する光磁気層の側の保護層が、厚さλ/5n（ここ
で、ｎは保護層の屈折率であり、λはレーザー光の波長
である）を有する、請求項１に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項１２】光磁気層の片側、または両側表面におい
て、平均濃度に比べて希土類金属の濃度が高くなってい
る、請求項２に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項１３】耐腐食性元素が、Ti,Cr,Al,Pt,Zr,V,Ta,
Mo,W,Cu,Ru,Rh,Pd,Nb,Ir,HfおよびSiからなる群から選
ばれた少なくとも１種からなる、請求項８に記載の光磁
気記録媒体。 - 【請求項１４】光磁気層が、15〜100nmの厚さを有す
る、請求項11に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項１５】基板から離れた方の側の保護層が、基板
の方を向いた側の保護層の厚さ以下の厚さを有する、請
求項11に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項１６】層構造が、基板/70nm±5nm（Si,N）/80n
m±5nmTbFeCo/50nm±5nm（Si,N）で、第一の（Si,N）層
の窒化ケイ素の屈折率ｎが2.20±0.1で、第二の（Si,
N）層のそれは2.05±0.5である、請求項11に記載の光磁
気記録媒体。 - 【請求項１７】基板から離れた光磁気層の側の保護層が
反射層である、請求項11に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項１８】２つの保護層のうちの外側の層上に、さ
らに反射層が形成されてなる、請求項11に記載の光磁気
記録媒体。 - 【請求項１９】光磁気層の基板の方を向いた側で、遷移
金属濃度が高くなっている、請求項12に記載の光磁気記
録媒体。 - 【請求項２０】光磁気層の片側、または両側表面におい
て、平均濃度に比べて耐腐食性元素の濃度が高くなって
いる、請求項13に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項２１】反射層が、Ag、Cu、Au、TiNおよびZrNか
らなる群から選ばれた少なくとも１種からなる、請求項
17に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項２２】光磁気層の基板の方を向いた側で、コバ
ルト濃度が高くなっている、請求項19に記載の光磁気記
録媒体。 - 【請求項２３】光磁気層の基板から離れた方の側で、希
土類金属濃度が高くなっている、請求項19に記載の光磁
気記録媒体。 - 【請求項２４】層構造が、基板/70nm±5nm（Si,N）/25n
m±5nmTbFeCo/50nm±5nm反射層からなる、請求項21に記
載の光磁気記録媒体。 - 【請求項２５】共通面内に配置した一つ以上のスパッタ
ーターゲットに対して、被覆すべき基板を線状に移動さ
せ、希土類／遷移金属合金を動的にスパッターリング堆
積させることを特徴とする、請求項１に記載の光磁気記
録媒体の製造方法。 - 【請求項２６】光磁気層をDCマグネトロンスパッターリ
ングにより製造する、請求項25に記載の方法。 - 【請求項２７】少なくとも一つのスパッターターゲット
が遷移金属および希土類金属からなる、請求項25に記載
の方法。 - 【請求項２８】スパッターロープが重なるように、被覆
すべき基板からの距離に大体相当する相互の間隔を置い
て配置した、二以上のターゲットから基板上にスパッタ
ーリングを行なう、請求項25に記載の方法。 - 【請求項２９】スパッターローブが重ならないように、
被覆すべき基板からの距離よりも大きな相互の間隔を置
いて配置した、二以上のターゲットから基板上にスパッ
ターリングを行なう、請求項25に記載の方法。 - 【請求項３０】光磁気層の深さにおいて非対称の濃度勾
配を得るために、基板とターゲットとの間にマスクを挿
入する、請求項25に記載の方法。 - 【請求項３１】基板とターゲットとの間に、マスクの中
心線に関して対称の開口部を有するマスクを挿入する、
請求項25に記載の方法。 - 【請求項３２】スパッターターゲットの合金が、式 （TbxDy1-x）ｙ（FezCo1-z）1-y で表わされ、 ０≦ｘ≦１ 0.15≦ｙ≦0.30 0.60≦ｚ≦１ である組成を有する、請求項27に記載の方法。
- 【請求項３３】スパッターターゲットが、組成 Tb0.22−0.28Fe0.70−0.64Co0.08 を有する、請求項27に記載の方法。
- 【請求項３４】基板の移動方向における第一のターゲッ
トが、第二のターゲットよりも高い遷移金属含有量を示
す、請求項28に記載の方法。 - 【請求項３５】基板の移動方向における第一のターゲッ
トが、コバルトからなる、請求項28に記載の方法。 - 【請求項３６】少なくとも一つの陰極ターゲットがマグ
ネトロンとして作動し、その他が二極管として作動す
る、請求項28に記載の方法。 - 【請求項３７】基板の移動方向における第一および第二
のターゲットの双方がコバルトを含有し、基板の移動方
向で通過する第一のターゲットが、第二のターゲットよ
りも高いコバルト含有量を示す、請求項28に記載の方
法。 - 【請求項３８】マスクの開口部が、当該マスクの中心線
に関して非対称である、請求項30に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3904611.7 | 1989-02-16 | ||
| DE3904611A DE3904611A1 (de) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | Magnetooptische schicht und verfahren zu ihrer herstellung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02247848A JPH02247848A (ja) | 1990-10-03 |
| JP2996681B2 true JP2996681B2 (ja) | 2000-01-11 |
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