JPS63281250A - 磁気光学薄膜材料及びその製造方法 - Google Patents
磁気光学薄膜材料及びその製造方法Info
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- JPS63281250A JPS63281250A JP11729187A JP11729187A JPS63281250A JP S63281250 A JPS63281250 A JP S63281250A JP 11729187 A JP11729187 A JP 11729187A JP 11729187 A JP11729187 A JP 11729187A JP S63281250 A JPS63281250 A JP S63281250A
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Landscapes
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の産業上利用分野〕
本発明は、磁気光学薄膜材料およびその製造方法、さら
に詳細には、大きな磁気光学効果を有し、環境安定性に
優れ、光磁気記録媒体として有用な磁気光学薄膜材料と
その製造方法に関するものである。
に詳細には、大きな磁気光学効果を有し、環境安定性に
優れ、光磁気記録媒体として有用な磁気光学薄膜材料と
その製造方法に関するものである。
近年、高密度で書き換え可能な記録媒体として合金ある
いは酸化物の磁気光学効果を利用した光磁気記録媒体の
開発が活発に行われている。光磁気記録媒体における重
要な問題点は記録再生における信号／雑音の比を大きく
することである。この信号／雑音の比を大きくするため
には媒体に優れた磁気光学効果、すなわち大きな極力−
回転角あるいは大きなファラデー回転角と優れた光透過
性を有する磁気光学材料を用いる必要がある。従来光磁
気記録媒体用の磁気光学薄膜材料として、ＧｄＣｏ等の
非晶質の希土類−遷移金属薄膜、ＭｎＢ１、ＭｎＡｌＧ
ｅ等のＭｎ系合金などが知られていたが、これらの磁気
光学効果が小さい欠点があった。このような状況におい
て、最近磁気光学効果が大きい材料として面心立方型結
晶構造（Ｃ１ら型）のＰ ｔＭｎｓｂ合金が発見され、
新しい媒体材料として期待されている。ところが、この
ＰｔＭｎＳｂ薄膜材料は空気中に放置するだけでその表
面が酸化され、組成変動が起こるために極力−回転角が
変化し、環境安定性に劣る欠点を有していた。
いは酸化物の磁気光学効果を利用した光磁気記録媒体の
開発が活発に行われている。光磁気記録媒体における重
要な問題点は記録再生における信号／雑音の比を大きく
することである。この信号／雑音の比を大きくするため
には媒体に優れた磁気光学効果、すなわち大きな極力−
回転角あるいは大きなファラデー回転角と優れた光透過
性を有する磁気光学材料を用いる必要がある。従来光磁
気記録媒体用の磁気光学薄膜材料として、ＧｄＣｏ等の
非晶質の希土類−遷移金属薄膜、ＭｎＢ１、ＭｎＡｌＧ
ｅ等のＭｎ系合金などが知られていたが、これらの磁気
光学効果が小さい欠点があった。このような状況におい
て、最近磁気光学効果が大きい材料として面心立方型結
晶構造（Ｃ１ら型）のＰ ｔＭｎｓｂ合金が発見され、
新しい媒体材料として期待されている。ところが、この
ＰｔＭｎＳｂ薄膜材料は空気中に放置するだけでその表
面が酸化され、組成変動が起こるために極力−回転角が
変化し、環境安定性に劣る欠点を有していた。
本発明は上述の点に鑑みなされたものであり、Ｐ ｔＭ
ｎＳｂ薄膜の欠点を解決し、従来のＧｄＣｏ、ＭｎＡｌ
Ｇｅなどの合金磁気光学材料よりも優れた磁気光学効果
を有するとともに、環境安定性さらに機械的強度に優れ
た磁気光学ｉ膜材料及びその製造方法を提供することを
目的とする。
ｎＳｂ薄膜の欠点を解決し、従来のＧｄＣｏ、ＭｎＡｌ
Ｇｅなどの合金磁気光学材料よりも優れた磁気光学効果
を有するとともに、環境安定性さらに機械的強度に優れ
た磁気光学ｉ膜材料及びその製造方法を提供することを
目的とする。
上述の目的を達成するため、本発明による磁気光学薄膜
は、基本的に組成式（ｐｔζＭｎ６ＳＩ）ｃ ） ｘ−
χＯχで表される磁気光学材料であって、０．０１≦×
≦０．２０．０．７≦ａ≦１．２．０．７≦ｂ≦１．７
．０．７≦Ｃ≦１．６（ただしＢ ＋ｂ＋ｃ ＝３ ＞
であることを特徴としている。
は、基本的に組成式（ｐｔζＭｎ６ＳＩ）ｃ ） ｘ−
χＯχで表される磁気光学材料であって、０．０１≦×
≦０．２０．０．７≦ａ≦１．２．０．７≦ｂ≦１．７
．０．７≦Ｃ≦１．６（ただしＢ ＋ｂ＋ｃ ＝３ ＞
であることを特徴としている。
また、本発明による磁気光学材料の製造方法は、酸素を
加えた雰囲気中で、基本的に組成式％式％ ０．７≦Ｃ≦１．６（ただしａ ＋ｂ ＋ｃ ＝３ ）
である薄膜を５００℃もしくはそれよりも低い温度の基
板上に形成することを特徴とする。
加えた雰囲気中で、基本的に組成式％式％ ０．７≦Ｃ≦１．６（ただしａ ＋ｂ ＋ｃ ＝３ ）
である薄膜を５００℃もしくはそれよりも低い温度の基
板上に形成することを特徴とする。
さらに本発明による第二の磁気光学材料の製造方法は、
酸素を加えた雰囲気中で、基本的に組成式（ＰｔＭｎ５
ｂｉ膜 に、０．０１≦Ｘ≦０．２０．０．７≦ａ≦１．２．０
．７≦ｂ≦１．７．０．７≦Ｃ≦１．６（ただしａ ＋
ｂ ＋ｃ ＝３ ）であるＮ膜を５００℃もしくはそれ
よりも低い温度の基板上に形成し、この薄膜を１５０
’Ｃ〜７００ ’Ｃで熱処理することを特徴とする。
酸素を加えた雰囲気中で、基本的に組成式（ＰｔＭｎ５
ｂｉ膜 に、０．０１≦Ｘ≦０．２０．０．７≦ａ≦１．２．０
．７≦ｂ≦１．７．０．７≦Ｃ≦１．６（ただしａ ＋
ｂ ＋ｃ ＝３ ）であるＮ膜を５００℃もしくはそれ
よりも低い温度の基板上に形成し、この薄膜を１５０
’Ｃ〜７００ ’Ｃで熱処理することを特徴とする。
すなわち、本発明によれば、磁気光学効果が大きく、環
境安定性及び機械的強度に優れた組成式％式％） で表される磁気光学薄膜材料、ならびに酸素を加えた雰
囲気中でＰｔｓ Ｍｎｓ Ｓｂ及びＯを主要成分とする
薄膜を基板上にスパッタリング法によって堆積すること
を特徴とする上記磁気光学薄膜材料の製造方法に関する
ものである。
境安定性及び機械的強度に優れた組成式％式％） で表される磁気光学薄膜材料、ならびに酸素を加えた雰
囲気中でＰｔｓ Ｍｎｓ Ｓｂ及びＯを主要成分とする
薄膜を基板上にスパッタリング法によって堆積すること
を特徴とする上記磁気光学薄膜材料の製造方法に関する
ものである。
本発明は、従来のＰｔＭｎＳｂ薄膜に酸素を含有させる
ことにより、Ｃ１ら型結晶構造が保たれた状態でＰｔＭ
ｎ５ｂｉ膜と同様の大きな磁気光学効果を示すとともに
、従来のＰｔＭｎＳｂ薄膜材料の欠点であった耐酸化性
、耐湿性等の環境安定性が改善され、さらに機械的硬さ
も改善されるという発見に基づいている。
ことにより、Ｃ１ら型結晶構造が保たれた状態でＰｔＭ
ｎ５ｂｉ膜と同様の大きな磁気光学効果を示すとともに
、従来のＰｔＭｎＳｂ薄膜材料の欠点であった耐酸化性
、耐湿性等の環境安定性が改善され、さらに機械的硬さ
も改善されるという発見に基づいている。
これらの各特性は組成式（ＰｔＭｎＳｂ） １− Ｘ
Ｏχ（ａ ＝ｂ ＝ｃ−１の場合を例として説明する〕
におけるＸによって変化する。Ｘ≦０．２０の組成を持
つ薄膜の磁気光学特性は、従来材料である例えばＧｄＣ
ｏの極力−回転角（θＫ ＝０．３ °）及びＭｎＡ
ＩＧｅのファラデー回転係数（θＦ ＝Ｉ ＸＩＯ５
ｄｅｇ ／ｅ１ｍ）と同等以上であることが確認された
。
Ｏχ（ａ ＝ｂ ＝ｃ−１の場合を例として説明する〕
におけるＸによって変化する。Ｘ≦０．２０の組成を持
つ薄膜の磁気光学特性は、従来材料である例えばＧｄＣ
ｏの極力−回転角（θＫ ＝０．３ °）及びＭｎＡ
ＩＧｅのファラデー回転係数（θＦ ＝Ｉ ＸＩＯ５
ｄｅｇ ／ｅ１ｍ）と同等以上であることが確認された
。
に＞０．２０の組成を持つ薄膜ではＣＩ＆結晶の含有割
合が少なくなるため、その磁気光学特性は従来材料の特
性よりも劣ってくる。環境安定性はＸ≧０．０１の組成
を持つ薄膜において良好である。
合が少なくなるため、その磁気光学特性は従来材料の特
性よりも劣ってくる。環境安定性はＸ≧０．０１の組成
を持つ薄膜において良好である。
ところが、ｘ ＜０．０１の組成を持つ薄膜では空気中
の放置により薄膜表面においてＭｎの選択酸化が起こり
、極力−回転角が変化し、耐環境性に対する酸素含有の
効果が無い。
の放置により薄膜表面においてＭｎの選択酸化が起こり
、極力−回転角が変化し、耐環境性に対する酸素含有の
効果が無い。
本発明の説明においては、組成式
％式％）
れる磁気光学薄膜材料において、Ｐｔ、 Ｍｎ及びｓｂ
の原子比を等原子比としたが、原子比がこれからずれて
も、例えば組成式（ＰｔＭｎＳｂｃ） １−ｘＱ ｘに
おけるａ、ｂ、ｃがそれツレ０．７〜１．２．０．７〜
１．７．０．７〜１．６ （ａ ＋ｂ ＋Ｃ＝３ ）
程度であれば、薄膜の酸素の含有はその磁気光学効果、
環境安定性及び機械的な硬さに対して等原子比の組成の
薄膜で示された効果上同様の効果を与える。
の原子比を等原子比としたが、原子比がこれからずれて
も、例えば組成式（ＰｔＭｎＳｂｃ） １−ｘＱ ｘに
おけるａ、ｂ、ｃがそれツレ０．７〜１．２．０．７〜
１．７．０．７〜１．６ （ａ ＋ｂ ＋Ｃ＝３ ）
程度であれば、薄膜の酸素の含有はその磁気光学効果、
環境安定性及び機械的な硬さに対して等原子比の組成の
薄膜で示された効果上同様の効果を与える。
また、本発明における磁気光学薄膜材料はｐｔ、Ｍｎ、
Ｓｂ及び０の４元素が主成分であるが、本薄膜材料の
結晶構造ならびに特性を損なわない限りにおいて他の元
素を置き換え得る。例えばｐｔの一部をＣｕ、 Ａｇ、
Ａｕ、Ｙ ＳＳｃ、 ＴＩ、Ｚｒ、 Ｉｌｆ、ν、Ｎ
ｂ、↑ａ１Ｃｒ、 ＭｏＸ Ｆｅ、 ＣｏＳ Ｎｉ
、 Ｒｕ、 ＲｈＸ Ｐｄ、、 Ｏｓｓ Ｉｒの
−１１以上で、Ｍｎの一部をＣｒ、 Ｆ７． Ｃ０５Ｎ
ｌ、希土類元素の一種以上で、もしくはｓｂの一部をＺ
ｎ、、 Ｃｄ、 Ｃａ。
Ｓｂ及び０の４元素が主成分であるが、本薄膜材料の
結晶構造ならびに特性を損なわない限りにおいて他の元
素を置き換え得る。例えばｐｔの一部をＣｕ、 Ａｇ、
Ａｕ、Ｙ ＳＳｃ、 ＴＩ、Ｚｒ、 Ｉｌｆ、ν、Ｎ
ｂ、↑ａ１Ｃｒ、 ＭｏＸ Ｆｅ、 ＣｏＳ Ｎｉ
、 Ｒｕ、 ＲｈＸ Ｐｄ、、 Ｏｓｓ Ｉｒの
−１１以上で、Ｍｎの一部をＣｒ、 Ｆ７． Ｃ０５Ｎ
ｌ、希土類元素の一種以上で、もしくはｓｂの一部をＺ
ｎ、、 Ｃｄ、 Ｃａ。
Ｉｎ５Ｓｉｓ Ｇｅ、 Ｓｎ、 Ｐｂ５ＡＳ％旧、５ｅ
ＳＴｅの一種以上で置換してもよい。
ＳＴｅの一種以上で置換してもよい。
さらに、本発明は酸素を加えた雰囲気中のスパッタリン
グによりＰｔＸＭｎ５ Ｓｂ及び０からなる薄膜を５０
０℃あるいはそれよりも低い温度の基板上に堆積するか
、もしくはＰＬＸＭｎｓ Ｓｂ及び０からなる薄膜を５
００℃あるいはそれよりも低い温度の基板上に堆積し、
これを１５０℃〜７００℃で熱処理することによって組
成式（ＰｔＭｎＳｂ） １− Ｘ Ｏｘ （０，０１≦
×≦０．２０）からなる磁気光学薄膜材ｔ１を製造した
結果に基づいてなされた。
グによりＰｔＸＭｎ５ Ｓｂ及び０からなる薄膜を５０
０℃あるいはそれよりも低い温度の基板上に堆積するか
、もしくはＰＬＸＭｎｓ Ｓｂ及び０からなる薄膜を５
００℃あるいはそれよりも低い温度の基板上に堆積し、
これを１５０℃〜７００℃で熱処理することによって組
成式（ＰｔＭｎＳｂ） １− Ｘ Ｏｘ （０，０１≦
×≦０．２０）からなる磁気光学薄膜材ｔ１を製造した
結果に基づいてなされた。
上記組成のｎマ股を加熱した基板上へ堆積する際、５０
０℃より高い温度の基板上へ堆積したｌ膜の組成がずれ
、薄膜中のｃｔ−型結晶の含有割合が少なくなるために
、このＩｌ膜の磁気光学特性は従来材料の特性よりも劣
る。一方、５００℃より低い温度の基板上へ堆積させた
上記組成の薄膜を、その堆積の際の基板温度より高い温
度で熱処理することによって、磁気光学効果が増大する
。ところが、室温付近の温度の基板上に堆積した薄膜に
おいて、１５０℃よりも低い温度で熱処理した場合には
磁気光学効果の増大は認められず、熱処理による効果か
ない、また、室温５００℃の基板上に堆積し、７００℃
よりも高い温度で熱処理した１ＪＩＩＩではｓｂの蒸発
により組成がずれて薄膜中の０１−型結晶の含有割合が
少なくなる。このため、この薄膜の磁気光学特性は従来
材料の特性よりも劣る０以上のように上記組成式からな
る磁気光学薄膜を製造するための基板温度は５００℃あ
るいはそれ以下の温度が有効であり、熱処理温度は１５
０℃〜７００℃が有効である。
０℃より高い温度の基板上へ堆積したｌ膜の組成がずれ
、薄膜中のｃｔ−型結晶の含有割合が少なくなるために
、このＩｌ膜の磁気光学特性は従来材料の特性よりも劣
る。一方、５００℃より低い温度の基板上へ堆積させた
上記組成の薄膜を、その堆積の際の基板温度より高い温
度で熱処理することによって、磁気光学効果が増大する
。ところが、室温付近の温度の基板上に堆積した薄膜に
おいて、１５０℃よりも低い温度で熱処理した場合には
磁気光学効果の増大は認められず、熱処理による効果か
ない、また、室温５００℃の基板上に堆積し、７００℃
よりも高い温度で熱処理した１ＪＩＩＩではｓｂの蒸発
により組成がずれて薄膜中の０１−型結晶の含有割合が
少なくなる。このため、この薄膜の磁気光学特性は従来
材料の特性よりも劣る０以上のように上記組成式からな
る磁気光学薄膜を製造するための基板温度は５００℃あ
るいはそれ以下の温度が有効であり、熱処理温度は１５
０℃〜７００℃が有効である。
〔実施例１〕
ＭｎＳｂ合金上にｐｔチップを乗せたターゲットを用い
、種々の混合比をもったＡｒ＋０１ 混合ガス中のスパ
ッタリングにより、（ＰｔＭｎＳｂ） １− Ｘ Ｏｘ
（０≦Ｘ≦０．３０）組成となるように６００℃までの
種々の温度に設定した基板上に薄膜を堆積させた。 こ
の方法で製造した薄膜の組成Ｘ及び基板温度に対する磁
気極カー回転角（θＫ ：波長６３３ｎｍ 、外部磁場
６ｋＯｅ）ならびに薄膜を空気中に１０日間放置した後
のθにの変動を第１表に示す、第１表中の番号１は組成
がＸ−０％番号２はｘ −０，００５、番号３と４はｘ
−０，０１、阻５と６はｘ ＝０．０５、番号７〜９
はｘ−０，１０、番号ｌＯ〜１２はｘ ＝０．２０、番
号１３はｘ−０，２５、番号１４はｘ ＝０．３０の場
合の例である。
、種々の混合比をもったＡｒ＋０１ 混合ガス中のスパ
ッタリングにより、（ＰｔＭｎＳｂ） １− Ｘ Ｏｘ
（０≦Ｘ≦０．３０）組成となるように６００℃までの
種々の温度に設定した基板上に薄膜を堆積させた。 こ
の方法で製造した薄膜の組成Ｘ及び基板温度に対する磁
気極カー回転角（θＫ ：波長６３３ｎｍ 、外部磁場
６ｋＯｅ）ならびに薄膜を空気中に１０日間放置した後
のθにの変動を第１表に示す、第１表中の番号１は組成
がＸ−０％番号２はｘ −０，００５、番号３と４はｘ
−０，０１、阻５と６はｘ ＝０．０５、番号７〜９
はｘ−０，１０、番号ｌＯ〜１２はｘ ＝０．２０、番
号１３はｘ−０，２５、番号１４はｘ ＝０．３０の場
合の例である。
番号１，２．３，６，８，１１．１３及び１４の３００
℃に加熱した基板上に堆積した薄膜のθＫを比較すると
、組成Ｘ≦０．２０のｉｆ膜のθＫが０．３ °より
も大きくなることがわかる。これらの薄膜のファラデー
回転係数は１．６ ｘｉｏｓ ｄｅｇ ／ｃｓ以上の大
きさであった。組成Ｘ≦０．２０の薄膜において、番号
４及び番号１２に示すように、６００℃に加熱した基板
上に堆積した薄膜のθには０．３ °よりも小さい。
℃に加熱した基板上に堆積した薄膜のθＫを比較すると
、組成Ｘ≦０．２０のｉｆ膜のθＫが０．３ °より
も大きくなることがわかる。これらの薄膜のファラデー
回転係数は１．６ ｘｉｏｓ ｄｅｇ ／ｃｓ以上の大
きさであった。組成Ｘ≦０．２０の薄膜において、番号
４及び番号１２に示すように、６００℃に加熱した基板
上に堆積した薄膜のθには０．３ °よりも小さい。
薄膜を空気中の１０日間放置した後のθにの変動は、番
号１及び番号２に示す組成ｘ ＜０．０１の薄膜におい
て１０％以上と大きい。しかし、組成Ｘ≧０．０１の薄
膜では１０％以内であり、薄膜中の酸素含有量が多くな
るほど変動が小さくなった。第１図及び第２図はそれぞ
れ番号１（ｘ＝Ｏ）及び番号１１（ｘ ＝０．２０）の
薄膜の空気中放置前と後のオージェ分析による膜厚方向
の組成分布を示す。第１図の（ａ）と−）の比較より、
組成ｘ ＝Ｏの薄膜の表面ではＭｎが酸化され、酸素が
膜内部に拡散し、組成がずれることがわかる。この薄膜
表面の組成ずれのためにθＫが変動する。これに対して
、第２図のｔａ＋と（ｂ）の比較から明らかなように、
酸素を含有した組成ｘ 〜０．２０の薄膜では、空気中
放置による薄膜表面の組成変化は小さい。このように、
ＰｔＭｎＳｂ薄膜を空気中に放置した場合のθにの変動
に対する酸素含有の効果が著しいことがわかった。
号１及び番号２に示す組成ｘ ＜０．０１の薄膜におい
て１０％以上と大きい。しかし、組成Ｘ≧０．０１の薄
膜では１０％以内であり、薄膜中の酸素含有量が多くな
るほど変動が小さくなった。第１図及び第２図はそれぞ
れ番号１（ｘ＝Ｏ）及び番号１１（ｘ ＝０．２０）の
薄膜の空気中放置前と後のオージェ分析による膜厚方向
の組成分布を示す。第１図の（ａ）と−）の比較より、
組成ｘ ＝Ｏの薄膜の表面ではＭｎが酸化され、酸素が
膜内部に拡散し、組成がずれることがわかる。この薄膜
表面の組成ずれのためにθＫが変動する。これに対して
、第２図のｔａ＋と（ｂ）の比較から明らかなように、
酸素を含有した組成ｘ 〜０．２０の薄膜では、空気中
放置による薄膜表面の組成変化は小さい。このように、
ＰｔＭｎＳｂ薄膜を空気中に放置した場合のθにの変動
に対する酸素含有の効果が著しいことがわかった。
上記の例より、組成式（ＰｔＭｎＳｂ） １− Ｘ Ｏ
ｘ テ表される磁気光学薄膜材料が大きな磁気光学効果
及び良好な環境安定性を有するための組成範囲は０、０
１≦Ｘ≦０．２０であることがわかった。また、スパッ
クリングによる本薄膜材料の製造方法における基板温度
は５００℃あるいはそれよりも低い温度が有効である。
ｘ テ表される磁気光学薄膜材料が大きな磁気光学効果
及び良好な環境安定性を有するための組成範囲は０、０
１≦Ｘ≦０．２０であることがわかった。また、スパッ
クリングによる本薄膜材料の製造方法における基板温度
は５００℃あるいはそれよりも低い温度が有効である。
第１表の番号１，２，３．６．８．１１．１３及び１４
には３００℃の基板上への堆積によって製造した薄膜の
モース硬度も示しである。組成Ｘが大きくなるほどモー
ス硬度は大きくなり、薄膜表面が強固になる。
には３００℃の基板上への堆積によって製造した薄膜の
モース硬度も示しである。組成Ｘが大きくなるほどモー
ス硬度は大きくなり、薄膜表面が強固になる。
以上のように、ＰｔＭｎＳｂ薄膜に酸素を含有させるこ
とにより、機械的強度も改善できる。
とにより、機械的強度も改善できる。
第１表
〔実施例２〕
ＭｎＳｂ合金上にＰＬチップを乗せたターゲットを用い
、種々の混合比をもった＾ｒ＋０！混合ガス中のスパッ
タリングにより、（ＰｔＭｎＳｂ） １− Ｘ Ｏｘ
（０≦χ≦０．３０）組成の薄膜を無加熱、３００℃及
び５００℃に加熱した基板上に堆積した。引き続いてこ
の堆積膜を不活性ガス中８０℃〜８００℃で熱処理した
。
、種々の混合比をもった＾ｒ＋０！混合ガス中のスパッ
タリングにより、（ＰｔＭｎＳｂ） １− Ｘ Ｏｘ
（０≦χ≦０．３０）組成の薄膜を無加熱、３００℃及
び５００℃に加熱した基板上に堆積した。引き続いてこ
の堆積膜を不活性ガス中８０℃〜８００℃で熱処理した
。
無加熱の基板上に堆積した組成が０．０１：ａｘ≦０６
２０のＮ膜を１５０℃〜７００℃で熱処理したときに、
この薄膜のθには無加熱の薄膜のθＫ （０，３。
２０のＮ膜を１５０℃〜７００℃で熱処理したときに、
この薄膜のθには無加熱の薄膜のθＫ （０，３。
〜０゜４ °）より大きく、空気中に１０日間放置後の
θにの変動が１０％以内の特性を有する磁気光学薄膜材
料が得られた。これらの薄膜の硬度は組成ｘ ＜０．０
１の薄膜の硬度よりも大きくなった０組成がＸ ＞０．
２０熱処理温度が１５０℃より低温度あるいは７００℃
よりも高温度の場合に、０．３ °〜０．４ 。
θにの変動が１０％以内の特性を有する磁気光学薄膜材
料が得られた。これらの薄膜の硬度は組成ｘ ＜０．０
１の薄膜の硬度よりも大きくなった０組成がＸ ＞０．
２０熱処理温度が１５０℃より低温度あるいは７００℃
よりも高温度の場合に、０．３ °〜０．４ 。
より大きいθＫを有する薄膜は得られなかった。
また、組成がｘ ＜０．０１の薄膜のθにの変動は１０
％以上であった。
％以上であった。
３００℃及び５００℃の基板に堆積して製造した組成０
．０１≦Ｘ≦０．２０の薄膜において、本基板温度より
高い温度で熱処理した場合の薄膜のθには０゜３ °よ
りも大きく、熱処理を施す前の薄膜のθによりも０．１
°もしくはそれ以上大きくなった。しかし、７００
℃より高い温度で熱処理した薄膜のθには急激に小さく
なり、０６３ °より小さくなった。
．０１≦Ｘ≦０．２０の薄膜において、本基板温度より
高い温度で熱処理した場合の薄膜のθには０゜３ °よ
りも大きく、熱処理を施す前の薄膜のθによりも０．１
°もしくはそれ以上大きくなった。しかし、７００
℃より高い温度で熱処理した薄膜のθには急激に小さく
なり、０６３ °より小さくなった。
以上のように組成０．Ｏ１≦χ≦０．２０の薄膜を堆積
するときの基板温度より高い温度で熱処理することによ
って、本薄膜のθにの増大効果が認められ、このときの
熱処理温度は１５０℃〜７００℃が有効である。
するときの基板温度より高い温度で熱処理することによ
って、本薄膜のθにの増大効果が認められ、このときの
熱処理温度は１５０℃〜７００℃が有効である。
本実施例では熱処理を不活性ガス中で行ったが真空中の
熱処理によっても上記と同様の特性を有する磁気光学薄
膜材料を製造できた。
熱処理によっても上記と同様の特性を有する磁気光学薄
膜材料を製造できた。
上記の各実施例ではターゲットにＭｎＳｂとｐｔチップ
を組合せた複合ターゲットを用いたが、Ｐｔ、 Ｍｎ及
びｓｂからなるターゲットであればどのような組合せの
ターゲットも用いることができる。
を組合せた複合ターゲットを用いたが、Ｐｔ、 Ｍｎ及
びｓｂからなるターゲットであればどのような組合せの
ターゲットも用いることができる。
上記実施例においては、薄膜の堆積法としては通常のス
パッタリング法を利用したが、本発明においては前記薄
膜の形成方法は基本的に限定されるものではなく、その
他の堆積法として、たとえば３元同時スパッタ法、イオ
ンビームスパッタ法、３元同時蒸着法、フラッシュ蒸着
法、レーザビーム蒸着法、イオンブレーティング法、Ｃ
ＶＤ法、ＭＢＥ法等各種の方法を利用できる。
パッタリング法を利用したが、本発明においては前記薄
膜の形成方法は基本的に限定されるものではなく、その
他の堆積法として、たとえば３元同時スパッタ法、イオ
ンビームスパッタ法、３元同時蒸着法、フラッシュ蒸着
法、レーザビーム蒸着法、イオンブレーティング法、Ｃ
ＶＤ法、ＭＢＥ法等各種の方法を利用できる。
以上説明したように、本発明の組成式
％式％）
で表される磁気光学薄膜材料は、薄膜中に酸素を含有す
るために、大きな磁気光学効果とともに良好な環境安定
性ならびに優れた機械的強度も有する利点がある。この
薄膜材料は、酸素を加えた雰囲気中で、Ｐｔ、 Ｍｎ、
Ｓｂ及びＯからなる薄膜を５００℃あるいはそれより
も低い温度の基板上に堆積することによって製造できる
。さらに、この薄膜を５基板温度よりも高い温度で熱処
理することによって磁気光学効果の増大をはかることが
できる。
るために、大きな磁気光学効果とともに良好な環境安定
性ならびに優れた機械的強度も有する利点がある。この
薄膜材料は、酸素を加えた雰囲気中で、Ｐｔ、 Ｍｎ、
Ｓｂ及びＯからなる薄膜を５００℃あるいはそれより
も低い温度の基板上に堆積することによって製造できる
。さらに、この薄膜を５基板温度よりも高い温度で熱処
理することによって磁気光学効果の増大をはかることが
できる。
第１図はＰｔＭｎＳｂ薄膜のオージェ電子のビーク−ツ
ウ−ビーク強度とエツチング時間との関係を示す図であ
り、（ａ）は製造直後の薄膜の膜厚方向の組成分布を示
し、（ｂ）はこれを空気中に１０日間放置した後の薄膜
の膜厚方向の組成分布を示す。第２図は（ＰｔＭｎＳｂ
）。、８０゜、２薄膜のオージェ電子のビーク−ツウ−
ピーク強度とエツチング時間との関係を示す図であり、
（ａ）は製造直後の薄膜の膜厚方向の組成分布を示し、
伽）はこれを空気中に１０日間放置した後の膜厚方向の
組成分布を示す。 出願人代理人 雨 宮 正 季 第１図 ５ ｆｏ ｆ５ ２０ニーＪ
＋ング吟関 （ｍｉｎ） （Ｑ） エツチング時間 （ｍｉｎ） （ｂ） 第２図 ５ ｔｏ １５ ２０工ｙ’ｒ
”Ｊ””ｆ Ｉｓ門 （ｍｉｎ）（ａノ エ・ノート）τ 晴 −ｆｌ”ｌ （ｍｉｎ）（
ｂ）
ウ−ビーク強度とエツチング時間との関係を示す図であ
り、（ａ）は製造直後の薄膜の膜厚方向の組成分布を示
し、（ｂ）はこれを空気中に１０日間放置した後の薄膜
の膜厚方向の組成分布を示す。第２図は（ＰｔＭｎＳｂ
）。、８０゜、２薄膜のオージェ電子のビーク−ツウ−
ピーク強度とエツチング時間との関係を示す図であり、
（ａ）は製造直後の薄膜の膜厚方向の組成分布を示し、
伽）はこれを空気中に１０日間放置した後の膜厚方向の
組成分布を示す。 出願人代理人 雨 宮 正 季 第１図 ５ ｆｏ ｆ５ ２０ニーＪ
＋ング吟関 （ｍｉｎ） （Ｑ） エツチング時間 （ｍｉｎ） （ｂ） 第２図 ５ ｔｏ １５ ２０工ｙ’ｒ
”Ｊ””ｆ Ｉｓ門 （ｍｉｎ）（ａノ エ・ノート）τ 晴 −ｆｌ”ｌ （ｍｉｎ）（
ｂ）
Claims (3)
- （１）基本的に組成式（Ｐｔ＿ａＭｎ＿ｂＳｂ＿ｃ）＿
１＿−＿ｘＯ＿ｘで表される磁気光学薄膜材料であって
、０．０１≦ｘ≦０．２０、０．７≦ａ≦１．２、０．
７≦ｂ≦１．７、０．７≦ｃ≦１．６（ただしａ＋ｂ＋
ｃ＝３）であることを特徴とする磁気光学薄膜材料。 - （２）酸素を加えた雰囲気中で、基本的に組成式（Ｐｔ
＿ａＭｎ＿ｂＳｂ＿ｃ）＿１＿−＿ｘＯ＿ｘで表される
とともに、０．０１≦ｘ≦０．２０、０．７≦ａ≦１．
２、０．７≦ｂ≦１．７、０．７≦ｃ≦１．６（ただし
ａ＋ｂ＋ｃ＝３）である薄膜を５００℃もしくはそれよ
りも低い温度の基板上に形成することを特徴とする磁気
光学薄膜材料の製造方法。 - （３）酸素を加えた雰囲気中で、基本的に組成式（Ｐｔ
＿ａＭｎ＿ｂＳｂ＿ｃ）＿１＿−＿ｘＯ＿ｘで表される
とともに、０．０１≦ｘ≦０．２０、０．７≦ａ≦１．
２、０．７≦ｂ≦１．７、０．７≦ｃ≦１．６（ただし
ａ＋ｂ＋ｃ＝３）である薄膜を５００℃もしくはそれよ
りも低い温度の基板上に形成し、この薄膜を１５０℃〜
７００℃で熱処理することを特徴とする磁気光学薄膜材
料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11729187A JPS63281250A (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | 磁気光学薄膜材料及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11729187A JPS63281250A (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | 磁気光学薄膜材料及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63281250A true JPS63281250A (ja) | 1988-11-17 |
Family
ID=14708115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11729187A Pending JPS63281250A (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | 磁気光学薄膜材料及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63281250A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03162735A (ja) * | 1989-11-20 | 1991-07-12 | Riken Corp | 光磁気記録媒体 |
-
1987
- 1987-05-14 JP JP11729187A patent/JPS63281250A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03162735A (ja) * | 1989-11-20 | 1991-07-12 | Riken Corp | 光磁気記録媒体 |
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