JPH01118238A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH01118238A JPH01118238A JP27542287A JP27542287A JPH01118238A JP H01118238 A JPH01118238 A JP H01118238A JP 27542287 A JP27542287 A JP 27542287A JP 27542287 A JP27542287 A JP 27542287A JP H01118238 A JPH01118238 A JP H01118238A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、光磁気記録媒体の製造方法に関する。
(従来の技術)
光磁気記録などへの応用に注目して各種の磁性薄膜が検
討されている。たとえば、TbFe。
討されている。たとえば、TbFe。
などの希土鉄族合金、MnB1、Mn Cu B l
、オルソフェライト、PtMnSb 、 PdMnSb
、 NiMnSb等が知られている。ここで信号の質
を高くするためにはカー回転角が高いことが必要であシ
、P tMn S bは常温でのカー回転角がきわめて
高い物質として注目されている。
、オルソフェライト、PtMnSb 、 PdMnSb
、 NiMnSb等が知られている。ここで信号の質
を高くするためにはカー回転角が高いことが必要であシ
、P tMn S bは常温でのカー回転角がきわめて
高い物質として注目されている。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、これら合金中のMnは極めて酸化しやす
く、薄膜形成時に酸化されやすく、本来の特性が安定し
て得られないという難点がある。
く、薄膜形成時に酸化されやすく、本来の特性が安定し
て得られないという難点がある。
そこで本発明者は、安定して本来の十分なカー回転角が
得られる方法を検討し、本発明に到達した。
得られる方法を検討し、本発明に到達した。
(発明の構成)
本発明の要旨は、基板上に一般式XMnZで表わされる
磁性薄膜を有する光磁気記録媒体を製造するにあたり、
水素μス含有雰囲気下物理的もしくは化学的蒸着によυ
製膜することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法に
存する。
磁性薄膜を有する光磁気記録媒体を製造するにあたり、
水素μス含有雰囲気下物理的もしくは化学的蒸着によυ
製膜することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法に
存する。
本発明において光磁気記録媒体として用いる磁性薄膜は
下記一般式: X:Fe、CoおよびMn以外の遷移金属元素 z : I[b 、IV、V族元素 で表わされる。
下記一般式: X:Fe、CoおよびMn以外の遷移金属元素 z : I[b 、IV、V族元素 で表わされる。
X成分の遷移金属としては、Pts NI J Cu
*Cr 、 Zr r l’tb 、 Mo 、 Pd
等から選ばれた少なくとも一種以上が用いられる。
*Cr 、 Zr r l’tb 、 Mo 、 Pd
等から選ばれた少なくとも一種以上が用いられる。
Z成分の元素としては、Sb 、 Sn 、 Bi 、
Pb 。
Pb 。
AL、Y等から選ばれた少なくとも1種以上が用いられ
る。(但し、IUPAC周期律表によるものとする。) 本発明の磁性薄膜の製法には、公知のスパッタ法を主と
して他に蒸着法、イオンブレーティング法、クラスタイ
オンビーム法等の所謂物理蒸着法(Physical
Vapor Deposition以下PVD法と略)
あるいは化学的蒸着法が用いられる。スパッタ法は、成
膜すべき薄膜材料に応じたターゲツト材にAr等のイオ
ンを衝突させターゲツト材の原子をたたき出す(=スパ
ッタ)事によシ基板上にスパッタされた原子が堆積する
ことによシ膜形成を行う。Ar等のイオンの生成は/
0−’〜/ 0−” Torrの分圧のガスをスパッタ
真空容器中に導入し、直流又は高周波交流電界をターゲ
ラ) (Target)と対向電極(通常接地された基
板支持体又は真空容器)の間に印加し、公知のグロー放
電を生じて生成する。
る。(但し、IUPAC周期律表によるものとする。) 本発明の磁性薄膜の製法には、公知のスパッタ法を主と
して他に蒸着法、イオンブレーティング法、クラスタイ
オンビーム法等の所謂物理蒸着法(Physical
Vapor Deposition以下PVD法と略)
あるいは化学的蒸着法が用いられる。スパッタ法は、成
膜すべき薄膜材料に応じたターゲツト材にAr等のイオ
ンを衝突させターゲツト材の原子をたたき出す(=スパ
ッタ)事によシ基板上にスパッタされた原子が堆積する
ことによシ膜形成を行う。Ar等のイオンの生成は/
0−’〜/ 0−” Torrの分圧のガスをスパッタ
真空容器中に導入し、直流又は高周波交流電界をターゲ
ラ) (Target)と対向電極(通常接地された基
板支持体又は真空容器)の間に印加し、公知のグロー放
電を生じて生成する。
本発明においては、前記製法にて成膜するに際し、成膜
奮囲気中に水素ガスを導入することによシ奮囲気中に存
在する酸素を除去するものである。
奮囲気中に水素ガスを導入することによシ奮囲気中に存
在する酸素を除去するものである。
スパッタ法の場合、Ar等の不活性ガスに水素ガスを加
えるが、全体に対し水素を0./ e16から10%程
度、好ましくは/−2O4程度に設定する。また蒸着法
、イオンブレーティング法、クラスターイオンビーム汰
の場合は、水素ガス単独で用いても、またスパッタと同
様不活性ガ 。
えるが、全体に対し水素を0./ e16から10%程
度、好ましくは/−2O4程度に設定する。また蒸着法
、イオンブレーティング法、クラスターイオンビーム汰
の場合は、水素ガス単独で用いても、またスパッタと同
様不活性ガ 。
スを同時に使用しても良い。
次にこのようにして得られた薄膜はその結晶性を制御す
るため熱アニールを行う事ができる。
るため熱アニールを行う事ができる。
通常、成膜直後の薄膜は原子(卯の堆積中、充分な拡散
時間をもたず凝固(固化)しておシ、結晶性が乱れ又は
多相の結晶からなシ又は非晶質になる場合が多い。光磁
気記録媒体としては、このように乱れた結晶性の膜と、
完全性の高い膜とでいずれが好ましいかは、−概には定
められないがより結晶性の高い膜を得るには、本発明の
媒体の場合100〜700℃好ましくはり00〜boo
℃で/N20時間、真空下で熱アニールを行う。また、
上記アニールにかえて、成膜中に基板をSOO℃程度以
上に加熱することもできる。
時間をもたず凝固(固化)しておシ、結晶性が乱れ又は
多相の結晶からなシ又は非晶質になる場合が多い。光磁
気記録媒体としては、このように乱れた結晶性の膜と、
完全性の高い膜とでいずれが好ましいかは、−概には定
められないがより結晶性の高い膜を得るには、本発明の
媒体の場合100〜700℃好ましくはり00〜boo
℃で/N20時間、真空下で熱アニールを行う。また、
上記アニールにかえて、成膜中に基板をSOO℃程度以
上に加熱することもできる。
上記の方法によって得られる磁性薄膜は、特性が安定し
ておシ、かつ、too−g夕Onm付近で水素ガスを添
加しない場合より、大きなカー回転角が得られる。
ておシ、かつ、too−g夕Onm付近で水素ガスを添
加しない場合より、大きなカー回転角が得られる。
得られる媒体は、さらに他の磁性体を積層して用いるこ
ともできる。たとえば、非晶質希土遷移金属合金(Te
Fe 系など)等の記録感度、抗磁力が大きいかカー回
転角の小さい磁性体との積層によシ、 /)非晶質希土遷啓金属膜の保獲膜として利用でき、 λ)また、光入射側に本発明に係る媒体を置くととてよ
シ非晶質希土遷移金属膜のカー回転角を向上できる。
ともできる。たとえば、非晶質希土遷移金属合金(Te
Fe 系など)等の記録感度、抗磁力が大きいかカー回
転角の小さい磁性体との積層によシ、 /)非晶質希土遷啓金属膜の保獲膜として利用でき、 λ)また、光入射側に本発明に係る媒体を置くととてよ
シ非晶質希土遷移金属膜のカー回転角を向上できる。
(実施例1)
MnSbターゲット上にptチップを配装置し、組成を
調整した後、真空槽を/ X / 0−”rorr以下
に排気した。スパッタガスを表−/の条件に設定した後
、RFパs−、toow、基板温度を表−7に示す。
調整した後、真空槽を/ X / 0−”rorr以下
に排気した。スパッタガスを表−/の条件に設定した後
、RFパs−、toow、基板温度を表−7に示す。
Mnと化合物を形成しゃすい0□、N2ガスを用大幅に
ずれ、このために著しく磁気特性及び磁気光学特性が劣
化している。N2を混合したガスで作製した膜は、N2
の還元作用によって血の残留酸素による酸化が抑制され
、Arガスだけで作製した膜よりも飽和凍化、カー回転
角ともに大きくなっている。
ずれ、このために著しく磁気特性及び磁気光学特性が劣
化している。N2を混合したガスで作製した膜は、N2
の還元作用によって血の残留酸素による酸化が抑制され
、Arガスだけで作製した膜よりも飽和凍化、カー回転
角ともに大きくなっている。
表/ 各スパッタガスで作製した膜の磁気特性と磁気光
学特性実施例コ 実施例1と同様にして水素ガス濃度をg%にした場合の
成膜直後の印加腺界夕KOeにおけるカー回転角の波長
分散特性を図−/に示す。
学特性実施例コ 実施例1と同様にして水素ガス濃度をg%にした場合の
成膜直後の印加腺界夕KOeにおけるカー回転角の波長
分散特性を図−/に示す。
N2を混合したガスで作製した膜のカー回転角の波長分
散特性は結晶性の向上に伴い、分散ピークは急硬になシ
、分散ピークも高くなっている。
散特性は結晶性の向上に伴い、分散ピークは急硬になシ
、分散ピークも高くなっている。
(発明の効果)
本発明の製造方法にて得られた磁性薄膜は安定、してt
、oo−gりo nm付近で大きなカー回転角が得られ
、実用的な光磁気記録媒体を提供する。
、oo−gりo nm付近で大きなカー回転角が得られ
、実用的な光磁気記録媒体を提供する。
図−lは実施例コにおけるカー回転角の波長分散特性の
変化を表わす図である。
変化を表わす図である。
Claims (2)
- (1)基板上に一般式XMnZで表わされる磁性薄膜を
有する光磁気記録媒体を製造するにあたり、水素ガス含
有雰囲気下物理的もしくは化学的蒸着により製膜するこ
とを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。 (上記一般式中、XはFe,CoおよびMn以外の遷移
金属元素、ZはIIIb,IV,V族元素を表わす。) - (2)一般式XMnZで表わされる磁性薄膜がPt_x
Mn_ySb_z(0.1≦x≦0.5、0.2≦y≦
0.7、0.1≦z≦0.6)である特許請求の範囲第
1項記載の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27542287A JPH01118238A (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27542287A JPH01118238A (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01118238A true JPH01118238A (ja) | 1989-05-10 |
Family
ID=17555291
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27542287A Pending JPH01118238A (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01118238A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996008008A1 (fr) * | 1994-09-06 | 1996-03-14 | Migaku Takahashi | Couche magneto-optique mince, support d'enregistrement magneto-optique et son procede de production |
EP0897022A1 (en) * | 1996-11-20 | 1999-02-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sputtering target and antiferromagnetic film and magneto-resistance effect element formed by using the same |
JP2005351384A (ja) * | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Ogino Kogyo Kk | コリオリ運動歯車装置 |
WO2021084894A1 (ja) * | 2019-11-01 | 2021-05-06 | 株式会社Tok | アクチュエータ |
-
1987
- 1987-10-30 JP JP27542287A patent/JPH01118238A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996008008A1 (fr) * | 1994-09-06 | 1996-03-14 | Migaku Takahashi | Couche magneto-optique mince, support d'enregistrement magneto-optique et son procede de production |
US6190763B1 (en) * | 1994-09-06 | 2001-02-20 | Migaku Takahashi | Magnetooptic thin film, magnetoopic record medium |
EP0897022A1 (en) * | 1996-11-20 | 1999-02-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sputtering target and antiferromagnetic film and magneto-resistance effect element formed by using the same |
US6165607A (en) * | 1996-11-20 | 2000-12-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sputtering target and antiferromagnetic film and magneto-resistance effect element formed by using the same |
EP0897022A4 (en) * | 1996-11-20 | 2001-05-02 | Toshiba Kk | TARGET FOR SPRAYING, AND ANTIFERROMAGNETIC FILM AND MAGNETORESISTANT EFFECT ELEMENT FORMED USING THE SAME |
JP2005351384A (ja) * | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Ogino Kogyo Kk | コリオリ運動歯車装置 |
WO2021084894A1 (ja) * | 2019-11-01 | 2021-05-06 | 株式会社Tok | アクチュエータ |
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