DE3642161A1 - Verfahren zur herstellung eines magneto-optischen speichers - Google Patents
Verfahren zur herstellung eines magneto-optischen speichersInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines
magneto-optischen Speichers mit einem Substrat aus einem
für den sichtbaren bis infraroten Spektralbereich transparenten
Material, auf das nacheinander eine dielektrische,
für den sichtbaren bis infraroten Spektralbereich
transparente Schicht mit einem Brechungsindex, der größer
als der Brechungsindex des Substrates ist und die eine
Diffusionsbarriere für Sauerstoff und/oder Wasser darstellt,
eine im wesentlichen amorphe und/oder im wesentlichen
mikrokristalline magneto-optische Schicht mit uniaxialer
Anisotropie und einer magnetischen Ordnungstemperatur
größer Raumtemperatur und eine Deckschicht, die als
Reflexions- oder Interferenzschicht und als Diffusionsbarriere
für Sauerstoff und/oder Wasser wirksam ist,
aufgebracht sind.
Bei löschbaren magneto-optischen Speichern kann das Einschreiben,
Auslesen und Löschen von Information durch Anwendung
einer lokalisierten elektromagnetischen Strahlung
bewirkt werden.
Das Auslesen von Information erfolgt unter Ausnutzung entweder
des magneto-optischen Kerr-Effektes in Reflexion
oder des Faraday-Effektes in Transmission.
Ein löschbarer magneto-optischer Speicher mit einem im wesentlichen
amorphen und/oder im wesentlichen mikrokristallinen
magneto-optischen Speichermaterial ist z. B. aus
DE-PS 23 40 475 bekannt.
Die die magneto-optische Schicht bedeckende(n) dielektrische(n)
Schicht(en) hat (haben) die Aufgabe, den Kerreffekt
des magneto-optischen Speichers zu erhöhen und das Einschreib-,
Auslese- und Löschverhalten des magneto-optischen
Speichers zu optimieren.
Zur Optimierung des Auslesewirkungsgrades ist es zweckmäßig,
daß auf der magneto-optischen Schicht Schichten
vorhanden sind, die entweder als Reflexions- oder als Interferenzschicht
wirksam sind.
Alle an die magneto-optische Schicht angrenzenden Schichten
haben außerdem die weitere Funktion, die magneto-optische
Schicht vor die Langzeitlebensdauer eines Speichers
beeinträchtigenden Umwelteinflüssen, z. B. Oxidation oder
Korrosion, zu schützen.
Es hat sich nun gezeigt, daß die Langzeitstabilität
magneto-optischer Speicher trotz ausreichender guter
Schutzwirkung der die magneto-optische Schicht bedeckenden
Schichten immer noch sehr begrenzt sind.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Langzeitstabilität
magneto-optischer Speicher zu verbessern.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der
Speicher während und/oder nach der Abscheidung der
Schichten in nahezu trockener Atmosphäre über eine Dauer
von 1 min bis 100 h in einem Temperaturbereich von Raumtemperatur
bis knapp unterhalb der Kristallisationstemperatur
des Materials der magneto-optischen Schicht einem
Temperprozeß unterzogen wird.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß die Langzeitstabilität
magneto-optischer Speicher, die durch untere
und obere Grenzen der magnetischen Eigenschaften des
magneto-optischen Materials, wie z. B. die Anisotropie K u ,
die Koerzitivfeldstärke H c oder die Kompensationstemperatur
T comp , gegeben ist, beeinträchtigt wird durch Diffusionsprozesse
in den Grenzbereichen zwischen den Schichten,
durch Migrationsprozesse innerhalb des magneto-optischen
Materials und durch eine Strukturrelaxation innerhalb
der magneto-optischen Schicht. Diese Prozesse verlaufen
relativ langsam und sind ein Grund für die nicht-optimale
Langzeitstabilität bekannter magneto-optischer Speicher.
Durch eine Temperbehandlung eines magneto-optischen
Speichers während und/oder nach dem Anbringen der für den
Aufbau des Speichers erforderlichen Schichten in einem erhöhten
Temperaturbereich von Raumtemperatur bis knapp unterhalb
der Kristallisationstemperatur des magneto-optischen
Materials werden die für die Langzeitstabilität eines
magneto-optischen Speichers nachteiligen Effekte wie
Diffusion und Migration oder die innere Strukturrelaxation
des magneto-optischen Materials innerhalb sehr kurzer
Zeiträume (10 min bis 100 h) bereits soweit abgeschlossen,
daß sich relativ stabile Endwerte der magnetischen Kenngrößen
einstellen.
Hiermit ist der für die praktische Anwendung löschbarer
magneto-optischer Datenspeicher sehr wichtige Vorteil verbunden,
daß magneto-optische Speicher auch über lange Benutzungszeiträume
reproduzierbar genau arbeiten. Insbesondere
wird erreicht, daß für die Koerzitivenergiedichte
(Sättigungsmagnetisierung M s × Koerzitivfeldstärke H c )
stabile Werte erreicht werden und daß die Kompensationstemperatur T comp des magneto-optischen Materials sich nicht mehr im Laufe der Zeit in Richtung auf tiefere Temperaturen verschiebt.
(Sättigungsmagnetisierung M s × Koerzitivfeldstärke H c )
stabile Werte erreicht werden und daß die Kompensationstemperatur T comp des magneto-optischen Materials sich nicht mehr im Laufe der Zeit in Richtung auf tiefere Temperaturen verschiebt.
Die Dauer eines Temperprozesses ist abhängig von der Art
und der Dicke der am Speicheraufbau beteiligten Schichten
und von der Höhe der Tempertemperatur. Diese Werte jeweils
zu ermitteln, liegt für den Fachmann im Rahmen seines
fachmännischen Vorgehens.
Anhand der Zeichnung werden Ausführungsbeispiele der Erfindung
beschrieben und in ihrer Wirkungsweise erläutert.
Es zeigt
Fig. 1 Prinzipdarstellung der Schichtenfolge eines
magneto-optischen Speichers,
Fig. 2 Graphische Darstellung der Abhängigkeit der
normierten Koerzitivfeldstärke H c (t)/H c (0)
unterschiedlich dicker magneto-optischer
Schichten von der Temperdauer bei einer
Temperatur von 150°C,
Fig. 3a-3c SIMS (secondary ion mass spectrometry) von
Sauerstoff eines magneto-optischen Speichers
mit einer magneto-optischen Schicht und einer
auf ihr angebrachten Reflexionsschicht nach
unterschiedlicher Temperdauer,
Fig. 4 Graphische Darstellung der Abhängigkeit der
normierten spezifischen elektrischen Leitfähigkeit
σ (t)/ σ(0) einer magneto-optischen
Schicht von der Temperdauer und der Tempertemperatur.
In Fig. 1 ist eine für den Aufbau eines magneto-optischen
Speichers geeignete Schichtenfolge dargestellt. Nacheinander
sind auf ein durch Führungsrillen strukturiertes Glassubstrat
1 einer Dicke von 1 mm eine dielektrische Schicht
3, z. B. aus AlN einer Dicke von 80 nm, eine
magneto-optische Schicht 5, z. B. aus weitgehend amorphem
GdTbFe einer Dicke von 45 nm und einer als
Reflexionsschicht wirksame Deckschicht 7, z. B. aus Al,
einer Dicke von 30 nm angebracht.
Die Schichten 3, 5, 7 wurden für dieses Beispiel in einem
kontinuierlichen Prozeß durch Magnetron-Kathodenzerstäubung
abgeschieden, wobei vermieden wurde, den Abscheidungsprozeß
nach jeder Schicht zu unterbrechen, um den
Einbau von z. B. Sauerstoff so gering wie möglich zu
halten.
Die Abscheidung der Schichten erfolgte mit folgenden Parametern:
Auf dem Substrat 1 wird zunächst als dielektrische Schicht
3 die AlN-Schicht von 80 nm Dicke abgeschieden, wobei ein
hochreines Al-Target benutzt wird und der Reaktionsraum
mit Stickstoff als Reaktionsgas eines Druckes von
p N = 1,6 · 10-3 mbar sowie mit Argon bis
zu einem Gesamtdruck von 4 · 10-3 mbar gefüllt wird. Die Abscheidung der
AlN-Schicht erfolgt bei einer Anodenspannung von 400 V unter
einem Magnetfeld einer Feldstärke von ≈50 · 10³ A/m und
einer Leistungsdichte von 6 J/s/cm². Anschließend wird als
magneto-optische Schicht 5 die 45 nm dicke GdTbFe-Schicht
mittels eines der gewünschten Schichtzusammensetzung entsprechenden
Targets abgeschieden. Hierzu wird im Reaktionsraum
ein Argondruck von p = 1 · 10-2 mbar eingestellt.
Die Schicht wird bei einer Anodenspannung von 250 V unter
einem Magnetfeld von
32 · 10³ A/m bei einer Leistungsdichte von 1,6 J/s/cm² abgeschieden.
Anschließend wird auf der magneto-optischen Schicht 5 die
als Reflexionsschicht wirksame Deckschicht 7 aus Al einer
Dicke von 30 nm mittels eines hochreinen Aluminium-Targets
abgeschieden. Hierzu wird im Reaktionsraum ein Argondruck
von p = 7 · 10-3 mbar eingestellt. Die Schicht wird bei einer
Anodenspannung von 390 V unter einem Magnetfeld von
50 · 10³ A/m und bei einer Leistungsdichte von 1,5 J/s/cm²
abgeschieden.
Eine für die Herstellung eines solchen Schichtaufbaus einzusetzende
Magnetron-Kathodenzerstäubungsanlage sollte
zweckmäßigerweise mehrere mit entsprechenden Targets ausgestattete
Sputterkathoden aufweisen, damit das zu beschichtende
Substrat in einem einzigen kontinuierlichen
Prozeß mit Schichten unterschiedlicher chemischer Zusammensetzung
versehen werden kann, ohne daß die Vorrichtung
geöffnet werden muß, damit die Anlagerung z. B. von Sauerstoff
minimiert wird.
Bei bekannten Verfahren zur Herstellung magneto-optischer
Bauelemente wird so vorgegangen, daß die Verfahrensparameter
derart eingestellt werden, daß sich die gewünschten
magnetischen Kenngrößen nach Abscheiden des magneto-optischen
Materials ergeben.
Der gemäß dem vorliegenden Verfahren zusätzlich eingesetzte
Temperschritt verschiebt die Werte für die magnetischen
Kenngrößen. Im Hinblick auf die gewünschten Kenngrößen
des fertigen Bauelementes nach dem Temperprozeß
wird der Fachmann diese Verschiebung bei der Auswahl der
Verfahrensparameter zur Herstellung des ungetemperten
Zwischenproduktes im Rahmen seines fachmännischen Vorgehens
also jeweils berücksichtigen.
Aus den Versuchen, die zu dem vorliegenden Verfahren geführt
haben, hat sich gezeigt, daß sich die Werte für die
Kompensationstemperatur T comp und die Koerzitivenergiedichte
immer in Richtung auf niedrigere Werte nach einem
Temperprozeß verschieben. Hier wird der Fachmann also so
vorgehen, daß er die Verfahrensparameter zum Abscheiden
des magneto-optischen Materials jeweils so wählt, daß das
ungetemperte Bauelement Werte für die Kompensationstemperatur
T comp oder die Koerzitivenergiedichte aufweist, die
höher liegen als für das getemperte Endprodukt gewünscht.
Bei dem nach dem vorliegenden Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel
zu Fig. 1 hergestellten Speicher wurde für
den fertigen Speicher nach dem Tempern eine Kompensationstemperatur
T comp = 210 K gewünscht. Mit den für dieses
Ausführungsbeispiel beschriebenen Parametern wurde ein
magneto-optischer Speicher mit einer Kompensationstemperatur
T comp ≈ 250 K hergestellt. Nach einem Temperprozeß in
nahezu trockener Atmosphäre (relative Feuchte 10%) bei
einer Temperatur von 150°C und einer Temperdauer von 10
min hatte der magneto-optische Speicher eine Kompensationstemperatur
T comp = 210 K.
Aus Vergleichsversuchen wurde festgestellt, daß der nach
dem Temperprozeß eingestellte Wert für die Kompensationstemperatur
sich nach einem Jahr innerhalb der Meßgenauigkeit
von 5 K unter Standard-Raumbedingungen nicht geändert
hatte, wogegen sich bei nicht-getemperten Proben die Kompensationstemperatur
um typisch 30 K verringert hatte.
Am Beispiel der Werte für die normierte Koerzitivfeldstärke
H c (t)/H c (0) für einen wie vorstehend beschrieben hergestellten
Speicher zeigt sich, daß sich die Werte bereits
nach einer Temperdauer von 10 min auf einen nahezu
stabilen Wert eingestellt haben (vergleiche nachfolgende
Tabelle).
Normierte Koerzitivfeldstärke bedeutet das Verhältnis
zwischen der Koerzitivfeldstärke H c nach einem Temperschritt
der Zeitdauer t und der Koerzitivfeldstärke H c
direkt nach der Herstellung der magneto-optischen Schicht.
In Fig. 2 ist die normierte Koerzitivfeldstärke
H c (t)/H c (0) unterschiedlich dicker magneto-optischer
Schichten aus GdTbFe in Abhängigkeit von der Temperdauer
dargestellt. Für diese Versuche wurden die magneto-optischen
Schichten direkt auf ein Glassubstrat aufgebracht
und auf den magneto-optischen Schichten wurde jeweils
eine Reflexionsschicht aus Al einer Dicke von 50 nm
mittels Magnetron-Kathodenzerstäubung angebracht. Die Parameter
für den Kathodenzerstäubungsprozeß entsprechen
denen wie z. B. gemäß Fig. 1 beschrieben für die entsprechenden
Schichten.
Der Temperprozeß nach Anbringen der Schichten wurde bei
einer relativen Feuchte von 10% bei einer Temperatur
von 150°C durchgeführt.
Die Kurven 1 bis 3 in Fig. 2 betreffen magneto-optische
Schichten unterschiedlicher Schichtdicken:
Kurve 1: 300 nm
Kurve 2: 80 nm
Kurve 3: 40 nm.
Kurve 2: 80 nm
Kurve 3: 40 nm.
Aus den Kurven ist ersichtlich, daß innerhalb der ersten
10 min der Temperzeit die normierte Koerzitivfeldstärke
H c (t)/H c (0) stark absinkt und sich danach nur noch langsam
H c (t)/H c (0) stark absinkt und sich danach nur noch langsam
linear im logarithmischen Maßstab ändert.
Die Dickenabhängigkeit der Degradation zeigt, daß sowohl
Grenzschichteffekte (Diffusion, Migration) als auch Volumeneffekte
(Strukturrelaxation) wirksam werden.
Von wie zu Fig. 2 beschrieben hergestellten Proben (Dicke
der magneto-optischen GdTbFe-Schicht 80 nm, Dicke der
Al-Deckschicht 50 nm) wurden SIMS-Profile von Sauerstoff
im Schichtaufbau an einer ungetemperten Probe (Fig. 3a),
an einer über einer Dauer von 10 min bei einer Temperatur
von 250°C in nahezu trockener Atmosphäre (relative Feuchte
10%) getemperten Probe (Fig. 3b) und an einer über
eine Dauer von 10 h bei einer Temperatur von 250°C in nahezu
trockener Atmosphäre (relative Feuchte 10%) getemperten
Probe (Fig. 3c) gemessen.
Aus den Profilen gemäß Fig. 3a bis 3c ist ersichtlich,
daß zwischen der Deckschicht aus Aluminium und der magneto-
optischen Schicht aus GdTbFe angelagerter Sauerstoff
in die magneto-optische Schicht bei einem Temperprozeß
eindiffundiert und sich homogen über die gesamte magneto-
optische Schicht verteilt. Dieser Prozeß ist bereits nach
einer kurzen Dauer von nur 10 min abgeschlossen und kann
nicht mehr zu einer weiteren Degradation der magneto-optischen
Schicht beitragen.
Nach einer Temperdauer von 10 h (Fig. 3c) zeigen sich
Grenzschicht-Effekte an der Grenzfläche Glassubstrat/
magneto-optische GdTbFe-Schicht: solche Effekte sind vernachlässigbar,
da bei einem realen System mit einem Glassubstrat
zwischen Substrat und magneto-optischer Schicht
stets noch eine dielektrische Schicht, z. B. aus AlN, zur
Optimierung des Kerreffektes des Speichers vorhanden ist,
die als Diffusionsbarriere wirkt.
An ebenfalls wie zu Fig. 2 beschrieben hergestellten Proben
wurde die Abhängigkeit der normierten spezifischen
elektrischen Leitfähigkeit σ (t)/ σ(0) der magneto-optischen
Schicht von der Temperdauer und der Temperatur gemessen
(Fig. 4).
Die magneto-optische Schicht aus GdTbFe hatte eine Dicke
von 60 nm und eine auf ihr angebrachte dielektrische
Deckschicht aus AlN hatte eine Dicke von 100 nm (Kurven 1 bis 3
in Fig. 4).
Die Proben gemäß den Kurven 4 bis 6 in Fig. 4 hatten
lediglich magneto-optische GdTbFe-Schichten einer Dicke
von 60 nm ohne Deckschicht.
Der Temperprozeß wurde in trockener Atmosphäre (relative
Feuchtigkeit = 0%) durchgeführt.
Aus den Kurven gemäß Fig. 4 ist ersichtlich, daß Aluminiumnitrid
AlN eine gute Diffusionsbarriere für Sauerstoff
darstellt und daß die Degradation der spezifischen elektrischen
Leitfähigkeit der mit einer dielektrischen
AlN-Schicht bedeckten magneto-optischen Schichten nach einer
Temperdauer von ≈ 1000 min nahezu in eine Sättigung
übergegangen ist. Dies ist gleichbedeutend mit einem stabilisierten
Zustand.
Für die Herstellung der für den Aufbau eines magneto-optischen
Speichers erforderlichen Schichtenfolge ist bei den
oben beschriebenen Beispielen ein Magnetronkathodenzerstäubungsprozeß
eingesetzt worden. Die Schichten können
selbstverständlich auch auf jede andere zweckmäßige Weise,
z. B. mittels Elektronenstrahlverdampfen, hergestellt werden.
Claims (23)
1. Verfahren zur Herstellung eines magneto-optischen
Speichers mit einem Substrat aus einem für den sichtbaren
bis infraroten Spektralbereich transparenten Material, auf
das nacheinander eine dielektrische, für den sichtbaren
bis infraroten Spektralbereich transparente Schicht mit
einem Brechungsindex, der größer als der Brechungsindex des
Substrates ist und die eine Diffusionsbarriere für
Sauerstoff und/oder Wasser darstellt, eine im wesentlichen
amorphe und/oder im wesentlichen mikrokristalline
magneto-optische Schicht mit uniaxialer Anisotropie und
einer magnetischen Ordnungstemperatur < Raumtemperatur und
eine Deckschicht, die als Reflexions- oder
Interferenzschicht und als Diffusionsbarriere für
Sauerstoff und/oder Wasser wirksam ist, aufgebracht sind,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Speicher während und/oder nach der Abscheidung der
Schichten in nahezu trockener Atmosphäre über eine Dauer
von 1 min bis 100 h in einem Temperaturbereich von
Raumtemperatur bis knapp unterhalb der
Kristallisationstemperatur des Materials der
magneto-optischen Schicht einem Temperprozeß unterzogen
wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der Speicher dem Temperprozeß über eine Dauer von 10
min unterzogen wird.
3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß zwischen der magneto-optischen Schicht und der Deckschicht
eine weitere dielektrische, für den sichtbaren bis
infraroten Spektralbereich transparente Interferenzschicht
angebracht wird.
4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß als Material für das Substrat Glas gewählt wird.
5. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß als Material für das Substrat ein Kunststoff, insbesondere
ein Polycarbonat, gewählt wird.
6. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß das Material für die dielektrische und die weitere
dielektrische Schicht aus der Gruppe von Oxiden oder
Nitriden oder Oxinitriden von Metallen oder Halbleitern
ausgewählt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß das Material für die dielektrische und für die weitere
dielektrische Schicht Aluminiumnitrid AlN gewählt wird.
8. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß als Material für die dielektrische und die weitere
dielektrische Schicht Siliziumoxid SiO x gewählt wird.
9. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß als Material für die dielektrische und die weitere
dielektrische Schicht Aluminiumoxinitrid AlO x N y gewählt
wird.
10. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß als Material für die dielektrische und die weitere
dielektrische Schicht Zirkonoxinitrid ZrO x N y gewählt wird.
11. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß als Material für die dielektrische und die weitere
dielektrische Schicht Titanoxinitrid TiO x N y gewählt wird.
12. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß als Material für die dielektrische und die weitere
dielektrische Schicht Tantaloxinitrid TaO x N y gewählt wird.
13. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß als Material für die magneto-optische Schicht ein
ternäres oder quaternäres System aus mindestens einem
Seltenerdmetall und mindestens einem Übergangsmetall und
gegebenenfalls mindestens einer weiteren metallischen
Komponente gewählt wird.
14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet,
daß als Material für die magneto-optische Schicht ein
ternäres oder quaternäres System von Gadolinium und/oder
Terbium und Eisen und/oder Kobalt gewählt wird.
15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet,
daß als Material für die magneto-optische Schicht
Gadolinium/Terbium/Eisen oder Terbium/Eisen/Kobalt
gewählt wird.
16. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß als Material für die Deckschicht Metall oder ein Oxid,
Nitrid oder Oxinitrid eines Metalls oder eines Halbleiters
gewählt wird.
17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet,
daß als Material für die Deckschicht Aluminium gewählt
wird.
18. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet,
daß als Material für die Deckschicht Chrom gewählt wird.
19. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet,
daß als Material für die Deckschicht Nickel/Chrom gewählt
wird.
20. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet,
daß als Material für die Deckschicht Siliciumoxid SiO x
gewählt wird.
21. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß die Schichten auf das Substrat durch
Magnetron-Kathodenzerstäubung aufgebracht werden, wobei
die gesamte Schichtenfolge in einem kontinuierlichen
Prozeß ohne Öffnen der Vorrichtung aufgebracht wird.
22. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 21,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Speicher folgende Dickenbereiche im Schichtsystem
aufweist:
Substrat: 0.3 bis 3 mm
Dielektrische Schicht(en): 10 nm bis 400 nm
Magneto-optische Schicht: 10 nm bis 1 µm
Deckschicht: 10 nm bis 1 µm.
Dielektrische Schicht(en): 10 nm bis 400 nm
Magneto-optische Schicht: 10 nm bis 1 µm
Deckschicht: 10 nm bis 1 µm.
23. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 22,
dadurch gekennzeichnet,
daß auf einem Substrat aus Glas einer Schichtdicke von 1 mm
durch Magnetron-Kathodenzerstäubung zunächst eine
dielektrische Schicht aus Aluminiumnitrid AlN einer
Schichtdicke von 80 nm, anschließend eine magneto-optische
Schicht aus Gadolinium/Terbium/Eisen GdTbFe einer
Schichtdicke von 45 nm, und schließlich eine Deckschicht
aus Aluminium Al einer Schichtdicke von 30 nm angebracht
werden, wobei der Speicher nach dem Aufbringen der
Schichten über eine Dauer von 30 min bei einer Temperatur
von 150°C getempert wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19863642161 DE3642161A1 (de) | 1986-12-10 | 1986-12-10 | Verfahren zur herstellung eines magneto-optischen speichers |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19863642161 DE3642161A1 (de) | 1986-12-10 | 1986-12-10 | Verfahren zur herstellung eines magneto-optischen speichers |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3642161A1 true DE3642161A1 (de) | 1988-06-23 |
Family
ID=6315876
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19863642161 Withdrawn DE3642161A1 (de) | 1986-12-10 | 1986-12-10 | Verfahren zur herstellung eines magneto-optischen speichers |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3642161A1 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4137427C1 (de) * | 1991-11-14 | 1993-01-14 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt, De | |
US5527605A (en) * | 1989-02-16 | 1996-06-18 | Hoechst Aktiengesellschaft | Magnetooptic layer and a process for its fabrication |
EP1624086A1 (de) * | 2004-08-06 | 2006-02-08 | Applied Films GmbH & Co. KG | Vorrichtung und Verfahren für die Herstellung von gasundurchlässigen Schichten |
-
1986
- 1986-12-10 DE DE19863642161 patent/DE3642161A1/de not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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DE4137427C1 (de) * | 1991-11-14 | 1993-01-14 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt, De | |
US5707728A (en) * | 1991-11-14 | 1998-01-13 | Ticona Gmbh | Magneto-optical recording medium |
EP1624086A1 (de) * | 2004-08-06 | 2006-02-08 | Applied Films GmbH & Co. KG | Vorrichtung und Verfahren für die Herstellung von gasundurchlässigen Schichten |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |