DE3348423C2 - Verwendung einer amorphen magnetischen quaternären GdTbFeCo-Legierung für die Herstellung einer magnetooptischen Aufzeichnungsschicht - Google Patents
Verwendung einer amorphen magnetischen quaternären GdTbFeCo-Legierung für die Herstellung einer magnetooptischen AufzeichnungsschichtInfo
- Publication number
- DE3348423C2 DE3348423C2 DE3348423A DE3348423A DE3348423C2 DE 3348423 C2 DE3348423 C2 DE 3348423C2 DE 3348423 A DE3348423 A DE 3348423A DE 3348423 A DE3348423 A DE 3348423A DE 3348423 C2 DE3348423 C2 DE 3348423C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- magneto
- recording layer
- optical recording
- angle
- alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C45/00—Amorphous alloys
- C22C45/02—Amorphous alloys with iron as the major constituent
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/16—Layers for recording by changing the magnetic properties, e.g. for Curie-point-writing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
- G11B11/10589—Details
- G11B11/10591—Details for improving write-in properties, e.g. Curie-point temperature
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
- H01F10/13—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals
- H01F10/133—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals containing rare earth metals
- H01F10/135—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals containing rare earth metals containing transition metals
- H01F10/136—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals containing rare earth metals containing transition metals containing iron
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
- H01F10/13—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals
- H01F10/133—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals containing rare earth metals
- H01F10/135—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals containing rare earth metals containing transition metals
- H01F10/137—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals containing rare earth metals containing transition metals containing cobalt
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24306—Metals or metalloids transition metal elements of groups 3-10
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24312—Metals or metalloids group 14 elements (e.g. Si, Ge, Sn)
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft die Verwendung einer amorphen
magnetischen quaternären GdTbFeCo-Legierung für die
Herstellung einer magnetooptischen Aufzeichnungsschicht.
Es sind verschiedene magnetooptische Aufzeichnungsschichten,
beispielsweise polykristalline Dünnschichten, wie z. B.
MnBi- oder MnCuBi-Dünnschichten, amorphe Dünnschichten,
wie z. B. GdCo-, GdFe-, TbFe-, DyFe-, GdTbFe- oder
TbDyFe-Dünnschichten und Einkristall-Dünnschichten,
wie z. B. GdIG-Dünnschichten, bekannt.
Unter diesen Dünnschichten sind die amorphen Dünnschichten
in neuerer Zeit als ausgezeichnete magnetooptische
Aufzeichnungsschichten angesehen worden, weil sie bei
etwa Raumtemperatur als Dünnschichten mit einer großen
Fläche hergestellt werden können, weil Signale mit
einer geringen Licht-Wärmeenergie mit einem guten Wir
kungsgrad des Schreibens geschrieben werden können
und weil die geschriebenen Signale mit einem guten
S/N-Verhältnis und einem hohen Wirkungsgrad des Auslesens
ausgelesen werden können.
In der GB 27 01 696 A wird eine amorphe ternäre GdTbFe-
Legierung für ein magnetooptisches Aufzeichnungsmedium
beschrieben, dem eine geringe Menge einer Verunreinigung,
wie La, Y, Dy, Ho, Er, Bi, Cr und Mo zugesetzt werden kann.
In der DE-PS 21 63 607 wird eine magnetooptische
Aufzeichnungsschicht beschrieben, die kristalline, binäre
seltene Erdverbindungen bzw. deren Mischungen enthält,
wobei die Verbindungen als zweiten Bestandteil Co oder Fe
enthalten.
Diese amorphen Dünnschichten haben jedoch verschiedene
Nachteile. Beispielsweise hat GdFe eine geringe Koerzitivkraft,
und die aufgezeichnete Information ist nicht
stabil.
Im Fall von GdFe oder GdCo wird das Schreiben unter
Anwendung der magnetischen Kompensationstemperatur
durchgeführt, und infolgedessen ist der Nachteil vorhanden,
daß die Zusammensetzung der Dünnschicht bei deren
Bildung genau reguliert werden sollte, um den Wirkungsgrad
des Schreibens gleichmäßig zu machen.
Im Fall von TbFe, DyFe oder TbDyFe wird das Schreiben
bei der Curie-Temperatur (Tc) durchgeführt, und es
ist infolgedessen nicht notwendig, die Zusammensetzung
der Dünnschicht so genau zu regulieren, jedoch ist
der Nachteil vorhanden, daß die Curie-Temperatur niedrig
ist und beispielsweise 100°C oder weniger beträgt,
so daß beim Lesen des Signals ein Licht mit hoher Leistung
nicht angewandt werden kann.
Der Wirkungsgrad des Schreibens bzw. Aufzeichnens ist
um so höher, je niedriger die Curie-Temperatur ist,
jedoch wird das eingeschriebene bzw. aufgezeichnete
Signal im Fall einer niedrigen Curie-Temperatur durch
die Umgebungstemperatur und das Ausleselicht gestört.
Die magnetische Umwandlungstemperatur beträgt deshalb
unter Berücksichtigung der bei der praktischen Anwendung
vorliegenden Umstände vorzugsweise 100°C oder mehr.
Das S/N-Verhältnis beim Auslesen mit dem reflektierten
Licht ist proportional zu R·Rk, worin R das Reflexions
vermögen und Rk der Winkel der Kerr-Drehung ist. Folglich
kann der Winkel der Kerr-Drehung vergrößert werden,
um ein Auslesen mit einem guten S/N-Verhältnis zu erzielen.
Tabelle 1 zeigt die Winkel der Kerr-Drehung von
amorphen magnetischen Dünnschichten.
Material | |
Winkel der Kerr-Drehung (Grad) | |
DyFe | |
0,12 | |
TbFe | 0,18 |
GdFe | 0,24 |
GdCo | 0,20 |
TbDyFe | 0,20 |
GdDyFe | 0,24 |
GdTbFe | 0,27 |
Der Winkel der Kerr-Drehung ist definiert, wie es nach
stehend erläutert wird. Ein Linear polarisiertes Licht,
das auf eine magnetooptische Dünnschicht einfällt,
wird in Form eines elliptisch polarisierten Lichts
reflektiert. Der Winkel der Kerr-Drehung ist der Winkel,
der durch die Polarisationsebene des einfallenden Lichts
und die Ebene, die mit den Hauptachsen des erhaltenen,
elliptisch polarisierten Lichts gebildet wird und die
Hauptachsen enthält, gebildet wird.
In Tabelle 1 hat GdTbFe den größten Winkel der Kerr-
Drehung. Selbst dieser Wert ist jedoch nicht ausreichend,
und es sind Untersuchungen zur weiteren Vergrößerung
des Winkels der Kerr-Drehung durchgeführt worden.
Andererseits kann als eines der spezifischen Merkmale
der vorstehend erwähnten, amorphen magnetischen Materialien,
typischerweise von GdTbFe, die schlechte Korrosions
beständigkeit erwähnt werden. Das heißt, daß diese
Materialien, wenn sie mit der Luft oder mit Wasserdampf
in Berührung gebracht werden, nicht nur hinsichtlich
ihrer magnetischen Eigenschaften verschlechtert werden,
sondern schließlich vollständig oxidiert werden, so
daß sie durchsichtig bzw. lichtdurchlässig werden.
Es ist Aufgabe der Erfindung, eine Legierung für eine magnetooptische
Aufzeichnungsschicht zur Verfügung zu stellen,
womit eine Aufzeichnungsschicht erhalten werden kann, die eine
ausgezeichnete Wärmebeständigkeit hat, einen ausreichend
großen Winkel der Kerr-Drehung zeigt, ein Auslesen
mit einem guten S/N-Verhältnis ermöglicht und eine
verbesserte Korrosionsbeständigkeit hat, ohne daß ihre
magnetischen Eigenschaften beeinträchtigt werden.
Diese Aufgabe wird durch die Verwendung einer amorphen
magnetischen quaternären GdTbFeCo-Legierung für die
Herstellung einer magnetooptischen Aufzeichnungsschicht, wobei die
quaternäre Legierung die folgende Zusammensetzung hat:
(Gd1-zTbz)1-y(Fe1-xCox)y
worin 0,05x0,4, 0,5y<0,9 und 0,2z<1 ist.
Die bevorzugte Ausführungsform der Erfindung wird nachstehend
unter Bezugnahme auf die Figur
näher erläutert.
Die Figur zeigt die Beziehung zwischen dem Winkel der
Kerr-Drehung und dem Co-Gehalt in dem Beispiel einer
erfindungsgemäßen Aufzeichnungsschicht mit der Zusammen
setzung
(Gd0,5Tb0,5)0,21 (Fe1-xCox)0,79 .
Mit einer magnetooptischen Aufzeichnungsschicht,
für die eine GdTbFeCo-Legierung nach der Erfindung verwendet wurde,
wurde durch die Bildung einer amorphen magnetischen
Schicht mit einer Kombination von Gd-Tb-Fe-Co
eine Aufzeichnungsschicht mit einem großen Winkel der
Kerr-Drehung erhalten. Wie aus den nachstehend beschriebenen
Beispielen hervorgeht, hat der Winkel der Kerr-
Drehung bei der erfindungsgemäß erhaltenen magnetooptischen
Aufzeichnungsschicht einen Wert, der den bei GdTbFe
erhaltenen, größten bisher bekannten Winkel der Kerr-
Drehung von 0,27 Grad in hohem Maße übersteigt.
Die magnetooptische Aufzeichnungsschicht aus der amorphen,
quaternären Legierung des Gd-Tb-Fe-Co-Systems muß auch
eine ausreichende magnetische Anisotropie haben, weil
die Achse der leichten Magnetisierbarkeit in der zu
der Dünnschichtoberfläche senkrechten Richtung orientiert
ist. Zu diesem Zweck ist es erforderlich, daß
die Dünnschicht aus einem amorphen Material besteht,
und dies kann erzielt werden, indem man beispielsweise
nach dem Zerstäubungsverfahren oder dem Vakuumbedampfungs
verfahren eine Dünnschicht bildet. Bei einer
Zusammensetzung, durch die eine magnetische Anisotropie
verliehen wird, die ausreicht, um die Achse der leichten
Magnetisierbarkeit in der zu der Dünnschichtoberfläche
senkrechten Richtung zu orientieren, kann das auf die
Gesamtmenge bezogene Atomverhältnis der Summe von Fe
und Co geeigneterweise 50 bis 90 Atom-% und vorzugsweise
70 bis 85 Atom-% betragen. Des weiteren kann Co bei
der vorstehend erwähnten erfindungsgemäßen magnetooptischen
Aufzeichnungsschicht geeigneterweise in einem
Atomverhältnis von 0,5 Atom-% (bezogen auf die Summe
von Fe und Co, wenn dem Atomverhältnis der Summe von
Fe und Co der Wert von 100% zugeordnet wird) vorliegen,
um den Winkel der Kerr-Drehung in einem Ausmaß zu vergrößern,
das im Vergleich zu den Werten, die bei den nach
dem Stand der Technik bekannten Elementarbestandteilen
erhalten werden, ausreicht.
Aufgrund dieser Bedingungen können erwünschte Zusammen
setzungen, die eine ausreichende magnetische Anisotropie
und einen ausreichenden Winkel der Kerr-Drehung ergeben,
durch die folgende Formel ausgedrückt werden:
(Gd1-zTbz)1-y(Fe1-xCox)y
worin 0,05 x 0,4; 0,5 y 0,9; 0,2 z < 1.
In einer Hochfrequenz-Zerstäubungsvorrichtung wurde
ein Tafelglas (76,2 mm×76,2 mm) als Schichtträger
eingesetzt, und ein Target mit Stückchen aus Gd, Tb
und Co (jeweils 5 mm×5 mm), die gleichmäßig auf Fe
mit einem Durchmesser von 101,6 mm angeordnet waren,
wurde angewandt. Nach dem Evakuieren der Kammer bis
zu einem Vakuum von 1,5×10-5 Pa oder weniger wurde
Ar-Gas bis zu einem Druck von 4×10-1 Pa eingeleitet,
und durch Betätigung des Hauptventils des Evakuiersystems
wurde der Ar-Druck auf 3 Pa erhöht. Die Dünnschicht
wurde mit einer Zerstäubungsleistung von 200 W
aus einer Hochfrequenz-Stromquelle gebildet. Es wurde
festgestellt, daß die auf diese Weise hergestellte
Dünnschicht mit einer Dicke von 150,0 nm eine Achse
der leichten Magnetisierbarkeit in der zu der Dünn
schichtoberfläche senkrechten Richtung hatte, und durch
Röntgenanalyse wurde auch festgestellt, daß sie amorph
war. Die Analyse der Zusammensetzung ergab, daß die
magnetische Dünnschicht aus
(Gd0,5Tb0,5)0,21(Fe0,95Co0,05)0,79
bestand. Der mit einem He-Ne-Laser
mit einer Oszillatorwellenlänge von 633 nm gemessene
Winkel der Kerr-Drehung betrug 0,37 Grad und war damit
etwa 30% höher als der Wert des Winkels der Kerr-Drehung
von (Gd0,5Tb0,5)0,21Fe0,79, das auf die gleiche Weise,
wie vorstehend beschrieben, hergestellt worden war.
Beispiel 1 wurde wiederholt, wobei jedoch die Co-Menge
auf dem Fe-Target variiert wurde. Die Zusammensetzung
der Legierungen der Beispiele 2 bis 5 und die Winkel
der Kerr-Drehung dieser Beispiele sind in Tabelle 2
angegeben.
Fig. 1 zeigt, wie der Winkel der Kerr-Drehung in Abhängigkeit
von denVeränderungen im Co-Gehalt in den Beispielen
1 bis 5 variiert, wobei die Ordinatenachse
den Winkel der Kerr-Drehung und die Abszissenachse
den Co-Gehalt zeigt. Auf diese Weise können magnetische
Dünnschichten mit verschiedenen Werten des Winkels
der Kerr-Drehung erhalten werden, indem man den Co-Gehalt
relativ zu Fe variiert, und es wurde festgestellt,
daß alle diese Winkel der Kerr-Drehung in ausreichendem
Maße größer waren als der Wert des Winkels der
Kerr-Drehung bei der bekannten magnetischen Dünnschicht.
Beispiel 1 wurde wiederholt, wobei jedoch der Gehalt
von Gd, Tb und Co auf dem Fe-Target variiert wurde.
Die Zusammensetzung der Legierungen der Beispiele 6
bis 12 und die Winkel der Kerr-Drehung dieser Beispiele
werden in Tabelle 3 gezeigt.
Es wurde auch festgestellt, daß der Winkel der Kerr-
Drehung bei den Beispielen 6 bis 12 im Vergleich zu
dem Winkel der Kerr-Drehung, der bei der bekannten
Zusammensetzung erhalten wird, in ausreichendem Maße
größer ist.
Bei der erfindungsgemäß erhaltenen magnetooptischen Aufzeich
nungsschicht kann die Korrosionsbeständigkeit verbessert
werden, indem zu der amorphen magnetischen Legierung
GdTbFeCo der vorstehend beschriebenen Aufzeichnungsschicht
Si in einer Menge, die einem Si-Atomverhältnis
von 0,1 bis 30 Atom-% entspricht, hinzugegeben wird.
Das folgende Beispiel dient zur Erläuterung dieses
Merkmals.
1
In einer Hochfrequenz-Zerstäubungsvorrichtung wurde
ein Tafelglas (76,2 mm×76,2 mm) als Schichtträger
eingesetzt, und ein erstes Target mit Stückchen aus
Gd, Tb und Co (jeweils 5 mm×5 mm), die gleichmäßig
auf Fe mit einem Durchmesser von 101,6 mm angeordnet
waren, und ein zweites Target, das aus Si mit einem
Durchmesser von 101,6 mm bestand, wurden angewandt.
Nach dem Evakuieren der Kammer bis zu einem Vakuum
von 1,5×10-5 Pa oder weniger wurde Ar-Gas bis zu
einem Druck von 4×10-1 Pa eingeleitet, und durch
Betätigung des Hauptventils des Evakuiersystems wurde
der Ar-Druck auf 3 Pa erhöht. Die Zerstäubungsleistung
aus einer Hochfrequenz-Stromquelle wurde bei dem ersten
Target auf den konstanten Wert von 250 W gebracht,
während die Zerstäubungsleistung bei dem zweiten Target
variiert wurde, und durch gleichzeitiges Zerstäuben
der zwei Quellen wurden GdTbFeCoSi-Dünnschichten mit
verschiedenen Zusammensetzungen, wie sie nachstehend
gezeigt wurden, hergestellt.
{(Gd0,5Tb0,5)0,21(Fe0,9Co0,1)0,79}0,95Si0,05
{(Gd0,5Tb0,5)0,21(Fe0,9Co0,1)0,79}0,9Si0,1
{(Gd0,5Tb0,5)0,21(Fe0,9Co0,1)0,79}0,85Si0,15
{(Gd0,5Tb0,5)0,21(Fe0,9Co0,1)0,79}0,8Si0,2
{(Gd0,5Tb0,5)0,21(Fe0,9Co0,1)0,79}0,9Si0,1
{(Gd0,5Tb0,5)0,21(Fe0,9Co0,1)0,79}0,85Si0,15
{(Gd0,5Tb0,5)0,21(Fe0,9Co0,1)0,79}0,8Si0,2
Auf dem vorstehend erwähnten ersten Target aus Fe wurden
auch Si-Stückchen, die in kleine Stückchen (5 mm×5 mm)
geschnitten worden waren, gleichmäßig verteilt,
und nach dem vorstehend beschriebenen Verfahren wurden
GdTbFeCoSi-Dünnschichten mit der folgenden Zusammensetzung
hergestellt.
{(Ge0,5Tb0,5)0,21(Fe0,9Co0,1)0,79}0,99Si0,01
{(Gd0,5Tb0,5)0,21(Fe0,9Co0,1)0,79}0,997Si0,003
{(Gd0,5Tb0,5)0,21(Fe0,9Co0,1)0,79}0,997Si0,003
Unter den vorstehend erwähnten GdTbFeCoSi-Dünnschichten
war die 30 Atom-% oder mehr Si erhaltende Dünnschicht
eine magnetische Dünnschicht, die in der
zu der Dünnschichtoberfläche senkrechten Richtung
keine Achse der leichten Magnetisierbarkeit hatte.
Als die vorstehend erwähnten GdTbFeCoSi- und GdTbFeCo-
Dünnschichten zur Durchführung von Korrosionsbeständig
keitsversuchen in einen Behälter mit konstanter
Temperatur und Feuchtigkeit (35°C; relative Feuchtigkeit:
90%) hineingebracht wurden, wurden nach
4 bis 5 Tagen auf den GdTbFeCo-Dünnschichten Oberflächen
korrosionen beobachtet, jedoch wurde festgestellt,
daß sie die Korrosionsbeständigkeit bei den GdTbFeCoSi-
Dünnschichten mit zunehmendem Si-Gehalt verbesserte.
Beim Beschichten von Schichtträgern, wie z. B. Gläsern,
Metallen oder Kunststoffen mit der erfindungsgemäß erhaltenen
magnetooptischen Aufzeichnungsschicht nach dem Zerstäubungs-
Vakuumbedampfungsverfahren können auch eine
bekannte Schutzschicht oder eine reflexverhindernde
Schicht oder eine Wärmeisolierschicht, die auch als
Schutzschicht wirken kann, vorgesehen werden, wodurch
die Korrosionsbeständigkeit weiter erhöht werden
kann. Die Korrosionsbeständigkeit kann natürlich
auch auf bekannte Weise durch Anwendung einer "Gas
schicht-Verbundausführung", in deren Innenraum ein
Inertgas eingeschlossen ist, verbessert werden.
Des weiteren können bei der erfindungsgemäß erhaltenen magneto
optischen Aufzeichnungsschicht zu dem amorphen magnetischen
Material Si und Cr zugegeben werden, oder
Si kann zusammen mit anderen Elementen, wie z. B.
Al, zugegeben werden, wodurch magnetische Dünnschichten
mit einer ausgezeichneten Korrosionsbeständigkeit
erhalten werden können.
Wie vorstehend beschrieben wurde, kann festgestellt
werden, daß die erfindungsgemäß erhaltene magnetooptische
Aufzeichnungsschicht, die als magnetische Dünnschicht
aus einer quaternären, Gd-Tb-Fe-Co enthaltenden,
amorphen Legierung ausgebildet ist, eine ausgezeichnete
magnetooptische Aufzeichnungsschicht ist, die
einen großen, nach dem Stand der Technik nicht erzielbaren
Winkel der Kerr-Drehung ergeben kann und ein
Auslesen mit einem großen S/N-Verhältnis ermöglicht
und bei der ferner die Dünnschicht leicht hergestellt
werden kann.
Außerdem kann die Korrosionsbeständigkeit einer solchen
magnetooptischen Aufzeichnungsschicht verbessert
werden, indem ferner Si in einer Menge eingemischt
wird, die einem auf die Gesamtmenge der Legierung
bezogenen Si-Atomverhältnis von 0,1 bis 30 Atom-%
entspricht.
Claims (2)
1. Verwendung einer amorphen magnetischen quaternären
GdTbFeCo-Legierung für die Herstellung einer magneto
optischen Aufzeichnungsschicht, wobei die quaternäre
Legierung die folgende Zusammensetzung hat:
(Gd1-zTbz(1-y(Fe1-xCox)yworin 0,05x0,4, 0,5y0,9 und 0,2z<1 ist.
2. Verwendung einer amorphen magnetischen quaternären
GdTbFeCo-Legierung für die Herstellung einer magneto
optischen Aufzeichnungsschicht, wobei die Aufzeichnungsschicht
zusätzlich Si in einer Menge enthält, die einem Si-
Atomverhältnis von 0,1 bis 30 Atom-% entspricht.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7767782A JPS58196639A (ja) | 1982-05-10 | 1982-05-10 | 光熱磁気記録媒体 |
JP4503583A JPS59168953A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 光熱磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3348423C2 true DE3348423C2 (de) | 1994-11-17 |
Family
ID=26384988
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19833317101 Granted DE3317101A1 (de) | 1982-05-10 | 1983-05-10 | Magnetooptischer aufzeichnungstraeger |
DE3348423A Expired - Lifetime DE3348423C2 (de) | 1982-05-10 | 1983-05-10 | Verwendung einer amorphen magnetischen quaternären GdTbFeCo-Legierung für die Herstellung einer magnetooptischen Aufzeichnungsschicht |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19833317101 Granted DE3317101A1 (de) | 1982-05-10 | 1983-05-10 | Magnetooptischer aufzeichnungstraeger |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5738950A (de) |
DE (2) | DE3317101A1 (de) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5961011A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-07 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
US4721658A (en) * | 1984-04-12 | 1988-01-26 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Amorphous magneto optical recording medium |
US4615944A (en) * | 1983-05-17 | 1986-10-07 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Amorphous magneto optical recording medium |
US4684454A (en) * | 1983-05-17 | 1987-08-04 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Sputtering process for making magneto optic alloy |
US4833043A (en) * | 1983-05-17 | 1989-05-23 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Amorphous magneto optical recording medium |
JPS6079702A (ja) * | 1983-10-06 | 1985-05-07 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 光磁気記録媒体 |
GB2150946B (en) * | 1983-11-05 | 1987-08-19 | Canon Kk | Magneto-optical recording medium |
JPS6122608A (ja) * | 1984-07-11 | 1986-01-31 | Hitachi Ltd | 光磁気記録材料 |
JPS6180640A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-24 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
JPS61144742A (ja) * | 1984-12-17 | 1986-07-02 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
JPS61214254A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-24 | Hitachi Ltd | 光磁気記録材料 |
JPH0782670B2 (ja) * | 1985-07-12 | 1995-09-06 | 株式会社日立製作所 | 光磁気記録媒体 |
US4751142A (en) * | 1985-09-18 | 1988-06-14 | Kyocera Corporation | Magneto-optical recording element |
JPH01138640A (ja) * | 1987-11-25 | 1989-05-31 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2163607C3 (de) * | 1971-12-21 | 1975-11-20 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | |
GB2071696A (en) * | 1980-03-12 | 1981-09-23 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd | Magneto-optical Recording Medium |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3965463A (en) * | 1972-08-29 | 1976-06-22 | International Business Machines Corporation | Apparatus using amorphous magnetic compositions |
GB1436011A (en) * | 1972-08-29 | 1976-05-19 | Ibm | Amorphous magnetic material |
US3949387A (en) * | 1972-08-29 | 1976-04-06 | International Business Machines Corporation | Beam addressable film using amorphous magnetic material |
JPS5231703A (en) * | 1975-09-05 | 1977-03-10 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | Magnetic thin film recording medium |
US4126494A (en) * | 1975-10-20 | 1978-11-21 | Kokusai Denshin Denwa Kabushiki Kaisha | Magnetic transfer record film |
JPS52109193A (en) * | 1976-03-11 | 1977-09-13 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd | Magnetoooptic memory medium |
NL7713503A (en) * | 1977-12-07 | 1979-06-11 | Philips Nv | Thermomagnetic information recorder e.g. for laser beams - has active layer of gadolinium, iron and holmium, dysprosium or terbium |
DE2911992C2 (de) * | 1979-03-27 | 1981-12-10 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Magnetooptisches Speicherelement, Verfahren zu seiner Herstellung und es verwendende Speichervorrichtung |
JPS6024567B2 (ja) * | 1979-09-05 | 1985-06-13 | ニツセイ電機株式会社 | 電子部品の製造方法 |
JPS5674843A (en) * | 1979-11-21 | 1981-06-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photomagnetic recording medium |
JPS56143547A (en) * | 1980-04-09 | 1981-11-09 | Sharp Corp | Magnetooptical storage disk |
GB2077065B (en) * | 1980-02-23 | 1985-01-09 | Sharp Kk | Magnetooptic memory medium |
US4693943A (en) * | 1982-05-10 | 1987-09-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording medium |
JPS5961011A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-07 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
-
1983
- 1983-05-10 DE DE19833317101 patent/DE3317101A1/de active Granted
- 1983-05-10 DE DE3348423A patent/DE3348423C2/de not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-06-07 US US08/485,159 patent/US5738950A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2163607C3 (de) * | 1971-12-21 | 1975-11-20 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | |
GB2071696A (en) * | 1980-03-12 | 1981-09-23 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd | Magneto-optical Recording Medium |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5738950A (en) | 1998-04-14 |
DE3317101C2 (de) | 1987-11-05 |
DE3317101A1 (de) | 1983-11-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3534571C2 (de) | ||
DE3348423C2 (de) | Verwendung einer amorphen magnetischen quaternären GdTbFeCo-Legierung für die Herstellung einer magnetooptischen Aufzeichnungsschicht | |
DE3608021C2 (de) | ||
DE2340475C3 (de) | Optischer Speicher | |
EP0326935B1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer dünnen röntgenamorphen Aluminiumnitrid- oder Aluminium-siliciumnitridschicht auf einer Oberfläche | |
DE3335689C2 (de) | ||
DE3409747C2 (de) | ||
DE3623285C2 (de) | ||
DE3413086A1 (de) | Ferrimagnetische oxide und diese enthaltende magneto-optische aufzeichnungsmaterialien | |
DE3528701C2 (de) | ||
DE2911992A1 (de) | Magnetooptisches speicherelement | |
DE2729486A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer magnetischen duennschicht | |
DE3443049C2 (de) | ||
DE3904611A1 (de) | Magnetooptische schicht und verfahren zu ihrer herstellung | |
DE3903484A1 (de) | Magnetooptischer duennschichtfilm | |
DE3836838C2 (de) | ||
DE3309483C2 (de) | ||
EP0410337A2 (de) | Schutzschichten aus Keramiken des Germaniums | |
DE3440391C2 (de) | ||
DE2041847B2 (de) | Verfahren zur herstellung einkristalliner, ferrimagnetischer seltene erdmetalle-eisen-granatfilme | |
DE1813844A1 (de) | Herstellung von Mangan-Wismut | |
DD298446A5 (de) | Optisches aufzeichnungsmedium und verfahren zu dessen herstellung | |
DE3348424C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines magnetooptischen Aufzeichnungsmaterials | |
DE3619254C2 (de) | ||
EP0446784A2 (de) | Magnetooptische Datenplatte |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
Q369 | Divided out of: |
Ref document number: 3317101 Country of ref document: DE |
|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
AC | Divided out of |
Ref country code: DE Ref document number: 3317101 Format of ref document f/p: P |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition |